bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  45   title =        "",
  46   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  47   volume =       "32",
  48   pages =        "1211",
  49   year =         "1971",
  50   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  51 }
  52
  53 @Article{capano97,
  54   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  55   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  56   journal =      "MRS Bull.",
  57   volume =       "22",
  58   pages =        "19",
  59   year =         "1997",
  60 }
  61
  62 @Article{fischer90,
  63   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  64   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  65                  carbide",
  66   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  67   volume =       "61",
  68   pages =        "217--236",
  69   year =         "1990",
  70   notes =        "sic polytypes",
  71 }
  72
  73 @Book{laplace,
  74   author =       "P. S. de Laplace",
  75   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  76   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  77   volume =       "VII",
  78   publisher =    "Gauthier-Villars",
  79   year =         "1820",
  80 }
  81
  82 @Article{mattoni2007,
  83   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  84   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  85                  materials}",
  86   journal =      "Phys. Rev. B",
  87   year =         "2007",
  88   month =        dec,
  89   volume =       "76",
  90   number =       "22",
  91   pages =        "224103",
  92   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  93   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  94                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  95                  fracture, more available potentials, universal energy
  96                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  97 }
  98
  99 @Article{koster2002,
 100   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 101                  bombardment",
 102   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 103   journal =      "Phys. Rev. B",
 104   volume =       "62",
 105   number =       "16",
 106   pages =        "11219--11224",
 107   numpages =     "5",
 108   year =         "2000",
 109   month =        oct,
 110   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 111   publisher =    "American Physical Society",
 112   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 113 }
 114
 115 @Article{breadmore99,
 116   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 117                  amorphization of silicon",
 118   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 119   journal =      "Phys. Rev. B",
 120   volume =       "60",
 121   number =       "18",
 122   pages =        "12610--12616",
 123   numpages =     "6",
 124   year =         "1999",
 125   month =        nov,
 126   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 127   publisher =    "American Physical Society",
 128   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 129 }
 130
 131 @Article{moissan04,
 132   author =       "Henri Moissan",
 133   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 134                  Diablo",
 135   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 136   volume =       "139",
 137   pages =        "773--786",
 138   year =         "1904",
 139 }
 140
 141 @Book{park98,
 142   author =       "Y. S. Park",
 143   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 144   publisher =    "Academic Press",
 145   address =      "San Diego",
 146   year =         "1998",
 147 }
 148
 149 @Article{tsvetkov98,
 150   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 151                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 152   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 153   journal =      "Materials Science Forum",
 154   volume =       "264-268",
 155   pages =        "3--8",
 156   year =         "1998",
 157   notes =        "modified lely process, micropipes",
 158 }
 159
 160 @Article{verlet67,
 161   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 162                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 163   author =       "Loup Verlet",
 164   journal =      "Phys. Rev.",
 165   volume =       "159",
 166   number =       "1",
 167   pages =        "98",
 168   year =         "1967",
 169   month =        jul,
 170   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 171   publisher =    "American Physical Society",
 172   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 173                  motion",
 174 }
 175
 176 @Article{berendsen84,
 177   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 178                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 179   collaboration = "",
 180   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 181   publisher =    "AIP",
 182   year =         "1984",
 183   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 184   volume =       "81",
 185   number =       "8",
 186   pages =        "3684--3690",
 187   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 188                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 189   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 190   doi =          "10.1063/1.448118",
 191   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 192 }
 193
 194 @Article{huang95,
 195   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 196                  Baskes",
 197   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 198                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 199                  potentials",
 200   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 201                  Engineering",
 202   volume =       "3",
 203   number =       "5",
 204   pages =        "615--627",
 205   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 206   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 207                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 208   year =         "1995",
 209 }
 210
 211 @Article{tersoff89,
 212   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 213                  Tersoff potentials",
 214   author =       "Donald W. Brenner",
 215   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 216   volume =       "63",
 217   number =       "9",
 218   pages =        "1022",
 219   numpages =     "1",
 220   year =         "1989",
 221   month =        aug,
 222   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 223   publisher =    "American Physical Society",
 224   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 225 }
 226
 227 @Article{batra87,
 228   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 229                  silicon",
 230   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 231   journal =      "Phys. Rev. B",
 232   volume =       "35",
 233   number =       "18",
 234   pages =        "9552--9558",
 235   numpages =     "6",
 236   year =         "1987",
 237   month =        jun,
 238   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 239   publisher =    "American Physical Society",
 240   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 241                  calculation of defect formation energy, defect
 242                  interstitial types",
 243 }
 244
 245 @Article{schober89,
 246   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 247   author =       "H. R. Schober",
 248   journal =      "Phys. Rev. B",
 249   volume =       "39",
 250   number =       "17",
 251   pages =        "13013--13015",
 252   numpages =     "2",
 253   year =         "1989",
 254   month =        jun,
 255   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 256   publisher =    "American Physical Society",
 257   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 258                  dumbbell configuration",
 259 }
 260
 261 @Article{gao02,
 262   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 263                  Defect accumulation, topological features, and
 264                  disordering",
 265   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 266   journal =      "Phys. Rev. B",
 267   volume =       "66",
 268   number =       "2",
 269   pages =        "024106",
 270   numpages =     "10",
 271   year =         "2002",
 272   month =        jul,
 273   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 274   publisher =    "American Physical Society",
 275   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 276                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 277                  result analyze",
 278 }
 279
 280 @Article{devanathan98,
 281   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 282                  cascade in Si{C}",
 283   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 284                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 285   volume =       "141",
 286   number =       "1-4",
 287   pages =        "118--122",
 288   year =         "1998",
 289   ISSN =         "0168-583X",
 290   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 291   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 292                  Rubia",
 293   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 294                  3c-sic",
 295 }
 296
 297 @Article{devanathan98_2,
 298   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 299   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 300   volume =       "253",
 301   number =       "1-3",
 302   pages =        "47--52",
 303   year =         "1998",
 304   ISSN =         "0022-3115",
 305   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 306   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 307                  Weber",
 308   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 309                  tersoff",
 310 }
 311
 312 @Article{batra87,
 313   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 314   author =       "M. Kitabatake",
 315   journal =      "Thin Solid Films",
 316   volume =       "369",
 317   pages =        "257--264",
 318   numpages =     "8",
 319   year =         "2000",
 320   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 321 }
 322
 323 @Article{tang97,
 324   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 325                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 326                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 327                  formation volumes",
 328   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 329                  Rubia",
 330   journal =      "Phys. Rev. B",
 331   volume =       "55",
 332   number =       "21",
 333   pages =        "14279--14289",
 334   numpages =     "10",
 335   year =         "1997",
 336   month =        jun,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 340 }
 341
 342 @Article{tang97,
 343   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 344                  silicon",
 345   author =       "L. Colombo",
 346   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 347   volume =       "32",
 348   pages =        "271--295",
 349   numpages =     "25",
 350   year =         "2002",
 351   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 352   publisher =    "Annual Reviews",
 353   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 354 }
 355
 356 @Article{gao2001,
 357   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 358                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 359   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 360                  Corrales",
 361   journal =      "Phys. Rev. B",
 362   volume =       "64",
 363   number =       "24",
 364   pages =        "245208",
 365   numpages =     "7",
 366   year =         "2001",
 367   month =        dec,
 368   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 369   publisher =    "American Physical Society",
 370   notes =        "defects in 3c-sic",
 371 }
 372
 373 @Article{mattoni2002,
 374   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 375                  crystalline silicon",
 376   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 377   journal =      "Phys. Rev. B",
 378   volume =       "66",
 379   number =       "19",
 380   pages =        "195214",
 381   numpages =     "6",
 382   year =         "2002",
 383   month =        nov,
 384   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 385   publisher =    "American Physical Society",
 386   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 387                  links",
 388 }
 389
 390 @Article{leung99,
 391   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 392   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 393                  Itoh and S. Ihara",
 394   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 395   volume =       "83",
 396   number =       "12",
 397   pages =        "2351--2354",
 398   numpages =     "3",
 399   year =         "1999",
 400   month =        sep,
 401   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 402   publisher =    "American Physical Society",
 403   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 404                  refs",
 405 }
 406
 407 @Article{capaz94,
 408   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 409                  carbon in silicon",
 410   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 411   journal =      "Phys. Rev. B",
 412   volume =       "50",
 413   number =       "11",
 414   pages =        "7439--7442",
 415   numpages =     "3",
 416   year =         "1994",
 417   month =        sep,
 418   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 419   publisher =    "American Physical Society",
 420   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 421                  dumbbell",
 422 }
 423
 424 @Article{dal_pino93,
 425   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 426                  silicon",
 427   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 428                  Joannopoulos",
 429   journal =      "Phys. Rev. B",
 430   volume =       "47",
 431   number =       "19",
 432   pages =        "12554--12557",
 433   numpages =     "3",
 434   year =         "1993",
 435   month =        may,
 436   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 437   publisher =    "American Physical Society",
 438   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 439 }
 440
 441 @Article{car84,
 442   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 443                  Silicon",
 444   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 445                  Sokrates T. Pantelides",
 446   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 447   volume =       "52",
 448   number =       "20",
 449   pages =        "1814--1817",
 450   numpages =     "3",
 451   year =         "1984",
 452   month =        may,
 453   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 454   publisher =    "American Physical Society",
 455   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 456                  path formation",
 457 }
 458
 459 @Article{kelires97,
 460   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 461                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 462   author =       "P. C. Kelires",
 463   journal =      "Phys. Rev. B",
 464   volume =       "55",
 465   number =       "14",
 466   pages =        "8784--8787",
 467   numpages =     "3",
 468   year =         "1997",
 469   month =        apr,
 470   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 471   publisher =    "American Physical Society",
 472   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 473                  neighbour dist",
 474 }
 475
 476 @Article{kelires95,
 477   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 478                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 479   author =       "P. C. Kelires",
 480   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 481   volume =       "75",
 482   number =       "6",
 483   pages =        "1114--1117",
 484   numpages =     "3",
 485   year =         "1995",
 486   month =        aug,
 487   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 488   publisher =    "American Physical Society",
 489   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 490 }
 491
 492 @Article{bean70,
 493   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 494                  containing carbon",
 495   journal =      "Solid State Communications",
 496   volume =       "8",
 497   number =       "3",
 498   pages =        "175--177",
 499   year =         "1970",
 500   note =         "",
 501   ISSN =         "0038-1098",
 502   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 503   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 504   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 505 }
 506
 507 @Article{watkins76,
 508   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 509                  Atom in Silicon",
 510   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 511   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 512   volume =       "36",
 513   number =       "22",
 514   pages =        "1329--1332",
 515   numpages =     "3",
 516   year =         "1976",
 517   month =        may,
 518   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 519   publisher =    "American Physical Society",
 520   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 521                  silicon",
 522 }
 523
 524 @Article{song90,
 525   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 526                  interstitial carbon in silicon",
 527   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 528   journal =      "Phys. Rev. B",
 529   volume =       "42",
 530   number =       "9",
 531   pages =        "5759--5764",
 532   numpages =     "5",
 533   year =         "1990",
 534   month =        sep,
 535   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 536   publisher =    "American Physical Society",
 537   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 538 }
 539
 540 @Article{tipping87,
 541   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 542   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 543                  silicon",
 544   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 545   volume =       "2",
 546   number =       "5",
 547   pages =        "315--317",
 548   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 549   year =         "1987",
 550   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 551                  silicon",
 552 }
 553
 554 @Article{strane96,
 555   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 556                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 557   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 558                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 559   journal =      "J. Appl. Phys.",
 560   volume =       "79",
 561   pages =        "637",
 562   year =         "1996",
 563   month =        jan,
 564   doi =          "10.1063/1.360806",
 565   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 566 }
 567
 568 @Article{laveant2002,
 569   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 570   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 571                  G{\"o}sele",
 572   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 573   volume =       "89",
 574   number =       "1-3",
 575   pages =        "241--245",
 576   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 577   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 578                  stress, avoid sic precipitation",
 579 }
 580
 581 @Article{werner97,
 582   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 583                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 584   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 585                  silicon by transmission electron microscopy",
 586   publisher =    "AIP",
 587   year =         "1997",
 588   journal =      "Applied Physics Letters",
 589   volume =       "70",
 590   number =       "2",
 591   pages =        "252--254",
 592   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 593                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 594                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 595                  layers; precipitation",
 596   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 597   doi =          "10.1063/1.118381",
 598   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 599                  precipitate",
 600 }
 601
 602 @Article{strane94,
 603   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 604                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 605   collaboration = "",
 606   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 607                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 608   publisher =    "AIP",
 609   year =         "1994",
 610   journal =      "Journal of Applied Physics",
 611   volume =       "76",
 612   number =       "6",
 613   pages =        "3656--3668",
 614   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 615   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 616   doi =          "10.1063/1.357429",
 617   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 618 }
 619
 620 @Article{edgar92,
 621   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 622                  semiconductors",
 623   author =       "J. H. Edgar",
 624   journal =      "J. Mater. Res.",
 625   volume =       "7",
 626   pages =        "235",
 627   year =         "1992",
 628   month =        jan,
 629   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 630   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 631                  polytypes",
 632 }
 633
 634 @Article{zirkelbach2007,
 635   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 636                  process leading to ordered precipitate structures",
 637   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 638                  and B. Stritzker",
 639   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 640   volume =       "257",
 641   number =       "1--2",
 642   pages =        "75--79",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2007",
 645   month =        apr,
 646   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 647   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 648                  NETHERLANDS",
 649 }
 650
 651 @Article{zirkelbach2006,
 652   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 653                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 654                  during ion irradiation",
 655   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 656                  and B. Stritzker",
 657   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 658   volume =       "242",
 659   number =       "1--2",
 660   pages =        "679--682",
 661   numpages =     "4",
 662   year =         "2006",
 663   month =        jan,
 664   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 665   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 666                  NETHERLANDS",
 667 }
 668
 669 @Article{zirkelbach2005,
 670   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 671                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 672                  ion irradiation",
 673   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 674                  and B. Stritzker",
 675   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 676   volume =       "33",
 677   number =       "1--3",
 678   pages =        "310--316",
 679   numpages =     "7",
 680   year =         "2005",
 681   month =        apr,
 682   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 683   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 684                  NETHERLANDS",
 685 }
 686
 687 @Article{lindner99,
 688   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 689                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 690                  layers in silicon",
 691   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 692                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 693   volume =       "147",
 694   number =       "1-4",
 695   pages =        "249--255",
 696   year =         "1999",
 697   note =         "",
 698   ISSN =         "0168-583X",
 699   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 700   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 701   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 702   notes =        "two-step implantation process",
 703 }
 704
 705 @Article{lindner99_2,
 706   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 707                  in silicon",
 708   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 709                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 710   volume =       "148",
 711   number =       "1-4",
 712   pages =        "528--533",
 713   year =         "1999",
 714   note =         "",
 715   ISSN =         "0168-583X",
 716   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 717   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 718   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 719 }
 720
 721 @Article{lindner01,
 722   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 723                  Basic physical processes",
 724   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 725                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 726   volume =       "178",
 727   number =       "1-4",
 728   pages =        "44--54",
 729   year =         "2001",
 730   note =         "",
 731   ISSN =         "0168-583X",
 732   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 733   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 734   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 735 }
 736
 737 @Article{lindner02,
 738   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 739                  fundamental studies for new technological tricks",
 740   author =       "J. K. N. Lindner",
 741   journal =      "Appl. Phys. A",
 742   volume =       "77",
 743   pages =        "27--38",
 744   year =         "2003",
 745   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 746   notes =        "ibs, burried sic layers",
 747 }
 748
 749 @Article{alder57,
 750   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 751   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 752   publisher =    "AIP",
 753   year =         "1957",
 754   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 755   volume =       "27",
 756   number =       "5",
 757   pages =        "1208--1209",
 758   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 759   doi =          "10.1063/1.1743957",
 760 }
 761
 762 @Article{alder59,
 763   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 764   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 765   publisher =    "AIP",
 766   year =         "1959",
 767   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 768   volume =       "31",
 769   number =       "2",
 770   pages =        "459--466",
 771   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 772   doi =          "10.1063/1.1730376",
 773 }
 774
 775 @Article{tersoff_si1,
 776   title =        "New empirical model for the structural properties of
 777                  silicon",
 778   author =       "J. Tersoff",
 779   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 780   volume =       "56",
 781   number =       "6",
 782   pages =        "632--635",
 783   numpages =     "3",
 784   year =         "1986",
 785   month =        feb,
 786   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 787   publisher =    "American Physical Society",
 788 }
 789
 790 @Article{tersoff_si2,
 791   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 792                  covalent systems",
 793   author =       "J. Tersoff",
 794   journal =      "Phys. Rev. B",
 795   volume =       "37",
 796   number =       "12",
 797   pages =        "6991--7000",
 798   numpages =     "9",
 799   year =         "1988",
 800   month =        apr,
 801   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 802   publisher =    "American Physical Society",
 803 }
 804
 805 @Article{tersoff_si3,
 806   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 807                  improved elastic properties",
 808   author =       "J. Tersoff",
 809   journal =      "Phys. Rev. B",
 810   volume =       "38",
 811   number =       "14",
 812   pages =        "9902--9905",
 813   numpages =     "3",
 814   year =         "1988",
 815   month =        nov,
 816   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 817   publisher =    "American Physical Society",
 818 }
 819
 820 @Article{tersoff_c,
 821   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 822                  Applications to Amorphous Carbon",
 823   author =       "J. Tersoff",
 824   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 825   volume =       "61",
 826   number =       "25",
 827   pages =        "2879--2882",
 828   numpages =     "3",
 829   year =         "1988",
 830   month =        dec,
 831   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 832   publisher =    "American Physical Society",
 833 }
 834
 835 @Article{tersoff_m,
 836   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 837                  for multicomponent systems",
 838   author =       "J. Tersoff",
 839   journal =      "Phys. Rev. B",
 840   volume =       "39",
 841   number =       "8",
 842   pages =        "5566--5568",
 843   numpages =     "2",
 844   year =         "1989",
 845   month =        mar,
 846   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 847   publisher =    "American Physical Society",
 848 }
 849
 850 @Article{tersoff90,
 851   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
 852   author =       "J. Tersoff",
 853   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 854   volume =       "64",
 855   number =       "15",
 856   pages =        "1757--1760",
 857   numpages =     "3",
 858   year =         "1990",
 859   month =        apr,
 860   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
 861   publisher =    "American Physical Society",
 862 }
 863
 864 @Article{fahey89,
 865   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 866   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 867   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 868   volume =       "61",
 869   number =       "2",
 870   pages =        "289--384",
 871   numpages =     "95",
 872   year =         "1989",
 873   month =        apr,
 874   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 875   publisher =    "American Physical Society",
 876 }
 877
 878 @Article{wesch96,
 879   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 880   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 881                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 882   volume =       "116",
 883   number =       "1-4",
 884   pages =        "305--321",
 885   year =         "1996",
 886   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 887   ISSN =         "0168-583X",
 888   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 889   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 890   author =       "W. Wesch",
 891 }
 892
 893 @Article{morkoc94,
 894   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 895                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 896   collaboration = "",
 897   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 898                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 899   publisher =    "AIP",
 900   year =         "1994",
 901   journal =      "Journal of Applied Physics",
 902   volume =       "76",
 903   number =       "3",
 904   pages =        "1363--1398",
 905   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 906                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 907                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 908                  FILMS; INDUSTRY",
 909   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 910   doi =          "10.1063/1.358463",
 911 }
 912
 913 @Article{foo,
 914   author =       "Noch Unbekannt",
 915   title =        "How to find references",
 916   journal =      "Journal of Applied References",
 917   year =         "2009",
 918   volume =       "77",
 919   pages =        "1--23",
 920 }
 921
 922 @Article{tang95,
 923   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 924                  \beta{}-Si{C}",
 925   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 926   journal =      "Phys. Rev. B",
 927   volume =       "52",
 928   number =       "21",
 929   pages =        "15150--15159",
 930   numpages =     "9",
 931   year =         "1995",
 932   month =        dec,
 933   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 934   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 935   publisher =    "American Physical Society",
 936 }
 937
 938 @Article{sarro00,
 939   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 940   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 941   volume =       "82",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "210--218",
 944   year =         "2000",
 945   ISSN =         "0924-4247",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 948   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 949   keywords =     "MEMS",
 950   keywords =     "Silicon carbide",
 951   keywords =     "Micromachining",
 952   keywords =     "Mechanical stress",
 953 }
 954
 955 @Article{casady96,
 956   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 957                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 958                  review",
 959   journal =      "Solid-State Electronics",
 960   volume =       "39",
 961   number =       "10",
 962   pages =        "1409--1422",
 963   year =         "1996",
 964   ISSN =         "0038-1101",
 965   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 967   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 968 }
 969
 970 @Article{giancarli98,
 971   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 972                  structural material in fusion power reactor blankets",
 973   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 974   volume =       "41",
 975   number =       "1-4",
 976   pages =        "165--171",
 977   year =         "1998",
 978   ISSN =         "0920-3796",
 979   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 980   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 981   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 982                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
 983 }
 984
 985 @Article{pensl93,
 986   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 987   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
 988   volume =       "185",
 989   number =       "1-4",
 990   pages =        "264--283",
 991   year =         "1993",
 992   ISSN =         "0921-4526",
 993   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
 994   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
 995   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
 996 }
 997
 998 @Article{tairov78,
 999   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1000                  carbide single crystals",
1001   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1002   volume =       "43",
1003   number =       "2",
1004   pages =        "209--212",
1005   year =         "1978",
1006   notes =        "modifief lely process",
1007   ISSN =         "0022-0248",
1008   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1009   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1010   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1011 }
1012
1013 @Article{powell87,
1014   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1015                  Kuczmarski",
1016   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1017                  Single-Crystal Films on Si",
1018   publisher =    "ECS",
1019   year =         "1987",
1020   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1021   volume =       "134",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "1558--1565",
1024   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1025                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1026   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1027   doi =          "10.1149/1.2100708",
1028   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1029 }
1030
1031 @Article{kimoto93,
1032   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1033                  and Hiroyuki Matsunami",
1034   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1035                  epitaxy",
1036   publisher =    "AIP",
1037   year =         "1993",
1038   journal =      "Journal of Applied Physics",
1039   volume =       "73",
1040   number =       "2",
1041   pages =        "726--732",
1042   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1043                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1044                  VAPOR DEPOSITION",
1045   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1046   doi =          "10.1063/1.353329",
1047 }
1048
1049 @Article{powell90,
1050   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1051                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1052                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1053   collaboration = "",
1054   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1055                  6{H}-Si{C} substrates",
1056   publisher =    "AIP",
1057   year =         "1990",
1058   journal =      "Applied Physics Letters",
1059   volume =       "56",
1060   number =       "14",
1061   pages =        "1353--1355",
1062   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1063                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1064                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1065                  PHASE EPITAXY",
1066   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1067   doi =          "10.1063/1.102512",
1068 }
1069
1070 @Article{fissel95,
1071   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1072                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1073                  molecular beam epitaxy",
1074   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1075   volume =       "154",
1076   number =       "1-2",
1077   pages =        "72--80",
1078   year =         "1995",
1079   notes =        "solid source mbe",
1080   ISSN =         "0022-0248",
1081   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1082   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1083   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1084                  and W. Richter",
1085 }
1086
1087 @Article{borders71,
1088   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1089   collaboration = "",
1090   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1091                  {IMPLANTATION}",
1092   publisher =    "AIP",
1093   year =         "1971",
1094   journal =      "Applied Physics Letters",
1095   volume =       "18",
1096   number =       "11",
1097   pages =        "509--511",
1098   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1099   notes =        "first time sic by ibs",
1100   doi =          "10.1063/1.1653516",
1101 }
1102
1103 @Article{reeson87,
1104   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1105                  J. Davis and G. E. Celler",
1106   collaboration = "",
1107   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1108                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1109   publisher =    "AIP",
1110   year =         "1987",
1111   journal =      "Applied Physics Letters",
1112   volume =       "51",
1113   number =       "26",
1114   pages =        "2242--2244",
1115   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1116                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1117   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1118   doi =          "10.1063/1.98953",
1119   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1120 }
1121
1122 @Article{scace59,
1123   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1124   collaboration = "",
1125   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1126   publisher =    "AIP",
1127   year =         "1959",
1128   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1129   volume =       "30",
1130   number =       "6",
1131   pages =        "1551--1555",
1132   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1133   doi =          "10.1063/1.1730236",
1134   notes =        "solubility of c in c-si",
1135 }
1136
1137 @Article{cowern96,
1138   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1139                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1140   collaboration = "",
1141   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1142                  {B} in silicon",
1143   publisher =    "AIP",
1144   year =         "1996",
1145   journal =      "Applied Physics Letters",
1146   volume =       "68",
1147   number =       "8",
1148   pages =        "1150--1152",
1149   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1150                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1151                  SILICON",
1152   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1153   doi =          "10.1063/1.115706",
1154   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1155 }
1156
1157 @Article{stolk95,
1158   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1159                  of the silicon self-interstitial",
1160   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1161                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1162   volume =       "96",
1163   number =       "1-2",
1164   pages =        "187--195",
1165   year =         "1995",
1166   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1167                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1168   ISSN =         "0168-583X",
1169   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1170   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1171   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1172                  and J. M. Poate",
1173 }
1174
1175 @Article{stolk97,
1176   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1177                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1178                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1179                  E. Haynes",
1180   collaboration = "",
1181   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1182                  diffusion in ion-implanted silicon",
1183   publisher =    "AIP",
1184   year =         "1997",
1185   journal =      "Journal of Applied Physics",
1186   volume =       "81",
1187   number =       "9",
1188   pages =        "6031--6050",
1189   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1190   doi =          "10.1063/1.364452",
1191   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1192 }
1193
1194 @Article{powell94,
1195   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1196   collaboration = "",
1197   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1198                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1199   publisher =    "AIP",
1200   year =         "1994",
1201   journal =      "Applied Physics Letters",
1202   volume =       "64",
1203   number =       "3",
1204   pages =        "324--326",
1205   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1206                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1207                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1208                  SYNTHESIS",
1209   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1210   doi =          "10.1063/1.111195",
1211   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1212 }
1213
1214 @Article{soref91,
1215   author =       "Richard A. Soref",
1216   collaboration = "",
1217   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1218                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1219   publisher =    "AIP",
1220   year =         "1991",
1221   journal =      "Journal of Applied Physics",
1222   volume =       "70",
1223   number =       "4",
1224   pages =        "2470--2472",
1225   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1226                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1227                  TERNARY ALLOYS",
1228   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1229   doi =          "10.1063/1.349403",
1230   notes =        "band gap of strained si by c",
1231 }
1232
1233 @Article{kasper91,
1234   author =       "E Kasper",
1235   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1236                  possibility to produce direct band gap material",
1237   journal =      "Physica Scripta",
1238   volume =       "T35",
1239   pages =        "232--236",
1240   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1241   year =         "1991",
1242   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1243                  quasi-direct one",
1244 }
1245
1246 @Article{osten99,
1247   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1248   collaboration = "",
1249   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1250                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1251                  molecular beam epitaxy",
1252   publisher =    "AIP",
1253   year =         "1999",
1254   journal =      "Applied Physics Letters",
1255   volume =       "74",
1256   number =       "6",
1257   pages =        "836--838",
1258   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1259                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1260                  compounds",
1261   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1262   doi =          "10.1063/1.123384",
1263   notes =        "substitutional c in si",
1264 }
1265
1266 @Article{hohenberg64,
1267   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1268   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1269   journal =      "Phys. Rev.",
1270   volume =       "136",
1271   number =       "3B",
1272   pages =        "B864--B871",
1273   numpages =     "7",
1274   year =         "1964",
1275   month =        nov,
1276   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1277   publisher =    "American Physical Society",
1278   notes =        "density functional theory, dft",
1279 }
1280
1281 @Article{kohn65,
1282   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1283                  Correlation Effects",
1284   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1285   journal =      "Phys. Rev.",
1286   volume =       "140",
1287   number =       "4A",
1288   pages =        "A1133--A1138",
1289   numpages =     "5",
1290   year =         "1965",
1291   month =        nov,
1292   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1293   publisher =    "American Physical Society",
1294   notes =        "dft, exchange and correlation",
1295 }
1296
1297 @Article{ruecker94,
1298   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1299                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1300   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1301                  J. Osten",
1302   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1303   volume =       "72",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "3578--3581",
1306   numpages =     "3",
1307   year =         "1994",
1308   month =        may,
1309   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1310   publisher =    "American Physical Society",
1311   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1312                  si, dft",
1313 }
1314
1315 @Article{chang05,
1316   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1317                  Alloy",
1318   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1319   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1320   volume =       "44",
1321   number =       "4B",
1322   pages =        "2257--2262",
1323   numpages =     "5",
1324   year =         "2005",
1325   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1326   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1327   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1328   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1329 }
1330
1331 @Article{osten97,
1332   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1333   collaboration = "",
1334   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1335                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1336                  Si(001)",
1337   publisher =    "AIP",
1338   year =         "1997",
1339   journal =      "Journal of Applied Physics",
1340   volume =       "82",
1341   number =       "10",
1342   pages =        "4977--4981",
1343   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1344                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1345                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1346   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1347   doi =          "10.1063/1.366364",
1348   notes =        "charge transport in strained si",
1349 }
1350
1351 @Article{PhysRevB.69.155214,
1352   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1353                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1354   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1355   journal =      "Phys. Rev. B",
1356   volume =       "69",
1357   number =       "15",
1358   pages =        "155214",
1359   numpages =     "8",
1360   year =         "2004",
1361   month =        apr,
1362   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1363   publisher =    "American Physical Society",
1364   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1365 }
1366
1367 @Article{tang95,
1368   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1369                  \beta{}-Si{C}",
1370   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1371   journal =      "Phys. Rev. B",
1372   volume =       "52",
1373   number =       "21",
1374   pages =        "15150--15159",
1375   numpages =     "9",
1376   year =         "1995",
1377   month =        dec,
1378   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1379   publisher =    "American Physical Society",
1380   notes =        "promising tersoff reparametrization",
1381 }
1382
1383 @Article{barkema96,
1384   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1385                  Systems",
1386   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1388   volume =       "77",
1389   number =       "21",
1390   pages =        "4358--4361",
1391   numpages =     "3",
1392   year =         "1996",
1393   month =        nov,
1394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1395   publisher =    "American Physical Society",
1396   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1397                  dynamic mds",
1398 }
1399
1400 @Article{cances09,
1401   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1402                  Minoukadeh and F. Willaime",
1403   collaboration = "",
1404   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1405                  technique method for finding transition pathways on
1406                  potential energy surfaces",
1407   publisher =    "AIP",
1408   year =         "2009",
1409   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1410   volume =       "130",
1411   number =       "11",
1412   eid =          "114711",
1413   numpages =     "6",
1414   pages =        "114711",
1415   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1416                  surfaces; vacancies (crystal)",
1417   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1418   doi =          "10.1063/1.3088532",
1419   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1420                  transition pathways",
1421 }
1422
1423 @Article{parrinello81,
1424   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1425   collaboration = "",
1426   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1427                  molecular dynamics method",
1428   publisher =    "AIP",
1429   year =         "1981",
1430   journal =      "Journal of Applied Physics",
1431   volume =       "52",
1432   number =       "12",
1433   pages =        "7182--7190",
1434   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1435                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1436                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1437                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1438                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1439                  IMPACT SHOCK",
1440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1441   doi =          "10.1063/1.328693",
1442 }
1443
1444 @Article{stillinger85,
1445   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1446                  of silicon",
1447   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1448   journal =      "Phys. Rev. B",
1449   volume =       "31",
1450   number =       "8",
1451   pages =        "5262--5271",
1452   numpages =     "9",
1453   year =         "1985",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{bazant97,
1460   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1461                  silicon",
1462   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1463                  Justo",
1464   journal =      "Phys. Rev. B",
1465   volume =       "56",
1466   number =       "14",
1467   pages =        "8542--8552",
1468   numpages =     "10",
1469   year =         "1997",
1470   month =        oct,
1471   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1472   publisher =    "American Physical Society",
1473 }
1474
1475 @Article{justo98,
1476   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1477                  disordered phases",
1478   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1479                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1480   journal =      "Phys. Rev. B",
1481   volume =       "58",
1482   number =       "5",
1483   pages =        "2539--2550",
1484   numpages =     "11",
1485   year =         "1998",
1486   month =        aug,
1487   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1488   publisher =    "American Physical Society",
1489 }
1490
1491 @Article{parcas_md,
1492   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1493   author =       "K. Nordlund",
1494   year =         "2008",
1495 }