bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10a,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach10b,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2010",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1199                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach10c,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2010",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner99,
1214   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1215                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1216                  layers in silicon",
1217   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1218   volume =       "147",
1219   number =       "1-4",
1220   pages =        "249--255",
1221   year =         "1999",
1222   note =         "",
1223   ISSN =         "0168-583X",
1224   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1226   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1227   notes =        "two-step implantation process",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner99_2,
1231   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1232                  in silicon",
1233   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1234   volume =       "148",
1235   number =       "1-4",
1236   pages =        "528--533",
1237   year =         "1999",
1238   ISSN =         "0168-583X",
1239   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1241   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1242   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1243 }
1244
1245 @Article{lindner01,
1246   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1247                  Basic physical processes",
1248   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1249   volume =       "178",
1250   number =       "1-4",
1251   pages =        "44--54",
1252   year =         "2001",
1253   note =         "",
1254   ISSN =         "0168-583X",
1255   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1256   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1257   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1258 }
1259
1260 @Article{lindner02,
1261   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1262                  fundamental studies for new technological tricks",
1263   author =       "J. K. N. Lindner",
1264   journal =      "Appl. Phys. A",
1265   volume =       "77",
1266   pages =        "27--38",
1267   year =         "2003",
1268   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1269   notes =        "ibs, burried sic layers",
1270 }
1271
1272 @Article{lindner06,
1273   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1274                  formation and displacive precipitate resolution in the
1275                  {C}-Si system",
1276   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1277   volume =       "26",
1278   number =       "5-7",
1279   pages =        "857--861",
1280   year =         "2006",
1281   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1282                  Applications",
1283   ISSN =         "0928-4931",
1284   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1285   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1286   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1287                  and B. Stritzker",
1288   notes =        "c int diffusion barrier",
1289 }
1290
1291 @Article{ito04,
1292   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1293                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1294                  growth",
1295   journal =      "Applied Surface Science",
1296   volume =       "238",
1297   number =       "1-4",
1298   pages =        "159--164",
1299   year =         "2004",
1300   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1301   ISSN =         "0169-4332",
1302   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1303   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1304   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1305                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1306   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1307 }
1308
1309 @Article{yamamoto04,
1310   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1311                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1312                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1313   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1314   volume =       "261",
1315   number =       "2-3",
1316   pages =        "266--270",
1317   year =         "2004",
1318   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1319                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1320   ISSN =         "0022-0248",
1321   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1322   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1323   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1324                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1325   notes =        "gan on 3c-sic",
1326 }
1327
1328 @Article{liu_l02,
1329   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1330   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1331   volume =       "37",
1332   number =       "3",
1333   pages =        "61--127",
1334   year =         "2002",
1335   note =         "",
1336   ISSN =         "0927-796X",
1337   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1338   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1339   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1340   notes =        "gan substrates",
1341 }
1342
1343 @Article{takeuchi91,
1344   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1345                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1346   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1347   volume =       "115",
1348   number =       "1-4",
1349   pages =        "634--638",
1350   year =         "1991",
1351   note =         "",
1352   ISSN =         "0022-0248",
1353   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1355   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1356                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1357   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1358 }
1359
1360 @Article{alder57,
1361   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1362   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1363   publisher =    "AIP",
1364   year =         "1957",
1365   journal =      "J. Chem. Phys.",
1366   volume =       "27",
1367   number =       "5",
1368   pages =        "1208--1209",
1369   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1370   doi =          "10.1063/1.1743957",
1371 }
1372
1373 @Article{alder59,
1374   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1375   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1376   publisher =    "AIP",
1377   year =         "1959",
1378   journal =      "J. Chem. Phys.",
1379   volume =       "31",
1380   number =       "2",
1381   pages =        "459--466",
1382   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1383   doi =          "10.1063/1.1730376",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si1,
1387   title =        "New empirical model for the structural properties of
1388                  silicon",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1391   volume =       "56",
1392   number =       "6",
1393   pages =        "632--635",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1986",
1396   month =        feb,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_si2,
1402   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1403                  covalent systems",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. B",
1406   volume =       "37",
1407   number =       "12",
1408   pages =        "6991--7000",
1409   numpages =     "9",
1410   year =         "1988",
1411   month =        apr,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_si3,
1417   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1418                  improved elastic properties",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "38",
1422   number =       "14",
1423   pages =        "9902--9905",
1424   numpages =     "3",
1425   year =         "1988",
1426   month =        nov,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff_c,
1432   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1433                  Applications to Amorphous Carbon",
1434   author =       "J. Tersoff",
1435   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1436   volume =       "61",
1437   number =       "25",
1438   pages =        "2879--2882",
1439   numpages =     "3",
1440   year =         "1988",
1441   month =        dec,
1442   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1443   publisher =    "American Physical Society",
1444 }
1445
1446 @Article{tersoff_m,
1447   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1448                  for multicomponent systems",
1449   author =       "J. Tersoff",
1450   journal =      "Phys. Rev. B",
1451   volume =       "39",
1452   number =       "8",
1453   pages =        "5566--5568",
1454   numpages =     "2",
1455   year =         "1989",
1456   month =        mar,
1457   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1458   publisher =    "American Physical Society",
1459 }
1460
1461 @Article{tersoff90,
1462   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1463   author =       "J. Tersoff",
1464   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1465   volume =       "64",
1466   number =       "15",
1467   pages =        "1757--1760",
1468   numpages =     "3",
1469   year =         "1990",
1470   month =        apr,
1471   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1472   publisher =    "American Physical Society",
1473 }
1474
1475 @Article{fahey89,
1476   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1477   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1478   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1479   volume =       "61",
1480   number =       "2",
1481   pages =        "289--384",
1482   numpages =     "95",
1483   year =         "1989",
1484   month =        apr,
1485   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1486   publisher =    "American Physical Society",
1487 }
1488
1489 @Article{wesch96,
1490   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1491   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1492   volume =       "116",
1493   number =       "1-4",
1494   pages =        "305--321",
1495   year =         "1996",
1496   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1497   ISSN =         "0168-583X",
1498   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1499   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1500   author =       "W. Wesch",
1501 }
1502
1503 @Article{davis91,
1504   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1505                  Palmour and J. A. Edmond",
1506   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1507   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1508                  optoelectronic device fabrication and characterization
1509                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1510   year =         "1991",
1511   month =        may,
1512   volume =       "79",
1513   number =       "5",
1514   pages =        "677--701",
1515   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1516                  diode;SiC;dry etching;electrical
1517                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1518                  device fabrication;solid-state devices;surface
1519                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1520                  transistors;Schottky-barrier
1521                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1522                  transistors;insulated gate field effect
1523                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1524                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1525   doi =          "10.1109/5.90132",
1526   ISSN =         "0018-9219",
1527   notes =        "sic growth methods",
1528 }
1529
1530 @Article{morkoc94,
1531   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1532                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1533   collaboration = "",
1534   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1535                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1536   publisher =    "AIP",
1537   year =         "1994",
1538   journal =      "J. Appl. Phys.",
1539   volume =       "76",
1540   number =       "3",
1541   pages =        "1363--1398",
1542   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1543                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1544                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1545                  FILMS; INDUSTRY",
1546   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1547   doi =          "10.1063/1.358463",
1548   notes =        "sic intro, properties",
1549 }
1550
1551 @Article{foo,
1552   author =       "Noch Unbekannt",
1553   title =        "How to find references",
1554   journal =      "Journal of Applied References",
1555   year =         "2009",
1556   volume =       "77",
1557   pages =        "1--23",
1558 }
1559
1560 @Article{tang95,
1561   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1562                  \beta{}-Si{C}",
1563   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1564   journal =      "Phys. Rev. B",
1565   volume =       "52",
1566   number =       "21",
1567   pages =        "15150--15159",
1568   numpages =     "9",
1569   year =         "1995",
1570   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1571   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1572                  tersoff reparametrization",
1573   publisher =    "American Physical Society",
1574 }
1575
1576 @Article{sarro00,
1577   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1578   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1579   volume =       "82",
1580   number =       "1-3",
1581   pages =        "210--218",
1582   year =         "2000",
1583   ISSN =         "0924-4247",
1584   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1586   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1587   keywords =     "MEMS",
1588   keywords =     "Silicon carbide",
1589   keywords =     "Micromachining",
1590   keywords =     "Mechanical stress",
1591 }
1592
1593 @Article{casady96,
1594   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1595                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1596                  review",
1597   journal =      "Solid-State Electronics",
1598   volume =       "39",
1599   number =       "10",
1600   pages =        "1409--1422",
1601   year =         "1996",
1602   ISSN =         "0038-1101",
1603   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1605   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1606   notes =        "sic intro",
1607 }
1608
1609 @Article{giancarli98,
1610   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1611                  structural material in fusion power reactor blankets",
1612   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1613   volume =       "41",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "165--171",
1616   year =         "1998",
1617   ISSN =         "0920-3796",
1618   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1619   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1620   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1621                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1622 }
1623
1624 @Article{pensl93,
1625   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1626   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1627   volume =       "185",
1628   number =       "1-4",
1629   pages =        "264--283",
1630   year =         "1993",
1631   ISSN =         "0921-4526",
1632   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1633   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1634   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1635 }
1636
1637 @Article{tairov78,
1638   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1639                  carbide single crystals",
1640   journal =      "J. Cryst. Growth",
1641   volume =       "43",
1642   number =       "2",
1643   pages =        "209--212",
1644   year =         "1978",
1645   notes =        "modified lely process",
1646   ISSN =         "0022-0248",
1647   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1648   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1649   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1650 }
1651
1652 @Article{tairov81,
1653   title =        "General principles of growing large-size single
1654                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1655   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1656   volume =       "52",
1657   number =       "Part 1",
1658   pages =        "146--150",
1659   year =         "1981",
1660   note =         "",
1661   ISSN =         "0022-0248",
1662   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1663   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1664   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1665 }
1666
1667 @Article{barrett91,
1668   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1669   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1670   volume =       "109",
1671   number =       "1-4",
1672   pages =        "17--23",
1673   year =         "1991",
1674   note =         "",
1675   ISSN =         "0022-0248",
1676   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1677   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1678   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1679                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1680 }
1681
1682 @Article{barrett93,
1683   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1684   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1685   volume =       "128",
1686   number =       "1-4",
1687   pages =        "358--362",
1688   year =         "1993",
1689   note =         "",
1690   ISSN =         "0022-0248",
1691   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1693   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1694                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1695                  W. J. Choyke",
1696 }
1697
1698 @Article{stein93,
1699   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1700                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1701                  sublimation method",
1702   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1703   volume =       "131",
1704   number =       "1-2",
1705   pages =        "71--74",
1706   year =         "1993",
1707   note =         "",
1708   ISSN =         "0022-0248",
1709   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1710   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1711   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1712   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1713 }
1714
1715 @Article{nishino83,
1716   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1717                  Will",
1718   collaboration = "",
1719   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1720                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1721   publisher =    "AIP",
1722   year =         "1983",
1723   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1724   volume =       "42",
1725   number =       "5",
1726   pages =        "460--462",
1727   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1728                  monocrystals",
1729   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1730   doi =          "10.1063/1.93970",
1731   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1732 }
1733
1734 @Article{nishino87,
1735   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1736                  and Hiroyuki Matsunami",
1737   collaboration = "",
1738   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1739                  Si{C} on silicon",
1740   publisher =    "AIP",
1741   year =         "1987",
1742   journal =      "J. Appl. Phys.",
1743   volume =       "61",
1744   number =       "10",
1745   pages =        "4889--4893",
1746   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1747   doi =          "10.1063/1.338355",
1748   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1749                  carbonization",
1750 }
1751
1752 @Article{powell87,
1753   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1754                  Kuczmarski",
1755   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1756                  Single-Crystal Films on Si",
1757   publisher =    "ECS",
1758   year =         "1987",
1759   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1760   volume =       "134",
1761   number =       "6",
1762   pages =        "1558--1565",
1763   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1764                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1766   doi =          "10.1149/1.2100708",
1767   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1768 }
1769
1770 @Article{powell87_2,
1771   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1772                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1773   collaboration = "",
1774   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1775                  off-axis Si substrates",
1776   publisher =    "AIP",
1777   year =         "1987",
1778   journal =      "Applied Physics Letters",
1779   volume =       "51",
1780   number =       "11",
1781   pages =        "823--825",
1782   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1783                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1784                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1785                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1786                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1787   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1788   doi =          "10.1063/1.98824",
1789   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1790 }
1791
1792 @Article{ueda90,
1793   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1794   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1795   volume =       "104",
1796   number =       "3",
1797   pages =        "695--700",
1798   year =         "1990",
1799   note =         "",
1800   ISSN =         "0022-0248",
1801   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1802   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1803   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1804                  Matsunami",
1805   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1806 }
1807
1808 @Article{kimoto93,
1809   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1810                  and Hiroyuki Matsunami",
1811   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1812                  epitaxy",
1813   publisher =    "AIP",
1814   year =         "1993",
1815   journal =      "J. Appl. Phys.",
1816   volume =       "73",
1817   number =       "2",
1818   pages =        "726--732",
1819   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1820                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1821                  VAPOR DEPOSITION",
1822   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1823   doi =          "10.1063/1.353329",
1824   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1825 }
1826
1827 @Article{powell90_2,
1828   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1829                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1830                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1831   collaboration = "",
1832   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1833                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1834   publisher =    "AIP",
1835   year =         "1990",
1836   journal =      "Applied Physics Letters",
1837   volume =       "56",
1838   number =       "15",
1839   pages =        "1442--1444",
1840   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1841                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1842                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1843                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1844   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1845   doi =          "10.1063/1.102492",
1846   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1847 }
1848
1849 @Article{kong88_2,
1850   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1851   collaboration = "",
1852   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1853                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1854                  substrates",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "1988",
1857   journal =      "Journal of Applied Physics",
1858   volume =       "64",
1859   number =       "5",
1860   pages =        "2672--2679",
1861   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1862                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1863                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1864                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1865                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1866   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1867   doi =          "10.1063/1.341608",
1868 }
1869
1870 @Article{powell90,
1871   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1872                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1873                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1874   collaboration = "",
1875   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1876                  6{H}-Si{C} substrates",
1877   publisher =    "AIP",
1878   year =         "1990",
1879   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1880   volume =       "56",
1881   number =       "14",
1882   pages =        "1353--1355",
1883   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1884                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1885                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1886                  PHASE EPITAXY",
1887   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1888   doi =          "10.1063/1.102512",
1889   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1890 }
1891
1892 @Article{kong88,
1893   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1894                  Rozgonyi and K. L. More",
1895   collaboration = "",
1896   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1897                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1898                  substrates",
1899   publisher =    "AIP",
1900   year =         "1988",
1901   journal =      "Journal of Applied Physics",
1902   volume =       "63",
1903   number =       "8",
1904   pages =        "2645--2650",
1905   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1906                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1907                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1908                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1909                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1910   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1911   doi =          "10.1063/1.341004",
1912 }
1913
1914 @Article{powell91,
1915   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1916                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1917                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1918   collaboration = "",
1919   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1920                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1921   publisher =    "AIP",
1922   year =         "1991",
1923   journal =      "Applied Physics Letters",
1924   volume =       "59",
1925   number =       "3",
1926   pages =        "333--335",
1927   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1928                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1929                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1930   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1931   doi =          "10.1063/1.105587",
1932 }
1933
1934 @Article{yuan95,
1935   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1936                  Thokala and M. J. Loboda",
1937   collaboration = "",
1938   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1939                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1940                  silacyclobutane",
1941   publisher =    "AIP",
1942   year =         "1995",
1943   journal =      "J. Appl. Phys.",
1944   volume =       "78",
1945   number =       "2",
1946   pages =        "1271--1273",
1947   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1948                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1949                  SPECTROPHOTOMETRY",
1950   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1951   doi =          "10.1063/1.360368",
1952   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1953 }
1954
1955 @Article{kaneda87,
1956   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
1957                  properties of its p-n junction",
1958   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1959   volume =       "81",
1960   number =       "1-4",
1961   pages =        "536--542",
1962   year =         "1987",
1963   note =         "",
1964   ISSN =         "0022-0248",
1965   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
1966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
1967   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
1968                  and Takao Tanaka",
1969   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
1970 }
1971
1972 @Article{fissel95,
1973   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1974                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1975                  molecular beam epitaxy",
1976   journal =      "J. Cryst. Growth",
1977   volume =       "154",
1978   number =       "1-2",
1979   pages =        "72--80",
1980   year =         "1995",
1981   ISSN =         "0022-0248",
1982   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1983   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1984   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1985                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1986   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1987 }
1988
1989 @Article{fissel95_apl,
1990   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1991   collaboration = "",
1992   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1993                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1994   publisher =    "AIP",
1995   year =         "1995",
1996   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1997   volume =       "66",
1998   number =       "23",
1999   pages =        "3182--3184",
2000   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2001                  RHEED; NUCLEATION",
2002   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2003   doi =          "10.1063/1.113716",
2004   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2005 }
2006
2007 @Article{fissel96,
2008   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2009                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2010   collaboration = "",
2011   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2012                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2013                  level using surface superstructures",
2014   publisher =    "AIP",
2015   year =         "1996",
2016   journal =      "Applied Physics Letters",
2017   volume =       "68",
2018   number =       "9",
2019   pages =        "1204--1206",
2020   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2021                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2022                  SURFACE STRUCTURE",
2023   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2024   doi =          "10.1063/1.115969",
2025   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2026 }
2027
2028 @Article{righi03,
2029   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2030   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2031                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2032   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2033   volume =       "91",
2034   number =       "13",
2035   pages =        "136101",
2036   numpages =     "4",
2037   year =         "2003",
2038   month =        sep,
2039   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2040   publisher =    "American Physical Society",
2041   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2042 }
2043
2044 @Article{borders71,
2045   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2046   collaboration = "",
2047   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2048                  {IMPLANTATION}",
2049   publisher =    "AIP",
2050   year =         "1971",
2051   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2052   volume =       "18",
2053   number =       "11",
2054   pages =        "509--511",
2055   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2056   doi =          "10.1063/1.1653516",
2057   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2058                  ideas",
2059 }
2060
2061 @Article{reeson87,
2062   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2063                  J. Davis and G. E. Celler",
2064   collaboration = "",
2065   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2066                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2067   publisher =    "AIP",
2068   year =         "1987",
2069   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2070   volume =       "51",
2071   number =       "26",
2072   pages =        "2242--2244",
2073   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2074                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2075   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2076   doi =          "10.1063/1.98953",
2077   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2078 }
2079
2080 @Article{scace59,
2081   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2082   collaboration = "",
2083   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2084   publisher =    "AIP",
2085   year =         "1959",
2086   journal =      "J. Chem. Phys.",
2087   volume =       "30",
2088   number =       "6",
2089   pages =        "1551--1555",
2090   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2091   doi =          "10.1063/1.1730236",
2092   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2093 }
2094
2095 @Article{cowern96,
2096   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2097                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2098   collaboration = "",
2099   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2100                  {B} in silicon",
2101   publisher =    "AIP",
2102   year =         "1996",
2103   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2104   volume =       "68",
2105   number =       "8",
2106   pages =        "1150--1152",
2107   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2108                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2109                  SILICON",
2110   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2111   doi =          "10.1063/1.115706",
2112   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2113 }
2114
2115 @Article{stolk95,
2116   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2117                  of the silicon self-interstitial",
2118   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2119   volume =       "96",
2120   number =       "1-2",
2121   pages =        "187--195",
2122   year =         "1995",
2123   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2124                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2125   ISSN =         "0168-583X",
2126   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2127   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2128   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2129                  and J. M. Poate",
2130 }
2131
2132 @Article{stolk97,
2133   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2134                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2135                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2136                  E. Haynes",
2137   collaboration = "",
2138   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2139                  diffusion in ion-implanted silicon",
2140   publisher =    "AIP",
2141   year =         "1997",
2142   journal =      "J. Appl. Phys.",
2143   volume =       "81",
2144   number =       "9",
2145   pages =        "6031--6050",
2146   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2147   doi =          "10.1063/1.364452",
2148   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2149 }
2150
2151 @Article{powell94,
2152   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2153   collaboration = "",
2154   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2155                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2156   publisher =    "AIP",
2157   year =         "1994",
2158   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2159   volume =       "64",
2160   number =       "3",
2161   pages =        "324--326",
2162   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2163                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2164                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2165                  SYNTHESIS",
2166   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2167   doi =          "10.1063/1.111195",
2168   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2169 }
2170
2171 @Article{soref91,
2172   author =       "Richard A. Soref",
2173   collaboration = "",
2174   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2175                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2176   publisher =    "AIP",
2177   year =         "1991",
2178   journal =      "J. Appl. Phys.",
2179   volume =       "70",
2180   number =       "4",
2181   pages =        "2470--2472",
2182   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2183                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2184                  TERNARY ALLOYS",
2185   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2186   doi =          "10.1063/1.349403",
2187   notes =        "band gap of strained si by c",
2188 }
2189
2190 @Article{kasper91,
2191   author =       "E Kasper",
2192   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2193                  possibility to produce direct band gap material",
2194   journal =      "Physica Scripta",
2195   volume =       "T35",
2196   pages =        "232--236",
2197   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2198   year =         "1991",
2199   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2200                  quasi-direct one",
2201 }
2202
2203 @Article{osten99,
2204   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2205   collaboration = "",
2206   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2207                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2208                  molecular beam epitaxy",
2209   publisher =    "AIP",
2210   year =         "1999",
2211   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2212   volume =       "74",
2213   number =       "6",
2214   pages =        "836--838",
2215   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2216                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2217                  compounds",
2218   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2219   doi =          "10.1063/1.123384",
2220   notes =        "substitutional c in si",
2221 }
2222
2223 @Article{hohenberg64,
2224   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2225   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2226   journal =      "Phys. Rev.",
2227   volume =       "136",
2228   number =       "3B",
2229   pages =        "B864--B871",
2230   numpages =     "7",
2231   year =         "1964",
2232   month =        nov,
2233   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2234   publisher =    "American Physical Society",
2235   notes =        "density functional theory, dft",
2236 }
2237
2238 @Article{kohn65,
2239   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2240                  Correlation Effects",
2241   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2242   journal =      "Phys. Rev.",
2243   volume =       "140",
2244   number =       "4A",
2245   pages =        "A1133--A1138",
2246   numpages =     "5",
2247   year =         "1965",
2248   month =        nov,
2249   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2250   publisher =    "American Physical Society",
2251   notes =        "dft, exchange and correlation",
2252 }
2253
2254 @Article{ruecker94,
2255   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2256                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2257   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2258                  J. Osten",
2259   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2260   volume =       "72",
2261   number =       "22",
2262   pages =        "3578--3581",
2263   numpages =     "3",
2264   year =         "1994",
2265   month =        may,
2266   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2267   publisher =    "American Physical Society",
2268   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2269                  si, dft",
2270 }
2271
2272 @Article{chang05,
2273   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2274                  Alloy",
2275   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2276   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2277   volume =       "44",
2278   number =       "4B",
2279   pages =        "2257--2262",
2280   numpages =     "5",
2281   year =         "2005",
2282   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2283   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2284   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2285   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2286 }
2287
2288 @Article{osten97,
2289   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2290   collaboration = "",
2291   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2292                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2293                  Si(001)",
2294   publisher =    "AIP",
2295   year =         "1997",
2296   journal =      "J. Appl. Phys.",
2297   volume =       "82",
2298   number =       "10",
2299   pages =        "4977--4981",
2300   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2301                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2302                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2303   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2304   doi =          "10.1063/1.366364",
2305   notes =        "charge transport in strained si",
2306 }
2307
2308 @Article{kapur04,
2309   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2310                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2311   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2312   journal =      "Phys. Rev. B",
2313   volume =       "69",
2314   number =       "15",
2315   pages =        "155214",
2316   numpages =     "8",
2317   year =         "2004",
2318   month =        apr,
2319   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2320   publisher =    "American Physical Society",
2321   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2322 }
2323
2324 @Article{barkema96,
2325   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2326                  Systems",
2327   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2328   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2329   volume =       "77",
2330   number =       "21",
2331   pages =        "4358--4361",
2332   numpages =     "3",
2333   year =         "1996",
2334   month =        nov,
2335   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2336   publisher =    "American Physical Society",
2337   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2338                  dynamic mds",
2339 }
2340
2341 @Article{cances09,
2342   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2343                  Minoukadeh and F. Willaime",
2344   collaboration = "",
2345   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2346                  technique method for finding transition pathways on
2347                  potential energy surfaces",
2348   publisher =    "AIP",
2349   year =         "2009",
2350   journal =      "J. Chem. Phys.",
2351   volume =       "130",
2352   number =       "11",
2353   eid =          "114711",
2354   numpages =     "6",
2355   pages =        "114711",
2356   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2357                  surfaces; vacancies (crystal)",
2358   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2359   doi =          "10.1063/1.3088532",
2360   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2361                  transition pathways",
2362 }
2363
2364 @Article{parrinello81,
2365   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2366   collaboration = "",
2367   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2368                  molecular dynamics method",
2369   publisher =    "AIP",
2370   year =         "1981",
2371   journal =      "J. Appl. Phys.",
2372   volume =       "52",
2373   number =       "12",
2374   pages =        "7182--7190",
2375   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2376                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2377                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2378                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2379                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2380                  IMPACT SHOCK",
2381   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2382   doi =          "10.1063/1.328693",
2383 }
2384
2385 @Article{stillinger85,
2386   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2387                  of silicon",
2388   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2389   journal =      "Phys. Rev. B",
2390   volume =       "31",
2391   number =       "8",
2392   pages =        "5262--5271",
2393   numpages =     "9",
2394   year =         "1985",
2395   month =        apr,
2396   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2397   publisher =    "American Physical Society",
2398 }
2399
2400 @Article{brenner90,
2401   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2402                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2403                  films",
2404   author =       "Donald W. Brenner",
2405   journal =      "Phys. Rev. B",
2406   volume =       "42",
2407   number =       "15",
2408   pages =        "9458--9471",
2409   numpages =     "13",
2410   year =         "1990",
2411   month =        nov,
2412   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2413   publisher =    "American Physical Society",
2414   notes =        "brenner hydro carbons",
2415 }
2416
2417 @Article{bazant96,
2418   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2419                  Cohesive Energy Curves",
2420   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2421   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2422   volume =       "77",
2423   number =       "21",
2424   pages =        "4370--4373",
2425   numpages =     "3",
2426   year =         "1996",
2427   month =        nov,
2428   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2429   publisher =    "American Physical Society",
2430   notes =        "first si edip",
2431 }
2432
2433 @Article{bazant97,
2434   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2435                  silicon",
2436   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2437                  Justo",
2438   journal =      "Phys. Rev. B",
2439   volume =       "56",
2440   number =       "14",
2441   pages =        "8542--8552",
2442   numpages =     "10",
2443   year =         "1997",
2444   month =        oct,
2445   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2446   publisher =    "American Physical Society",
2447   notes =        "second si edip",
2448 }
2449
2450 @Article{justo98,
2451   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2452                  disordered phases",
2453   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2454                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2455   journal =      "Phys. Rev. B",
2456   volume =       "58",
2457   number =       "5",
2458   pages =        "2539--2550",
2459   numpages =     "11",
2460   year =         "1998",
2461   month =        aug,
2462   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2463   publisher =    "American Physical Society",
2464   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2465 }
2466
2467 @Article{parcas_md,
2468   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2469   author =       "K. Nordlund",
2470   year =         "2008",
2471 }
2472
2473 @Article{voter97,
2474   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2475                  Infrequent Events",
2476   author =       "Arthur F. Voter",
2477   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2478   volume =       "78",
2479   number =       "20",
2480   pages =        "3908--3911",
2481   numpages =     "3",
2482   year =         "1997",
2483   month =        may,
2484   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2485   publisher =    "American Physical Society",
2486   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2487 }
2488
2489 @Article{voter97_2,
2490   author =       "Arthur F. Voter",
2491   collaboration = "",
2492   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2493                  simulation of infrequent events",
2494   publisher =    "AIP",
2495   year =         "1997",
2496   journal =      "J. Chem. Phys.",
2497   volume =       "106",
2498   number =       "11",
2499   pages =        "4665--4677",
2500   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2501                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2502                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2503                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2504                  theory; potential energy surfaces",
2505   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2506   doi =          "10.1063/1.473503",
2507   notes =        "improved hyperdynamics md",
2508 }
2509
2510 @Article{sorensen2000,
2511   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2512   collaboration = "",
2513   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2514                  infrequent events",
2515   publisher =    "AIP",
2516   year =         "2000",
2517   journal =      "J. Chem. Phys.",
2518   volume =       "112",
2519   number =       "21",
2520   pages =        "9599--9606",
2521   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2522                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2523   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2524   doi =          "10.1063/1.481576",
2525   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2526 }
2527
2528 @Article{voter98,
2529   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2530                  events",
2531   author =       "Arthur F. Voter",
2532   journal =      "Phys. Rev. B",
2533   volume =       "57",
2534   number =       "22",
2535   pages =        "R13985--R13988",
2536   numpages =     "3",
2537   year =         "1998",
2538   month =        jun,
2539   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2540   publisher =    "American Physical Society",
2541   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2542 }
2543
2544 @Article{wu99,
2545   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2546   collaboration = "",
2547   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2548                  simulation",
2549   publisher =    "AIP",
2550   year =         "1999",
2551   journal =      "J. Chem. Phys.",
2552   volume =       "110",
2553   number =       "19",
2554   pages =        "9401--9410",
2555   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2556                  potential; crystallisation; liquid theory",
2557   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2558   doi =          "10.1063/1.478948",
2559   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2560                  systematic motion",
2561 }
2562
2563 @Article{choudhary05,
2564   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2565   collaboration = "",
2566   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2567                  to the production of amorphous silicon",
2568   publisher =    "AIP",
2569   year =         "2005",
2570   journal =      "J. Chem. Phys.",
2571   volume =       "122",
2572   number =       "15",
2573   eid =          "154509",
2574   numpages =     "8",
2575   pages =        "154509",
2576   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2577                  amorphous semiconductors",
2578   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2579   doi =          "10.1063/1.1878733",
2580   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2581                  silicon",
2582 }
2583
2584 @Article{taylor93,
2585   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2586   collaboration = "",
2587   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2588                  difficult?",
2589   publisher =    "AIP",
2590   year =         "1993",
2591   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2592   volume =       "62",
2593   number =       "25",
2594   pages =        "3336--3338",
2595   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2596                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2597                  ENERGY",
2598   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2599   doi =          "10.1063/1.109063",
2600   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2601                  interstitials necessary for precipitation, volume
2602                  decrease, high interface energy",
2603 }
2604
2605 @Article{chaussende08,
2606   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2607   journal =      "J. Cryst. Growth",
2608   volume =       "310",
2609   number =       "5",
2610   pages =        "976--981",
2611   year =         "2008",
2612   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2613                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2614   ISSN =         "0022-0248",
2615   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2616   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2617   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2618                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2619                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2620                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2621   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2622                  metastable",
2623 }
2624
2625 @Article{chaussende07,
2626   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2627   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2628   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2629   volume =       "40",
2630   number =       "20",
2631   pages =        "6150",
2632   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2633   year =         "2007",
2634   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2635                  modelling",
2636 }
2637
2638 @Article{feynman39,
2639   title =        "Forces in Molecules",
2640   author =       "R. P. Feynman",
2641   journal =      "Phys. Rev.",
2642   volume =       "56",
2643   number =       "4",
2644   pages =        "340--343",
2645   numpages =     "3",
2646   year =         "1939",
2647   month =        aug,
2648   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2649   publisher =    "American Physical Society",
2650   notes =        "hellmann feynman forces",
2651 }
2652
2653 @Article{buczko00,
2654   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2655                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2656                  their Contrasting Properties",
2657   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2658                  T. Pantelides",
2659   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2660   volume =       "84",
2661   number =       "5",
2662   pages =        "943--946",
2663   numpages =     "3",
2664   year =         "2000",
2665   month =        jan,
2666   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2667   publisher =    "American Physical Society",
2668   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2669 }
2670
2671 @Article{djurabekova08,
2672   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2673                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2674   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2675   journal =      "Phys. Rev. B",
2676   volume =       "77",
2677   number =       "11",
2678   pages =        "115325",
2679   numpages =     "7",
2680   year =         "2008",
2681   month =        mar,
2682   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2683   publisher =    "American Physical Society",
2684   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2685                  angular distribution, coordination",
2686 }
2687
2688 @Article{wen09,
2689   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2690                  W. Liang and J. Zou",
2691   collaboration = "",
2692   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2693                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2694                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2695   publisher =    "AIP",
2696   year =         "2009",
2697   journal =      "J. Appl. Phys.",
2698   volume =       "106",
2699   number =       "7",
2700   eid =          "073522",
2701   numpages =     "8",
2702   pages =        "073522",
2703   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2704                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2705                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2706                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2707   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2708   doi =          "10.1063/1.3234380",
2709   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2710                  deconvolution, dislocation defects",
2711 }
2712
2713 @Article{kitabatake93,
2714   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2715                  Hirao",
2716   collaboration = "",
2717   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2718                  growth on Si(001) surface",
2719   publisher =    "AIP",
2720   year =         "1993",
2721   journal =      "J. Appl. Phys.",
2722   volume =       "74",
2723   number =       "7",
2724   pages =        "4438--4445",
2725   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2726                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2727                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2728   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2729   doi =          "10.1063/1.354385",
2730   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2731                  model, interface",
2732 }
2733
2734 @Article{kitabatake97,
2735   author =       "Makoto Kitabatake",
2736   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2737                  Heteroepitaxial Growth",
2738   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2739   year =         "1997",
2740   journal =      "physica status solidi (b)",
2741   volume =       "202",
2742   pages =        "405--420",
2743   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2744   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2745   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2746 }
2747
2748 @Article{chirita97,
2749   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2750                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2751                  dynamics study",
2752   journal =      "Thin Solid Films",
2753   volume =       "294",
2754   number =       "1-2",
2755   pages =        "47--49",
2756   year =         "1997",
2757   note =         "",
2758   ISSN =         "0040-6090",
2759   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2760   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2761   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2762   keywords =     "Strain relaxation",
2763   keywords =     "Interfaces",
2764   keywords =     "Thermal stability",
2765   keywords =     "Molecular dynamics",
2766   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2767 }
2768
2769 @Article{cicero02,
2770   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2771                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2772   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2773                  Catellani",
2774   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2775   volume =       "89",
2776   number =       "15",
2777   pages =        "156101",
2778   numpages =     "4",
2779   year =         "2002",
2780   month =        sep,
2781   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2782   publisher =    "American Physical Society",
2783   notes =        "sic/si interface study",
2784 }
2785
2786 @Article{pizzagalli03,
2787   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2788                  interface: Si{C}/Si(001)",
2789   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2790                  Catellani",
2791   journal =      "Phys. Rev. B",
2792   volume =       "68",
2793   number =       "19",
2794   pages =        "195302",
2795   numpages =     "10",
2796   year =         "2003",
2797   month =        nov,
2798   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2799   publisher =    "American Physical Society",
2800   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2801 }
2802
2803 @Article{tang07,
2804   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2805                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2806                  electron microscopy",
2807   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2808                  H. Zheng and J. W. Liang",
2809   journal =      "Phys. Rev. B",
2810   volume =       "75",
2811   number =       "18",
2812   pages =        "184103",
2813   numpages =     "7",
2814   year =         "2007",
2815   month =        may,
2816   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2817   publisher =    "American Physical Society",
2818   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2819                  si and c",
2820 }
2821
2822 @Article{hornstra58,
2823   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2824   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2825   volume =       "5",
2826   number =       "1-2",
2827   pages =        "129--141",
2828   year =         "1958",
2829   note =         "",
2830   ISSN =         "0022-3697",
2831   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2832   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2833   author =       "J. Hornstra",
2834   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2835 }
2836
2837 @Article{deguchi92,
2838   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2839                  Ion `Hot' Implantation",
2840   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2841                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2842   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2843   volume =       "31",
2844   number =       "Part 1, No. 2A",
2845   pages =        "343--347",
2846   numpages =     "4",
2847   year =         "1992",
2848   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2849   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2850   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2851   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2852                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2853 }
2854
2855 @Article{eichhorn99,
2856   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2857                  K{\"{o}}gler",
2858   collaboration = "",
2859   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2860                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2861                  synchrotron x-ray diffraction",
2862   publisher =    "AIP",
2863   year =         "1999",
2864   journal =      "J. Appl. Phys.",
2865   volume =       "86",
2866   number =       "8",
2867   pages =        "4184--4187",
2868   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2869                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2870                  precipitation; semiconductor doping",
2871   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2872   doi =          "10.1063/1.371344",
2873   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2874                  expansion of si lattice",
2875 }
2876
2877 @Article{eichhorn02,
2878   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2879                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2880   collaboration = "",
2881   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2882                  carbon ion implantation",
2883   publisher =    "AIP",
2884   year =         "2002",
2885   journal =      "J. Appl. Phys.",
2886   volume =       "91",
2887   number =       "3",
2888   pages =        "1287--1292",
2889   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2890                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2891                  electron microscopy",
2892   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2893   doi =          "10.1063/1.1428105",
2894   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2895                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2896 }
2897
2898 @Article{lucas10,
2899   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2900   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2901                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2902                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2903                  amorphous structures",
2904   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2905   volume =       "22",
2906   number =       "3",
2907   pages =        "035802",
2908   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2909   year =         "2010",
2910   notes =        "edip sic",
2911 }
2912
2913 @Article{godet03,
2914   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2915                  Beauchamp",
2916   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2917                  methods for silicon under large shear",
2918   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2919   volume =       "15",
2920   number =       "41",
2921   pages =        "6943",
2922   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2923   year =         "2003",
2924   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2925                  edip, tersoff, ab initio",
2926 }
2927
2928 @Article{moriguchi98,
2929   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2930                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2931   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2932   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2933   volume =       "37",
2934   number =       "Part 1, No. 2",
2935   pages =        "414--422",
2936   numpages =     "8",
2937   year =         "1998",
2938   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2939   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2940   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2941   notes =        "tersoff stringent test",
2942 }
2943
2944 @Article{mazzarolo01,
2945   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2946                  simulations",
2947   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2948                  Lulli and Eros Albertazzi",
2949   journal =      "Phys. Rev. B",
2950   volume =       "63",
2951   number =       "19",
2952   pages =        "195207",
2953   numpages =     "4",
2954   year =         "2001",
2955   month =        apr,
2956   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2957   publisher =    "American Physical Society",
2958 }
2959
2960 @Article{holmstroem08,
2961   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2962                  density functional theory molecular dynamics
2963                  simulations",
2964   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2965   journal =      "Phys. Rev. B",
2966   volume =       "78",
2967   number =       "4",
2968   pages =        "045202",
2969   numpages =     "6",
2970   year =         "2008",
2971   month =        jul,
2972   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2973   publisher =    "American Physical Society",
2974   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2975                  initio",
2976 }
2977
2978 @Article{nordlund97,
2979   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2980                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2981   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2982   volume =       "132",
2983   number =       "1",
2984   pages =        "45--54",
2985   year =         "1997",
2986   note =         "",
2987   ISSN =         "0168-583X",
2988   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2989   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2990   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2991   notes =        "repulsive ab initio potential",
2992 }
2993
2994 @Article{kresse96,
2995   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2996                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2997                  set",
2998   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2999   volume =       "6",
3000   number =       "1",
3001   pages =        "15--50",
3002   year =         "1996",
3003   note =         "",
3004   ISSN =         "0927-0256",
3005   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3007   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3008   notes =        "vasp ref",
3009 }
3010
3011 @Article{bloechl94,
3012   title =        "Projector augmented-wave method",
3013   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3014   journal =      "Phys. Rev. B",
3015   volume =       "50",
3016   number =       "24",
3017   pages =        "17953--17979",
3018   numpages =     "26",
3019   year =         "1994",
3020   month =        dec,
3021   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3022   publisher =    "American Physical Society",
3023   notes =        "paw method",
3024 }
3025
3026 @Article{hamann79,
3027   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3028   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3029   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3030   volume =       "43",
3031   number =       "20",
3032   pages =        "1494--1497",
3033   numpages =     "3",
3034   year =         "1979",
3035   month =        nov,
3036   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3037   publisher =    "American Physical Society",
3038   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3039 }
3040
3041 @Article{vanderbilt90,
3042   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3043                  eigenvalue formalism",
3044   author =       "David Vanderbilt",
3045   journal =      "Phys. Rev. B",
3046   volume =       "41",
3047   number =       "11",
3048   pages =        "7892--7895",
3049   numpages =     "3",
3050   year =         "1990",
3051   month =        apr,
3052   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3053   publisher =    "American Physical Society",
3054   notes =        "vasp pseudopotentials",
3055 }
3056
3057 @Article{perdew86,
3058   title =        "Accurate and simple density functional for the
3059                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3060                  approximation",
3061   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3062   journal =      "Phys. Rev. B",
3063   volume =       "33",
3064   number =       "12",
3065   pages =        "8800--8802",
3066   numpages =     "2",
3067   year =         "1986",
3068   month =        jun,
3069   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3070   publisher =    "American Physical Society",
3071   notes =        "rapid communication gga",
3072 }
3073
3074 @Article{perdew02,
3075   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3076                  correlation: {A} look backward and forward",
3077   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3078   volume =       "172",
3079   number =       "1-2",
3080   pages =        "1--6",
3081   year =         "1991",
3082   note =         "",
3083   ISSN =         "0921-4526",
3084   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3085   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3086   author =       "John P. Perdew",
3087   notes =        "gga overview",
3088 }
3089
3090 @Article{perdew92,
3091   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3092                  of the generalized gradient approximation for exchange
3093                  and correlation",
3094   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3095                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3096                  and Carlos Fiolhais",
3097   journal =      "Phys. Rev. B",
3098   volume =       "46",
3099   number =       "11",
3100   pages =        "6671--6687",
3101   numpages =     "16",
3102   year =         "1992",
3103   month =        sep,
3104   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3105   publisher =    "American Physical Society",
3106   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3107 }
3108
3109 @Article{baldereschi73,
3110   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3111   author =       "A. Baldereschi",
3112   journal =      "Phys. Rev. B",
3113   volume =       "7",
3114   number =       "12",
3115   pages =        "5212--5215",
3116   numpages =     "3",
3117   year =         "1973",
3118   month =        jun,
3119   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3120   publisher =    "American Physical Society",
3121   notes =        "mean value k point",
3122 }
3123
3124 @Article{zhu98,
3125   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3126                  diffusion in Si",
3127   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3128   volume =       "12",
3129   number =       "4",
3130   pages =        "309--318",
3131   year =         "1998",
3132   note =         "",
3133   ISSN =         "0927-0256",
3134   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3135   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3136   author =       "Jing Zhu",
3137   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3138   keywords =     "Boron dopant",
3139   keywords =     "Carbon dopant",
3140   keywords =     "Defect",
3141   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3142   keywords =     "Impurity cluster",
3143   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3144 }
3145
3146 @Article{nejim95,
3147   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3148   collaboration = "",
3149   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3150                  950 [degree]{C}",
3151   publisher =    "AIP",
3152   year =         "1995",
3153   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3154   volume =       "66",
3155   number =       "20",
3156   pages =        "2646--2648",
3157   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3158                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3159                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3160                  ELECTRON MICROSCOPY",
3161   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3162   doi =          "10.1063/1.113112",
3163   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3164                  self interstitials react with further implanted c",
3165 }
3166
3167 @Article{guedj98,
3168   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3169                  Kolodzey and A. Hairie",
3170   collaboration = "",
3171   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3172                  alloys",
3173   publisher =    "AIP",
3174   year =         "1998",
3175   journal =      "J. Appl. Phys.",
3176   volume =       "84",
3177   number =       "8",
3178   pages =        "4631--4633",
3179   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3180                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3181                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3182                  annealing",
3183   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3184   doi =          "10.1063/1.368703",
3185   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3186 }
3187
3188 @Article{jones04,
3189   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3190   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3191                  semiconductors",
3192   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3193   volume =       "16",
3194   number =       "27",
3195   pages =        "S2643",
3196   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3197   year =         "2004",
3198   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3199 }
3200
3201 @Article{park02,
3202   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3203                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3204                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3205   collaboration = "",
3206   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3207                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3208                  molecular-beam epitaxy",
3209   publisher =    "AIP",
3210   year =         "2002",
3211   journal =      "J. Appl. Phys.",
3212   volume =       "91",
3213   number =       "9",
3214   pages =        "5716--5727",
3215   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3216   doi =          "10.1063/1.1465122",
3217   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3218 }
3219
3220 @Article{leary97,
3221   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3222                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3223   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3224                  Torres",
3225   journal =      "Phys. Rev. B",
3226   volume =       "55",
3227   number =       "4",
3228   pages =        "2188--2194",
3229   numpages =     "6",
3230   year =         "1997",
3231   month =        jan,
3232   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3233   publisher =    "American Physical Society",
3234   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3235                  energies, different migration barriers and paths",
3236 }
3237
3238 @Article{burnard93,
3239   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3240                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3241                  calculations",
3242   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3243   journal =      "Phys. Rev. B",
3244   volume =       "47",
3245   number =       "16",
3246   pages =        "10217--10225",
3247   numpages =     "8",
3248   year =         "1993",
3249   month =        apr,
3250   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3251   publisher =    "American Physical Society",
3252   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3253                  carbon defect, formation energies",
3254 }
3255
3256 @Article{besson91,
3257   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3258                  silicon",
3259   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3260   journal =      "Phys. Rev. B",
3261   volume =       "43",
3262   number =       "5",
3263   pages =        "4028--4033",
3264   numpages =     "5",
3265   year =         "1991",
3266   month =        feb,
3267   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3268   publisher =    "American Physical Society",
3269 }
3270
3271 @Article{kaxiras96,
3272   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3273                  and growth on semiconductors",
3274   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3275   volume =       "6",
3276   number =       "2",
3277   pages =        "158--172",
3278   year =         "1996",
3279   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3280                  Epitaxy",
3281   ISSN =         "0927-0256",
3282   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3283   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3284   author =       "Efthimios Kaxiras",
3285   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3286                  tight binding, first principles",
3287 }
3288
3289 @Article{kaukonen98,
3290   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3291                  diamond
3292                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3293                  surfaces",
3294   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3295                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3296                  Th. Frauenheim",
3297   journal =      "Phys. Rev. B",
3298   volume =       "57",
3299   number =       "16",
3300   pages =        "9965--9970",
3301   numpages =     "5",
3302   year =         "1998",
3303   month =        apr,
3304   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3305   publisher =    "American Physical Society",
3306   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3307                  (crt)",
3308 }
3309
3310 @Article{gali03,
3311   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3312                  center in Si{C}",
3313   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3314                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3315                  W. J. Choyke",
3316   journal =      "Phys. Rev. B",
3317   volume =       "67",
3318   number =       "15",
3319   pages =        "155203",
3320   numpages =     "5",
3321   year =         "2003",
3322   month =        apr,
3323   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3324   publisher =    "American Physical Society",
3325 }
3326
3327 @Article{chen98,
3328   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3329                  irradiation and deformation",
3330   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3331   volume =       "258-263",
3332   number =       "Part 2",
3333   pages =        "1803--1808",
3334   year =         "1998",
3335   note =         "",
3336   ISSN =         "0022-3115",
3337   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3338   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3339   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3340 }
3341
3342 @Article{weber01,
3343   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3344                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3345   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3346   volume =       "175-177",
3347   number =       "",
3348   pages =        "26--30",
3349   year =         "2001",
3350   note =         "",
3351   ISSN =         "0168-583X",
3352   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3353   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3354   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3355 }
3356
3357 @Article{bockstedte03,
3358   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3359                  in $3{C}-Si{C}$",
3360   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3361                  Pankratov",
3362   journal =      "Phys. Rev. B",
3363   volume =       "68",
3364   number =       "20",
3365   pages =        "205201",
3366   numpages =     "17",
3367   year =         "2003",
3368   month =        nov,
3369   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3370   publisher =    "American Physical Society",
3371   notes =        "defect migration in sic",
3372 }
3373
3374 @Article{rauls03a,
3375   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3376                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3377   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3378                  De\'ak",
3379   journal =      "Phys. Rev. B",
3380   volume =       "68",
3381   number =       "15",
3382   pages =        "155208",
3383   numpages =     "9",
3384   year =         "2003",
3385   month =        oct,
3386   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3387   publisher =    "American Physical Society",
3388 }
3389
3390 @Article{losev27,
3391   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3392   volume =       "44",
3393   pages =        "485--494",
3394   year =         "1927",
3395   author =       "O. V. Lossev",
3396 }
3397
3398 @Article{losev28,
3399   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3400                  oscillations with crystals",
3401   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3402   volume =       "6",
3403   number =       "39",
3404   pages =        "1024--1044",
3405   year =         "1928",
3406   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3407   author =       "O. V. Lossev",
3408 }
3409
3410 @Article{losev29,
3411   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3412   volume =       "30",
3413   pages =        "920--923",
3414   year =         "1929",
3415   author =       "O. V. Lossev",
3416 }
3417
3418 @Article{losev31,
3419   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3420   volume =       "32",
3421   pages =        "692--696",
3422   year =         "1931",
3423   author =       "O. V. Lossev",
3424 }
3425
3426 @Article{losev33,
3427   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3428   volume =       "34",
3429   pages =        "397--403",
3430   year =         "1933",
3431   author =       "O. V. Lossev",
3432 }
3433
3434 @Article{round07,
3435   title =        "A note on carborundum",
3436   journal =      "Electrical World",
3437   volume =       "49",
3438   pages =        "308",
3439   year =         "1907",
3440   author =       "H. J. Round",
3441 }
3442
3443 @Article{vashishath08,
3444   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3445   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3446   volume =       "2",
3447   number =       "03",
3448   pages =        "444--470",
3449   year =         "2008",
3450   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3451   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3452   notes =        "sic polytype electronic properties",
3453 }
3454
3455 @Article{nelson69,
3456   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3457   collaboration = "",
3458   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3459   publisher =    "AIP",
3460   year =         "1966",
3461   journal =      "Journal of Applied Physics",
3462   volume =       "37",
3463   number =       "1",
3464   pages =        "333--336",
3465   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3466   doi =          "10.1063/1.1707837",
3467   notes =        "sic melt growth",
3468 }
3469
3470 @Article{arkel25,
3471   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3472   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3473                  und Thoriummetall",
3474   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3475   year =         "1925",
3476   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3477   volume =       "148",
3478   pages =        "345--350",
3479   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3480   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3481   notes =        "van arkel apparatus",
3482 }
3483
3484 @Article{moers31,
3485   author =       "K. Moers",
3486   year =         "1931",
3487   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3488   volume =       "198",
3489   pages =        "293",
3490   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3491                  process",
3492 }
3493
3494 @Article{kendall53,
3495   author =       "J. T. Kendall",
3496   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3497   publisher =    "AIP",
3498   year =         "1953",
3499   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3500   volume =       "21",
3501   number =       "5",
3502   pages =        "821--827",
3503   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3504   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3505                  process",
3506 }
3507
3508 @Article{lely55,
3509   author =       "J. A. Lely",
3510   year =         "1955",
3511   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3512   volume =       "32",
3513   pages =        "229",
3514   notes =        "lely sublimation growth process",
3515 }
3516
3517 @Article{knippenberg63,
3518   author =       "W. F. Knippenberg",
3519   year =         "1963",
3520   journal =      "Philips Res. Repts.",
3521   volume =       "18",
3522   pages =        "161",
3523   notes =        "acheson process",
3524 }
3525
3526 @Article{hoffmann82,
3527   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3528                  Weyrich",
3529   collaboration = "",
3530   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3531                  improved external quantum efficiency",
3532   publisher =    "AIP",
3533   year =         "1982",
3534   journal =      "Journal of Applied Physics",
3535   volume =       "53",
3536   number =       "10",
3537   pages =        "6962--6967",
3538   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3539                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3540                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3541                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3542                  electroluminescence; spectra; current density;
3543                  optimization",
3544   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3545   doi =          "10.1063/1.330041",
3546   notes =        "blue led, sublimation process",
3547 }
3548
3549 @Article{neudeck95,
3550   author =       "Philip Neudeck",
3551   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3552                  Road 44135 Cleveland OH",
3553   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3554                  technology",
3555   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3556   publisher =    "Springer Boston",
3557   ISSN =         "0361-5235",
3558   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3559   pages =        "283--288",
3560   volume =       "24",
3561   issue =        "4",
3562   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3563   note =         "10.1007/BF02659688",
3564   year =         "1995",
3565   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3566 }
3567
3568 @Article{bhatnagar93,
3569   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3570   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3571   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3572                  devices",
3573   year =         "1993",
3574   month =        mar,
3575   volume =       "40",
3576   number =       "3",
3577   pages =        "645--655",
3578   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3579                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3580                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3581                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3582                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3583                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3584                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3585                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3586   doi =          "10.1109/16.199372",
3587   ISSN =         "0018-9383",
3588   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3589 }
3590
3591 @Article{neudeck94,
3592   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3593                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3594   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3595   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3596                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3597                  6{H}-Si{C} substrates",
3598   year =         "1994",
3599   month =        may,
3600   volume =       "41",
3601   number =       "5",
3602   pages =        "826--835",
3603   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3604                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3605                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3606                  properties;epitaxial layers;light
3607                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3608                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3609                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3610                  currents;power electronics;semiconductor
3611                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3612                  growth;semiconductor materials;silicon
3613                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3614                  phase epitaxial growth;",
3615   doi =          "10.1109/16.285038",
3616   ISSN =         "0018-9383",
3617   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3618                  substrate",
3619 }
3620
3621 @Article{schulze98,
3622   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3623   collaboration = "",
3624   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3625                  single crystals by physical vapor transport",
3626   publisher =    "AIP",
3627   year =         "1998",
3628   journal =      "Applied Physics Letters",
3629   volume =       "72",
3630   number =       "13",
3631   pages =        "1632--1634",
3632   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3633                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3634                  photoluminescence; Hall mobility",
3635   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3636   doi =          "10.1063/1.121136",
3637   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3638 }
3639
3640 @Article{pirouz87,
3641   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3642   collaboration = "",
3643   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3644   publisher =    "AIP",
3645   year =         "1987",
3646   journal =      "Applied Physics Letters",
3647   volume =       "50",
3648   number =       "4",
3649   pages =        "221--223",
3650   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3651                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3652                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3653                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3654                  BOUNDARIES",
3655   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3656   doi =          "10.1063/1.97667",
3657   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3658 }
3659
3660 @Article{shibahara86,
3661   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3662                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3663   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3664   volume =       "78",
3665   number =       "3",
3666   pages =        "538--544",
3667   year =         "1986",
3668   note =         "",
3669   ISSN =         "0022-0248",
3670   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3671   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3672   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3673                  Matsunami",
3674   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3675 }
3676
3677 @Article{desjardins96,
3678   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3679   collaboration = "",
3680   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3681   publisher =    "AIP",
3682   year =         "1996",
3683   journal =      "Journal of Applied Physics",
3684   volume =       "79",
3685   number =       "3",
3686   pages =        "1423--1434",
3687   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3688                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3690   doi =          "10.1063/1.360980",
3691   notes =        "apb model",
3692 }
3693
3694 @Article{henke95,
3695   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3696   collaboration = "",
3697   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3698                  carbonization of silicon",
3699   publisher =    "AIP",
3700   year =         "1995",
3701   journal =      "Journal of Applied Physics",
3702   volume =       "78",
3703   number =       "3",
3704   pages =        "2070--2073",
3705   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3706                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3707                  STRUCTURE",
3708   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3709   doi =          "10.1063/1.360184",
3710   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3711 }
3712
3713 @Article{fuyuki89,
3714   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3715                  {MBE} using surface superstructure",
3716   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3717   volume =       "95",
3718   number =       "1-4",
3719   pages =        "461--463",
3720   year =         "1989",
3721   note =         "",
3722   ISSN =         "0022-0248",
3723   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3724   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3725   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3726                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3727   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3728 }
3729
3730 @Article{yoshinobu92,
3731   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3732                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3733   collaboration = "",
3734   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3735                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3736                  molecular beam epitaxy",
3737   publisher =    "AIP",
3738   year =         "1992",
3739   journal =      "Applied Physics Letters",
3740   volume =       "60",
3741   number =       "7",
3742   pages =        "824--826",
3743   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3744                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3745                  INTERFACE STRUCTURE",
3746   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3747   doi =          "10.1063/1.107430",
3748   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3749 }
3750
3751 @Article{yoshinobu90,
3752   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3753                  cubic Si{C}",
3754   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3755   volume =       "99",
3756   number =       "1-4",
3757   pages =        "520--524",
3758   year =         "1990",
3759   note =         "",
3760   ISSN =         "0022-0248",
3761   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3762   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3763   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3764                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3765   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3766 }
3767
3768 @Article{fuyuki93,
3769   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3770                  superstructures in Si{C}",
3771   journal =      "Thin Solid Films",
3772   volume =       "225",
3773   number =       "1-2",
3774   pages =        "225--229",
3775   year =         "1993",
3776   note =         "",
3777   ISSN =         "0040-6090",
3778   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3779   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3780   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3781                  Matsunami",
3782   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3783                  epitaxy, ale",
3784 }
3785
3786 @Article{hara93,
3787   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3788                  growth of [beta]-Si{C}",
3789   journal =      "Thin Solid Films",
3790   volume =       "225",
3791   number =       "1-2",
3792   pages =        "240--243",
3793   year =         "1993",
3794   note =         "",
3795   ISSN =         "0040-6090",
3796   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3797   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3798   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3799                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3800   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3801                  epitaxy, ale",
3802 }
3803
3804 @Article{tanaka94,
3805   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3806   collaboration = "",
3807   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3808                  growth mode and polytype formation during gas-source
3809                  molecular beam epitaxy",
3810   publisher =    "AIP",
3811   year =         "1994",
3812   journal =      "Applied Physics Letters",
3813   volume =       "65",
3814   number =       "22",
3815   pages =        "2851--2853",
3816   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3817                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3818                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3819                  FLOW; FLOW RATE",
3820   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3821   doi =          "10.1063/1.112513",
3822   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3823 }
3824
3825 @Article{fuyuki97,
3826   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3827   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3828                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3829   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3830   year =         "1997",
3831   journal =      "physica status solidi (b)",
3832   volume =       "202",
3833   pages =        "359--378",
3834   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3835                  temperatures 750",
3836 }
3837
3838 @Article{takaoka98,
3839   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3840   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3841   volume =       "183",
3842   number =       "1-2",
3843   pages =        "175--182",
3844   year =         "1998",
3845   note =         "",
3846   ISSN =         "0022-0248",
3847   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3848   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3849   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3850   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3851   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3852   keywords =     "Silicon carbide",
3853   keywords =     "Silicon",
3854   keywords =     "Island growth",
3855   notes =        "lower temperature, 550-700",
3856 }
3857
3858 @Article{hatayama95,
3859   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3860                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3861                  molecular beam epitaxy",
3862   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3863   volume =       "150",
3864   number =       "Part 2",
3865   pages =        "934--938",
3866   year =         "1995",
3867   note =         "",
3868   ISSN =         "0022-0248",
3869   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3870   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3871   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3872                  and Hiroyuki Matsunami",
3873 }
3874
3875 @Article{heine91,
3876   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
3877   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
3878                  Metastable Cubic Form",
3879   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
3880   volume =       "74",
3881   number =       "10",
3882   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
3883   ISSN =         "1551-2916",
3884   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3885   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3886   pages =        "2630--2633",
3887   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
3888                  calculations, stability",
3889   year =         "1991",
3890   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
3891                  polytype dft calculation refs",
3892 }
3893
3894 @Article{allendorf91,
3895   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
3896                  [beta]-silicon carbide",
3897   journal =      "Surface Science",
3898   volume =       "258",
3899   number =       "1-3",
3900   pages =        "177--189",
3901   year =         "1991",
3902   note =         "",
3903   ISSN =         "0039-6028",
3904   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
3905   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
3906   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
3907   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
3908 }
3909
3910 @Article{eaglesham93,
3911   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
3912                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
3913   collaboration = "",
3914   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
3915   publisher =    "AIP",
3916   year =         "1993",
3917   journal =      "Journal of Applied Physics",
3918   volume =       "74",
3919   number =       "11",
3920   pages =        "6615--6618",
3921   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
3922                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
3923                  DIFFUSION; ADSORPTION",
3924   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
3925   doi =          "10.1063/1.355101",
3926   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
3927                  mobility",
3928 }
3929
3930 @Article{newman85,
3931   author =       "Ronald C. Newman",
3932   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
3933   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
3934   volume =       "59",
3935   number =       "",
3936   pages =        "403",
3937   year =         "1985",
3938   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
3939   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
3940   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
3941 }
3942
3943 @Article{goesele85,
3944   author =       "U. Gösele",
3945   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
3946   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
3947   volume =       "59",
3948   number =       "",
3949   pages =        "419",
3950   year =         "1985",
3951   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
3952   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
3953   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
3954 }