bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   year =         "1997",
 140   volume =       "22",
 141   number =       "3",
 142   pages =        "19--22",
 143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
 144 }
 145
 146 @Article{capano97_old,
 147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 149   journal =      "MRS Bull.",
 150   volume =       "22",
 151   pages =        "19",
 152   year =         "1997",
 153 }
 154
 155 @Article{fischer90,
 156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 158                  carbide",
 159   journal =      "Philos. Mag. B",
 160   volume =       "61",
 161   pages =        "217--236",
 162   year =         "1990",
 163   notes =        "sic polytypes",
 164 }
 165
 166 @Article{koegler03,
 167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 172                  ions",
 173   journal =      "Appl. Phys. A",
 174   volume =       "76",
 175   pages =        "827--835",
 176   month =        mar,
 177   year =         "2003",
 178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 180                  precipitation by interstitial and substitutional
 181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 182 }
 183
 184 @Article{skorupa96,
 185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 186                  silicon-related materials",
 187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 188   volume =       "44",
 189   number =       "2",
 190   pages =        "101--143",
 191   year =         "1996",
 192   note =         "",
 193   ISSN =         "0254-0584",
 194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 197   notes =        "review of silicon carbon compound",
 198 }
 199
 200 @Book{laplace,
 201   author =       "P. S. de Laplace",
 202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 204   volume =       "VII",
 205   publisher =    "Gauthier-Villars",
 206   year =         "1820",
 207 }
 208
 209 @Article{mattoni2007,
 210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 212                  materials}",
 213   journal =      "Phys. Rev. B",
 214   year =         "2007",
 215   month =        dec,
 216   volume =       "76",
 217   number =       "22",
 218   pages =        "224103",
 219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 222                  fracture, more available potentials, universal energy
 223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 224 }
 225
 226 @Article{balamane92,
 227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 228                  potentials",
 229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 230   journal =      "Phys. Rev. B",
 231   volume =       "46",
 232   number =       "4",
 233   pages =        "2250--2279",
 234   numpages =     "29",
 235   year =         "1992",
 236   month =        jul,
 237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 238   publisher =    "American Physical Society",
 239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 240 }
 241
 242 @Article{koster2002,
 243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 244                  bombardment",
 245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 246   journal =      "Phys. Rev. B",
 247   volume =       "62",
 248   number =       "16",
 249   pages =        "11219--11224",
 250   numpages =     "5",
 251   year =         "2000",
 252   month =        oct,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 256 }
 257
 258 @Article{breadmore99,
 259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 260                  amorphization of silicon",
 261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "60",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "12610--12616",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1999",
 268   month =        nov,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 272 }
 273
 274 @Article{nielsen83,
 275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 278   volume =       "50",
 279   number =       "9",
 280   pages =        "697--700",
 281   numpages =     "3",
 282   year =         "1983",
 283   month =        feb,
 284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 285   publisher =    "American Physical Society",
 286   notes =        "generalization of virial theorem",
 287 }
 288
 289 @Article{nielsen85,
 290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 292   journal =      "Phys. Rev. B",
 293   volume =       "32",
 294   number =       "6",
 295   pages =        "3780--3791",
 296   numpages =     "11",
 297   year =         "1985",
 298   month =        sep,
 299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 300   publisher =    "American Physical Society",
 301   notes =        "dft virial stress and forces",
 302 }
 303
 304 @Article{moissan04,
 305   author =       "Henri Moissan",
 306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 307                  Diablo",
 308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 309   volume =       "139",
 310   pages =        "773--786",
 311   year =         "1904",
 312 }
 313
 314 @Book{park98,
 315   author =       "Y. S. Park",
 316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 317   publisher =    "Academic Press",
 318   address =      "San Diego",
 319   year =         "1998",
 320 }
 321
 322 @Article{tsvetkov98,
 323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 327   volume =       "264-268",
 328   pages =        "3--8",
 329   year =         "1998",
 330   notes =        "modified lely process, micropipes",
 331 }
 332
 333 @Article{verlet67,
 334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 336   author =       "Loup Verlet",
 337   journal =      "Phys. Rev.",
 338   volume =       "159",
 339   number =       "1",
 340   pages =        "98",
 341   year =         "1967",
 342   month =        jul,
 343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 344   publisher =    "American Physical Society",
 345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 346                  motion",
 347 }
 348
 349 @Article{berendsen84,
 350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 352   collaboration = "",
 353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 354   publisher =    "AIP",
 355   year =         "1984",
 356   journal =      "J. Chem. Phys.",
 357   volume =       "81",
 358   number =       "8",
 359   pages =        "3684--3690",
 360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 363   doi =          "10.1063/1.448118",
 364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 365 }
 366
 367 @Article{huang95,
 368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 369                  Baskes",
 370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 372                  potentials",
 373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 374   volume =       "3",
 375   number =       "5",
 376   pages =        "615--627",
 377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 380   year =         "1995",
 381 }
 382
 383 @Article{brenner89,
 384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 385                  Tersoff potentials",
 386   author =       "Donald W. Brenner",
 387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 388   volume =       "63",
 389   number =       "9",
 390   pages =        "1022",
 391   numpages =     "1",
 392   year =         "1989",
 393   month =        aug,
 394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 395   publisher =    "American Physical Society",
 396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 397 }
 398
 399 @Article{batra87,
 400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 401                  silicon",
 402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 403   journal =      "Phys. Rev. B",
 404   volume =       "35",
 405   number =       "18",
 406   pages =        "9552--9558",
 407   numpages =     "6",
 408   year =         "1987",
 409   month =        jun,
 410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 411   publisher =    "American Physical Society",
 412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 413                  calculation of defect formation energy, defect
 414                  interstitial types",
 415 }
 416
 417 @Article{schober89,
 418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 419   author =       "H. R. Schober",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "39",
 422   number =       "17",
 423   pages =        "13013--13015",
 424   numpages =     "2",
 425   year =         "1989",
 426   month =        jun,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 430                  dumbbell configuration",
 431 }
 432
 433 @Article{gao02a,
 434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 435                  Defect accumulation, topological features, and
 436                  disordering",
 437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 438   journal =      "Phys. Rev. B",
 439   volume =       "66",
 440   number =       "2",
 441   pages =        "024106",
 442   numpages =     "10",
 443   year =         "2002",
 444   month =        jul,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 449                  result analyze",
 450 }
 451
 452 @Article{devanathan98,
 453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 454                  cascade in Si{C}",
 455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 456   volume =       "141",
 457   number =       "1-4",
 458   pages =        "118--122",
 459   year =         "1998",
 460   ISSN =         "0168-583X",
 461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 463                  Rubia",
 464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 465                  3c-sic",
 466 }
 467
 468 @Article{devanathan98_2,
 469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 471   volume =       "253",
 472   number =       "1-3",
 473   pages =        "47--52",
 474   year =         "1998",
 475   ISSN =         "0022-3115",
 476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 478                  Weber",
 479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 480                  tersoff",
 481 }
 482
 483 @Article{kitabatake00,
 484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 485   author =       "M. Kitabatake",
 486   journal =      "Thin Solid Films",
 487   volume =       "369",
 488   pages =        "257--264",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2000",
 491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 492 }
 493
 494 @Article{tang97,
 495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 498                  formation volumes",
 499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 500                  Rubia",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "55",
 503   number =       "21",
 504   pages =        "14279--14289",
 505   numpages =     "10",
 506   year =         "1997",
 507   month =        jun,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 511 }
 512
 513 @Article{johnson98,
 514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 515                  Rubia",
 516   collaboration = "",
 517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 519                  presence of carbon and boron",
 520   publisher =    "AIP",
 521   year =         "1998",
 522   journal =      "J. Appl. Phys.",
 523   volume =       "84",
 524   number =       "4",
 525   pages =        "1963--1967",
 526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 528                  semiconductors; self-diffusion",
 529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 530   doi =          "10.1063/1.368328",
 531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 532                  diffsuion",
 533 }
 534
 535 @Article{bar-yam84,
 536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 537                  Self-Interstitial",
 538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 540   volume =       "52",
 541   number =       "13",
 542   pages =        "1129--1132",
 543   numpages =     "3",
 544   year =         "1984",
 545   month =        mar,
 546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 547   publisher =    "American Physical Society",
 548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 549 }
 550
 551 @Article{bar-yam84_2,
 552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 553                  barriers of silicon self-interstitials",
 554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 555   journal =      "Phys. Rev. B",
 556   volume =       "30",
 557   number =       "4",
 558   pages =        "1844--1852",
 559   numpages =     "8",
 560   year =         "1984",
 561   month =        aug,
 562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 563   publisher =    "American Physical Society",
 564 }
 565
 566 @Article{bloechl93,
 567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 568                  constants in silicon",
 569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 572   volume =       "70",
 573   number =       "16",
 574   pages =        "2435--2438",
 575   numpages =     "3",
 576   year =         "1993",
 577   month =        apr,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 581                  entropy calculations",
 582 }
 583
 584 @Article{munro99,
 585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 587   journal =      "Phys. Rev. B",
 588   volume =       "59",
 589   number =       "6",
 590   pages =        "3969--3980",
 591   numpages =     "11",
 592   year =         "1999",
 593   month =        feb,
 594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 595   publisher =    "American Physical Society",
 596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 597                  defect migration mechanisms",
 598 }
 599
 600 @Article{colombo02,
 601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 602                  silicon",
 603   author =       "L. Colombo",
 604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 605   volume =       "32",
 606   pages =        "271--295",
 607   numpages =     "25",
 608   year =         "2002",
 609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 610   publisher =    "Annual Reviews",
 611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 612 }
 613
 614 @Article{al-mushadani03,
 615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 616                  silicon",
 617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 618   journal =      "Phys. Rev. B",
 619   volume =       "68",
 620   number =       "23",
 621   pages =        "235205",
 622   numpages =     "8",
 623   year =         "2003",
 624   month =        dec,
 625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 626   publisher =    "American Physical Society",
 627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 628                  silicon, si self interstitials, free energy",
 629 }
 630
 631 @Article{mattsson08,
 632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 633                  formation energy",
 634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 635                  Armiento",
 636   journal =      "Phys. Rev. B",
 637   volume =       "77",
 638   number =       "15",
 639   pages =        "155211",
 640   numpages =     "7",
 641   year =         "2008",
 642   month =        apr,
 643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 644   publisher =    "American Physical Society",
 645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 646 }
 647
 648 @Article{goedecker02,
 649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 652   volume =       "88",
 653   number =       "23",
 654   pages =        "235501",
 655   numpages =     "4",
 656   year =         "2002",
 657   month =        may,
 658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 659   publisher =    "American Physical Society",
 660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 661                  silicon",
 662 }
 663
 664 @Article{sahli05,
 665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 666                  self-interstitial diffusion in silicon",
 667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 668   journal =      "Phys. Rev. B",
 669   volume =       "72",
 670   number =       "24",
 671   pages =        "245210",
 672   numpages =     "6",
 673   year =         "2005",
 674   month =        dec,
 675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 676   publisher =    "American Physical Society",
 677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 678                  mapping applied",
 679 }
 680
 681 @Article{hobler05,
 682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 683                  native point defects in silicon",
 684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 685   volume =       "124-125",
 686   number =       "",
 687   pages =        "368--371",
 688   year =         "2005",
 689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 690                  Issues for Future Technologies",
 691   ISSN =         "0921-5107",
 692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 696                  radius",
 697 }
 698
 699 @Article{ma10,
 700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 701                  wide temperature range: Point defect states and
 702                  migration mechanisms",
 703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 704   journal =      "Phys. Rev. B",
 705   volume =       "81",
 706   number =       "19",
 707   pages =        "193203",
 708   numpages =     "4",
 709   year =         "2010",
 710   month =        may,
 711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 712   publisher =    "American Physical Society",
 713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 714 }
 715
 716 @Article{posselt06,
 717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 720   journal =      "Phys. Rev. B",
 721   volume =       "73",
 722   number =       "12",
 723   pages =        "125206",
 724   numpages =     "8",
 725   year =         "2006",
 726   month =        mar,
 727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 728   publisher =    "American Physical Society",
 729 }
 730
 731 @Article{posselt08,
 732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 733                  migration mechanisms of vacancies and
 734                  self-interstitials: An atomistic study",
 735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "78",
 738   number =       "3",
 739   pages =        "035208",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "2008",
 742   month =        jul,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 746                  weber and tersoff",
 747 }
 748
 749 @Article{gao2001,
 750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 753                  Corrales",
 754   journal =      "Phys. Rev. B",
 755   volume =       "64",
 756   number =       "24",
 757   pages =        "245208",
 758   numpages =     "7",
 759   year =         "2001",
 760   month =        dec,
 761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 762   publisher =    "American Physical Society",
 763   notes =        "defects in 3c-sic",
 764 }
 765
 766 @Article{gao02,
 767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 768                  3{C}-Si{C}",
 769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 770   volume =       "191",
 771   number =       "1-4",
 772   pages =        "487--496",
 773   year =         "2002",
 774   note =         "",
 775   ISSN =         "0168-583X",
 776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 779   keywords =     "Empirical potential",
 780   keywords =     "Defect properties",
 781   keywords =     "Silicon carbide",
 782   keywords =     "Computer simulation",
 783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 784 }
 785
 786 @Article{gao04,
 787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 788                  3{C}-Si{C}",
 789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 790                  Belko",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "69",
 793   number =       "24",
 794   pages =        "245205",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2004",
 797   month =        jun,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "defect migration in sic",
 801 }
 802
 803 @Article{gao07,
 804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 805                  W. J. Weber",
 806   collaboration = "",
 807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 808                  in cubic silicon carbide",
 809   publisher =    "AIP",
 810   year =         "2007",
 811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 812   volume =       "90",
 813   number =       "22",
 814   eid =          "221915",
 815   numpages =     "3",
 816   pages =        "221915",
 817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 819                  dynamics method; density functional theory;
 820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 821                  impurities; diffusion",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 823   doi =          "10.1063/1.2743751",
 824 }
 825
 826 @Article{mattoni2002,
 827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 828                  crystalline silicon",
 829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 830   journal =      "Phys. Rev. B",
 831   volume =       "66",
 832   number =       "19",
 833   pages =        "195214",
 834   numpages =     "6",
 835   year =         "2002",
 836   month =        nov,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 841                  tersoff suitability",
 842 }
 843
 844 @Article{leung99,
 845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 847                  Itoh and S. Ihara",
 848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 849   volume =       "83",
 850   number =       "12",
 851   pages =        "2351--2354",
 852   numpages =     "3",
 853   year =         "1999",
 854   month =        sep,
 855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 856   publisher =    "American Physical Society",
 857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 858                  refs",
 859 }
 860
 861 @Article{capaz94,
 862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 863                  carbon in silicon",
 864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 865   journal =      "Phys. Rev. B",
 866   volume =       "50",
 867   number =       "11",
 868   pages =        "7439--7442",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1994",
 871   month =        sep,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 875                  dumbbell",
 876 }
 877
 878 @Article{capaz98,
 879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 881   journal =      "Phys. Rev. B",
 882   volume =       "58",
 883   number =       "15",
 884   pages =        "9845--9850",
 885   numpages =     "5",
 886   year =         "1998",
 887   month =        oct,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 891 }
 892
 893 @Article{song90_2,
 894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 895                  pair in silicon",
 896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 897                  Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5765--5783",
 902   numpages =     "18",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 908 }
 909
 910 @Article{liu02,
 911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 915                  interactions in Si",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "2002",
 918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 919   volume =       "80",
 920   number =       "1",
 921   pages =        "52--54",
 922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 926   doi =          "10.1063/1.1430505",
 927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 928 }
 929
 930 @Article{dal_pino93,
 931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 932                  silicon",
 933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 934                  Joannopoulos",
 935   journal =      "Phys. Rev. B",
 936   volume =       "47",
 937   number =       "19",
 938   pages =        "12554--12557",
 939   numpages =     "3",
 940   year =         "1993",
 941   month =        may,
 942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 943   publisher =    "American Physical Society",
 944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 945 }
 946
 947 @Article{car84,
 948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 949                  Silicon",
 950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 951                  Sokrates T. Pantelides",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "52",
 954   number =       "20",
 955   pages =        "1814--1817",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1984",
 958   month =        may,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 962                  path formation",
 963 }
 964
 965 @Article{car85,
 966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 967                  Density-Functional Theory",
 968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 970   volume =       "55",
 971   number =       "22",
 972   pages =        "2471--2474",
 973   numpages =     "3",
 974   year =         "1985",
 975   month =        nov,
 976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 977   publisher =    "American Physical Society",
 978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 979 }
 980
 981 @Article{kelires97,
 982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 984   author =       "P. C. Kelires",
 985   journal =      "Phys. Rev. B",
 986   volume =       "55",
 987   number =       "14",
 988   pages =        "8784--8787",
 989   numpages =     "3",
 990   year =         "1997",
 991   month =        apr,
 992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 993   publisher =    "American Physical Society",
 994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 995                  neighbour dist",
 996 }
 997
 998 @Article{kelires95,
 999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   title =        "Combined ab initio and classical potential simulation
1539                  study on the silicon carbide precipitation in silicon",
1540   journal =      "accepted for publication in Phys. Rev. B",
1541   volume =       "",
1542   number =       "",
1543   pages =        "",
1544   year =         "2011",
1545   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1546                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1547   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1548                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1549                  potential and first-principles methods are presented.
1550                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1551                  understanding of the precipitation mechanism in the
1552                  context of controversial discussions in the literature.
1553                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1554                  assumed in the precipitation process are calculated in
1555                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1556                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1557                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1558                  are investigated using density functional theory
1559                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1560                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1561                  as well as a silicon self-interstitial has been
1562                  investigated systematically. Interactions of various
1563                  combinations of defects have been characterized
1564                  including a couple of selected migration pathways
1565                  within these configurations. Almost all of the
1566                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1567                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1568                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1569                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1570                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1571                  radius has been observed for pairs of interstitial
1572                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1573                  rather small capture radius is predicted for
1574                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1575                  Initial assumptions regarding the precipitation
1576                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1577                  established and conformability to experimental findings
1578                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1579                  first-principles calculations on defects and carbon
1580                  diffusion in silicon are compared to results of
1581                  classical potential simulations revealing significant
1582                  limitations of the latter method. An approach to work
1583                  around this problem is proposed. Finally, results of
1584                  the classical potential molecular dynamics simulations
1585                  of large systems are examined, which reinforce previous
1586                  assumptions and give further insight into basic
1587                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1588 }
1589
1590 @Article{lindner95,
1591   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1592                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1593   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1594                  Layers in Silicon",
1595   journal =      "MRS Proc.",
1596   volume =       "354",
1597   number =       "",
1598   pages =        "171",
1599   year =         "1994",
1600   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1601   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1602   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1603   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1604 }
1605
1606 @Article{lindner96,
1607   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1608                  in silicon by ion beam synthesis",
1609   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1610   volume =       "46",
1611   number =       "2-3",
1612   pages =        "147--155",
1613   year =         "1996",
1614   note =         "",
1615   ISSN =         "0254-0584",
1616   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1617   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1618   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1619                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1620                  Stritzker",
1621   notes =        "dose window",
1622 }
1623
1624 @Article{calcagno96,
1625   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1626                  ion implantation",
1627   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1628   volume =       "120",
1629   number =       "1-4",
1630   pages =        "121--124",
1631   year =         "1996",
1632   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1633                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1634   ISSN =         "0168-583X",
1635   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1636   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1637   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1638                  Grimaldi and P. Musumeci",
1639   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1640 }
1641
1642 @Article{lindner98,
1643   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1644                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1645   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1646   volume =       "264-268",
1647   pages =        "215--218",
1648   year =         "1998",
1649   note =         "",
1650   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1651   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1652   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1653   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1654                  crystallinity",
1655 }
1656
1657 @Article{lindner99,
1658   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1659                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1660                  layers in silicon",
1661   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1662   volume =       "147",
1663   number =       "1-4",
1664   pages =        "249--255",
1665   year =         "1999",
1666   note =         "",
1667   ISSN =         "0168-583X",
1668   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1669   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1670   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1671   notes =        "two-step implantation process",
1672 }
1673
1674 @Article{lindner99_2,
1675   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1676                  in silicon",
1677   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1678   volume =       "148",
1679   number =       "1-4",
1680   pages =        "528--533",
1681   year =         "1999",
1682   ISSN =         "0168-583X",
1683   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1684   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1685   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1686   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1687 }
1688
1689 @Article{lindner01,
1690   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1691                  Basic physical processes",
1692   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1693   volume =       "178",
1694   number =       "1-4",
1695   pages =        "44--54",
1696   year =         "2001",
1697   note =         "",
1698   ISSN =         "0168-583X",
1699   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1700   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1701   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1702 }
1703
1704 @Article{lindner02,
1705   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1706                  fundamental studies for new technological tricks",
1707   author =       "J. K. N. Lindner",
1708   journal =      "Appl. Phys. A",
1709   volume =       "77",
1710   pages =        "27--38",
1711   year =         "2003",
1712   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1713   notes =        "ibs, burried sic layers",
1714 }
1715
1716 @Article{lindner06,
1717   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1718                  formation and displacive precipitate resolution in the
1719                  {C}-Si system",
1720   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1721   volume =       "26",
1722   number =       "5-7",
1723   pages =        "857--861",
1724   year =         "2006",
1725   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1726                  Applications",
1727   ISSN =         "0928-4931",
1728   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1729   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1730   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1731                  and B. Stritzker",
1732   notes =        "c int diffusion barrier",
1733 }
1734
1735 @Article{ito04,
1736   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1737                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1738                  growth",
1739   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1740   volume =       "238",
1741   number =       "1-4",
1742   pages =        "159--164",
1743   year =         "2004",
1744   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1745   ISSN =         "0169-4332",
1746   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1747   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1748   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1749                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1750   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1751 }
1752
1753 @Article{yamamoto04,
1754   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1755                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1756                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1757   journal =      "J. Cryst. Growth",
1758   volume =       "261",
1759   number =       "2-3",
1760   pages =        "266--270",
1761   year =         "2004",
1762   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1763                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1764   ISSN =         "0022-0248",
1765   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1766   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1767   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1768                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1769   notes =        "gan on 3c-sic",
1770 }
1771
1772 @Article{liu_l02,
1773   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1774   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1775   volume =       "37",
1776   number =       "3",
1777   pages =        "61--127",
1778   year =         "2002",
1779   note =         "",
1780   ISSN =         "0927-796X",
1781   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1782   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1783   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1784   notes =        "gan substrates",
1785 }
1786
1787 @Article{takeuchi91,
1788   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1789                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1790   journal =      "J. Cryst. Growth",
1791   volume =       "115",
1792   number =       "1-4",
1793   pages =        "634--638",
1794   year =         "1991",
1795   note =         "",
1796   ISSN =         "0022-0248",
1797   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1798   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1799   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1800                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1801   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1802 }
1803
1804 @Article{alder57,
1805   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1806   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1807   publisher =    "AIP",
1808   year =         "1957",
1809   journal =      "J. Chem. Phys.",
1810   volume =       "27",
1811   number =       "5",
1812   pages =        "1208--1209",
1813   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1814   doi =          "10.1063/1.1743957",
1815 }
1816
1817 @Article{alder59,
1818   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1819   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1820   publisher =    "AIP",
1821   year =         "1959",
1822   journal =      "J. Chem. Phys.",
1823   volume =       "31",
1824   number =       "2",
1825   pages =        "459--466",
1826   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1827   doi =          "10.1063/1.1730376",
1828 }
1829
1830 @Article{horsfield96,
1831   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1832   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1833                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1834   journal =      "Phys. Rev. B",
1835   volume =       "53",
1836   number =       "19",
1837   pages =        "12694--12712",
1838   numpages =     "18",
1839   year =         "1996",
1840   month =        may,
1841   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1842   publisher =    "American Physical Society",
1843 }
1844
1845 @Article{abell85,
1846   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1847                  and metallic bonding",
1848   author =       "G. C. Abell",
1849   journal =      "Phys. Rev. B",
1850   volume =       "31",
1851   number =       "10",
1852   pages =        "6184--6196",
1853   numpages =     "12",
1854   year =         "1985",
1855   month =        may,
1856   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1857   publisher =    "American Physical Society",
1858 }
1859
1860 @Article{tersoff_si1,
1861   title =        "New empirical model for the structural properties of
1862                  silicon",
1863   author =       "J. Tersoff",
1864   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1865   volume =       "56",
1866   number =       "6",
1867   pages =        "632--635",
1868   numpages =     "3",
1869   year =         "1986",
1870   month =        feb,
1871   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1872   publisher =    "American Physical Society",
1873 }
1874
1875 @Article{dodson87,
1876   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1877                  silicon",
1878   author =       "Brian W. Dodson",
1879   journal =      "Phys. Rev. B",
1880   volume =       "35",
1881   number =       "6",
1882   pages =        "2795--2798",
1883   numpages =     "3",
1884   year =         "1987",
1885   month =        feb,
1886   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1887   publisher =    "American Physical Society",
1888 }
1889
1890 @Article{tersoff_si2,
1891   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1892                  covalent systems",
1893   author =       "J. Tersoff",
1894   journal =      "Phys. Rev. B",
1895   volume =       "37",
1896   number =       "12",
1897   pages =        "6991--7000",
1898   numpages =     "9",
1899   year =         "1988",
1900   month =        apr,
1901   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1902   publisher =    "American Physical Society",
1903 }
1904
1905 @Article{tersoff_si3,
1906   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1907                  improved elastic properties",
1908   author =       "J. Tersoff",
1909   journal =      "Phys. Rev. B",
1910   volume =       "38",
1911   number =       "14",
1912   pages =        "9902--9905",
1913   numpages =     "3",
1914   year =         "1988",
1915   month =        nov,
1916   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1917   publisher =    "American Physical Society",
1918 }
1919
1920 @Article{tersoff_c,
1921   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1922                  Applications to Amorphous Carbon",
1923   author =       "J. Tersoff",
1924   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1925   volume =       "61",
1926   number =       "25",
1927   pages =        "2879--2882",
1928   numpages =     "3",
1929   year =         "1988",
1930   month =        dec,
1931   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1932   publisher =    "American Physical Society",
1933 }
1934
1935 @Article{tersoff_m,
1936   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1937                  for multicomponent systems",
1938   author =       "J. Tersoff",
1939   journal =      "Phys. Rev. B",
1940   volume =       "39",
1941   number =       "8",
1942   pages =        "5566--5568",
1943   numpages =     "2",
1944   year =         "1989",
1945   month =        mar,
1946   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1947   publisher =    "American Physical Society",
1948 }
1949
1950 @Article{tersoff90,
1951   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1952   author =       "J. Tersoff",
1953   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1954   volume =       "64",
1955   number =       "15",
1956   pages =        "1757--1760",
1957   numpages =     "3",
1958   year =         "1990",
1959   month =        apr,
1960   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1961   publisher =    "American Physical Society",
1962 }
1963
1964 @Article{fahey89,
1965   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1966   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1967   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1968   volume =       "61",
1969   number =       "2",
1970   pages =        "289--384",
1971   numpages =     "95",
1972   year =         "1989",
1973   month =        apr,
1974   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1975   publisher =    "American Physical Society",
1976 }
1977
1978 @Article{wesch96,
1979   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1980   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1981   volume =       "116",
1982   number =       "1-4",
1983   pages =        "305--321",
1984   year =         "1996",
1985   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1986   ISSN =         "0168-583X",
1987   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1988   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1989   author =       "W. Wesch",
1990 }
1991
1992 @Article{davis91,
1993   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1994                  Palmour and J. A. Edmond",
1995   journal =      "Proc. IEEE",
1996   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1997                  optoelectronic device fabrication and characterization
1998                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1999   year =         "1991",
2000   month =        may,
2001   volume =       "79",
2002   number =       "5",
2003   pages =        "677--701",
2004   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2005                  diode;SiC;dry etching;electrical
2006                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2007                  device fabrication;solid-state devices;surface
2008                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2009                  transistors;Schottky-barrier
2010                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2011                  transistors;insulated gate field effect
2012                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2013                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2014   doi =          "10.1109/5.90132",
2015   ISSN =         "0018-9219",
2016   notes =        "sic growth methods",
2017 }
2018
2019 @Article{morkoc94,
2020   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2021                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2022   collaboration = "",
2023   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2024                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2025   publisher =    "AIP",
2026   year =         "1994",
2027   journal =      "J. Appl. Phys.",
2028   volume =       "76",
2029   number =       "3",
2030   pages =        "1363--1398",
2031   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2032                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2033                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2034                  FILMS; INDUSTRY",
2035   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2036   doi =          "10.1063/1.358463",
2037   notes =        "sic intro, properties",
2038 }
2039
2040 @Article{foo,
2041   author =       "Noch Unbekannt",
2042   title =        "How to find references",
2043   journal =      "Journal of Applied References",
2044   year =         "2009",
2045   volume =       "77",
2046   pages =        "1--23",
2047 }
2048
2049 @Article{tang95,
2050   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2051                  \beta{}-Si{C}",
2052   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2053   journal =      "Phys. Rev. B",
2054   volume =       "52",
2055   number =       "21",
2056   pages =        "15150--15159",
2057   numpages =     "9",
2058   year =         "1995",
2059   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2060   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2061                  tersoff reparametrization",
2062   publisher =    "American Physical Society",
2063 }
2064
2065 @Article{sarro00,
2066   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2067   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2068   volume =       "82",
2069   number =       "1-3",
2070   pages =        "210--218",
2071   year =         "2000",
2072   ISSN =         "0924-4247",
2073   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2074   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2075   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2076   keywords =     "MEMS",
2077   keywords =     "Silicon carbide",
2078   keywords =     "Micromachining",
2079   keywords =     "Mechanical stress",
2080 }
2081
2082 @Article{casady96,
2083   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2084                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2085                  review",
2086   journal =      "Solid-State Electron.",
2087   volume =       "39",
2088   number =       "10",
2089   pages =        "1409--1422",
2090   year =         "1996",
2091   ISSN =         "0038-1101",
2092   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2093   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2094   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2095   notes =        "sic intro",
2096 }
2097
2098 @Article{giancarli98,
2099   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2100                  structural material in fusion power reactor blankets",
2101   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2102   volume =       "41",
2103   number =       "1-4",
2104   pages =        "165--171",
2105   year =         "1998",
2106   ISSN =         "0920-3796",
2107   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2108   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2109   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2110                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2111 }
2112
2113 @Article{pensl93,
2114   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2115   journal =      "Physica B",
2116   volume =       "185",
2117   number =       "1-4",
2118   pages =        "264--283",
2119   year =         "1993",
2120   ISSN =         "0921-4526",
2121   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2122   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2123   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2124 }
2125
2126 @Article{tairov78,
2127   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2128                  carbide single crystals",
2129   journal =      "J. Cryst. Growth",
2130   volume =       "43",
2131   number =       "2",
2132   pages =        "209--212",
2133   year =         "1978",
2134   notes =        "modified lely process",
2135   ISSN =         "0022-0248",
2136   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2138   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2139 }
2140
2141 @Article{tairov81,
2142   title =        "General principles of growing large-size single
2143                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2144   journal =      "J. Cryst. Growth",
2145   volume =       "52",
2146   number =       "Part 1",
2147   pages =        "146--150",
2148   year =         "1981",
2149   note =         "",
2150   ISSN =         "0022-0248",
2151   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2152   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2153   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2154 }
2155
2156 @Article{barrett91,
2157   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2158   journal =      "J. Cryst. Growth",
2159   volume =       "109",
2160   number =       "1-4",
2161   pages =        "17--23",
2162   year =         "1991",
2163   note =         "",
2164   ISSN =         "0022-0248",
2165   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2166   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2167   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2168                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2169 }
2170
2171 @Article{barrett93,
2172   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2173   journal =      "J. Cryst. Growth",
2174   volume =       "128",
2175   number =       "1-4",
2176   pages =        "358--362",
2177   year =         "1993",
2178   note =         "",
2179   ISSN =         "0022-0248",
2180   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2181   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2182   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2183                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2184                  W. J. Choyke",
2185 }
2186
2187 @Article{stein93,
2188   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2189                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2190                  sublimation method",
2191   journal =      "J. Cryst. Growth",
2192   volume =       "131",
2193   number =       "1-2",
2194   pages =        "71--74",
2195   year =         "1993",
2196   note =         "",
2197   ISSN =         "0022-0248",
2198   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2199   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2200   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2201   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2202 }
2203
2204 @Article{nishino83,
2205   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2206                  Will",
2207   collaboration = "",
2208   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2209                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2210   publisher =    "AIP",
2211   year =         "1983",
2212   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2213   volume =       "42",
2214   number =       "5",
2215   pages =        "460--462",
2216   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2217                  monocrystals",
2218   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2219   doi =          "10.1063/1.93970",
2220   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2221 }
2222
2223 @Article{nishino87,
2224   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2225                  and Hiroyuki Matsunami",
2226   collaboration = "",
2227   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2228                  Si{C} on silicon",
2229   publisher =    "AIP",
2230   year =         "1987",
2231   journal =      "J. Appl. Phys.",
2232   volume =       "61",
2233   number =       "10",
2234   pages =        "4889--4893",
2235   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2236   doi =          "10.1063/1.338355",
2237   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2238                  carbonization",
2239 }
2240
2241 @Article{powell87,
2242   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2243                  Kuczmarski",
2244   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2245                  Single-Crystal Films on Si",
2246   publisher =    "ECS",
2247   year =         "1987",
2248   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2249   volume =       "134",
2250   number =       "6",
2251   pages =        "1558--1565",
2252   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2253                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2254   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2255   doi =          "10.1149/1.2100708",
2256   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2257 }
2258
2259 @Article{powell87_2,
2260   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2261                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2262   collaboration = "",
2263   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2264                  off-axis Si substrates",
2265   publisher =    "AIP",
2266   year =         "1987",
2267   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2268   volume =       "51",
2269   number =       "11",
2270   pages =        "823--825",
2271   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2272                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2273                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2274                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2275                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2276   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2277   doi =          "10.1063/1.98824",
2278   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2279 }
2280
2281 @Article{ueda90,
2282   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2283   journal =      "J. Cryst. Growth",
2284   volume =       "104",
2285   number =       "3",
2286   pages =        "695--700",
2287   year =         "1990",
2288   note =         "",
2289   ISSN =         "0022-0248",
2290   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2291   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2292   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2293                  Matsunami",
2294   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2295 }
2296
2297 @Article{kimoto93,
2298   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2299                  and Hiroyuki Matsunami",
2300   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2301                  epitaxy",
2302   publisher =    "AIP",
2303   year =         "1993",
2304   journal =      "J. Appl. Phys.",
2305   volume =       "73",
2306   number =       "2",
2307   pages =        "726--732",
2308   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2309                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2310                  VAPOR DEPOSITION",
2311   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2312   doi =          "10.1063/1.353329",
2313   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2314 }
2315
2316 @Article{powell90_2,
2317   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2318                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2319                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2320   collaboration = "",
2321   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2322                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2323   publisher =    "AIP",
2324   year =         "1990",
2325   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2326   volume =       "56",
2327   number =       "15",
2328   pages =        "1442--1444",
2329   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2330                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2331                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2332                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2333   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2334   doi =          "10.1063/1.102492",
2335   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2336 }
2337
2338 @Article{kong88_2,
2339   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2340   collaboration = "",
2341   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2342                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2343                  substrates",
2344   publisher =    "AIP",
2345   year =         "1988",
2346   journal =      "J. Appl. Phys.",
2347   volume =       "64",
2348   number =       "5",
2349   pages =        "2672--2679",
2350   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2351                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2352                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2353                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2354                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2355   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2356   doi =          "10.1063/1.341608",
2357 }
2358
2359 @Article{powell90,
2360   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2361                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2362                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2363   collaboration = "",
2364   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2365                  6{H}-Si{C} substrates",
2366   publisher =    "AIP",
2367   year =         "1990",
2368   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2369   volume =       "56",
2370   number =       "14",
2371   pages =        "1353--1355",
2372   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2373                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2374                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2375                  PHASE EPITAXY",
2376   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2377   doi =          "10.1063/1.102512",
2378   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2379 }
2380
2381 @Article{kong88,
2382   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2383                  Rozgonyi and K. L. More",
2384   collaboration = "",
2385   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2386                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2387                  substrates",
2388   publisher =    "AIP",
2389   year =         "1988",
2390   journal =      "J. Appl. Phys.",
2391   volume =       "63",
2392   number =       "8",
2393   pages =        "2645--2650",
2394   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2395                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2396                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2397                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2398                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2399   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2400   doi =          "10.1063/1.341004",
2401 }
2402
2403 @Article{powell91,
2404   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2405                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2406                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2407   collaboration = "",
2408   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2409                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2410   publisher =    "AIP",
2411   year =         "1991",
2412   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2413   volume =       "59",
2414   number =       "3",
2415   pages =        "333--335",
2416   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2417                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2418                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2419   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2420   doi =          "10.1063/1.105587",
2421 }
2422
2423 @Article{yuan95,
2424   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2425                  Thokala and M. J. Loboda",
2426   collaboration = "",
2427   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2428                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2429                  silacyclobutane",
2430   publisher =    "AIP",
2431   year =         "1995",
2432   journal =      "J. Appl. Phys.",
2433   volume =       "78",
2434   number =       "2",
2435   pages =        "1271--1273",
2436   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2437                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2438                  SPECTROPHOTOMETRY",
2439   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2440   doi =          "10.1063/1.360368",
2441   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2442 }
2443
2444 @Article{kaneda87,
2445   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2446                  properties of its p-n junction",
2447   journal =      "J. Cryst. Growth",
2448   volume =       "81",
2449   number =       "1-4",
2450   pages =        "536--542",
2451   year =         "1987",
2452   note =         "",
2453   ISSN =         "0022-0248",
2454   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2455   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2456   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2457                  and Takao Tanaka",
2458   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2459 }
2460
2461 @Article{fissel95,
2462   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2463                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2464                  molecular beam epitaxy",
2465   journal =      "J. Cryst. Growth",
2466   volume =       "154",
2467   number =       "1-2",
2468   pages =        "72--80",
2469   year =         "1995",
2470   ISSN =         "0022-0248",
2471   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2472   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2473   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2474                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2475   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2476 }
2477
2478 @Article{fissel95_apl,
2479   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2480   collaboration = "",
2481   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2482                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2483   publisher =    "AIP",
2484   year =         "1995",
2485   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2486   volume =       "66",
2487   number =       "23",
2488   pages =        "3182--3184",
2489   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2490                  RHEED; NUCLEATION",
2491   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2492   doi =          "10.1063/1.113716",
2493   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2494 }
2495
2496 @Article{fissel96,
2497   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2498                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2499   collaboration = "",
2500   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2501                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2502                  level using surface superstructures",
2503   publisher =    "AIP",
2504   year =         "1996",
2505   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2506   volume =       "68",
2507   number =       "9",
2508   pages =        "1204--1206",
2509   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2510                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2511                  SURFACE STRUCTURE",
2512   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2513   doi =          "10.1063/1.115969",
2514   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2515 }
2516
2517 @Article{righi03,
2518   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2519   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2520                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2521   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2522   volume =       "91",
2523   number =       "13",
2524   pages =        "136101",
2525   numpages =     "4",
2526   year =         "2003",
2527   month =        sep,
2528   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2529   publisher =    "American Physical Society",
2530   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2531 }
2532
2533 @Article{borders71,
2534   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2535   collaboration = "",
2536   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2537                  {IMPLANTATION}",
2538   publisher =    "AIP",
2539   year =         "1971",
2540   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2541   volume =       "18",
2542   number =       "11",
2543   pages =        "509--511",
2544   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2545   doi =          "10.1063/1.1653516",
2546   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2547                  ideas",
2548 }
2549
2550 @Article{edelman76,
2551   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2552                  and E. V. Lubopytova",
2553   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2554                  by ion implantation",
2555   publisher =    "Taylor \& Francis",
2556   year =         "1976",
2557   journal =      "Radiat. Eff.",
2558   volume =       "29",
2559   number =       "1",
2560   pages =        "13--15",
2561   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2562   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2563                  single crystalline",
2564 }
2565
2566 @Article{akimchenko80,
2567   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2568                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2569   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2570                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2571   publisher =    "Taylor \& Francis",
2572   year =         "1980",
2573   journal =      "Radiat. Eff.",
2574   volume =       "48",
2575   number =       "1",
2576   pages =        "7",
2577   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2578   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2579 }
2580
2581 @Article{kimura81,
2582   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2583                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2584                  silicon",
2585   journal =      "Thin Solid Films",
2586   volume =       "81",
2587   number =       "4",
2588   pages =        "319--327",
2589   year =         "1981",
2590   note =         "",
2591   ISSN =         "0040-6090",
2592   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2593   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2594   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2595                  Yugo",
2596 }
2597
2598 @Article{kimura82,
2599   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2600                  the implantation of carbon ions into silicon",
2601   journal =      "Thin Solid Films",
2602   volume =       "94",
2603   number =       "3",
2604   pages =        "191--198",
2605   year =         "1982",
2606   note =         "",
2607   ISSN =         "0040-6090",
2608   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2609   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2610   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2611                  Yugo",
2612 }
2613
2614 @Article{reeson86,
2615   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2616                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2617                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2618   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2619                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2620   publisher =    "Taylor \& Francis",
2621   year =         "1986",
2622   journal =      "Radiat. Eff.",
2623   volume =       "99",
2624   number =       "1",
2625   pages =        "71--81",
2626   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2627   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2628                  no c redistribution",
2629 }
2630
2631 @Article{reeson87,
2632   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2633                  J. Davis and G. E. Celler",
2634   collaboration = "",
2635   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2636                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2637   publisher =    "AIP",
2638   year =         "1987",
2639   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2640   volume =       "51",
2641   number =       "26",
2642   pages =        "2242--2244",
2643   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2644                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2645   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2646   doi =          "10.1063/1.98953",
2647   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2648 }
2649
2650 @Article{martin90,
2651   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2652                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2653   collaboration = "",
2654   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2655   publisher =    "AIP",
2656   year =         "1990",
2657   journal =      "J. Appl. Phys.",
2658   volume =       "67",
2659   number =       "6",
2660   pages =        "2908--2912",
2661   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2662                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2663                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2664                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2665                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2666                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2667   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2668   doi =          "10.1063/1.346092",
2669   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2670                  temepratures",
2671 }
2672
2673 @Article{scace59,
2674   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2675   collaboration = "",
2676   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2677   publisher =    "AIP",
2678   year =         "1959",
2679   journal =      "J. Chem. Phys.",
2680   volume =       "30",
2681   number =       "6",
2682   pages =        "1551--1555",
2683   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2684   doi =          "10.1063/1.1730236",
2685   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2686 }
2687
2688 @Article{hofker74,
2689   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2690                  Koeman",
2691   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2692                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2693                  Netherlands",
2694   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2695                  charge carrier and boron concentration profiles",
2696   journal =      "Appl. Phys. A",
2697   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2698   ISSN =         "0947-8396",
2699   keyword =      "Physics and Astronomy",
2700   pages =        "125--133",
2701   volume =       "4",
2702   issue =        "2",
2703   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2704   note =         "10.1007/BF00884267",
2705   year =         "1974",
2706   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2707 }
2708
2709 @Article{michel87,
2710   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2711                  H. Kastl",
2712   collaboration = "",
2713   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2714                  implanted boron into silicon",
2715   publisher =    "AIP",
2716   year =         "1987",
2717   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2718   volume =       "50",
2719   number =       "7",
2720   pages =        "416--418",
2721   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2722                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2723                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2724   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2725   doi =          "10.1063/1.98160",
2726   notes =        "ted of boron in si",
2727 }
2728
2729 @Article{cowern90,
2730   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2731                  Jos",
2732   collaboration = "",
2733   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2734                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2735                  profiles",
2736   publisher =    "AIP",
2737   year =         "1990",
2738   journal =      "J. Appl. Phys.",
2739   volume =       "68",
2740   number =       "12",
2741   pages =        "6191--6198",
2742   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2743                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2744                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2745   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2746   doi =          "10.1063/1.346910",
2747   notes =        "ted of boron in si",
2748 }
2749
2750 @Article{cowern96,
2751   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2752                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2753   collaboration = "",
2754   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2755                  {B} in silicon",
2756   publisher =    "AIP",
2757   year =         "1996",
2758   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2759   volume =       "68",
2760   number =       "8",
2761   pages =        "1150--1152",
2762   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2763                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2764                  SILICON",
2765   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2766   doi =          "10.1063/1.115706",
2767   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2768 }
2769
2770 @Article{stolk95,
2771   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2772                  of the silicon self-interstitial",
2773   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2774   volume =       "96",
2775   number =       "1-2",
2776   pages =        "187--195",
2777   year =         "1995",
2778   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2779                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2780   ISSN =         "0168-583X",
2781   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2782   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2783   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2784                  and J. M. Poate",
2785 }
2786
2787 @Article{stolk97,
2788   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2789                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2790                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2791                  E. Haynes",
2792   collaboration = "",
2793   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2794                  diffusion in ion-implanted silicon",
2795   publisher =    "AIP",
2796   year =         "1997",
2797   journal =      "J. Appl. Phys.",
2798   volume =       "81",
2799   number =       "9",
2800   pages =        "6031--6050",
2801   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2802   doi =          "10.1063/1.364452",
2803   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2804 }
2805
2806 @Article{powell94,
2807   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2808   collaboration = "",
2809   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2810                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2811   publisher =    "AIP",
2812   year =         "1994",
2813   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2814   volume =       "64",
2815   number =       "3",
2816   pages =        "324--326",
2817   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2818                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2819                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2820                  SYNTHESIS",
2821   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2822   doi =          "10.1063/1.111195",
2823   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2824 }
2825
2826 @Article{soref91,
2827   author =       "Richard A. Soref",
2828   collaboration = "",
2829   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2830                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2831   publisher =    "AIP",
2832   year =         "1991",
2833   journal =      "J. Appl. Phys.",
2834   volume =       "70",
2835   number =       "4",
2836   pages =        "2470--2472",
2837   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2838                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2839                  TERNARY ALLOYS",
2840   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2841   doi =          "10.1063/1.349403",
2842   notes =        "band gap of strained si by c",
2843 }
2844
2845 @Article{kasper91,
2846   author =       "E Kasper",
2847   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2848                  possibility to produce direct band gap material",
2849   journal =      "Phys. Scr.",
2850   volume =       "T35",
2851   pages =        "232--236",
2852   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2853   year =         "1991",
2854   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2855                  quasi-direct one",
2856 }
2857
2858 @Article{eberl92,
2859   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2860                  and F. K. LeGoues",
2861   collaboration = "",
2862   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2863                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2864   publisher =    "AIP",
2865   year =         "1992",
2866   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2867   volume =       "60",
2868   number =       "24",
2869   pages =        "3033--3035",
2870   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2871                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2872                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2873                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2874                  STUDIES",
2875   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2876   doi =          "10.1063/1.106774",
2877 }
2878
2879 @Article{powell93,
2880   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2881                  Ek and S. S. Iyer",
2882   collaboration = "",
2883   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2884                  alloy layers",
2885   publisher =    "AVS",
2886   year =         "1993",
2887   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2888   volume =       "11",
2889   number =       "3",
2890   pages =        "1064--1068",
2891   location =     "Ottawa (Canada)",
2892   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2893                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2894                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2895                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2896   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2897   doi =          "10.1116/1.587008",
2898   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2899 }
2900
2901 @Article{powell93_2,
2902   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2903                  of the ternary system",
2904   journal =      "J. Cryst. Growth",
2905   volume =       "127",
2906   number =       "1-4",
2907   pages =        "425--429",
2908   year =         "1993",
2909   note =         "",
2910   ISSN =         "0022-0248",
2911   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2912   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2913   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2914                  Iyer",
2915 }
2916
2917 @Article{osten94,
2918   author =       "H. J. Osten",
2919   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2920                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2921   journal =      "phys. status solidi (a)",
2922   volume =       "145",
2923   number =       "2",
2924   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2925   ISSN =         "1521-396X",
2926   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2927   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2928   pages =        "235--245",
2929   year =         "1994",
2930 }
2931
2932 @Article{dietrich94,
2933   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2934                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2935   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2936                  Methfessel and P. Zaumseil",
2937   journal =      "Phys. Rev. B",
2938   volume =       "49",
2939   number =       "24",
2940   pages =        "17185--17190",
2941   numpages =     "5",
2942   year =         "1994",
2943   month =        jun,
2944   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2945   publisher =    "American Physical Society",
2946 }
2947
2948 @Article{osten94_2,
2949   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2950   collaboration = "",
2951   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2952                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2953   publisher =    "AIP",
2954   year =         "1994",
2955   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2956   volume =       "64",
2957   number =       "25",
2958   pages =        "3440--3442",
2959   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2960                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2961                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2962                  LATTICES",
2963   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2964   doi =          "10.1063/1.111235",
2965   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2966 }
2967
2968 @Article{iyer92,
2969   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2970                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2971   collaboration = "",
2972   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2973                  molecular beam epitaxy",
2974   publisher =    "AIP",
2975   year =         "1992",
2976   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2977   volume =       "60",
2978   number =       "3",
2979   pages =        "356--358",
2980   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2981                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2982                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2983                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2984   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2985   doi =          "10.1063/1.106655",
2986 }
2987
2988 @Article{osten99,
2989   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2990   collaboration = "",
2991   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2992                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2993                  molecular beam epitaxy",
2994   publisher =    "AIP",
2995   year =         "1999",
2996   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2997   volume =       "74",
2998   number =       "6",
2999   pages =        "836--838",
3000   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3001                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3002                  compounds",
3003   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3004   doi =          "10.1063/1.123384",
3005   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3006 }
3007
3008 @Article{born27,
3009   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3010   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3011   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3012   volume =       "389",
3013   number =       "20",
3014   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3015   ISSN =         "1521-3889",
3016   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3017   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3018   pages =        "457--484",
3019   year =         "1927",
3020 }
3021
3022 @Article{hohenberg64,
3023   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3024   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3025   journal =      "Phys. Rev.",
3026   volume =       "136",
3027   number =       "3B",
3028   pages =        "B864--B871",
3029   numpages =     "7",
3030   year =         "1964",
3031   month =        nov,
3032   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3033   publisher =    "American Physical Society",
3034   notes =        "density functional theory, dft",
3035 }
3036
3037 @Article{thomas27,
3038   title =        "The calculation of atomic fields",
3039   author =       "L. H. Thomas",
3040   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3041   volume =       "23",
3042   pages =        "542--548",
3043   year =         "1927",
3044   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3045 }
3046
3047 @Article{fermi27,
3048   title =        "",
3049   author =       "E. Fermi",
3050   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3051                  Rend.",
3052   volume =       "6",
3053   pages =        "602",
3054   year =         "1927",
3055 }
3056
3057 @Article{hartree28,
3058   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3059                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3060   author =       "D. R. Hartree",
3061   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3062   volume =       "24",
3063   pages =        "89--110",
3064   year =         "1928",
3065   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3066 }
3067
3068 @Article{slater29,
3069   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3070   author =       "J. C. Slater",
3071   journal =      "Phys. Rev.",
3072   volume =       "34",
3073   number =       "10",
3074   pages =        "1293--1322",
3075   numpages =     "29",
3076   year =         "1929",
3077   month =        nov,
3078   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3079   publisher =    "American Physical Society",
3080 }
3081
3082 @Article{kohn65,
3083   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3084                  Correlation Effects",
3085   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3086   journal =      "Phys. Rev.",
3087   volume =       "140",
3088   number =       "4A",
3089   pages =        "A1133--A1138",
3090   numpages =     "5",
3091   year =         "1965",
3092   month =        nov,
3093   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3094   publisher =    "American Physical Society",
3095   notes =        "dft, exchange and correlation",
3096 }
3097
3098 @Article{kohn96,
3099   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3100                  Linearly with the Number of Atoms",
3101   author =       "W. Kohn",
3102   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3103   volume =       "76",
3104   number =       "17",
3105   pages =        "3168--3171",
3106   numpages =     "3",
3107   year =         "1996",
3108   month =        apr,
3109   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3110   publisher =    "American Physical Society",
3111 }
3112
3113 @Article{kohn98,
3114   title =        "Edge Electron Gas",
3115   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3116   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3117   volume =       "81",
3118   number =       "16",
3119   pages =        "3487--3490",
3120   numpages =     "3",
3121   year =         "1998",
3122   month =        oct,
3123   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3124   publisher =    "American Physical Society",
3125 }
3126
3127 @Article{kohn99,
3128   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3129                  functions and density functionals",
3130   author =       "W. Kohn",
3131   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3132   volume =       "71",
3133   number =       "5",
3134   pages =        "1253--1266",
3135   numpages =     "13",
3136   year =         "1999",
3137   month =        oct,
3138   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3139   publisher =    "American Physical Society",
3140 }
3141
3142 @Article{payne92,
3143   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3144                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3145                  conjugate gradients",
3146   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3147                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3148   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3149   volume =       "64",
3150   number =       "4",
3151   pages =        "1045--1097",
3152   numpages =     "52",
3153   year =         "1992",
3154   month =        oct,
3155   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3156   publisher =    "American Physical Society",
3157 }
3158
3159 @Article{levy82,
3160   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3161   author =       "Mel Levy",
3162   journal =      "Phys. Rev. A",
3163   volume =       "26",
3164   number =       "3",
3165   pages =        "1200--1208",
3166   numpages =     "8",
3167   year =         "1982",
3168   month =        sep,
3169   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3170   publisher =    "American Physical Society",
3171 }
3172
3173 @Article{ruecker94,
3174   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3175                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3176   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3177                  J. Osten",
3178   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3179   volume =       "72",
3180   number =       "22",
3181   pages =        "3578--3581",
3182   numpages =     "3",
3183   year =         "1994",
3184   month =        may,
3185   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3186   publisher =    "American Physical Society",
3187   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3188                  si, dft",
3189 }
3190
3191 @Article{yagi02,
3192   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3193                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3194                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3195   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3196                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3197   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3198   volume =       "41",
3199   number =       "Part 1, No. 4B",
3200   pages =        "2472--2475",
3201   numpages =     "3",
3202   year =         "2002",
3203   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3204   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3205   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3206   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3207 }
3208
3209 @Article{chang05,
3210   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3211                  Alloy",
3212   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3213   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3214   volume =       "44",
3215   number =       "4B",
3216   pages =        "2257--2262",
3217   numpages =     "5",
3218   year =         "2005",
3219   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3220   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3221   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3222   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3223 }
3224
3225 @Article{kissinger94,
3226   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3227                  Eichler",
3228   collaboration = "",
3229   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3230                  y] layers on Si(001)",
3231   publisher =    "AIP",
3232   year =         "1994",
3233   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3234   volume =       "65",
3235   number =       "26",
3236   pages =        "3356--3358",
3237   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3238                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3239                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3240                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3241   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3242   doi =          "10.1063/1.112390",
3243   notes =        "strained si influence on optical properties",
3244 }
3245
3246 @Article{osten96,
3247   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3248                  Zaumseil",
3249   collaboration = "",
3250   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3251                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3252                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3253   publisher =    "AIP",
3254   year =         "1996",
3255   journal =      "J. Appl. Phys.",
3256   volume =       "80",
3257   number =       "12",
3258   pages =        "6711--6715",
3259   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3260                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3261                  XRD; STRAINS",
3262   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3263   doi =          "10.1063/1.363797",
3264   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3265 }
3266
3267 @Article{osten97,
3268   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3269   collaboration = "",
3270   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3271                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3272                  Si(001)",
3273   publisher =    "AIP",
3274   year =         "1997",
3275   journal =      "J. Appl. Phys.",
3276   volume =       "82",
3277   number =       "10",
3278   pages =        "4977--4981",
3279   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3280                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3281                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3282   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3283   doi =          "10.1063/1.366364",
3284   notes =        "charge transport in strained si",
3285 }
3286
3287 @Article{kapur04,
3288   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3289                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3290   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3291   journal =      "Phys. Rev. B",
3292   volume =       "69",
3293   number =       "15",
3294   pages =        "155214",
3295   numpages =     "8",
3296   year =         "2004",
3297   month =        apr,
3298   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3299   publisher =    "American Physical Society",
3300   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3301 }
3302
3303 @Article{barkema96,
3304   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3305                  Systems",
3306   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3307   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3308   volume =       "77",
3309   number =       "21",
3310   pages =        "4358--4361",
3311   numpages =     "3",
3312   year =         "1996",
3313   month =        nov,
3314   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3315   publisher =    "American Physical Society",
3316   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3317                  dynamic mds",
3318 }
3319
3320 @Article{cances09,
3321   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3322                  Minoukadeh and F. Willaime",
3323   collaboration = "",
3324   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3325                  technique method for finding transition pathways on
3326                  potential energy surfaces",
3327   publisher =    "AIP",
3328   year =         "2009",
3329   journal =      "J. Chem. Phys.",
3330   volume =       "130",
3331   number =       "11",
3332   eid =          "114711",
3333   numpages =     "6",
3334   pages =        "114711",
3335   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3336                  surfaces; vacancies (crystal)",
3337   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3338   doi =          "10.1063/1.3088532",
3339   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3340                  transition pathways",
3341 }
3342
3343 @Article{parrinello81,
3344   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3345   collaboration = "",
3346   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3347                  molecular dynamics method",
3348   publisher =    "AIP",
3349   year =         "1981",
3350   journal =      "J. Appl. Phys.",
3351   volume =       "52",
3352   number =       "12",
3353   pages =        "7182--7190",
3354   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3355                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3356                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3357                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3358                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3359                  IMPACT SHOCK",
3360   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3361   doi =          "10.1063/1.328693",
3362 }
3363
3364 @Article{stillinger85,
3365   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3366                  of silicon",
3367   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3368   journal =      "Phys. Rev. B",
3369   volume =       "31",
3370   number =       "8",
3371   pages =        "5262--5271",
3372   numpages =     "9",
3373   year =         "1985",
3374   month =        apr,
3375   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3376   publisher =    "American Physical Society",
3377 }
3378
3379 @Article{brenner90,
3380   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3381                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3382                  films",
3383   author =       "Donald W. Brenner",
3384   journal =      "Phys. Rev. B",
3385   volume =       "42",
3386   number =       "15",
3387   pages =        "9458--9471",
3388   numpages =     "13",
3389   year =         "1990",
3390   month =        nov,
3391   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3392   publisher =    "American Physical Society",
3393   notes =        "brenner hydro carbons",
3394 }
3395
3396 @Article{bazant96,
3397   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3398                  Cohesive Energy Curves",
3399   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3400   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3401   volume =       "77",
3402   number =       "21",
3403   pages =        "4370--4373",
3404   numpages =     "3",
3405   year =         "1996",
3406   month =        nov,
3407   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3408   publisher =    "American Physical Society",
3409   notes =        "first si edip",
3410 }
3411
3412 @Article{bazant97,
3413   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3414                  silicon",
3415   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3416                  Justo",
3417   journal =      "Phys. Rev. B",
3418   volume =       "56",
3419   number =       "14",
3420   pages =        "8542--8552",
3421   numpages =     "10",
3422   year =         "1997",
3423   month =        oct,
3424   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3425   publisher =    "American Physical Society",
3426   notes =        "second si edip",
3427 }
3428
3429 @Article{justo98,
3430   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3431                  disordered phases",
3432   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3433                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3434   journal =      "Phys. Rev. B",
3435   volume =       "58",
3436   number =       "5",
3437   pages =        "2539--2550",
3438   numpages =     "11",
3439   year =         "1998",
3440   month =        aug,
3441   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3442   publisher =    "American Physical Society",
3443   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3444 }
3445
3446 @Article{parcas_md,
3447   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3448   author =       "K. Nordlund",
3449   year =         "2008",
3450 }
3451
3452 @Article{voter97,
3453   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3454                  Infrequent Events",
3455   author =       "Arthur F. Voter",
3456   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3457   volume =       "78",
3458   number =       "20",
3459   pages =        "3908--3911",
3460   numpages =     "3",
3461   year =         "1997",
3462   month =        may,
3463   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3464   publisher =    "American Physical Society",
3465   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3466 }
3467
3468 @Article{voter97_2,
3469   author =       "Arthur F. Voter",
3470   collaboration = "",
3471   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3472                  simulation of infrequent events",
3473   publisher =    "AIP",
3474   year =         "1997",
3475   journal =      "J. Chem. Phys.",
3476   volume =       "106",
3477   number =       "11",
3478   pages =        "4665--4677",
3479   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3480                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3481                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3482                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3483                  theory; potential energy surfaces",
3484   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3485   doi =          "10.1063/1.473503",
3486   notes =        "improved hyperdynamics md",
3487 }
3488
3489 @Article{sorensen2000,
3490   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3491   collaboration = "",
3492   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3493                  infrequent events",
3494   publisher =    "AIP",
3495   year =         "2000",
3496   journal =      "J. Chem. Phys.",
3497   volume =       "112",
3498   number =       "21",
3499   pages =        "9599--9606",
3500   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3501                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3502   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3503   doi =          "10.1063/1.481576",
3504   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3505 }
3506
3507 @Article{voter98,
3508   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3509                  events",
3510   author =       "Arthur F. Voter",
3511   journal =      "Phys. Rev. B",
3512   volume =       "57",
3513   number =       "22",
3514   pages =        "R13985--R13988",
3515   numpages =     "3",
3516   year =         "1998",
3517   month =        jun,
3518   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3519   publisher =    "American Physical Society",
3520   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3521 }
3522
3523 @Article{wu99,
3524   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3525   collaboration = "",
3526   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3527                  simulation",
3528   publisher =    "AIP",
3529   year =         "1999",
3530   journal =      "J. Chem. Phys.",
3531   volume =       "110",
3532   number =       "19",
3533   pages =        "9401--9410",
3534   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3535                  potential; crystallisation; liquid theory",
3536   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3537   doi =          "10.1063/1.478948",
3538   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3539                  systematic motion",
3540 }
3541
3542 @Article{choudhary05,
3543   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3544   collaboration = "",
3545   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3546                  to the production of amorphous silicon",
3547   publisher =    "AIP",
3548   year =         "2005",
3549   journal =      "J. Chem. Phys.",
3550   volume =       "122",
3551   number =       "15",
3552   eid =          "154509",
3553   numpages =     "8",
3554   pages =        "154509",
3555   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3556                  amorphous semiconductors",
3557   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3558   doi =          "10.1063/1.1878733",
3559   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3560                  silicon",
3561 }
3562
3563 @Article{taylor93,
3564   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3565   collaboration = "",
3566   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3567                  difficult?",
3568   publisher =    "AIP",
3569   year =         "1993",
3570   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3571   volume =       "62",
3572   number =       "25",
3573   pages =        "3336--3338",
3574   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3575                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3576                  ENERGY",
3577   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3578   doi =          "10.1063/1.109063",
3579   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3580                  interstitials necessary for precipitation, volume
3581                  decrease, high interface energy",
3582 }
3583
3584 @Article{chaussende08,
3585   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3586   journal =      "J. Cryst. Growth",
3587   volume =       "310",
3588   number =       "5",
3589   pages =        "976--981",
3590   year =         "2008",
3591   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3592                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3593   ISSN =         "0022-0248",
3594   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3595   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3596   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3597                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3598                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3599                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3600   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3601                  metastable",
3602 }
3603
3604 @Article{chaussende07,
3605   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3606   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3607   journal =      "J. Phys. D",
3608   volume =       "40",
3609   number =       "20",
3610   pages =        "6150",
3611   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3612   year =         "2007",
3613   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3614                  modelling",
3615 }
3616
3617 @Article{feynman39,
3618   title =        "Forces in Molecules",
3619   author =       "R. P. Feynman",
3620   journal =      "Phys. Rev.",
3621   volume =       "56",
3622   number =       "4",
3623   pages =        "340--343",
3624   numpages =     "3",
3625   year =         "1939",
3626   month =        aug,
3627   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3628   publisher =    "American Physical Society",
3629   notes =        "hellmann feynman forces",
3630 }
3631
3632 @Article{buczko00,
3633   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3634                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3635                  their Contrasting Properties",
3636   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3637                  T. Pantelides",
3638   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3639   volume =       "84",
3640   number =       "5",
3641   pages =        "943--946",
3642   numpages =     "3",
3643   year =         "2000",
3644   month =        jan,
3645   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3646   publisher =    "American Physical Society",
3647   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3648 }
3649
3650 @Article{djurabekova08,
3651   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3652                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3653   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3654   journal =      "Phys. Rev. B",
3655   volume =       "77",
3656   number =       "11",
3657   pages =        "115325",
3658   numpages =     "7",
3659   year =         "2008",
3660   month =        mar,
3661   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3662   publisher =    "American Physical Society",
3663   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3664                  angular distribution, coordination",
3665 }
3666
3667 @Article{wen09,
3668   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3669                  W. Liang and J. Zou",
3670   collaboration = "",
3671   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3672                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3673                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3674   publisher =    "AIP",
3675   year =         "2009",
3676   journal =      "J. Appl. Phys.",
3677   volume =       "106",
3678   number =       "7",
3679   eid =          "073522",
3680   numpages =     "8",
3681   pages =        "073522",
3682   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3683                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3684                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3685                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3686   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3687   doi =          "10.1063/1.3234380",
3688   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3689                  deconvolution, dislocation defects",
3690 }
3691
3692 @Article{kitabatake93,
3693   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3694                  Hirao",
3695   collaboration = "",
3696   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3697                  growth on Si(001) surface",
3698   publisher =    "AIP",
3699   year =         "1993",
3700   journal =      "J. Appl. Phys.",
3701   volume =       "74",
3702   number =       "7",
3703   pages =        "4438--4445",
3704   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3705                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3706                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3707   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3708   doi =          "10.1063/1.354385",
3709   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3710                  model, interface",
3711 }
3712
3713 @Article{kitabatake97,
3714   author =       "Makoto Kitabatake",
3715   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3716                  Heteroepitaxial Growth",
3717   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3718   year =         "1997",
3719   journal =      "phys. status solidi (b)",
3720   volume =       "202",
3721   pages =        "405--420",
3722   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3723   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3724   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3725 }
3726
3727 @Article{chirita97,
3728   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3729                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3730                  dynamics study",
3731   journal =      "Thin Solid Films",
3732   volume =       "294",
3733   number =       "1-2",
3734   pages =        "47--49",
3735   year =         "1997",
3736   note =         "",
3737   ISSN =         "0040-6090",
3738   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3739   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3740   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3741   keywords =     "Strain relaxation",
3742   keywords =     "Interfaces",
3743   keywords =     "Thermal stability",
3744   keywords =     "Molecular dynamics",
3745   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3746 }
3747
3748 @Article{cicero02,
3749   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3750                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3751   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3752                  Catellani",
3753   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3754   volume =       "89",
3755   number =       "15",
3756   pages =        "156101",
3757   numpages =     "4",
3758   year =         "2002",
3759   month =        sep,
3760   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3761   publisher =    "American Physical Society",
3762   notes =        "sic/si interface study",
3763 }
3764
3765 @Article{pizzagalli03,
3766   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3767                  interface: Si{C}/Si(001)",
3768   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3769                  Catellani",
3770   journal =      "Phys. Rev. B",
3771   volume =       "68",
3772   number =       "19",
3773   pages =        "195302",
3774   numpages =     "10",
3775   year =         "2003",
3776   month =        nov,
3777   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3778   publisher =    "American Physical Society",
3779   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3780 }
3781
3782 @Article{tang07,
3783   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3784                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3785                  electron microscopy",
3786   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3787                  H. Zheng and J. W. Liang",
3788   journal =      "Phys. Rev. B",
3789   volume =       "75",
3790   number =       "18",
3791   pages =        "184103",
3792   numpages =     "7",
3793   year =         "2007",
3794   month =        may,
3795   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3796   publisher =    "American Physical Society",
3797   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3798                  si and c",
3799 }
3800
3801 @Article{hornstra58,
3802   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3803   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3804   volume =       "5",
3805   number =       "1-2",
3806   pages =        "129--141",
3807   year =         "1958",
3808   note =         "",
3809   ISSN =         "0022-3697",
3810   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3811   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3812   author =       "J. Hornstra",
3813   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3814 }
3815
3816 @Article{deguchi92,
3817   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3818                  Ion `Hot' Implantation",
3819   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3820                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3821   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3822   volume =       "31",
3823   number =       "Part 1, No. 2A",
3824   pages =        "343--347",
3825   numpages =     "4",
3826   year =         "1992",
3827   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3828   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3829   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3830   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3831                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3832 }
3833
3834 @Article{eichhorn99,
3835   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3836                  K{\"{o}}gler",
3837   collaboration = "",
3838   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3839                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3840                  synchrotron x-ray diffraction",
3841   publisher =    "AIP",
3842   year =         "1999",
3843   journal =      "J. Appl. Phys.",
3844   volume =       "86",
3845   number =       "8",
3846   pages =        "4184--4187",
3847   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3848                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3849                  precipitation; semiconductor doping",
3850   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3851   doi =          "10.1063/1.371344",
3852   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3853                  expansion of si lattice",
3854 }
3855
3856 @Article{eichhorn02,
3857   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3858                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3859   collaboration = "",
3860   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3861                  carbon ion implantation",
3862   publisher =    "AIP",
3863   year =         "2002",
3864   journal =      "J. Appl. Phys.",
3865   volume =       "91",
3866   number =       "3",
3867   pages =        "1287--1292",
3868   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3869                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3870                  electron microscopy",
3871   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3872   doi =          "10.1063/1.1428105",
3873   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3874                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3875 }
3876
3877 @Article{lucas10,
3878   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3879   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3880                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3881                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3882                  amorphous structures",
3883   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3884   volume =       "22",
3885   number =       "3",
3886   pages =        "035802",
3887   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3888   year =         "2010",
3889   notes =        "edip sic",
3890 }
3891
3892 @Article{godet03,
3893   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3894                  Beauchamp",
3895   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3896                  methods for silicon under large shear",
3897   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3898   volume =       "15",
3899   number =       "41",
3900   pages =        "6943",
3901   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3902   year =         "2003",
3903   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3904                  edip, tersoff, ab initio",
3905 }
3906
3907 @Article{moriguchi98,
3908   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3909                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3910   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3911   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3912   volume =       "37",
3913   number =       "Part 1, No. 2",
3914   pages =        "414--422",
3915   numpages =     "8",
3916   year =         "1998",
3917   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3918   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3919   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3920   notes =        "tersoff stringent test",
3921 }
3922
3923 @Article{mazzarolo01,
3924   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3925                  simulations",
3926   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3927                  Lulli and Eros Albertazzi",
3928   journal =      "Phys. Rev. B",
3929   volume =       "63",
3930   number =       "19",
3931   pages =        "195207",
3932   numpages =     "4",
3933   year =         "2001",
3934   month =        apr,
3935   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3936   publisher =    "American Physical Society",
3937 }
3938
3939 @Article{holmstroem08,
3940   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3941                  density functional theory molecular dynamics
3942                  simulations",
3943   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3944   journal =      "Phys. Rev. B",
3945   volume =       "78",
3946   number =       "4",
3947   pages =        "045202",
3948   numpages =     "6",
3949   year =         "2008",
3950   month =        jul,
3951   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3952   publisher =    "American Physical Society",
3953   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3954                  initio",
3955 }
3956
3957 @Article{nordlund97,
3958   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3959                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3960   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3961   volume =       "132",
3962   number =       "1",
3963   pages =        "45--54",
3964   year =         "1997",
3965   note =         "",
3966   ISSN =         "0168-583X",
3967   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3968   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3969   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3970   notes =        "repulsive ab initio potential",
3971 }
3972
3973 @Article{kresse96,
3974   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3975                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3976                  set",
3977   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3978   volume =       "6",
3979   number =       "1",
3980   pages =        "15--50",
3981   year =         "1996",
3982   note =         "",
3983   ISSN =         "0927-0256",
3984   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3985   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3986   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3987   notes =        "vasp ref",
3988 }
3989
3990 @Article{bloechl94,
3991   title =        "Projector augmented-wave method",
3992   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3993   journal =      "Phys. Rev. B",
3994   volume =       "50",
3995   number =       "24",
3996   pages =        "17953--17979",
3997   numpages =     "26",
3998   year =         "1994",
3999   month =        dec,
4000   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
4001   publisher =    "American Physical Society",
4002   notes =        "paw method",
4003 }
4004
4005 @InCollection{cohen70,
4006   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
4007                  and Their Subsequent Application",
4008   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
4009   booktitle =    "",
4010   publisher =    "Academic Press",
4011   year =         "1970",
4012   volume =       "24",
4013   pages =        "37--248",
4014   series =       "Solid State Physics",
4015   ISSN =         "0081-1947",
4016   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
4017   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
4018   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
4019 }
4020
4021 @Article{hamann79,
4022   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
4023   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
4024   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4025   volume =       "43",
4026   number =       "20",
4027   pages =        "1494--1497",
4028   numpages =     "3",
4029   year =         "1979",
4030   month =        nov,
4031   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
4032   publisher =    "American Physical Society",
4033   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
4034 }
4035
4036 @Article{troullier91,
4037   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
4038                  calculations",
4039   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
4040   journal =      "Phys. Rev. B",
4041   volume =       "43",
4042   number =       "3",
4043   pages =        "1993--2006",
4044   numpages =     "13",
4045   year =         "1991",
4046   month =        jan,
4047   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
4048   publisher =    "American Physical Society",
4049 }
4050
4051 @Article{vanderbilt90,
4052   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
4053                  eigenvalue formalism",
4054   author =       "David Vanderbilt",
4055   journal =      "Phys. Rev. B",
4056   volume =       "41",
4057   number =       "11",
4058   pages =        "7892--7895",
4059   numpages =     "3",
4060   year =         "1990",
4061   month =        apr,
4062   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
4063   publisher =    "American Physical Society",
4064   notes =        "vasp pseudopotentials",
4065 }
4066
4067 @Article{ceperley80,
4068   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
4069                  Method",
4070   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
4071   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4072   volume =       "45",
4073   number =       "7",
4074   pages =        "566--569",
4075   numpages =     "3",
4076   year =         "1980",
4077   month =        aug,
4078   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
4079   publisher =    "American Physical Society",
4080 }
4081
4082 @Article{perdew81,
4083   title =        "Self-interaction correction to density-functional
4084                  approximations for many-electron systems",
4085   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
4086   journal =      "Phys. Rev. B",
4087   volume =       "23",
4088   number =       "10",
4089   pages =        "5048--5079",
4090   numpages =     "31",
4091   year =         "1981",
4092   month =        may,
4093   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
4094   publisher =    "American Physical Society",
4095 }
4096
4097 @Article{perdew86,
4098   title =        "Accurate and simple density functional for the
4099                  electronic exchange energy: Generalized gradient
4100                  approximation",
4101   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
4102   journal =      "Phys. Rev. B",
4103   volume =       "33",
4104   number =       "12",
4105   pages =        "8800--8802",
4106   numpages =     "2",
4107   year =         "1986",
4108   month =        jun,
4109   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
4110   publisher =    "American Physical Society",
4111   notes =        "rapid communication gga",
4112 }
4113
4114 @Article{perdew02,
4115   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4116                  correlation: {A} look backward and forward",
4117   journal =      "Physica B",
4118   volume =       "172",
4119   number =       "1-2",
4120   pages =        "1--6",
4121   year =         "1991",
4122   note =         "",
4123   ISSN =         "0921-4526",
4124   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4125   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4126   author =       "John P. Perdew",
4127   notes =        "gga overview",
4128 }
4129
4130 @Article{perdew92,
4131   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4132                  of the generalized gradient approximation for exchange
4133                  and correlation",
4134   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4135                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4136                  and Carlos Fiolhais",
4137   journal =      "Phys. Rev. B",
4138   volume =       "46",
4139   number =       "11",
4140   pages =        "6671--6687",
4141   numpages =     "16",
4142   year =         "1992",
4143   month =        sep,
4144   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4145   publisher =    "American Physical Society",
4146   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4147 }
4148
4149 @Article{chadi73,
4150   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4151   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4152   journal =      "Phys. Rev. B",
4153   volume =       "8",
4154   number =       "12",
4155   pages =        "5747--5753",
4156   numpages =     "6",
4157   year =         "1973",
4158   month =        dec,
4159   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4160   publisher =    "American Physical Society",
4161 }
4162
4163 @Article{baldereschi73,
4164   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4165   author =       "A. Baldereschi",
4166   journal =      "Phys. Rev. B",
4167   volume =       "7",
4168   number =       "12",
4169   pages =        "5212--5215",
4170   numpages =     "3",
4171   year =         "1973",
4172   month =        jun,
4173   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4174   publisher =    "American Physical Society",
4175   notes =        "mean value k point",
4176 }
4177
4178 @Article{monkhorst76,
4179   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4180   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4181   journal =      "Phys. Rev. B",
4182   volume =       "13",
4183   number =       "12",
4184   pages =        "5188--5192",
4185   numpages =     "4",
4186   year =         "1976",
4187   month =        jun,
4188   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4189   publisher =    "American Physical Society",
4190 }
4191
4192 @Article{zhu98,
4193   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4194                  diffusion in Si",
4195   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4196   volume =       "12",
4197   number =       "4",
4198   pages =        "309--318",
4199   year =         "1998",
4200   note =         "",
4201   ISSN =         "0927-0256",
4202   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4203   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4204   author =       "Jing Zhu",
4205   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4206   keywords =     "Boron dopant",
4207   keywords =     "Carbon dopant",
4208   keywords =     "Defect",
4209   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4210   keywords =     "Impurity cluster",
4211   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4212 }
4213
4214 @Article{nejim95,
4215   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4216   collaboration = "",
4217   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4218                  950 [degree]{C}",
4219   publisher =    "AIP",
4220   year =         "1995",
4221   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4222   volume =       "66",
4223   number =       "20",
4224   pages =        "2646--2648",
4225   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4226                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4227                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4228                  ELECTRON MICROSCOPY",
4229   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4230   doi =          "10.1063/1.113112",
4231   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4232                  self interstitials react with further implanted c",
4233 }
4234
4235 @Article{guedj98,
4236   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4237                  Kolodzey and A. Hairie",
4238   collaboration = "",
4239   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4240                  alloys",
4241   publisher =    "AIP",
4242   year =         "1998",
4243   journal =      "J. Appl. Phys.",
4244   volume =       "84",
4245   number =       "8",
4246   pages =        "4631--4633",
4247   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4248                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4249                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4250                  annealing",
4251   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4252   doi =          "10.1063/1.368703",
4253   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4254 }
4255
4256 @Article{jones04,
4257   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4258   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4259                  semiconductors",
4260   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4261   volume =       "16",
4262   number =       "27",
4263   pages =        "S2643",
4264   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4265   year =         "2004",
4266   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4267                  si",
4268 }
4269
4270 @Article{park02,
4271   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4272                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4273                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4274   collaboration = "",
4275   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4276                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4277                  molecular-beam epitaxy",
4278   publisher =    "AIP",
4279   year =         "2002",
4280   journal =      "J. Appl. Phys.",
4281   volume =       "91",
4282   number =       "9",
4283   pages =        "5716--5727",
4284   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4285   doi =          "10.1063/1.1465122",
4286   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4287 }
4288
4289 @Article{leary97,
4290   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4291                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4292   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4293                  Torres",
4294   journal =      "Phys. Rev. B",
4295   volume =       "55",
4296   number =       "4",
4297   pages =        "2188--2194",
4298   numpages =     "6",
4299   year =         "1997",
4300   month =        jan,
4301   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4302   publisher =    "American Physical Society",
4303   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4304                  energies, different migration barriers and paths",
4305 }
4306
4307 @Article{burnard93,
4308   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4309                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4310                  calculations",
4311   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4312   journal =      "Phys. Rev. B",
4313   volume =       "47",
4314   number =       "16",
4315   pages =        "10217--10225",
4316   numpages =     "8",
4317   year =         "1993",
4318   month =        apr,
4319   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4320   publisher =    "American Physical Society",
4321   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4322                  carbon defect, formation energies",
4323 }
4324
4325 @Article{besson91,
4326   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4327                  silicon",
4328   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4329   journal =      "Phys. Rev. B",
4330   volume =       "43",
4331   number =       "5",
4332   pages =        "4028--4033",
4333   numpages =     "5",
4334   year =         "1991",
4335   month =        feb,
4336   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4337   publisher =    "American Physical Society",
4338 }
4339
4340 @Article{kaxiras96,
4341   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4342                  and growth on semiconductors",
4343   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4344   volume =       "6",
4345   number =       "2",
4346   pages =        "158--172",
4347   year =         "1996",
4348   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4349                  Epitaxy",
4350   ISSN =         "0927-0256",
4351   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4352   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4353   author =       "Efthimios Kaxiras",
4354   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4355                  tight binding, first principles",
4356 }
4357
4358 @Article{kaukonen98,
4359   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4360                  diamond
4361                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4362                  surfaces",
4363   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4364                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4365                  Th. Frauenheim",
4366   journal =      "Phys. Rev. B",
4367   volume =       "57",
4368   number =       "16",
4369   pages =        "9965--9970",
4370   numpages =     "5",
4371   year =         "1998",
4372   month =        apr,
4373   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4374   publisher =    "American Physical Society",
4375   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4376                  (crt)",
4377 }
4378
4379 @Article{gali03,
4380   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4381                  center in Si{C}",
4382   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4383                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4384                  W. J. Choyke",
4385   journal =      "Phys. Rev. B",
4386   volume =       "67",
4387   number =       "15",
4388   pages =        "155203",
4389   numpages =     "5",
4390   year =         "2003",
4391   month =        apr,
4392   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4393   publisher =    "American Physical Society",
4394 }
4395
4396 @Article{chen98,
4397   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4398                  irradiation and deformation",
4399   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4400   volume =       "258-263",
4401   number =       "Part 2",
4402   pages =        "1803--1808",
4403   year =         "1998",
4404   note =         "",
4405   ISSN =         "0022-3115",
4406   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4407   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4408   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4409 }
4410
4411 @Article{weber01,
4412   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4413                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4414   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4415   volume =       "175-177",
4416   number =       "",
4417   pages =        "26--30",
4418   year =         "2001",
4419   note =         "",
4420   ISSN =         "0168-583X",
4421   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4422   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4423   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4424 }
4425
4426 @Article{bockstedte03,
4427   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4428                  in $3{C}-Si{C}$",
4429   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4430                  Pankratov",
4431   journal =      "Phys. Rev. B",
4432   volume =       "68",
4433   number =       "20",
4434   pages =        "205201",
4435   numpages =     "17",
4436   year =         "2003",
4437   month =        nov,
4438   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4439   publisher =    "American Physical Society",
4440   notes =        "defect migration in sic",
4441 }
4442
4443 @Article{rauls03a,
4444   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4445                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4446   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4447                  De\'ak",
4448   journal =      "Phys. Rev. B",
4449   volume =       "68",
4450   number =       "15",
4451   pages =        "155208",
4452   numpages =     "9",
4453   year =         "2003",
4454   month =        oct,
4455   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4456   publisher =    "American Physical Society",
4457 }
4458
4459 @Article{losev27,
4460   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4461   volume =       "44",
4462   pages =        "485--494",
4463   year =         "1927",
4464   author =       "O. V. Lossev",
4465 }
4466
4467 @Article{losev28,
4468   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4469                  oscillations with crystals",
4470   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4471   volume =       "6",
4472   number =       "39",
4473   pages =        "1024--1044",
4474   year =         "1928",
4475   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4476   author =       "O. V. Lossev",
4477 }
4478
4479 @Article{losev29,
4480   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4481   volume =       "30",
4482   pages =        "920--923",
4483   year =         "1929",
4484   author =       "O. V. Lossev",
4485 }
4486
4487 @Article{losev31,
4488   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4489   volume =       "32",
4490   pages =        "692--696",
4491   year =         "1931",
4492   author =       "O. V. Lossev",
4493 }
4494
4495 @Article{losev33,
4496   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4497   volume =       "34",
4498   pages =        "397--403",
4499   year =         "1933",
4500   author =       "O. V. Lossev",
4501 }
4502
4503 @Article{round07,
4504   title =        "A note on carborundum",
4505   journal =      "Electrical World",
4506   volume =       "49",
4507   pages =        "308",
4508   year =         "1907",
4509   author =       "H. J. Round",
4510 }
4511
4512 @Article{vashishath08,
4513   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4514   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4515   volume =       "2",
4516   number =       "03",
4517   pages =        "444--470",
4518   year =         "2008",
4519   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4520   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4521   notes =        "sic polytype electronic properties",
4522 }
4523
4524 @Article{nelson69,
4525   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4526   collaboration = "",
4527   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4528   publisher =    "AIP",
4529   year =         "1966",
4530   journal =      "J. Appl. Phys.",
4531   volume =       "37",
4532   number =       "1",
4533   pages =        "333--336",
4534   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4535   doi =          "10.1063/1.1707837",
4536   notes =        "sic melt growth",
4537 }
4538
4539 @Article{arkel25,
4540   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4541   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4542                  und Thoriummetall",
4543   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4544   year =         "1925",
4545   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4546   volume =       "148",
4547   pages =        "345--350",
4548   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4549   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4550   notes =        "van arkel apparatus",
4551 }
4552
4553 @Article{moers31,
4554   author =       "K. Moers",
4555   year =         "1931",
4556   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4557   volume =       "198",
4558   pages =        "293",
4559   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4560                  process",
4561 }
4562
4563 @Article{kendall53,
4564   author =       "J. T. Kendall",
4565   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4566   publisher =    "AIP",
4567   year =         "1953",
4568   journal =      "J. Chem. Phys.",
4569   volume =       "21",
4570   number =       "5",
4571   pages =        "821--827",
4572   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4573   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4574                  process",
4575 }
4576
4577 @Article{lely55,
4578   author =       "J. A. Lely",
4579   year =         "1955",
4580   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4581   volume =       "32",
4582   pages =        "229",
4583   notes =        "lely sublimation growth process",
4584 }
4585
4586 @Article{knippenberg63,
4587   author =       "W. F. Knippenberg",
4588   year =         "1963",
4589   journal =      "Philips Res. Repts.",
4590   volume =       "18",
4591   pages =        "161",
4592   notes =        "acheson process",
4593 }
4594
4595 @Article{hoffmann82,
4596   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4597                  Weyrich",
4598   collaboration = "",
4599   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4600                  improved external quantum efficiency",
4601   publisher =    "AIP",
4602   year =         "1982",
4603   journal =      "J. Appl. Phys.",
4604   volume =       "53",
4605   number =       "10",
4606   pages =        "6962--6967",
4607   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4608                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4609                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4610                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4611                  electroluminescence; spectra; current density;
4612                  optimization",
4613   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4614   doi =          "10.1063/1.330041",
4615   notes =        "blue led, sublimation process",
4616 }
4617
4618 @Article{neudeck95,
4619   author =       "Philip Neudeck",
4620   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4621                  Road 44135 Cleveland OH",
4622   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4623                  technology",
4624   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4625   publisher =    "Springer Boston",
4626   ISSN =         "0361-5235",
4627   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4628   pages =        "283--288",
4629   volume =       "24",
4630   issue =        "4",
4631   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4632   note =         "10.1007/BF02659688",
4633   year =         "1995",
4634   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4635 }
4636
4637 @Article{bhatnagar93,
4638   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4639   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4640   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4641                  devices",
4642   year =         "1993",
4643   month =        mar,
4644   volume =       "40",
4645   number =       "3",
4646   pages =        "645--655",
4647   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4648                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4649                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4650                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4651                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4652                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4653                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4654                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4655   doi =          "10.1109/16.199372",
4656   ISSN =         "0018-9383",
4657   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4658 }
4659
4660 @Article{neudeck94,
4661   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4662                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4663   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4664   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4665                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4666                  6{H}-Si{C} substrates",
4667   year =         "1994",
4668   month =        may,
4669   volume =       "41",
4670   number =       "5",
4671   pages =        "826--835",
4672   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4673                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4674                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4675                  properties;epitaxial layers;light
4676                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4677                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4678                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4679                  currents;power electronics;semiconductor
4680                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4681                  growth;semiconductor materials;silicon
4682                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4683                  phase epitaxial growth;",
4684   doi =          "10.1109/16.285038",
4685   ISSN =         "0018-9383",
4686   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4687                  substrate",
4688 }
4689
4690 @Article{schulze98,
4691   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4692   collaboration = "",
4693   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4694                  single crystals by physical vapor transport",
4695   publisher =    "AIP",
4696   year =         "1998",
4697   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4698   volume =       "72",
4699   number =       "13",
4700   pages =        "1632--1634",
4701   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4702                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4703                  photoluminescence; Hall mobility",
4704   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4705   doi =          "10.1063/1.121136",
4706   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4707 }
4708
4709 @Article{pirouz87,
4710   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4711   collaboration = "",
4712   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4713   publisher =    "AIP",
4714   year =         "1987",
4715   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4716   volume =       "50",
4717   number =       "4",
4718   pages =        "221--223",
4719   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4720                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4721                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4722                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4723                  BOUNDARIES",
4724   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4725   doi =          "10.1063/1.97667",
4726   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4727 }
4728
4729 @Article{shibahara86,
4730   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4731                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4732   journal =      "J. Cryst. Growth",
4733   volume =       "78",
4734   number =       "3",
4735   pages =        "538--544",
4736   year =         "1986",
4737   note =         "",
4738   ISSN =         "0022-0248",
4739   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4740   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4741   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4742                  Matsunami",
4743   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4744 }
4745
4746 @Article{desjardins96,
4747   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4748   collaboration = "",
4749   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4750   publisher =    "AIP",
4751   year =         "1996",
4752   journal =      "J. Appl. Phys.",
4753   volume =       "79",
4754   number =       "3",
4755   pages =        "1423--1434",
4756   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4757                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4758   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4759   doi =          "10.1063/1.360980",
4760   notes =        "apb model",
4761 }
4762
4763 @Article{henke95,
4764   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4765   collaboration = "",
4766   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4767                  carbonization of silicon",
4768   publisher =    "AIP",
4769   year =         "1995",
4770   journal =      "J. Appl. Phys.",
4771   volume =       "78",
4772   number =       "3",
4773   pages =        "2070--2073",
4774   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4775                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4776                  STRUCTURE",
4777   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4778   doi =          "10.1063/1.360184",
4779   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4780 }
4781
4782 @Article{fuyuki89,
4783   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4784                  {MBE} using surface superstructure",
4785   journal =      "J. Cryst. Growth",
4786   volume =       "95",
4787   number =       "1-4",
4788   pages =        "461--463",
4789   year =         "1989",
4790   note =         "",
4791   ISSN =         "0022-0248",
4792   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4793   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4794   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4795                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4796   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4797 }
4798
4799 @Article{yoshinobu92,
4800   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4801                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4802   collaboration = "",
4803   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4804                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4805                  molecular beam epitaxy",
4806   publisher =    "AIP",
4807   year =         "1992",
4808   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4809   volume =       "60",
4810   number =       "7",
4811   pages =        "824--826",
4812   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4813                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4814                  INTERFACE STRUCTURE",
4815   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4816   doi =          "10.1063/1.107430",
4817   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4818 }
4819
4820 @Article{yoshinobu90,
4821   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4822                  cubic Si{C}",
4823   journal =      "J. Cryst. Growth",
4824   volume =       "99",
4825   number =       "1-4",
4826   pages =        "520--524",
4827   year =         "1990",
4828   note =         "",
4829   ISSN =         "0022-0248",
4830   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4831   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4832   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4833                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4834   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4835 }
4836
4837 @Article{fuyuki93,
4838   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4839                  superstructures in Si{C}",
4840   journal =      "Thin Solid Films",
4841   volume =       "225",
4842   number =       "1-2",
4843   pages =        "225--229",
4844   year =         "1993",
4845   note =         "",
4846   ISSN =         "0040-6090",
4847   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4848   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4849   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4850                  Matsunami",
4851   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4852                  epitaxy, ale",
4853 }
4854
4855 @Article{hara93,
4856   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4857                  growth of [beta]-Si{C}",
4858   journal =      "Thin Solid Films",
4859   volume =       "225",
4860   number =       "1-2",
4861   pages =        "240--243",
4862   year =         "1993",
4863   note =         "",
4864   ISSN =         "0040-6090",
4865   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4866   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4867   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4868                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4869   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4870                  epitaxy, ale",
4871 }
4872
4873 @Article{tanaka94,
4874   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4875   collaboration = "",
4876   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4877                  growth mode and polytype formation during gas-source
4878                  molecular beam epitaxy",
4879   publisher =    "AIP",
4880   year =         "1994",
4881   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4882   volume =       "65",
4883   number =       "22",
4884   pages =        "2851--2853",
4885   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4886                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4887                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4888                  FLOW; FLOW RATE",
4889   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4890   doi =          "10.1063/1.112513",
4891   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4892 }
4893
4894 @Article{fuyuki97,
4895   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4896   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4897                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4898   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4899   year =         "1997",
4900   journal =      "phys. status solidi (b)",
4901   volume =       "202",
4902   pages =        "359--378",
4903   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4904                  temperatures 750",
4905 }
4906
4907 @Article{takaoka98,
4908   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4909   journal =      "J. Cryst. Growth",
4910   volume =       "183",
4911   number =       "1-2",
4912   pages =        "175--182",
4913   year =         "1998",
4914   note =         "",
4915   ISSN =         "0022-0248",
4916   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4917   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4918   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4919   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4920   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4921   keywords =     "Silicon carbide",
4922   keywords =     "Silicon",
4923   keywords =     "Island growth",
4924   notes =        "lower temperature, 550-700",
4925 }
4926
4927 @Article{hatayama95,
4928   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4929                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4930                  molecular beam epitaxy",
4931   journal =      "J. Cryst. Growth",
4932   volume =       "150",
4933   number =       "Part 2",
4934   pages =        "934--938",
4935   year =         "1995",
4936   note =         "",
4937   ISSN =         "0022-0248",
4938   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4939   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4940   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4941                  and Hiroyuki Matsunami",
4942 }
4943
4944 @Article{heine91,
4945   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4946   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4947                  Metastable Cubic Form",
4948   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
4949   volume =       "74",
4950   number =       "10",
4951   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4952   ISSN =         "1551-2916",
4953   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4954   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4955   pages =        "2630--2633",
4956   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4957                  calculations, stability",
4958   year =         "1991",
4959   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4960                  polytype dft calculation refs",
4961 }
4962
4963 @Article{allendorf91,
4964   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4965                  [beta]-silicon carbide",
4966   journal =      "Surf. Sci.",
4967   volume =       "258",
4968   number =       "1-3",
4969   pages =        "177--189",
4970   year =         "1991",
4971   note =         "",
4972   ISSN =         "0039-6028",
4973   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4974   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4975   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4976   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4977 }
4978
4979 @Article{eaglesham93,
4980   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4981                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4982   collaboration = "",
4983   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4984   publisher =    "AIP",
4985   year =         "1993",
4986   journal =      "J. Appl. Phys.",
4987   volume =       "74",
4988   number =       "11",
4989   pages =        "6615--6618",
4990   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4991                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4992                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4993   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4994   doi =          "10.1063/1.355101",
4995   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4996                  mobility",
4997 }
4998
4999 @Article{newman85,
5000   author =       "Ronald C. Newman",
5001   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
5002   journal =      "MRS Proc.",
5003   volume =       "59",
5004   number =       "",
5005   pages =        "403",
5006   year =         "1985",
5007   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
5008   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
5009   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
5010 }
5011
5012 @Article{newman61,
5013   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
5014   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
5015   volume =       "19",
5016   number =       "3-4",
5017   pages =        "230--234",
5018   year =         "1961",
5019   note =         "",
5020   ISSN =         "0022-3697",
5021   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
5022   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
5023   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
5024   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
5025 }
5026
5027 @Article{goesele85,
5028   author =       "U. Gösele",
5029   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
5030   journal =      "MRS Proc.",
5031   volume =       "59",
5032   number =       "",
5033   pages =        "419",
5034   year =         "1985",
5035   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
5036   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
5037   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
5038 }
5039
5040 @Article{mukashev82,
5041   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
5042   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
5043                  Fukuoka and Haruo Saito",
5044   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
5045   volume =       "21",
5046   number =       "Part 1, No. 2",
5047   pages =        "399--400",
5048   numpages =     "1",
5049   year =         "1982",
5050   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
5051   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
5052   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
5053 }
5054
5055 @Article{puska98,
5056   title =        "Convergence of supercell calculations for point
5057                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
5058   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
5059                  M. Nieminen",
5060   journal =      "Phys. Rev. B",
5061   volume =       "58",
5062   number =       "3",
5063   pages =        "1318--1325",
5064   numpages =     "7",
5065   year =         "1998",
5066   month =        jul,
5067   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
5068   publisher =    "American Physical Society",
5069   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
5070                  silicon",
5071 }
5072
5073 @Article{serre95,
5074   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
5075                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
5076                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
5077   collaboration = "",
5078   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
5079                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
5080   publisher =    "AIP",
5081   year =         "1995",
5082   journal =      "J. Appl. Phys.",
5083   volume =       "77",
5084   number =       "7",
5085   pages =        "2978--2984",
5086   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
5087                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
5088                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
5089                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
5090   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
5091   doi =          "10.1063/1.358714",
5092 }
5093
5094 @Article{romano-rodriguez96,
5095   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
5096                  dose carbon ion implantation in silicon",
5097   journal =      "Materials Science and Engineering B",
5098   volume =       "36",
5099   number =       "1-3",
5100   pages =        "282--285",
5101   year =         "1996",
5102   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
5103                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
5104                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
5105                  Semiconductors",
5106   ISSN =         "0921-5107",
5107   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
5108   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
5109   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
5110                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
5111                  and W. Skorupa",
5112   keywords =     "Silicon",
5113   keywords =     "Ion implantation",
5114   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5115 }
5116
5117 @Article{davidson75,
5118   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5119                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5120                  real-symmetric matrices",
5121   journal =      "J. Comput. Phys.",
5122   volume =       "17",
5123   number =       "1",
5124   pages =        "87--94",
5125   year =         "1975",
5126   note =         "",
5127   ISSN =         "0021-9991",
5128   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5129   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5130   author =       "Ernest R. Davidson",
5131 }
5132
5133 @Book{adorno_mm,
5134   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5135                  Leben",
5136   author =       "T. W. Adorno",
5137   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5138   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5139   year =         "1994",
5140   publisher =    "Suhrkamp",
5141 }