bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. Kögler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and A.
  80                  Mücklich and H. Reuther and W. Skorupa and C. Serre and
  81                  A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies",
  91 }
  92
  93 @Book{laplace,
  94   author =       "P. S. de Laplace",
  95   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  96   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  97   volume =       "VII",
  98   publisher =    "Gauthier-Villars",
  99   year =         "1820",
 100 }
 101
 102 @Article{mattoni2007,
 103   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 104   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 105                  materials}",
 106   journal =      "Phys. Rev. B",
 107   year =         "2007",
 108   month =        dec,
 109   volume =       "76",
 110   number =       "22",
 111   pages =        "224103",
 112   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 113   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 114                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 115                  fracture, more available potentials, universal energy
 116                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 117 }
 118
 119 @Article{balamane92,
 120   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 121                  potentials",
 122   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 123   journal =      "Phys. Rev. B",
 124   volume =       "46",
 125   number =       "4",
 126   pages =        "2250--2279",
 127   numpages =     "29",
 128   year =         "1992",
 129   month =        jul,
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 131   publisher =    "American Physical Society",
 132   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 133 }
 134
 135 @Article{koster2002,
 136   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 137                  bombardment",
 138   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 139   journal =      "Phys. Rev. B",
 140   volume =       "62",
 141   number =       "16",
 142   pages =        "11219--11224",
 143   numpages =     "5",
 144   year =         "2000",
 145   month =        oct,
 146   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 147   publisher =    "American Physical Society",
 148   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 149 }
 150
 151 @Article{breadmore99,
 152   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 153                  amorphization of silicon",
 154   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   volume =       "60",
 157   number =       "18",
 158   pages =        "12610--12616",
 159   numpages =     "6",
 160   year =         "1999",
 161   month =        nov,
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 163   publisher =    "American Physical Society",
 164   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 165 }
 166
 167 @Article{moissan04,
 168   author =       "Henri Moissan",
 169   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 170                  Diablo",
 171   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 172   volume =       "139",
 173   pages =        "773--786",
 174   year =         "1904",
 175 }
 176
 177 @Book{park98,
 178   author =       "Y. S. Park",
 179   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 180   publisher =    "Academic Press",
 181   address =      "San Diego",
 182   year =         "1998",
 183 }
 184
 185 @Article{tsvetkov98,
 186   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 187                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 188   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 189   journal =      "Materials Science Forum",
 190   volume =       "264-268",
 191   pages =        "3--8",
 192   year =         "1998",
 193   notes =        "modified lely process, micropipes",
 194 }
 195
 196 @Article{verlet67,
 197   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 198                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 199   author =       "Loup Verlet",
 200   journal =      "Phys. Rev.",
 201   volume =       "159",
 202   number =       "1",
 203   pages =        "98",
 204   year =         "1967",
 205   month =        jul,
 206   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 207   publisher =    "American Physical Society",
 208   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 209                  motion",
 210 }
 211
 212 @Article{berendsen84,
 213   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 214                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 215   collaboration = "",
 216   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 217   publisher =    "AIP",
 218   year =         "1984",
 219   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 220   volume =       "81",
 221   number =       "8",
 222   pages =        "3684--3690",
 223   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 224                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 225   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 226   doi =          "10.1063/1.448118",
 227   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 228 }
 229
 230 @Article{huang95,
 231   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 232                  Baskes",
 233   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 234                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 235                  potentials",
 236   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 237                  Engineering",
 238   volume =       "3",
 239   number =       "5",
 240   pages =        "615--627",
 241   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 242   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 243                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 244   year =         "1995",
 245 }
 246
 247 @Article{brenner89,
 248   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 249                  Tersoff potentials",
 250   author =       "Donald W. Brenner",
 251   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 252   volume =       "63",
 253   number =       "9",
 254   pages =        "1022",
 255   numpages =     "1",
 256   year =         "1989",
 257   month =        aug,
 258   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 259   publisher =    "American Physical Society",
 260   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 261 }
 262
 263 @Article{batra87,
 264   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 265                  silicon",
 266   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 267   journal =      "Phys. Rev. B",
 268   volume =       "35",
 269   number =       "18",
 270   pages =        "9552--9558",
 271   numpages =     "6",
 272   year =         "1987",
 273   month =        jun,
 274   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 275   publisher =    "American Physical Society",
 276   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 277                  calculation of defect formation energy, defect
 278                  interstitial types",
 279 }
 280
 281 @Article{schober89,
 282   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 283   author =       "H. R. Schober",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "39",
 286   number =       "17",
 287   pages =        "13013--13015",
 288   numpages =     "2",
 289   year =         "1989",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 294                  dumbbell configuration",
 295 }
 296
 297 @Article{gao02,
 298   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 299                  Defect accumulation, topological features, and
 300                  disordering",
 301   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 302   journal =      "Phys. Rev. B",
 303   volume =       "66",
 304   number =       "2",
 305   pages =        "024106",
 306   numpages =     "10",
 307   year =         "2002",
 308   month =        jul,
 309   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 310   publisher =    "American Physical Society",
 311   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 312                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 313                  result analyze",
 314 }
 315
 316 @Article{devanathan98,
 317   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 318                  cascade in Si{C}",
 319   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 320                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 321   volume =       "141",
 322   number =       "1-4",
 323   pages =        "118--122",
 324   year =         "1998",
 325   ISSN =         "0168-583X",
 326   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 327   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 328                  Rubia",
 329   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 330                  3c-sic",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98_2,
 334   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 335   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 336   volume =       "253",
 337   number =       "1-3",
 338   pages =        "47--52",
 339   year =         "1998",
 340   ISSN =         "0022-3115",
 341   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 342   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 343                  Weber",
 344   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 345                  tersoff",
 346 }
 347
 348 @Article{kitabatake00,
 349   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 350   author =       "M. Kitabatake",
 351   journal =      "Thin Solid Films",
 352   volume =       "369",
 353   pages =        "257--264",
 354   numpages =     "8",
 355   year =         "2000",
 356   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 357 }
 358
 359 @Article{tang97,
 360   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 361                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 362                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 363                  formation volumes",
 364   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 365                  Rubia",
 366   journal =      "Phys. Rev. B",
 367   volume =       "55",
 368   number =       "21",
 369   pages =        "14279--14289",
 370   numpages =     "10",
 371   year =         "1997",
 372   month =        jun,
 373   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 374   publisher =    "American Physical Society",
 375   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 376 }
 377
 378 @Article{bar-yam84,
 379   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 380                  Self-Interstitial",
 381   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 382   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 383   volume =       "52",
 384   number =       "13",
 385   pages =        "1129--1132",
 386   numpages =     "3",
 387   year =         "1984",
 388   month =        mar,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 392 }
 393
 394 @Article{colombo02,
 395   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 396                  silicon",
 397   author =       "L. Colombo",
 398   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 399   volume =       "32",
 400   pages =        "271--295",
 401   numpages =     "25",
 402   year =         "2002",
 403   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 404   publisher =    "Annual Reviews",
 405   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 406 }
 407
 408 @Article{al-mushadani03,
 409   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 410                  silicon",
 411   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "68",
 414   number =       "23",
 415   pages =        "235205",
 416   numpages =     "8",
 417   year =         "2003",
 418   month =        dec,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 422                  silicon, si self interstitials, free energy",
 423 }
 424
 425 @Article{ma10,
 426   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 427                  wide temperature range: Point defect states and
 428                  migration mechanisms",
 429   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 430   journal =      "Phys. Rev. B",
 431   volume =       "81",
 432   number =       "19",
 433   pages =        "193203",
 434   numpages =     "4",
 435   year =         "2010",
 436   month =        may,
 437   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 438   publisher =    "American Physical Society",
 439   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 440 }
 441
 442 @Article{posselt08,
 443   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 444                  migration mechanisms of vacancies and
 445                  self-interstitials: An atomistic study",
 446   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 447   journal =      "Phys. Rev. B",
 448   volume =       "78",
 449   number =       "3",
 450   pages =        "035208",
 451   numpages =     "9",
 452   year =         "2008",
 453   month =        jul,
 454   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 455   publisher =    "American Physical Society",
 456   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 457                  weber and tersoff",
 458 }
 459
 460 @Article{gao2001,
 461   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 462                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 463   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 464                  Corrales",
 465   journal =      "Phys. Rev. B",
 466   volume =       "64",
 467   number =       "24",
 468   pages =        "245208",
 469   numpages =     "7",
 470   year =         "2001",
 471   month =        dec,
 472   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 473   publisher =    "American Physical Society",
 474   notes =        "defects in 3c-sic",
 475 }
 476
 477 @Article{mattoni2002,
 478   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 479                  crystalline silicon",
 480   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 481   journal =      "Phys. Rev. B",
 482   volume =       "66",
 483   number =       "19",
 484   pages =        "195214",
 485   numpages =     "6",
 486   year =         "2002",
 487   month =        nov,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 491                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 492                  tersoff suitability",
 493 }
 494
 495 @Article{leung99,
 496   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 497   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 498                  Itoh and S. Ihara",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "83",
 501   number =       "12",
 502   pages =        "2351--2354",
 503   numpages =     "3",
 504   year =         "1999",
 505   month =        sep,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 509                  refs",
 510 }
 511
 512 @Article{capaz94,
 513   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 514                  carbon in silicon",
 515   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "50",
 518   number =       "11",
 519   pages =        "7439--7442",
 520   numpages =     "3",
 521   year =         "1994",
 522   month =        sep,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 526                  dumbbell",
 527 }
 528
 529 @Article{dal_pino93,
 530   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 531                  silicon",
 532   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 533                  Joannopoulos",
 534   journal =      "Phys. Rev. B",
 535   volume =       "47",
 536   number =       "19",
 537   pages =        "12554--12557",
 538   numpages =     "3",
 539   year =         "1993",
 540   month =        may,
 541   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 542   publisher =    "American Physical Society",
 543   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 544 }
 545
 546 @Article{car84,
 547   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 548                  Silicon",
 549   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 550                  Sokrates T. Pantelides",
 551   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 552   volume =       "52",
 553   number =       "20",
 554   pages =        "1814--1817",
 555   numpages =     "3",
 556   year =         "1984",
 557   month =        may,
 558   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 559   publisher =    "American Physical Society",
 560   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 561                  path formation",
 562 }
 563
 564 @Article{car85,
 565   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 566                  Density-Functional Theory",
 567   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 568   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 569   volume =       "55",
 570   number =       "22",
 571   pages =        "2471--2474",
 572   numpages =     "3",
 573   year =         "1985",
 574   month =        nov,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 578 }
 579
 580 @Article{kelires97,
 581   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 582                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 583   author =       "P. C. Kelires",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "55",
 586   number =       "14",
 587   pages =        "8784--8787",
 588   numpages =     "3",
 589   year =         "1997",
 590   month =        apr,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 594                  neighbour dist",
 595 }
 596
 597 @Article{kelires95,
 598   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 599                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 600   author =       "P. C. Kelires",
 601   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 602   volume =       "75",
 603   number =       "6",
 604   pages =        "1114--1117",
 605   numpages =     "3",
 606   year =         "1995",
 607   month =        aug,
 608   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 609   publisher =    "American Physical Society",
 610   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 611 }
 612
 613 @Article{bean70,
 614   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 615                  containing carbon",
 616   journal =      "Solid State Communications",
 617   volume =       "8",
 618   number =       "3",
 619   pages =        "175--177",
 620   year =         "1970",
 621   note =         "",
 622   ISSN =         "0038-1098",
 623   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 624   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 625   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 626 }
 627
 628 @Article{watkins76,
 629   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 630                  Atom in Silicon",
 631   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 632   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 633   volume =       "36",
 634   number =       "22",
 635   pages =        "1329--1332",
 636   numpages =     "3",
 637   year =         "1976",
 638   month =        may,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 642                  silicon",
 643 }
 644
 645 @Article{song90,
 646   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 647                  interstitial carbon in silicon",
 648   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 649   journal =      "Phys. Rev. B",
 650   volume =       "42",
 651   number =       "9",
 652   pages =        "5759--5764",
 653   numpages =     "5",
 654   year =         "1990",
 655   month =        sep,
 656   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 657   publisher =    "American Physical Society",
 658   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 659 }
 660
 661 @Article{tipping87,
 662   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 663   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 664                  silicon",
 665   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 666   volume =       "2",
 667   number =       "5",
 668   pages =        "315--317",
 669   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 670   year =         "1987",
 671   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 672                  silicon",
 673 }
 674
 675 @Article{strane96,
 676   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 677                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 678   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 679                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 680   journal =      "J. Appl. Phys.",
 681   volume =       "79",
 682   pages =        "637",
 683   year =         "1996",
 684   month =        jan,
 685   doi =          "10.1063/1.360806",
 686   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 687 }
 688
 689 @Article{laveant2002,
 690   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 691   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 692   volume =       "89",
 693   number =       "1-3",
 694   pages =        "241--245",
 695   year =         "2002",
 696   ISSN =         "0921-5107",
 697   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 698   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 699   author =       "P. Lavéant and G. Gerth and P. Werner and U. Gösele",
 700   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 701                  stress, avoid sic precipitation",
 702 }
 703
 704 @Article{werner97,
 705   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 706                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 707   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 708                  silicon by transmission electron microscopy",
 709   publisher =    "AIP",
 710   year =         "1997",
 711   journal =      "Applied Physics Letters",
 712   volume =       "70",
 713   number =       "2",
 714   pages =        "252--254",
 715   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 716                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 717                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 718                  layers; precipitation",
 719   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 720   doi =          "10.1063/1.118381",
 721   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 722                  precipitate",
 723 }
 724
 725 @InProceedings{werner96,
 726   author =       "P. Werner and R. Koegler and W. Skorupa and D.
 727                  Eichler",
 728   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 729                  International Conference on",
 730   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 731                  implanted silicon",
 732   year =         "1996",
 733   month =        jun,
 734   volume =       "",
 735   number =       "",
 736   pages =        "675--678",
 737   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 738                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 739                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 740                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 741                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 742                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 743                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 744                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 745                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 746                  interactions;ion implantation;positron
 747                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 748                  annealing;secondary ion mass
 749                  spectra;silicon;transmission electron
 750                  microscopy;vacancies (crystal);",
 751   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 752   ISSN =         "",
 753   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 754 }
 755
 756 @Article{strane94,
 757   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 758                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 759   collaboration = "",
 760   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 761                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 762   publisher =    "AIP",
 763   year =         "1994",
 764   journal =      "Journal of Applied Physics",
 765   volume =       "76",
 766   number =       "6",
 767   pages =        "3656--3668",
 768   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 769   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 770   doi =          "10.1063/1.357429",
 771   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 772 }
 773
 774 @Article{edgar92,
 775   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 776                  semiconductors",
 777   author =       "J. H. Edgar",
 778   journal =      "J. Mater. Res.",
 779   volume =       "7",
 780   pages =        "235",
 781   year =         "1992",
 782   month =        jan,
 783   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 784   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 785                  polytypes",
 786 }
 787
 788 @Article{zirkelbach2007,
 789   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 790                  process leading to ordered precipitate structures",
 791   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 792                  and B. Stritzker",
 793   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 794   volume =       "257",
 795   number =       "1--2",
 796   pages =        "75--79",
 797   numpages =     "5",
 798   year =         "2007",
 799   month =        apr,
 800   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 801   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 802                  NETHERLANDS",
 803 }
 804
 805 @Article{zirkelbach2006,
 806   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 807                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 808                  during ion irradiation",
 809   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 810                  and B. Stritzker",
 811   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 812   volume =       "242",
 813   number =       "1--2",
 814   pages =        "679--682",
 815   numpages =     "4",
 816   year =         "2006",
 817   month =        jan,
 818   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 819   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 820                  NETHERLANDS",
 821 }
 822
 823 @Article{zirkelbach2005,
 824   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 825                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 826                  ion irradiation",
 827   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 828                  and B. Stritzker",
 829   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 830   volume =       "33",
 831   number =       "1--3",
 832   pages =        "310--316",
 833   numpages =     "7",
 834   year =         "2005",
 835   month =        apr,
 836   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 837   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 838                  NETHERLANDS",
 839 }
 840
 841 @Article{lindner99,
 842   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 843                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 844                  layers in silicon",
 845   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 846                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 847   volume =       "147",
 848   number =       "1-4",
 849   pages =        "249--255",
 850   year =         "1999",
 851   note =         "",
 852   ISSN =         "0168-583X",
 853   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 854   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 855   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 856   notes =        "two-step implantation process",
 857 }
 858
 859 @Article{lindner99_2,
 860   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 861                  in silicon",
 862   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 863                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 864   volume =       "148",
 865   number =       "1-4",
 866   pages =        "528--533",
 867   year =         "1999",
 868   ISSN =         "0168-583X",
 869   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 870   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 871   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 872   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 873 }
 874
 875 @Article{lindner01,
 876   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 877                  Basic physical processes",
 878   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 879                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 880   volume =       "178",
 881   number =       "1-4",
 882   pages =        "44--54",
 883   year =         "2001",
 884   note =         "",
 885   ISSN =         "0168-583X",
 886   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 887   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 888   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 889 }
 890
 891 @Article{lindner02,
 892   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 893                  fundamental studies for new technological tricks",
 894   author =       "J. K. N. Lindner",
 895   journal =      "Appl. Phys. A",
 896   volume =       "77",
 897   pages =        "27--38",
 898   year =         "2003",
 899   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 900   notes =        "ibs, burried sic layers",
 901 }
 902
 903 @Article{ito04,
 904   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
 905                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
 906                  growth",
 907   journal =      "Applied Surface Science",
 908   volume =       "238",
 909   number =       "1-4",
 910   pages =        "159--164",
 911   year =         "2004",
 912   note =         "APHYS'03 Special Issue",
 913   ISSN =         "0169-4332",
 914   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
 915   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
 916   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
 917                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
 918   notes =        "gan on 3c-sic",
 919 }
 920
 921 @Article{alder57,
 922   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 923   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 924   publisher =    "AIP",
 925   year =         "1957",
 926   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 927   volume =       "27",
 928   number =       "5",
 929   pages =        "1208--1209",
 930   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 931   doi =          "10.1063/1.1743957",
 932 }
 933
 934 @Article{alder59,
 935   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 936   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 937   publisher =    "AIP",
 938   year =         "1959",
 939   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 940   volume =       "31",
 941   number =       "2",
 942   pages =        "459--466",
 943   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 944   doi =          "10.1063/1.1730376",
 945 }
 946
 947 @Article{tersoff_si1,
 948   title =        "New empirical model for the structural properties of
 949                  silicon",
 950   author =       "J. Tersoff",
 951   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 952   volume =       "56",
 953   number =       "6",
 954   pages =        "632--635",
 955   numpages =     "3",
 956   year =         "1986",
 957   month =        feb,
 958   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 959   publisher =    "American Physical Society",
 960 }
 961
 962 @Article{tersoff_si2,
 963   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 964                  covalent systems",
 965   author =       "J. Tersoff",
 966   journal =      "Phys. Rev. B",
 967   volume =       "37",
 968   number =       "12",
 969   pages =        "6991--7000",
 970   numpages =     "9",
 971   year =         "1988",
 972   month =        apr,
 973   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 974   publisher =    "American Physical Society",
 975 }
 976
 977 @Article{tersoff_si3,
 978   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 979                  improved elastic properties",
 980   author =       "J. Tersoff",
 981   journal =      "Phys. Rev. B",
 982   volume =       "38",
 983   number =       "14",
 984   pages =        "9902--9905",
 985   numpages =     "3",
 986   year =         "1988",
 987   month =        nov,
 988   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 989   publisher =    "American Physical Society",
 990 }
 991
 992 @Article{tersoff_c,
 993   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 994                  Applications to Amorphous Carbon",
 995   author =       "J. Tersoff",
 996   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 997   volume =       "61",
 998   number =       "25",
 999   pages =        "2879--2882",
1000   numpages =     "3",
1001   year =         "1988",
1002   month =        dec,
1003   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1004   publisher =    "American Physical Society",
1005 }
1006
1007 @Article{tersoff_m,
1008   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1009                  for multicomponent systems",
1010   author =       "J. Tersoff",
1011   journal =      "Phys. Rev. B",
1012   volume =       "39",
1013   number =       "8",
1014   pages =        "5566--5568",
1015   numpages =     "2",
1016   year =         "1989",
1017   month =        mar,
1018   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1019   publisher =    "American Physical Society",
1020 }
1021
1022 @Article{tersoff90,
1023   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1024   author =       "J. Tersoff",
1025   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1026   volume =       "64",
1027   number =       "15",
1028   pages =        "1757--1760",
1029   numpages =     "3",
1030   year =         "1990",
1031   month =        apr,
1032   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1033   publisher =    "American Physical Society",
1034 }
1035
1036 @Article{fahey89,
1037   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1038   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1039   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1040   volume =       "61",
1041   number =       "2",
1042   pages =        "289--384",
1043   numpages =     "95",
1044   year =         "1989",
1045   month =        apr,
1046   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1047   publisher =    "American Physical Society",
1048 }
1049
1050 @Article{wesch96,
1051   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1052   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1053                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1054   volume =       "116",
1055   number =       "1-4",
1056   pages =        "305--321",
1057   year =         "1996",
1058   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1059   ISSN =         "0168-583X",
1060   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1061   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1062   author =       "W. Wesch",
1063 }
1064
1065 @Article{morkoc94,
1066   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1067                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1068   collaboration = "",
1069   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1070                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1071   publisher =    "AIP",
1072   year =         "1994",
1073   journal =      "Journal of Applied Physics",
1074   volume =       "76",
1075   number =       "3",
1076   pages =        "1363--1398",
1077   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1078                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1079                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1080                  FILMS; INDUSTRY",
1081   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1082   doi =          "10.1063/1.358463",
1083 }
1084
1085 @Article{foo,
1086   author =       "Noch Unbekannt",
1087   title =        "How to find references",
1088   journal =      "Journal of Applied References",
1089   year =         "2009",
1090   volume =       "77",
1091   pages =        "1--23",
1092 }
1093
1094 @Article{tang95,
1095   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1096                  \beta{}-Si{C}",
1097   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1098   journal =      "Phys. Rev. B",
1099   volume =       "52",
1100   number =       "21",
1101   pages =        "15150--15159",
1102   numpages =     "9",
1103   year =         "1995",
1104   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1105   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1106                  tersoff reparametrization",
1107   publisher =    "American Physical Society",
1108 }
1109
1110 @Article{sarro00,
1111   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1112   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1113   volume =       "82",
1114   number =       "1-3",
1115   pages =        "210--218",
1116   year =         "2000",
1117   ISSN =         "0924-4247",
1118   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1119   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1120   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1121   keywords =     "MEMS",
1122   keywords =     "Silicon carbide",
1123   keywords =     "Micromachining",
1124   keywords =     "Mechanical stress",
1125 }
1126
1127 @Article{casady96,
1128   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1129                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1130                  review",
1131   journal =      "Solid-State Electronics",
1132   volume =       "39",
1133   number =       "10",
1134   pages =        "1409--1422",
1135   year =         "1996",
1136   ISSN =         "0038-1101",
1137   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1138   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1139   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1140 }
1141
1142 @Article{giancarli98,
1143   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1144                  structural material in fusion power reactor blankets",
1145   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1146   volume =       "41",
1147   number =       "1-4",
1148   pages =        "165--171",
1149   year =         "1998",
1150   ISSN =         "0920-3796",
1151   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1152   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1153   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1154                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1155 }
1156
1157 @Article{pensl93,
1158   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1159   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1160   volume =       "185",
1161   number =       "1-4",
1162   pages =        "264--283",
1163   year =         "1993",
1164   ISSN =         "0921-4526",
1165   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1166   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1167   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1168 }
1169
1170 @Article{tairov78,
1171   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1172                  carbide single crystals",
1173   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1174   volume =       "43",
1175   number =       "2",
1176   pages =        "209--212",
1177   year =         "1978",
1178   notes =        "modifief lely process",
1179   ISSN =         "0022-0248",
1180   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1181   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1182   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1183 }
1184
1185 @Article{nishino83,
1186   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1187                  Will",
1188   collaboration = "",
1189   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1190                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1191   publisher =    "AIP",
1192   year =         "1983",
1193   journal =      "Applied Physics Letters",
1194   volume =       "42",
1195   number =       "5",
1196   pages =        "460--462",
1197   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1198                  monocrystals",
1199   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1200   doi =          "10.1063/1.93970",
1201   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1202 }
1203
1204 @Article{nishino87,
1205   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1206                  and Hiroyuki Matsunami",
1207   collaboration = "",
1208   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1209                  Si{C} on silicon",
1210   publisher =    "AIP",
1211   year =         "1987",
1212   journal =      "Journal of Applied Physics",
1213   volume =       "61",
1214   number =       "10",
1215   pages =        "4889--4893",
1216   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1217   doi =          "10.1063/1.338355",
1218   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1219                  carbonization",
1220 }
1221
1222 @Article{powell87,
1223   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1224                  Kuczmarski",
1225   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1226                  Single-Crystal Films on Si",
1227   publisher =    "ECS",
1228   year =         "1987",
1229   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1230   volume =       "134",
1231   number =       "6",
1232   pages =        "1558--1565",
1233   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1234                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1235   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1236   doi =          "10.1149/1.2100708",
1237   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1238 }
1239
1240 @Article{kimoto93,
1241   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1242                  and Hiroyuki Matsunami",
1243   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1244                  epitaxy",
1245   publisher =    "AIP",
1246   year =         "1993",
1247   journal =      "Journal of Applied Physics",
1248   volume =       "73",
1249   number =       "2",
1250   pages =        "726--732",
1251   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1252                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1253                  VAPOR DEPOSITION",
1254   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1255   doi =          "10.1063/1.353329",
1256   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1257 }
1258
1259 @Article{powell90,
1260   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1261                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1262                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1263   collaboration = "",
1264   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1265                  6{H}-Si{C} substrates",
1266   publisher =    "AIP",
1267   year =         "1990",
1268   journal =      "Applied Physics Letters",
1269   volume =       "56",
1270   number =       "14",
1271   pages =        "1353--1355",
1272   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1273                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1274                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1275                  PHASE EPITAXY",
1276   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1277   doi =          "10.1063/1.102512",
1278   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1279 }
1280
1281 @Article{yuan95,
1282   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1283                  Thokala and M. J. Loboda",
1284   collaboration = "",
1285   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1286                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1287                  silacyclobutane",
1288   publisher =    "AIP",
1289   year =         "1995",
1290   journal =      "Journal of Applied Physics",
1291   volume =       "78",
1292   number =       "2",
1293   pages =        "1271--1273",
1294   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1295                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1296                  SPECTROPHOTOMETRY",
1297   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1298   doi =          "10.1063/1.360368",
1299   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1300 }
1301
1302 @Article{fissel95,
1303   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1304                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1305                  molecular beam epitaxy",
1306   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1307   volume =       "154",
1308   number =       "1-2",
1309   pages =        "72--80",
1310   year =         "1995",
1311   ISSN =         "0022-0248",
1312   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1313   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1314   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1315                  and W. Richter",
1316   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1317 }
1318
1319 @Article{fissel95_apl,
1320   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1321   collaboration = "",
1322   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1323                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1324   publisher =    "AIP",
1325   year =         "1995",
1326   journal =      "Applied Physics Letters",
1327   volume =       "66",
1328   number =       "23",
1329   pages =        "3182--3184",
1330   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1331                  RHEED; NUCLEATION",
1332   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1333   doi =          "10.1063/1.113716",
1334   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1335 }
1336
1337 @Article{borders71,
1338   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1341                  {IMPLANTATION}",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1971",
1344   journal =      "Applied Physics Letters",
1345   volume =       "18",
1346   number =       "11",
1347   pages =        "509--511",
1348   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1349   doi =          "10.1063/1.1653516",
1350   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1351                  ideas",
1352 }
1353
1354 @Article{reeson87,
1355   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1356                  J. Davis and G. E. Celler",
1357   collaboration = "",
1358   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1359                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1360   publisher =    "AIP",
1361   year =         "1987",
1362   journal =      "Applied Physics Letters",
1363   volume =       "51",
1364   number =       "26",
1365   pages =        "2242--2244",
1366   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1367                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1368   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1369   doi =          "10.1063/1.98953",
1370   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1371 }
1372
1373 @Article{scace59,
1374   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1375   collaboration = "",
1376   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1377   publisher =    "AIP",
1378   year =         "1959",
1379   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1380   volume =       "30",
1381   number =       "6",
1382   pages =        "1551--1555",
1383   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1384   doi =          "10.1063/1.1730236",
1385   notes =        "solubility of c in c-si",
1386 }
1387
1388 @Article{cowern96,
1389   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1390                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1391   collaboration = "",
1392   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1393                  {B} in silicon",
1394   publisher =    "AIP",
1395   year =         "1996",
1396   journal =      "Applied Physics Letters",
1397   volume =       "68",
1398   number =       "8",
1399   pages =        "1150--1152",
1400   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1401                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1402                  SILICON",
1403   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1404   doi =          "10.1063/1.115706",
1405   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1406 }
1407
1408 @Article{stolk95,
1409   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1410                  of the silicon self-interstitial",
1411   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1412                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1413   volume =       "96",
1414   number =       "1-2",
1415   pages =        "187--195",
1416   year =         "1995",
1417   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1418                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1419   ISSN =         "0168-583X",
1420   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1421   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1422   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1423                  and J. M. Poate",
1424 }
1425
1426 @Article{stolk97,
1427   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1428                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1429                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1430                  E. Haynes",
1431   collaboration = "",
1432   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1433                  diffusion in ion-implanted silicon",
1434   publisher =    "AIP",
1435   year =         "1997",
1436   journal =      "Journal of Applied Physics",
1437   volume =       "81",
1438   number =       "9",
1439   pages =        "6031--6050",
1440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1441   doi =          "10.1063/1.364452",
1442   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1443 }
1444
1445 @Article{powell94,
1446   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1447   collaboration = "",
1448   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1449                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1450   publisher =    "AIP",
1451   year =         "1994",
1452   journal =      "Applied Physics Letters",
1453   volume =       "64",
1454   number =       "3",
1455   pages =        "324--326",
1456   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1457                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1458                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1459                  SYNTHESIS",
1460   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1461   doi =          "10.1063/1.111195",
1462   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1463 }
1464
1465 @Article{soref91,
1466   author =       "Richard A. Soref",
1467   collaboration = "",
1468   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1469                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1470   publisher =    "AIP",
1471   year =         "1991",
1472   journal =      "Journal of Applied Physics",
1473   volume =       "70",
1474   number =       "4",
1475   pages =        "2470--2472",
1476   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1477                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1478                  TERNARY ALLOYS",
1479   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1480   doi =          "10.1063/1.349403",
1481   notes =        "band gap of strained si by c",
1482 }
1483
1484 @Article{kasper91,
1485   author =       "E Kasper",
1486   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1487                  possibility to produce direct band gap material",
1488   journal =      "Physica Scripta",
1489   volume =       "T35",
1490   pages =        "232--236",
1491   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1492   year =         "1991",
1493   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1494                  quasi-direct one",
1495 }
1496
1497 @Article{osten99,
1498   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1499   collaboration = "",
1500   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1501                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1502                  molecular beam epitaxy",
1503   publisher =    "AIP",
1504   year =         "1999",
1505   journal =      "Applied Physics Letters",
1506   volume =       "74",
1507   number =       "6",
1508   pages =        "836--838",
1509   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1510                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1511                  compounds",
1512   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1513   doi =          "10.1063/1.123384",
1514   notes =        "substitutional c in si",
1515 }
1516
1517 @Article{hohenberg64,
1518   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1519   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1520   journal =      "Phys. Rev.",
1521   volume =       "136",
1522   number =       "3B",
1523   pages =        "B864--B871",
1524   numpages =     "7",
1525   year =         "1964",
1526   month =        nov,
1527   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1528   publisher =    "American Physical Society",
1529   notes =        "density functional theory, dft",
1530 }
1531
1532 @Article{kohn65,
1533   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1534                  Correlation Effects",
1535   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1536   journal =      "Phys. Rev.",
1537   volume =       "140",
1538   number =       "4A",
1539   pages =        "A1133--A1138",
1540   numpages =     "5",
1541   year =         "1965",
1542   month =        nov,
1543   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1544   publisher =    "American Physical Society",
1545   notes =        "dft, exchange and correlation",
1546 }
1547
1548 @Article{ruecker94,
1549   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1550                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1551   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1552                  J. Osten",
1553   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1554   volume =       "72",
1555   number =       "22",
1556   pages =        "3578--3581",
1557   numpages =     "3",
1558   year =         "1994",
1559   month =        may,
1560   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1561   publisher =    "American Physical Society",
1562   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1563                  si, dft",
1564 }
1565
1566 @Article{chang05,
1567   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1568                  Alloy",
1569   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1570   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1571   volume =       "44",
1572   number =       "4B",
1573   pages =        "2257--2262",
1574   numpages =     "5",
1575   year =         "2005",
1576   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1577   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1578   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1579   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1580 }
1581
1582 @Article{osten97,
1583   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1584   collaboration = "",
1585   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1586                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1587                  Si(001)",
1588   publisher =    "AIP",
1589   year =         "1997",
1590   journal =      "Journal of Applied Physics",
1591   volume =       "82",
1592   number =       "10",
1593   pages =        "4977--4981",
1594   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1595                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1596                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1597   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1598   doi =          "10.1063/1.366364",
1599   notes =        "charge transport in strained si",
1600 }
1601
1602 @Article{kapur04,
1603   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1604                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1605   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1606   journal =      "Phys. Rev. B",
1607   volume =       "69",
1608   number =       "15",
1609   pages =        "155214",
1610   numpages =     "8",
1611   year =         "2004",
1612   month =        apr,
1613   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1614   publisher =    "American Physical Society",
1615   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1616 }
1617
1618 @Article{barkema96,
1619   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1620                  Systems",
1621   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1622   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1623   volume =       "77",
1624   number =       "21",
1625   pages =        "4358--4361",
1626   numpages =     "3",
1627   year =         "1996",
1628   month =        nov,
1629   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1630   publisher =    "American Physical Society",
1631   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1632                  dynamic mds",
1633 }
1634
1635 @Article{cances09,
1636   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1637                  Minoukadeh and F. Willaime",
1638   collaboration = "",
1639   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1640                  technique method for finding transition pathways on
1641                  potential energy surfaces",
1642   publisher =    "AIP",
1643   year =         "2009",
1644   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1645   volume =       "130",
1646   number =       "11",
1647   eid =          "114711",
1648   numpages =     "6",
1649   pages =        "114711",
1650   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1651                  surfaces; vacancies (crystal)",
1652   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1653   doi =          "10.1063/1.3088532",
1654   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1655                  transition pathways",
1656 }
1657
1658 @Article{parrinello81,
1659   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1660   collaboration = "",
1661   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1662                  molecular dynamics method",
1663   publisher =    "AIP",
1664   year =         "1981",
1665   journal =      "Journal of Applied Physics",
1666   volume =       "52",
1667   number =       "12",
1668   pages =        "7182--7190",
1669   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1670                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1671                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1672                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1673                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1674                  IMPACT SHOCK",
1675   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1676   doi =          "10.1063/1.328693",
1677 }
1678
1679 @Article{stillinger85,
1680   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1681                  of silicon",
1682   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1683   journal =      "Phys. Rev. B",
1684   volume =       "31",
1685   number =       "8",
1686   pages =        "5262--5271",
1687   numpages =     "9",
1688   year =         "1985",
1689   month =        apr,
1690   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1691   publisher =    "American Physical Society",
1692 }
1693
1694 @Article{brenner90,
1695   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1696                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1697                  films",
1698   author =       "Donald W. Brenner",
1699   journal =      "Phys. Rev. B",
1700   volume =       "42",
1701   number =       "15",
1702   pages =        "9458--9471",
1703   numpages =     "13",
1704   year =         "1990",
1705   month =        nov,
1706   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1707   publisher =    "American Physical Society",
1708   notes =        "brenner hydro carbons",
1709 }
1710
1711 @Article{bazant96,
1712   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1713                  Cohesive Energy Curves",
1714   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1715   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1716   volume =       "77",
1717   number =       "21",
1718   pages =        "4370--4373",
1719   numpages =     "3",
1720   year =         "1996",
1721   month =        nov,
1722   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1723   publisher =    "American Physical Society",
1724   notes =        "first si edip",
1725 }
1726
1727 @Article{bazant97,
1728   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1729                  silicon",
1730   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1731                  Justo",
1732   journal =      "Phys. Rev. B",
1733   volume =       "56",
1734   number =       "14",
1735   pages =        "8542--8552",
1736   numpages =     "10",
1737   year =         "1997",
1738   month =        oct,
1739   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1740   publisher =    "American Physical Society",
1741   notes =        "second si edip",
1742 }
1743
1744 @Article{justo98,
1745   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1746                  disordered phases",
1747   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1748                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1749   journal =      "Phys. Rev. B",
1750   volume =       "58",
1751   number =       "5",
1752   pages =        "2539--2550",
1753   numpages =     "11",
1754   year =         "1998",
1755   month =        aug,
1756   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1757   publisher =    "American Physical Society",
1758   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1759 }
1760
1761 @Article{parcas_md,
1762   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1763   author =       "K. Nordlund",
1764   year =         "2008",
1765 }
1766
1767 @Article{voter97,
1768   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1769                  Infrequent Events",
1770   author =       "Arthur F. Voter",
1771   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1772   volume =       "78",
1773   number =       "20",
1774   pages =        "3908--3911",
1775   numpages =     "3",
1776   year =         "1997",
1777   month =        may,
1778   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1779   publisher =    "American Physical Society",
1780   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1781 }
1782
1783 @Article{voter97_2,
1784   author =       "Arthur F. Voter",
1785   collaboration = "",
1786   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1787                  simulation of infrequent events",
1788   publisher =    "AIP",
1789   year =         "1997",
1790   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1791   volume =       "106",
1792   number =       "11",
1793   pages =        "4665--4677",
1794   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1795                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1796                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1797                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1798                  theory; potential energy surfaces",
1799   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1800   doi =          "10.1063/1.473503",
1801   notes =        "improved hyperdynamics md",
1802 }
1803
1804 @Article{sorensen2000,
1805   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1806   collaboration = "",
1807   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1808                  infrequent events",
1809   publisher =    "AIP",
1810   year =         "2000",
1811   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1812   volume =       "112",
1813   number =       "21",
1814   pages =        "9599--9606",
1815   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1816                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1817   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1818   doi =          "10.1063/1.481576",
1819   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1820 }
1821
1822 @Article{voter98,
1823   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1824                  events",
1825   author =       "Arthur F. Voter",
1826   journal =      "Phys. Rev. B",
1827   volume =       "57",
1828   number =       "22",
1829   pages =        "R13985--R13988",
1830   numpages =     "3",
1831   year =         "1998",
1832   month =        jun,
1833   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1834   publisher =    "American Physical Society",
1835   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1836 }
1837
1838 @Article{wu99,
1839   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1840   collaboration = "",
1841   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1842                  simulation",
1843   publisher =    "AIP",
1844   year =         "1999",
1845   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1846   volume =       "110",
1847   number =       "19",
1848   pages =        "9401--9410",
1849   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1850                  potential; crystallisation; liquid theory",
1851   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1852   doi =          "10.1063/1.478948",
1853   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1854                  systematic motion",
1855 }
1856
1857 @Article{choudhary05,
1858   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1859   collaboration = "",
1860   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1861                  to the production of amorphous silicon",
1862   publisher =    "AIP",
1863   year =         "2005",
1864   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1865   volume =       "122",
1866   number =       "15",
1867   eid =          "154509",
1868   numpages =     "8",
1869   pages =        "154509",
1870   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1871                  amorphous semiconductors",
1872   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1873   doi =          "10.1063/1.1878733",
1874   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1875                  silicon",
1876 }
1877
1878 @Article{taylor93,
1879   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1880   collaboration = "",
1881   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1882                  difficult?",
1883   publisher =    "AIP",
1884   year =         "1993",
1885   journal =      "Applied Physics Letters",
1886   volume =       "62",
1887   number =       "25",
1888   pages =        "3336--3338",
1889   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1890                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1891                  ENERGY",
1892   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1893   doi =          "10.1063/1.109063",
1894   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1895 }
1896
1897 @Article{chaussende08,
1898   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1899   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1900   volume =       "310",
1901   number =       "5",
1902   pages =        "976--981",
1903   year =         "2008",
1904   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1905                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1906   ISSN =         "0022-0248",
1907   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1908   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1909   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1910                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1911                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1912                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1913   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1914                  metastable",
1915 }
1916
1917 @Article{feynman39,
1918   title =        "Forces in Molecules",
1919   author =       "R. P. Feynman",
1920   journal =      "Phys. Rev.",
1921   volume =       "56",
1922   number =       "4",
1923   pages =        "340--343",
1924   numpages =     "3",
1925   year =         "1939",
1926   month =        aug,
1927   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1928   publisher =    "American Physical Society",
1929   notes =        "hellmann feynman forces",
1930 }
1931
1932 @Article{buczko00,
1933   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1934                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1935                  their Contrasting Properties",
1936   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1937                  T. Pantelides",
1938   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1939   volume =       "84",
1940   number =       "5",
1941   pages =        "943--946",
1942   numpages =     "3",
1943   year =         "2000",
1944   month =        jan,
1945   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1946   publisher =    "American Physical Society",
1947   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1948 }
1949
1950 @Article{djurabekova08,
1951   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1952                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1953   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1954   journal =      "Phys. Rev. B",
1955   volume =       "77",
1956   number =       "11",
1957   pages =        "115325",
1958   numpages =     "7",
1959   year =         "2008",
1960   month =        mar,
1961   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1962   publisher =    "American Physical Society",
1963   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1964                  angular distribution, coordination",
1965 }
1966
1967 @Article{wen09,
1968   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1969                  W. Liang and J. Zou",
1970   collaboration = "",
1971   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1972                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1973                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1974   publisher =    "AIP",
1975   year =         "2009",
1976   journal =      "Journal of Applied Physics",
1977   volume =       "106",
1978   number =       "7",
1979   eid =          "073522",
1980   numpages =     "8",
1981   pages =        "073522",
1982   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1983                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1984                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1985                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1986   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1987   doi =          "10.1063/1.3234380",
1988   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1989                  deconvolution, dislocation defects",
1990 }
1991
1992 @Article{kitabatake93,
1993   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1994                  Hirao",
1995   collaboration = "",
1996   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1997                  growth on Si(001) surface",
1998   publisher =    "AIP",
1999   year =         "1993",
2000   journal =      "Journal of Applied Physics",
2001   volume =       "74",
2002   number =       "7",
2003   pages =        "4438--4445",
2004   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2005                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2006                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2007   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2008   doi =          "10.1063/1.354385",
2009   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2010                  model, interface",
2011 }
2012
2013 @Article{pizzagalli03,
2014   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2015                  interface: Si{C}/Si(001)",
2016   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2017                  Catellani",
2018   journal =      "Phys. Rev. B",
2019   volume =       "68",
2020   number =       "19",
2021   pages =        "195302",
2022   numpages =     "10",
2023   year =         "2003",
2024   month =        nov,
2025   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2026   publisher =    "American Physical Society",
2027   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2028 }
2029
2030 @Article{tang07,
2031   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2032                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2033                  electron microscopy",
2034   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2035                  H. Zheng and J. W. Liang",
2036   journal =      "Phys. Rev. B",
2037   volume =       "75",
2038   number =       "18",
2039   pages =        "184103",
2040   numpages =     "7",
2041   year =         "2007",
2042   month =        may,
2043   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2044   publisher =    "American Physical Society",
2045   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2046                  si and c",
2047 }
2048
2049 @Article{hornstra58,
2050   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2051   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2052   volume =       "5",
2053   number =       "1-2",
2054   pages =        "129--141",
2055   year =         "1958",
2056   note =         "",
2057   ISSN =         "0022-3697",
2058   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2059   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2060   author =       "J. Hornstra",
2061   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2062 }
2063
2064 @Article{eichhorn99,
2065   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2066                  K{\"{o}}gler",
2067   collaboration = "",
2068   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2069                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2070                  synchrotron x-ray diffraction",
2071   publisher =    "AIP",
2072   year =         "1999",
2073   journal =      "Journal of Applied Physics",
2074   volume =       "86",
2075   number =       "8",
2076   pages =        "4184--4187",
2077   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2078                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2079                  precipitation; semiconductor doping",
2080   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2081   doi =          "10.1063/1.371344",
2082   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
2083                  carbon",
2084 }
2085
2086 @Article{eichhorn02,
2087   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2088                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2089   collaboration = "",
2090   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2091                  carbon ion implantation",
2092   publisher =    "AIP",
2093   year =         "2002",
2094   journal =      "Journal of Applied Physics",
2095   volume =       "91",
2096   number =       "3",
2097   pages =        "1287--1292",
2098   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2099                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2100                  electron microscopy",
2101   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2102   doi =          "10.1063/1.1428105",
2103   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2104                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2105 }
2106
2107 @Article{lucas10,
2108   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2109   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2110                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2111                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2112                  amorphous structures",
2113   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2114   volume =       "22",
2115   number =       "3",
2116   pages =        "035802",
2117   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2118   year =         "2010",
2119   notes =        "edip sic",
2120 }
2121
2122 @Article{godet03,
2123   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2124                  Beauchamp",
2125   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2126                  methods for silicon under large shear",
2127   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2128   volume =       "15",
2129   number =       "41",
2130   pages =        "6943",
2131   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2132   year =         "2003",
2133   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2134                  edip, tersoff, ab initio",
2135 }
2136
2137 @Article{moriguchi98,
2138   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2139                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2140   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2141   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2142   volume =       "37",
2143   number =       "Part 1, No. 2",
2144   pages =        "414--422",
2145   numpages =     "8",
2146   year =         "1998",
2147   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2148   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2149   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2150   notes =        "tersoff stringent test",
2151 }
2152
2153 @Article{holmstroem08,
2154   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2155                  density functional theory molecular dynamics
2156                  simulations",
2157   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2158   journal =      "Phys. Rev. B",
2159   volume =       "78",
2160   number =       "4",
2161   pages =        "045202",
2162   numpages =     "6",
2163   year =         "2008",
2164   month =        jul,
2165   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2166   publisher =    "American Physical Society",
2167   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2168                  initio",
2169 }
2170
2171 @Article{nordlund97,
2172   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2173                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2174   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2175                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2176   volume =       "132",
2177   number =       "1",
2178   pages =        "45--54",
2179   year =         "1997",
2180   note =         "",
2181   ISSN =         "0168-583X",
2182   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2183   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2184   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2185   notes =        "repulsive ab initio potential",
2186 }
2187
2188 @Article{kresse96,
2189   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2190                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2191                  set",
2192   journal =      "Computational Materials Science",
2193   volume =       "6",
2194   number =       "1",
2195   pages =        "15--50",
2196   year =         "1996",
2197   note =         "",
2198   ISSN =         "0927-0256",
2199   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2200   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2201   author =       "G. Kresse and J. Furthmüller",
2202   notes =        "vasp ref",
2203 }
2204
2205 @Article{bloechl94,
2206   title =        "Projector augmented-wave method",
2207   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2208   journal =      "Phys. Rev. B",
2209   volume =       "50",
2210   number =       "24",
2211   pages =        "17953--17979",
2212   numpages =     "26",
2213   year =         "1994",
2214   month =        dec,
2215   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2216   publisher =    "American Physical Society",
2217   notes =        "paw method",
2218 }
2219
2220 @Article{hamann79,
2221   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2222   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2223   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2224   volume =       "43",
2225   number =       "20",
2226   pages =        "1494--1497",
2227   numpages =     "3",
2228   year =         "1979",
2229   month =        nov,
2230   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2231   publisher =    "American Physical Society",
2232   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2233 }
2234
2235 @Article{vanderbilt90,
2236   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2237                  eigenvalue formalism",
2238   author =       "David Vanderbilt",
2239   journal =      "Phys. Rev. B",
2240   volume =       "41",
2241   number =       "11",
2242   pages =        "7892--7895",
2243   numpages =     "3",
2244   year =         "1990",
2245   month =        apr,
2246   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2247   publisher =    "American Physical Society",
2248   notes =        "vasp pseudopotentials",
2249 }
2250
2251 @Article{perdew86,
2252   title =        "Accurate and simple density functional for the
2253                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2254                  approximation",
2255   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2256   journal =      "Phys. Rev. B",
2257   volume =       "33",
2258   number =       "12",
2259   pages =        "8800--8802",
2260   numpages =     "2",
2261   year =         "1986",
2262   month =        jun,
2263   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2264   publisher =    "American Physical Society",
2265   notes =        "rapid communication gga",
2266 }
2267
2268 @Article{perdew02,
2269   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2270                  correlation: {A} look backward and forward",
2271   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2272   volume =       "172",
2273   number =       "1-2",
2274   pages =        "1--6",
2275   year =         "1991",
2276   note =         "",
2277   ISSN =         "0921-4526",
2278   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2279   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2280   author =       "John P. Perdew",
2281   notes =        "gga overview",
2282 }
2283
2284 @Article{perdew92,
2285   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2286                  of the generalized gradient approximation for exchange
2287                  and correlation",
2288   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2289                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2290                  and Carlos Fiolhais",
2291   journal =      "Phys. Rev. B",
2292   volume =       "46",
2293   number =       "11",
2294   pages =        "6671--6687",
2295   numpages =     "16",
2296   year =         "1992",
2297   month =        sep,
2298   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2299   publisher =    "American Physical Society",
2300   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2301 }
2302
2303 @Article{baldereschi73,
2304   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2305   author =       "A. Baldereschi",
2306   journal =      "Phys. Rev. B",
2307   volume =       "7",
2308   number =       "12",
2309   pages =        "5212--5215",
2310   numpages =     "3",
2311   year =         "1973",
2312   month =        jun,
2313   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2314   publisher =    "American Physical Society",
2315   notes =        "mean value k point",
2316 }
2317
2318 @Article{zhu98,
2319   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2320                  diffusion in Si",
2321   journal =      "Computational Materials Science",
2322   volume =       "12",
2323   number =       "4",
2324   pages =        "309--318",
2325   year =         "1998",
2326   note =         "",
2327   ISSN =         "0927-0256",
2328   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2329   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2330   author =       "Jing Zhu",
2331   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2332   keywords =     "Boron dopant",
2333   keywords =     "Carbon dopant",
2334   keywords =     "Defect",
2335   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2336   keywords =     "Impurity cluster",
2337   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2338 }
2339
2340 @Article{nejim95,
2341   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2342   collaboration = "",
2343   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2344                  950 [degree]{C}",
2345   publisher =    "AIP",
2346   year =         "1995",
2347   journal =      "Applied Physics Letters",
2348   volume =       "66",
2349   number =       "20",
2350   pages =        "2646--2648",
2351   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2352                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2353                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2354                  ELECTRON MICROSCOPY",
2355   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2356   doi =          "10.1063/1.113112",
2357   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2358                  self interstitials react with further implanted c",
2359 }
2360
2361 @Article{guedj98,
2362   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2363                  Kolodzey and A. Hairie",
2364   collaboration = "",
2365   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2366                  alloys",
2367   publisher =    "AIP",
2368   year =         "1998",
2369   journal =      "Journal of Applied Physics",
2370   volume =       "84",
2371   number =       "8",
2372   pages =        "4631--4633",
2373   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2374                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2375                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2376                  annealing",
2377   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2378   doi =          "10.1063/1.368703",
2379   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic",
2380 }
2381
2382 @Article{jones04,
2383   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2384   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2385                  semiconductors",
2386   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2387   volume =       "16",
2388   number =       "27",
2389   pages =        "S2643",
2390   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2391   year =         "2004",
2392   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2393 }
2394
2395 @Article{park02,
2396   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2397                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2398                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2399   collaboration = "",
2400   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2401                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2402                  molecular-beam epitaxy",
2403   publisher =    "AIP",
2404   year =         "2002",
2405   journal =      "Journal of Applied Physics",
2406   volume =       "91",
2407   number =       "9",
2408   pages =        "5716--5727",
2409   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2410   doi =          "10.1063/1.1465122",
2411   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2412 }
2413
2414 @Article{leary97,
2415   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2416                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2417   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2418                  Torres",
2419   journal =      "Phys. Rev. B",
2420   volume =       "55",
2421   number =       "4",
2422   pages =        "2188--2194",
2423   numpages =     "6",
2424   year =         "1997",
2425   month =        jan,
2426   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2427   publisher =    "American Physical Society",
2428   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2429                  energies",
2430 }
2431
2432 @Article{burnard93,
2433   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2434                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2435                  calculations",
2436   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2437   journal =      "Phys. Rev. B",
2438   volume =       "47",
2439   number =       "16",
2440   pages =        "10217--10225",
2441   numpages =     "8",
2442   year =         "1993",
2443   month =        apr,
2444   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2445   publisher =    "American Physical Society",
2446   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2447                  carbon defect, formation energies",
2448 }
2449
2450 @Article{kaxiras96,
2451   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2452                  and growth on semiconductors",
2453   journal =      "Computational Materials Science",
2454   volume =       "6",
2455   number =       "2",
2456   pages =        "158--172",
2457   year =         "1996",
2458   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2459                  Epitaxy",
2460   ISSN =         "0927-0256",
2461   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2462   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2463   author =       "Efthimios Kaxiras",
2464   notes =        "might contain c 100 db formation energy",
2465 }
2466
2467 @Article{kaukonen98,
2468   title = {Effect of N and B doping on the growth of CVD diamond $(100):H(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$ surfaces},
2469   author = {Kaukonen, M.  and Sitch, P. K. and Jungnickel, G.  and Nieminen, R. M. and P\"oykk\"o, Sami  and Porezag, D.  and Frauenheim, Th. },
2470   journal = {Phys. Rev. B},
2471   volume = {57},
2472   number = {16},
2473   pages = {9965--9970},
2474   numpages = {5},
2475   year = {1998},
2476   month = {Apr},
2477   doi = {10.1103/PhysRevB.57.9965},
2478   publisher = {American Physical Society},
2479   notes = "constrained conjugate gradient relaxation technique (crt)"
2480 }
2481