bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach11a,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2011",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1199                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach11b,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2011",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner95,
1214   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1215                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1216   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1217                  Layers in Silicon",
1218   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1219   volume =       "354",
1220   number =       "",
1221   pages =        "171",
1222   year =         "1994",
1223   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1224   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1225   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1226 }
1227
1228 @Article{lindner99,
1229   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1230                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1231                  layers in silicon",
1232   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1233   volume =       "147",
1234   number =       "1-4",
1235   pages =        "249--255",
1236   year =         "1999",
1237   note =         "",
1238   ISSN =         "0168-583X",
1239   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1241   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1242   notes =        "two-step implantation process",
1243 }
1244
1245 @Article{lindner99_2,
1246   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1247                  in silicon",
1248   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1249   volume =       "148",
1250   number =       "1-4",
1251   pages =        "528--533",
1252   year =         "1999",
1253   ISSN =         "0168-583X",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1257   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1258 }
1259
1260 @Article{lindner01,
1261   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1262                  Basic physical processes",
1263   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1264   volume =       "178",
1265   number =       "1-4",
1266   pages =        "44--54",
1267   year =         "2001",
1268   note =         "",
1269   ISSN =         "0168-583X",
1270   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1271   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1272   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1273 }
1274
1275 @Article{lindner02,
1276   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1277                  fundamental studies for new technological tricks",
1278   author =       "J. K. N. Lindner",
1279   journal =      "Appl. Phys. A",
1280   volume =       "77",
1281   pages =        "27--38",
1282   year =         "2003",
1283   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1284   notes =        "ibs, burried sic layers",
1285 }
1286
1287 @Article{lindner06,
1288   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1289                  formation and displacive precipitate resolution in the
1290                  {C}-Si system",
1291   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1292   volume =       "26",
1293   number =       "5-7",
1294   pages =        "857--861",
1295   year =         "2006",
1296   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1297                  Applications",
1298   ISSN =         "0928-4931",
1299   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1300   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1301   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1302                  and B. Stritzker",
1303   notes =        "c int diffusion barrier",
1304 }
1305
1306 @Article{ito04,
1307   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1308                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1309                  growth",
1310   journal =      "Applied Surface Science",
1311   volume =       "238",
1312   number =       "1-4",
1313   pages =        "159--164",
1314   year =         "2004",
1315   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1316   ISSN =         "0169-4332",
1317   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1318   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1319   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1320                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1321   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1322 }
1323
1324 @Article{yamamoto04,
1325   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1326                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1327                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1328   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1329   volume =       "261",
1330   number =       "2-3",
1331   pages =        "266--270",
1332   year =         "2004",
1333   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1334                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1335   ISSN =         "0022-0248",
1336   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1337   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1338   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1339                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1340   notes =        "gan on 3c-sic",
1341 }
1342
1343 @Article{liu_l02,
1344   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1345   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1346   volume =       "37",
1347   number =       "3",
1348   pages =        "61--127",
1349   year =         "2002",
1350   note =         "",
1351   ISSN =         "0927-796X",
1352   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1353   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1354   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1355   notes =        "gan substrates",
1356 }
1357
1358 @Article{takeuchi91,
1359   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1360                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1361   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1362   volume =       "115",
1363   number =       "1-4",
1364   pages =        "634--638",
1365   year =         "1991",
1366   note =         "",
1367   ISSN =         "0022-0248",
1368   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1369   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1370   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1371                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1372   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1373 }
1374
1375 @Article{alder57,
1376   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1377   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1378   publisher =    "AIP",
1379   year =         "1957",
1380   journal =      "J. Chem. Phys.",
1381   volume =       "27",
1382   number =       "5",
1383   pages =        "1208--1209",
1384   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1385   doi =          "10.1063/1.1743957",
1386 }
1387
1388 @Article{alder59,
1389   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1390   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1391   publisher =    "AIP",
1392   year =         "1959",
1393   journal =      "J. Chem. Phys.",
1394   volume =       "31",
1395   number =       "2",
1396   pages =        "459--466",
1397   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1398   doi =          "10.1063/1.1730376",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_si1,
1402   title =        "New empirical model for the structural properties of
1403                  silicon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "56",
1407   number =       "6",
1408   pages =        "632--635",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1986",
1411   month =        feb,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_si2,
1417   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1418                  covalent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "37",
1422   number =       "12",
1423   pages =        "6991--7000",
1424   numpages =     "9",
1425   year =         "1988",
1426   month =        apr,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff_si3,
1432   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1433                  improved elastic properties",
1434   author =       "J. Tersoff",
1435   journal =      "Phys. Rev. B",
1436   volume =       "38",
1437   number =       "14",
1438   pages =        "9902--9905",
1439   numpages =     "3",
1440   year =         "1988",
1441   month =        nov,
1442   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1443   publisher =    "American Physical Society",
1444 }
1445
1446 @Article{tersoff_c,
1447   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1448                  Applications to Amorphous Carbon",
1449   author =       "J. Tersoff",
1450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1451   volume =       "61",
1452   number =       "25",
1453   pages =        "2879--2882",
1454   numpages =     "3",
1455   year =         "1988",
1456   month =        dec,
1457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1458   publisher =    "American Physical Society",
1459 }
1460
1461 @Article{tersoff_m,
1462   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1463                  for multicomponent systems",
1464   author =       "J. Tersoff",
1465   journal =      "Phys. Rev. B",
1466   volume =       "39",
1467   number =       "8",
1468   pages =        "5566--5568",
1469   numpages =     "2",
1470   year =         "1989",
1471   month =        mar,
1472   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1473   publisher =    "American Physical Society",
1474 }
1475
1476 @Article{tersoff90,
1477   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1478   author =       "J. Tersoff",
1479   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1480   volume =       "64",
1481   number =       "15",
1482   pages =        "1757--1760",
1483   numpages =     "3",
1484   year =         "1990",
1485   month =        apr,
1486   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1487   publisher =    "American Physical Society",
1488 }
1489
1490 @Article{fahey89,
1491   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1492   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1493   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1494   volume =       "61",
1495   number =       "2",
1496   pages =        "289--384",
1497   numpages =     "95",
1498   year =         "1989",
1499   month =        apr,
1500   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1501   publisher =    "American Physical Society",
1502 }
1503
1504 @Article{wesch96,
1505   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1506   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1507   volume =       "116",
1508   number =       "1-4",
1509   pages =        "305--321",
1510   year =         "1996",
1511   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1512   ISSN =         "0168-583X",
1513   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1514   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1515   author =       "W. Wesch",
1516 }
1517
1518 @Article{davis91,
1519   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1520                  Palmour and J. A. Edmond",
1521   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1522   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1523                  optoelectronic device fabrication and characterization
1524                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1525   year =         "1991",
1526   month =        may,
1527   volume =       "79",
1528   number =       "5",
1529   pages =        "677--701",
1530   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1531                  diode;SiC;dry etching;electrical
1532                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1533                  device fabrication;solid-state devices;surface
1534                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1535                  transistors;Schottky-barrier
1536                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1537                  transistors;insulated gate field effect
1538                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1539                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1540   doi =          "10.1109/5.90132",
1541   ISSN =         "0018-9219",
1542   notes =        "sic growth methods",
1543 }
1544
1545 @Article{morkoc94,
1546   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1547                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1548   collaboration = "",
1549   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1550                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1551   publisher =    "AIP",
1552   year =         "1994",
1553   journal =      "J. Appl. Phys.",
1554   volume =       "76",
1555   number =       "3",
1556   pages =        "1363--1398",
1557   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1558                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1559                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1560                  FILMS; INDUSTRY",
1561   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1562   doi =          "10.1063/1.358463",
1563   notes =        "sic intro, properties",
1564 }
1565
1566 @Article{foo,
1567   author =       "Noch Unbekannt",
1568   title =        "How to find references",
1569   journal =      "Journal of Applied References",
1570   year =         "2009",
1571   volume =       "77",
1572   pages =        "1--23",
1573 }
1574
1575 @Article{tang95,
1576   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1577                  \beta{}-Si{C}",
1578   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1579   journal =      "Phys. Rev. B",
1580   volume =       "52",
1581   number =       "21",
1582   pages =        "15150--15159",
1583   numpages =     "9",
1584   year =         "1995",
1585   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1586   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1587                  tersoff reparametrization",
1588   publisher =    "American Physical Society",
1589 }
1590
1591 @Article{sarro00,
1592   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1593   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1594   volume =       "82",
1595   number =       "1-3",
1596   pages =        "210--218",
1597   year =         "2000",
1598   ISSN =         "0924-4247",
1599   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1600   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1601   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1602   keywords =     "MEMS",
1603   keywords =     "Silicon carbide",
1604   keywords =     "Micromachining",
1605   keywords =     "Mechanical stress",
1606 }
1607
1608 @Article{casady96,
1609   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1610                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1611                  review",
1612   journal =      "Solid-State Electronics",
1613   volume =       "39",
1614   number =       "10",
1615   pages =        "1409--1422",
1616   year =         "1996",
1617   ISSN =         "0038-1101",
1618   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1619   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1620   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1621   notes =        "sic intro",
1622 }
1623
1624 @Article{giancarli98,
1625   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1626                  structural material in fusion power reactor blankets",
1627   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1628   volume =       "41",
1629   number =       "1-4",
1630   pages =        "165--171",
1631   year =         "1998",
1632   ISSN =         "0920-3796",
1633   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1635   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1636                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1637 }
1638
1639 @Article{pensl93,
1640   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1641   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1642   volume =       "185",
1643   number =       "1-4",
1644   pages =        "264--283",
1645   year =         "1993",
1646   ISSN =         "0921-4526",
1647   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1648   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1649   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1650 }
1651
1652 @Article{tairov78,
1653   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1654                  carbide single crystals",
1655   journal =      "J. Cryst. Growth",
1656   volume =       "43",
1657   number =       "2",
1658   pages =        "209--212",
1659   year =         "1978",
1660   notes =        "modified lely process",
1661   ISSN =         "0022-0248",
1662   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1663   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1664   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1665 }
1666
1667 @Article{tairov81,
1668   title =        "General principles of growing large-size single
1669                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1670   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1671   volume =       "52",
1672   number =       "Part 1",
1673   pages =        "146--150",
1674   year =         "1981",
1675   note =         "",
1676   ISSN =         "0022-0248",
1677   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1678   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1679   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1680 }
1681
1682 @Article{barrett91,
1683   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1684   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1685   volume =       "109",
1686   number =       "1-4",
1687   pages =        "17--23",
1688   year =         "1991",
1689   note =         "",
1690   ISSN =         "0022-0248",
1691   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1693   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1694                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1695 }
1696
1697 @Article{barrett93,
1698   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1699   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1700   volume =       "128",
1701   number =       "1-4",
1702   pages =        "358--362",
1703   year =         "1993",
1704   note =         "",
1705   ISSN =         "0022-0248",
1706   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1707   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1708   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1709                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1710                  W. J. Choyke",
1711 }
1712
1713 @Article{stein93,
1714   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1715                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1716                  sublimation method",
1717   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1718   volume =       "131",
1719   number =       "1-2",
1720   pages =        "71--74",
1721   year =         "1993",
1722   note =         "",
1723   ISSN =         "0022-0248",
1724   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1725   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1726   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1727   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1728 }
1729
1730 @Article{nishino83,
1731   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1732                  Will",
1733   collaboration = "",
1734   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1735                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1736   publisher =    "AIP",
1737   year =         "1983",
1738   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1739   volume =       "42",
1740   number =       "5",
1741   pages =        "460--462",
1742   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1743                  monocrystals",
1744   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1745   doi =          "10.1063/1.93970",
1746   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1747 }
1748
1749 @Article{nishino87,
1750   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1751                  and Hiroyuki Matsunami",
1752   collaboration = "",
1753   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1754                  Si{C} on silicon",
1755   publisher =    "AIP",
1756   year =         "1987",
1757   journal =      "J. Appl. Phys.",
1758   volume =       "61",
1759   number =       "10",
1760   pages =        "4889--4893",
1761   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1762   doi =          "10.1063/1.338355",
1763   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1764                  carbonization",
1765 }
1766
1767 @Article{powell87,
1768   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1769                  Kuczmarski",
1770   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1771                  Single-Crystal Films on Si",
1772   publisher =    "ECS",
1773   year =         "1987",
1774   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1775   volume =       "134",
1776   number =       "6",
1777   pages =        "1558--1565",
1778   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1779                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1780   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1781   doi =          "10.1149/1.2100708",
1782   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1783 }
1784
1785 @Article{powell87_2,
1786   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1787                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1788   collaboration = "",
1789   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1790                  off-axis Si substrates",
1791   publisher =    "AIP",
1792   year =         "1987",
1793   journal =      "Applied Physics Letters",
1794   volume =       "51",
1795   number =       "11",
1796   pages =        "823--825",
1797   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1798                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1799                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1800                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1801                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1802   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1803   doi =          "10.1063/1.98824",
1804   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1805 }
1806
1807 @Article{ueda90,
1808   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1809   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1810   volume =       "104",
1811   number =       "3",
1812   pages =        "695--700",
1813   year =         "1990",
1814   note =         "",
1815   ISSN =         "0022-0248",
1816   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1817   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1818   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1819                  Matsunami",
1820   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1821 }
1822
1823 @Article{kimoto93,
1824   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1825                  and Hiroyuki Matsunami",
1826   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1827                  epitaxy",
1828   publisher =    "AIP",
1829   year =         "1993",
1830   journal =      "J. Appl. Phys.",
1831   volume =       "73",
1832   number =       "2",
1833   pages =        "726--732",
1834   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1835                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1836                  VAPOR DEPOSITION",
1837   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1838   doi =          "10.1063/1.353329",
1839   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1840 }
1841
1842 @Article{powell90_2,
1843   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1844                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1845                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1846   collaboration = "",
1847   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1848                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1849   publisher =    "AIP",
1850   year =         "1990",
1851   journal =      "Applied Physics Letters",
1852   volume =       "56",
1853   number =       "15",
1854   pages =        "1442--1444",
1855   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1856                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1857                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1858                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1859   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1860   doi =          "10.1063/1.102492",
1861   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1862 }
1863
1864 @Article{kong88_2,
1865   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1866   collaboration = "",
1867   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1868                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1869                  substrates",
1870   publisher =    "AIP",
1871   year =         "1988",
1872   journal =      "Journal of Applied Physics",
1873   volume =       "64",
1874   number =       "5",
1875   pages =        "2672--2679",
1876   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1877                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1878                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1879                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1880                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1881   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1882   doi =          "10.1063/1.341608",
1883 }
1884
1885 @Article{powell90,
1886   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1887                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1888                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1889   collaboration = "",
1890   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1891                  6{H}-Si{C} substrates",
1892   publisher =    "AIP",
1893   year =         "1990",
1894   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1895   volume =       "56",
1896   number =       "14",
1897   pages =        "1353--1355",
1898   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1899                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1900                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1901                  PHASE EPITAXY",
1902   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1903   doi =          "10.1063/1.102512",
1904   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1905 }
1906
1907 @Article{kong88,
1908   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1909                  Rozgonyi and K. L. More",
1910   collaboration = "",
1911   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1912                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1913                  substrates",
1914   publisher =    "AIP",
1915   year =         "1988",
1916   journal =      "Journal of Applied Physics",
1917   volume =       "63",
1918   number =       "8",
1919   pages =        "2645--2650",
1920   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1921                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1922                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1923                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1924                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1925   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1926   doi =          "10.1063/1.341004",
1927 }
1928
1929 @Article{powell91,
1930   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1931                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1932                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1933   collaboration = "",
1934   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1935                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1936   publisher =    "AIP",
1937   year =         "1991",
1938   journal =      "Applied Physics Letters",
1939   volume =       "59",
1940   number =       "3",
1941   pages =        "333--335",
1942   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1943                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1944                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1945   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1946   doi =          "10.1063/1.105587",
1947 }
1948
1949 @Article{yuan95,
1950   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1951                  Thokala and M. J. Loboda",
1952   collaboration = "",
1953   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1954                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1955                  silacyclobutane",
1956   publisher =    "AIP",
1957   year =         "1995",
1958   journal =      "J. Appl. Phys.",
1959   volume =       "78",
1960   number =       "2",
1961   pages =        "1271--1273",
1962   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1963                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1964                  SPECTROPHOTOMETRY",
1965   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1966   doi =          "10.1063/1.360368",
1967   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1968 }
1969
1970 @Article{kaneda87,
1971   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
1972                  properties of its p-n junction",
1973   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1974   volume =       "81",
1975   number =       "1-4",
1976   pages =        "536--542",
1977   year =         "1987",
1978   note =         "",
1979   ISSN =         "0022-0248",
1980   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
1981   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
1982   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
1983                  and Takao Tanaka",
1984   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
1985 }
1986
1987 @Article{fissel95,
1988   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1989                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1990                  molecular beam epitaxy",
1991   journal =      "J. Cryst. Growth",
1992   volume =       "154",
1993   number =       "1-2",
1994   pages =        "72--80",
1995   year =         "1995",
1996   ISSN =         "0022-0248",
1997   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1998   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1999   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2000                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2001   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2002 }
2003
2004 @Article{fissel95_apl,
2005   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2006   collaboration = "",
2007   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2008                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2009   publisher =    "AIP",
2010   year =         "1995",
2011   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2012   volume =       "66",
2013   number =       "23",
2014   pages =        "3182--3184",
2015   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2016                  RHEED; NUCLEATION",
2017   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2018   doi =          "10.1063/1.113716",
2019   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2020 }
2021
2022 @Article{fissel96,
2023   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2024                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2025   collaboration = "",
2026   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2027                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2028                  level using surface superstructures",
2029   publisher =    "AIP",
2030   year =         "1996",
2031   journal =      "Applied Physics Letters",
2032   volume =       "68",
2033   number =       "9",
2034   pages =        "1204--1206",
2035   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2036                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2037                  SURFACE STRUCTURE",
2038   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2039   doi =          "10.1063/1.115969",
2040   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2041 }
2042
2043 @Article{righi03,
2044   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2045   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2046                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2047   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2048   volume =       "91",
2049   number =       "13",
2050   pages =        "136101",
2051   numpages =     "4",
2052   year =         "2003",
2053   month =        sep,
2054   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2055   publisher =    "American Physical Society",
2056   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2057 }
2058
2059 @Article{borders71,
2060   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2061   collaboration = "",
2062   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2063                  {IMPLANTATION}",
2064   publisher =    "AIP",
2065   year =         "1971",
2066   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2067   volume =       "18",
2068   number =       "11",
2069   pages =        "509--511",
2070   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2071   doi =          "10.1063/1.1653516",
2072   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2073                  ideas",
2074 }
2075
2076 @Article{edelman76,
2077   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2078                  and E. V. Lubopytova",
2079   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2080                  by ion implantation",
2081   publisher =    "Taylor \& Francis",
2082   year =         "1976",
2083   journal =      "Radiation Effects",
2084   volume =       "29",
2085   number =       "1",
2086   pages =        "13--15",
2087   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2088   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2089                  single crystalline",
2090 }
2091
2092 @Article{akimchenko80,
2093   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2094                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2095   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2096                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2097   publisher =    "Taylor \& Francis",
2098   year =         "1980",
2099   journal =      "Radiation Effects",
2100   volume =       "48",
2101   number =       "1",
2102   pages =        "7",
2103   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2104   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2105 }
2106
2107 @Article{kimura81,
2108   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2109                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2110                  silicon",
2111   journal =      "Thin Solid Films",
2112   volume =       "81",
2113   number =       "4",
2114   pages =        "319--327",
2115   year =         "1981",
2116   note =         "",
2117   ISSN =         "0040-6090",
2118   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2119   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2120   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2121                  Yugo",
2122 }
2123
2124 @Article{kimura82,
2125   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2126                  the implantation of carbon ions into silicon",
2127   journal =      "Thin Solid Films",
2128   volume =       "94",
2129   number =       "3",
2130   pages =        "191--198",
2131   year =         "1982",
2132   note =         "",
2133   ISSN =         "0040-6090",
2134   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2135   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2136   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2137                  Yugo",
2138 }
2139
2140 @Article{reeson86,
2141   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2142                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2143                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2144   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2145                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2146   publisher =    "Taylor \& Francis",
2147   year =         "1986",
2148   journal =      "Radiation Effects",
2149   volume =       "99",
2150   number =       "1",
2151   pages =        "71--81",
2152   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2153   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2154                  time",
2155 }
2156
2157 @Article{reeson87,
2158   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2159                  J. Davis and G. E. Celler",
2160   collaboration = "",
2161   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2162                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2163   publisher =    "AIP",
2164   year =         "1987",
2165   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2166   volume =       "51",
2167   number =       "26",
2168   pages =        "2242--2244",
2169   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2170                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2171   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2172   doi =          "10.1063/1.98953",
2173   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2174 }
2175
2176 @Article{martin90,
2177   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2178                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2179   collaboration = "",
2180   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2181   publisher =    "AIP",
2182   year =         "1990",
2183   journal =      "Journal of Applied Physics",
2184   volume =       "67",
2185   number =       "6",
2186   pages =        "2908--2912",
2187   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2188                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2189                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2190                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2191                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2192                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2193   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2194   doi =          "10.1063/1.346092",
2195   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2196                  temepratures",
2197 }
2198
2199 @Article{scace59,
2200   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2201   collaboration = "",
2202   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2203   publisher =    "AIP",
2204   year =         "1959",
2205   journal =      "J. Chem. Phys.",
2206   volume =       "30",
2207   number =       "6",
2208   pages =        "1551--1555",
2209   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2210   doi =          "10.1063/1.1730236",
2211   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2212 }
2213
2214 @Article{cowern96,
2215   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2216                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2217   collaboration = "",
2218   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2219                  {B} in silicon",
2220   publisher =    "AIP",
2221   year =         "1996",
2222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2223   volume =       "68",
2224   number =       "8",
2225   pages =        "1150--1152",
2226   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2227                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2228                  SILICON",
2229   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2230   doi =          "10.1063/1.115706",
2231   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2232 }
2233
2234 @Article{stolk95,
2235   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2236                  of the silicon self-interstitial",
2237   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2238   volume =       "96",
2239   number =       "1-2",
2240   pages =        "187--195",
2241   year =         "1995",
2242   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2243                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2244   ISSN =         "0168-583X",
2245   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2246   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2247   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2248                  and J. M. Poate",
2249 }
2250
2251 @Article{stolk97,
2252   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2253                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2254                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2255                  E. Haynes",
2256   collaboration = "",
2257   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2258                  diffusion in ion-implanted silicon",
2259   publisher =    "AIP",
2260   year =         "1997",
2261   journal =      "J. Appl. Phys.",
2262   volume =       "81",
2263   number =       "9",
2264   pages =        "6031--6050",
2265   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2266   doi =          "10.1063/1.364452",
2267   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2268 }
2269
2270 @Article{powell94,
2271   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2272   collaboration = "",
2273   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2274                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2275   publisher =    "AIP",
2276   year =         "1994",
2277   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2278   volume =       "64",
2279   number =       "3",
2280   pages =        "324--326",
2281   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2282                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2283                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2284                  SYNTHESIS",
2285   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2286   doi =          "10.1063/1.111195",
2287   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2288 }
2289
2290 @Article{soref91,
2291   author =       "Richard A. Soref",
2292   collaboration = "",
2293   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2294                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2295   publisher =    "AIP",
2296   year =         "1991",
2297   journal =      "J. Appl. Phys.",
2298   volume =       "70",
2299   number =       "4",
2300   pages =        "2470--2472",
2301   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2302                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2303                  TERNARY ALLOYS",
2304   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2305   doi =          "10.1063/1.349403",
2306   notes =        "band gap of strained si by c",
2307 }
2308
2309 @Article{kasper91,
2310   author =       "E Kasper",
2311   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2312                  possibility to produce direct band gap material",
2313   journal =      "Physica Scripta",
2314   volume =       "T35",
2315   pages =        "232--236",
2316   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2317   year =         "1991",
2318   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2319                  quasi-direct one",
2320 }
2321
2322 @Article{osten99,
2323   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2324   collaboration = "",
2325   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2326                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2327                  molecular beam epitaxy",
2328   publisher =    "AIP",
2329   year =         "1999",
2330   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2331   volume =       "74",
2332   number =       "6",
2333   pages =        "836--838",
2334   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2335                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2336                  compounds",
2337   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2338   doi =          "10.1063/1.123384",
2339   notes =        "substitutional c in si",
2340 }
2341
2342 @Article{hohenberg64,
2343   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2344   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2345   journal =      "Phys. Rev.",
2346   volume =       "136",
2347   number =       "3B",
2348   pages =        "B864--B871",
2349   numpages =     "7",
2350   year =         "1964",
2351   month =        nov,
2352   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2353   publisher =    "American Physical Society",
2354   notes =        "density functional theory, dft",
2355 }
2356
2357 @Article{kohn65,
2358   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2359                  Correlation Effects",
2360   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2361   journal =      "Phys. Rev.",
2362   volume =       "140",
2363   number =       "4A",
2364   pages =        "A1133--A1138",
2365   numpages =     "5",
2366   year =         "1965",
2367   month =        nov,
2368   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2369   publisher =    "American Physical Society",
2370   notes =        "dft, exchange and correlation",
2371 }
2372
2373 @Article{ruecker94,
2374   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2375                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2376   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2377                  J. Osten",
2378   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2379   volume =       "72",
2380   number =       "22",
2381   pages =        "3578--3581",
2382   numpages =     "3",
2383   year =         "1994",
2384   month =        may,
2385   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2386   publisher =    "American Physical Society",
2387   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2388                  si, dft",
2389 }
2390
2391 @Article{chang05,
2392   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2393                  Alloy",
2394   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2395   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2396   volume =       "44",
2397   number =       "4B",
2398   pages =        "2257--2262",
2399   numpages =     "5",
2400   year =         "2005",
2401   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2402   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2403   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2404   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2405 }
2406
2407 @Article{osten97,
2408   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2409   collaboration = "",
2410   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2411                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2412                  Si(001)",
2413   publisher =    "AIP",
2414   year =         "1997",
2415   journal =      "J. Appl. Phys.",
2416   volume =       "82",
2417   number =       "10",
2418   pages =        "4977--4981",
2419   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2420                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2421                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2422   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2423   doi =          "10.1063/1.366364",
2424   notes =        "charge transport in strained si",
2425 }
2426
2427 @Article{kapur04,
2428   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2429                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2430   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2431   journal =      "Phys. Rev. B",
2432   volume =       "69",
2433   number =       "15",
2434   pages =        "155214",
2435   numpages =     "8",
2436   year =         "2004",
2437   month =        apr,
2438   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2439   publisher =    "American Physical Society",
2440   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2441 }
2442
2443 @Article{barkema96,
2444   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2445                  Systems",
2446   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2447   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2448   volume =       "77",
2449   number =       "21",
2450   pages =        "4358--4361",
2451   numpages =     "3",
2452   year =         "1996",
2453   month =        nov,
2454   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2455   publisher =    "American Physical Society",
2456   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2457                  dynamic mds",
2458 }
2459
2460 @Article{cances09,
2461   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2462                  Minoukadeh and F. Willaime",
2463   collaboration = "",
2464   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2465                  technique method for finding transition pathways on
2466                  potential energy surfaces",
2467   publisher =    "AIP",
2468   year =         "2009",
2469   journal =      "J. Chem. Phys.",
2470   volume =       "130",
2471   number =       "11",
2472   eid =          "114711",
2473   numpages =     "6",
2474   pages =        "114711",
2475   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2476                  surfaces; vacancies (crystal)",
2477   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2478   doi =          "10.1063/1.3088532",
2479   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2480                  transition pathways",
2481 }
2482
2483 @Article{parrinello81,
2484   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2485   collaboration = "",
2486   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2487                  molecular dynamics method",
2488   publisher =    "AIP",
2489   year =         "1981",
2490   journal =      "J. Appl. Phys.",
2491   volume =       "52",
2492   number =       "12",
2493   pages =        "7182--7190",
2494   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2495                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2496                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2497                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2498                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2499                  IMPACT SHOCK",
2500   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2501   doi =          "10.1063/1.328693",
2502 }
2503
2504 @Article{stillinger85,
2505   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2506                  of silicon",
2507   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2508   journal =      "Phys. Rev. B",
2509   volume =       "31",
2510   number =       "8",
2511   pages =        "5262--5271",
2512   numpages =     "9",
2513   year =         "1985",
2514   month =        apr,
2515   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2516   publisher =    "American Physical Society",
2517 }
2518
2519 @Article{brenner90,
2520   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2521                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2522                  films",
2523   author =       "Donald W. Brenner",
2524   journal =      "Phys. Rev. B",
2525   volume =       "42",
2526   number =       "15",
2527   pages =        "9458--9471",
2528   numpages =     "13",
2529   year =         "1990",
2530   month =        nov,
2531   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2532   publisher =    "American Physical Society",
2533   notes =        "brenner hydro carbons",
2534 }
2535
2536 @Article{bazant96,
2537   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2538                  Cohesive Energy Curves",
2539   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2540   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2541   volume =       "77",
2542   number =       "21",
2543   pages =        "4370--4373",
2544   numpages =     "3",
2545   year =         "1996",
2546   month =        nov,
2547   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2548   publisher =    "American Physical Society",
2549   notes =        "first si edip",
2550 }
2551
2552 @Article{bazant97,
2553   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2554                  silicon",
2555   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2556                  Justo",
2557   journal =      "Phys. Rev. B",
2558   volume =       "56",
2559   number =       "14",
2560   pages =        "8542--8552",
2561   numpages =     "10",
2562   year =         "1997",
2563   month =        oct,
2564   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2565   publisher =    "American Physical Society",
2566   notes =        "second si edip",
2567 }
2568
2569 @Article{justo98,
2570   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2571                  disordered phases",
2572   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2573                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2574   journal =      "Phys. Rev. B",
2575   volume =       "58",
2576   number =       "5",
2577   pages =        "2539--2550",
2578   numpages =     "11",
2579   year =         "1998",
2580   month =        aug,
2581   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2582   publisher =    "American Physical Society",
2583   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2584 }
2585
2586 @Article{parcas_md,
2587   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2588   author =       "K. Nordlund",
2589   year =         "2008",
2590 }
2591
2592 @Article{voter97,
2593   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2594                  Infrequent Events",
2595   author =       "Arthur F. Voter",
2596   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2597   volume =       "78",
2598   number =       "20",
2599   pages =        "3908--3911",
2600   numpages =     "3",
2601   year =         "1997",
2602   month =        may,
2603   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2604   publisher =    "American Physical Society",
2605   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2606 }
2607
2608 @Article{voter97_2,
2609   author =       "Arthur F. Voter",
2610   collaboration = "",
2611   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2612                  simulation of infrequent events",
2613   publisher =    "AIP",
2614   year =         "1997",
2615   journal =      "J. Chem. Phys.",
2616   volume =       "106",
2617   number =       "11",
2618   pages =        "4665--4677",
2619   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2620                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2621                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2622                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2623                  theory; potential energy surfaces",
2624   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2625   doi =          "10.1063/1.473503",
2626   notes =        "improved hyperdynamics md",
2627 }
2628
2629 @Article{sorensen2000,
2630   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2631   collaboration = "",
2632   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2633                  infrequent events",
2634   publisher =    "AIP",
2635   year =         "2000",
2636   journal =      "J. Chem. Phys.",
2637   volume =       "112",
2638   number =       "21",
2639   pages =        "9599--9606",
2640   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2641                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2642   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2643   doi =          "10.1063/1.481576",
2644   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2645 }
2646
2647 @Article{voter98,
2648   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2649                  events",
2650   author =       "Arthur F. Voter",
2651   journal =      "Phys. Rev. B",
2652   volume =       "57",
2653   number =       "22",
2654   pages =        "R13985--R13988",
2655   numpages =     "3",
2656   year =         "1998",
2657   month =        jun,
2658   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2659   publisher =    "American Physical Society",
2660   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2661 }
2662
2663 @Article{wu99,
2664   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2665   collaboration = "",
2666   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2667                  simulation",
2668   publisher =    "AIP",
2669   year =         "1999",
2670   journal =      "J. Chem. Phys.",
2671   volume =       "110",
2672   number =       "19",
2673   pages =        "9401--9410",
2674   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2675                  potential; crystallisation; liquid theory",
2676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2677   doi =          "10.1063/1.478948",
2678   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2679                  systematic motion",
2680 }
2681
2682 @Article{choudhary05,
2683   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2684   collaboration = "",
2685   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2686                  to the production of amorphous silicon",
2687   publisher =    "AIP",
2688   year =         "2005",
2689   journal =      "J. Chem. Phys.",
2690   volume =       "122",
2691   number =       "15",
2692   eid =          "154509",
2693   numpages =     "8",
2694   pages =        "154509",
2695   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2696                  amorphous semiconductors",
2697   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2698   doi =          "10.1063/1.1878733",
2699   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2700                  silicon",
2701 }
2702
2703 @Article{taylor93,
2704   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2705   collaboration = "",
2706   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2707                  difficult?",
2708   publisher =    "AIP",
2709   year =         "1993",
2710   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2711   volume =       "62",
2712   number =       "25",
2713   pages =        "3336--3338",
2714   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2715                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2716                  ENERGY",
2717   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2718   doi =          "10.1063/1.109063",
2719   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2720                  interstitials necessary for precipitation, volume
2721                  decrease, high interface energy",
2722 }
2723
2724 @Article{chaussende08,
2725   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2726   journal =      "J. Cryst. Growth",
2727   volume =       "310",
2728   number =       "5",
2729   pages =        "976--981",
2730   year =         "2008",
2731   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2732                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2733   ISSN =         "0022-0248",
2734   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2735   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2736   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2737                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2738                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2739                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2740   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2741                  metastable",
2742 }
2743
2744 @Article{chaussende07,
2745   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2746   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2747   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2748   volume =       "40",
2749   number =       "20",
2750   pages =        "6150",
2751   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2752   year =         "2007",
2753   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2754                  modelling",
2755 }
2756
2757 @Article{feynman39,
2758   title =        "Forces in Molecules",
2759   author =       "R. P. Feynman",
2760   journal =      "Phys. Rev.",
2761   volume =       "56",
2762   number =       "4",
2763   pages =        "340--343",
2764   numpages =     "3",
2765   year =         "1939",
2766   month =        aug,
2767   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2768   publisher =    "American Physical Society",
2769   notes =        "hellmann feynman forces",
2770 }
2771
2772 @Article{buczko00,
2773   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2774                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2775                  their Contrasting Properties",
2776   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2777                  T. Pantelides",
2778   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2779   volume =       "84",
2780   number =       "5",
2781   pages =        "943--946",
2782   numpages =     "3",
2783   year =         "2000",
2784   month =        jan,
2785   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2786   publisher =    "American Physical Society",
2787   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2788 }
2789
2790 @Article{djurabekova08,
2791   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2792                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2793   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2794   journal =      "Phys. Rev. B",
2795   volume =       "77",
2796   number =       "11",
2797   pages =        "115325",
2798   numpages =     "7",
2799   year =         "2008",
2800   month =        mar,
2801   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2802   publisher =    "American Physical Society",
2803   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2804                  angular distribution, coordination",
2805 }
2806
2807 @Article{wen09,
2808   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2809                  W. Liang and J. Zou",
2810   collaboration = "",
2811   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2812                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2813                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2814   publisher =    "AIP",
2815   year =         "2009",
2816   journal =      "J. Appl. Phys.",
2817   volume =       "106",
2818   number =       "7",
2819   eid =          "073522",
2820   numpages =     "8",
2821   pages =        "073522",
2822   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2823                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2824                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2825                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2826   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2827   doi =          "10.1063/1.3234380",
2828   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2829                  deconvolution, dislocation defects",
2830 }
2831
2832 @Article{kitabatake93,
2833   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2834                  Hirao",
2835   collaboration = "",
2836   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2837                  growth on Si(001) surface",
2838   publisher =    "AIP",
2839   year =         "1993",
2840   journal =      "J. Appl. Phys.",
2841   volume =       "74",
2842   number =       "7",
2843   pages =        "4438--4445",
2844   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2845                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2846                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2847   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2848   doi =          "10.1063/1.354385",
2849   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2850                  model, interface",
2851 }
2852
2853 @Article{kitabatake97,
2854   author =       "Makoto Kitabatake",
2855   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2856                  Heteroepitaxial Growth",
2857   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2858   year =         "1997",
2859   journal =      "physica status solidi (b)",
2860   volume =       "202",
2861   pages =        "405--420",
2862   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2863   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2864   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2865 }
2866
2867 @Article{chirita97,
2868   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2869                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2870                  dynamics study",
2871   journal =      "Thin Solid Films",
2872   volume =       "294",
2873   number =       "1-2",
2874   pages =        "47--49",
2875   year =         "1997",
2876   note =         "",
2877   ISSN =         "0040-6090",
2878   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2879   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2880   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2881   keywords =     "Strain relaxation",
2882   keywords =     "Interfaces",
2883   keywords =     "Thermal stability",
2884   keywords =     "Molecular dynamics",
2885   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2886 }
2887
2888 @Article{cicero02,
2889   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2890                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2891   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2892                  Catellani",
2893   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2894   volume =       "89",
2895   number =       "15",
2896   pages =        "156101",
2897   numpages =     "4",
2898   year =         "2002",
2899   month =        sep,
2900   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2901   publisher =    "American Physical Society",
2902   notes =        "sic/si interface study",
2903 }
2904
2905 @Article{pizzagalli03,
2906   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2907                  interface: Si{C}/Si(001)",
2908   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2909                  Catellani",
2910   journal =      "Phys. Rev. B",
2911   volume =       "68",
2912   number =       "19",
2913   pages =        "195302",
2914   numpages =     "10",
2915   year =         "2003",
2916   month =        nov,
2917   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2918   publisher =    "American Physical Society",
2919   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2920 }
2921
2922 @Article{tang07,
2923   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2924                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2925                  electron microscopy",
2926   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2927                  H. Zheng and J. W. Liang",
2928   journal =      "Phys. Rev. B",
2929   volume =       "75",
2930   number =       "18",
2931   pages =        "184103",
2932   numpages =     "7",
2933   year =         "2007",
2934   month =        may,
2935   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2936   publisher =    "American Physical Society",
2937   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2938                  si and c",
2939 }
2940
2941 @Article{hornstra58,
2942   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2943   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2944   volume =       "5",
2945   number =       "1-2",
2946   pages =        "129--141",
2947   year =         "1958",
2948   note =         "",
2949   ISSN =         "0022-3697",
2950   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2951   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2952   author =       "J. Hornstra",
2953   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2954 }
2955
2956 @Article{deguchi92,
2957   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2958                  Ion `Hot' Implantation",
2959   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2960                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2961   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2962   volume =       "31",
2963   number =       "Part 1, No. 2A",
2964   pages =        "343--347",
2965   numpages =     "4",
2966   year =         "1992",
2967   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2968   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2969   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2970   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2971                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2972 }
2973
2974 @Article{eichhorn99,
2975   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2976                  K{\"{o}}gler",
2977   collaboration = "",
2978   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2979                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2980                  synchrotron x-ray diffraction",
2981   publisher =    "AIP",
2982   year =         "1999",
2983   journal =      "J. Appl. Phys.",
2984   volume =       "86",
2985   number =       "8",
2986   pages =        "4184--4187",
2987   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2988                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2989                  precipitation; semiconductor doping",
2990   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2991   doi =          "10.1063/1.371344",
2992   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2993                  expansion of si lattice",
2994 }
2995
2996 @Article{eichhorn02,
2997   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2998                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2999   collaboration = "",
3000   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3001                  carbon ion implantation",
3002   publisher =    "AIP",
3003   year =         "2002",
3004   journal =      "J. Appl. Phys.",
3005   volume =       "91",
3006   number =       "3",
3007   pages =        "1287--1292",
3008   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3009                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3010                  electron microscopy",
3011   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3012   doi =          "10.1063/1.1428105",
3013   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3014                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3015 }
3016
3017 @Article{lucas10,
3018   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3019   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3020                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3021                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3022                  amorphous structures",
3023   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3024   volume =       "22",
3025   number =       "3",
3026   pages =        "035802",
3027   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3028   year =         "2010",
3029   notes =        "edip sic",
3030 }
3031
3032 @Article{godet03,
3033   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3034                  Beauchamp",
3035   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3036                  methods for silicon under large shear",
3037   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3038   volume =       "15",
3039   number =       "41",
3040   pages =        "6943",
3041   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3042   year =         "2003",
3043   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3044                  edip, tersoff, ab initio",
3045 }
3046
3047 @Article{moriguchi98,
3048   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3049                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3050   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3051   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3052   volume =       "37",
3053   number =       "Part 1, No. 2",
3054   pages =        "414--422",
3055   numpages =     "8",
3056   year =         "1998",
3057   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3058   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3059   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3060   notes =        "tersoff stringent test",
3061 }
3062
3063 @Article{mazzarolo01,
3064   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3065                  simulations",
3066   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3067                  Lulli and Eros Albertazzi",
3068   journal =      "Phys. Rev. B",
3069   volume =       "63",
3070   number =       "19",
3071   pages =        "195207",
3072   numpages =     "4",
3073   year =         "2001",
3074   month =        apr,
3075   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3076   publisher =    "American Physical Society",
3077 }
3078
3079 @Article{holmstroem08,
3080   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3081                  density functional theory molecular dynamics
3082                  simulations",
3083   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3084   journal =      "Phys. Rev. B",
3085   volume =       "78",
3086   number =       "4",
3087   pages =        "045202",
3088   numpages =     "6",
3089   year =         "2008",
3090   month =        jul,
3091   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3092   publisher =    "American Physical Society",
3093   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3094                  initio",
3095 }
3096
3097 @Article{nordlund97,
3098   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3099                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3100   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3101   volume =       "132",
3102   number =       "1",
3103   pages =        "45--54",
3104   year =         "1997",
3105   note =         "",
3106   ISSN =         "0168-583X",
3107   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3108   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3109   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3110   notes =        "repulsive ab initio potential",
3111 }
3112
3113 @Article{kresse96,
3114   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3115                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3116                  set",
3117   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3118   volume =       "6",
3119   number =       "1",
3120   pages =        "15--50",
3121   year =         "1996",
3122   note =         "",
3123   ISSN =         "0927-0256",
3124   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3125   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3126   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3127   notes =        "vasp ref",
3128 }
3129
3130 @Article{bloechl94,
3131   title =        "Projector augmented-wave method",
3132   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3133   journal =      "Phys. Rev. B",
3134   volume =       "50",
3135   number =       "24",
3136   pages =        "17953--17979",
3137   numpages =     "26",
3138   year =         "1994",
3139   month =        dec,
3140   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3141   publisher =    "American Physical Society",
3142   notes =        "paw method",
3143 }
3144
3145 @Article{hamann79,
3146   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3147   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3148   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3149   volume =       "43",
3150   number =       "20",
3151   pages =        "1494--1497",
3152   numpages =     "3",
3153   year =         "1979",
3154   month =        nov,
3155   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3156   publisher =    "American Physical Society",
3157   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3158 }
3159
3160 @Article{vanderbilt90,
3161   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3162                  eigenvalue formalism",
3163   author =       "David Vanderbilt",
3164   journal =      "Phys. Rev. B",
3165   volume =       "41",
3166   number =       "11",
3167   pages =        "7892--7895",
3168   numpages =     "3",
3169   year =         "1990",
3170   month =        apr,
3171   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3172   publisher =    "American Physical Society",
3173   notes =        "vasp pseudopotentials",
3174 }
3175
3176 @Article{perdew86,
3177   title =        "Accurate and simple density functional for the
3178                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3179                  approximation",
3180   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3181   journal =      "Phys. Rev. B",
3182   volume =       "33",
3183   number =       "12",
3184   pages =        "8800--8802",
3185   numpages =     "2",
3186   year =         "1986",
3187   month =        jun,
3188   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3189   publisher =    "American Physical Society",
3190   notes =        "rapid communication gga",
3191 }
3192
3193 @Article{perdew02,
3194   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3195                  correlation: {A} look backward and forward",
3196   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3197   volume =       "172",
3198   number =       "1-2",
3199   pages =        "1--6",
3200   year =         "1991",
3201   note =         "",
3202   ISSN =         "0921-4526",
3203   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3204   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3205   author =       "John P. Perdew",
3206   notes =        "gga overview",
3207 }
3208
3209 @Article{perdew92,
3210   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3211                  of the generalized gradient approximation for exchange
3212                  and correlation",
3213   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3214                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3215                  and Carlos Fiolhais",
3216   journal =      "Phys. Rev. B",
3217   volume =       "46",
3218   number =       "11",
3219   pages =        "6671--6687",
3220   numpages =     "16",
3221   year =         "1992",
3222   month =        sep,
3223   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3224   publisher =    "American Physical Society",
3225   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3226 }
3227
3228 @Article{baldereschi73,
3229   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3230   author =       "A. Baldereschi",
3231   journal =      "Phys. Rev. B",
3232   volume =       "7",
3233   number =       "12",
3234   pages =        "5212--5215",
3235   numpages =     "3",
3236   year =         "1973",
3237   month =        jun,
3238   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3239   publisher =    "American Physical Society",
3240   notes =        "mean value k point",
3241 }
3242
3243 @Article{zhu98,
3244   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3245                  diffusion in Si",
3246   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3247   volume =       "12",
3248   number =       "4",
3249   pages =        "309--318",
3250   year =         "1998",
3251   note =         "",
3252   ISSN =         "0927-0256",
3253   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3254   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3255   author =       "Jing Zhu",
3256   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3257   keywords =     "Boron dopant",
3258   keywords =     "Carbon dopant",
3259   keywords =     "Defect",
3260   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3261   keywords =     "Impurity cluster",
3262   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3263 }
3264
3265 @Article{nejim95,
3266   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3267   collaboration = "",
3268   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3269                  950 [degree]{C}",
3270   publisher =    "AIP",
3271   year =         "1995",
3272   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3273   volume =       "66",
3274   number =       "20",
3275   pages =        "2646--2648",
3276   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3277                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3278                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3279                  ELECTRON MICROSCOPY",
3280   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3281   doi =          "10.1063/1.113112",
3282   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3283                  self interstitials react with further implanted c",
3284 }
3285
3286 @Article{guedj98,
3287   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3288                  Kolodzey and A. Hairie",
3289   collaboration = "",
3290   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3291                  alloys",
3292   publisher =    "AIP",
3293   year =         "1998",
3294   journal =      "J. Appl. Phys.",
3295   volume =       "84",
3296   number =       "8",
3297   pages =        "4631--4633",
3298   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3299                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3300                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3301                  annealing",
3302   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3303   doi =          "10.1063/1.368703",
3304   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3305 }
3306
3307 @Article{jones04,
3308   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3309   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3310                  semiconductors",
3311   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3312   volume =       "16",
3313   number =       "27",
3314   pages =        "S2643",
3315   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3316   year =         "2004",
3317   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3318                  si",
3319 }
3320
3321 @Article{park02,
3322   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3323                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3324                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3325   collaboration = "",
3326   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3327                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3328                  molecular-beam epitaxy",
3329   publisher =    "AIP",
3330   year =         "2002",
3331   journal =      "J. Appl. Phys.",
3332   volume =       "91",
3333   number =       "9",
3334   pages =        "5716--5727",
3335   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3336   doi =          "10.1063/1.1465122",
3337   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3338 }
3339
3340 @Article{leary97,
3341   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3342                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3343   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3344                  Torres",
3345   journal =      "Phys. Rev. B",
3346   volume =       "55",
3347   number =       "4",
3348   pages =        "2188--2194",
3349   numpages =     "6",
3350   year =         "1997",
3351   month =        jan,
3352   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3353   publisher =    "American Physical Society",
3354   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3355                  energies, different migration barriers and paths",
3356 }
3357
3358 @Article{burnard93,
3359   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3360                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3361                  calculations",
3362   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3363   journal =      "Phys. Rev. B",
3364   volume =       "47",
3365   number =       "16",
3366   pages =        "10217--10225",
3367   numpages =     "8",
3368   year =         "1993",
3369   month =        apr,
3370   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3371   publisher =    "American Physical Society",
3372   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3373                  carbon defect, formation energies",
3374 }
3375
3376 @Article{besson91,
3377   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3378                  silicon",
3379   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3380   journal =      "Phys. Rev. B",
3381   volume =       "43",
3382   number =       "5",
3383   pages =        "4028--4033",
3384   numpages =     "5",
3385   year =         "1991",
3386   month =        feb,
3387   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3388   publisher =    "American Physical Society",
3389 }
3390
3391 @Article{kaxiras96,
3392   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3393                  and growth on semiconductors",
3394   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3395   volume =       "6",
3396   number =       "2",
3397   pages =        "158--172",
3398   year =         "1996",
3399   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3400                  Epitaxy",
3401   ISSN =         "0927-0256",
3402   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3403   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3404   author =       "Efthimios Kaxiras",
3405   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3406                  tight binding, first principles",
3407 }
3408
3409 @Article{kaukonen98,
3410   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3411                  diamond
3412                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3413                  surfaces",
3414   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3415                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3416                  Th. Frauenheim",
3417   journal =      "Phys. Rev. B",
3418   volume =       "57",
3419   number =       "16",
3420   pages =        "9965--9970",
3421   numpages =     "5",
3422   year =         "1998",
3423   month =        apr,
3424   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3425   publisher =    "American Physical Society",
3426   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3427                  (crt)",
3428 }
3429
3430 @Article{gali03,
3431   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3432                  center in Si{C}",
3433   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3434                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3435                  W. J. Choyke",
3436   journal =      "Phys. Rev. B",
3437   volume =       "67",
3438   number =       "15",
3439   pages =        "155203",
3440   numpages =     "5",
3441   year =         "2003",
3442   month =        apr,
3443   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3444   publisher =    "American Physical Society",
3445 }
3446
3447 @Article{chen98,
3448   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3449                  irradiation and deformation",
3450   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3451   volume =       "258-263",
3452   number =       "Part 2",
3453   pages =        "1803--1808",
3454   year =         "1998",
3455   note =         "",
3456   ISSN =         "0022-3115",
3457   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3458   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3459   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3460 }
3461
3462 @Article{weber01,
3463   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3464                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3465   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3466   volume =       "175-177",
3467   number =       "",
3468   pages =        "26--30",
3469   year =         "2001",
3470   note =         "",
3471   ISSN =         "0168-583X",
3472   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3473   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3474   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3475 }
3476
3477 @Article{bockstedte03,
3478   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3479                  in $3{C}-Si{C}$",
3480   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3481                  Pankratov",
3482   journal =      "Phys. Rev. B",
3483   volume =       "68",
3484   number =       "20",
3485   pages =        "205201",
3486   numpages =     "17",
3487   year =         "2003",
3488   month =        nov,
3489   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3490   publisher =    "American Physical Society",
3491   notes =        "defect migration in sic",
3492 }
3493
3494 @Article{rauls03a,
3495   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3496                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3497   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3498                  De\'ak",
3499   journal =      "Phys. Rev. B",
3500   volume =       "68",
3501   number =       "15",
3502   pages =        "155208",
3503   numpages =     "9",
3504   year =         "2003",
3505   month =        oct,
3506   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3507   publisher =    "American Physical Society",
3508 }
3509
3510 @Article{losev27,
3511   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3512   volume =       "44",
3513   pages =        "485--494",
3514   year =         "1927",
3515   author =       "O. V. Lossev",
3516 }
3517
3518 @Article{losev28,
3519   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3520                  oscillations with crystals",
3521   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3522   volume =       "6",
3523   number =       "39",
3524   pages =        "1024--1044",
3525   year =         "1928",
3526   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3527   author =       "O. V. Lossev",
3528 }
3529
3530 @Article{losev29,
3531   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3532   volume =       "30",
3533   pages =        "920--923",
3534   year =         "1929",
3535   author =       "O. V. Lossev",
3536 }
3537
3538 @Article{losev31,
3539   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3540   volume =       "32",
3541   pages =        "692--696",
3542   year =         "1931",
3543   author =       "O. V. Lossev",
3544 }
3545
3546 @Article{losev33,
3547   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3548   volume =       "34",
3549   pages =        "397--403",
3550   year =         "1933",
3551   author =       "O. V. Lossev",
3552 }
3553
3554 @Article{round07,
3555   title =        "A note on carborundum",
3556   journal =      "Electrical World",
3557   volume =       "49",
3558   pages =        "308",
3559   year =         "1907",
3560   author =       "H. J. Round",
3561 }
3562
3563 @Article{vashishath08,
3564   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3565   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3566   volume =       "2",
3567   number =       "03",
3568   pages =        "444--470",
3569   year =         "2008",
3570   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3571   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3572   notes =        "sic polytype electronic properties",
3573 }
3574
3575 @Article{nelson69,
3576   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3577   collaboration = "",
3578   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3579   publisher =    "AIP",
3580   year =         "1966",
3581   journal =      "Journal of Applied Physics",
3582   volume =       "37",
3583   number =       "1",
3584   pages =        "333--336",
3585   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3586   doi =          "10.1063/1.1707837",
3587   notes =        "sic melt growth",
3588 }
3589
3590 @Article{arkel25,
3591   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3592   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3593                  und Thoriummetall",
3594   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3595   year =         "1925",
3596   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3597   volume =       "148",
3598   pages =        "345--350",
3599   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3600   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3601   notes =        "van arkel apparatus",
3602 }
3603
3604 @Article{moers31,
3605   author =       "K. Moers",
3606   year =         "1931",
3607   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3608   volume =       "198",
3609   pages =        "293",
3610   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3611                  process",
3612 }
3613
3614 @Article{kendall53,
3615   author =       "J. T. Kendall",
3616   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3617   publisher =    "AIP",
3618   year =         "1953",
3619   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3620   volume =       "21",
3621   number =       "5",
3622   pages =        "821--827",
3623   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3624   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3625                  process",
3626 }
3627
3628 @Article{lely55,
3629   author =       "J. A. Lely",
3630   year =         "1955",
3631   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3632   volume =       "32",
3633   pages =        "229",
3634   notes =        "lely sublimation growth process",
3635 }
3636
3637 @Article{knippenberg63,
3638   author =       "W. F. Knippenberg",
3639   year =         "1963",
3640   journal =      "Philips Res. Repts.",
3641   volume =       "18",
3642   pages =        "161",
3643   notes =        "acheson process",
3644 }
3645
3646 @Article{hoffmann82,
3647   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3648                  Weyrich",
3649   collaboration = "",
3650   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3651                  improved external quantum efficiency",
3652   publisher =    "AIP",
3653   year =         "1982",
3654   journal =      "Journal of Applied Physics",
3655   volume =       "53",
3656   number =       "10",
3657   pages =        "6962--6967",
3658   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3659                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3660                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3661                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3662                  electroluminescence; spectra; current density;
3663                  optimization",
3664   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3665   doi =          "10.1063/1.330041",
3666   notes =        "blue led, sublimation process",
3667 }
3668
3669 @Article{neudeck95,
3670   author =       "Philip Neudeck",
3671   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3672                  Road 44135 Cleveland OH",
3673   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3674                  technology",
3675   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3676   publisher =    "Springer Boston",
3677   ISSN =         "0361-5235",
3678   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3679   pages =        "283--288",
3680   volume =       "24",
3681   issue =        "4",
3682   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3683   note =         "10.1007/BF02659688",
3684   year =         "1995",
3685   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3686 }
3687
3688 @Article{bhatnagar93,
3689   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3690   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3691   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3692                  devices",
3693   year =         "1993",
3694   month =        mar,
3695   volume =       "40",
3696   number =       "3",
3697   pages =        "645--655",
3698   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3699                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3700                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3701                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3702                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3703                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3704                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3705                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3706   doi =          "10.1109/16.199372",
3707   ISSN =         "0018-9383",
3708   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3709 }
3710
3711 @Article{neudeck94,
3712   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3713                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3714   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3715   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3716                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3717                  6{H}-Si{C} substrates",
3718   year =         "1994",
3719   month =        may,
3720   volume =       "41",
3721   number =       "5",
3722   pages =        "826--835",
3723   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3724                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3725                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3726                  properties;epitaxial layers;light
3727                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3728                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3729                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3730                  currents;power electronics;semiconductor
3731                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3732                  growth;semiconductor materials;silicon
3733                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3734                  phase epitaxial growth;",
3735   doi =          "10.1109/16.285038",
3736   ISSN =         "0018-9383",
3737   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3738                  substrate",
3739 }
3740
3741 @Article{schulze98,
3742   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3743   collaboration = "",
3744   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3745                  single crystals by physical vapor transport",
3746   publisher =    "AIP",
3747   year =         "1998",
3748   journal =      "Applied Physics Letters",
3749   volume =       "72",
3750   number =       "13",
3751   pages =        "1632--1634",
3752   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3753                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3754                  photoluminescence; Hall mobility",
3755   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3756   doi =          "10.1063/1.121136",
3757   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3758 }
3759
3760 @Article{pirouz87,
3761   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3762   collaboration = "",
3763   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3764   publisher =    "AIP",
3765   year =         "1987",
3766   journal =      "Applied Physics Letters",
3767   volume =       "50",
3768   number =       "4",
3769   pages =        "221--223",
3770   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3771                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3772                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3773                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3774                  BOUNDARIES",
3775   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3776   doi =          "10.1063/1.97667",
3777   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3778 }
3779
3780 @Article{shibahara86,
3781   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3782                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3783   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3784   volume =       "78",
3785   number =       "3",
3786   pages =        "538--544",
3787   year =         "1986",
3788   note =         "",
3789   ISSN =         "0022-0248",
3790   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3791   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3792   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3793                  Matsunami",
3794   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3795 }
3796
3797 @Article{desjardins96,
3798   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3799   collaboration = "",
3800   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3801   publisher =    "AIP",
3802   year =         "1996",
3803   journal =      "Journal of Applied Physics",
3804   volume =       "79",
3805   number =       "3",
3806   pages =        "1423--1434",
3807   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3808                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3809   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3810   doi =          "10.1063/1.360980",
3811   notes =        "apb model",
3812 }
3813
3814 @Article{henke95,
3815   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3816   collaboration = "",
3817   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3818                  carbonization of silicon",
3819   publisher =    "AIP",
3820   year =         "1995",
3821   journal =      "Journal of Applied Physics",
3822   volume =       "78",
3823   number =       "3",
3824   pages =        "2070--2073",
3825   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3826                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3827                  STRUCTURE",
3828   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3829   doi =          "10.1063/1.360184",
3830   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3831 }
3832
3833 @Article{fuyuki89,
3834   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3835                  {MBE} using surface superstructure",
3836   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3837   volume =       "95",
3838   number =       "1-4",
3839   pages =        "461--463",
3840   year =         "1989",
3841   note =         "",
3842   ISSN =         "0022-0248",
3843   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3844   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3845   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3846                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3847   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3848 }
3849
3850 @Article{yoshinobu92,
3851   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3852                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3853   collaboration = "",
3854   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3855                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3856                  molecular beam epitaxy",
3857   publisher =    "AIP",
3858   year =         "1992",
3859   journal =      "Applied Physics Letters",
3860   volume =       "60",
3861   number =       "7",
3862   pages =        "824--826",
3863   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3864                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3865                  INTERFACE STRUCTURE",
3866   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3867   doi =          "10.1063/1.107430",
3868   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3869 }
3870
3871 @Article{yoshinobu90,
3872   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3873                  cubic Si{C}",
3874   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3875   volume =       "99",
3876   number =       "1-4",
3877   pages =        "520--524",
3878   year =         "1990",
3879   note =         "",
3880   ISSN =         "0022-0248",
3881   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3882   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3883   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3884                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3885   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3886 }
3887
3888 @Article{fuyuki93,
3889   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3890                  superstructures in Si{C}",
3891   journal =      "Thin Solid Films",
3892   volume =       "225",
3893   number =       "1-2",
3894   pages =        "225--229",
3895   year =         "1993",
3896   note =         "",
3897   ISSN =         "0040-6090",
3898   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3899   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3900   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3901                  Matsunami",
3902   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3903                  epitaxy, ale",
3904 }
3905
3906 @Article{hara93,
3907   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3908                  growth of [beta]-Si{C}",
3909   journal =      "Thin Solid Films",
3910   volume =       "225",
3911   number =       "1-2",
3912   pages =        "240--243",
3913   year =         "1993",
3914   note =         "",
3915   ISSN =         "0040-6090",
3916   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3917   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3918   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3919                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3920   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3921                  epitaxy, ale",
3922 }
3923
3924 @Article{tanaka94,
3925   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3926   collaboration = "",
3927   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3928                  growth mode and polytype formation during gas-source
3929                  molecular beam epitaxy",
3930   publisher =    "AIP",
3931   year =         "1994",
3932   journal =      "Applied Physics Letters",
3933   volume =       "65",
3934   number =       "22",
3935   pages =        "2851--2853",
3936   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3937                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3938                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3939                  FLOW; FLOW RATE",
3940   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3941   doi =          "10.1063/1.112513",
3942   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3943 }
3944
3945 @Article{fuyuki97,
3946   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3947   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3948                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3949   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3950   year =         "1997",
3951   journal =      "physica status solidi (b)",
3952   volume =       "202",
3953   pages =        "359--378",
3954   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3955                  temperatures 750",
3956 }
3957
3958 @Article{takaoka98,
3959   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3960   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3961   volume =       "183",
3962   number =       "1-2",
3963   pages =        "175--182",
3964   year =         "1998",
3965   note =         "",
3966   ISSN =         "0022-0248",
3967   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3968   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3969   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3970   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3971   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3972   keywords =     "Silicon carbide",
3973   keywords =     "Silicon",
3974   keywords =     "Island growth",
3975   notes =        "lower temperature, 550-700",
3976 }
3977
3978 @Article{hatayama95,
3979   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3980                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3981                  molecular beam epitaxy",
3982   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3983   volume =       "150",
3984   number =       "Part 2",
3985   pages =        "934--938",
3986   year =         "1995",
3987   note =         "",
3988   ISSN =         "0022-0248",
3989   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3990   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3991   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3992                  and Hiroyuki Matsunami",
3993 }
3994
3995 @Article{heine91,
3996   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
3997   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
3998                  Metastable Cubic Form",
3999   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4000   volume =       "74",
4001   number =       "10",
4002   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4003   ISSN =         "1551-2916",
4004   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4005   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4006   pages =        "2630--2633",
4007   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4008                  calculations, stability",
4009   year =         "1991",
4010   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4011                  polytype dft calculation refs",
4012 }
4013
4014 @Article{allendorf91,
4015   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4016                  [beta]-silicon carbide",
4017   journal =      "Surface Science",
4018   volume =       "258",
4019   number =       "1-3",
4020   pages =        "177--189",
4021   year =         "1991",
4022   note =         "",
4023   ISSN =         "0039-6028",
4024   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4026   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4027   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4028 }
4029
4030 @Article{eaglesham93,
4031   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4032                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4033   collaboration = "",
4034   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4035   publisher =    "AIP",
4036   year =         "1993",
4037   journal =      "Journal of Applied Physics",
4038   volume =       "74",
4039   number =       "11",
4040   pages =        "6615--6618",
4041   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4042                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4043                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4044   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4045   doi =          "10.1063/1.355101",
4046   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4047                  mobility",
4048 }
4049
4050 @Article{newman85,
4051   author =       "Ronald C. Newman",
4052   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4053   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4054   volume =       "59",
4055   number =       "",
4056   pages =        "403",
4057   year =         "1985",
4058   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4059   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4060   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4061 }
4062
4063 @Article{goesele85,
4064   author =       "U. Gösele",
4065   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4066   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4067   volume =       "59",
4068   number =       "",
4069   pages =        "419",
4070   year =         "1985",
4071   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4072   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4073   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4074 }
4075
4076 @Article{puska98,
4077   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4078                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4079   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4080                  M. Nieminen",
4081   journal =      "Phys. Rev. B",
4082   volume =       "58",
4083   number =       "3",
4084   pages =        "1318--1325",
4085   numpages =     "7",
4086   year =         "1998",
4087   month =        jul,
4088   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4089   publisher =    "American Physical Society",
4090   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4091                  silicon",
4092 }
4093
4094 @Article{serre95,
4095   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4096                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4097                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4098   collaboration = "",
4099   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4100                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4101   publisher =    "AIP",
4102   year =         "1995",
4103   journal =      "Journal of Applied Physics",
4104   volume =       "77",
4105   number =       "7",
4106   pages =        "2978--2984",
4107   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4108                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4109                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4110                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4111   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4112   doi =          "10.1063/1.358714",
4113 }
4114