bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   year =         "1997",
 140   volume =       "22",
 141   number =       "3",
 142   pages =        "19--22",
 143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
 144 }
 145
 146 @Article{capano97_old,
 147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 149   journal =      "MRS Bull.",
 150   volume =       "22",
 151   pages =        "19",
 152   year =         "1997",
 153 }
 154
 155 @Article{fischer90,
 156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 158                  carbide",
 159   journal =      "Philos. Mag. B",
 160   volume =       "61",
 161   pages =        "217--236",
 162   year =         "1990",
 163   notes =        "sic polytypes",
 164 }
 165
 166 @Article{koegler03,
 167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 172                  ions",
 173   journal =      "Appl. Phys. A",
 174   volume =       "76",
 175   pages =        "827--835",
 176   month =        mar,
 177   year =         "2003",
 178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 180                  precipitation by interstitial and substitutional
 181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 182 }
 183
 184 @Article{skorupa96,
 185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 186                  silicon-related materials",
 187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 188   volume =       "44",
 189   number =       "2",
 190   pages =        "101--143",
 191   year =         "1996",
 192   note =         "",
 193   ISSN =         "0254-0584",
 194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 197   notes =        "review of silicon carbon compound",
 198 }
 199
 200 @Book{laplace,
 201   author =       "P. S. de Laplace",
 202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 204   volume =       "VII",
 205   publisher =    "Gauthier-Villars",
 206   year =         "1820",
 207 }
 208
 209 @Article{mattoni2007,
 210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 212                  materials}",
 213   journal =      "Phys. Rev. B",
 214   year =         "2007",
 215   month =        dec,
 216   volume =       "76",
 217   number =       "22",
 218   pages =        "224103",
 219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 222                  fracture, more available potentials, universal energy
 223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 224 }
 225
 226 @Article{balamane92,
 227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 228                  potentials",
 229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 230   journal =      "Phys. Rev. B",
 231   volume =       "46",
 232   number =       "4",
 233   pages =        "2250--2279",
 234   numpages =     "29",
 235   year =         "1992",
 236   month =        jul,
 237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 238   publisher =    "American Physical Society",
 239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 240 }
 241
 242 @Article{koster2002,
 243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 244                  bombardment",
 245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 246   journal =      "Phys. Rev. B",
 247   volume =       "62",
 248   number =       "16",
 249   pages =        "11219--11224",
 250   numpages =     "5",
 251   year =         "2000",
 252   month =        oct,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 256 }
 257
 258 @Article{breadmore99,
 259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 260                  amorphization of silicon",
 261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "60",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "12610--12616",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1999",
 268   month =        nov,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 272 }
 273
 274 @Article{nielsen83,
 275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 278   volume =       "50",
 279   number =       "9",
 280   pages =        "697--700",
 281   numpages =     "3",
 282   year =         "1983",
 283   month =        feb,
 284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 285   publisher =    "American Physical Society",
 286   notes =        "generalization of virial theorem",
 287 }
 288
 289 @Article{nielsen85,
 290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 292   journal =      "Phys. Rev. B",
 293   volume =       "32",
 294   number =       "6",
 295   pages =        "3780--3791",
 296   numpages =     "11",
 297   year =         "1985",
 298   month =        sep,
 299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 300   publisher =    "American Physical Society",
 301   notes =        "dft virial stress and forces",
 302 }
 303
 304 @Article{moissan04,
 305   author =       "Henri Moissan",
 306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 307                  Diablo",
 308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 309   volume =       "139",
 310   pages =        "773--786",
 311   year =         "1904",
 312 }
 313
 314 @Book{park98,
 315   author =       "Y. S. Park",
 316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 317   publisher =    "Academic Press",
 318   address =      "San Diego",
 319   year =         "1998",
 320 }
 321
 322 @Article{tsvetkov98,
 323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 327   volume =       "264-268",
 328   pages =        "3--8",
 329   year =         "1998",
 330   notes =        "modified lely process, micropipes",
 331 }
 332
 333 @Article{verlet67,
 334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 336   author =       "Loup Verlet",
 337   journal =      "Phys. Rev.",
 338   volume =       "159",
 339   number =       "1",
 340   pages =        "98",
 341   year =         "1967",
 342   month =        jul,
 343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 344   publisher =    "American Physical Society",
 345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 346                  motion",
 347 }
 348
 349 @Article{berendsen84,
 350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 352   collaboration = "",
 353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 354   publisher =    "AIP",
 355   year =         "1984",
 356   journal =      "J. Chem. Phys.",
 357   volume =       "81",
 358   number =       "8",
 359   pages =        "3684--3690",
 360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 363   doi =          "10.1063/1.448118",
 364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 365 }
 366
 367 @Article{huang95,
 368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 369                  Baskes",
 370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 372                  potentials",
 373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 374   volume =       "3",
 375   number =       "5",
 376   pages =        "615--627",
 377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 380   year =         "1995",
 381 }
 382
 383 @Article{brenner89,
 384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 385                  Tersoff potentials",
 386   author =       "Donald W. Brenner",
 387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 388   volume =       "63",
 389   number =       "9",
 390   pages =        "1022",
 391   numpages =     "1",
 392   year =         "1989",
 393   month =        aug,
 394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 395   publisher =    "American Physical Society",
 396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 397 }
 398
 399 @Article{batra87,
 400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 401                  silicon",
 402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 403   journal =      "Phys. Rev. B",
 404   volume =       "35",
 405   number =       "18",
 406   pages =        "9552--9558",
 407   numpages =     "6",
 408   year =         "1987",
 409   month =        jun,
 410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 411   publisher =    "American Physical Society",
 412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 413                  calculation of defect formation energy, defect
 414                  interstitial types",
 415 }
 416
 417 @Article{schober89,
 418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 419   author =       "H. R. Schober",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "39",
 422   number =       "17",
 423   pages =        "13013--13015",
 424   numpages =     "2",
 425   year =         "1989",
 426   month =        jun,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 430                  dumbbell configuration",
 431 }
 432
 433 @Article{gao02a,
 434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 435                  Defect accumulation, topological features, and
 436                  disordering",
 437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 438   journal =      "Phys. Rev. B",
 439   volume =       "66",
 440   number =       "2",
 441   pages =        "024106",
 442   numpages =     "10",
 443   year =         "2002",
 444   month =        jul,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 449                  result analyze",
 450 }
 451
 452 @Article{devanathan98,
 453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 454                  cascade in Si{C}",
 455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 456   volume =       "141",
 457   number =       "1-4",
 458   pages =        "118--122",
 459   year =         "1998",
 460   ISSN =         "0168-583X",
 461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 463                  Rubia",
 464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 465                  3c-sic",
 466 }
 467
 468 @Article{devanathan98_2,
 469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 471   volume =       "253",
 472   number =       "1-3",
 473   pages =        "47--52",
 474   year =         "1998",
 475   ISSN =         "0022-3115",
 476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 478                  Weber",
 479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 480                  tersoff",
 481 }
 482
 483 @Article{kitabatake00,
 484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 485   author =       "M. Kitabatake",
 486   journal =      "Thin Solid Films",
 487   volume =       "369",
 488   pages =        "257--264",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2000",
 491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 492 }
 493
 494 @Article{tang97,
 495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 498                  formation volumes",
 499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 500                  Rubia",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "55",
 503   number =       "21",
 504   pages =        "14279--14289",
 505   numpages =     "10",
 506   year =         "1997",
 507   month =        jun,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 511 }
 512
 513 @Article{johnson98,
 514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 515                  Rubia",
 516   collaboration = "",
 517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 519                  presence of carbon and boron",
 520   publisher =    "AIP",
 521   year =         "1998",
 522   journal =      "J. Appl. Phys.",
 523   volume =       "84",
 524   number =       "4",
 525   pages =        "1963--1967",
 526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 528                  semiconductors; self-diffusion",
 529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 530   doi =          "10.1063/1.368328",
 531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 532                  diffsuion",
 533 }
 534
 535 @Article{bar-yam84,
 536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 537                  Self-Interstitial",
 538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 540   volume =       "52",
 541   number =       "13",
 542   pages =        "1129--1132",
 543   numpages =     "3",
 544   year =         "1984",
 545   month =        mar,
 546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 547   publisher =    "American Physical Society",
 548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 549 }
 550
 551 @Article{bar-yam84_2,
 552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 553                  barriers of silicon self-interstitials",
 554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 555   journal =      "Phys. Rev. B",
 556   volume =       "30",
 557   number =       "4",
 558   pages =        "1844--1852",
 559   numpages =     "8",
 560   year =         "1984",
 561   month =        aug,
 562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 563   publisher =    "American Physical Society",
 564 }
 565
 566 @Article{bloechl93,
 567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 568                  constants in silicon",
 569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 572   volume =       "70",
 573   number =       "16",
 574   pages =        "2435--2438",
 575   numpages =     "3",
 576   year =         "1993",
 577   month =        apr,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 581                  entropy calculations",
 582 }
 583
 584 @Article{munro99,
 585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 587   journal =      "Phys. Rev. B",
 588   volume =       "59",
 589   number =       "6",
 590   pages =        "3969--3980",
 591   numpages =     "11",
 592   year =         "1999",
 593   month =        feb,
 594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 595   publisher =    "American Physical Society",
 596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 597                  defect migration mechanisms",
 598 }
 599
 600 @Article{colombo02,
 601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 602                  silicon",
 603   author =       "L. Colombo",
 604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 605   volume =       "32",
 606   pages =        "271--295",
 607   numpages =     "25",
 608   year =         "2002",
 609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 610   publisher =    "Annual Reviews",
 611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 612 }
 613
 614 @Article{al-mushadani03,
 615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 616                  silicon",
 617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 618   journal =      "Phys. Rev. B",
 619   volume =       "68",
 620   number =       "23",
 621   pages =        "235205",
 622   numpages =     "8",
 623   year =         "2003",
 624   month =        dec,
 625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 626   publisher =    "American Physical Society",
 627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 628                  silicon, si self interstitials, free energy",
 629 }
 630
 631 @Article{mattsson08,
 632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 633                  formation energy",
 634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 635                  Armiento",
 636   journal =      "Phys. Rev. B",
 637   volume =       "77",
 638   number =       "15",
 639   pages =        "155211",
 640   numpages =     "7",
 641   year =         "2008",
 642   month =        apr,
 643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 644   publisher =    "American Physical Society",
 645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 646 }
 647
 648 @Article{goedecker02,
 649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 652   volume =       "88",
 653   number =       "23",
 654   pages =        "235501",
 655   numpages =     "4",
 656   year =         "2002",
 657   month =        may,
 658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 659   publisher =    "American Physical Society",
 660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 661                  silicon",
 662 }
 663
 664 @Article{sahli05,
 665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 666                  self-interstitial diffusion in silicon",
 667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 668   journal =      "Phys. Rev. B",
 669   volume =       "72",
 670   number =       "24",
 671   pages =        "245210",
 672   numpages =     "6",
 673   year =         "2005",
 674   month =        dec,
 675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 676   publisher =    "American Physical Society",
 677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 678                  mapping applied",
 679 }
 680
 681 @Article{hobler05,
 682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 683                  native point defects in silicon",
 684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 685   volume =       "124-125",
 686   number =       "",
 687   pages =        "368--371",
 688   year =         "2005",
 689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 690                  Issues for Future Technologies",
 691   ISSN =         "0921-5107",
 692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 696                  radius",
 697 }
 698
 699 @Article{ma10,
 700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 701                  wide temperature range: Point defect states and
 702                  migration mechanisms",
 703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 704   journal =      "Phys. Rev. B",
 705   volume =       "81",
 706   number =       "19",
 707   pages =        "193203",
 708   numpages =     "4",
 709   year =         "2010",
 710   month =        may,
 711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 712   publisher =    "American Physical Society",
 713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 714 }
 715
 716 @Article{posselt06,
 717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 720   journal =      "Phys. Rev. B",
 721   volume =       "73",
 722   number =       "12",
 723   pages =        "125206",
 724   numpages =     "8",
 725   year =         "2006",
 726   month =        mar,
 727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 728   publisher =    "American Physical Society",
 729 }
 730
 731 @Article{posselt08,
 732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 733                  migration mechanisms of vacancies and
 734                  self-interstitials: An atomistic study",
 735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "78",
 738   number =       "3",
 739   pages =        "035208",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "2008",
 742   month =        jul,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 746                  weber and tersoff",
 747 }
 748
 749 @Article{gao2001,
 750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 753                  Corrales",
 754   journal =      "Phys. Rev. B",
 755   volume =       "64",
 756   number =       "24",
 757   pages =        "245208",
 758   numpages =     "7",
 759   year =         "2001",
 760   month =        dec,
 761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 762   publisher =    "American Physical Society",
 763   notes =        "defects in 3c-sic",
 764 }
 765
 766 @Article{gao02,
 767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 768                  3{C}-Si{C}",
 769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 770   volume =       "191",
 771   number =       "1-4",
 772   pages =        "487--496",
 773   year =         "2002",
 774   note =         "",
 775   ISSN =         "0168-583X",
 776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 779   keywords =     "Empirical potential",
 780   keywords =     "Defect properties",
 781   keywords =     "Silicon carbide",
 782   keywords =     "Computer simulation",
 783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 784 }
 785
 786 @Article{gao04,
 787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 788                  3{C}-Si{C}",
 789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 790                  Belko",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "69",
 793   number =       "24",
 794   pages =        "245205",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2004",
 797   month =        jun,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "defect migration in sic",
 801 }
 802
 803 @Article{gao07,
 804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 805                  W. J. Weber",
 806   collaboration = "",
 807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 808                  in cubic silicon carbide",
 809   publisher =    "AIP",
 810   year =         "2007",
 811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 812   volume =       "90",
 813   number =       "22",
 814   eid =          "221915",
 815   numpages =     "3",
 816   pages =        "221915",
 817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 819                  dynamics method; density functional theory;
 820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 821                  impurities; diffusion",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 823   doi =          "10.1063/1.2743751",
 824 }
 825
 826 @Article{mattoni2002,
 827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 828                  crystalline silicon",
 829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 830   journal =      "Phys. Rev. B",
 831   volume =       "66",
 832   number =       "19",
 833   pages =        "195214",
 834   numpages =     "6",
 835   year =         "2002",
 836   month =        nov,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 841                  tersoff suitability",
 842 }
 843
 844 @Article{leung99,
 845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 847                  Itoh and S. Ihara",
 848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 849   volume =       "83",
 850   number =       "12",
 851   pages =        "2351--2354",
 852   numpages =     "3",
 853   year =         "1999",
 854   month =        sep,
 855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 856   publisher =    "American Physical Society",
 857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 858                  refs",
 859 }
 860
 861 @Article{capaz94,
 862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 863                  carbon in silicon",
 864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 865   journal =      "Phys. Rev. B",
 866   volume =       "50",
 867   number =       "11",
 868   pages =        "7439--7442",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1994",
 871   month =        sep,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 875                  dumbbell",
 876 }
 877
 878 @Article{capaz98,
 879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 881   journal =      "Phys. Rev. B",
 882   volume =       "58",
 883   number =       "15",
 884   pages =        "9845--9850",
 885   numpages =     "5",
 886   year =         "1998",
 887   month =        oct,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 891 }
 892
 893 @Article{song90_2,
 894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 895                  pair in silicon",
 896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 897                  Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5765--5783",
 902   numpages =     "18",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 908 }
 909
 910 @Article{liu02,
 911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 915                  interactions in Si",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "2002",
 918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 919   volume =       "80",
 920   number =       "1",
 921   pages =        "52--54",
 922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 926   doi =          "10.1063/1.1430505",
 927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 928 }
 929
 930 @Article{dal_pino93,
 931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 932                  silicon",
 933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 934                  Joannopoulos",
 935   journal =      "Phys. Rev. B",
 936   volume =       "47",
 937   number =       "19",
 938   pages =        "12554--12557",
 939   numpages =     "3",
 940   year =         "1993",
 941   month =        may,
 942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 943   publisher =    "American Physical Society",
 944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 945 }
 946
 947 @Article{car84,
 948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 949                  Silicon",
 950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 951                  Sokrates T. Pantelides",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "52",
 954   number =       "20",
 955   pages =        "1814--1817",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1984",
 958   month =        may,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 962                  path formation",
 963 }
 964
 965 @Article{car85,
 966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 967                  Density-Functional Theory",
 968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 970   volume =       "55",
 971   number =       "22",
 972   pages =        "2471--2474",
 973   numpages =     "3",
 974   year =         "1985",
 975   month =        nov,
 976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 977   publisher =    "American Physical Society",
 978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 979 }
 980
 981 @Article{kelires97,
 982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 984   author =       "P. C. Kelires",
 985   journal =      "Phys. Rev. B",
 986   volume =       "55",
 987   number =       "14",
 988   pages =        "8784--8787",
 989   numpages =     "3",
 990   year =         "1997",
 991   month =        apr,
 992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 993   publisher =    "American Physical Society",
 994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 995                  neighbour dist",
 996 }
 997
 998 @Article{kelires95,
 999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Misc{talk2004,
1371   title =        "{Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation
1372                  amorpher nonometrischer SiC$_x$-Ausscheidungen in
1373                  Silizium w{\"a}hrend C$^+$-Ionen-Implantation}",
1374   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1375                  and B. Stritzker",
1376   year =         "2004",
1377   month =        "02",
1378   note =         "AKF-Fr{\"u}hjahrstagung der DPG, Regensburg, 02/2004,
1379                  DS 1.4",
1380 }
1381
1382 @Misc{talk2005,
1383   title =        "{Kinetik des Selbstorganisationsvorganges bei der
1384                  Bildung von SiC$_x$-Ausscheidungs-Arrays in
1385                  C$^+$-Ionen-implantierten Silizium}",
1386   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1387                  and B. Stritzker",
1388   year =         "2005",
1389   month =        "02",
1390   note =         "69. Jahrestagung der DPG, Berlin, 02/2005, DS 8.6",
1391 }
1392
1393 @Misc{talk2008,
1394   title =        "Molecular dynamics simulation study of the silicon
1395                  carbide precipitation process",
1396   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1397                  B. Stritzker",
1398   year =         "2008",
1399   month =        "01",
1400   note =         "72. Annual Meeting and DPG-Spring Meeting 2008,
1401                  Berlin, 01/2008, DS 42.2",
1402 }
1403
1404 @Misc{poster2006,
1405   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganization
1406                  process leading to ordered precipitate structures",
1407   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1408                  and B. Stritzker",
1409   year =         "2006",
1410   month =        "09",
1411   note =         "IBMM 2006, Taormina (Sicily), 09/2006, M243",
1412 }
1413
1414 @Article{zirkelbach2007,
1415   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1416                  process leading to ordered precipitate structures",
1417   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1418                  and B. Stritzker",
1419   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1420   volume =       "257",
1421   number =       "1--2",
1422   pages =        "75--79",
1423   numpages =     "5",
1424   year =         "2007",
1425   month =        apr,
1426   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1427   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1428                  NETHERLANDS",
1429   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1430                  amorphous precipitates have been observed after
1431                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1432                  of ion/target combinations at certain implantation
1433                  conditions. A model describing the ordering process
1434                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1435                  inclusions as a result of the density change upon
1436                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1437                  code, which focuses on high-fluence carbon
1438                  implantations into silicon, is able to reproduce
1439                  experimentally observed nanolamella distributions as
1440                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1441                  By means of simulation, the selforganisation process
1442                  becomes traceable and detailed information about the
1443                  compositional and structural state during the ordering
1444                  process is obtained. Based on simulation results, a
1445                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1446                  ordered lamellar structures.",
1447 }
1448
1449 @Article{zirkelbach2006,
1450   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1451                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1452                  during ion irradiation",
1453   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1454                  and B. Stritzker",
1455   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1456   volume =       "242",
1457   number =       "1--2",
1458   pages =        "679--682",
1459   numpages =     "4",
1460   year =         "2006",
1461   month =        jan,
1462   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1463   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1464                  NETHERLANDS",
1465   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1466                  drastic density change upon amorphization at certain
1467                  implantation conditions results in periodically
1468                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1469                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1470                  phenomenon is introduced and implemented in a
1471                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1472                  conditions for observing lamellar precipitates are
1473                  specified and additional information about the
1474                  compositional and structural state during the ordering
1475                  process is gained.",
1476 }
1477
1478 @Article{zirkelbach2005,
1479   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1480                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1481                  ion irradiation",
1482   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1483                  and B. Stritzker",
1484   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1485   volume =       "33",
1486   number =       "1--3",
1487   pages =        "310--316",
1488   numpages =     "7",
1489   year =         "2005",
1490   month =        apr,
1491   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1492   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1493                  NETHERLANDS",
1494   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1495                  density change upon amorphization have been shown to
1496                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1497                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1498                  order to better understand the process a
1499                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1500                  developed. In the present work we focus on high-dose
1501                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1502                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1503                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1504                  Necessary conditions can be specified for the
1505                  self-organization process and information is gained
1506                  about the compositional and structural state during the
1507                  ordering process which is difficult to be obtained by
1508                  experiment.",
1509 }
1510
1511 @Article{zirkelbach09,
1512   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1513                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1514   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1515   volume =       "159-160",
1516   number =       "",
1517   pages =        "149--152",
1518   year =         "2009",
1519   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1520                  Silicon Materials Research for Electronic and
1521                  Photovoltaic Applications",
1522   ISSN =         "0921-5107",
1523   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1524   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1525   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1526                  B. Stritzker",
1527   keywords =     "Silicon",
1528   keywords =     "Carbon",
1529   keywords =     "Silicon carbide",
1530   keywords =     "Nucleation",
1531   keywords =     "Defect formation",
1532   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1533   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1534                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1535                  understood. High resolution transmission electron
1536                  microscopy observations suggest that in a first step
1537                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1538                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1539                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1540                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1541                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1542                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1543                  precipitation process can be obtained on the atomic
1544                  level. A recently proposed parametrization of a
1545                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1546                  system appropriately. Preliminary results gained by
1547                  molecular dynamics simulations using this potential are
1548                  presented.",
1549 }
1550
1551 @Article{zirkelbach10,
1552   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1553                  classical potentials and first-principles methods",
1554   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1555                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1556   journal =      "Phys. Rev. B",
1557   volume =       "82",
1558   number =       "9",
1559   pages =        "094110",
1560   numpages =     "6",
1561   year =         "2010",
1562   month =        sep,
1563   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1564   publisher =    "American Physical Society",
1565   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1566                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1567                  using classical potentials are compared to
1568                  first-principles density-functional theory calculations
1569                  of the geometries, formation, and activation energies
1570                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1571                  importance of a quantum-mechanical description of this
1572                  system. In contrast to previous studies, the present
1573                  first-principles calculations of the interstitial
1574                  carbon migration path yield an activation energy that
1575                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1576                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1577                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1578                  calculations.",
1579 }
1580
1581 @Article{zirkelbach11,
1582   journal =      "Phys. Rev. B",
1583   month =        aug,
1584   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1585   publisher =    "American Physical Society",
1586   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1587                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1588   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1589                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1590                  silicon",
1591   year =         "2011",
1592   pages =        "064126",
1593   numpages =     "18",
1594   volume =       "84",
1595   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1596   issue =        "6",
1597   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1598                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1599                  potential and first-principles methods are presented.
1600                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1601                  understanding of the precipitation mechanism in the
1602                  context of controversial discussions in the literature.
1603                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1604                  assumed in the precipitation process are calculated in
1605                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1606                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1607                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1608                  are investigated using density functional theory
1609                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1610                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1611                  as well as a silicon self-interstitial has been
1612                  investigated systematically. Interactions of various
1613                  combinations of defects have been characterized
1614                  including a couple of selected migration pathways
1615                  within these configurations. Almost all of the
1616                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1617                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1618                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1619                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1620                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1621                  radius has been observed for pairs of interstitial
1622                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1623                  rather small capture radius is predicted for
1624                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1625                  Initial assumptions regarding the precipitation
1626                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1627                  established and conformability to experimental findings
1628                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1629                  first-principles calculations on defects and carbon
1630                  diffusion in silicon are compared to results of
1631                  classical potential simulations revealing significant
1632                  limitations of the latter method. An approach to work
1633                  around this problem is proposed. Finally, results of
1634                  the classical potential molecular dynamics simulations
1635                  of large systems are examined, which reinforce previous
1636                  assumptions and give further insight into basic
1637                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1638 }
1639
1640 @Article{zirkelbach12,
1641   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
1642                  G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
1643   title =        "First-principles and empirical potential simulation
1644                  study of intrinsic and carbon-related defects in
1645                  silicon",
1646   journal =      "phys. status solidi (c)",
1647   volume =       "9",
1648   number =       "10-11",
1649   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
1650   ISSN =         "1610-1642",
1651   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
1652   doi =          "10.1002/pssc.201200198",
1653   pages =        "1968--1973",
1654   keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
1655                  defect migration, density functional theory, empirical
1656                  potential, molecular dynamics",
1657   year =         "2012",
1658   abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
1659                  understanding precipitation of the highly attractive
1660                  wide band gap semiconductor material silicon carbide in
1661                  silicon are presented. The study involves a systematic
1662                  investigation of intrinsic and carbon-related defects
1663                  as well as defect combinations and defect migration by
1664                  both, quantummechanical first-principles as well as
1665                  empirical potential methods. Comparing formation and
1666                  activation energies, ground-state structures of defects
1667                  and defect combinations as well as energetically
1668                  favorable agglomeration of defects are predicted.
1669                  Moreover, accurate ab initio calculations unveil
1670                  limitations of the analytical method based on a
1671                  Tersoff-like bond order potential. A work-around is
1672                  proposed in order to subsequently apply the highly
1673                  efficient technique on large structures not accessible
1674                  by first-principles methods. The outcome of both types
1675                  of simulation provides a basic microscopic
1676                  understanding of defect formation and structural
1677                  evolution particularly at non-equilibrium conditions
1678                  strongly deviated from the ground state as commonly
1679                  found in SiC growth processes. A possible precipitation
1680                  mechanism, which conforms well to experimental findings
1681                  and clarifies contradictory views present in the
1682                  literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH \&
1683                  Co. KGaA, Weinheim)",
1684 }
1685
1686 @Article{zirkelbach15,
1687   title =        "Large-scale atomic effective pseudopotential program
1688                  including an efficient spin-orbit coupling treatment in
1689                  real space",
1690   author =       "F. Zirkelbach and P.-Y. Prodhomme and Peng Han and R.
1691                  Cherian and G. Bester",
1692   journal =      "Phys. Rev. B",
1693   volume =       "91",
1694   issue =        "7",
1695   pages =        "075119",
1696   numpages =     "16",
1697   year =         "2015",
1698   month =        feb,
1699   publisher =    "American Physical Society",
1700   doi =          "10.1103/PhysRevB.91.075119",
1701   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.91.075119",
1702   abstract =     "Within the scheme of the {\em Large-scale Atomic
1703                  Effective Pseudopotential Program}, the Schr{\"o}dinger
1704                  equation of an electronic system is solved within an
1705                  effective single-particle approach. Although not
1706                  limited to, it focuses on the recently introduced
1707                  atomic effective pseudopotentials derived from screened
1708                  local effective crystal potentials as obtained from
1709                  self-consistent density functional theory calculations.
1710                  Plane waves are used to expand the wavefunctions. The
1711                  problem can be solved in both, real and reciprocal
1712                  space. Using atomic effective pseudopotentials, a
1713                  self-consistency cycle is not required, which
1714                  drastically reduces the computational effort.
1715                  Furthermore, without having to find a self-consistent
1716                  solution, which would require the determination of all
1717                  eigenstates, iterative solvers can be used to focus
1718                  only on a few eigenstates in the vicinity of a
1719                  reference energy, e.g.\ around the band gap of a
1720                  semiconductor. Hence, this approach is particularly
1721                  well suited for theoretical investigations of the
1722                  electronic structure of semiconductor nanostructures
1723                  consisting of up to several thousands of atoms.
1724                  Moreover, a novel and efficient real space treatment of
1725                  spin-orbit coupling within the pseudopotential
1726                  framework is proposed in this work allowing for a fully
1727                  relativistic description.",
1728 }
1729
1730 @Article{lindner95,
1731   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1732                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1733   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1734                  Layers in Silicon",
1735   journal =      "MRS Proc.",
1736   volume =       "354",
1737   number =       "",
1738   pages =        "171",
1739   year =         "1994",
1740   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1741   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1742   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1743 }
1744
1745 @Article{lindner96,
1746   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1747                  in silicon by ion beam synthesis",
1748   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1749   volume =       "46",
1750   number =       "2-3",
1751   pages =        "147--155",
1752   year =         "1996",
1753   note =         "",
1754   ISSN =         "0254-0584",
1755   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1756   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1757   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1758                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1759                  Stritzker",
1760   notes =        "dose window",
1761 }
1762
1763 @Article{calcagno96,
1764   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1765                  ion implantation",
1766   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1767   volume =       "120",
1768   number =       "1-4",
1769   pages =        "121--124",
1770   year =         "1996",
1771   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1772                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1773   ISSN =         "0168-583X",
1774   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1775   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1776   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1777                  Grimaldi and P. Musumeci",
1778   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1779 }
1780
1781 @Article{lindner98,
1782   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1783                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1784   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1785   volume =       "264-268",
1786   pages =        "215--218",
1787   year =         "1998",
1788   note =         "",
1789   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1790   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1791   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1792   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1793                  crystallinity",
1794 }
1795
1796 @Article{lindner99,
1797   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1798                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1799                  layers in silicon",
1800   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1801   volume =       "147",
1802   number =       "1-4",
1803   pages =        "249--255",
1804   year =         "1999",
1805   note =         "",
1806   ISSN =         "0168-583X",
1807   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1808   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1809   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1810   notes =        "two-step implantation process",
1811 }
1812
1813 @Article{lindner99_2,
1814   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1815                  in silicon",
1816   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1817   volume =       "148",
1818   number =       "1-4",
1819   pages =        "528--533",
1820   year =         "1999",
1821   ISSN =         "0168-583X",
1822   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1823   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1824   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1825   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1826 }
1827
1828 @Article{lindner01,
1829   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1830                  Basic physical processes",
1831   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1832   volume =       "178",
1833   number =       "1-4",
1834   pages =        "44--54",
1835   year =         "2001",
1836   note =         "",
1837   ISSN =         "0168-583X",
1838   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1839   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1840   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1841 }
1842
1843 @Article{lindner02,
1844   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1845                  fundamental studies for new technological tricks",
1846   author =       "J. K. N. Lindner",
1847   journal =      "Appl. Phys. A",
1848   volume =       "77",
1849   pages =        "27--38",
1850   year =         "2003",
1851   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1852   notes =        "ibs, burried sic layers",
1853 }
1854
1855 @Article{lindner06,
1856   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1857                  formation and displacive precipitate resolution in the
1858                  {C}-Si system",
1859   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1860   volume =       "26",
1861   number =       "5-7",
1862   pages =        "857--861",
1863   year =         "2006",
1864   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1865                  Applications",
1866   ISSN =         "0928-4931",
1867   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1868   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1869   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1870                  and B. Stritzker",
1871   notes =        "c int diffusion barrier",
1872 }
1873
1874 @Article{haeberlen10,
1875   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1876                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1877   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1878   volume =       "312",
1879   number =       "6",
1880   pages =        "762--769",
1881   year =         "2010",
1882   note =         "",
1883   ISSN =         "0022-0248",
1884   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1885   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1886   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1887                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1888 }
1889
1890 @Article{ito04,
1891   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1892                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1893                  growth",
1894   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1895   volume =       "238",
1896   number =       "1-4",
1897   pages =        "159--164",
1898   year =         "2004",
1899   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1900   ISSN =         "0169-4332",
1901   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1902   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1903   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1904                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1905   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1906 }
1907
1908 @Article{yamamoto04,
1909   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1910                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1911                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1912   journal =      "J. Cryst. Growth",
1913   volume =       "261",
1914   number =       "2-3",
1915   pages =        "266--270",
1916   year =         "2004",
1917   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1918                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1919   ISSN =         "0022-0248",
1920   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1921   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1922   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1923                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1924   notes =        "gan on 3c-sic",
1925 }
1926
1927 @Article{liu_l02,
1928   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1929   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1930   volume =       "37",
1931   number =       "3",
1932   pages =        "61--127",
1933   year =         "2002",
1934   note =         "",
1935   ISSN =         "0927-796X",
1936   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1937   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1938   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1939   notes =        "gan substrates",
1940 }
1941
1942 @Article{takeuchi91,
1943   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1944                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1945   journal =      "J. Cryst. Growth",
1946   volume =       "115",
1947   number =       "1-4",
1948   pages =        "634--638",
1949   year =         "1991",
1950   note =         "",
1951   ISSN =         "0022-0248",
1952   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1953   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1954   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1955                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1956   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1957 }
1958
1959 @Article{alder57,
1960   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1961   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1962   publisher =    "AIP",
1963   year =         "1957",
1964   journal =      "J. Chem. Phys.",
1965   volume =       "27",
1966   number =       "5",
1967   pages =        "1208--1209",
1968   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1969   doi =          "10.1063/1.1743957",
1970 }
1971
1972 @Article{alder59,
1973   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1974   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1975   publisher =    "AIP",
1976   year =         "1959",
1977   journal =      "J. Chem. Phys.",
1978   volume =       "31",
1979   number =       "2",
1980   pages =        "459--466",
1981   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1982   doi =          "10.1063/1.1730376",
1983 }
1984
1985 @Article{horsfield96,
1986   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1987   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1988                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1989   journal =      "Phys. Rev. B",
1990   volume =       "53",
1991   number =       "19",
1992   pages =        "12694--12712",
1993   numpages =     "18",
1994   year =         "1996",
1995   month =        may,
1996   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1997   publisher =    "American Physical Society",
1998 }
1999
2000 @Article{abell85,
2001   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
2002                  and metallic bonding",
2003   author =       "G. C. Abell",
2004   journal =      "Phys. Rev. B",
2005   volume =       "31",
2006   number =       "10",
2007   pages =        "6184--6196",
2008   numpages =     "12",
2009   year =         "1985",
2010   month =        may,
2011   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
2012   publisher =    "American Physical Society",
2013 }
2014
2015 @Article{tersoff_si1,
2016   title =        "New empirical model for the structural properties of
2017                  silicon",
2018   author =       "J. Tersoff",
2019   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2020   volume =       "56",
2021   number =       "6",
2022   pages =        "632--635",
2023   numpages =     "3",
2024   year =         "1986",
2025   month =        feb,
2026   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
2027   publisher =    "American Physical Society",
2028 }
2029
2030 @Article{dodson87,
2031   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
2032                  silicon",
2033   author =       "Brian W. Dodson",
2034   journal =      "Phys. Rev. B",
2035   volume =       "35",
2036   number =       "6",
2037   pages =        "2795--2798",
2038   numpages =     "3",
2039   year =         "1987",
2040   month =        feb,
2041   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
2042   publisher =    "American Physical Society",
2043 }
2044
2045 @Article{tersoff_si2,
2046   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
2047                  covalent systems",
2048   author =       "J. Tersoff",
2049   journal =      "Phys. Rev. B",
2050   volume =       "37",
2051   number =       "12",
2052   pages =        "6991--7000",
2053   numpages =     "9",
2054   year =         "1988",
2055   month =        apr,
2056   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
2057   publisher =    "American Physical Society",
2058 }
2059
2060 @Article{tersoff_si3,
2061   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
2062                  improved elastic properties",
2063   author =       "J. Tersoff",
2064   journal =      "Phys. Rev. B",
2065   volume =       "38",
2066   number =       "14",
2067   pages =        "9902--9905",
2068   numpages =     "3",
2069   year =         "1988",
2070   month =        nov,
2071   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
2072   publisher =    "American Physical Society",
2073 }
2074
2075 @Article{tersoff_c,
2076   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
2077                  Applications to Amorphous Carbon",
2078   author =       "J. Tersoff",
2079   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2080   volume =       "61",
2081   number =       "25",
2082   pages =        "2879--2882",
2083   numpages =     "3",
2084   year =         "1988",
2085   month =        dec,
2086   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
2087   publisher =    "American Physical Society",
2088 }
2089
2090 @Article{tersoff_m,
2091   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
2092                  for multicomponent systems",
2093   author =       "J. Tersoff",
2094   journal =      "Phys. Rev. B",
2095   volume =       "39",
2096   number =       "8",
2097   pages =        "5566--5568",
2098   numpages =     "2",
2099   year =         "1989",
2100   month =        mar,
2101   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
2102   publisher =    "American Physical Society",
2103 }
2104
2105 @Article{tersoff90,
2106   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
2107   author =       "J. Tersoff",
2108   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2109   volume =       "64",
2110   number =       "15",
2111   pages =        "1757--1760",
2112   numpages =     "3",
2113   year =         "1990",
2114   month =        apr,
2115   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
2116   publisher =    "American Physical Society",
2117 }
2118
2119 @Article{fahey89,
2120   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
2121   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
2122   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2123   volume =       "61",
2124   number =       "2",
2125   pages =        "289--384",
2126   numpages =     "95",
2127   year =         "1989",
2128   month =        apr,
2129   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
2130   publisher =    "American Physical Society",
2131 }
2132
2133 @Article{wesch96,
2134   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2135   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2136   volume =       "116",
2137   number =       "1-4",
2138   pages =        "305--321",
2139   year =         "1996",
2140   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2141   ISSN =         "0168-583X",
2142   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2143   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2144   author =       "W. Wesch",
2145 }
2146
2147 @Article{davis91,
2148   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2149                  Palmour and J. A. Edmond",
2150   journal =      "Proc. IEEE",
2151   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2152                  optoelectronic device fabrication and characterization
2153                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2154   year =         "1991",
2155   month =        may,
2156   volume =       "79",
2157   number =       "5",
2158   pages =        "677--701",
2159   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2160                  diode;SiC;dry etching;electrical
2161                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2162                  device fabrication;solid-state devices;surface
2163                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2164                  transistors;Schottky-barrier
2165                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2166                  transistors;insulated gate field effect
2167                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2168                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2169   doi =          "10.1109/5.90132",
2170   ISSN =         "0018-9219",
2171   notes =        "sic growth methods",
2172 }
2173
2174 @Article{morkoc94,
2175   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2176                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2177   collaboration = "",
2178   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2179                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2180   publisher =    "AIP",
2181   year =         "1994",
2182   journal =      "J. Appl. Phys.",
2183   volume =       "76",
2184   number =       "3",
2185   pages =        "1363--1398",
2186   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2187                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2188                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2189                  FILMS; INDUSTRY",
2190   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2191   doi =          "10.1063/1.358463",
2192   notes =        "sic intro, properties",
2193 }
2194
2195 @Article{foo,
2196   author =       "Noch Unbekannt",
2197   title =        "How to find references",
2198   journal =      "Journal of Applied References",
2199   year =         "2009",
2200   volume =       "77",
2201   pages =        "1--23",
2202 }
2203
2204 @Article{tang95,
2205   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2206                  \beta{}-Si{C}",
2207   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2208   journal =      "Phys. Rev. B",
2209   volume =       "52",
2210   number =       "21",
2211   pages =        "15150--15159",
2212   numpages =     "9",
2213   year =         "1995",
2214   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2215   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2216                  tersoff reparametrization",
2217   publisher =    "American Physical Society",
2218 }
2219
2220 @Article{sarro00,
2221   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2222   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2223   volume =       "82",
2224   number =       "1-3",
2225   pages =        "210--218",
2226   year =         "2000",
2227   ISSN =         "0924-4247",
2228   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2229   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2230   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2231   keywords =     "MEMS",
2232   keywords =     "Silicon carbide",
2233   keywords =     "Micromachining",
2234   keywords =     "Mechanical stress",
2235 }
2236
2237 @Article{casady96,
2238   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2239                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2240                  review",
2241   journal =      "Solid-State Electron.",
2242   volume =       "39",
2243   number =       "10",
2244   pages =        "1409--1422",
2245   year =         "1996",
2246   ISSN =         "0038-1101",
2247   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2248   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2249   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2250   notes =        "sic intro",
2251 }
2252
2253 @Article{giancarli98,
2254   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2255                  structural material in fusion power reactor blankets",
2256   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2257   volume =       "41",
2258   number =       "1-4",
2259   pages =        "165--171",
2260   year =         "1998",
2261   ISSN =         "0920-3796",
2262   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2263   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2264   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2265                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2266 }
2267
2268 @Article{pensl93,
2269   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2270   journal =      "Physica B",
2271   volume =       "185",
2272   number =       "1-4",
2273   pages =        "264--283",
2274   year =         "1993",
2275   ISSN =         "0921-4526",
2276   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2277   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2278   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2279 }
2280
2281 @Article{tairov78,
2282   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2283                  carbide single crystals",
2284   journal =      "J. Cryst. Growth",
2285   volume =       "43",
2286   number =       "2",
2287   pages =        "209--212",
2288   year =         "1978",
2289   notes =        "modified lely process",
2290   ISSN =         "0022-0248",
2291   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2293   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2294 }
2295
2296 @Article{tairov81,
2297   title =        "General principles of growing large-size single
2298                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2299   journal =      "J. Cryst. Growth",
2300   volume =       "52",
2301   number =       "Part 1",
2302   pages =        "146--150",
2303   year =         "1981",
2304   note =         "",
2305   ISSN =         "0022-0248",
2306   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2307   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2308   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2309 }
2310
2311 @Article{barrett91,
2312   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2313   journal =      "J. Cryst. Growth",
2314   volume =       "109",
2315   number =       "1-4",
2316   pages =        "17--23",
2317   year =         "1991",
2318   note =         "",
2319   ISSN =         "0022-0248",
2320   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2321   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2322   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2323                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2324 }
2325
2326 @Article{barrett93,
2327   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2328   journal =      "J. Cryst. Growth",
2329   volume =       "128",
2330   number =       "1-4",
2331   pages =        "358--362",
2332   year =         "1993",
2333   note =         "",
2334   ISSN =         "0022-0248",
2335   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2336   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2337   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2338                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2339                  W. J. Choyke",
2340 }
2341
2342 @Article{stein93,
2343   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2344                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2345                  sublimation method",
2346   journal =      "J. Cryst. Growth",
2347   volume =       "131",
2348   number =       "1-2",
2349   pages =        "71--74",
2350   year =         "1993",
2351   note =         "",
2352   ISSN =         "0022-0248",
2353   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2355   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2356   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2357 }
2358
2359 @Article{nishino83,
2360   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2361                  Will",
2362   collaboration = "",
2363   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2364                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2365   publisher =    "AIP",
2366   year =         "1983",
2367   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2368   volume =       "42",
2369   number =       "5",
2370   pages =        "460--462",
2371   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2372                  monocrystals",
2373   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2374   doi =          "10.1063/1.93970",
2375   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2376 }
2377
2378 @Article{nagasawa06,
2379   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2380   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2381   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2382   volume =       "12",
2383   number =       "8-9",
2384   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2385   ISSN =         "1521-3862",
2386   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2387   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2388   pages =        "502--508",
2389   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2390   year =         "2006",
2391   notes =        "cvd on si",
2392 }
2393
2394 @Article{nishino87,
2395   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2396                  and Hiroyuki Matsunami",
2397   collaboration = "",
2398   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2399                  Si{C} on silicon",
2400   publisher =    "AIP",
2401   year =         "1987",
2402   journal =      "J. Appl. Phys.",
2403   volume =       "61",
2404   number =       "10",
2405   pages =        "4889--4893",
2406   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2407   doi =          "10.1063/1.338355",
2408   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2409                  carbonization",
2410 }
2411
2412 @Article{powell87,
2413   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2414                  Kuczmarski",
2415   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2416                  Single-Crystal Films on Si",
2417   publisher =    "ECS",
2418   year =         "1987",
2419   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2420   volume =       "134",
2421   number =       "6",
2422   pages =        "1558--1565",
2423   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2424                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2425   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2426   doi =          "10.1149/1.2100708",
2427   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2428 }
2429
2430 @Article{powell87_2,
2431   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2432                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2433   collaboration = "",
2434   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2435                  off-axis Si substrates",
2436   publisher =    "AIP",
2437   year =         "1987",
2438   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2439   volume =       "51",
2440   number =       "11",
2441   pages =        "823--825",
2442   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2443                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2444                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2445                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2446                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2447   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2448   doi =          "10.1063/1.98824",
2449   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2450 }
2451
2452 @Article{ueda90,
2453   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2454   journal =      "J. Cryst. Growth",
2455   volume =       "104",
2456   number =       "3",
2457   pages =        "695--700",
2458   year =         "1990",
2459   note =         "",
2460   ISSN =         "0022-0248",
2461   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2462   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2463   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2464                  Matsunami",
2465   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2466 }
2467
2468 @Article{kimoto93,
2469   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2470                  and Hiroyuki Matsunami",
2471   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2472                  epitaxy",
2473   publisher =    "AIP",
2474   year =         "1993",
2475   journal =      "J. Appl. Phys.",
2476   volume =       "73",
2477   number =       "2",
2478   pages =        "726--732",
2479   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2480                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2481                  VAPOR DEPOSITION",
2482   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2483   doi =          "10.1063/1.353329",
2484   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2485 }
2486
2487 @Article{powell90_2,
2488   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2489                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2490                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2491   collaboration = "",
2492   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2493                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2494   publisher =    "AIP",
2495   year =         "1990",
2496   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2497   volume =       "56",
2498   number =       "15",
2499   pages =        "1442--1444",
2500   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2501                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2502                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2503                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2504   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2505   doi =          "10.1063/1.102492",
2506   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2507 }
2508
2509 @Article{kong88_2,
2510   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2511   collaboration = "",
2512   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2513                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2514                  substrates",
2515   publisher =    "AIP",
2516   year =         "1988",
2517   journal =      "J. Appl. Phys.",
2518   volume =       "64",
2519   number =       "5",
2520   pages =        "2672--2679",
2521   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2522                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2523                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2524                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2525                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2526   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2527   doi =          "10.1063/1.341608",
2528 }
2529
2530 @Article{powell90,
2531   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2532                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2533                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2534   collaboration = "",
2535   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2536                  6{H}-Si{C} substrates",
2537   publisher =    "AIP",
2538   year =         "1990",
2539   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2540   volume =       "56",
2541   number =       "14",
2542   pages =        "1353--1355",
2543   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2544                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2545                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2546                  PHASE EPITAXY",
2547   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2548   doi =          "10.1063/1.102512",
2549   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2550 }
2551
2552 @Article{kong88,
2553   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2554                  Rozgonyi and K. L. More",
2555   collaboration = "",
2556   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2557                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2558                  substrates",
2559   publisher =    "AIP",
2560   year =         "1988",
2561   journal =      "J. Appl. Phys.",
2562   volume =       "63",
2563   number =       "8",
2564   pages =        "2645--2650",
2565   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2566                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2567                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2568                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2569                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2570   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2571   doi =          "10.1063/1.341004",
2572 }
2573
2574 @Article{powell91,
2575   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2576                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2577                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2578   collaboration = "",
2579   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2580                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2581   publisher =    "AIP",
2582   year =         "1991",
2583   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2584   volume =       "59",
2585   number =       "3",
2586   pages =        "333--335",
2587   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2588                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2589                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2590   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2591   doi =          "10.1063/1.105587",
2592 }
2593
2594 @Article{yuan95,
2595   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2596                  Thokala and M. J. Loboda",
2597   collaboration = "",
2598   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2599                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2600                  silacyclobutane",
2601   publisher =    "AIP",
2602   year =         "1995",
2603   journal =      "J. Appl. Phys.",
2604   volume =       "78",
2605   number =       "2",
2606   pages =        "1271--1273",
2607   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2608                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2609                  SPECTROPHOTOMETRY",
2610   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2611   doi =          "10.1063/1.360368",
2612   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2613 }
2614
2615 @Article{kaneda87,
2616   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2617                  properties of its p-n junction",
2618   journal =      "J. Cryst. Growth",
2619   volume =       "81",
2620   number =       "1-4",
2621   pages =        "536--542",
2622   year =         "1987",
2623   note =         "",
2624   ISSN =         "0022-0248",
2625   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2626   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2627   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2628                  and Takao Tanaka",
2629   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2630 }
2631
2632 @Article{fissel95,
2633   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2634                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2635                  molecular beam epitaxy",
2636   journal =      "J. Cryst. Growth",
2637   volume =       "154",
2638   number =       "1-2",
2639   pages =        "72--80",
2640   year =         "1995",
2641   ISSN =         "0022-0248",
2642   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2643   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2644   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2645                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2646   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2647 }
2648
2649 @Article{fissel95_apl,
2650   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2651   collaboration = "",
2652   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2653                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2654   publisher =    "AIP",
2655   year =         "1995",
2656   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2657   volume =       "66",
2658   number =       "23",
2659   pages =        "3182--3184",
2660   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2661                  RHEED; NUCLEATION",
2662   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2663   doi =          "10.1063/1.113716",
2664   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2665 }
2666
2667 @Article{fissel96,
2668   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2669                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2670   collaboration = "",
2671   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2672                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2673                  level using surface superstructures",
2674   publisher =    "AIP",
2675   year =         "1996",
2676   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2677   volume =       "68",
2678   number =       "9",
2679   pages =        "1204--1206",
2680   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2681                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2682                  SURFACE STRUCTURE",
2683   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2684   doi =          "10.1063/1.115969",
2685   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2686 }
2687
2688 @Article{righi03,
2689   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2690   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2691                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2692   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2693   volume =       "91",
2694   number =       "13",
2695   pages =        "136101",
2696   numpages =     "4",
2697   year =         "2003",
2698   month =        sep,
2699   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2700   publisher =    "American Physical Society",
2701   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2702 }
2703
2704 @Article{borders71,
2705   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2706   collaboration = "",
2707   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2708                  {IMPLANTATION}",
2709   publisher =    "AIP",
2710   year =         "1971",
2711   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2712   volume =       "18",
2713   number =       "11",
2714   pages =        "509--511",
2715   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2716   doi =          "10.1063/1.1653516",
2717   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2718                  ideas",
2719 }
2720
2721 @Article{edelman76,
2722   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2723                  and E. V. Lubopytova",
2724   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2725                  by ion implantation",
2726   publisher =    "Taylor \& Francis",
2727   year =         "1976",
2728   journal =      "Radiat. Eff.",
2729   volume =       "29",
2730   number =       "1",
2731   pages =        "13--15",
2732   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2733   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2734                  single crystalline",
2735 }
2736
2737 @Article{akimchenko80,
2738   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2739                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2740   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2741                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2742   publisher =    "Taylor \& Francis",
2743   year =         "1980",
2744   journal =      "Radiat. Eff.",
2745   volume =       "48",
2746   number =       "1",
2747   pages =        "7",
2748   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2749   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2750 }
2751
2752 @Article{kimura81,
2753   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2754                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2755                  silicon",
2756   journal =      "Thin Solid Films",
2757   volume =       "81",
2758   number =       "4",
2759   pages =        "319--327",
2760   year =         "1981",
2761   note =         "",
2762   ISSN =         "0040-6090",
2763   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2764   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2765   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2766                  Yugo",
2767 }
2768
2769 @Article{kimura82,
2770   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2771                  the implantation of carbon ions into silicon",
2772   journal =      "Thin Solid Films",
2773   volume =       "94",
2774   number =       "3",
2775   pages =        "191--198",
2776   year =         "1982",
2777   note =         "",
2778   ISSN =         "0040-6090",
2779   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2780   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2781   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2782                  Yugo",
2783 }
2784
2785 @Article{reeson86,
2786   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2787                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2788                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2789   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2790                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2791   publisher =    "Taylor \& Francis",
2792   year =         "1986",
2793   journal =      "Radiat. Eff.",
2794   volume =       "99",
2795   number =       "1",
2796   pages =        "71--81",
2797   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2798   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2799                  no c redistribution",
2800 }
2801
2802 @Article{reeson87,
2803   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2804                  J. Davis and G. E. Celler",
2805   collaboration = "",
2806   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2807                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2808   publisher =    "AIP",
2809   year =         "1987",
2810   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2811   volume =       "51",
2812   number =       "26",
2813   pages =        "2242--2244",
2814   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2815                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2816   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2817   doi =          "10.1063/1.98953",
2818   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2819 }
2820
2821 @Article{martin90,
2822   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2823                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2824   collaboration = "",
2825   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2826   publisher =    "AIP",
2827   year =         "1990",
2828   journal =      "J. Appl. Phys.",
2829   volume =       "67",
2830   number =       "6",
2831   pages =        "2908--2912",
2832   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2833                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2834                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2835                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2836                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2837                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2838   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2839   doi =          "10.1063/1.346092",
2840   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2841                  temepratures",
2842 }
2843
2844 @Article{scace59,
2845   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2846   collaboration = "",
2847   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2848   publisher =    "AIP",
2849   year =         "1959",
2850   journal =      "J. Chem. Phys.",
2851   volume =       "30",
2852   number =       "6",
2853   pages =        "1551--1555",
2854   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2855   doi =          "10.1063/1.1730236",
2856   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2857 }
2858
2859 @Article{hofker74,
2860   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2861                  Koeman",
2862   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2863                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2864                  Netherlands",
2865   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2866                  charge carrier and boron concentration profiles",
2867   journal =      "Appl. Phys. A",
2868   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2869   ISSN =         "0947-8396",
2870   keyword =      "Physics and Astronomy",
2871   pages =        "125--133",
2872   volume =       "4",
2873   issue =        "2",
2874   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2875   note =         "10.1007/BF00884267",
2876   year =         "1974",
2877   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2878 }
2879
2880 @Article{michel87,
2881   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2882                  H. Kastl",
2883   collaboration = "",
2884   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2885                  implanted boron into silicon",
2886   publisher =    "AIP",
2887   year =         "1987",
2888   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2889   volume =       "50",
2890   number =       "7",
2891   pages =        "416--418",
2892   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2893                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2894                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2895   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2896   doi =          "10.1063/1.98160",
2897   notes =        "ted of boron in si",
2898 }
2899
2900 @Article{cowern90,
2901   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2902                  Jos",
2903   collaboration = "",
2904   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2905                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2906                  profiles",
2907   publisher =    "AIP",
2908   year =         "1990",
2909   journal =      "J. Appl. Phys.",
2910   volume =       "68",
2911   number =       "12",
2912   pages =        "6191--6198",
2913   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2914                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2915                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2916   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2917   doi =          "10.1063/1.346910",
2918   notes =        "ted of boron in si",
2919 }
2920
2921 @Article{cowern96,
2922   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2923                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2924   collaboration = "",
2925   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2926                  {B} in silicon",
2927   publisher =    "AIP",
2928   year =         "1996",
2929   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2930   volume =       "68",
2931   number =       "8",
2932   pages =        "1150--1152",
2933   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2934                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2935                  SILICON",
2936   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2937   doi =          "10.1063/1.115706",
2938   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2939 }
2940
2941 @Article{stolk95,
2942   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2943                  of the silicon self-interstitial",
2944   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2945   volume =       "96",
2946   number =       "1-2",
2947   pages =        "187--195",
2948   year =         "1995",
2949   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2950                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2951   ISSN =         "0168-583X",
2952   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2953   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2954   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2955                  and J. M. Poate",
2956 }
2957
2958 @Article{stolk97,
2959   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2960                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2961                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2962                  E. Haynes",
2963   collaboration = "",
2964   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2965                  diffusion in ion-implanted silicon",
2966   publisher =    "AIP",
2967   year =         "1997",
2968   journal =      "J. Appl. Phys.",
2969   volume =       "81",
2970   number =       "9",
2971   pages =        "6031--6050",
2972   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2973   doi =          "10.1063/1.364452",
2974   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2975 }
2976
2977 @Article{powell94,
2978   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2979   collaboration = "",
2980   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2981                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2982   publisher =    "AIP",
2983   year =         "1994",
2984   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2985   volume =       "64",
2986   number =       "3",
2987   pages =        "324--326",
2988   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2989                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2990                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2991                  SYNTHESIS",
2992   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2993   doi =          "10.1063/1.111195",
2994   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2995 }
2996
2997 @Article{soref91,
2998   author =       "Richard A. Soref",
2999   collaboration = "",
3000   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
3001                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
3002   publisher =    "AIP",
3003   year =         "1991",
3004   journal =      "J. Appl. Phys.",
3005   volume =       "70",
3006   number =       "4",
3007   pages =        "2470--2472",
3008   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
3009                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
3010                  TERNARY ALLOYS",
3011   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
3012   doi =          "10.1063/1.349403",
3013   notes =        "band gap of strained si by c",
3014 }
3015
3016 @Article{kasper91,
3017   author =       "E Kasper",
3018   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
3019                  possibility to produce direct band gap material",
3020   journal =      "Phys. Scr.",
3021   volume =       "T35",
3022   pages =        "232--236",
3023   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
3024   year =         "1991",
3025   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
3026                  quasi-direct one",
3027 }
3028
3029 @Article{eberl92,
3030   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
3031                  and F. K. LeGoues",
3032   collaboration = "",
3033   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
3034                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
3035   publisher =    "AIP",
3036   year =         "1992",
3037   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3038   volume =       "60",
3039   number =       "24",
3040   pages =        "3033--3035",
3041   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
3042                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
3043                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
3044                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
3045                  STUDIES",
3046   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
3047   doi =          "10.1063/1.106774",
3048 }
3049
3050 @Article{powell93,
3051   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
3052                  Ek and S. S. Iyer",
3053   collaboration = "",
3054   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
3055                  alloy layers",
3056   publisher =    "AVS",
3057   year =         "1993",
3058   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
3059   volume =       "11",
3060   number =       "3",
3061   pages =        "1064--1068",
3062   location =     "Ottawa (Canada)",
3063   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
3064                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
3065                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
3066                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
3067   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
3068   doi =          "10.1116/1.587008",
3069   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3070 }
3071
3072 @Article{powell93_2,
3073   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
3074                  of the ternary system",
3075   journal =      "J. Cryst. Growth",
3076   volume =       "127",
3077   number =       "1-4",
3078   pages =        "425--429",
3079   year =         "1993",
3080   note =         "",
3081   ISSN =         "0022-0248",
3082   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
3083   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
3084   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
3085                  Iyer",
3086 }
3087
3088 @Article{osten94,
3089   author =       "H. J. Osten",
3090   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
3091                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
3092   journal =      "phys. status solidi (a)",
3093   volume =       "145",
3094   number =       "2",
3095   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3096   ISSN =         "1521-396X",
3097   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
3098   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
3099   pages =        "235--245",
3100   year =         "1994",
3101 }
3102
3103 @Article{dietrich94,
3104   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
3105                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
3106   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
3107                  Methfessel and P. Zaumseil",
3108   journal =      "Phys. Rev. B",
3109   volume =       "49",
3110   number =       "24",
3111   pages =        "17185--17190",
3112   numpages =     "5",
3113   year =         "1994",
3114   month =        jun,
3115   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
3116   publisher =    "American Physical Society",
3117 }
3118
3119 @Article{osten94_2,
3120   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
3121   collaboration = "",
3122   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
3123                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
3124   publisher =    "AIP",
3125   year =         "1994",
3126   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3127   volume =       "64",
3128   number =       "25",
3129   pages =        "3440--3442",
3130   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
3131                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
3132                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
3133                  LATTICES",
3134   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3135   doi =          "10.1063/1.111235",
3136   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3137 }
3138
3139 @Article{iyer92,
3140   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3141                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3142   collaboration = "",
3143   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3144                  molecular beam epitaxy",
3145   publisher =    "AIP",
3146   year =         "1992",
3147   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3148   volume =       "60",
3149   number =       "3",
3150   pages =        "356--358",
3151   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3152                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3153                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3154                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3155   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3156   doi =          "10.1063/1.106655",
3157 }
3158
3159 @Article{osten99,
3160   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3161   collaboration = "",
3162   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3163                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3164                  molecular beam epitaxy",
3165   publisher =    "AIP",
3166   year =         "1999",
3167   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3168   volume =       "74",
3169   number =       "6",
3170   pages =        "836--838",
3171   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3172                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3173                  compounds",
3174   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3175   doi =          "10.1063/1.123384",
3176   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3177 }
3178
3179 @Article{born27,
3180   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3181   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3182   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3183   volume =       "389",
3184   number =       "20",
3185   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3186   ISSN =         "1521-3889",
3187   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3188   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3189   pages =        "457--484",
3190   year =         "1927",
3191 }
3192
3193 @Article{hohenberg64,
3194   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3195   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3196   journal =      "Phys. Rev.",
3197   volume =       "136",
3198   number =       "3B",
3199   pages =        "B864--B871",
3200   numpages =     "7",
3201   year =         "1964",
3202   month =        nov,
3203   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3204   publisher =    "American Physical Society",
3205   notes =        "density functional theory, dft",
3206 }
3207
3208 @Article{thomas27,
3209   title =        "The calculation of atomic fields",
3210   author =       "L. H. Thomas",
3211   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3212   volume =       "23",
3213   pages =        "542--548",
3214   year =         "1927",
3215   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3216 }
3217
3218 @Article{fermi27,
3219   title =        "",
3220   author =       "E. Fermi",
3221   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3222                  Rend.",
3223   volume =       "6",
3224   pages =        "602",
3225   year =         "1927",
3226 }
3227
3228 @Article{hartree28,
3229   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3230                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3231   author =       "D. R. Hartree",
3232   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3233   volume =       "24",
3234   pages =        "89--110",
3235   year =         "1928",
3236   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3237 }
3238
3239 @Article{slater29,
3240   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3241   author =       "J. C. Slater",
3242   journal =      "Phys. Rev.",
3243   volume =       "34",
3244   number =       "10",
3245   pages =        "1293--1322",
3246   numpages =     "29",
3247   year =         "1929",
3248   month =        nov,
3249   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3250   publisher =    "American Physical Society",
3251 }
3252
3253 @Article{kohn65,
3254   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3255                  Correlation Effects",
3256   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3257   journal =      "Phys. Rev.",
3258   volume =       "140",
3259   number =       "4A",
3260   pages =        "A1133--A1138",
3261   numpages =     "5",
3262   year =         "1965",
3263   month =        nov,
3264   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3265   publisher =    "American Physical Society",
3266   notes =        "dft, exchange and correlation",
3267 }
3268
3269 @Article{kohn96,
3270   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3271                  Linearly with the Number of Atoms",
3272   author =       "W. Kohn",
3273   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3274   volume =       "76",
3275   number =       "17",
3276   pages =        "3168--3171",
3277   numpages =     "3",
3278   year =         "1996",
3279   month =        apr,
3280   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3281   publisher =    "American Physical Society",
3282 }
3283
3284 @Article{kohn98,
3285   title =        "Edge Electron Gas",
3286   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3287   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3288   volume =       "81",
3289   number =       "16",
3290   pages =        "3487--3490",
3291   numpages =     "3",
3292   year =         "1998",
3293   month =        oct,
3294   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3295   publisher =    "American Physical Society",
3296 }
3297
3298 @Article{kohn99,
3299   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3300                  functions and density functionals",
3301   author =       "W. Kohn",
3302   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3303   volume =       "71",
3304   number =       "5",
3305   pages =        "1253--1266",
3306   numpages =     "13",
3307   year =         "1999",
3308   month =        oct,
3309   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3310   publisher =    "American Physical Society",
3311 }
3312
3313 @Article{payne92,
3314   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3315                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3316                  conjugate gradients",
3317   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3318                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3319   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3320   volume =       "64",
3321   number =       "4",
3322   pages =        "1045--1097",
3323   numpages =     "52",
3324   year =         "1992",
3325   month =        oct,
3326   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3327   publisher =    "American Physical Society",
3328 }
3329
3330 @Article{levy82,
3331   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3332   author =       "Mel Levy",
3333   journal =      "Phys. Rev. A",
3334   volume =       "26",
3335   number =       "3",
3336   pages =        "1200--1208",
3337   numpages =     "8",
3338   year =         "1982",
3339   month =        sep,
3340   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3341   publisher =    "American Physical Society",
3342 }
3343
3344 @Article{ruecker94,
3345   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3346                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3347   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3348                  J. Osten",
3349   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3350   volume =       "72",
3351   number =       "22",
3352   pages =        "3578--3581",
3353   numpages =     "3",
3354   year =         "1994",
3355   month =        may,
3356   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3357   publisher =    "American Physical Society",
3358   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3359                  si, dft",
3360 }
3361
3362 @Article{yagi02,
3363   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3364                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3365                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3366   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3367                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3368   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3369   volume =       "41",
3370   number =       "Part 1, No. 4B",
3371   pages =        "2472--2475",
3372   numpages =     "3",
3373   year =         "2002",
3374   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3375   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3376   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3377   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3378 }
3379
3380 @Article{chang05,
3381   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3382                  Alloy",
3383   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3384   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3385   volume =       "44",
3386   number =       "4B",
3387   pages =        "2257--2262",
3388   numpages =     "5",
3389   year =         "2005",
3390   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3391   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3392   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3393   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3394 }
3395
3396 @Article{kissinger94,
3397   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3398                  Eichler",
3399   collaboration = "",
3400   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3401                  y] layers on Si(001)",
3402   publisher =    "AIP",
3403   year =         "1994",
3404   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3405   volume =       "65",
3406   number =       "26",
3407   pages =        "3356--3358",
3408   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3409                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3410                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3411                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3412   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3413   doi =          "10.1063/1.112390",
3414   notes =        "strained si influence on optical properties",
3415 }
3416
3417 @Article{osten96,
3418   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3419                  Zaumseil",
3420   collaboration = "",
3421   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3422                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3423                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3424   publisher =    "AIP",
3425   year =         "1996",
3426   journal =      "J. Appl. Phys.",
3427   volume =       "80",
3428   number =       "12",
3429   pages =        "6711--6715",
3430   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3431                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3432                  XRD; STRAINS",
3433   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3434   doi =          "10.1063/1.363797",
3435   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3436 }
3437
3438 @Article{osten97,
3439   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3440   collaboration = "",
3441   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3442                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3443                  Si(001)",
3444   publisher =    "AIP",
3445   year =         "1997",
3446   journal =      "J. Appl. Phys.",
3447   volume =       "82",
3448   number =       "10",
3449   pages =        "4977--4981",
3450   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3451                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3452                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3453   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3454   doi =          "10.1063/1.366364",
3455   notes =        "charge transport in strained si",
3456 }
3457
3458 @Article{kapur04,
3459   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3460                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3461   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3462   journal =      "Phys. Rev. B",
3463   volume =       "69",
3464   number =       "15",
3465   pages =        "155214",
3466   numpages =     "8",
3467   year =         "2004",
3468   month =        apr,
3469   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3470   publisher =    "American Physical Society",
3471   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3472 }
3473
3474 @Article{barkema96,
3475   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3476                  Systems",
3477   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3478   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3479   volume =       "77",
3480   number =       "21",
3481   pages =        "4358--4361",
3482   numpages =     "3",
3483   year =         "1996",
3484   month =        nov,
3485   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3486   publisher =    "American Physical Society",
3487   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3488                  dynamic mds",
3489 }
3490
3491 @Article{cances09,
3492   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3493                  Minoukadeh and F. Willaime",
3494   collaboration = "",
3495   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3496                  technique method for finding transition pathways on
3497                  potential energy surfaces",
3498   publisher =    "AIP",
3499   year =         "2009",
3500   journal =      "J. Chem. Phys.",
3501   volume =       "130",
3502   number =       "11",
3503   eid =          "114711",
3504   numpages =     "6",
3505   pages =        "114711",
3506   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3507                  surfaces; vacancies (crystal)",
3508   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3509   doi =          "10.1063/1.3088532",
3510   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3511                  transition pathways",
3512 }
3513
3514 @Article{parrinello81,
3515   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3516   collaboration = "",
3517   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3518                  molecular dynamics method",
3519   publisher =    "AIP",
3520   year =         "1981",
3521   journal =      "J. Appl. Phys.",
3522   volume =       "52",
3523   number =       "12",
3524   pages =        "7182--7190",
3525   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3526                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3527                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3528                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3529                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3530                  IMPACT SHOCK",
3531   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3532   doi =          "10.1063/1.328693",
3533 }
3534
3535 @Article{stillinger85,
3536   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3537                  of silicon",
3538   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3539   journal =      "Phys. Rev. B",
3540   volume =       "31",
3541   number =       "8",
3542   pages =        "5262--5271",
3543   numpages =     "9",
3544   year =         "1985",
3545   month =        apr,
3546   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3547   publisher =    "American Physical Society",
3548 }
3549
3550 @Article{brenner90,
3551   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3552                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3553                  films",
3554   author =       "Donald W. Brenner",
3555   journal =      "Phys. Rev. B",
3556   volume =       "42",
3557   number =       "15",
3558   pages =        "9458--9471",
3559   numpages =     "13",
3560   year =         "1990",
3561   month =        nov,
3562   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3563   publisher =    "American Physical Society",
3564   notes =        "brenner hydro carbons",
3565 }
3566
3567 @Article{bazant96,
3568   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3569                  Cohesive Energy Curves",
3570   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3572   volume =       "77",
3573   number =       "21",
3574   pages =        "4370--4373",
3575   numpages =     "3",
3576   year =         "1996",
3577   month =        nov,
3578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3579   publisher =    "American Physical Society",
3580   notes =        "first si edip",
3581 }
3582
3583 @Article{bazant97,
3584   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3585                  silicon",
3586   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3587                  Justo",
3588   journal =      "Phys. Rev. B",
3589   volume =       "56",
3590   number =       "14",
3591   pages =        "8542--8552",
3592   numpages =     "10",
3593   year =         "1997",
3594   month =        oct,
3595   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3596   publisher =    "American Physical Society",
3597   notes =        "second si edip",
3598 }
3599
3600 @Article{justo98,
3601   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3602                  disordered phases",
3603   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3604                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3605   journal =      "Phys. Rev. B",
3606   volume =       "58",
3607   number =       "5",
3608   pages =        "2539--2550",
3609   numpages =     "11",
3610   year =         "1998",
3611   month =        aug,
3612   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3613   publisher =    "American Physical Society",
3614   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3615 }
3616
3617 @Article{parcas_md,
3618   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3619   author =       "K. Nordlund",
3620   year =         "2008",
3621 }
3622
3623 @Article{voter97,
3624   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3625                  Infrequent Events",
3626   author =       "Arthur F. Voter",
3627   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3628   volume =       "78",
3629   number =       "20",
3630   pages =        "3908--3911",
3631   numpages =     "3",
3632   year =         "1997",
3633   month =        may,
3634   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3635   publisher =    "American Physical Society",
3636   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3637 }
3638
3639 @Article{voter97_2,
3640   author =       "Arthur F. Voter",
3641   collaboration = "",
3642   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3643                  simulation of infrequent events",
3644   publisher =    "AIP",
3645   year =         "1997",
3646   journal =      "J. Chem. Phys.",
3647   volume =       "106",
3648   number =       "11",
3649   pages =        "4665--4677",
3650   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3651                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3652                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3653                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3654                  theory; potential energy surfaces",
3655   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3656   doi =          "10.1063/1.473503",
3657   notes =        "improved hyperdynamics md",
3658 }
3659
3660 @Article{sorensen2000,
3661   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3662   collaboration = "",
3663   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3664                  infrequent events",
3665   publisher =    "AIP",
3666   year =         "2000",
3667   journal =      "J. Chem. Phys.",
3668   volume =       "112",
3669   number =       "21",
3670   pages =        "9599--9606",
3671   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3672                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3673   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3674   doi =          "10.1063/1.481576",
3675   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3676 }
3677
3678 @Article{voter98,
3679   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3680                  events",
3681   author =       "Arthur F. Voter",
3682   journal =      "Phys. Rev. B",
3683   volume =       "57",
3684   number =       "22",
3685   pages =        "R13985--R13988",
3686   numpages =     "3",
3687   year =         "1998",
3688   month =        jun,
3689   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3690   publisher =    "American Physical Society",
3691   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3692 }
3693
3694 @Article{wu99,
3695   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3696   collaboration = "",
3697   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3698                  simulation",
3699   publisher =    "AIP",
3700   year =         "1999",
3701   journal =      "J. Chem. Phys.",
3702   volume =       "110",
3703   number =       "19",
3704   pages =        "9401--9410",
3705   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3706                  potential; crystallisation; liquid theory",
3707   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3708   doi =          "10.1063/1.478948",
3709   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3710                  systematic motion",
3711 }
3712
3713 @Article{choudhary05,
3714   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3715   collaboration = "",
3716   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3717                  to the production of amorphous silicon",
3718   publisher =    "AIP",
3719   year =         "2005",
3720   journal =      "J. Chem. Phys.",
3721   volume =       "122",
3722   number =       "15",
3723   eid =          "154509",
3724   numpages =     "8",
3725   pages =        "154509",
3726   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3727                  amorphous semiconductors",
3728   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3729   doi =          "10.1063/1.1878733",
3730   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3731                  silicon",
3732 }
3733
3734 @Article{taylor93,
3735   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3736   collaboration = "",
3737   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3738                  difficult?",
3739   publisher =    "AIP",
3740   year =         "1993",
3741   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3742   volume =       "62",
3743   number =       "25",
3744   pages =        "3336--3338",
3745   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3746                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3747                  ENERGY",
3748   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3749   doi =          "10.1063/1.109063",
3750   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3751                  interstitials necessary for precipitation, volume
3752                  decrease, high interface energy",
3753 }
3754
3755 @Article{chaussende08,
3756   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3757   journal =      "J. Cryst. Growth",
3758   volume =       "310",
3759   number =       "5",
3760   pages =        "976--981",
3761   year =         "2008",
3762   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3763                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3764   ISSN =         "0022-0248",
3765   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3766   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3767   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3768                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3769                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3770                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3771   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3772                  metastable",
3773 }
3774
3775 @Article{chaussende07,
3776   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3777   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3778   journal =      "J. Phys. D",
3779   volume =       "40",
3780   number =       "20",
3781   pages =        "6150",
3782   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3783   year =         "2007",
3784   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3785                  modelling",
3786 }
3787
3788 @Article{feynman39,
3789   title =        "Forces in Molecules",
3790   author =       "R. P. Feynman",
3791   journal =      "Phys. Rev.",
3792   volume =       "56",
3793   number =       "4",
3794   pages =        "340--343",
3795   numpages =     "3",
3796   year =         "1939",
3797   month =        aug,
3798   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3799   publisher =    "American Physical Society",
3800   notes =        "hellmann feynman forces",
3801 }
3802
3803 @Article{buczko00,
3804   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3805                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3806                  their Contrasting Properties",
3807   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3808                  T. Pantelides",
3809   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3810   volume =       "84",
3811   number =       "5",
3812   pages =        "943--946",
3813   numpages =     "3",
3814   year =         "2000",
3815   month =        jan,
3816   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3817   publisher =    "American Physical Society",
3818   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3819 }
3820
3821 @Article{djurabekova08,
3822   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3823                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3824   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3825   journal =      "Phys. Rev. B",
3826   volume =       "77",
3827   number =       "11",
3828   pages =        "115325",
3829   numpages =     "7",
3830   year =         "2008",
3831   month =        mar,
3832   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3833   publisher =    "American Physical Society",
3834   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3835                  angular distribution, coordination",
3836 }
3837
3838 @Article{wen09,
3839   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3840                  W. Liang and J. Zou",
3841   collaboration = "",
3842   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3843                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3844                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3845   publisher =    "AIP",
3846   year =         "2009",
3847   journal =      "J. Appl. Phys.",
3848   volume =       "106",
3849   number =       "7",
3850   eid =          "073522",
3851   numpages =     "8",
3852   pages =        "073522",
3853   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3854                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3855                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3856                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3857   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3858   doi =          "10.1063/1.3234380",
3859   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3860                  deconvolution, dislocation defects",
3861 }
3862
3863 @Article{kitabatake93,
3864   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3865                  Hirao",
3866   collaboration = "",
3867   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3868                  growth on Si(001) surface",
3869   publisher =    "AIP",
3870   year =         "1993",
3871   journal =      "J. Appl. Phys.",
3872   volume =       "74",
3873   number =       "7",
3874   pages =        "4438--4445",
3875   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3876                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3877                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3878   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3879   doi =          "10.1063/1.354385",
3880   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3881                  model, interface",
3882 }
3883
3884 @Article{kitabatake97,
3885   author =       "Makoto Kitabatake",
3886   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3887                  Heteroepitaxial Growth",
3888   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3889   year =         "1997",
3890   journal =      "phys. status solidi (b)",
3891   volume =       "202",
3892   pages =        "405--420",
3893   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3894   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3895   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3896 }
3897
3898 @Article{chirita97,
3899   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3900                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3901                  dynamics study",
3902   journal =      "Thin Solid Films",
3903   volume =       "294",
3904   number =       "1-2",
3905   pages =        "47--49",
3906   year =         "1997",
3907   note =         "",
3908   ISSN =         "0040-6090",
3909   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3910   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3911   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3912   keywords =     "Strain relaxation",
3913   keywords =     "Interfaces",
3914   keywords =     "Thermal stability",
3915   keywords =     "Molecular dynamics",
3916   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3917 }
3918
3919 @Article{cicero02,
3920   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3921                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3922   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3923                  Catellani",
3924   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3925   volume =       "89",
3926   number =       "15",
3927   pages =        "156101",
3928   numpages =     "4",
3929   year =         "2002",
3930   month =        sep,
3931   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3932   publisher =    "American Physical Society",
3933   notes =        "sic/si interface study",
3934 }
3935
3936 @Article{pizzagalli03,
3937   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3938                  interface: Si{C}/Si(001)",
3939   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3940                  Catellani",
3941   journal =      "Phys. Rev. B",
3942   volume =       "68",
3943   number =       "19",
3944   pages =        "195302",
3945   numpages =     "10",
3946   year =         "2003",
3947   month =        nov,
3948   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3949   publisher =    "American Physical Society",
3950   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3951 }
3952
3953 @Article{tang07,
3954   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3955                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3956                  electron microscopy",
3957   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3958                  H. Zheng and J. W. Liang",
3959   journal =      "Phys. Rev. B",
3960   volume =       "75",
3961   number =       "18",
3962   pages =        "184103",
3963   numpages =     "7",
3964   year =         "2007",
3965   month =        may,
3966   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3967   publisher =    "American Physical Society",
3968   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3969                  si and c",
3970 }
3971
3972 @Article{hornstra58,
3973   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3974   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3975   volume =       "5",
3976   number =       "1-2",
3977   pages =        "129--141",
3978   year =         "1958",
3979   note =         "",
3980   ISSN =         "0022-3697",
3981   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3982   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3983   author =       "J. Hornstra",
3984   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3985 }
3986
3987 @Article{deguchi92,
3988   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3989                  Ion `Hot' Implantation",
3990   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3991                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3992   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3993   volume =       "31",
3994   number =       "Part 1, No. 2A",
3995   pages =        "343--347",
3996   numpages =     "4",
3997   year =         "1992",
3998   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3999   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
4000   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4001   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
4002                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
4003 }
4004
4005 @Article{eichhorn99,
4006   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
4007                  K{\"{o}}gler",
4008   collaboration = "",
4009   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
4010                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
4011                  synchrotron x-ray diffraction",
4012   publisher =    "AIP",
4013   year =         "1999",
4014   journal =      "J. Appl. Phys.",
4015   volume =       "86",
4016   number =       "8",
4017   pages =        "4184--4187",
4018   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
4019                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
4020                  precipitation; semiconductor doping",
4021   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
4022   doi =          "10.1063/1.371344",
4023   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
4024                  expansion of si lattice",
4025 }
4026
4027 @Article{eichhorn02,
4028   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
4029                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
4030   collaboration = "",
4031   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
4032                  carbon ion implantation",
4033   publisher =    "AIP",
4034   year =         "2002",
4035   journal =      "J. Appl. Phys.",
4036   volume =       "91",
4037   number =       "3",
4038   pages =        "1287--1292",
4039   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
4040                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
4041                  electron microscopy",
4042   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
4043   doi =          "10.1063/1.1428105",
4044   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
4045                  temperature, might explain c into c sub trafo",
4046 }
4047
4048 @Article{lucas10,
4049   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
4050   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
4051                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
4052                  high-pressure phases, point and extended defects, and
4053                  amorphous structures",
4054   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4055   volume =       "22",
4056   number =       "3",
4057   pages =        "035802",
4058   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
4059   year =         "2010",
4060   notes =        "edip sic",
4061 }
4062
4063 @Article{godet03,
4064   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
4065                  Beauchamp",
4066   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
4067                  methods for silicon under large shear",
4068   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4069   volume =       "15",
4070   number =       "41",
4071   pages =        "6943",
4072   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
4073   year =         "2003",
4074   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
4075                  edip, tersoff, ab initio",
4076 }
4077
4078 @Article{moriguchi98,
4079   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
4080                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
4081   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
4082   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
4083   volume =       "37",
4084   number =       "Part 1, No. 2",
4085   pages =        "414--422",
4086   numpages =     "8",
4087   year =         "1998",
4088   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
4089   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
4090   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4091   notes =        "tersoff stringent test",
4092 }
4093
4094 @Article{mazzarolo01,
4095   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
4096                  simulations",
4097   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
4098                  Lulli and Eros Albertazzi",
4099   journal =      "Phys. Rev. B",
4100   volume =       "63",
4101   number =       "19",
4102   pages =        "195207",
4103   numpages =     "4",
4104   year =         "2001",
4105   month =        apr,
4106   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
4107   publisher =    "American Physical Society",
4108 }
4109
4110 @Article{holmstroem08,
4111   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
4112                  density functional theory molecular dynamics
4113                  simulations",
4114   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
4115   journal =      "Phys. Rev. B",
4116   volume =       "78",
4117   number =       "4",
4118   pages =        "045202",
4119   numpages =     "6",
4120   year =         "2008",
4121   month =        jul,
4122   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
4123   publisher =    "American Physical Society",
4124   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
4125                  initio",
4126 }
4127
4128 @Article{nordlund97,
4129   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
4130                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
4131   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4132   volume =       "132",
4133   number =       "1",
4134   pages =        "45--54",
4135   year =         "1997",
4136   note =         "",
4137   ISSN =         "0168-583X",
4138   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
4139   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
4140   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
4141   notes =        "repulsive ab initio potential",
4142 }
4143
4144 @Article{kresse96,
4145   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
4146                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
4147                  set",
4148   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4149   volume =       "6",
4150   number =       "1",
4151   pages =        "15--50",
4152   year =         "1996",
4153   note =         "",
4154   ISSN =         "0927-0256",
4155   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
4156   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
4157   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
4158   notes =        "vasp ref",
4159 }
4160
4161 @Article{bloechl94,
4162   title =        "Projector augmented-wave method",
4163   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
4164   journal =      "Phys. Rev. B",
4165   volume =       "50",
4166   number =       "24",
4167   pages =        "17953--17979",
4168   numpages =     "26",
4169   year =         "1994",
4170   month =        dec,
4171   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
4172   publisher =    "American Physical Society",
4173   notes =        "paw method",
4174 }
4175
4176 @InCollection{cohen70,
4177   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
4178                  and Their Subsequent Application",
4179   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
4180   publisher =    "Academic Press",
4181   year =         "1970",
4182   volume =       "24",
4183   pages =        "37--248",
4184   series =       "Solid State Physics",
4185   ISSN =         "0081-1947",
4186   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
4187   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
4188   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
4189 }
4190
4191 @Book{delerue04,
4192   title =        "Nanostructures: Theory and Modelling",
4193   author =       "Christophe Delerue and Michel Lannoo",
4194   year =         "2004",
4195   publisher =    "Springer",
4196 }
4197
4198 @Article{klimeck02,
4199   title =        "Development of a nanoelectronic 3-{D} ({NEMO} 3-{D})
4200                  simulator for multimillion atom simulations and its
4201                  application to alloyed quantum dots",
4202   author =       "Gerhard Klimeck and Fabiano Oyafuso and Timothy B
4203                  Boykin and R Chris Bowen and Paul von Allmen",
4204   year =         "2002",
4205   journal =      "Comput. Modeling Eng. Sci.",
4206   volume =       "3",
4207   pages =        "601",
4208 }
4209
4210 @Article{klimeck07,
4211   title =        "Atomistic simulation of realistically sized
4212                  nanodevices using {NEMO} 3-{D}¿Part {I}: Models and
4213                  benchmarks",
4214   author =       "Gerhard Klimeck and Shaikh Shahid Ahmed and Hansang
4215                  Bae and Neerav Kharche and Steve Clark and Benjamin
4216                  Haley and Sunhee Lee and Maxim Naumov and Hoon Ryu and
4217                  Faisal Saied and others",
4218   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4219   volume =       "54",
4220   number =       "9",
4221   pages =        "2079--2089",
4222   year =         "2007",
4223   publisher =    "IEEE",
4224 }
4225
4226 @Article{hamann79,
4227   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
4228   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
4229   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4230   volume =       "43",
4231   number =       "20",
4232   pages =        "1494--1497",
4233   numpages =     "3",
4234   year =         "1979",
4235   month =        nov,
4236   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
4237   publisher =    "American Physical Society",
4238   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
4239 }
4240
4241 @Article{kleinman82,
4242   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4243   month =        may,
4244   doi =          "10.1103/PhysRevLett.48.1425",
4245   issue =        "20",
4246   author =       "Leonard Kleinman and D. M. Bylander",
4247   title =        "Efficacious Form for Model Pseudopotentials",
4248   year =         "1982",
4249   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.48.1425",
4250   publisher =    "American Physical Society",
4251   pages =        "1425--1428",
4252   volume =       "48",
4253 }
4254
4255 @Article{troullier91,
4256   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
4257                  calculations",
4258   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
4259   journal =      "Phys. Rev. B",
4260   volume =       "43",
4261   number =       "3",
4262   pages =        "1993--2006",
4263   numpages =     "13",
4264   year =         "1991",
4265   month =        jan,
4266   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
4267   publisher =    "American Physical Society",
4268 }
4269
4270 @Article{vanderbilt90,
4271   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
4272                  eigenvalue formalism",
4273   author =       "David Vanderbilt",
4274   journal =      "Phys. Rev. B",
4275   volume =       "41",
4276   number =       "11",
4277   pages =        "7892--7895",
4278   numpages =     "3",
4279   year =         "1990",
4280   month =        apr,
4281   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
4282   publisher =    "American Physical Society",
4283   notes =        "vasp pseudopotentials",
4284 }
4285
4286 @Article{ceperley80,
4287   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
4288                  Method",
4289   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
4290   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4291   volume =       "45",
4292   number =       "7",
4293   pages =        "566--569",
4294   numpages =     "3",
4295   year =         "1980",
4296   month =        aug,
4297   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
4298   publisher =    "American Physical Society",
4299 }
4300
4301 @Article{perdew81,
4302   title =        "Self-interaction correction to density-functional
4303                  approximations for many-electron systems",
4304   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
4305   journal =      "Phys. Rev. B",
4306   volume =       "23",
4307   number =       "10",
4308   pages =        "5048--5079",
4309   numpages =     "31",
4310   year =         "1981",
4311   month =        may,
4312   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
4313   publisher =    "American Physical Society",
4314 }
4315
4316 @Article{perdew86,
4317   title =        "Accurate and simple density functional for the
4318                  electronic exchange energy: Generalized gradient
4319                  approximation",
4320   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
4321   journal =      "Phys. Rev. B",
4322   volume =       "33",
4323   number =       "12",
4324   pages =        "8800--8802",
4325   numpages =     "2",
4326   year =         "1986",
4327   month =        jun,
4328   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
4329   publisher =    "American Physical Society",
4330   notes =        "rapid communication gga",
4331 }
4332
4333 @Article{perdew02,
4334   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4335                  correlation: {A} look backward and forward",
4336   journal =      "Physica B",
4337   volume =       "172",
4338   number =       "1-2",
4339   pages =        "1--6",
4340   year =         "1991",
4341   note =         "",
4342   ISSN =         "0921-4526",
4343   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4344   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4345   author =       "John P. Perdew",
4346   notes =        "gga overview",
4347 }
4348
4349 @Article{perdew92,
4350   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4351                  of the generalized gradient approximation for exchange
4352                  and correlation",
4353   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4354                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4355                  and Carlos Fiolhais",
4356   journal =      "Phys. Rev. B",
4357   volume =       "46",
4358   number =       "11",
4359   pages =        "6671--6687",
4360   numpages =     "16",
4361   year =         "1992",
4362   month =        sep,
4363   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4364   publisher =    "American Physical Society",
4365   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4366 }
4367
4368 @Article{chadi73,
4369   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4370   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4371   journal =      "Phys. Rev. B",
4372   volume =       "8",
4373   number =       "12",
4374   pages =        "5747--5753",
4375   numpages =     "6",
4376   year =         "1973",
4377   month =        dec,
4378   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4379   publisher =    "American Physical Society",
4380 }
4381
4382 @Article{baldereschi73,
4383   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4384   author =       "A. Baldereschi",
4385   journal =      "Phys. Rev. B",
4386   volume =       "7",
4387   number =       "12",
4388   pages =        "5212--5215",
4389   numpages =     "3",
4390   year =         "1973",
4391   month =        jun,
4392   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4393   publisher =    "American Physical Society",
4394   notes =        "mean value k point",
4395 }
4396
4397 @Article{monkhorst76,
4398   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4399   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4400   journal =      "Phys. Rev. B",
4401   volume =       "13",
4402   number =       "12",
4403   pages =        "5188--5192",
4404   numpages =     "4",
4405   year =         "1976",
4406   month =        jun,
4407   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4408   publisher =    "American Physical Society",
4409 }
4410
4411 @Article{zhu98,
4412   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4413                  diffusion in Si",
4414   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4415   volume =       "12",
4416   number =       "4",
4417   pages =        "309--318",
4418   year =         "1998",
4419   note =         "",
4420   ISSN =         "0927-0256",
4421   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4422   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4423   author =       "Jing Zhu",
4424   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4425   keywords =     "Boron dopant",
4426   keywords =     "Carbon dopant",
4427   keywords =     "Defect",
4428   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4429   keywords =     "Impurity cluster",
4430   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4431 }
4432
4433 @Article{nejim95,
4434   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4435   collaboration = "",
4436   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4437                  950 [degree]{C}",
4438   publisher =    "AIP",
4439   year =         "1995",
4440   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4441   volume =       "66",
4442   number =       "20",
4443   pages =        "2646--2648",
4444   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4445                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4446                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4447                  ELECTRON MICROSCOPY",
4448   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4449   doi =          "10.1063/1.113112",
4450   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4451                  self interstitials react with further implanted c",
4452 }
4453
4454 @Article{guedj98,
4455   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4456                  Kolodzey and A. Hairie",
4457   collaboration = "",
4458   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4459                  alloys",
4460   publisher =    "AIP",
4461   year =         "1998",
4462   journal =      "J. Appl. Phys.",
4463   volume =       "84",
4464   number =       "8",
4465   pages =        "4631--4633",
4466   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4467                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4468                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4469                  annealing",
4470   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4471   doi =          "10.1063/1.368703",
4472   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4473 }
4474
4475 @Article{jones04,
4476   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4477   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4478                  semiconductors",
4479   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4480   volume =       "16",
4481   number =       "27",
4482   pages =        "S2643",
4483   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4484   year =         "2004",
4485   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4486                  si",
4487 }
4488
4489 @Article{jones89,
4490   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.689",
4491   month =        jul,
4492   issue =        "3",
4493   author =       "R. O. Jones and O. Gunnarsson",
4494   year =         "1989",
4495   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.61.689",
4496   publisher =    "American Physical Society",
4497   title =        "The density functional formalism, its applications and
4498                  prospects",
4499   pages =        "689--746",
4500   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
4501   volume =       "61",
4502   notes =        "dft intro",
4503 }
4504
4505 @Article{park02,
4506   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4507                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4508                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4509   collaboration = "",
4510   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4511                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4512                  molecular-beam epitaxy",
4513   publisher =    "AIP",
4514   year =         "2002",
4515   journal =      "J. Appl. Phys.",
4516   volume =       "91",
4517   number =       "9",
4518   pages =        "5716--5727",
4519   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4520   doi =          "10.1063/1.1465122",
4521   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4522 }
4523
4524 @Article{leary97,
4525   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4526                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4527   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4528                  Torres",
4529   journal =      "Phys. Rev. B",
4530   volume =       "55",
4531   number =       "4",
4532   pages =        "2188--2194",
4533   numpages =     "6",
4534   year =         "1997",
4535   month =        jan,
4536   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4537   publisher =    "American Physical Society",
4538   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4539                  energies, different migration barriers and paths",
4540 }
4541
4542 @Article{burnard93,
4543   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4544                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4545                  calculations",
4546   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4547   journal =      "Phys. Rev. B",
4548   volume =       "47",
4549   number =       "16",
4550   pages =        "10217--10225",
4551   numpages =     "8",
4552   year =         "1993",
4553   month =        apr,
4554   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4555   publisher =    "American Physical Society",
4556   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4557                  carbon defect, formation energies",
4558 }
4559
4560 @Article{besson91,
4561   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4562                  silicon",
4563   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4564   journal =      "Phys. Rev. B",
4565   volume =       "43",
4566   number =       "5",
4567   pages =        "4028--4033",
4568   numpages =     "5",
4569   year =         "1991",
4570   month =        feb,
4571   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4572   publisher =    "American Physical Society",
4573 }
4574
4575 @Article{kaxiras96,
4576   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4577                  and growth on semiconductors",
4578   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4579   volume =       "6",
4580   number =       "2",
4581   pages =        "158--172",
4582   year =         "1996",
4583   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4584                  Epitaxy",
4585   ISSN =         "0927-0256",
4586   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4587   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4588   author =       "Efthimios Kaxiras",
4589   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4590                  tight binding, first principles",
4591 }
4592
4593 @Article{kaukonen98,
4594   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4595                  diamond
4596                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4597                  surfaces",
4598   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4599                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4600                  Th. Frauenheim",
4601   journal =      "Phys. Rev. B",
4602   volume =       "57",
4603   number =       "16",
4604   pages =        "9965--9970",
4605   numpages =     "5",
4606   year =         "1998",
4607   month =        apr,
4608   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4609   publisher =    "American Physical Society",
4610   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4611                  (crt)",
4612 }
4613
4614 @Article{gali03,
4615   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4616                  center in Si{C}",
4617   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4618                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4619                  W. J. Choyke",
4620   journal =      "Phys. Rev. B",
4621   volume =       "67",
4622   number =       "15",
4623   pages =        "155203",
4624   numpages =     "5",
4625   year =         "2003",
4626   month =        apr,
4627   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4628   publisher =    "American Physical Society",
4629 }
4630
4631 @Article{chen98,
4632   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4633                  irradiation and deformation",
4634   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4635   volume =       "258-263",
4636   number =       "Part 2",
4637   pages =        "1803--1808",
4638   year =         "1998",
4639   note =         "",
4640   ISSN =         "0022-3115",
4641   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4642   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4643   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4644 }
4645
4646 @Article{weber01,
4647   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4648                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4649   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4650   volume =       "175-177",
4651   number =       "",
4652   pages =        "26--30",
4653   year =         "2001",
4654   note =         "",
4655   ISSN =         "0168-583X",
4656   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4657   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4658   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4659 }
4660
4661 @Article{bockstedte03,
4662   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4663                  in $3{C}-Si{C}$",
4664   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4665                  Pankratov",
4666   journal =      "Phys. Rev. B",
4667   volume =       "68",
4668   number =       "20",
4669   pages =        "205201",
4670   numpages =     "17",
4671   year =         "2003",
4672   month =        nov,
4673   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4674   publisher =    "American Physical Society",
4675   notes =        "defect migration in sic",
4676 }
4677
4678 @Article{rauls03a,
4679   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4680                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4681   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4682                  De\'ak",
4683   journal =      "Phys. Rev. B",
4684   volume =       "68",
4685   number =       "15",
4686   pages =        "155208",
4687   numpages =     "9",
4688   year =         "2003",
4689   month =        oct,
4690   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4691   publisher =    "American Physical Society",
4692 }
4693
4694 @Article{losev27,
4695   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4696   volume =       "44",
4697   pages =        "485--494",
4698   year =         "1927",
4699   author =       "O. V. Lossev",
4700 }
4701
4702 @Article{losev28,
4703   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4704                  oscillations with crystals",
4705   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4706   volume =       "6",
4707   number =       "39",
4708   pages =        "1024--1044",
4709   year =         "1928",
4710   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4711   author =       "O. V. Lossev",
4712 }
4713
4714 @Article{losev29,
4715   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4716   volume =       "30",
4717   pages =        "920--923",
4718   year =         "1929",
4719   author =       "O. V. Lossev",
4720 }
4721
4722 @Article{losev31,
4723   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4724   volume =       "32",
4725   pages =        "692--696",
4726   year =         "1931",
4727   author =       "O. V. Lossev",
4728 }
4729
4730 @Article{losev33,
4731   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4732   volume =       "34",
4733   pages =        "397--403",
4734   year =         "1933",
4735   author =       "O. V. Lossev",
4736 }
4737
4738 @Article{round07,
4739   title =        "A note on carborundum",
4740   journal =      "Electrical World",
4741   volume =       "49",
4742   pages =        "308",
4743   year =         "1907",
4744   author =       "H. J. Round",
4745 }
4746
4747 @Article{vashishath08,
4748   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4749   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4750   volume =       "2",
4751   number =       "03",
4752   pages =        "444--470",
4753   year =         "2008",
4754   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4755   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4756   notes =        "sic polytype electronic properties",
4757 }
4758
4759 @Article{nelson69,
4760   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4761   collaboration = "",
4762   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4763   publisher =    "AIP",
4764   year =         "1966",
4765   journal =      "J. Appl. Phys.",
4766   volume =       "37",
4767   number =       "1",
4768   pages =        "333--336",
4769   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4770   doi =          "10.1063/1.1707837",
4771   notes =        "sic melt growth",
4772 }
4773
4774 @Article{arkel25,
4775   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4776   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4777                  und Thoriummetall",
4778   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4779   year =         "1925",
4780   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4781   volume =       "148",
4782   pages =        "345--350",
4783   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4784   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4785   notes =        "van arkel apparatus",
4786 }
4787
4788 @Article{moers31,
4789   author =       "K. Moers",
4790   year =         "1931",
4791   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4792   volume =       "198",
4793   pages =        "293",
4794   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4795                  process",
4796 }
4797
4798 @Article{kendall53,
4799   author =       "J. T. Kendall",
4800   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4801   publisher =    "AIP",
4802   year =         "1953",
4803   journal =      "J. Chem. Phys.",
4804   volume =       "21",
4805   number =       "5",
4806   pages =        "821--827",
4807   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4808   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4809                  process",
4810 }
4811
4812 @Article{lely55,
4813   author =       "J. A. Lely",
4814   year =         "1955",
4815   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4816   volume =       "32",
4817   pages =        "229",
4818   notes =        "lely sublimation growth process",
4819 }
4820
4821 @Article{knippenberg63,
4822   author =       "W. F. Knippenberg",
4823   year =         "1963",
4824   journal =      "Philips Res. Repts.",
4825   volume =       "18",
4826   pages =        "161",
4827   notes =        "acheson process",
4828 }
4829
4830 @Article{hoffmann82,
4831   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4832                  Weyrich",
4833   collaboration = "",
4834   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4835                  improved external quantum efficiency",
4836   publisher =    "AIP",
4837   year =         "1982",
4838   journal =      "J. Appl. Phys.",
4839   volume =       "53",
4840   number =       "10",
4841   pages =        "6962--6967",
4842   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4843                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4844                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4845                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4846                  electroluminescence; spectra; current density;
4847                  optimization",
4848   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4849   doi =          "10.1063/1.330041",
4850   notes =        "blue led, sublimation process",
4851 }
4852
4853 @Article{neudeck95,
4854   author =       "Philip Neudeck",
4855   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4856                  Road 44135 Cleveland OH",
4857   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4858                  technology",
4859   journal =      "J. Electron. Mater.",
4860   publisher =    "Springer Boston",
4861   ISSN =         "0361-5235",
4862   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4863   pages =        "283--288",
4864   volume =       "24",
4865   issue =        "4",
4866   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4867   note =         "10.1007/BF02659688",
4868   year =         "1995",
4869   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4870 }
4871
4872 @InProceedings{pribble02,
4873   author =       "W. L. Pribble and J. W. Palmour and S. T. Sheppard and
4874                  R. P. Smith and S. T. Allen and T. J. Smith and Z. Ring
4875                  and J. J. Sumakeris and A. W. Saxler and J. W.
4876                  Milligan",
4877   booktitle =    "2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
4878                  Digest",
4879   title =        "Applications of Si{C} {MESFET}s and Ga{N} {HEMT}s in
4880                  power amplifier design",
4881   year =         "2002",
4882   month =        "",
4883   volume =       "",
4884   number =       "",
4885   pages =        "1819--1822",
4886   doi =          "10.1109/MWSYM.2002.1012216",
4887   ISSN =         "",
4888   notes =        "hdtv",
4889 }
4890
4891 @InProceedings{temcamani01,
4892   author =       "F. Temcamani and P. Pouvil and O. Noblanc and C.
4893                  Brylinski and P. Bannelier and B. Darges and J. P.
4894                  Prigent",
4895   booktitle =    "2001 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
4896                  Digest",
4897   title =        "Silicon carbide {MESFET}s performances and application
4898                  in broadcast power amplifiers",
4899   year =         "2001",
4900   month =        "",
4901   volume =       "",
4902   number =       "",
4903   pages =        "641--644",
4904   doi =          "10.1109/MWSYM.2001.966976",
4905   ISSN =         "",
4906   notes =        "hdtv",
4907 }
4908
4909 @Article{pensl00,
4910   author =       "Gerhard Pensl and Michael Bassler and Florin Ciobanu
4911                  and Valeri Afanas'ev and Hiroshi Yano and Tsunenobu
4912                  Kimoto and Hiroyuki Matsunami",
4913   title =        "Traps at the Si{C}/Si{O2}-Interface",
4914   journal =      "MRS Proc.",
4915   volume =       "640",
4916   number =       "",
4917   pages =        "",
4918   year =         "2000",
4919   doi =          "10.1557/PROC-640-H3.2",
4920   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-640-H3.2",
4921 }
4922
4923 @Article{bhatnagar93,
4924   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4925   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4926   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4927                  devices",
4928   year =         "1993",
4929   month =        mar,
4930   volume =       "40",
4931   number =       "3",
4932   pages =        "645--655",
4933   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4934                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4935                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4936                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4937                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4938                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4939                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4940                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4941   doi =          "10.1109/16.199372",
4942   ISSN =         "0018-9383",
4943   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4944 }
4945
4946 @Article{ryu01,
4947   author =       "Sei-Hyung Ryu and A. K. Agarwal and R. Singh and J. W.
4948                  Palmour",
4949   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
4950   title =        "1800 {V} {NPN} bipolar junction transistors in
4951                  4{H}-Si{C}",
4952   year =         "2001",
4953   month =        mar,
4954   volume =       "22",
4955   number =       "3",
4956   pages =        "124--126",
4957   keywords =     "1800 V;4H-SiC high-voltage n-p-n bipolar junction
4958                  transistor;SiC;blocking voltage;current gain;deep level
4959                  acceptor;minority carrier lifetime;on-resistance;power
4960                  switching device;temperature coefficient;carrier
4961                  lifetime;deep levels;minority carriers;power bipolar
4962                  transistors;silicon compounds;wide band gap
4963                  semiconductors;",
4964   doi =          "10.1109/55.910617",
4965   ISSN =         "0741-3106",
4966 }
4967
4968 @Article{baliga96,
4969   author =       "B. J. Baliga",
4970   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4971   title =        "Trends in power semiconductor devices",
4972   year =         "1996",
4973   month =        oct,
4974   volume =       "43",
4975   number =       "10",
4976   pages =        "1717--1731",
4977   keywords =     "DMOS technology;GTO;GaAs;IGBT;MOS-gated
4978                  devices;MOS-gated thyristors;MPS rectifier;PIN
4979                  rectifier;Schottky rectifier;Si;SiC;SiC based
4980                  switches;TMBS rectifier;UMOS technology;VMOS
4981                  technology;bipolar power transistor;high voltage power
4982                  rectifiers;low voltage power rectifiers;power
4983                  MOSFET;power losses;power semiconductor devices;power
4984                  switch technology;review;semiconductor device
4985                  technology;MOS-controlled thyristors;bipolar transistor
4986                  switches;field effect transistor switches;gallium
4987                  arsenide;insulated gate bipolar transistors;p-i-n
4988                  diodes;power bipolar transistors;power field effect
4989                  transistors;power semiconductor devices;power
4990                  semiconductor diodes;power semiconductor
4991                  switches;reviews;silicon;silicon compounds;solid-state
4992                  rectifiers;thyristors;",
4993   doi =          "10.1109/16.536818",
4994   ISSN =         "0018-9383",
4995 }
4996
4997 @Article{bhatnagar92,
4998   author =       "M. Bhatnagar and P. K. McLarty and B. J. Baliga",
4999   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
5000   title =        "Silicon-carbide high-voltage (400 {V}) Schottky
5001                  barrier diodes",
5002   year =         "1992",
5003   month =        oct,
5004   volume =       "13",
5005   number =       "10",
5006   pages =        "501--503",
5007   keywords =     "1.1 V;25 to 200 C;400 V;6H-SiC;Pt-SiC;Schottky barrier
5008                  diodes;breakdown
5009                  voltages;characteristics;fabrication;forward I-V
5010                  characteristics;forward voltage drop;on-state current
5011                  density;rectifiers;reverse I-V characteristics;reverse
5012                  recovery characteristics;sharp breakdown;temperature
5013                  range;Schottky-barrier diodes;platinum;power
5014                  electronics;semiconductor materials;silicon
5015                  compounds;solid-state rectifiers;",
5016   doi =          "10.1109/55.192814",
5017   ISSN =         "0741-3106",
5018 }
5019
5020 @Article{neudeck94,
5021   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
5022                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
5023   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5024   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
5025                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
5026                  6{H}-Si{C} substrates",
5027   year =         "1994",
5028   month =        may,
5029   volume =       "41",
5030   number =       "5",
5031   pages =        "826--835",
5032   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
5033                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
5034                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
5035                  properties;epitaxial layers;light
5036                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
5037                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
5038                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
5039                  currents;power electronics;semiconductor
5040                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
5041                  growth;semiconductor materials;silicon
5042                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
5043                  phase epitaxial growth;",
5044   doi =          "10.1109/16.285038",
5045   ISSN =         "0018-9383",
5046   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
5047                  substrate",
5048 }
5049
5050 @Article{weitzel96,
5051   author =       "C. E. Weitzel and J. W. Palmour and Jr. {Carter, C.H.}
5052                  and K. Moore and K. K. Nordquist and S. Allen and C.
5053                  Thero and M. Bhatnagar",
5054   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5055   title =        "Silicon carbide high-power devices",
5056   year =         "1996",
5057   month =        oct,
5058   volume =       "43",
5059   number =       "10",
5060   pages =        "1732--1741",
5061   keywords =     "1200 V;1400 V;4H-SiC;500 MHz to 32 GHz;57 W;Schottky
5062                  barrier diodes;SiC;SiC devices;UMOSFET;current
5063                  density;high electric breakdown field;high saturated
5064                  electron drift velocity;high thermal
5065                  conductivity;high-power devices;packaged SIT;submicron
5066                  gate length MESFET;Schottky diodes;current
5067                  density;electric breakdown;power MESFET;power
5068                  MOSFET;power semiconductor devices;power semiconductor
5069                  diodes;reviews;silicon compounds;static induction
5070                  transistors;wide band gap semiconductors;",
5071   doi =          "10.1109/16.536819",
5072   ISSN =         "0018-9383",
5073   notes =        "high power devices",
5074 }
5075
5076 @Article{zhu08,
5077   author =       "Lin Zhu and T. P. Chow",
5078   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5079   title =        "Advanced High-Voltage 4{H}-Si{C} Schottky Rectifiers",
5080   year =         "2008",
5081   month =        aug,
5082   volume =       "55",
5083   number =       "8",
5084   pages =        "1871--1874",
5085   keywords =     "H-SiC;OFF-state characteristics;ON-state
5086                  characteristics;blocking capability;high-voltage
5087                  Schottky rectifier;junction barrier Schottky
5088                  rectifier;lateral channel JBS rectifier;leakage
5089                  current;pinlike reverse characteristics;Schottky
5090                  barriers;Schottky diodes;leakage currents;rectifying
5091                  circuits;",
5092   doi =          "10.1109/TED.2008.926642",
5093   ISSN =         "0018-9383",
5094 }
5095
5096 @Article{brown93,
5097   author =       "D. M. Brown and E. T. Downey and M. Ghezzo and J. W.
5098                  Kretchmer and R. J. Saia and Y. S. Liu and J. A. Edmond
5099                  and G. Gati and J. M. Pimbley and W. E. Schneider",
5100   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5101   title =        "Silicon carbide {UV} photodiodes",
5102   year =         "1993",
5103   month =        feb,
5104   volume =       "40",
5105   number =       "2",
5106   pages =        "325--333",
5107   keywords =     "200 to 400 nm;6H epitaxial layers;SiC photodiodes;UV
5108                  responsivity characteristics;low dark current;low light
5109                  level UV detection;quantum
5110                  efficiency;reproducibility;reverse current
5111                  leakage;short circuit output current;leakage
5112                  currents;photodiodes;semiconductor
5113                  materials;short-circuit currents;silicon
5114                  compounds;ultraviolet detectors;",
5115   doi =          "10.1109/16.182509",
5116   ISSN =         "0018-9383",
5117   notes =        "sic photo diodes, uv detector",
5118 }
5119
5120 @Article{yan04,
5121   author =       "Feng Yan and Xiaobin Xin and S. Aslam and Yuegang Zhao
5122                  and D. Franz and J. H. Zhao and M. Weiner",
5123   journal =      "IEEE J. Quantum Electron.",
5124   title =        "4{H}-Si{C} {UV} photo detectors with large area and
5125                  very high specific detectivity",
5126   year =         "2004",
5127   month =        sep,
5128   volume =       "40",
5129   number =       "9",
5130   pages =        "1315--1320",
5131   keywords =     "-1 V; 1.2E-14 A; 210 to 350 nm; 4H-SiC UV
5132                  photodetectors; 5 mm; Pt/4H-SiC Schottky photodiodes;
5133                  SiC-Pt; leakage current; photoresponse spectra; quantum
5134                  efficiency; specific detectivity; Schottky diodes;
5135                  photodetectors; platinum; silicon compounds; wide band
5136                  gap semiconductors;",
5137   doi =          "10.1109/JQE.2004.833196",
5138   ISSN =         "0018-9197",
5139   notes =        "uv detector",
5140 }
5141
5142 @Article{schulze98,
5143   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
5144   collaboration = "",
5145   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
5146                  single crystals by physical vapor transport",
5147   publisher =    "AIP",
5148   year =         "1998",
5149   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5150   volume =       "72",
5151   number =       "13",
5152   pages =        "1632--1634",
5153   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
5154                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
5155                  photoluminescence; Hall mobility",
5156   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
5157   doi =          "10.1063/1.121136",
5158   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
5159 }
5160
5161 @Article{frank51,
5162   author =       "F. C. Frank",
5163   title =        "Capillary equilibria of dislocated crystals",
5164   journal =      "Acta Crystallogr.",
5165   year =         "1951",
5166   volume =       "4",
5167   number =       "6",
5168   pages =        "497--501",
5169   month =        nov,
5170   doi =          "10.1107/S0365110X51001690",
5171   URL =          "http://dx.doi.org/10.1107/S0365110X51001690",
5172   notes =        "micropipe",
5173 }
5174
5175 @Article{heindl97,
5176   author =       "J. Heindl and H. P. Strunk and V. D. Heydemann and G.
5177                  Pensl",
5178   title =        "Micropipes: Hollow Tubes in Silicon Carbide",
5179   journal =      "phys. status solidi (a)",
5180   volume =       "162",
5181   number =       "1",
5182   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5183   ISSN =         "1521-396X",
5184   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
5185   doi =          "10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
5186   pages =        "251--262",
5187   year =         "1997",
5188   notes =        "micropipe",
5189 }
5190
5191 @Article{neudeck94_2,
5192   author =       "P. G. Neudeck and J. A. Powell",
5193   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
5194   title =        "Performance limiting micropipe defects in silicon
5195                  carbide wafers",
5196   year =         "1994",
5197   month =        feb,
5198   volume =       "15",
5199   number =       "2",
5200   pages =        "63--65",
5201   keywords =     "SiC;defect density;device ratings;epitaxially-grown pn
5202                  junction devices;micropipe defects;power devices;power
5203                  semiconductors;pre-avalanche reverse-bias point
5204                  failures;p-n homojunctions;power
5205                  electronics;semiconductor materials;silicon
5206                  compounds;",
5207   doi =          "10.1109/55.285372",
5208   ISSN =         "0741-3106",
5209 }
5210
5211 @Article{pirouz87,
5212   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
5213   collaboration = "",
5214   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
5215   publisher =    "AIP",
5216   year =         "1987",
5217   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5218   volume =       "50",
5219   number =       "4",
5220   pages =        "221--223",
5221   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
5222                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
5223                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
5224                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
5225                  BOUNDARIES",
5226   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
5227   doi =          "10.1063/1.97667",
5228   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
5229 }
5230
5231 @Article{shibahara86,
5232   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
5233                  Si(100) by chemical vapor deposition",
5234   journal =      "J. Cryst. Growth",
5235   volume =       "78",
5236   number =       "3",
5237   pages =        "538--544",
5238   year =         "1986",
5239   note =         "",
5240   ISSN =         "0022-0248",
5241   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
5242   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
5243   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
5244                  Matsunami",
5245   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
5246 }
5247
5248 @Article{desjardins96,
5249   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
5250   collaboration = "",
5251   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
5252   publisher =    "AIP",
5253   year =         "1996",
5254   journal =      "J. Appl. Phys.",
5255   volume =       "79",
5256   number =       "3",
5257   pages =        "1423--1434",
5258   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
5259                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
5260   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
5261   doi =          "10.1063/1.360980",
5262   notes =        "apb model",
5263 }
5264
5265 @Article{henke95,
5266   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
5267   collaboration = "",
5268   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
5269                  carbonization of silicon",
5270   publisher =    "AIP",
5271   year =         "1995",
5272   journal =      "J. Appl. Phys.",
5273   volume =       "78",
5274   number =       "3",
5275   pages =        "2070--2073",
5276   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
5277                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
5278                  STRUCTURE",
5279   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
5280   doi =          "10.1063/1.360184",
5281   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
5282 }
5283
5284 @Article{fuyuki89,
5285   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
5286                  {MBE} using surface superstructure",
5287   journal =      "J. Cryst. Growth",
5288   volume =       "95",
5289   number =       "1-4",
5290   pages =        "461--463",
5291   year =         "1989",
5292   note =         "",
5293   ISSN =         "0022-0248",
5294   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
5295   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
5296   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
5297                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
5298   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
5299 }
5300
5301 @Article{yoshinobu92,
5302   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
5303                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
5304   collaboration = "",
5305   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
5306                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
5307                  molecular beam epitaxy",
5308   publisher =    "AIP",
5309   year =         "1992",
5310   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5311   volume =       "60",
5312   number =       "7",
5313   pages =        "824--826",
5314   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
5315                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
5316                  INTERFACE STRUCTURE",
5317   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
5318   doi =          "10.1063/1.107430",
5319   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
5320 }
5321
5322 @Article{yoshinobu90,
5323   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
5324                  cubic Si{C}",
5325   journal =      "J. Cryst. Growth",
5326   volume =       "99",
5327   number =       "1-4",
5328   pages =        "520--524",
5329   year =         "1990",
5330   note =         "",
5331   ISSN =         "0022-0248",
5332   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
5333   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
5334   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
5335                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
5336   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
5337 }
5338
5339 @Article{fuyuki93,
5340   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
5341                  superstructures in Si{C}",
5342   journal =      "Thin Solid Films",
5343   volume =       "225",
5344   number =       "1-2",
5345   pages =        "225--229",
5346   year =         "1993",
5347   note =         "",
5348   ISSN =         "0040-6090",
5349   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
5350   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
5351   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
5352                  Matsunami",
5353   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
5354                  epitaxy, ale",
5355 }
5356
5357 @Article{hara93,
5358   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
5359                  growth of [beta]-Si{C}",
5360   journal =      "Thin Solid Films",
5361   volume =       "225",
5362   number =       "1-2",
5363   pages =        "240--243",
5364   year =         "1993",
5365   note =         "",
5366   ISSN =         "0040-6090",
5367   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
5368   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
5369   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
5370                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
5371   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
5372                  epitaxy, ale",
5373 }
5374
5375 @Article{tanaka94,
5376   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
5377   collaboration = "",
5378   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
5379                  growth mode and polytype formation during gas-source
5380                  molecular beam epitaxy",
5381   publisher =    "AIP",
5382   year =         "1994",
5383   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5384   volume =       "65",
5385   number =       "22",
5386   pages =        "2851--2853",
5387   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
5388                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
5389                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
5390                  FLOW; FLOW RATE",
5391   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
5392   doi =          "10.1063/1.112513",
5393   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
5394 }
5395
5396 @Article{fuyuki97,
5397   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
5398   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
5399                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
5400   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5401   year =         "1997",
5402   journal =      "phys. status solidi (b)",
5403   volume =       "202",
5404   pages =        "359--378",
5405   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
5406                  temperatures 750",
5407 }
5408
5409 @Article{takaoka98,
5410   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
5411   journal =      "J. Cryst. Growth",
5412   volume =       "183",
5413   number =       "1-2",
5414   pages =        "175--182",
5415   year =         "1998",
5416   note =         "",
5417   ISSN =         "0022-0248",
5418   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
5419   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
5420   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
5421   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
5422   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
5423   keywords =     "Silicon carbide",
5424   keywords =     "Silicon",
5425   keywords =     "Island growth",
5426   notes =        "lower temperature, 550-700",
5427 }
5428
5429 @Article{hatayama95,
5430   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
5431                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
5432                  molecular beam epitaxy",
5433   journal =      "J. Cryst. Growth",
5434   volume =       "150",
5435   number =       "Part 2",
5436   pages =        "934--938",
5437   year =         "1995",
5438   note =         "",
5439   ISSN =         "0022-0248",
5440   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
5441   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
5442   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
5443                  and Hiroyuki Matsunami",
5444 }
5445
5446 @Article{heine91,
5447   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
5448   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
5449                  Metastable Cubic Form",
5450   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
5451   volume =       "74",
5452   number =       "10",
5453   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
5454   ISSN =         "1551-2916",
5455   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5456   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5457   pages =        "2630--2633",
5458   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
5459                  calculations, stability",
5460   year =         "1991",
5461   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
5462                  polytype dft calculation refs",
5463 }
5464
5465 @Article{allendorf91,
5466   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
5467                  [beta]-silicon carbide",
5468   journal =      "Surf. Sci.",
5469   volume =       "258",
5470   number =       "1-3",
5471   pages =        "177--189",
5472   year =         "1991",
5473   note =         "",
5474   ISSN =         "0039-6028",
5475   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
5476   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
5477   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
5478   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
5479 }
5480
5481 @Article{eaglesham93,
5482   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
5483                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
5484   collaboration = "",
5485   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
5486   publisher =    "AIP",
5487   year =         "1993",
5488   journal =      "J. Appl. Phys.",
5489   volume =       "74",
5490   number =       "11",
5491   pages =        "6615--6618",
5492   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
5493                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
5494                  DIFFUSION; ADSORPTION",
5495   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
5496   doi =          "10.1063/1.355101",
5497   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
5498                  mobility",
5499 }
5500
5501 @Article{newman85,
5502   author =       "Ronald C. Newman",
5503   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
5504   journal =      "MRS Proc.",
5505   volume =       "59",
5506   number =       "",
5507   pages =        "403",
5508   year =         "1985",
5509   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
5510   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
5511   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
5512 }
5513
5514 @Article{newman61,
5515   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
5516   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
5517   volume =       "19",
5518   number =       "3-4",
5519   pages =        "230--234",
5520   year =         "1961",
5521   note =         "",
5522   ISSN =         "0022-3697",
5523   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
5524   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
5525   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
5526   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
5527 }
5528
5529 @Article{goesele85,
5530   author =       "U. Gösele",
5531   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
5532   journal =      "MRS Proc.",
5533   volume =       "59",
5534   number =       "",
5535   pages =        "419",
5536   year =         "1985",
5537   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
5538   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
5539   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
5540 }
5541
5542 @Article{mukashev82,
5543   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
5544   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
5545                  Fukuoka and Haruo Saito",
5546   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
5547   volume =       "21",
5548   number =       "Part 1, No. 2",
5549   pages =        "399--400",
5550   numpages =     "1",
5551   year =         "1982",
5552   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
5553   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
5554   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
5555 }
5556
5557 @Article{puska98,
5558   title =        "Convergence of supercell calculations for point
5559                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
5560   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
5561                  M. Nieminen",
5562   journal =      "Phys. Rev. B",
5563   volume =       "58",
5564   number =       "3",
5565   pages =        "1318--1325",
5566   numpages =     "7",
5567   year =         "1998",
5568   month =        jul,
5569   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
5570   publisher =    "American Physical Society",
5571   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
5572                  silicon",
5573 }
5574
5575 @Article{serre95,
5576   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
5577                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
5578                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
5579   collaboration = "",
5580   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
5581                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
5582   publisher =    "AIP",
5583   year =         "1995",
5584   journal =      "J. Appl. Phys.",
5585   volume =       "77",
5586   number =       "7",
5587   pages =        "2978--2984",
5588   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
5589                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
5590                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
5591                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
5592   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
5593   doi =          "10.1063/1.358714",
5594 }
5595
5596 @Article{romano-rodriguez96,
5597   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
5598                  dose carbon ion implantation in silicon",
5599   journal =      "Materials Science and Engineering B",
5600   volume =       "36",
5601   number =       "1-3",
5602   pages =        "282--285",
5603   year =         "1996",
5604   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
5605                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
5606                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
5607                  Semiconductors",
5608   ISSN =         "0921-5107",
5609   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
5610   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
5611   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
5612                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
5613                  and W. Skorupa",
5614   keywords =     "Silicon",
5615   keywords =     "Ion implantation",
5616   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5617 }
5618
5619 @Article{davidson75,
5620   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5621                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5622                  real-symmetric matrices",
5623   journal =      "J. Comput. Phys.",
5624   volume =       "17",
5625   number =       "1",
5626   pages =        "87--94",
5627   year =         "1975",
5628   note =         "",
5629   ISSN =         "0021-9991",
5630   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5631   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5632   author =       "Ernest R. Davidson",
5633 }
5634
5635 @Book{adorno_mm,
5636   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5637                  Leben",
5638   author =       "T. W. Adorno",
5639   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5640   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5641   year =         "1994",
5642   publisher =    "Suhrkamp",
5643 }
5644
5645 @Misc{attenberger03,
5646   author =       "Wilfried Attenberger and Jörg Lindner and Bernd
5647                  Stritzker",
5648   title =        "A {method} {for} {forming} {a} {layered}
5649                  {semiconductor} {structure} {and} {corresponding}
5650                  {structure}",
5651   year =         "2003",
5652   month =        apr,
5653   day =          "24",
5654   note =         "WO 2003/034484 A3R4",
5655   version =      "A3R4",
5656   howpublished = "Patent Application",
5657   nationality =  "WO",
5658   filing_num =   "EP0211423",
5659   yearfiled =    "2002",
5660   monthfiled =   "10",
5661   dayfiled =     "11",
5662   pat_refs =     "",
5663   ipc_class =    "7B 81C 1/00 B; 7H 01L 21/04 B; 7H 01L 21/265 B; 7H 01L
5664                  21/322 B; 7H 01L 21/324 B; 7H 01L 21/74 A; 7H 01L
5665                  21/762 B; 7H 01L 29/165 B; 7H 01L 33/00 B",
5666   us_class =     "",
5667   abstract =     "The following invention provides a method for forming
5668                  a layered semiconductor structure having a layer (5) of
5669                  a first semiconductor material on a substrate (1; 1')
5670                  of at least one second semiconductor material,
5671                  comprising the steps of: providing said substrate (1;
5672                  1'); burying said layer (5) of said first semiconductor
5673                  material in said substrate (1; 1'), said buried layer
5674                  (5) having an upper surface (105) and a lower surface
5675                  (105) and dividing said substrate (1; 1') into an upper
5676                  part (1a) and a lower part (1b; 1b', 1c); creating a
5677                  buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') which at
5678                  least partly adjoins and/or at least partly includes
5679                  said upper surface (105) of said buried layer (5); and
5680                  removing said upper part (1a) of said substrate (1; 1')
5681                  and said buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') for
5682                  exposing said buried layer (5). The invention also
5683                  provides a corresponding layered semiconductor
5684                  structure.",
5685 }
5686
5687 @Article{zunger01,
5688   author =       "Alex Zunger",
5689   title =        "Pseudopotential Theory of Semiconductor Quantum Dots",
5690   journal =      "phys. status solidi (b)",
5691   volume =       "224",
5692   number =       "3",
5693   publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
5694   ISSN =         "1521-3951",
5695   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
5696   doi =          "10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
5697   pages =        "727--734",
5698   keywords =     "71.15.Dx, 73.21.La, S5.11, S5.12, S7.11, S7.12, S8.11,
5699                  S8.12",
5700   year =         "2001",
5701   notes =        "configuration-interaction method, ci",
5702 }
5703
5704 @Article{zunger02,
5705   author =       "Alex Zunger",
5706   title =        "On the Farsightedness (hyperopia) of the Standard k ·
5707                  p Model",
5708   journal =      "phys. status solidi (a)",
5709   volume =       "190",
5710   number =       "2",
5711   publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
5712   ISSN =         "1521-396X",
5713   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
5714   doi =          "10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
5715   pages =        "467--475",
5716   keywords =     "73.20.At, 73.21.Cd, 73.21.La, 73.22.¿b, 78.20.Bh",
5717   year =         "2002",
5718 }
5719
5720 @Article{robertson90,
5721   author =       "I. J. Robertson and M. C. Payne",
5722   title =        "k-point sampling and the k.p method in pseudopotential
5723                  total energy calculations",
5724   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
5725   volume =       "2",
5726   number =       "49",
5727   pages =        "9837",
5728   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/2/i=49/a=010",
5729   year =         "1990",
5730   notes =        "kp method",
5731 }
5732
5733 @Article{lange11,
5734   volume =       "84",
5735   journal =      "Phys. Rev. B",
5736   author =       "Bj{\"o}rn Lange and Christoph Freysoldt and J{\"o}rg
5737                  Neugebauer",
5738   month =        aug,
5739   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.085101",
5740   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.085101",
5741   year =         "2011",
5742   title =        "Construction and performance of fully numerical
5743                  optimum atomic basis sets",
5744   issue =        "8",
5745   publisher =    "American Physical Society",
5746   numpages =     "11",
5747   pages =        "085101",
5748   notes =        "quamol, basis set, for planc",
5749 }
5750
5751 @Article{artacho91,
5752   volume =       "43",
5753   journal =      "Phys. Rev. A",
5754   author =       "Emilio Artacho and Lorenzo Mil\'ans del Bosch",
5755   month =        jun,
5756   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.43.5770",
5757   doi =          "10.1103/PhysRevA.43.5770",
5758   year =         "1991",
5759   title =        "Nonorthogonal basis sets in quantum mechanics:
5760                  Representations and second quantization",
5761   issue =        "11",
5762   publisher =    "American Physical Society",
5763   pages =        "5770--5777",
5764   notes =        "non-orthogonal basis set",
5765 }
5766
5767 @Article{artacho99,
5768   author =       "E. Artacho and D. Sánchez-Portal and P. Ordejón and
5769                  A. García and J. M. Soler",
5770   title =        "Linear-Scaling ab-initio Calculations for Large and
5771                  Complex Systems",
5772   journal =      "physica status solidi (b)",
5773   volume =       "215",
5774   number =       "1",
5775   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5776   ISSN =         "1521-3951",
5777   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199909)215:1<809::AID-PSSB809>3.0.CO;2-0",
5778   doi =          "10.1002/(SICI)1521-3951(199909)215:1<809::AID-PSSB809>3.0.CO;2-0",
5779   pages =        "809--817",
5780   year =         "1999",
5781 }
5782
5783 @Article{loewdin50,
5784   author =       "Per-Olov L{\"{o}}wdin",
5785   collaboration = "",
5786   title =        "On the Non-Orthogonality Problem Connected with the
5787                  Use of Atomic Wave Functions in the Theory of Molecules
5788                  and Crystals",
5789   publisher =    "AIP",
5790   year =         "1950",
5791   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
5792   volume =       "18",
5793   number =       "3",
5794   pages =        "365--375",
5795   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/18/365/1",
5796   doi =          "10.1063/1.1747632",
5797   notes =        "non orthogonal basis set",
5798 }
5799
5800 @Article{loewdin68,
5801   author =       "Per-Olov Löwdin",
5802   title =        "Studies in perturbation theory {XIII}. Treatment of
5803                  constants of motion in resolvent method, partitioning
5804                  technique, and perturbation theory",
5805   journal =      "International Journal of Quantum Chemistry",
5806   volume =       "2",
5807   number =       "6",
5808   publisher =    "John Wiley & Sons, Inc.",
5809   ISSN =         "1097-461X",
5810   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/qua.560020612",
5811   doi =          "10.1002/qua.560020612",
5812   pages =        "867--931",
5813   year =         "1968",
5814 }
5815
5816 @Article{chadi77,
5817   volume =       "16",
5818   journal =      "Phys. Rev. B",
5819   author =       "D. J. Chadi",
5820   month =        oct,
5821   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.16.3572",
5822   doi =          "10.1103/PhysRevB.16.3572",
5823   year =         "1977",
5824   title =        "Localized-orbital description of wave functions and
5825                  energy bands in semiconductors",
5826   issue =        "8",
5827   publisher =    "American Physical Society",
5828   pages =        "3572--3578",
5829   notes =        "localized orbitals",
5830 }
5831
5832 @Article{wigner33,
5833   volume =       "43",
5834   journal =      "Phys. Rev.",
5835   author =       "E. Wigner and F. Seitz",
5836   month =        may,
5837   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.43.804",
5838   doi =          "10.1103/PhysRev.43.804",
5839   year =         "1933",
5840   title =        "On the Constitution of Metallic Sodium",
5841   issue =        "10",
5842   publisher =    "American Physical Society",
5843   pages =        "804--810",
5844   notes =        "wigner seitz method",
5845 }
5846
5847 @Article{herring40,
5848   volume =       "57",
5849   journal =      "Phys. Rev.",
5850   author =       "Conyers Herring",
5851   month =        jun,
5852   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.57.1169",
5853   doi =          "10.1103/PhysRev.57.1169",
5854   year =         "1940",
5855   title =        "A New Method for Calculating Wave Functions in
5856                  Crystals",
5857   issue =        "12",
5858   publisher =    "American Physical Society",
5859   pages =        "1169--1177",
5860   notes =        "orthogonalized plane wave method, opw",
5861 }
5862
5863 @Article{slater53,
5864   volume =       "92",
5865   journal =      "Phys. Rev.",
5866   author =       "J. C. Slater",
5867   month =        nov,
5868   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.92.603",
5869   doi =          "10.1103/PhysRev.92.603",
5870   year =         "1953",
5871   title =        "An Augmented Plane Wave Method for the Periodic
5872                  Potential Problem",
5873   issue =        "3",
5874   publisher =    "American Physical Society",
5875   pages =        "603--608",
5876   notes =        "augmented plane wave method",
5877 }
5878
5879 @Article{phillips59,
5880   volume =       "116",
5881   journal =      "Phys. Rev.",
5882   author =       "James C. Phillips and Leonard Kleinman",
5883   month =        oct,
5884   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.116.287",
5885   doi =          "10.1103/PhysRev.116.287",
5886   year =         "1959",
5887   title =        "New Method for Calculating Wave Functions in Crystals
5888                  and Molecules",
5889   issue =        "2",
5890   publisher =    "American Physical Society",
5891   pages =        "287--294",
5892   notes =        "pseudo potential",
5893 }
5894
5895 @Article{austin62,
5896   volume =       "127",
5897   journal =      "Phys. Rev.",
5898   author =       "B. J. Austin and V. Heine and L. J. Sham",
5899   month =        jul,
5900   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.127.276",
5901   doi =          "10.1103/PhysRev.127.276",
5902   year =         "1962",
5903   title =        "General Theory of Pseudopotentials",
5904   issue =        "1",
5905   publisher =    "American Physical Society",
5906   pages =        "276--282",
5907   notes =        "most general form of pseudo potential",
5908 }
5909
5910 @Article{gonze91,
5911   volume =       "44",
5912   journal =      "Phys. Rev. B",
5913   author =       "Xavier Gonze and Roland Stumpf and Matthias
5914                  Scheffler",
5915   month =        oct,
5916   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.44.8503",
5917   doi =          "10.1103/PhysRevB.44.8503",
5918   year =         "1991",
5919   title =        "Analysis of separable potentials",
5920   issue =        "16",
5921   publisher =    "American Physical Society",
5922   pages =        "8503--8513",
5923 }
5924
5925 @Article{gonze09,
5926   title =        "{ABINIT}: First-principles approach to material and
5927                  nanosystem properties",
5928   journal =      "Computer Physics Communications",
5929   volume =       "180",
5930   number =       "12",
5931   pages =        "2582--2615",
5932   year =         "2009",
5933   ISSN =         "0010-4655",
5934   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2009.07.007",
5935   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465509002276",
5936   author =       "X. Gonze and B. Amadon and P.-M. Anglade and J.-M.
5937                  Beuken and F. Bottin and P. Boulanger and F. Bruneval
5938                  and D. Caliste and R. Caracas and M. Côté and T.
5939                  Deutsch and L. Genovese and Ph. Ghosez and M.
5940                  Giantomassi and S. Goedecker and D. R. Hamann and P.
5941                  Hermet and F. Jollet and G. Jomard and S. Leroux and M.
5942                  Mancini and S. Mazevet and M. J. T. Oliveira and G.
5943                  Onida and Y. Pouillon and T. Rangel and G.-M. Rignanese
5944                  and D. Sangalli and R. Shaltaf and M. Torrent and M. J.
5945                  Verstraete and G. Zerah and J. W. Zwanziger",
5946 }
5947
5948 @Article{wannier37,
5949   volume =       "52",
5950   journal =      "Phys. Rev.",
5951   author =       "Gregory H. Wannier",
5952   month =        aug,
5953   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.52.191",
5954   doi =          "10.1103/PhysRev.52.191",
5955   year =         "1937",
5956   title =        "The Structure of Electronic Excitation Levels in
5957                  Insulating Crystals",
5958   issue =        "3",
5959   publisher =    "American Physical Society",
5960   pages =        "191--197",
5961 }
5962
5963 @Article{marzari97,
5964   volume =       "56",
5965   journal =      "Phys. Rev. B",
5966   author =       "Nicola Marzari and David Vanderbilt",
5967   month =        nov,
5968   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.56.12847",
5969   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.12847",
5970   year =         "1997",
5971   title =        "Maximally localized generalized Wannier functions for
5972                  composite energy bands",
5973   issue =        "20",
5974   publisher =    "American Physical Society",
5975   pages =        "12847--12865",
5976   notes =        "maximal general localized wannier orbitals",
5977 }
5978
5979 @Article{dirac28,
5980   author =       "P. A. M. Dirac",
5981   title =        "The Quantum Theory of the Electron",
5982   volume =       "117",
5983   number =       "778",
5984   pages =        "610--624",
5985   year =         "1928",
5986   doi =          "10.1098/rspa.1928.0023",
5987   URL =          "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.short",
5988   eprint =       "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.full.pdf+html",
5989   journal =      "Proceedings of the Royal Society of London. Series A",
5990   notes =        "spin orbit origin, relativistic quantum theory",
5991 }
5992
5993 @Article{kleinman80,
5994   title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotential",
5995   author =       "Leonard Kleinman",
5996   journal =      "Phys. Rev. B",
5997   volume =       "21",
5998   issue =        "6",
5999   pages =        "2630--2631",
6000   year =         "1980",
6001   month =        mar,
6002   doi =          "10.1103/PhysRevB.21.2630",
6003   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.21.2630",
6004   publisher =    "American Physical Society",
6005   notes =        "first relativistic pseudopotential",
6006 }
6007
6008 @Article{bachelet82,
6009   title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotentials",
6010   author =       "Giovanni B. Bachelet and M. Schl{\"u}ter",
6011   journal =      "Phys. Rev. B",
6012   volume =       "25",
6013   issue =        "4",
6014   pages =        "2103--2108",
6015   year =         "1982",
6016   month =        feb,
6017   doi =          "10.1103/PhysRevB.25.2103",
6018   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.25.2103",
6019   publisher =    "American Physical Society",
6020 }
6021
6022 @Article{hybertsen86,
6023   title =        "Spin-orbit splitting in semiconductors and insulators
6024                  from the \textit{ab initio} pseudopotential",
6025   author =       "Mark S. Hybertsen and Steven G. Louie",
6026   journal =      "Phys. Rev. B",
6027   volume =       "34",
6028   issue =        "4",
6029   pages =        "2920--2922",
6030   year =         "1986",
6031   month =        aug,
6032   doi =          "10.1103/PhysRevB.34.2920",
6033   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.34.2920",
6034   publisher =    "American Physical Society",
6035   notes =        "spin orbit pseudopotential formulation",
6036 }
6037
6038 @Article{cardona88,
6039   title =        "Relativistic band structure and spin-orbit splitting
6040                  of zinc-blende-type semiconductors",
6041   author =       "M. Cardona and N. E. Christensen and G. Fasol",
6042   journal =      "Phys. Rev. B",
6043   volume =       "38",
6044   issue =        "3",
6045   pages =        "1806--1827",
6046   year =         "1988",
6047   month =        jul,
6048   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.1806",
6049   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.38.1806",
6050   publisher =    "American Physical Society",
6051   notes =        "fully relativistic band structures of zinc blende
6052                  semiconductors",
6053 }
6054
6055 @Article{hemstreet93,
6056   title =        "First-principles calculations of spin-orbit splittings
6057                  in solids using nonlocal separable pseudopotentials",
6058   author =       "L. A. Hemstreet and C. Y. Fong and J. S. Nelson",
6059   journal =      "Phys. Rev. B",
6060   volume =       "47",
6061   issue =        "8",
6062   pages =        "4238--4243",
6063   year =         "1993",
6064   month =        feb,
6065   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.4238",
6066   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.4238",
6067   publisher =    "American Physical Society",
6068 }
6069
6070 @Article{naveh07,
6071   title =        "Real-space pseudopotential method for spin-orbit
6072                  coupling within density functional theory",
6073   author =       "Doron Naveh and Leeor Kronik and Murilo L. Tiago and
6074                  James R. Chelikowsky",
6075   journal =      "Phys. Rev. B",
6076   volume =       "76",
6077   issue =        "15",
6078   pages =        "153407",
6079   numpages =     "4",
6080   year =         "2007",
6081   month =        oct,
6082   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.153407",
6083   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.153407",
6084   publisher =    "American Physical Society",
6085   notes =        "real space spin orbit pseudopotential implementation",
6086 }
6087
6088 @Article{verstraete08,
6089   title =        "Density functional perturbation theory with spin-orbit
6090                  coupling: Phonon band structure of lead",
6091   author =       "Matthieu J. Verstraete and Marc Torrent and
6092                  Fran\mbox{\c{c}}ois Jollet and Gilles Z\'erah and
6093                  Xavier Gonze",
6094   journal =      "Phys. Rev. B",
6095   volume =       "78",
6096   issue =        "4",
6097   pages =        "045119",
6098   numpages =     "9",
6099   year =         "2008",
6100   month =        jul,
6101   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045119",
6102   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.045119",
6103   publisher =    "American Physical Society",
6104 }
6105
6106 @Article{cuadrado12,
6107   author =       "R. Cuadrado and J. I. Cerdá",
6108   title =        "Fully relativistic pseudopotential formalism under an
6109                  atomic orbital basis: spin-orbit splittings and
6110                  magnetic anisotropies",
6111   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
6112   volume =       "24",
6113   number =       "8",
6114   pages =        "086005",
6115   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/24/i=8/a=086005",
6116   year =         "2012",
6117 }
6118
6119 @Article{canning00,
6120   title =        "Parallel Empirical Pseudopotential Electronic
6121                  Structure Calculations for Million Atom Systems",
6122   journal =      "Journal of Computational Physics",
6123   volume =       "160",
6124   number =       "1",
6125   pages =        "29--41",
6126   year =         "2000",
6127   note =         "",
6128   ISSN =         "0021-9991",
6129   doi =          "http://dx.doi.org/10.1006/jcph.2000.6440",
6130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0021999100964404",
6131   author =       "A. Canning and L. W. Wang and A. Williamson and A.
6132                  Zunger",
6133 }
6134
6135 @Article{oliveira08,
6136   title =        "Generating relativistic pseudo-potentials with
6137                  explicit incorporation of semi-core states using {APE},
6138                  the Atomic Pseudo-potentials Engine",
6139   journal =      "Computer Physics Communications",
6140   volume =       "178",
6141   number =       "7",
6142   pages =        "524--534",
6143   year =         "2008",
6144   note =         "",
6145   ISSN =         "0010-4655",
6146   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2007.11.003",
6147   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465507004651",
6148   author =       "Micael J. T. Oliveira and Fernando Nogueira",
6149   keywords =     "Pseudo-potential",
6150   keywords =     "Electronic structure",
6151   keywords =     "Density functional",
6152 }
6153
6154 @Article{fornberg88,
6155   author =       "Bengt Fornberg",
6156   title =        "Generation of finite difference formulas on
6157                  arbitrarily spaced grids",
6158   journal =      "Math. Comp.",
6159   volume =       "51",
6160   number =       "",
6161   pages =        "699--706",
6162   year =         "1988",
6163   doi =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
6164   URL =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
6165 }
6166
6167 @Article{fornberg94,
6168   author =       "Bengt Fornberg and David M. Sloan",
6169   title =        "A review of pseudospectral methods for solving partial
6170                  differential equations",
6171   journal =      "Acta Numerica",
6172   volume =       "3",
6173   number =       "",
6174   pages =        "203--267",
6175   year =         "1994",
6176   doi =          "10.1017/S0962492900002440",
6177   URL =          "http://dx.doi.org/10.1017/S0962492900002440",
6178 }
6179
6180 @Article{urbaszek03,
6181   title =        "Fine Structure of Highly Charged Excitons in
6182                  Semiconductor Quantum Dots",
6183   author =       "B. Urbaszek and R. J. Warburton and K. Karrai and B.
6184                  D. Gerardot and P. M. Petroff and J. M. Garcia",
6185   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6186   volume =       "90",
6187   issue =        "24",
6188   pages =        "247403",
6189   numpages =     "4",
6190   year =         "2003",
6191   month =        jun,
6192   doi =          "10.1103/PhysRevLett.90.247403",
6193   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.90.247403",
6194   publisher =    "American Physical Society",
6195 }
6196
6197 @Article{dekel98,
6198   title =        "Multiexciton Spectroscopy of a Single Self-Assembled
6199                  Quantum Dot",
6200   author =       "E. Dekel and D. Gershoni and E. Ehrenfreund and D.
6201                  Spektor and J. M. Garcia and P. M. Petroff",
6202   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6203   volume =       "80",
6204   issue =        "22",
6205   pages =        "4991--4994",
6206   year =         "1998",
6207   month =        jun,
6208   doi =          "10.1103/PhysRevLett.80.4991",
6209   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.80.4991",
6210   publisher =    "American Physical Society",
6211 }
6212
6213 @Article{bayer02,
6214   title =        "Fine structure of neutral and charged excitons in
6215                  self-assembled In(Ga)As/(Al)GaAs quantum dots",
6216   author =       "M. Bayer and G. Ortner and O. Stern and A. Kuther and
6217                  A. A. Gorbunov and A. Forchel and P. Hawrylak and S.
6218                  Fafard and K. Hinzer and T. L. Reinecke and S. N. Walck
6219                  and J. P. Reithmaier and F. Klopf and F. Sch{\"a}fer",
6220   journal =      "Phys. Rev. B",
6221   volume =       "65",
6222   issue =        "19",
6223   pages =        "195315",
6224   numpages =     "23",
6225   year =         "2002",
6226   month =        may,
6227   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195315",
6228   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.65.195315",
6229   publisher =    "American Physical Society",
6230 }
6231
6232 @Article{bayer99,
6233   title =        "Electron and Hole $\mathit{g}$ Factors and Exchange
6234                  Interaction from Studies of the Exciton Fine Structure
6235                  in
6236                  ${\mathrm{In}}_{0.60}{\mathrm{Ga}}_{0.40}\mathrm{As}$
6237                  Quantum Dots",
6238   author =       "M. Bayer and A. Kuther and A. Forchel and A. Gorbunov
6239                  and V. B. Timofeev and F. Sch{\"a}fer and J. P.
6240                  Reithmaier and T. L. Reinecke and S. N. Walck",
6241   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6242   volume =       "82",
6243   issue =        "8",
6244   pages =        "1748--1751",
6245   year =         "1999",
6246   month =        feb,
6247   doi =          "10.1103/PhysRevLett.82.1748",
6248   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.82.1748",
6249   publisher =    "American Physical Society",
6250 }
6251
6252 @Article{loss98,
6253   title =        "Quantum computation with quantum dots",
6254   author =       "Daniel Loss and David P. DiVincenzo",
6255   journal =      "Phys. Rev. A",
6256   volume =       "57",
6257   issue =        "1",
6258   pages =        "120--126",
6259   year =         "1998",
6260   month =        jan,
6261   doi =          "10.1103/PhysRevA.57.120",
6262   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.57.120",
6263   publisher =    "American Physical Society",
6264 }
6265
6266 @Article{schaller04,
6267   title =        "High Efficiency Carrier Multiplication in PbSe
6268                  Nanocrystals: Implications for Solar Energy
6269                  Conversion",
6270   author =       "R. D. Schaller and V. I. Klimov",
6271   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6272   volume =       "92",
6273   issue =        "18",
6274   pages =        "186601",
6275   numpages =     "4",
6276   year =         "2004",
6277   month =        may,
6278   doi =          "10.1103/PhysRevLett.92.186601",
6279   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.92.186601",
6280   publisher =    "American Physical Society",
6281 }
6282
6283 @Article{cardenas12,
6284   title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
6285   author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
6286   journal =      "Phys. Rev. B",
6287   volume =       "86",
6288   issue =        "11",
6289   pages =        "115332",
6290   numpages =     "9",
6291   year =         "2012",
6292   month =        sep,
6293   doi =          "10.1103/PhysRevB.86.115332",
6294   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.86.115332",
6295   publisher =    "American Physical Society",
6296 }
6297
6298 @Misc{aep12,
6299   title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
6300   author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
6301   year =         "2012",
6302   month =        sep,
6303   URL =          "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
6304   eprint =       "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
6305 }
6306
6307 @Article{bester05,
6308   title =        "Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor quantum
6309                  dots do not have cylindrical symmetry:\quad{}Atomistic
6310                  symmetry, atomic relaxation, and piezoelectric
6311                  effects",
6312   author =       "Gabriel Bester and Alex Zunger",
6313   journal =      "Phys. Rev. B",
6314   volume =       "71",
6315   issue =        "4",
6316   pages =        "045318",
6317   numpages =     "12",
6318   year =         "2005",
6319   month =        jan,
6320   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.045318",
6321   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.71.045318",
6322   publisher =    "American Physical Society",
6323 }
6324
6325 @Article{bester09,
6326   author =       "Gabriel Bester",
6327   title =        "Electronic excitations in nanostructures: an empirical
6328                  pseudopotential based approach",
6329   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
6330   volume =       "21",
6331   number =       "2",
6332   pages =        "023202",
6333   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/21/i=2/a=023202",
6334   year =         "2009",
6335 }
6336
6337 @Article{cohen66,
6338   title =        "Band Structures and Pseudopotential Form Factors for
6339                  Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zinc-blende
6340                  Structures",
6341   author =       "Marvin L. Cohen and T. K. Bergstresser",
6342   journal =      "Phys. Rev.",
6343   volume =       "141",
6344   issue =        "2",
6345   pages =        "789--796",
6346   year =         "1966",
6347   month =        jan,
6348   doi =          "10.1103/PhysRev.141.789",
6349   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.141.789",
6350   publisher =    "American Physical Society",
6351 }
6352
6353 @Article{maeder94,
6354   title =        "Empirical atomic pseudopotentials for AlAs/GaAs
6355                  superlattices, alloys, and nanostructures",
6356   author =       "Kurt A. M{\"a}der and Alex Zunger",
6357   journal =      "Phys. Rev. B",
6358   volume =       "50",
6359   issue =        "23",
6360   pages =        "17393--17405",
6361   year =         "1994",
6362   month =        dec,
6363   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17393",
6364   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.50.17393",
6365   publisher =    "American Physical Society",
6366 }
6367
6368 @Article{wang94_2,
6369   author =       "Lin Wang Wang and Alex Zunger",
6370   title =        "Electronic Structure Pseudopotential Calculations of
6371                  Large (.apprx.1000 Atoms) Si Quantum Dots",
6372   journal =      "The Journal of Physical Chemistry",
6373   volume =       "98",
6374   number =       "8",
6375   pages =        "2158--2165",
6376   year =         "1994",
6377   doi =          "10.1021/j100059a032",
6378   URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/j100059a032",
6379   eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/j100059a032",
6380 }
6381
6382 @Article{wang95,
6383   title =        "Local-density-derived semiempirical pseudopotentials",
6384   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6385   journal =      "Phys. Rev. B",
6386   volume =       "51",
6387   issue =        "24",
6388   pages =        "17398--17416",
6389   year =         "1995",
6390   month =        jun,
6391   doi =          "10.1103/PhysRevB.51.17398",
6392   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.17398",
6393   publisher =    "American Physical Society",
6394 }
6395
6396 @Article{wang99,
6397   title =        "Linear combination of bulk bands method for
6398                  large-scale electronic structure calculations on
6399                  strained nanostructures",
6400   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6401   journal =      "Phys. Rev. B",
6402   volume =       "59",
6403   issue =        "24",
6404   pages =        "15806--15818",
6405   year =         "1999",
6406   month =        jun,
6407   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.15806",
6408   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.59.15806",
6409   publisher =    "American Physical Society",
6410 }
6411
6412 @Article{franceschetti99,
6413   title =        "Many-body pseudopotential theory of excitons in In{P}
6414                  and CdSe quantum dots",
6415   author =       "A. Franceschetti and H. Fu and L. W. Wang and A.
6416                  Zunger",
6417   journal =      "Phys. Rev. B",
6418   volume =       "60",
6419   issue =        "3",
6420   pages =        "1819--1829",
6421   year =         "1999",
6422   month =        jul,
6423   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.1819",
6424   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.60.1819",
6425   publisher =    "American Physical Society",
6426 }
6427
6428 @Article{wang94,
6429   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6430   collaboration = "",
6431   title =        "Solving Schr[o-umlaut]dinger's equation around a
6432                  desired energy: Application to silicon quantum dots",
6433   publisher =    "AIP",
6434   year =         "1994",
6435   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
6436   volume =       "100",
6437   number =       "3",
6438   pages =        "2394--2397",
6439   keywords =     "SCHROEDINGER EQUATION; SILICON; ONEDIMENSIONAL
6440                  CALCULATIONS; USES; ENERGY LEVELS; EIGENVALUES;
6441                  ELECTRONIC STRUCTURE; CALCULATION METHODS; PLANE WAVES;
6442                  PSEUDOPOTENTIAL",
6443   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/100/2394/1",
6444   doi =          "10.1063/1.466486",
6445 }
6446
6447 @Article{jacobi1845,
6448   author =       "C. G. J. Jacobi",
6449   title =        "Ueber eine neue Auflösungsart der bei der Methode der
6450                  kleinsten Quadrate vorkommenden lineären Gleichungen",
6451   journal =      "Astronom. Nachr.",
6452   volume =       "22",
6453   number =       "20",
6454   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
6455   ISSN =         "1521-3994",
6456   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/asna.18450222002",
6457   doi =          "10.1002/asna.18450222002",
6458   pages =        "297--306",
6459   year =         "1845",
6460 }
6461
6462 @Article{jacobi1846,
6463   author =       "C. G. J. Jacobi",
6464   title =        "{\"U}ber ein leichtes Verfahren die in der Theorie der
6465                  {S}{\"a}cularst{\"o}rungen vorkommenden Gleichungen
6466                  numerisch aufzul{\"o}sen",
6467   journal =      "J. Reine und Angew. Math.",
6468   volume =       "1846",
6469   number =       "30",
6470   URL =          "http://www.degruyter.com/view/j/crll.1846.issue-30/crll.1846.30.51/crll.1846.30.51.xml",
6471   doi =          "doi:10.1515/crll.1846.30.51",
6472   pages =        "51--94",
6473   year =         "1846",
6474 }
6475
6476 @Article{sleijpen96,
6477   author =       "G. G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
6478   title =        "A Jacobi--Davidson Iteration Method for Linear
6479                  Eigenvalue Problems",
6480   journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
6481   volume =       "17",
6482   number =       "2",
6483   pages =        "401--425",
6484   year =         "1996",
6485   doi =          "10.1137/S0895479894270427",
6486   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0895479894270427",
6487   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0895479894270427",
6488 }
6489
6490 @Article{sleijpen00,
6491   author =       "G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
6492   title =        "A Jacobi--Davidson Iteration Method for Linear
6493                  Eigenvalue Problems",
6494   journal =      "SIAM Review",
6495   volume =       "42",
6496   number =       "2",
6497   pages =        "267--293",
6498   year =         "2000",
6499   doi =          "10.1137/S0036144599363084",
6500   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0036144599363084",
6501   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0036144599363084",
6502 }
6503
6504 @Article{morgan91,
6505   title =        "Computing interior eigenvalues of large matrices",
6506   journal =      "Linear Algebra and its Applications",
6507   volume =       "154--156",
6508   number =       "0",
6509   pages =        "289--309",
6510   year =         "1991",
6511   note =         "",
6512   ISSN =         "0024-3795",
6513   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/0024-3795(91)90381-6",
6514   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0024379591903816",
6515   author =       "Ronald B. Morgan",
6516 }
6517
6518 @Article{sorensen92,
6519   author =       "D. Sorensen",
6520   title =        "Implicit Application of Polynomial Filters in a k-Step
6521                  Arnoldi Method",
6522   journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
6523   volume =       "13",
6524   number =       "1",
6525   pages =        "357--385",
6526   year =         "1992",
6527   doi =          "10.1137/0613025",
6528   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/0613025",
6529   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/0613025",
6530 }
6531
6532 @Article{paige95,
6533   author =       "Chris C. Paige and Beresford N. Parlett and Henk A.
6534                  {van der Vorst}",
6535   title =        "Approximate solutions and eigenvalue bounds from
6536                  Krylov subspaces",
6537   journal =      "Numerical Linear Algebra with Applications",
6538   volume =       "2",
6539   number =       "2",
6540   publisher =    "John Wiley & Sons, Ltd",
6541   ISSN =         "1099-1506",
6542   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/nla.1680020205",
6543   doi =          "10.1002/nla.1680020205",
6544   pages =        "115--133",
6545   keywords =     "Krylov subspace, Lanczos process, symmetric matrix,
6546                  conjugate gradients, minimum residual, Lehmann
6547                  intervals",
6548   year =         "1995",
6549 }
6550
6551 @Book{lehoucq98,
6552   title =        "Arpack User's Guide: Solution of Large-Scale
6553                  Eigenvalue Problems With Implicityly Restorted Arnoldi
6554                  Methods",
6555   author =       "R Richard B Lehoucq and D Danny C Sorensen and
6556                  Chao-Chih Yang",
6557   volume =       "6",
6558   year =         "1998",
6559   publisher =    "Siam",
6560 }
6561
6562 @Article{sorensen01,
6563   title =        "{ARPACK} Software Package",
6564   author =       "D. C. Sorensen and R. B. Lehoucq and C. Yang and K.
6565                  Maschhoff",
6566   journal =      "Rice University",
6567   year =         "2001",
6568 }
6569
6570 @Article{luo08,
6571   title =        "Quantum-size-induced electronic transitions in quantum
6572                  dots: Indirect band-gap GaAs",
6573   author =       "Jun-Wei Luo and Alberto Franceschetti and Alex
6574                  Zunger",
6575   journal =      "Phys. Rev. B",
6576   volume =       "78",
6577   issue =        "3",
6578   pages =        "035306",
6579   numpages =     "8",
6580   year =         "2008",
6581   month =        jul,
6582   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035306",
6583   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.035306",
6584   publisher =    "American Physical Society",
6585 }
6586
6587 @Misc{openmp08,
6588   author =       "{OpenMP Architecture Review Board}",
6589   title =        "{OpenMP} Application Program Interface Version 3.0",
6590   month =        may,
6591   year =         "2008",
6592   URL =          "\url{http://www.openmp.org/mp-documents/spec30.pdf}",
6593 }
6594
6595 @Book{anderson99,
6596   author =       "E. Anderson and Z. Bai and C. Bischof and L. S.
6597                  Blackford and J. Demmel and J. Dongarra and J. Du Croz
6598                  and A. Greenbaum and S. Hammarling and A. McKenney and
6599                  D. Sorensen",
6600   title =        "{LAPACK} Users' Guide",
6601   publisher =    "Society for Industrial and Applied Mathematics",
6602   year =         "1999",
6603   doi =          "10.1137/1.9780898719604",
6604   address =      "",
6605   edition =      "Third",
6606   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/1.9780898719604",
6607   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/1.9780898719604",
6608 }
6609
6610 @Article{lawson79,
6611   author =       "C. L. Lawson and R. J. Hanson and D. R. Kincaid and F.
6612                  T. Krogh",
6613   title =        "{Algorithm 539}: {Basic Linear Algebra Subprograms}
6614                  for {Fortran} Usage [{F1}]",
6615   journal =      "{ACM} Transactions on Mathematical Software",
6616   volume =       "5",
6617   number =       "3",
6618   pages =        "324--325",
6619   month =        sep,
6620   year =         "1979",
6621   CODEN =        "ACMSCU",
6622   ISSN =         "0098-3500",
6623   URL =          "http://doi.acm.org/10.1145/355841.355848",
6624 }
6625
6626 @Article{hartwigsen98,
6627   title =        "Relativistic separable dual-space Gaussian
6628                  pseudopotentials from {H} to Rn",
6629   author =       "C. Hartwigsen and S. Goedecker and J. Hutter",
6630   journal =      "Phys. Rev. B",
6631   volume =       "58",
6632   issue =        "7",
6633   pages =        "3641--3662",
6634   year =         "1998",
6635   month =        aug,
6636   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.3641",
6637   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.58.3641",
6638   publisher =    "American Physical Society",
6639 }
6640
6641 @InProceedings{frigo98,
6642   author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
6643   booktitle =    "Acoustics, Speech and Signal Processing, 1998.
6644                  Proceedings of the 1998 IEEE International Conference
6645                  on",
6646   title =        "{FFTW}: an adaptive software architecture for the
6647                  {FFT}",
6648   year =         "1998",
6649   month =        may,
6650   volume =       "3",
6651   number =       "",
6652   pages =        "1381--1384",
6653   keywords =     "DFT;FFT;FFTW;adaptive FFT program;adaptive software
6654                  architecture;computer architecture;fast
6655                  algorithm;floating-point operations;memory
6656                  hierarchy;performance;processor
6657                  pipeline;self-optimizing approach;adaptive
6658                  systems;discrete Fourier transforms;fast Fourier
6659                  transforms;mathematics computing;",
6660   doi =          "10.1109/ICASSP.1998.681704",
6661   ISSN =         "1520-6149",
6662 }
6663
6664 @Article{frigo05,
6665   author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
6666   journal =      "Proceedings of the IEEE",
6667   title =        "The Design and Implementation of {FFTW3}",
6668   year =         "2005",
6669   month =        feb,
6670   volume =       "93",
6671   number =       "2",
6672   pages =        "216--231",
6673   keywords =     "DFT algorithm;FFTW3 design;FFTW3 version;cosine
6674                  transforms;discrete Fourier transform;hand optimized
6675                  libraries;machine specific single instruction;multiple
6676                  data instructions;sine transforms;software
6677                  structure;discrete Fourier transforms;discrete cosine
6678                  transforms;mathematics computing;optimising
6679                  compilers;parallel programming;software libraries;",
6680   doi =          "10.1109/JPROC.2004.840301",
6681   ISSN =         "0018-9219",
6682 }
6683
6684 @InCollection{takahashi10,
6685   author =       "Daisuke Takahashi",
6686   affiliation =  "Graduate School of Systems and Information
6687                  Engineering, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai,
6688                  Tsukuba, Ibaraki, 305-8573 Japan",
6689   title =        "An Implementation of Parallel 3-{D} {FFT} with 2-{D}
6690                  Decomposition on a Massively Parallel Cluster of
6691                  Multi-core Processors",
6692   booktitle =    "Parallel Processing and Applied Mathematics",
6693   series =       "Lecture Notes in Computer Science",
6694   editor =       "Roman Wyrzykowski and Jack Dongarra and Konrad
6695                  Karczewski and Jerzy Wasniewski",
6696   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
6697   ISBN =         "978-3-642-14389-2",
6698   keyword =      "Computer Science",
6699   pages =        "606--614",
6700   volume =       "6067",
6701   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14390-8_63",
6702   year =         "2010",
6703 }
6704
6705 @Misc{ffte11,
6706   title =        "{FFTE}: {A} Fast Fourier Transform Package",
6707   author =       "D. Takahashi",
6708   year =         "2011",
6709   month =        nov,
6710   URL =          "http://www.ffte.jp/",
6711   eprint =       "http://www.ffte.jp/",
6712 }
6713
6714 @Article{kane05,
6715   title =        "Quantum Spin Hall Effect in Graphene",
6716   author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
6717   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6718   volume =       "95",
6719   issue =        "22",
6720   pages =        "226801",
6721   numpages =     "4",
6722   year =         "2005",
6723   month =        nov,
6724   doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.226801",
6725   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.226801",
6726   publisher =    "American Physical Society",
6727 }
6728
6729 @Article{kane05_2,
6730   title =        "${Z}_{2}$ Topological Order and the Quantum Spin Hall
6731                  Effect",
6732   author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
6733   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6734   volume =       "95",
6735   issue =        "14",
6736   pages =        "146802",
6737   numpages =     "4",
6738   year =         "2005",
6739   month =        sep,
6740   doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.146802",
6741   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.146802",
6742   publisher =    "American Physical Society",
6743 }
6744
6745 @Article{moore07,
6746   title =        "Topological invariants of time-reversal-invariant band
6747                  structures",
6748   author =       "J. E. Moore and L. Balents",
6749   journal =      "Phys. Rev. B",
6750   volume =       "75",
6751   issue =        "12",
6752   pages =        "121306",
6753   numpages =     "4",
6754   year =         "2007",
6755   month =        mar,
6756   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.121306",
6757   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.75.121306",
6758   publisher =    "American Physical Society",
6759 }
6760
6761 @Article{koenig07,
6762   author =       "Markus K{\"o}nig and Steffen Wiedmann and Christoph
6763                  Br{\"u}ne and Andreas Roth and Hartmut Buhmann and
6764                  Laurens W. Molenkamp and Xiao-Liang Qi and Shou-Cheng
6765                  Zhang",
6766   title =        "Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum
6767                  Wells",
6768   volume =       "318",
6769   number =       "5851",
6770   pages =        "766--770",
6771   year =         "2007",
6772   doi =          "10.1126/science.1148047",
6773   URL =          "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.abstract",
6774   eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.full.pdf",
6775   journal =      "Science",
6776 }
6777
6778 @Article{bernevig06,
6779   author =       "B. Andrei Bernevig and Taylor L. Hughes and Shou-Cheng
6780                  Zhang",
6781   title =        "Quantum Spin Hall Effect and Topological Phase
6782                  Transition in HgTe Quantum Wells",
6783   volume =       "314",
6784   number =       "5806",
6785   pages =        "1757--1761",
6786   year =         "2006",
6787   doi =          "10.1126/science.1133734",
6788   URL =          "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.abstract",
6789   eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.full.pdf",
6790   journal =      "Science",
6791 }
6792
6793 @Article{barnevig06_2,
6794   title =        "Quantum Spin Hall Effect",
6795   author =       "B. Andrei Bernevig and Shou-Cheng Zhang",
6796   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6797   volume =       "96",
6798   issue =        "10",
6799   pages =        "106802",
6800   numpages =     "4",
6801   year =         "2006",
6802   month =        mar,
6803   doi =          "10.1103/PhysRevLett.96.106802",
6804   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.96.106802",
6805   publisher =    "American Physical Society",
6806 }
6807
6808 @Article{hasan10,
6809   title =        "\textit{Colloquium} : Topological insulators",
6810   author =       "M. Z. Hasan and C. L. Kane",
6811   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
6812   volume =       "82",
6813   issue =        "4",
6814   pages =        "3045--3067",
6815   year =         "2010",
6816   month =        nov,
6817   doi =          "10.1103/RevModPhys.82.3045",
6818   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.82.3045",
6819   publisher =    "American Physical Society",
6820 }
6821
6822 @Article{fu07,
6823   title =        "Topological insulators with inversion symmetry",
6824   author =       "Liang Fu and C. L. Kane",
6825   journal =      "Phys. Rev. B",
6826   volume =       "76",
6827   issue =        "4",
6828   pages =        "045302",
6829   numpages =     "17",
6830   year =         "2007",
6831   month =        jul,
6832   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.045302",
6833   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.045302",
6834   publisher =    "American Physical Society",
6835 }
6836
6837 @Article{fu11,
6838   title =        "Topological Crystalline Insulators",
6839   author =       "Liang Fu",
6840   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6841   volume =       "106",
6842   issue =        "10",
6843   pages =        "106802",
6844   numpages =     "4",
6845   year =         "2011",
6846   month =        mar,
6847   doi =          "10.1103/PhysRevLett.106.106802",
6848   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.106.106802",
6849   publisher =    "American Physical Society",
6850   notes =        "topological insulator without spin-orbit coupling",
6851 }
6852
6853 @Article{luo10,
6854   title =        "Design Principles and Coupling Mechanisms in the 2{D}
6855                  Quantum Well Topological Insulator
6856                  $\mathrm{HgTe}/\mathrm{CdTe}$",
6857   author =       "Jun-Wei Luo and Alex Zunger",
6858   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6859   volume =       "105",
6860   issue =        "17",
6861   pages =        "176805",
6862   numpages =     "4",
6863   year =         "2010",
6864   month =        oct,
6865   doi =          "10.1103/PhysRevLett.105.176805",
6866   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.105.176805",
6867   publisher =    "American Physical Society",
6868   notes =        "zunger topological insulator",
6869 }
6870
6871 @Article{luo10_2,
6872   title =        "Discovery of a Novel Linear-in-$k$ Spin Splitting for
6873                  Holes in the 2{D} $\mathrm{GaAs}/\mathrm{AlAs}$
6874                  System",
6875   author =       "Jun-Wei Luo and Athanasios N. Chantis and Mark van
6876                  Schilfgaarde and Gabriel Bester and Alex Zunger",
6877   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6878   volume =       "104",
6879   issue =        "6",
6880   pages =        "066405",
6881   numpages =     "4",
6882   year =         "2010",
6883   month =        feb,
6884   doi =          "10.1103/PhysRevLett.104.066405",
6885   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.104.066405",
6886   publisher =    "American Physical Society",
6887 }
6888
6889 @Article{gehring13,
6890   author =       "P. Gehring and H. M. Benia and Y. Weng and R.
6891                  Dinnebier and C. R. Ast and M. Burghard and K. Kern",
6892   title =        "A Natural Topological Insulator",
6893   journal =      "Nano Letters",
6894   volume =       "13",
6895   number =       "3",
6896   pages =        "1179--1184",
6897   year =         "2013",
6898   doi =          "10.1021/nl304583m",
6899   URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl304583m",
6900   eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl304583m",
6901 }
6902
6903 @Article{bryant03,
6904   title =        "Tight-binding theory of quantum-dot quantum
6905                  wells:\quad{}Single-particle effects and near-band-edge
6906                  structure",
6907   author =       "Garnett W. Bryant and W. Jask\'olski",
6908   journal =      "Phys. Rev. B",
6909   volume =       "67",
6910   issue =        "20",
6911   pages =        "205320",
6912   numpages =     "17",
6913   year =         "2003",
6914   month =        may,
6915   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.205320",
6916   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.67.205320",
6917   publisher =    "American Physical Society",
6918 }
6919
6920 @Article{chelikowsky94,
6921   title =        "Finite-difference-pseudopotential method: Electronic
6922                  structure calculations without a basis",
6923   author =       "James R. Chelikowsky and N. Troullier and Y. Saad",
6924   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6925   volume =       "72",
6926   issue =        "8",
6927   pages =        "1240--1243",
6928   year =         "1994",
6929   month =        feb,
6930   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.1240",
6931   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.72.1240",
6932   publisher =    "American Physical Society",
6933 }
6934
6935 @Article{briggs96,
6936   title =        "Real-space multigrid-based approach to large-scale
6937                  electronic structure calculations",
6938   author =       "E. L. Briggs and D. J. Sullivan and J. Bernholc",
6939   journal =      "Phys. Rev. B",
6940   volume =       "54",
6941   issue =        "20",
6942   pages =        "14362--14375",
6943   numpages =     "0",
6944   year =         "1996",
6945   month =        nov,
6946   publisher =    "American Physical Society",
6947   doi =          "10.1103/PhysRevB.54.14362",
6948   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.54.14362",
6949 }
6950
6951 @Article{beck2000,
6952   title =        "Real-space mesh techniques in density-functional
6953                  theory",
6954   author =       "Thomas L. Beck",
6955   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
6956   volume =       "72",
6957   issue =        "4",
6958   pages =        "1041--1080",
6959   numpages =     "0",
6960   year =         "2000",
6961   month =        oct,
6962   publisher =    "American Physical Society",
6963   doi =          "10.1103/RevModPhys.72.1041",
6964   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.72.1041",
6965 }
6966
6967 @Article{saad10,
6968   author =       "Y. Saad and J. Chelikowsky and S. Shontz",
6969   title =        "Numerical Methods for Electronic Structure
6970                  Calculations of Materials",
6971   journal =      "SIAM Review",
6972   volume =       "52",
6973   number =       "1",
6974   pages =        "3--54",
6975   year =         "2010",
6976   doi =          "10.1137/060651653",
6977   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/060651653",
6978   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/060651653",
6979 }
6980
6981 @Article{kronik06,
6982   author =       "Leeor Kronik and Adi Makmal and Murilo L. Tiago and M.
6983                  M. G. Alemany and Manish Jain and Xiangyang Huang and
6984                  Yousef Saad and James R. Chelikowsky",
6985   title =        "{PARSEC} - the pseudopotential algorithm for
6986                  real-space electronic structure calculations: recent
6987                  advances and novel applications to nano-structures",
6988   journal =      "physica status solidi (b)",
6989   volume =       "243",
6990   number =       "5",
6991   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
6992   ISSN =         "1521-3951",
6993   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200541463",
6994   doi =          "10.1002/pssb.200541463",
6995   pages =        "1063--1079",
6996   keywords =     "61.46.+w, 71.15.Mb, 73.22.-f",
6997   year =         "2006",
6998 }
6999
7000 @Article{alemany04,
7001   title =        "Real-space pseudopotential method for computing the
7002                  electronic properties of periodic systems",
7003   author =       "M. M. G. Alemany and Manish Jain and Leeor Kronik and
7004                  James R. Chelikowsky",
7005   journal =      "Phys. Rev. B",
7006   volume =       "69",
7007   issue =        "7",
7008   pages =        "075101",
7009   numpages =     "6",
7010   year =         "2004",
7011   month =        feb,
7012   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.075101",
7013   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.69.075101",
7014   publisher =    "American Physical Society",
7015 }
7016
7017 @Article{li93,
7018   title =        "Density-matrix electronic-structure method with linear
7019                  system-size scaling",
7020   author =       "X.-P. Li and R. W. Nunes and David Vanderbilt",
7021   journal =      "Phys. Rev. B",
7022   volume =       "47",
7023   issue =        "16",
7024   pages =        "10891--10894",
7025   year =         "1993",
7026   month =        apr,
7027   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10891",
7028   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.10891",
7029   publisher =    "American Physical Society",
7030 }
7031
7032 @Article{mauri93,
7033   title =        "Self-consistent first-principles technique with linear
7034                  scaling",
7035   author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan",
7036   journal =      "Phys. Rev. B",
7037   volume =       "51",
7038   issue =        "15",
7039   pages =        "10157--10160",
7040   year =         "1995",
7041   month =        apr,
7042   doi =          "10.1103/PhysRevB.51.10157",
7043   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.10157",
7044   publisher =    "American Physical Society",
7045 }
7046
7047 @Article{hernandez95,
7048   title =        "Self-consistent first-principles technique with linear
7049                  scaling",
7050   author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan",
7051   journal =      "Phys. Rev. B",
7052   volume =       "51",
7053   issue =        "15",
7054   pages =        "10157--10160",
7055   year =         "1995",
7056   month =        apr,
7057   doi =          "10.1103/PhysRevB.51.10157",
7058   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.10157",
7059   publisher =    "American Physical Society",
7060 }
7061
7062 @Article{hernandez96,
7063   title =        "Linear-scaling density-functional-theory technique:
7064                  The density-matrix approach",
7065   author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan and C. M. Goringe",
7066   journal =      "Phys. Rev. B",
7067   volume =       "53",
7068   issue =        "11",
7069   pages =        "7147--7157",
7070   year =         "1996",
7071   month =        mar,
7072   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.7147",
7073   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.53.7147",
7074   publisher =    "American Physical Society",
7075 }
7076
7077 @Article{jordan12,
7078   title =        "Fast iterative interior eigensolver for millions of
7079                  atoms",
7080   journal =      "Journal of Computational Physics",
7081   volume =       "231",
7082   number =       "14",
7083   pages =        "4836--4847",
7084   year =         "2012",
7085   note =         "",
7086   ISSN =         "0021-9991",
7087   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.jcp.2012.04.010",
7088   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0021999112001829",
7089   author =       "Gerald Jordan and Martijn Marsman and Yoon-Suk Kim and
7090                  Georg Kresse",
7091 }
7092
7093 @Article{goedecker99,
7094   title =        "Linear scaling electronic structure methods",
7095   author =       "Stefan Goedecker",
7096   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7097   volume =       "71",
7098   issue =        "4",
7099   pages =        "1085--1123",
7100   year =         "1999",
7101   month =        jul,
7102   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1085",
7103   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.71.1085",
7104   publisher =    "American Physical Society",
7105 }
7106
7107 @Article{murayama94,
7108   title =        "Chemical trend of band offsets at wurtzite/zinc-blende
7109                  heterocrystalline semiconductor interfaces",
7110   author =       "M. Murayama and T. Nakayama",
7111   journal =      "Phys. Rev. B",
7112   volume =       "49",
7113   issue =        "7",
7114   pages =        "4710--4724",
7115   year =         "1994",
7116   month =        feb,
7117   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.4710",
7118   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.49.4710",
7119   publisher =    "American Physical Society",
7120 }
7121
7122 @Article{aryasetiawan98,
7123   author =       "F Aryasetiawan and O Gunnarsson",
7124   title =        "The {GW} method",
7125   journal =      "Reports on Progress in Physics",
7126   volume =       "61",
7127   number =       "3",
7128   pages =        "237",
7129   URL =          "http://stacks.iop.org/0034-4885/61/i=3/a=002",
7130   year =         "1998",
7131 }
7132
7133 @Article{onida02,
7134   title =        "Electronic excitations: density-functional versus
7135                  many-body Green¿s-function approaches",
7136   author =       "Giovanni Onida and Lucia Reining and Angel Rubio",
7137   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7138   volume =       "74",
7139   issue =        "2",
7140   pages =        "601--659",
7141   numpages =     "0",
7142   year =         "2002",
7143   month =        jun,
7144   publisher =    "American Physical Society",
7145   doi =          "10.1103/RevModPhys.74.601",
7146   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.74.601",
7147 }
7148
7149 @Article{georges96,
7150   title =        "Dynamical mean-field theory of strongly correlated
7151                  fermion systems and the limit of infinite dimensions",
7152   author =       "Antoine Georges and Gabriel Kotliar and Werner Krauth
7153                  and Marcelo J. Rozenberg",
7154   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7155   volume =       "68",
7156   issue =        "1",
7157   pages =        "13--125",
7158   numpages =     "0",
7159   year =         "1996",
7160   month =        jan,
7161   publisher =    "American Physical Society",
7162   doi =          "10.1103/RevModPhys.68.13",
7163   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.68.13",
7164 }
7165
7166 @Article{kotilar06,
7167   title =        "Electronic structure calculations with dynamical
7168                  mean-field theory",
7169   author =       "G. Kotliar and S. Y. Savrasov and K. Haule and V. S.
7170                  Oudovenko and O. Parcollet and C. A. Marianetti",
7171   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7172   volume =       "78",
7173   issue =        "3",
7174   pages =        "865--951",
7175   numpages =     "0",
7176   year =         "2006",
7177   month =        aug,
7178   publisher =    "American Physical Society",
7179   doi =          "10.1103/RevModPhys.78.865",
7180   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.78.865",
7181 }