bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  45   title =        "",
  46   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  47   volume =       "32",
  48   pages =        "1211",
  49   year =         "1971",
  50   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  51 }
  52
  53 @Article{capano97,
  54   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  55   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  56   journal =      "MRS Bull.",
  57   volume =       "22",
  58   pages =        "19",
  59   year =         "1997",
  60 }
  61
  62 @Article{fischer90,
  63   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  64   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  65                  carbide",
  66   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  67   volume =       "61",
  68   pages =        "217--236",
  69   year =         "1990",
  70   notes =        "sic polytypes",
  71 }
  72
  73 @Book{laplace,
  74   author =       "P. S. de Laplace",
  75   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  76   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  77   volume =       "VII",
  78   publisher =    "Gauthier-Villars",
  79   year =         "1820",
  80 }
  81
  82 @Article{mattoni2007,
  83   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  84   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  85                  materials}",
  86   journal =      "Phys. Rev. B",
  87   year =         "2007",
  88   month =        dec,
  89   volume =       "76",
  90   number =       "22",
  91   pages =        "224103",
  92   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  93   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  94                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  95                  fracture, more available potentials, universal energy
  96                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  97 }
  98
  99 @Article{balamane92,
 100   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 101                  potentials",
 102   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 103   journal =      "Phys. Rev. B",
 104   volume =       "46",
 105   number =       "4",
 106   pages =        "2250--2279",
 107   numpages =     "29",
 108   year =         "1992",
 109   month =        jul,
 110   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 111   publisher =    "American Physical Society",
 112   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 113 }
 114
 115 @Article{koster2002,
 116   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 117                  bombardment",
 118   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 119   journal =      "Phys. Rev. B",
 120   volume =       "62",
 121   number =       "16",
 122   pages =        "11219--11224",
 123   numpages =     "5",
 124   year =         "2000",
 125   month =        oct,
 126   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 127   publisher =    "American Physical Society",
 128   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 129 }
 130
 131 @Article{breadmore99,
 132   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 133                  amorphization of silicon",
 134   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 135   journal =      "Phys. Rev. B",
 136   volume =       "60",
 137   number =       "18",
 138   pages =        "12610--12616",
 139   numpages =     "6",
 140   year =         "1999",
 141   month =        nov,
 142   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 143   publisher =    "American Physical Society",
 144   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 145 }
 146
 147 @Article{moissan04,
 148   author =       "Henri Moissan",
 149   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 150                  Diablo",
 151   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 152   volume =       "139",
 153   pages =        "773--786",
 154   year =         "1904",
 155 }
 156
 157 @Book{park98,
 158   author =       "Y. S. Park",
 159   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 160   publisher =    "Academic Press",
 161   address =      "San Diego",
 162   year =         "1998",
 163 }
 164
 165 @Article{tsvetkov98,
 166   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 167                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 168   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 169   journal =      "Materials Science Forum",
 170   volume =       "264-268",
 171   pages =        "3--8",
 172   year =         "1998",
 173   notes =        "modified lely process, micropipes",
 174 }
 175
 176 @Article{verlet67,
 177   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 178                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 179   author =       "Loup Verlet",
 180   journal =      "Phys. Rev.",
 181   volume =       "159",
 182   number =       "1",
 183   pages =        "98",
 184   year =         "1967",
 185   month =        jul,
 186   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 187   publisher =    "American Physical Society",
 188   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 189                  motion",
 190 }
 191
 192 @Article{berendsen84,
 193   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 194                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 195   collaboration = "",
 196   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 197   publisher =    "AIP",
 198   year =         "1984",
 199   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 200   volume =       "81",
 201   number =       "8",
 202   pages =        "3684--3690",
 203   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 204                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 205   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 206   doi =          "10.1063/1.448118",
 207   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 208 }
 209
 210 @Article{huang95,
 211   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 212                  Baskes",
 213   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 214                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 215                  potentials",
 216   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 217                  Engineering",
 218   volume =       "3",
 219   number =       "5",
 220   pages =        "615--627",
 221   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 222   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 223                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 224   year =         "1995",
 225 }
 226
 227 @Article{tersoff89,
 228   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 229                  Tersoff potentials",
 230   author =       "Donald W. Brenner",
 231   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 232   volume =       "63",
 233   number =       "9",
 234   pages =        "1022",
 235   numpages =     "1",
 236   year =         "1989",
 237   month =        aug,
 238   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 239   publisher =    "American Physical Society",
 240   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 241 }
 242
 243 @Article{batra87,
 244   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 245                  silicon",
 246   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 247   journal =      "Phys. Rev. B",
 248   volume =       "35",
 249   number =       "18",
 250   pages =        "9552--9558",
 251   numpages =     "6",
 252   year =         "1987",
 253   month =        jun,
 254   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 257                  calculation of defect formation energy, defect
 258                  interstitial types",
 259 }
 260
 261 @Article{schober89,
 262   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 263   author =       "H. R. Schober",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "39",
 266   number =       "17",
 267   pages =        "13013--13015",
 268   numpages =     "2",
 269   year =         "1989",
 270   month =        jun,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 274                  dumbbell configuration",
 275 }
 276
 277 @Article{gao02,
 278   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 279                  Defect accumulation, topological features, and
 280                  disordering",
 281   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 282   journal =      "Phys. Rev. B",
 283   volume =       "66",
 284   number =       "2",
 285   pages =        "024106",
 286   numpages =     "10",
 287   year =         "2002",
 288   month =        jul,
 289   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 290   publisher =    "American Physical Society",
 291   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 292                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 293                  result analyze",
 294 }
 295
 296 @Article{devanathan98,
 297   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 298                  cascade in Si{C}",
 299   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 300                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 301   volume =       "141",
 302   number =       "1-4",
 303   pages =        "118--122",
 304   year =         "1998",
 305   ISSN =         "0168-583X",
 306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 307   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 308                  Rubia",
 309   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 310                  3c-sic",
 311 }
 312
 313 @Article{devanathan98_2,
 314   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 315   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 316   volume =       "253",
 317   number =       "1-3",
 318   pages =        "47--52",
 319   year =         "1998",
 320   ISSN =         "0022-3115",
 321   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 322   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 323                  Weber",
 324   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 325                  tersoff",
 326 }
 327
 328 @Article{batra87,
 329   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 330   author =       "M. Kitabatake",
 331   journal =      "Thin Solid Films",
 332   volume =       "369",
 333   pages =        "257--264",
 334   numpages =     "8",
 335   year =         "2000",
 336   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 337 }
 338
 339 @Article{tang97,
 340   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 341                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 342                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 343                  formation volumes",
 344   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 345                  Rubia",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "55",
 348   number =       "21",
 349   pages =        "14279--14289",
 350   numpages =     "10",
 351   year =         "1997",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 356 }
 357
 358 @Article{tang97,
 359   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 360                  silicon",
 361   author =       "L. Colombo",
 362   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 363   volume =       "32",
 364   pages =        "271--295",
 365   numpages =     "25",
 366   year =         "2002",
 367   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 368   publisher =    "Annual Reviews",
 369   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 370 }
 371
 372 @Article{gao2001,
 373   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 374                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 375   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 376                  Corrales",
 377   journal =      "Phys. Rev. B",
 378   volume =       "64",
 379   number =       "24",
 380   pages =        "245208",
 381   numpages =     "7",
 382   year =         "2001",
 383   month =        dec,
 384   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 385   publisher =    "American Physical Society",
 386   notes =        "defects in 3c-sic",
 387 }
 388
 389 @Article{mattoni2002,
 390   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 391                  crystalline silicon",
 392   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 393   journal =      "Phys. Rev. B",
 394   volume =       "66",
 395   number =       "19",
 396   pages =        "195214",
 397   numpages =     "6",
 398   year =         "2002",
 399   month =        nov,
 400   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 401   publisher =    "American Physical Society",
 402   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 403                  links, interaction of carbon and silicon
 404                  interstitials",
 405 }
 406
 407 @Article{leung99,
 408   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 409   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 410                  Itoh and S. Ihara",
 411   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 412   volume =       "83",
 413   number =       "12",
 414   pages =        "2351--2354",
 415   numpages =     "3",
 416   year =         "1999",
 417   month =        sep,
 418   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 419   publisher =    "American Physical Society",
 420   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 421                  refs",
 422 }
 423
 424 @Article{capaz94,
 425   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 426                  carbon in silicon",
 427   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 428   journal =      "Phys. Rev. B",
 429   volume =       "50",
 430   number =       "11",
 431   pages =        "7439--7442",
 432   numpages =     "3",
 433   year =         "1994",
 434   month =        sep,
 435   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 436   publisher =    "American Physical Society",
 437   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 438                  dumbbell",
 439 }
 440
 441 @Article{dal_pino93,
 442   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 443                  silicon",
 444   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 445                  Joannopoulos",
 446   journal =      "Phys. Rev. B",
 447   volume =       "47",
 448   number =       "19",
 449   pages =        "12554--12557",
 450   numpages =     "3",
 451   year =         "1993",
 452   month =        may,
 453   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 454   publisher =    "American Physical Society",
 455   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 456 }
 457
 458 @Article{car84,
 459   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 460                  Silicon",
 461   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 462                  Sokrates T. Pantelides",
 463   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 464   volume =       "52",
 465   number =       "20",
 466   pages =        "1814--1817",
 467   numpages =     "3",
 468   year =         "1984",
 469   month =        may,
 470   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 471   publisher =    "American Physical Society",
 472   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 473                  path formation",
 474 }
 475
 476 @Article{kelires97,
 477   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 478                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 479   author =       "P. C. Kelires",
 480   journal =      "Phys. Rev. B",
 481   volume =       "55",
 482   number =       "14",
 483   pages =        "8784--8787",
 484   numpages =     "3",
 485   year =         "1997",
 486   month =        apr,
 487   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 488   publisher =    "American Physical Society",
 489   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 490                  neighbour dist",
 491 }
 492
 493 @Article{kelires95,
 494   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 495                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 496   author =       "P. C. Kelires",
 497   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 498   volume =       "75",
 499   number =       "6",
 500   pages =        "1114--1117",
 501   numpages =     "3",
 502   year =         "1995",
 503   month =        aug,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 507 }
 508
 509 @Article{bean70,
 510   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 511                  containing carbon",
 512   journal =      "Solid State Communications",
 513   volume =       "8",
 514   number =       "3",
 515   pages =        "175--177",
 516   year =         "1970",
 517   note =         "",
 518   ISSN =         "0038-1098",
 519   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 520   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 521   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 522 }
 523
 524 @Article{watkins76,
 525   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 526                  Atom in Silicon",
 527   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 528   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 529   volume =       "36",
 530   number =       "22",
 531   pages =        "1329--1332",
 532   numpages =     "3",
 533   year =         "1976",
 534   month =        may,
 535   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 536   publisher =    "American Physical Society",
 537   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 538                  silicon",
 539 }
 540
 541 @Article{song90,
 542   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 543                  interstitial carbon in silicon",
 544   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 545   journal =      "Phys. Rev. B",
 546   volume =       "42",
 547   number =       "9",
 548   pages =        "5759--5764",
 549   numpages =     "5",
 550   year =         "1990",
 551   month =        sep,
 552   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 553   publisher =    "American Physical Society",
 554   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 555 }
 556
 557 @Article{tipping87,
 558   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 559   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 560                  silicon",
 561   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 562   volume =       "2",
 563   number =       "5",
 564   pages =        "315--317",
 565   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 566   year =         "1987",
 567   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 568                  silicon",
 569 }
 570
 571 @Article{strane96,
 572   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 573                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 574   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 575                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 576   journal =      "J. Appl. Phys.",
 577   volume =       "79",
 578   pages =        "637",
 579   year =         "1996",
 580   month =        jan,
 581   doi =          "10.1063/1.360806",
 582   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 583 }
 584
 585 @Article{laveant2002,
 586   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 587   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 588                  G{\"o}sele",
 589   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 590   volume =       "89",
 591   number =       "1-3",
 592   pages =        "241--245",
 593   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 594   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 595                  stress, avoid sic precipitation",
 596 }
 597
 598 @Article{werner97,
 599   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 600                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 601   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 602                  silicon by transmission electron microscopy",
 603   publisher =    "AIP",
 604   year =         "1997",
 605   journal =      "Applied Physics Letters",
 606   volume =       "70",
 607   number =       "2",
 608   pages =        "252--254",
 609   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 610                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 611                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 612                  layers; precipitation",
 613   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 614   doi =          "10.1063/1.118381",
 615   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 616                  precipitate",
 617 }
 618
 619 @Article{strane94,
 620   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 621                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 622   collaboration = "",
 623   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 624                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 625   publisher =    "AIP",
 626   year =         "1994",
 627   journal =      "Journal of Applied Physics",
 628   volume =       "76",
 629   number =       "6",
 630   pages =        "3656--3668",
 631   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 632   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 633   doi =          "10.1063/1.357429",
 634   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 635 }
 636
 637 @Article{edgar92,
 638   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 639                  semiconductors",
 640   author =       "J. H. Edgar",
 641   journal =      "J. Mater. Res.",
 642   volume =       "7",
 643   pages =        "235",
 644   year =         "1992",
 645   month =        jan,
 646   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 647   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 648                  polytypes",
 649 }
 650
 651 @Article{zirkelbach2007,
 652   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 653                  process leading to ordered precipitate structures",
 654   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 655                  and B. Stritzker",
 656   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 657   volume =       "257",
 658   number =       "1--2",
 659   pages =        "75--79",
 660   numpages =     "5",
 661   year =         "2007",
 662   month =        apr,
 663   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 664   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 665                  NETHERLANDS",
 666 }
 667
 668 @Article{zirkelbach2006,
 669   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 670                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 671                  during ion irradiation",
 672   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 673                  and B. Stritzker",
 674   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 675   volume =       "242",
 676   number =       "1--2",
 677   pages =        "679--682",
 678   numpages =     "4",
 679   year =         "2006",
 680   month =        jan,
 681   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 682   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 683                  NETHERLANDS",
 684 }
 685
 686 @Article{zirkelbach2005,
 687   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 688                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 689                  ion irradiation",
 690   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 691                  and B. Stritzker",
 692   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 693   volume =       "33",
 694   number =       "1--3",
 695   pages =        "310--316",
 696   numpages =     "7",
 697   year =         "2005",
 698   month =        apr,
 699   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 700   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 701                  NETHERLANDS",
 702 }
 703
 704 @Article{lindner99,
 705   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 706                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 707                  layers in silicon",
 708   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 709                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 710   volume =       "147",
 711   number =       "1-4",
 712   pages =        "249--255",
 713   year =         "1999",
 714   note =         "",
 715   ISSN =         "0168-583X",
 716   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 717   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 718   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 719   notes =        "two-step implantation process",
 720 }
 721
 722 @Article{lindner99_2,
 723   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 724                  in silicon",
 725   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 726                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 727   volume =       "148",
 728   number =       "1-4",
 729   pages =        "528--533",
 730   year =         "1999",
 731   note =         "",
 732   ISSN =         "0168-583X",
 733   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 734   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 735   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 736 }
 737
 738 @Article{lindner01,
 739   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 740                  Basic physical processes",
 741   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 742                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 743   volume =       "178",
 744   number =       "1-4",
 745   pages =        "44--54",
 746   year =         "2001",
 747   note =         "",
 748   ISSN =         "0168-583X",
 749   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 750   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 751   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 752 }
 753
 754 @Article{lindner02,
 755   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 756                  fundamental studies for new technological tricks",
 757   author =       "J. K. N. Lindner",
 758   journal =      "Appl. Phys. A",
 759   volume =       "77",
 760   pages =        "27--38",
 761   year =         "2003",
 762   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 763   notes =        "ibs, burried sic layers",
 764 }
 765
 766 @Article{alder57,
 767   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 768   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 769   publisher =    "AIP",
 770   year =         "1957",
 771   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 772   volume =       "27",
 773   number =       "5",
 774   pages =        "1208--1209",
 775   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 776   doi =          "10.1063/1.1743957",
 777 }
 778
 779 @Article{alder59,
 780   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 781   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 782   publisher =    "AIP",
 783   year =         "1959",
 784   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 785   volume =       "31",
 786   number =       "2",
 787   pages =        "459--466",
 788   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 789   doi =          "10.1063/1.1730376",
 790 }
 791
 792 @Article{tersoff_si1,
 793   title =        "New empirical model for the structural properties of
 794                  silicon",
 795   author =       "J. Tersoff",
 796   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 797   volume =       "56",
 798   number =       "6",
 799   pages =        "632--635",
 800   numpages =     "3",
 801   year =         "1986",
 802   month =        feb,
 803   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 804   publisher =    "American Physical Society",
 805 }
 806
 807 @Article{tersoff_si2,
 808   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 809                  covalent systems",
 810   author =       "J. Tersoff",
 811   journal =      "Phys. Rev. B",
 812   volume =       "37",
 813   number =       "12",
 814   pages =        "6991--7000",
 815   numpages =     "9",
 816   year =         "1988",
 817   month =        apr,
 818   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 819   publisher =    "American Physical Society",
 820 }
 821
 822 @Article{tersoff_si3,
 823   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 824                  improved elastic properties",
 825   author =       "J. Tersoff",
 826   journal =      "Phys. Rev. B",
 827   volume =       "38",
 828   number =       "14",
 829   pages =        "9902--9905",
 830   numpages =     "3",
 831   year =         "1988",
 832   month =        nov,
 833   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 834   publisher =    "American Physical Society",
 835 }
 836
 837 @Article{tersoff_c,
 838   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 839                  Applications to Amorphous Carbon",
 840   author =       "J. Tersoff",
 841   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 842   volume =       "61",
 843   number =       "25",
 844   pages =        "2879--2882",
 845   numpages =     "3",
 846   year =         "1988",
 847   month =        dec,
 848   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 849   publisher =    "American Physical Society",
 850 }
 851
 852 @Article{tersoff_m,
 853   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 854                  for multicomponent systems",
 855   author =       "J. Tersoff",
 856   journal =      "Phys. Rev. B",
 857   volume =       "39",
 858   number =       "8",
 859   pages =        "5566--5568",
 860   numpages =     "2",
 861   year =         "1989",
 862   month =        mar,
 863   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 864   publisher =    "American Physical Society",
 865 }
 866
 867 @Article{tersoff90,
 868   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
 869   author =       "J. Tersoff",
 870   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 871   volume =       "64",
 872   number =       "15",
 873   pages =        "1757--1760",
 874   numpages =     "3",
 875   year =         "1990",
 876   month =        apr,
 877   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
 878   publisher =    "American Physical Society",
 879 }
 880
 881 @Article{fahey89,
 882   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 883   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 884   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 885   volume =       "61",
 886   number =       "2",
 887   pages =        "289--384",
 888   numpages =     "95",
 889   year =         "1989",
 890   month =        apr,
 891   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 892   publisher =    "American Physical Society",
 893 }
 894
 895 @Article{wesch96,
 896   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 897   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 898                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 899   volume =       "116",
 900   number =       "1-4",
 901   pages =        "305--321",
 902   year =         "1996",
 903   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 904   ISSN =         "0168-583X",
 905   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 906   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 907   author =       "W. Wesch",
 908 }
 909
 910 @Article{morkoc94,
 911   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 912                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 915                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "1994",
 918   journal =      "Journal of Applied Physics",
 919   volume =       "76",
 920   number =       "3",
 921   pages =        "1363--1398",
 922   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 923                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 924                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 925                  FILMS; INDUSTRY",
 926   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 927   doi =          "10.1063/1.358463",
 928 }
 929
 930 @Article{foo,
 931   author =       "Noch Unbekannt",
 932   title =        "How to find references",
 933   journal =      "Journal of Applied References",
 934   year =         "2009",
 935   volume =       "77",
 936   pages =        "1--23",
 937 }
 938
 939 @Article{tang95,
 940   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 941                  \beta{}-Si{C}",
 942   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 943   journal =      "Phys. Rev. B",
 944   volume =       "52",
 945   number =       "21",
 946   pages =        "15150--15159",
 947   numpages =     "9",
 948   year =         "1995",
 949   month =        dec,
 950   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 951   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 952   publisher =    "American Physical Society",
 953 }
 954
 955 @Article{sarro00,
 956   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 957   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 958   volume =       "82",
 959   number =       "1-3",
 960   pages =        "210--218",
 961   year =         "2000",
 962   ISSN =         "0924-4247",
 963   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 964   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 965   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 966   keywords =     "MEMS",
 967   keywords =     "Silicon carbide",
 968   keywords =     "Micromachining",
 969   keywords =     "Mechanical stress",
 970 }
 971
 972 @Article{casady96,
 973   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 974                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 975                  review",
 976   journal =      "Solid-State Electronics",
 977   volume =       "39",
 978   number =       "10",
 979   pages =        "1409--1422",
 980   year =         "1996",
 981   ISSN =         "0038-1101",
 982   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 983   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 984   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 985 }
 986
 987 @Article{giancarli98,
 988   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 989                  structural material in fusion power reactor blankets",
 990   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 991   volume =       "41",
 992   number =       "1-4",
 993   pages =        "165--171",
 994   year =         "1998",
 995   ISSN =         "0920-3796",
 996   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 997   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 998   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 999                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1000 }
1001
1002 @Article{pensl93,
1003   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1004   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1005   volume =       "185",
1006   number =       "1-4",
1007   pages =        "264--283",
1008   year =         "1993",
1009   ISSN =         "0921-4526",
1010   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1011   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1012   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1013 }
1014
1015 @Article{tairov78,
1016   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1017                  carbide single crystals",
1018   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1019   volume =       "43",
1020   number =       "2",
1021   pages =        "209--212",
1022   year =         "1978",
1023   notes =        "modifief lely process",
1024   ISSN =         "0022-0248",
1025   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1026   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1027   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1028 }
1029
1030 @Article{powell87,
1031   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1032                  Kuczmarski",
1033   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1034                  Single-Crystal Films on Si",
1035   publisher =    "ECS",
1036   year =         "1987",
1037   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1038   volume =       "134",
1039   number =       "6",
1040   pages =        "1558--1565",
1041   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1042                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1043   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1044   doi =          "10.1149/1.2100708",
1045   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1046 }
1047
1048 @Article{kimoto93,
1049   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1050                  and Hiroyuki Matsunami",
1051   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1052                  epitaxy",
1053   publisher =    "AIP",
1054   year =         "1993",
1055   journal =      "Journal of Applied Physics",
1056   volume =       "73",
1057   number =       "2",
1058   pages =        "726--732",
1059   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1060                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1061                  VAPOR DEPOSITION",
1062   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1063   doi =          "10.1063/1.353329",
1064 }
1065
1066 @Article{powell90,
1067   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1068                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1069                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1070   collaboration = "",
1071   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1072                  6{H}-Si{C} substrates",
1073   publisher =    "AIP",
1074   year =         "1990",
1075   journal =      "Applied Physics Letters",
1076   volume =       "56",
1077   number =       "14",
1078   pages =        "1353--1355",
1079   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1080                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1081                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1082                  PHASE EPITAXY",
1083   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1084   doi =          "10.1063/1.102512",
1085 }
1086
1087 @Article{fissel95,
1088   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1089                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1090                  molecular beam epitaxy",
1091   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1092   volume =       "154",
1093   number =       "1-2",
1094   pages =        "72--80",
1095   year =         "1995",
1096   notes =        "solid source mbe",
1097   ISSN =         "0022-0248",
1098   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1099   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1100   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1101                  and W. Richter",
1102 }
1103
1104 @Article{borders71,
1105   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1106   collaboration = "",
1107   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1108                  {IMPLANTATION}",
1109   publisher =    "AIP",
1110   year =         "1971",
1111   journal =      "Applied Physics Letters",
1112   volume =       "18",
1113   number =       "11",
1114   pages =        "509--511",
1115   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1116   notes =        "first time sic by ibs",
1117   doi =          "10.1063/1.1653516",
1118 }
1119
1120 @Article{reeson87,
1121   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1122                  J. Davis and G. E. Celler",
1123   collaboration = "",
1124   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1125                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1126   publisher =    "AIP",
1127   year =         "1987",
1128   journal =      "Applied Physics Letters",
1129   volume =       "51",
1130   number =       "26",
1131   pages =        "2242--2244",
1132   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1133                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1134   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1135   doi =          "10.1063/1.98953",
1136   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1137 }
1138
1139 @Article{scace59,
1140   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1141   collaboration = "",
1142   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1143   publisher =    "AIP",
1144   year =         "1959",
1145   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1146   volume =       "30",
1147   number =       "6",
1148   pages =        "1551--1555",
1149   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1150   doi =          "10.1063/1.1730236",
1151   notes =        "solubility of c in c-si",
1152 }
1153
1154 @Article{cowern96,
1155   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1156                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1157   collaboration = "",
1158   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1159                  {B} in silicon",
1160   publisher =    "AIP",
1161   year =         "1996",
1162   journal =      "Applied Physics Letters",
1163   volume =       "68",
1164   number =       "8",
1165   pages =        "1150--1152",
1166   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1167                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1168                  SILICON",
1169   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1170   doi =          "10.1063/1.115706",
1171   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1172 }
1173
1174 @Article{stolk95,
1175   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1176                  of the silicon self-interstitial",
1177   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1178                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1179   volume =       "96",
1180   number =       "1-2",
1181   pages =        "187--195",
1182   year =         "1995",
1183   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1184                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1185   ISSN =         "0168-583X",
1186   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1187   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1188   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1189                  and J. M. Poate",
1190 }
1191
1192 @Article{stolk97,
1193   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1194                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1195                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1196                  E. Haynes",
1197   collaboration = "",
1198   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1199                  diffusion in ion-implanted silicon",
1200   publisher =    "AIP",
1201   year =         "1997",
1202   journal =      "Journal of Applied Physics",
1203   volume =       "81",
1204   number =       "9",
1205   pages =        "6031--6050",
1206   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1207   doi =          "10.1063/1.364452",
1208   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1209 }
1210
1211 @Article{powell94,
1212   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1213   collaboration = "",
1214   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1215                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1216   publisher =    "AIP",
1217   year =         "1994",
1218   journal =      "Applied Physics Letters",
1219   volume =       "64",
1220   number =       "3",
1221   pages =        "324--326",
1222   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1223                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1224                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1225                  SYNTHESIS",
1226   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1227   doi =          "10.1063/1.111195",
1228   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1229 }
1230
1231 @Article{soref91,
1232   author =       "Richard A. Soref",
1233   collaboration = "",
1234   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1235                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1236   publisher =    "AIP",
1237   year =         "1991",
1238   journal =      "Journal of Applied Physics",
1239   volume =       "70",
1240   number =       "4",
1241   pages =        "2470--2472",
1242   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1243                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1244                  TERNARY ALLOYS",
1245   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1246   doi =          "10.1063/1.349403",
1247   notes =        "band gap of strained si by c",
1248 }
1249
1250 @Article{kasper91,
1251   author =       "E Kasper",
1252   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1253                  possibility to produce direct band gap material",
1254   journal =      "Physica Scripta",
1255   volume =       "T35",
1256   pages =        "232--236",
1257   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1258   year =         "1991",
1259   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1260                  quasi-direct one",
1261 }
1262
1263 @Article{osten99,
1264   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1265   collaboration = "",
1266   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1267                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1268                  molecular beam epitaxy",
1269   publisher =    "AIP",
1270   year =         "1999",
1271   journal =      "Applied Physics Letters",
1272   volume =       "74",
1273   number =       "6",
1274   pages =        "836--838",
1275   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1276                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1277                  compounds",
1278   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1279   doi =          "10.1063/1.123384",
1280   notes =        "substitutional c in si",
1281 }
1282
1283 @Article{hohenberg64,
1284   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1285   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1286   journal =      "Phys. Rev.",
1287   volume =       "136",
1288   number =       "3B",
1289   pages =        "B864--B871",
1290   numpages =     "7",
1291   year =         "1964",
1292   month =        nov,
1293   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1294   publisher =    "American Physical Society",
1295   notes =        "density functional theory, dft",
1296 }
1297
1298 @Article{kohn65,
1299   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1300                  Correlation Effects",
1301   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1302   journal =      "Phys. Rev.",
1303   volume =       "140",
1304   number =       "4A",
1305   pages =        "A1133--A1138",
1306   numpages =     "5",
1307   year =         "1965",
1308   month =        nov,
1309   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1310   publisher =    "American Physical Society",
1311   notes =        "dft, exchange and correlation",
1312 }
1313
1314 @Article{ruecker94,
1315   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1316                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1317   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1318                  J. Osten",
1319   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1320   volume =       "72",
1321   number =       "22",
1322   pages =        "3578--3581",
1323   numpages =     "3",
1324   year =         "1994",
1325   month =        may,
1326   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1327   publisher =    "American Physical Society",
1328   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1329                  si, dft",
1330 }
1331
1332 @Article{chang05,
1333   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1334                  Alloy",
1335   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1336   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1337   volume =       "44",
1338   number =       "4B",
1339   pages =        "2257--2262",
1340   numpages =     "5",
1341   year =         "2005",
1342   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1343   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1344   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1345   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1346 }
1347
1348 @Article{osten97,
1349   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1350   collaboration = "",
1351   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1352                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1353                  Si(001)",
1354   publisher =    "AIP",
1355   year =         "1997",
1356   journal =      "Journal of Applied Physics",
1357   volume =       "82",
1358   number =       "10",
1359   pages =        "4977--4981",
1360   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1361                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1362                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1363   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1364   doi =          "10.1063/1.366364",
1365   notes =        "charge transport in strained si",
1366 }
1367
1368 @Article{PhysRevB.69.155214,
1369   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1370                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1371   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1372   journal =      "Phys. Rev. B",
1373   volume =       "69",
1374   number =       "15",
1375   pages =        "155214",
1376   numpages =     "8",
1377   year =         "2004",
1378   month =        apr,
1379   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1380   publisher =    "American Physical Society",
1381   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1382 }
1383
1384 @Article{tang95,
1385   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1386                  \beta{}-Si{C}",
1387   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1388   journal =      "Phys. Rev. B",
1389   volume =       "52",
1390   number =       "21",
1391   pages =        "15150--15159",
1392   numpages =     "9",
1393   year =         "1995",
1394   month =        dec,
1395   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1396   publisher =    "American Physical Society",
1397   notes =        "promising tersoff reparametrization",
1398 }
1399
1400 @Article{barkema96,
1401   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1402                  Systems",
1403   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1404   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1405   volume =       "77",
1406   number =       "21",
1407   pages =        "4358--4361",
1408   numpages =     "3",
1409   year =         "1996",
1410   month =        nov,
1411   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1412   publisher =    "American Physical Society",
1413   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1414                  dynamic mds",
1415 }
1416
1417 @Article{cances09,
1418   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1419                  Minoukadeh and F. Willaime",
1420   collaboration = "",
1421   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1422                  technique method for finding transition pathways on
1423                  potential energy surfaces",
1424   publisher =    "AIP",
1425   year =         "2009",
1426   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1427   volume =       "130",
1428   number =       "11",
1429   eid =          "114711",
1430   numpages =     "6",
1431   pages =        "114711",
1432   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1433                  surfaces; vacancies (crystal)",
1434   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1435   doi =          "10.1063/1.3088532",
1436   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1437                  transition pathways",
1438 }
1439
1440 @Article{parrinello81,
1441   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1442   collaboration = "",
1443   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1444                  molecular dynamics method",
1445   publisher =    "AIP",
1446   year =         "1981",
1447   journal =      "Journal of Applied Physics",
1448   volume =       "52",
1449   number =       "12",
1450   pages =        "7182--7190",
1451   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1452                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1453                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1454                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1455                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1456                  IMPACT SHOCK",
1457   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1458   doi =          "10.1063/1.328693",
1459 }
1460
1461 @Article{stillinger85,
1462   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1463                  of silicon",
1464   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1465   journal =      "Phys. Rev. B",
1466   volume =       "31",
1467   number =       "8",
1468   pages =        "5262--5271",
1469   numpages =     "9",
1470   year =         "1985",
1471   month =        apr,
1472   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1473   publisher =    "American Physical Society",
1474 }
1475
1476 @Article{bazant97,
1477   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1478                  silicon",
1479   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1480                  Justo",
1481   journal =      "Phys. Rev. B",
1482   volume =       "56",
1483   number =       "14",
1484   pages =        "8542--8552",
1485   numpages =     "10",
1486   year =         "1997",
1487   month =        oct,
1488   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1489   publisher =    "American Physical Society",
1490 }
1491
1492 @Article{justo98,
1493   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1494                  disordered phases",
1495   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1496                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1497   journal =      "Phys. Rev. B",
1498   volume =       "58",
1499   number =       "5",
1500   pages =        "2539--2550",
1501   numpages =     "11",
1502   year =         "1998",
1503   month =        aug,
1504   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1505   publisher =    "American Physical Society",
1506 }
1507
1508 @Article{parcas_md,
1509   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1510   author =       "K. Nordlund",
1511   year =         "2008",
1512 }
1513
1514 @Article{voter97,
1515   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1516                  Infrequent Events",
1517   author =       "Arthur F. Voter",
1518   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1519   volume =       "78",
1520   number =       "20",
1521   pages =        "3908--3911",
1522   numpages =     "3",
1523   year =         "1997",
1524   month =        may,
1525   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1526   publisher =    "American Physical Society",
1527   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1528 }
1529
1530 @Article{voter97_2,
1531   author =       "Arthur F. Voter",
1532   collaboration = "",
1533   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1534                  simulation of infrequent events",
1535   publisher =    "AIP",
1536   year =         "1997",
1537   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1538   volume =       "106",
1539   number =       "11",
1540   pages =        "4665--4677",
1541   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1542                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1543                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1544                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1545                  theory; potential energy surfaces",
1546   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1547   doi =          "10.1063/1.473503",
1548   notes =        "improved hyperdynamics md",
1549 }
1550
1551 @Article{sorensen2000,
1552   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1553   collaboration = "",
1554   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1555                  infrequent events",
1556   publisher =    "AIP",
1557   year =         "2000",
1558   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1559   volume =       "112",
1560   number =       "21",
1561   pages =        "9599--9606",
1562   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1563                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1564   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1565   doi =          "10.1063/1.481576",
1566   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1567 }
1568
1569 @Article{voter98,
1570   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1571                  events",
1572   author =       "Arthur F. Voter",
1573   journal =      "Phys. Rev. B",
1574   volume =       "57",
1575   number =       "22",
1576   pages =        "R13985--R13988",
1577   numpages =     "3",
1578   year =         "1998",
1579   month =        jun,
1580   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1581   publisher =    "American Physical Society",
1582   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1583 }
1584
1585 @Article{wu99,
1586   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1587   collaboration = "",
1588   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1589                  simulation",
1590   publisher =    "AIP",
1591   year =         "1999",
1592   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1593   volume =       "110",
1594   number =       "19",
1595   pages =        "9401--9410",
1596   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1597                  potential; crystallisation; liquid theory",
1598   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1599   doi =          "10.1063/1.478948",
1600   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1601                  systematic motion",
1602 }
1603
1604 @Article{choudhary05,
1605   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1606   collaboration = "",
1607   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1608                  to the production of amorphous silicon",
1609   publisher =    "AIP",
1610   year =         "2005",
1611   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1612   volume =       "122",
1613   number =       "15",
1614   eid =          "154509",
1615   numpages =     "8",
1616   pages =        "154509",
1617   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1618                  amorphous semiconductors",
1619   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1620   doi =          "10.1063/1.1878733",
1621   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1622                  silicon",
1623 }