bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{moissan04,
 186   author =       "Henri Moissan",
 187   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 188                  Diablo",
 189   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 190   volume =       "139",
 191   pages =        "773--786",
 192   year =         "1904",
 193 }
 194
 195 @Book{park98,
 196   author =       "Y. S. Park",
 197   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 198   publisher =    "Academic Press",
 199   address =      "San Diego",
 200   year =         "1998",
 201 }
 202
 203 @Article{tsvetkov98,
 204   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 205                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 206   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 207   journal =      "Materials Science Forum",
 208   volume =       "264-268",
 209   pages =        "3--8",
 210   year =         "1998",
 211   notes =        "modified lely process, micropipes",
 212 }
 213
 214 @Article{verlet67,
 215   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 216                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 217   author =       "Loup Verlet",
 218   journal =      "Phys. Rev.",
 219   volume =       "159",
 220   number =       "1",
 221   pages =        "98",
 222   year =         "1967",
 223   month =        jul,
 224   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 227                  motion",
 228 }
 229
 230 @Article{berendsen84,
 231   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 232                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 233   collaboration = "",
 234   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 235   publisher =    "AIP",
 236   year =         "1984",
 237   journal =      "J. Chem. Phys.",
 238   volume =       "81",
 239   number =       "8",
 240   pages =        "3684--3690",
 241   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 242                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 244   doi =          "10.1063/1.448118",
 245   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 246 }
 247
 248 @Article{huang95,
 249   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 250                  Baskes",
 251   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 252                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 253                  potentials",
 254   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 255   volume =       "3",
 256   number =       "5",
 257   pages =        "615--627",
 258   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 259   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 260                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 261   year =         "1995",
 262 }
 263
 264 @Article{brenner89,
 265   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 266                  Tersoff potentials",
 267   author =       "Donald W. Brenner",
 268   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 269   volume =       "63",
 270   number =       "9",
 271   pages =        "1022",
 272   numpages =     "1",
 273   year =         "1989",
 274   month =        aug,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 278 }
 279
 280 @Article{batra87,
 281   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 282                  silicon",
 283   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "35",
 286   number =       "18",
 287   pages =        "9552--9558",
 288   numpages =     "6",
 289   year =         "1987",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 294                  calculation of defect formation energy, defect
 295                  interstitial types",
 296 }
 297
 298 @Article{schober89,
 299   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 300   author =       "H. R. Schober",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "39",
 303   number =       "17",
 304   pages =        "13013--13015",
 305   numpages =     "2",
 306   year =         "1989",
 307   month =        jun,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 311                  dumbbell configuration",
 312 }
 313
 314 @Article{gao02a,
 315   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 316                  Defect accumulation, topological features, and
 317                  disordering",
 318   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 319   journal =      "Phys. Rev. B",
 320   volume =       "66",
 321   number =       "2",
 322   pages =        "024106",
 323   numpages =     "10",
 324   year =         "2002",
 325   month =        jul,
 326   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 327   publisher =    "American Physical Society",
 328   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 329                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 330                  result analyze",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98,
 334   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 335                  cascade in Si{C}",
 336   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 337   volume =       "141",
 338   number =       "1-4",
 339   pages =        "118--122",
 340   year =         "1998",
 341   ISSN =         "0168-583X",
 342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 343   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 344                  Rubia",
 345   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 346                  3c-sic",
 347 }
 348
 349 @Article{devanathan98_2,
 350   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 351   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 352   volume =       "253",
 353   number =       "1-3",
 354   pages =        "47--52",
 355   year =         "1998",
 356   ISSN =         "0022-3115",
 357   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 358   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 359                  Weber",
 360   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 361                  tersoff",
 362 }
 363
 364 @Article{kitabatake00,
 365   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 366   author =       "M. Kitabatake",
 367   journal =      "Thin Solid Films",
 368   volume =       "369",
 369   pages =        "257--264",
 370   numpages =     "8",
 371   year =         "2000",
 372   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 373 }
 374
 375 @Article{tang97,
 376   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 377                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 378                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 379                  formation volumes",
 380   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 381                  Rubia",
 382   journal =      "Phys. Rev. B",
 383   volume =       "55",
 384   number =       "21",
 385   pages =        "14279--14289",
 386   numpages =     "10",
 387   year =         "1997",
 388   month =        jun,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 392 }
 393
 394 @Article{johnson98,
 395   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 396                  Rubia",
 397   collaboration = "",
 398   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 399                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 400                  presence of carbon and boron",
 401   publisher =    "AIP",
 402   year =         "1998",
 403   journal =      "J. Appl. Phys.",
 404   volume =       "84",
 405   number =       "4",
 406   pages =        "1963--1967",
 407   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 408                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 409                  semiconductors; self-diffusion",
 410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 411   doi =          "10.1063/1.368328",
 412   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 413                  diffsuion",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84,
 417   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 418                  Self-Interstitial",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 421   volume =       "52",
 422   number =       "13",
 423   pages =        "1129--1132",
 424   numpages =     "3",
 425   year =         "1984",
 426   month =        mar,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 430 }
 431
 432 @Article{bar-yam84_2,
 433   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 434                  barriers of silicon self-interstitials",
 435   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 436   journal =      "Phys. Rev. B",
 437   volume =       "30",
 438   number =       "4",
 439   pages =        "1844--1852",
 440   numpages =     "8",
 441   year =         "1984",
 442   month =        aug,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445 }
 446
 447 @Article{bloechl93,
 448   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 449                  constants in silicon",
 450   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 451                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "70",
 454   number =       "16",
 455   pages =        "2435--2438",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1993",
 458   month =        apr,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 462                  entropy calculations",
 463 }
 464
 465 @Article{colombo02,
 466   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "L. Colombo",
 469   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 470   volume =       "32",
 471   pages =        "271--295",
 472   numpages =     "25",
 473   year =         "2002",
 474   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 475   publisher =    "Annual Reviews",
 476   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 477 }
 478
 479 @Article{al-mushadani03,
 480   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 481                  silicon",
 482   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 483   journal =      "Phys. Rev. B",
 484   volume =       "68",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235205",
 487   numpages =     "8",
 488   year =         "2003",
 489   month =        dec,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 493                  silicon, si self interstitials, free energy",
 494 }
 495
 496 @Article{goedecker02,
 497   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 498   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "88",
 501   number =       "23",
 502   pages =        "235501",
 503   numpages =     "4",
 504   year =         "2002",
 505   month =        may,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 509                  silicon",
 510 }
 511
 512 @Article{sahli05,
 513   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 514                  self-interstitial diffusion in silicon",
 515   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "72",
 518   number =       "24",
 519   pages =        "245210",
 520   numpages =     "6",
 521   year =         "2005",
 522   month =        dec,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 526                  mapping applied",
 527 }
 528
 529 @Article{hobler05,
 530   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 531                  native point defects in silicon",
 532   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 533   volume =       "124-125",
 534   number =       "",
 535   pages =        "368--371",
 536   year =         "2005",
 537   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 538                  Issues for Future Technologies",
 539   ISSN =         "0921-5107",
 540   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 541   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 542   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 543   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 544                  radius",
 545 }
 546
 547 @Article{ma10,
 548   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 549                  wide temperature range: Point defect states and
 550                  migration mechanisms",
 551   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "81",
 554   number =       "19",
 555   pages =        "193203",
 556   numpages =     "4",
 557   year =         "2010",
 558   month =        may,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 562 }
 563
 564 @Article{posselt06,
 565   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 566                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "73",
 570   number =       "12",
 571   pages =        "125206",
 572   numpages =     "8",
 573   year =         "2006",
 574   month =        mar,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577 }
 578
 579 @Article{posselt08,
 580   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 581                  migration mechanisms of vacancies and
 582                  self-interstitials: An atomistic study",
 583   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "78",
 586   number =       "3",
 587   pages =        "035208",
 588   numpages =     "9",
 589   year =         "2008",
 590   month =        jul,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 594                  weber and tersoff",
 595 }
 596
 597 @Article{gao2001,
 598   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 599                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 600   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 601                  Corrales",
 602   journal =      "Phys. Rev. B",
 603   volume =       "64",
 604   number =       "24",
 605   pages =        "245208",
 606   numpages =     "7",
 607   year =         "2001",
 608   month =        dec,
 609   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 610   publisher =    "American Physical Society",
 611   notes =        "defects in 3c-sic",
 612 }
 613
 614 @Article{gao02,
 615   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 616                  3{C}-Si{C}",
 617   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 618   volume =       "191",
 619   number =       "1-4",
 620   pages =        "487--496",
 621   year =         "2002",
 622   note =         "",
 623   ISSN =         "0168-583X",
 624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 626   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 627   keywords =     "Empirical potential",
 628   keywords =     "Defect properties",
 629   keywords =     "Silicon carbide",
 630   keywords =     "Computer simulation",
 631   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 632 }
 633
 634 @Article{gao04,
 635   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 636                  3{C}-Si{C}",
 637   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 638                  Belko",
 639   journal =      "Phys. Rev. B",
 640   volume =       "69",
 641   number =       "24",
 642   pages =        "245205",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2004",
 645   month =        jun,
 646   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 647   publisher =    "American Physical Society",
 648   notes =        "defect migration in sic",
 649 }
 650
 651 @Article{gao07,
 652   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 653                  W. J. Weber",
 654   collaboration = "",
 655   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 656                  in cubic silicon carbide",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "2007",
 659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 660   volume =       "90",
 661   number =       "22",
 662   eid =          "221915",
 663   numpages =     "3",
 664   pages =        "221915",
 665   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 666                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 667                  dynamics method; density functional theory;
 668                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 669                  impurities; diffusion",
 670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 671   doi =          "10.1063/1.2743751",
 672 }
 673
 674 @Article{mattoni2002,
 675   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 676                  crystalline silicon",
 677   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 678   journal =      "Phys. Rev. B",
 679   volume =       "66",
 680   number =       "19",
 681   pages =        "195214",
 682   numpages =     "6",
 683   year =         "2002",
 684   month =        nov,
 685   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 686   publisher =    "American Physical Society",
 687   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 688                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 689                  tersoff suitability",
 690 }
 691
 692 @Article{leung99,
 693   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 694   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 695                  Itoh and S. Ihara",
 696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 697   volume =       "83",
 698   number =       "12",
 699   pages =        "2351--2354",
 700   numpages =     "3",
 701   year =         "1999",
 702   month =        sep,
 703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 706                  refs",
 707 }
 708
 709 @Article{capaz94,
 710   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 711                  carbon in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "50",
 715   number =       "11",
 716   pages =        "7439--7442",
 717   numpages =     "3",
 718   year =         "1994",
 719   month =        sep,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 723                  dumbbell",
 724 }
 725
 726 @Article{capaz98,
 727   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 728   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 729   journal =      "Phys. Rev. B",
 730   volume =       "58",
 731   number =       "15",
 732   pages =        "9845--9850",
 733   numpages =     "5",
 734   year =         "1998",
 735   month =        oct,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 739 }
 740
 741 @Article{song90_2,
 742   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 743                  pair in silicon",
 744   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 745                  Watkins",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "42",
 748   number =       "9",
 749   pages =        "5765--5783",
 750   numpages =     "18",
 751   year =         "1990",
 752   month =        sep,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 756 }
 757
 758 @Article{liu02,
 759   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 760                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 763                  interactions in Si",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2002",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "80",
 768   number =       "1",
 769   pages =        "52--54",
 770   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 771                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 772                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 774   doi =          "10.1063/1.1430505",
 775   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 776 }
 777
 778 @Article{dal_pino93,
 779   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 780                  silicon",
 781   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 782                  Joannopoulos",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "47",
 785   number =       "19",
 786   pages =        "12554--12557",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1993",
 789   month =        may,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 793 }
 794
 795 @Article{car84,
 796   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 797                  Silicon",
 798   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 799                  Sokrates T. Pantelides",
 800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 801   volume =       "52",
 802   number =       "20",
 803   pages =        "1814--1817",
 804   numpages =     "3",
 805   year =         "1984",
 806   month =        may,
 807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 808   publisher =    "American Physical Society",
 809   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 810                  path formation",
 811 }
 812
 813 @Article{car85,
 814   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 815                  Density-Functional Theory",
 816   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 817   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "22",
 820   pages =        "2471--2474",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1985",
 823   month =        nov,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 827 }
 828
 829 @Article{kelires97,
 830   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 831                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 832   author =       "P. C. Kelires",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "55",
 835   number =       "14",
 836   pages =        "8784--8787",
 837   numpages =     "3",
 838   year =         "1997",
 839   month =        apr,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 841   publisher =    "American Physical Society",
 842   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 843                  neighbour dist",
 844 }
 845
 846 @Article{kelires95,
 847   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 848                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 849   author =       "P. C. Kelires",
 850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 851   volume =       "75",
 852   number =       "6",
 853   pages =        "1114--1117",
 854   numpages =     "3",
 855   year =         "1995",
 856   month =        aug,
 857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 858   publisher =    "American Physical Society",
 859   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 860 }
 861
 862 @Article{bean70,
 863   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 864                  containing carbon",
 865   journal =      "Solid State Communications",
 866   volume =       "8",
 867   number =       "3",
 868   pages =        "175--177",
 869   year =         "1970",
 870   note =         "",
 871   ISSN =         "0038-1098",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 874   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 875 }
 876
 877 @Article{watkins76,
 878   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 879                  Atom in Silicon",
 880   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 881   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 882   volume =       "36",
 883   number =       "22",
 884   pages =        "1329--1332",
 885   numpages =     "3",
 886   year =         "1976",
 887   month =        may,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{song90,
 895   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 896                  interstitial carbon in silicon",
 897   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5759--5764",
 902   numpages =     "5",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 908 }
 909
 910 @Article{tipping87,
 911   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 912   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 913                  silicon",
 914   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 915   volume =       "2",
 916   number =       "5",
 917   pages =        "315--317",
 918   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 919   year =         "1987",
 920   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{strane96,
 925   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 926                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 927   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 928                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 929   journal =      "J. Appl. Phys.",
 930   volume =       "79",
 931   pages =        "637",
 932   year =         "1996",
 933   month =        jan,
 934   doi =          "10.1063/1.360806",
 935   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 936 }
 937
 938 @Article{laveant2002,
 939   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 940   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 941   volume =       "89",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "241--245",
 944   year =         "2002",
 945   ISSN =         "0921-5107",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 948   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 949                  G{\"{o}}sele",
 950   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 951                  stress, avoid sic precipitation",
 952 }
 953
 954 @Article{werner97,
 955   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 956                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 957   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 958                  silicon by transmission electron microscopy",
 959   publisher =    "AIP",
 960   year =         "1997",
 961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 962   volume =       "70",
 963   number =       "2",
 964   pages =        "252--254",
 965   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 966                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 967                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 968                  layers; precipitation",
 969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 970   doi =          "10.1063/1.118381",
 971   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 972                  precipitate",
 973 }
 974
 975 @InProceedings{werner96,
 976   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 977                  Eichler",
 978   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 979                  International Conference on",
 980   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 981                  implanted silicon",
 982   year =         "1996",
 983   month =        jun,
 984   volume =       "",
 985   number =       "",
 986   pages =        "675--678",
 987   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 988   ISSN =         "",
 989   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 990 }
 991
 992 @Article{werner98,
 993   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 994                  D. C. Jacobson",
 995   collaboration = "",
 996   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 997   publisher =    "AIP",
 998   year =         "1998",
 999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1000   volume =       "73",
1001   number =       "17",
1002   pages =        "2465--2467",
1003   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1004                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1005                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1006                  impurity distribution",
1007   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1008   doi =          "10.1063/1.122483",
1009   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1010 }
1011
1012 @Article{strane94,
1013   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1014                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1017                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1018   publisher =    "AIP",
1019   year =         "1994",
1020   journal =      "J. Appl. Phys.",
1021   volume =       "76",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "3656--3668",
1024   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1026   doi =          "10.1063/1.357429",
1027   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1028                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1029                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1030                  energy",
1031 }
1032
1033 @Article{fischer95,
1034   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1035                  Osten",
1036   collaboration = "",
1037   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1038                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1039   publisher =    "AIP",
1040   year =         "1995",
1041   journal =      "J. Appl. Phys.",
1042   volume =       "77",
1043   number =       "5",
1044   pages =        "1934--1937",
1045   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1046                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1047                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1048                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1049   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1050   doi =          "10.1063/1.358826",
1051 }
1052
1053 @Article{edgar92,
1054   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1055                  semiconductors",
1056   author =       "J. H. Edgar",
1057   journal =      "J. Mater. Res.",
1058   volume =       "7",
1059   pages =        "235",
1060   year =         "1992",
1061   month =        jan,
1062   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1063   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1064                  polytypes",
1065 }
1066
1067 @Article{zirkelbach2007,
1068   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1069                  process leading to ordered precipitate structures",
1070   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1071                  and B. Stritzker",
1072   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1073   volume =       "257",
1074   number =       "1--2",
1075   pages =        "75--79",
1076   numpages =     "5",
1077   year =         "2007",
1078   month =        apr,
1079   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1080   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1081                  NETHERLANDS",
1082 }
1083
1084 @Article{zirkelbach2006,
1085   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1086                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1087                  during ion irradiation",
1088   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1089                  and B. Stritzker",
1090   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1091   volume =       "242",
1092   number =       "1--2",
1093   pages =        "679--682",
1094   numpages =     "4",
1095   year =         "2006",
1096   month =        jan,
1097   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1098   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1099                  NETHERLANDS",
1100 }
1101
1102 @Article{zirkelbach2005,
1103   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1104                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1105                  ion irradiation",
1106   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1107                  and B. Stritzker",
1108   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1109   volume =       "33",
1110   number =       "1--3",
1111   pages =        "310--316",
1112   numpages =     "7",
1113   year =         "2005",
1114   month =        apr,
1115   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1116   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1117                  NETHERLANDS",
1118 }
1119
1120 @Article{zirkelbach09,
1121   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1122                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1123   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1124   volume =       "159-160",
1125   number =       "",
1126   pages =        "149--152",
1127   year =         "2009",
1128   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1129                  Silicon Materials Research for Electronic and
1130                  Photovoltaic Applications",
1131   ISSN =         "0921-5107",
1132   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1133   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1134   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1135                  B. Stritzker",
1136   keywords =     "Silicon",
1137   keywords =     "Carbon",
1138   keywords =     "Silicon carbide",
1139   keywords =     "Nucleation",
1140   keywords =     "Defect formation",
1141   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10a,
1145   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1146                  classical potentials and first-principles methods",
1147   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1148                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1149   journal =      "Phys. Rev. B",
1150   volume =       "82",
1151   number =       "9",
1152   pages =        "094110",
1153   numpages =     "6",
1154   year =         "2010",
1155   month =        sep,
1156   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1157   publisher =    "American Physical Society",
1158 }
1159
1160 @Article{zirkelbach10b,
1161   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1162                  silicon",
1163   journal =      "to be published",
1164   volume =       "",
1165   number =       "",
1166   pages =        "",
1167   year =         "2010",
1168   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1169                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1170 }
1171
1172 @Article{zirkelbach10c,
1173   title =        "...",
1174   journal =      "to be published",
1175   volume =       "",
1176   number =       "",
1177   pages =        "",
1178   year =         "2010",
1179   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1180                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner99,
1184   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1185                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1186                  layers in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "147",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "249--255",
1191   year =         "1999",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "two-step implantation process",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner99_2,
1201   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1202                  in silicon",
1203   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1204   volume =       "148",
1205   number =       "1-4",
1206   pages =        "528--533",
1207   year =         "1999",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1211   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1212   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1213 }
1214
1215 @Article{lindner01,
1216   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1217                  Basic physical processes",
1218   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1219   volume =       "178",
1220   number =       "1-4",
1221   pages =        "44--54",
1222   year =         "2001",
1223   note =         "",
1224   ISSN =         "0168-583X",
1225   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1226   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1227   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner02,
1231   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1232                  fundamental studies for new technological tricks",
1233   author =       "J. K. N. Lindner",
1234   journal =      "Appl. Phys. A",
1235   volume =       "77",
1236   pages =        "27--38",
1237   year =         "2003",
1238   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1239   notes =        "ibs, burried sic layers",
1240 }
1241
1242 @Article{lindner06,
1243   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1244                  formation and displacive precipitate resolution in the
1245                  {C}-Si system",
1246   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1247   volume =       "26",
1248   number =       "5-7",
1249   pages =        "857--861",
1250   year =         "2006",
1251   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1252                  Applications",
1253   ISSN =         "0928-4931",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1257                  and B. Stritzker",
1258   notes =        "c int diffusion barrier",
1259 }
1260
1261 @Article{ito04,
1262   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1263                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1264                  growth",
1265   journal =      "Applied Surface Science",
1266   volume =       "238",
1267   number =       "1-4",
1268   pages =        "159--164",
1269   year =         "2004",
1270   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1271   ISSN =         "0169-4332",
1272   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1274   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1275                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1276   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yamamoto04,
1280   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1281                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1282                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1283   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1284   volume =       "261",
1285   number =       "2-3",
1286   pages =        "266--270",
1287   year =         "2004",
1288   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1289                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1290   ISSN =         "0022-0248",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1293   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1294                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1295   notes =        "gan on 3c-sic",
1296 }
1297
1298 @Article{liu_l02,
1299   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1300   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1301   volume =       "37",
1302   number =       "3",
1303   pages =        "61--127",
1304   year =         "2002",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0927-796X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1309   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1310   notes =        "gan substrates",
1311 }
1312
1313 @Article{takeuchi91,
1314   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1315                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1317   volume =       "115",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "634--638",
1320   year =         "1991",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0022-0248",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1325   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1326                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1327   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1328 }
1329
1330 @Article{alder57,
1331   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1332   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1333   publisher =    "AIP",
1334   year =         "1957",
1335   journal =      "J. Chem. Phys.",
1336   volume =       "27",
1337   number =       "5",
1338   pages =        "1208--1209",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1340   doi =          "10.1063/1.1743957",
1341 }
1342
1343 @Article{alder59,
1344   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1345   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1959",
1348   journal =      "J. Chem. Phys.",
1349   volume =       "31",
1350   number =       "2",
1351   pages =        "459--466",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1353   doi =          "10.1063/1.1730376",
1354 }
1355
1356 @Article{tersoff_si1,
1357   title =        "New empirical model for the structural properties of
1358                  silicon",
1359   author =       "J. Tersoff",
1360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1361   volume =       "56",
1362   number =       "6",
1363   pages =        "632--635",
1364   numpages =     "3",
1365   year =         "1986",
1366   month =        feb,
1367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1368   publisher =    "American Physical Society",
1369 }
1370
1371 @Article{tersoff_si2,
1372   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1373                  covalent systems",
1374   author =       "J. Tersoff",
1375   journal =      "Phys. Rev. B",
1376   volume =       "37",
1377   number =       "12",
1378   pages =        "6991--7000",
1379   numpages =     "9",
1380   year =         "1988",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1383   publisher =    "American Physical Society",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si3,
1387   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1388                  improved elastic properties",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. B",
1391   volume =       "38",
1392   number =       "14",
1393   pages =        "9902--9905",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1988",
1396   month =        nov,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_c,
1402   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1403                  Applications to Amorphous Carbon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "61",
1407   number =       "25",
1408   pages =        "2879--2882",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1988",
1411   month =        dec,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_m,
1417   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1418                  for multicomponent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "39",
1422   number =       "8",
1423   pages =        "5566--5568",
1424   numpages =     "2",
1425   year =         "1989",
1426   month =        mar,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff90,
1432   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1433   author =       "J. Tersoff",
1434   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1435   volume =       "64",
1436   number =       "15",
1437   pages =        "1757--1760",
1438   numpages =     "3",
1439   year =         "1990",
1440   month =        apr,
1441   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1442   publisher =    "American Physical Society",
1443 }
1444
1445 @Article{fahey89,
1446   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1447   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1448   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1449   volume =       "61",
1450   number =       "2",
1451   pages =        "289--384",
1452   numpages =     "95",
1453   year =         "1989",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{wesch96,
1460   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1461   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1462   volume =       "116",
1463   number =       "1-4",
1464   pages =        "305--321",
1465   year =         "1996",
1466   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1470   author =       "W. Wesch",
1471 }
1472
1473 @Article{morkoc94,
1474   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1475                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1476   collaboration = "",
1477   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1478                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1479   publisher =    "AIP",
1480   year =         "1994",
1481   journal =      "J. Appl. Phys.",
1482   volume =       "76",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "1363--1398",
1485   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1486                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1487                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1488                  FILMS; INDUSTRY",
1489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1490   doi =          "10.1063/1.358463",
1491   notes =        "sic intro, properties",
1492 }
1493
1494 @Article{foo,
1495   author =       "Noch Unbekannt",
1496   title =        "How to find references",
1497   journal =      "Journal of Applied References",
1498   year =         "2009",
1499   volume =       "77",
1500   pages =        "1--23",
1501 }
1502
1503 @Article{tang95,
1504   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1505                  \beta{}-Si{C}",
1506   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1507   journal =      "Phys. Rev. B",
1508   volume =       "52",
1509   number =       "21",
1510   pages =        "15150--15159",
1511   numpages =     "9",
1512   year =         "1995",
1513   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1514   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1515                  tersoff reparametrization",
1516   publisher =    "American Physical Society",
1517 }
1518
1519 @Article{sarro00,
1520   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1521   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1522   volume =       "82",
1523   number =       "1-3",
1524   pages =        "210--218",
1525   year =         "2000",
1526   ISSN =         "0924-4247",
1527   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1528   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1529   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1530   keywords =     "MEMS",
1531   keywords =     "Silicon carbide",
1532   keywords =     "Micromachining",
1533   keywords =     "Mechanical stress",
1534 }
1535
1536 @Article{casady96,
1537   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1538                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1539                  review",
1540   journal =      "Solid-State Electronics",
1541   volume =       "39",
1542   number =       "10",
1543   pages =        "1409--1422",
1544   year =         "1996",
1545   ISSN =         "0038-1101",
1546   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1547   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1548   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1549   notes =        "sic intro",
1550 }
1551
1552 @Article{giancarli98,
1553   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1554                  structural material in fusion power reactor blankets",
1555   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1556   volume =       "41",
1557   number =       "1-4",
1558   pages =        "165--171",
1559   year =         "1998",
1560   ISSN =         "0920-3796",
1561   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1562   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1563   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1564                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1565 }
1566
1567 @Article{pensl93,
1568   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1569   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1570   volume =       "185",
1571   number =       "1-4",
1572   pages =        "264--283",
1573   year =         "1993",
1574   ISSN =         "0921-4526",
1575   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1576   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1577   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1578 }
1579
1580 @Article{tairov78,
1581   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1582                  carbide single crystals",
1583   journal =      "J. Cryst. Growth",
1584   volume =       "43",
1585   number =       "2",
1586   pages =        "209--212",
1587   year =         "1978",
1588   notes =        "modified lely process",
1589   ISSN =         "0022-0248",
1590   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1591   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1592   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1593 }
1594
1595 @Article{tairov81,
1596   title =        "General principles of growing large-size single
1597                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1598   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1599   volume =       "52",
1600   number =       "Part 1",
1601   pages =        "146--150",
1602   year =         "1981",
1603   note =         "",
1604   ISSN =         "0022-0248",
1605   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1607   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1608 }
1609
1610 @Article{barrett91,
1611   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1612   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1613   volume =       "109",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "17--23",
1616   year =         "1991",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0022-0248",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1621   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1622                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1623 }
1624
1625 @Article{barrett93,
1626   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1627   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1628   volume =       "128",
1629   number =       "1-4",
1630   pages =        "358--362",
1631   year =         "1993",
1632   note =         "",
1633   ISSN =         "0022-0248",
1634   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1636   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1637                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1638                  W. J. Choyke",
1639 }
1640
1641 @Article{stein93,
1642   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1643                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1644                  sublimation method",
1645   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1646   volume =       "131",
1647   number =       "1-2",
1648   pages =        "71--74",
1649   year =         "1993",
1650   note =         "",
1651   ISSN =         "0022-0248",
1652   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1653   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1654   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1655   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1656 }
1657
1658 @Article{nishino83,
1659   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1660                  Will",
1661   collaboration = "",
1662   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1663                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1664   publisher =    "AIP",
1665   year =         "1983",
1666   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1667   volume =       "42",
1668   number =       "5",
1669   pages =        "460--462",
1670   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1671                  monocrystals",
1672   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1673   doi =          "10.1063/1.93970",
1674   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1675 }
1676
1677 @Article{nishino87,
1678   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1679                  and Hiroyuki Matsunami",
1680   collaboration = "",
1681   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1682                  Si{C} on silicon",
1683   publisher =    "AIP",
1684   year =         "1987",
1685   journal =      "J. Appl. Phys.",
1686   volume =       "61",
1687   number =       "10",
1688   pages =        "4889--4893",
1689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1690   doi =          "10.1063/1.338355",
1691   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1692                  carbonization",
1693 }
1694
1695 @Article{powell87,
1696   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1697                  Kuczmarski",
1698   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1699                  Single-Crystal Films on Si",
1700   publisher =    "ECS",
1701   year =         "1987",
1702   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1703   volume =       "134",
1704   number =       "6",
1705   pages =        "1558--1565",
1706   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1707                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1708   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1709   doi =          "10.1149/1.2100708",
1710   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1711 }
1712
1713 @Article{powell87_2,
1714   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1715                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1716   collaboration = "",
1717   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1718                  off-axis Si substrates",
1719   publisher =    "AIP",
1720   year =         "1987",
1721   journal =      "Applied Physics Letters",
1722   volume =       "51",
1723   number =       "11",
1724   pages =        "823--825",
1725   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1726                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1727                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1728                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1729                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1730   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1731   doi =          "10.1063/1.98824",
1732   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1733 }
1734
1735 @Article{kimoto93,
1736   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1737                  and Hiroyuki Matsunami",
1738   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1739                  epitaxy",
1740   publisher =    "AIP",
1741   year =         "1993",
1742   journal =      "J. Appl. Phys.",
1743   volume =       "73",
1744   number =       "2",
1745   pages =        "726--732",
1746   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1747                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1748                  VAPOR DEPOSITION",
1749   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1750   doi =          "10.1063/1.353329",
1751   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1752 }
1753
1754 @Article{powell90,
1755   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1756                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1757                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1758   collaboration = "",
1759   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1760                  6{H}-Si{C} substrates",
1761   publisher =    "AIP",
1762   year =         "1990",
1763   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1764   volume =       "56",
1765   number =       "14",
1766   pages =        "1353--1355",
1767   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1768                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1769                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1770                  PHASE EPITAXY",
1771   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1772   doi =          "10.1063/1.102512",
1773   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1774 }
1775
1776 @Article{yuan95,
1777   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1778                  Thokala and M. J. Loboda",
1779   collaboration = "",
1780   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1781                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1782                  silacyclobutane",
1783   publisher =    "AIP",
1784   year =         "1995",
1785   journal =      "J. Appl. Phys.",
1786   volume =       "78",
1787   number =       "2",
1788   pages =        "1271--1273",
1789   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1790                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1791                  SPECTROPHOTOMETRY",
1792   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1793   doi =          "10.1063/1.360368",
1794   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1795 }
1796
1797 @Article{fissel95,
1798   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1799                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1800                  molecular beam epitaxy",
1801   journal =      "J. Cryst. Growth",
1802   volume =       "154",
1803   number =       "1-2",
1804   pages =        "72--80",
1805   year =         "1995",
1806   ISSN =         "0022-0248",
1807   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1808   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1809   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1810                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1811   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1812 }
1813
1814 @Article{fissel95_apl,
1815   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1816   collaboration = "",
1817   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1818                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1819   publisher =    "AIP",
1820   year =         "1995",
1821   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1822   volume =       "66",
1823   number =       "23",
1824   pages =        "3182--3184",
1825   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1826                  RHEED; NUCLEATION",
1827   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1828   doi =          "10.1063/1.113716",
1829   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1830 }
1831
1832 @Article{borders71,
1833   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1834   collaboration = "",
1835   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1836                  {IMPLANTATION}",
1837   publisher =    "AIP",
1838   year =         "1971",
1839   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1840   volume =       "18",
1841   number =       "11",
1842   pages =        "509--511",
1843   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1844   doi =          "10.1063/1.1653516",
1845   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1846                  ideas",
1847 }
1848
1849 @Article{reeson87,
1850   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1851                  J. Davis and G. E. Celler",
1852   collaboration = "",
1853   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1854                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "1987",
1857   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1858   volume =       "51",
1859   number =       "26",
1860   pages =        "2242--2244",
1861   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1862                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1863   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1864   doi =          "10.1063/1.98953",
1865   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1866 }
1867
1868 @Article{scace59,
1869   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1870   collaboration = "",
1871   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1872   publisher =    "AIP",
1873   year =         "1959",
1874   journal =      "J. Chem. Phys.",
1875   volume =       "30",
1876   number =       "6",
1877   pages =        "1551--1555",
1878   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1879   doi =          "10.1063/1.1730236",
1880   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1881 }
1882
1883 @Article{cowern96,
1884   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1885                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1886   collaboration = "",
1887   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1888                  {B} in silicon",
1889   publisher =    "AIP",
1890   year =         "1996",
1891   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1892   volume =       "68",
1893   number =       "8",
1894   pages =        "1150--1152",
1895   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1896                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1897                  SILICON",
1898   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1899   doi =          "10.1063/1.115706",
1900   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1901 }
1902
1903 @Article{stolk95,
1904   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1905                  of the silicon self-interstitial",
1906   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1907   volume =       "96",
1908   number =       "1-2",
1909   pages =        "187--195",
1910   year =         "1995",
1911   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1912                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1913   ISSN =         "0168-583X",
1914   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1915   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1916   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1917                  and J. M. Poate",
1918 }
1919
1920 @Article{stolk97,
1921   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1922                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1923                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1924                  E. Haynes",
1925   collaboration = "",
1926   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1927                  diffusion in ion-implanted silicon",
1928   publisher =    "AIP",
1929   year =         "1997",
1930   journal =      "J. Appl. Phys.",
1931   volume =       "81",
1932   number =       "9",
1933   pages =        "6031--6050",
1934   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1935   doi =          "10.1063/1.364452",
1936   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1937 }
1938
1939 @Article{powell94,
1940   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1941   collaboration = "",
1942   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1943                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1944   publisher =    "AIP",
1945   year =         "1994",
1946   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1947   volume =       "64",
1948   number =       "3",
1949   pages =        "324--326",
1950   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1951                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1952                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1953                  SYNTHESIS",
1954   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1955   doi =          "10.1063/1.111195",
1956   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1957 }
1958
1959 @Article{soref91,
1960   author =       "Richard A. Soref",
1961   collaboration = "",
1962   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1963                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1964   publisher =    "AIP",
1965   year =         "1991",
1966   journal =      "J. Appl. Phys.",
1967   volume =       "70",
1968   number =       "4",
1969   pages =        "2470--2472",
1970   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1971                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1972                  TERNARY ALLOYS",
1973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1974   doi =          "10.1063/1.349403",
1975   notes =        "band gap of strained si by c",
1976 }
1977
1978 @Article{kasper91,
1979   author =       "E Kasper",
1980   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1981                  possibility to produce direct band gap material",
1982   journal =      "Physica Scripta",
1983   volume =       "T35",
1984   pages =        "232--236",
1985   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1986   year =         "1991",
1987   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1988                  quasi-direct one",
1989 }
1990
1991 @Article{osten99,
1992   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1993   collaboration = "",
1994   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1995                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1996                  molecular beam epitaxy",
1997   publisher =    "AIP",
1998   year =         "1999",
1999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2000   volume =       "74",
2001   number =       "6",
2002   pages =        "836--838",
2003   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2004                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2005                  compounds",
2006   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2007   doi =          "10.1063/1.123384",
2008   notes =        "substitutional c in si",
2009 }
2010
2011 @Article{hohenberg64,
2012   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2013   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2014   journal =      "Phys. Rev.",
2015   volume =       "136",
2016   number =       "3B",
2017   pages =        "B864--B871",
2018   numpages =     "7",
2019   year =         "1964",
2020   month =        nov,
2021   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2022   publisher =    "American Physical Society",
2023   notes =        "density functional theory, dft",
2024 }
2025
2026 @Article{kohn65,
2027   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2028                  Correlation Effects",
2029   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2030   journal =      "Phys. Rev.",
2031   volume =       "140",
2032   number =       "4A",
2033   pages =        "A1133--A1138",
2034   numpages =     "5",
2035   year =         "1965",
2036   month =        nov,
2037   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2038   publisher =    "American Physical Society",
2039   notes =        "dft, exchange and correlation",
2040 }
2041
2042 @Article{ruecker94,
2043   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2044                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2045   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2046                  J. Osten",
2047   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2048   volume =       "72",
2049   number =       "22",
2050   pages =        "3578--3581",
2051   numpages =     "3",
2052   year =         "1994",
2053   month =        may,
2054   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2055   publisher =    "American Physical Society",
2056   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2057                  si, dft",
2058 }
2059
2060 @Article{chang05,
2061   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2062                  Alloy",
2063   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2064   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2065   volume =       "44",
2066   number =       "4B",
2067   pages =        "2257--2262",
2068   numpages =     "5",
2069   year =         "2005",
2070   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2071   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2072   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2073   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2074 }
2075
2076 @Article{osten97,
2077   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2078   collaboration = "",
2079   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2080                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2081                  Si(001)",
2082   publisher =    "AIP",
2083   year =         "1997",
2084   journal =      "J. Appl. Phys.",
2085   volume =       "82",
2086   number =       "10",
2087   pages =        "4977--4981",
2088   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2089                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2090                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2091   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2092   doi =          "10.1063/1.366364",
2093   notes =        "charge transport in strained si",
2094 }
2095
2096 @Article{kapur04,
2097   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2098                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2099   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2100   journal =      "Phys. Rev. B",
2101   volume =       "69",
2102   number =       "15",
2103   pages =        "155214",
2104   numpages =     "8",
2105   year =         "2004",
2106   month =        apr,
2107   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2108   publisher =    "American Physical Society",
2109   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2110 }
2111
2112 @Article{barkema96,
2113   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2114                  Systems",
2115   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2116   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2117   volume =       "77",
2118   number =       "21",
2119   pages =        "4358--4361",
2120   numpages =     "3",
2121   year =         "1996",
2122   month =        nov,
2123   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2124   publisher =    "American Physical Society",
2125   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2126                  dynamic mds",
2127 }
2128
2129 @Article{cances09,
2130   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2131                  Minoukadeh and F. Willaime",
2132   collaboration = "",
2133   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2134                  technique method for finding transition pathways on
2135                  potential energy surfaces",
2136   publisher =    "AIP",
2137   year =         "2009",
2138   journal =      "J. Chem. Phys.",
2139   volume =       "130",
2140   number =       "11",
2141   eid =          "114711",
2142   numpages =     "6",
2143   pages =        "114711",
2144   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2145                  surfaces; vacancies (crystal)",
2146   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2147   doi =          "10.1063/1.3088532",
2148   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2149                  transition pathways",
2150 }
2151
2152 @Article{parrinello81,
2153   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2154   collaboration = "",
2155   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2156                  molecular dynamics method",
2157   publisher =    "AIP",
2158   year =         "1981",
2159   journal =      "J. Appl. Phys.",
2160   volume =       "52",
2161   number =       "12",
2162   pages =        "7182--7190",
2163   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2164                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2165                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2166                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2167                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2168                  IMPACT SHOCK",
2169   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2170   doi =          "10.1063/1.328693",
2171 }
2172
2173 @Article{stillinger85,
2174   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2175                  of silicon",
2176   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2177   journal =      "Phys. Rev. B",
2178   volume =       "31",
2179   number =       "8",
2180   pages =        "5262--5271",
2181   numpages =     "9",
2182   year =         "1985",
2183   month =        apr,
2184   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2185   publisher =    "American Physical Society",
2186 }
2187
2188 @Article{brenner90,
2189   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2190                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2191                  films",
2192   author =       "Donald W. Brenner",
2193   journal =      "Phys. Rev. B",
2194   volume =       "42",
2195   number =       "15",
2196   pages =        "9458--9471",
2197   numpages =     "13",
2198   year =         "1990",
2199   month =        nov,
2200   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2201   publisher =    "American Physical Society",
2202   notes =        "brenner hydro carbons",
2203 }
2204
2205 @Article{bazant96,
2206   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2207                  Cohesive Energy Curves",
2208   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2209   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2210   volume =       "77",
2211   number =       "21",
2212   pages =        "4370--4373",
2213   numpages =     "3",
2214   year =         "1996",
2215   month =        nov,
2216   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2217   publisher =    "American Physical Society",
2218   notes =        "first si edip",
2219 }
2220
2221 @Article{bazant97,
2222   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2223                  silicon",
2224   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2225                  Justo",
2226   journal =      "Phys. Rev. B",
2227   volume =       "56",
2228   number =       "14",
2229   pages =        "8542--8552",
2230   numpages =     "10",
2231   year =         "1997",
2232   month =        oct,
2233   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2234   publisher =    "American Physical Society",
2235   notes =        "second si edip",
2236 }
2237
2238 @Article{justo98,
2239   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2240                  disordered phases",
2241   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2242                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2243   journal =      "Phys. Rev. B",
2244   volume =       "58",
2245   number =       "5",
2246   pages =        "2539--2550",
2247   numpages =     "11",
2248   year =         "1998",
2249   month =        aug,
2250   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2251   publisher =    "American Physical Society",
2252   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2253 }
2254
2255 @Article{parcas_md,
2256   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2257   author =       "K. Nordlund",
2258   year =         "2008",
2259 }
2260
2261 @Article{voter97,
2262   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2263                  Infrequent Events",
2264   author =       "Arthur F. Voter",
2265   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2266   volume =       "78",
2267   number =       "20",
2268   pages =        "3908--3911",
2269   numpages =     "3",
2270   year =         "1997",
2271   month =        may,
2272   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2273   publisher =    "American Physical Society",
2274   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2275 }
2276
2277 @Article{voter97_2,
2278   author =       "Arthur F. Voter",
2279   collaboration = "",
2280   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2281                  simulation of infrequent events",
2282   publisher =    "AIP",
2283   year =         "1997",
2284   journal =      "J. Chem. Phys.",
2285   volume =       "106",
2286   number =       "11",
2287   pages =        "4665--4677",
2288   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2289                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2290                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2291                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2292                  theory; potential energy surfaces",
2293   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2294   doi =          "10.1063/1.473503",
2295   notes =        "improved hyperdynamics md",
2296 }
2297
2298 @Article{sorensen2000,
2299   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2300   collaboration = "",
2301   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2302                  infrequent events",
2303   publisher =    "AIP",
2304   year =         "2000",
2305   journal =      "J. Chem. Phys.",
2306   volume =       "112",
2307   number =       "21",
2308   pages =        "9599--9606",
2309   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2310                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2311   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2312   doi =          "10.1063/1.481576",
2313   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2314 }
2315
2316 @Article{voter98,
2317   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2318                  events",
2319   author =       "Arthur F. Voter",
2320   journal =      "Phys. Rev. B",
2321   volume =       "57",
2322   number =       "22",
2323   pages =        "R13985--R13988",
2324   numpages =     "3",
2325   year =         "1998",
2326   month =        jun,
2327   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2328   publisher =    "American Physical Society",
2329   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2330 }
2331
2332 @Article{wu99,
2333   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2334   collaboration = "",
2335   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2336                  simulation",
2337   publisher =    "AIP",
2338   year =         "1999",
2339   journal =      "J. Chem. Phys.",
2340   volume =       "110",
2341   number =       "19",
2342   pages =        "9401--9410",
2343   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2344                  potential; crystallisation; liquid theory",
2345   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2346   doi =          "10.1063/1.478948",
2347   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2348                  systematic motion",
2349 }
2350
2351 @Article{choudhary05,
2352   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2353   collaboration = "",
2354   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2355                  to the production of amorphous silicon",
2356   publisher =    "AIP",
2357   year =         "2005",
2358   journal =      "J. Chem. Phys.",
2359   volume =       "122",
2360   number =       "15",
2361   eid =          "154509",
2362   numpages =     "8",
2363   pages =        "154509",
2364   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2365                  amorphous semiconductors",
2366   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2367   doi =          "10.1063/1.1878733",
2368   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2369                  silicon",
2370 }
2371
2372 @Article{taylor93,
2373   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2374   collaboration = "",
2375   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2376                  difficult?",
2377   publisher =    "AIP",
2378   year =         "1993",
2379   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2380   volume =       "62",
2381   number =       "25",
2382   pages =        "3336--3338",
2383   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2384                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2385                  ENERGY",
2386   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2387   doi =          "10.1063/1.109063",
2388   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2389 }
2390
2391 @Article{chaussende08,
2392   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2393   journal =      "J. Cryst. Growth",
2394   volume =       "310",
2395   number =       "5",
2396   pages =        "976--981",
2397   year =         "2008",
2398   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2399                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2400   ISSN =         "0022-0248",
2401   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2402   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2403   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2404                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2405                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2406                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2407   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2408                  metastable",
2409 }
2410
2411 @Article{chaussende07,
2412   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2413   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2414   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2415   volume =       "40",
2416   number =       "20",
2417   pages =        "6150",
2418   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2419   year =         "2007",
2420   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2421                  modelling",
2422 }
2423
2424 @Article{feynman39,
2425   title =        "Forces in Molecules",
2426   author =       "R. P. Feynman",
2427   journal =      "Phys. Rev.",
2428   volume =       "56",
2429   number =       "4",
2430   pages =        "340--343",
2431   numpages =     "3",
2432   year =         "1939",
2433   month =        aug,
2434   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2435   publisher =    "American Physical Society",
2436   notes =        "hellmann feynman forces",
2437 }
2438
2439 @Article{buczko00,
2440   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2441                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2442                  their Contrasting Properties",
2443   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2444                  T. Pantelides",
2445   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2446   volume =       "84",
2447   number =       "5",
2448   pages =        "943--946",
2449   numpages =     "3",
2450   year =         "2000",
2451   month =        jan,
2452   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2453   publisher =    "American Physical Society",
2454   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2455 }
2456
2457 @Article{djurabekova08,
2458   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2459                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2460   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2461   journal =      "Phys. Rev. B",
2462   volume =       "77",
2463   number =       "11",
2464   pages =        "115325",
2465   numpages =     "7",
2466   year =         "2008",
2467   month =        mar,
2468   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2469   publisher =    "American Physical Society",
2470   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2471                  angular distribution, coordination",
2472 }
2473
2474 @Article{wen09,
2475   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2476                  W. Liang and J. Zou",
2477   collaboration = "",
2478   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2479                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2480                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2481   publisher =    "AIP",
2482   year =         "2009",
2483   journal =      "J. Appl. Phys.",
2484   volume =       "106",
2485   number =       "7",
2486   eid =          "073522",
2487   numpages =     "8",
2488   pages =        "073522",
2489   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2490                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2491                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2492                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2493   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2494   doi =          "10.1063/1.3234380",
2495   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2496                  deconvolution, dislocation defects",
2497 }
2498
2499 @Article{kitabatake93,
2500   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2501                  Hirao",
2502   collaboration = "",
2503   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2504                  growth on Si(001) surface",
2505   publisher =    "AIP",
2506   year =         "1993",
2507   journal =      "J. Appl. Phys.",
2508   volume =       "74",
2509   number =       "7",
2510   pages =        "4438--4445",
2511   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2512                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2513                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2514   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2515   doi =          "10.1063/1.354385",
2516   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2517                  model, interface",
2518 }
2519
2520 @Article{kitabatake97,
2521   author =       "Makoto Kitabatake",
2522   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2523                  Heteroepitaxial Growth",
2524   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2525   year =         "1997",
2526   journal =      "physica status solidi (b)",
2527   volume =       "202",
2528   pages =        "405--420",
2529   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2530   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2531   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2532 }
2533
2534 @Article{chirita97,
2535   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2536                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2537                  dynamics study",
2538   journal =      "Thin Solid Films",
2539   volume =       "294",
2540   number =       "1-2",
2541   pages =        "47--49",
2542   year =         "1997",
2543   note =         "",
2544   ISSN =         "0040-6090",
2545   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2546   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2547   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2548   keywords =     "Strain relaxation",
2549   keywords =     "Interfaces",
2550   keywords =     "Thermal stability",
2551   keywords =     "Molecular dynamics",
2552   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2553 }
2554
2555 @Article{cicero02,
2556   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2557                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2558   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2559                  Catellani",
2560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2561   volume =       "89",
2562   number =       "15",
2563   pages =        "156101",
2564   numpages =     "4",
2565   year =         "2002",
2566   month =        sep,
2567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2568   publisher =    "American Physical Society",
2569   notes =        "sic/si interface study",
2570 }
2571
2572 @Article{pizzagalli03,
2573   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2574                  interface: Si{C}/Si(001)",
2575   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2576                  Catellani",
2577   journal =      "Phys. Rev. B",
2578   volume =       "68",
2579   number =       "19",
2580   pages =        "195302",
2581   numpages =     "10",
2582   year =         "2003",
2583   month =        nov,
2584   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2585   publisher =    "American Physical Society",
2586   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2587 }
2588
2589 @Article{tang07,
2590   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2591                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2592                  electron microscopy",
2593   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2594                  H. Zheng and J. W. Liang",
2595   journal =      "Phys. Rev. B",
2596   volume =       "75",
2597   number =       "18",
2598   pages =        "184103",
2599   numpages =     "7",
2600   year =         "2007",
2601   month =        may,
2602   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2603   publisher =    "American Physical Society",
2604   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2605                  si and c",
2606 }
2607
2608 @Article{hornstra58,
2609   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2610   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2611   volume =       "5",
2612   number =       "1-2",
2613   pages =        "129--141",
2614   year =         "1958",
2615   note =         "",
2616   ISSN =         "0022-3697",
2617   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2618   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2619   author =       "J. Hornstra",
2620   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2621 }
2622
2623 @Article{deguchi92,
2624   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2625                  Ion `Hot' Implantation",
2626   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2627                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2628   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2629   volume =       "31",
2630   number =       "Part 1, No. 2A",
2631   pages =        "343--347",
2632   numpages =     "4",
2633   year =         "1992",
2634   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2635   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2636   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2637   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2638                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2639 }
2640
2641 @Article{eichhorn99,
2642   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2643                  K{\"{o}}gler",
2644   collaboration = "",
2645   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2646                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2647                  synchrotron x-ray diffraction",
2648   publisher =    "AIP",
2649   year =         "1999",
2650   journal =      "J. Appl. Phys.",
2651   volume =       "86",
2652   number =       "8",
2653   pages =        "4184--4187",
2654   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2655                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2656                  precipitation; semiconductor doping",
2657   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2658   doi =          "10.1063/1.371344",
2659   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2660                  expansion of si lattice",
2661 }
2662
2663 @Article{eichhorn02,
2664   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2665                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2666   collaboration = "",
2667   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2668                  carbon ion implantation",
2669   publisher =    "AIP",
2670   year =         "2002",
2671   journal =      "J. Appl. Phys.",
2672   volume =       "91",
2673   number =       "3",
2674   pages =        "1287--1292",
2675   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2676                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2677                  electron microscopy",
2678   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2679   doi =          "10.1063/1.1428105",
2680   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2681                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2682 }
2683
2684 @Article{lucas10,
2685   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2686   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2687                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2688                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2689                  amorphous structures",
2690   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2691   volume =       "22",
2692   number =       "3",
2693   pages =        "035802",
2694   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2695   year =         "2010",
2696   notes =        "edip sic",
2697 }
2698
2699 @Article{godet03,
2700   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2701                  Beauchamp",
2702   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2703                  methods for silicon under large shear",
2704   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2705   volume =       "15",
2706   number =       "41",
2707   pages =        "6943",
2708   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2709   year =         "2003",
2710   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2711                  edip, tersoff, ab initio",
2712 }
2713
2714 @Article{moriguchi98,
2715   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2716                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2717   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2718   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2719   volume =       "37",
2720   number =       "Part 1, No. 2",
2721   pages =        "414--422",
2722   numpages =     "8",
2723   year =         "1998",
2724   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2725   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2726   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2727   notes =        "tersoff stringent test",
2728 }
2729
2730 @Article{mazzarolo01,
2731   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2732                  simulations",
2733   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2734                  Lulli and Eros Albertazzi",
2735   journal =      "Phys. Rev. B",
2736   volume =       "63",
2737   number =       "19",
2738   pages =        "195207",
2739   numpages =     "4",
2740   year =         "2001",
2741   month =        apr,
2742   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2743   publisher =    "American Physical Society",
2744 }
2745
2746 @Article{holmstroem08,
2747   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2748                  density functional theory molecular dynamics
2749                  simulations",
2750   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2751   journal =      "Phys. Rev. B",
2752   volume =       "78",
2753   number =       "4",
2754   pages =        "045202",
2755   numpages =     "6",
2756   year =         "2008",
2757   month =        jul,
2758   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2759   publisher =    "American Physical Society",
2760   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2761                  initio",
2762 }
2763
2764 @Article{nordlund97,
2765   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2766                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2767   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2768   volume =       "132",
2769   number =       "1",
2770   pages =        "45--54",
2771   year =         "1997",
2772   note =         "",
2773   ISSN =         "0168-583X",
2774   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2775   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2776   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2777   notes =        "repulsive ab initio potential",
2778 }
2779
2780 @Article{kresse96,
2781   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2782                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2783                  set",
2784   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2785   volume =       "6",
2786   number =       "1",
2787   pages =        "15--50",
2788   year =         "1996",
2789   note =         "",
2790   ISSN =         "0927-0256",
2791   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2792   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2793   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2794   notes =        "vasp ref",
2795 }
2796
2797 @Article{bloechl94,
2798   title =        "Projector augmented-wave method",
2799   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2800   journal =      "Phys. Rev. B",
2801   volume =       "50",
2802   number =       "24",
2803   pages =        "17953--17979",
2804   numpages =     "26",
2805   year =         "1994",
2806   month =        dec,
2807   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2808   publisher =    "American Physical Society",
2809   notes =        "paw method",
2810 }
2811
2812 @Article{hamann79,
2813   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2814   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2815   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2816   volume =       "43",
2817   number =       "20",
2818   pages =        "1494--1497",
2819   numpages =     "3",
2820   year =         "1979",
2821   month =        nov,
2822   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2823   publisher =    "American Physical Society",
2824   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2825 }
2826
2827 @Article{vanderbilt90,
2828   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2829                  eigenvalue formalism",
2830   author =       "David Vanderbilt",
2831   journal =      "Phys. Rev. B",
2832   volume =       "41",
2833   number =       "11",
2834   pages =        "7892--7895",
2835   numpages =     "3",
2836   year =         "1990",
2837   month =        apr,
2838   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2839   publisher =    "American Physical Society",
2840   notes =        "vasp pseudopotentials",
2841 }
2842
2843 @Article{perdew86,
2844   title =        "Accurate and simple density functional for the
2845                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2846                  approximation",
2847   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2848   journal =      "Phys. Rev. B",
2849   volume =       "33",
2850   number =       "12",
2851   pages =        "8800--8802",
2852   numpages =     "2",
2853   year =         "1986",
2854   month =        jun,
2855   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2856   publisher =    "American Physical Society",
2857   notes =        "rapid communication gga",
2858 }
2859
2860 @Article{perdew02,
2861   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2862                  correlation: {A} look backward and forward",
2863   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2864   volume =       "172",
2865   number =       "1-2",
2866   pages =        "1--6",
2867   year =         "1991",
2868   note =         "",
2869   ISSN =         "0921-4526",
2870   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2871   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2872   author =       "John P. Perdew",
2873   notes =        "gga overview",
2874 }
2875
2876 @Article{perdew92,
2877   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2878                  of the generalized gradient approximation for exchange
2879                  and correlation",
2880   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2881                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2882                  and Carlos Fiolhais",
2883   journal =      "Phys. Rev. B",
2884   volume =       "46",
2885   number =       "11",
2886   pages =        "6671--6687",
2887   numpages =     "16",
2888   year =         "1992",
2889   month =        sep,
2890   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2891   publisher =    "American Physical Society",
2892   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2893 }
2894
2895 @Article{baldereschi73,
2896   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2897   author =       "A. Baldereschi",
2898   journal =      "Phys. Rev. B",
2899   volume =       "7",
2900   number =       "12",
2901   pages =        "5212--5215",
2902   numpages =     "3",
2903   year =         "1973",
2904   month =        jun,
2905   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2906   publisher =    "American Physical Society",
2907   notes =        "mean value k point",
2908 }
2909
2910 @Article{zhu98,
2911   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2912                  diffusion in Si",
2913   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2914   volume =       "12",
2915   number =       "4",
2916   pages =        "309--318",
2917   year =         "1998",
2918   note =         "",
2919   ISSN =         "0927-0256",
2920   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2921   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2922   author =       "Jing Zhu",
2923   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2924   keywords =     "Boron dopant",
2925   keywords =     "Carbon dopant",
2926   keywords =     "Defect",
2927   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2928   keywords =     "Impurity cluster",
2929   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2930 }
2931
2932 @Article{nejim95,
2933   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2934   collaboration = "",
2935   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2936                  950 [degree]{C}",
2937   publisher =    "AIP",
2938   year =         "1995",
2939   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2940   volume =       "66",
2941   number =       "20",
2942   pages =        "2646--2648",
2943   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2944                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2945                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2946                  ELECTRON MICROSCOPY",
2947   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2948   doi =          "10.1063/1.113112",
2949   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2950                  self interstitials react with further implanted c",
2951 }
2952
2953 @Article{guedj98,
2954   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2955                  Kolodzey and A. Hairie",
2956   collaboration = "",
2957   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2958                  alloys",
2959   publisher =    "AIP",
2960   year =         "1998",
2961   journal =      "J. Appl. Phys.",
2962   volume =       "84",
2963   number =       "8",
2964   pages =        "4631--4633",
2965   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2966                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2967                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2968                  annealing",
2969   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2970   doi =          "10.1063/1.368703",
2971   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2972 }
2973
2974 @Article{jones04,
2975   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2976   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2977                  semiconductors",
2978   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2979   volume =       "16",
2980   number =       "27",
2981   pages =        "S2643",
2982   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2983   year =         "2004",
2984   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2985 }
2986
2987 @Article{park02,
2988   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2989                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2990                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2991   collaboration = "",
2992   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2993                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2994                  molecular-beam epitaxy",
2995   publisher =    "AIP",
2996   year =         "2002",
2997   journal =      "J. Appl. Phys.",
2998   volume =       "91",
2999   number =       "9",
3000   pages =        "5716--5727",
3001   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3002   doi =          "10.1063/1.1465122",
3003   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3004 }
3005
3006 @Article{leary97,
3007   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3008                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3009   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3010                  Torres",
3011   journal =      "Phys. Rev. B",
3012   volume =       "55",
3013   number =       "4",
3014   pages =        "2188--2194",
3015   numpages =     "6",
3016   year =         "1997",
3017   month =        jan,
3018   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3019   publisher =    "American Physical Society",
3020   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3021                  energies, different migration barriers and paths",
3022 }
3023
3024 @Article{burnard93,
3025   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3026                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3027                  calculations",
3028   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3029   journal =      "Phys. Rev. B",
3030   volume =       "47",
3031   number =       "16",
3032   pages =        "10217--10225",
3033   numpages =     "8",
3034   year =         "1993",
3035   month =        apr,
3036   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3037   publisher =    "American Physical Society",
3038   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3039                  carbon defect, formation energies",
3040 }
3041
3042 @Article{besson91,
3043   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3044                  silicon",
3045   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3046   journal =      "Phys. Rev. B",
3047   volume =       "43",
3048   number =       "5",
3049   pages =        "4028--4033",
3050   numpages =     "5",
3051   year =         "1991",
3052   month =        feb,
3053   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3054   publisher =    "American Physical Society",
3055 }
3056
3057 @Article{kaxiras96,
3058   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3059                  and growth on semiconductors",
3060   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3061   volume =       "6",
3062   number =       "2",
3063   pages =        "158--172",
3064   year =         "1996",
3065   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3066                  Epitaxy",
3067   ISSN =         "0927-0256",
3068   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3069   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3070   author =       "Efthimios Kaxiras",
3071   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3072                  tight binding, first principles",
3073 }
3074
3075 @Article{kaukonen98,
3076   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3077                  diamond
3078                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3079                  surfaces",
3080   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3081                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3082                  Th. Frauenheim",
3083   journal =      "Phys. Rev. B",
3084   volume =       "57",
3085   number =       "16",
3086   pages =        "9965--9970",
3087   numpages =     "5",
3088   year =         "1998",
3089   month =        apr,
3090   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3091   publisher =    "American Physical Society",
3092   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3093                  (crt)",
3094 }
3095
3096 @Article{gali03,
3097   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3098                  center in Si{C}",
3099   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3100                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3101                  W. J. Choyke",
3102   journal =      "Phys. Rev. B",
3103   volume =       "67",
3104   number =       "15",
3105   pages =        "155203",
3106   numpages =     "5",
3107   year =         "2003",
3108   month =        apr,
3109   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3110   publisher =    "American Physical Society",
3111 }
3112
3113 @Article{chen98,
3114   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3115                  irradiation and deformation",
3116   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3117   volume =       "258-263",
3118   number =       "Part 2",
3119   pages =        "1803--1808",
3120   year =         "1998",
3121   note =         "",
3122   ISSN =         "0022-3115",
3123   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3124   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3125   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3126 }
3127
3128 @Article{weber01,
3129   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3130                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3131   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3132   volume =       "175-177",
3133   number =       "",
3134   pages =        "26--30",
3135   year =         "2001",
3136   note =         "",
3137   ISSN =         "0168-583X",
3138   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3139   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3140   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3141 }
3142
3143 @Article{bockstedte03,
3144   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3145                  in $3{C}-Si{C}$",
3146   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3147                  Pankratov",
3148   journal =      "Phys. Rev. B",
3149   volume =       "68",
3150   number =       "20",
3151   pages =        "205201",
3152   numpages =     "17",
3153   year =         "2003",
3154   month =        nov,
3155   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3156   publisher =    "American Physical Society",
3157   notes =        "defect migration in sic",
3158 }
3159
3160 @Article{rauls03a,
3161   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3162                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3163   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3164                  De\'ak",
3165   journal =      "Phys. Rev. B",
3166   volume =       "68",
3167   number =       "15",
3168   pages =        "155208",
3169   numpages =     "9",
3170   year =         "2003",
3171   month =        oct,
3172   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3173   publisher =    "American Physical Society",
3174 }
3175
3176 @Article{losev27,
3177   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3178   volume =       "44",
3179   pages =        "485--494",
3180   year =         "1927",
3181   author =       "O. V. Lossev",
3182 }
3183
3184 @Article{losev28,
3185   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3186                  oscillations with crystals",
3187   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3188   volume =       "6",
3189   number =       "39",
3190   pages =        "1024--1044",
3191   year =         "1928",
3192   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3193   author =       "O. V. Lossev",
3194 }
3195
3196 @Article{losev29,
3197   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3198   volume =       "30",
3199   pages =        "920--923",
3200   year =         "1929",
3201   author =       "O. V. Lossev",
3202 }
3203
3204 @Article{losev31,
3205   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3206   volume =       "32",
3207   pages =        "692--696",
3208   year =         "1931",
3209   author =       "O. V. Lossev",
3210 }
3211
3212 @Article{losev33,
3213   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3214   volume =       "34",
3215   pages =        "397--403",
3216   year =         "1933",
3217   author =       "O. V. Lossev",
3218 }
3219
3220 @Article{round07,
3221   title =        "A note on carborundum",
3222   journal =      "Electrical World",
3223   volume =       "49",
3224   pages =        "308",
3225   year =         "1907",
3226   author =       "H. J. Round",
3227 }
3228
3229 @Article{vashishath08,
3230   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3231   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3232   volume =       "2",
3233   number =       "03",
3234   pages =        "444--470",
3235   year =         "2008",
3236   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3237   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3238   notes =        "sic polytype electronic properties",
3239 }
3240
3241 @Article{nelson69,
3242   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3243   collaboration = "",
3244   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3245   publisher =    "AIP",
3246   year =         "1966",
3247   journal =      "Journal of Applied Physics",
3248   volume =       "37",
3249   number =       "1",
3250   pages =        "333--336",
3251   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3252   doi =          "10.1063/1.1707837",
3253   notes =        "sic melt growth",
3254 }
3255
3256 @Article{arkel25,
3257   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3258   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3259                  und Thoriummetall",
3260   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3261   year =         "1925",
3262   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3263   volume =       "148",
3264   pages =        "345--350",
3265   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3266   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3267   notes =        "van arkel apparatus",
3268 }
3269
3270 @Article{moers31,
3271   author =       "K. Moers",
3272   year =         "1931",
3273   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3274   volume =       "198",
3275   pages =        "293",
3276   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3277                  process",
3278 }
3279
3280 @Article{kendall53,
3281   author =       "J. T. Kendall",
3282   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3283   publisher =    "AIP",
3284   year =         "1953",
3285   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3286   volume =       "21",
3287   number =       "5",
3288   pages =        "821--827",
3289   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3290   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3291                  process",
3292 }
3293
3294 @Article{lely55,
3295   author =       "J. A. Lely",
3296   year =         "1955",
3297   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3298   volume =       "32",
3299   pages =        "229",
3300   notes =        "lely sublimation growth process",
3301 }
3302
3303 @Article{knippenberg63,
3304   author =       "W. F. Knippenberg",
3305   year =         "1963",
3306   journal =      "Philips Res. Repts.",
3307   volume =       "18",
3308   pages =        "161",
3309   notes =        "acheson process",
3310 }
3311
3312 @Article{hoffmann82,
3313   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3314                  Weyrich",
3315   collaboration = "",
3316   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3317                  improved external quantum efficiency",
3318   publisher =    "AIP",
3319   year =         "1982",
3320   journal =      "Journal of Applied Physics",
3321   volume =       "53",
3322   number =       "10",
3323   pages =        "6962--6967",
3324   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3325                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3326                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3327                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3328                  electroluminescence; spectra; current density;
3329                  optimization",
3330   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3331   doi =          "10.1063/1.330041",
3332   notes =        "blue led, sublimation process",
3333 }
3334
3335 @Article{neudeck95,
3336   author =       "Philip Neudeck",
3337   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3338                  Road 44135 Cleveland OH",
3339   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3340                  technology",
3341   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3342   publisher =    "Springer Boston",
3343   ISSN =         "0361-5235",
3344   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3345   pages =        "283--288",
3346   volume =       "24",
3347   issue =        "4",
3348   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3349   note =         "10.1007/BF02659688",
3350   year =         "1995",
3351   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3352 }
3353
3354 @Article{bhatnagar93,
3355   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3356   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3357   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3358                  devices",
3359   year =         "1993",
3360   month =        mar,
3361   volume =       "40",
3362   number =       "3",
3363   pages =        "645--655",
3364   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3365                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3366                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3367                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3368                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3369                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3370                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3371                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3372   doi =          "10.1109/16.199372",
3373   ISSN =         "0018-9383",
3374   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3375 }
3376
3377 @Article{neudeck94,
3378   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3379                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3380   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3381   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3382                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3383                  6{H}-Si{C} substrates",
3384   year =         "1994",
3385   month =        may,
3386   volume =       "41",
3387   number =       "5",
3388   pages =        "826--835",
3389   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3390                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3391                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3392                  properties;epitaxial layers;light
3393                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3394                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3395                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3396                  currents;power electronics;semiconductor
3397                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3398                  growth;semiconductor materials;silicon
3399                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3400                  phase epitaxial growth;",
3401   doi =          "10.1109/16.285038",
3402   ISSN =         "0018-9383",
3403   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3404                  substrate",
3405 }
3406
3407 @Article{schulze98,
3408   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3409   collaboration = "",
3410   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3411                  single crystals by physical vapor transport",
3412   publisher =    "AIP",
3413   year =         "1998",
3414   journal =      "Applied Physics Letters",
3415   volume =       "72",
3416   number =       "13",
3417   pages =        "1632--1634",
3418   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3419                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3420                  photoluminescence; Hall mobility",
3421   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3422   doi =          "10.1063/1.121136",
3423   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3424 }
3425
3426 @Article{pirouz87,
3427   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3428   collaboration = "",
3429   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3430   publisher =    "AIP",
3431   year =         "1987",
3432   journal =      "Applied Physics Letters",
3433   volume =       "50",
3434   number =       "4",
3435   pages =        "221--223",
3436   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3437                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3438                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3439                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3440                  BOUNDARIES",
3441   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3442   doi =          "10.1063/1.97667",
3443   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3444 }
3445
3446 @Article{shibahara86,
3447   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3448                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3449   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3450   volume =       "78",
3451   number =       "3",
3452   pages =        "538--544",
3453   year =         "1986",
3454   note =         "",
3455   ISSN =         "0022-0248",
3456   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3457   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3458   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3459                  Matsunami",
3460   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3461 }
3462
3463 @Article{desjardins96,
3464   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3465   collaboration = "",
3466   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3467   publisher =    "AIP",
3468   year =         "1996",
3469   journal =      "Journal of Applied Physics",
3470   volume =       "79",
3471   number =       "3",
3472   pages =        "1423--1434",
3473   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3474                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3475   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3476   doi =          "10.1063/1.360980",
3477   notes =        "apb model",
3478 }