bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{moissan04,
 186   author =       "Henri Moissan",
 187   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 188                  Diablo",
 189   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 190   volume =       "139",
 191   pages =        "773--786",
 192   year =         "1904",
 193 }
 194
 195 @Book{park98,
 196   author =       "Y. S. Park",
 197   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 198   publisher =    "Academic Press",
 199   address =      "San Diego",
 200   year =         "1998",
 201 }
 202
 203 @Article{tsvetkov98,
 204   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 205                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 206   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 207   journal =      "Materials Science Forum",
 208   volume =       "264-268",
 209   pages =        "3--8",
 210   year =         "1998",
 211   notes =        "modified lely process, micropipes",
 212 }
 213
 214 @Article{verlet67,
 215   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 216                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 217   author =       "Loup Verlet",
 218   journal =      "Phys. Rev.",
 219   volume =       "159",
 220   number =       "1",
 221   pages =        "98",
 222   year =         "1967",
 223   month =        jul,
 224   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 227                  motion",
 228 }
 229
 230 @Article{berendsen84,
 231   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 232                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 233   collaboration = "",
 234   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 235   publisher =    "AIP",
 236   year =         "1984",
 237   journal =      "J. Chem. Phys.",
 238   volume =       "81",
 239   number =       "8",
 240   pages =        "3684--3690",
 241   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 242                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 244   doi =          "10.1063/1.448118",
 245   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 246 }
 247
 248 @Article{huang95,
 249   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 250                  Baskes",
 251   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 252                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 253                  potentials",
 254   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 255   volume =       "3",
 256   number =       "5",
 257   pages =        "615--627",
 258   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 259   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 260                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 261   year =         "1995",
 262 }
 263
 264 @Article{brenner89,
 265   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 266                  Tersoff potentials",
 267   author =       "Donald W. Brenner",
 268   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 269   volume =       "63",
 270   number =       "9",
 271   pages =        "1022",
 272   numpages =     "1",
 273   year =         "1989",
 274   month =        aug,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 278 }
 279
 280 @Article{batra87,
 281   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 282                  silicon",
 283   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "35",
 286   number =       "18",
 287   pages =        "9552--9558",
 288   numpages =     "6",
 289   year =         "1987",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 294                  calculation of defect formation energy, defect
 295                  interstitial types",
 296 }
 297
 298 @Article{schober89,
 299   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 300   author =       "H. R. Schober",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "39",
 303   number =       "17",
 304   pages =        "13013--13015",
 305   numpages =     "2",
 306   year =         "1989",
 307   month =        jun,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 311                  dumbbell configuration",
 312 }
 313
 314 @Article{gao02a,
 315   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 316                  Defect accumulation, topological features, and
 317                  disordering",
 318   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 319   journal =      "Phys. Rev. B",
 320   volume =       "66",
 321   number =       "2",
 322   pages =        "024106",
 323   numpages =     "10",
 324   year =         "2002",
 325   month =        jul,
 326   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 327   publisher =    "American Physical Society",
 328   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 329                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 330                  result analyze",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98,
 334   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 335                  cascade in Si{C}",
 336   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 337   volume =       "141",
 338   number =       "1-4",
 339   pages =        "118--122",
 340   year =         "1998",
 341   ISSN =         "0168-583X",
 342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 343   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 344                  Rubia",
 345   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 346                  3c-sic",
 347 }
 348
 349 @Article{devanathan98_2,
 350   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 351   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 352   volume =       "253",
 353   number =       "1-3",
 354   pages =        "47--52",
 355   year =         "1998",
 356   ISSN =         "0022-3115",
 357   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 358   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 359                  Weber",
 360   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 361                  tersoff",
 362 }
 363
 364 @Article{kitabatake00,
 365   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 366   author =       "M. Kitabatake",
 367   journal =      "Thin Solid Films",
 368   volume =       "369",
 369   pages =        "257--264",
 370   numpages =     "8",
 371   year =         "2000",
 372   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 373 }
 374
 375 @Article{tang97,
 376   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 377                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 378                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 379                  formation volumes",
 380   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 381                  Rubia",
 382   journal =      "Phys. Rev. B",
 383   volume =       "55",
 384   number =       "21",
 385   pages =        "14279--14289",
 386   numpages =     "10",
 387   year =         "1997",
 388   month =        jun,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 392 }
 393
 394 @Article{johnson98,
 395   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 396                  Rubia",
 397   collaboration = "",
 398   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 399                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 400                  presence of carbon and boron",
 401   publisher =    "AIP",
 402   year =         "1998",
 403   journal =      "J. Appl. Phys.",
 404   volume =       "84",
 405   number =       "4",
 406   pages =        "1963--1967",
 407   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 408                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 409                  semiconductors; self-diffusion",
 410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 411   doi =          "10.1063/1.368328",
 412   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 413                  diffsuion",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84,
 417   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 418                  Self-Interstitial",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 421   volume =       "52",
 422   number =       "13",
 423   pages =        "1129--1132",
 424   numpages =     "3",
 425   year =         "1984",
 426   month =        mar,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 430 }
 431
 432 @Article{bar-yam84_2,
 433   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 434                  barriers of silicon self-interstitials",
 435   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 436   journal =      "Phys. Rev. B",
 437   volume =       "30",
 438   number =       "4",
 439   pages =        "1844--1852",
 440   numpages =     "8",
 441   year =         "1984",
 442   month =        aug,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445 }
 446
 447 @Article{bloechl93,
 448   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 449                  constants in silicon",
 450   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 451                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "70",
 454   number =       "16",
 455   pages =        "2435--2438",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1993",
 458   month =        apr,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 462                  entropy calculations",
 463 }
 464
 465 @Article{colombo02,
 466   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "L. Colombo",
 469   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 470   volume =       "32",
 471   pages =        "271--295",
 472   numpages =     "25",
 473   year =         "2002",
 474   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 475   publisher =    "Annual Reviews",
 476   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 477 }
 478
 479 @Article{al-mushadani03,
 480   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 481                  silicon",
 482   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 483   journal =      "Phys. Rev. B",
 484   volume =       "68",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235205",
 487   numpages =     "8",
 488   year =         "2003",
 489   month =        dec,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 493                  silicon, si self interstitials, free energy",
 494 }
 495
 496 @Article{goedecker02,
 497   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 498   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "88",
 501   number =       "23",
 502   pages =        "235501",
 503   numpages =     "4",
 504   year =         "2002",
 505   month =        may,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 509                  silicon",
 510 }
 511
 512 @Article{sahli05,
 513   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 514                  self-interstitial diffusion in silicon",
 515   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "72",
 518   number =       "24",
 519   pages =        "245210",
 520   numpages =     "6",
 521   year =         "2005",
 522   month =        dec,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 526                  mapping applied",
 527 }
 528
 529 @Article{hobler05,
 530   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 531                  native point defects in silicon",
 532   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 533   volume =       "124-125",
 534   number =       "",
 535   pages =        "368--371",
 536   year =         "2005",
 537   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 538                  Issues for Future Technologies",
 539   ISSN =         "0921-5107",
 540   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 541   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 542   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 543   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 544                  radius",
 545 }
 546
 547 @Article{ma10,
 548   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 549                  wide temperature range: Point defect states and
 550                  migration mechanisms",
 551   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "81",
 554   number =       "19",
 555   pages =        "193203",
 556   numpages =     "4",
 557   year =         "2010",
 558   month =        may,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 562 }
 563
 564 @Article{posselt06,
 565   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 566                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "73",
 570   number =       "12",
 571   pages =        "125206",
 572   numpages =     "8",
 573   year =         "2006",
 574   month =        mar,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577 }
 578
 579 @Article{posselt08,
 580   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 581                  migration mechanisms of vacancies and
 582                  self-interstitials: An atomistic study",
 583   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "78",
 586   number =       "3",
 587   pages =        "035208",
 588   numpages =     "9",
 589   year =         "2008",
 590   month =        jul,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 594                  weber and tersoff",
 595 }
 596
 597 @Article{gao2001,
 598   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 599                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 600   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 601                  Corrales",
 602   journal =      "Phys. Rev. B",
 603   volume =       "64",
 604   number =       "24",
 605   pages =        "245208",
 606   numpages =     "7",
 607   year =         "2001",
 608   month =        dec,
 609   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 610   publisher =    "American Physical Society",
 611   notes =        "defects in 3c-sic",
 612 }
 613
 614 @Article{gao02,
 615   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 616                  3{C}-Si{C}",
 617   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 618   volume =       "191",
 619   number =       "1-4",
 620   pages =        "487--496",
 621   year =         "2002",
 622   note =         "",
 623   ISSN =         "0168-583X",
 624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 626   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 627   keywords =     "Empirical potential",
 628   keywords =     "Defect properties",
 629   keywords =     "Silicon carbide",
 630   keywords =     "Computer simulation",
 631   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 632 }
 633
 634 @Article{gao04,
 635   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 636                  3{C}-Si{C}",
 637   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 638                  Belko",
 639   journal =      "Phys. Rev. B",
 640   volume =       "69",
 641   number =       "24",
 642   pages =        "245205",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2004",
 645   month =        jun,
 646   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 647   publisher =    "American Physical Society",
 648   notes =        "defect migration in sic",
 649 }
 650
 651 @Article{gao07,
 652   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 653                  W. J. Weber",
 654   collaboration = "",
 655   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 656                  in cubic silicon carbide",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "2007",
 659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 660   volume =       "90",
 661   number =       "22",
 662   eid =          "221915",
 663   numpages =     "3",
 664   pages =        "221915",
 665   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 666                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 667                  dynamics method; density functional theory;
 668                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 669                  impurities; diffusion",
 670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 671   doi =          "10.1063/1.2743751",
 672 }
 673
 674 @Article{mattoni2002,
 675   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 676                  crystalline silicon",
 677   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 678   journal =      "Phys. Rev. B",
 679   volume =       "66",
 680   number =       "19",
 681   pages =        "195214",
 682   numpages =     "6",
 683   year =         "2002",
 684   month =        nov,
 685   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 686   publisher =    "American Physical Society",
 687   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 688                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 689                  tersoff suitability",
 690 }
 691
 692 @Article{leung99,
 693   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 694   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 695                  Itoh and S. Ihara",
 696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 697   volume =       "83",
 698   number =       "12",
 699   pages =        "2351--2354",
 700   numpages =     "3",
 701   year =         "1999",
 702   month =        sep,
 703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 706                  refs",
 707 }
 708
 709 @Article{capaz94,
 710   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 711                  carbon in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "50",
 715   number =       "11",
 716   pages =        "7439--7442",
 717   numpages =     "3",
 718   year =         "1994",
 719   month =        sep,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 723                  dumbbell",
 724 }
 725
 726 @Article{capaz98,
 727   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 728   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 729   journal =      "Phys. Rev. B",
 730   volume =       "58",
 731   number =       "15",
 732   pages =        "9845--9850",
 733   numpages =     "5",
 734   year =         "1998",
 735   month =        oct,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 739 }
 740
 741 @Article{song90_2,
 742   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 743                  pair in silicon",
 744   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 745                  Watkins",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "42",
 748   number =       "9",
 749   pages =        "5765--5783",
 750   numpages =     "18",
 751   year =         "1990",
 752   month =        sep,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 756 }
 757
 758 @Article{liu02,
 759   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 760                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 763                  interactions in Si",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2002",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "80",
 768   number =       "1",
 769   pages =        "52--54",
 770   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 771                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 772                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 774   doi =          "10.1063/1.1430505",
 775   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 776 }
 777
 778 @Article{dal_pino93,
 779   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 780                  silicon",
 781   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 782                  Joannopoulos",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "47",
 785   number =       "19",
 786   pages =        "12554--12557",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1993",
 789   month =        may,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 793 }
 794
 795 @Article{car84,
 796   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 797                  Silicon",
 798   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 799                  Sokrates T. Pantelides",
 800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 801   volume =       "52",
 802   number =       "20",
 803   pages =        "1814--1817",
 804   numpages =     "3",
 805   year =         "1984",
 806   month =        may,
 807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 808   publisher =    "American Physical Society",
 809   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 810                  path formation",
 811 }
 812
 813 @Article{car85,
 814   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 815                  Density-Functional Theory",
 816   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 817   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "22",
 820   pages =        "2471--2474",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1985",
 823   month =        nov,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 827 }
 828
 829 @Article{kelires97,
 830   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 831                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 832   author =       "P. C. Kelires",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "55",
 835   number =       "14",
 836   pages =        "8784--8787",
 837   numpages =     "3",
 838   year =         "1997",
 839   month =        apr,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 841   publisher =    "American Physical Society",
 842   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 843                  neighbour dist",
 844 }
 845
 846 @Article{kelires95,
 847   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 848                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 849   author =       "P. C. Kelires",
 850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 851   volume =       "75",
 852   number =       "6",
 853   pages =        "1114--1117",
 854   numpages =     "3",
 855   year =         "1995",
 856   month =        aug,
 857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 858   publisher =    "American Physical Society",
 859   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 860 }
 861
 862 @Article{bean70,
 863   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 864                  containing carbon",
 865   journal =      "Solid State Communications",
 866   volume =       "8",
 867   number =       "3",
 868   pages =        "175--177",
 869   year =         "1970",
 870   note =         "",
 871   ISSN =         "0038-1098",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 874   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 875 }
 876
 877 @Article{watkins76,
 878   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 879                  Atom in Silicon",
 880   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 881   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 882   volume =       "36",
 883   number =       "22",
 884   pages =        "1329--1332",
 885   numpages =     "3",
 886   year =         "1976",
 887   month =        may,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{song90,
 895   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 896                  interstitial carbon in silicon",
 897   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5759--5764",
 902   numpages =     "5",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 908 }
 909
 910 @Article{tipping87,
 911   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 912   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 913                  silicon",
 914   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 915   volume =       "2",
 916   number =       "5",
 917   pages =        "315--317",
 918   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 919   year =         "1987",
 920   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{strane96,
 925   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 926                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 927   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 928                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 929   journal =      "J. Appl. Phys.",
 930   volume =       "79",
 931   pages =        "637",
 932   year =         "1996",
 933   month =        jan,
 934   doi =          "10.1063/1.360806",
 935   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 936 }
 937
 938 @Article{laveant2002,
 939   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 940   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 941   volume =       "89",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "241--245",
 944   year =         "2002",
 945   ISSN =         "0921-5107",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 948   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 949                  G{\"{o}}sele",
 950   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 951                  stress, avoid sic precipitation",
 952 }
 953
 954 @Article{werner97,
 955   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 956                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 957   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 958                  silicon by transmission electron microscopy",
 959   publisher =    "AIP",
 960   year =         "1997",
 961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 962   volume =       "70",
 963   number =       "2",
 964   pages =        "252--254",
 965   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 966                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 967                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 968                  layers; precipitation",
 969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 970   doi =          "10.1063/1.118381",
 971   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 972                  precipitate",
 973 }
 974
 975 @InProceedings{werner96,
 976   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 977                  Eichler",
 978   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 979                  International Conference on",
 980   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 981                  implanted silicon",
 982   year =         "1996",
 983   month =        jun,
 984   volume =       "",
 985   number =       "",
 986   pages =        "675--678",
 987   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 988   ISSN =         "",
 989   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 990 }
 991
 992 @Article{werner98,
 993   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 994                  D. C. Jacobson",
 995   collaboration = "",
 996   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 997   publisher =    "AIP",
 998   year =         "1998",
 999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1000   volume =       "73",
1001   number =       "17",
1002   pages =        "2465--2467",
1003   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1004                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1005                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1006                  impurity distribution",
1007   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1008   doi =          "10.1063/1.122483",
1009   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1010 }
1011
1012 @Article{strane94,
1013   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1014                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1017                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1018   publisher =    "AIP",
1019   year =         "1994",
1020   journal =      "J. Appl. Phys.",
1021   volume =       "76",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "3656--3668",
1024   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1026   doi =          "10.1063/1.357429",
1027   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1028                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1029                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1030                  energy",
1031 }
1032
1033 @Article{fischer95,
1034   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1035                  Osten",
1036   collaboration = "",
1037   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1038                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1039   publisher =    "AIP",
1040   year =         "1995",
1041   journal =      "J. Appl. Phys.",
1042   volume =       "77",
1043   number =       "5",
1044   pages =        "1934--1937",
1045   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1046                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1047                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1048                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1049   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1050   doi =          "10.1063/1.358826",
1051 }
1052
1053 @Article{edgar92,
1054   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1055                  semiconductors",
1056   author =       "J. H. Edgar",
1057   journal =      "J. Mater. Res.",
1058   volume =       "7",
1059   pages =        "235",
1060   year =         "1992",
1061   month =        jan,
1062   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1063   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1064                  polytypes",
1065 }
1066
1067 @Article{zirkelbach2007,
1068   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1069                  process leading to ordered precipitate structures",
1070   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1071                  and B. Stritzker",
1072   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1073   volume =       "257",
1074   number =       "1--2",
1075   pages =        "75--79",
1076   numpages =     "5",
1077   year =         "2007",
1078   month =        apr,
1079   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1080   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1081                  NETHERLANDS",
1082 }
1083
1084 @Article{zirkelbach2006,
1085   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1086                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1087                  during ion irradiation",
1088   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1089                  and B. Stritzker",
1090   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1091   volume =       "242",
1092   number =       "1--2",
1093   pages =        "679--682",
1094   numpages =     "4",
1095   year =         "2006",
1096   month =        jan,
1097   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1098   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1099                  NETHERLANDS",
1100 }
1101
1102 @Article{zirkelbach2005,
1103   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1104                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1105                  ion irradiation",
1106   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1107                  and B. Stritzker",
1108   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1109   volume =       "33",
1110   number =       "1--3",
1111   pages =        "310--316",
1112   numpages =     "7",
1113   year =         "2005",
1114   month =        apr,
1115   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1116   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1117                  NETHERLANDS",
1118 }
1119
1120 @Article{zirkelbach09,
1121   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1122                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1123   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1124   volume =       "159-160",
1125   number =       "",
1126   pages =        "149--152",
1127   year =         "2009",
1128   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1129                  Silicon Materials Research for Electronic and
1130                  Photovoltaic Applications",
1131   ISSN =         "0921-5107",
1132   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1133   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1134   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1135                  B. Stritzker",
1136   keywords =     "Silicon",
1137   keywords =     "Carbon",
1138   keywords =     "Silicon carbide",
1139   keywords =     "Nucleation",
1140   keywords =     "Defect formation",
1141   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10a,
1145   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1146                  classical potentials and first-principles methods",
1147   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1148                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1149   journal =      "Phys. Rev. B",
1150   volume =       "82",
1151   number =       "9",
1152   pages =        "094110",
1153   numpages =     "6",
1154   year =         "2010",
1155   month =        sep,
1156   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1157   publisher =    "American Physical Society",
1158 }
1159
1160 @Article{zirkelbach10b,
1161   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1162                  silicon",
1163   journal =      "to be published",
1164   volume =       "",
1165   number =       "",
1166   pages =        "",
1167   year =         "2010",
1168   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1169                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1170 }
1171
1172 @Article{zirkelbach10c,
1173   title =        "...",
1174   journal =      "to be published",
1175   volume =       "",
1176   number =       "",
1177   pages =        "",
1178   year =         "2010",
1179   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1180                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner99,
1184   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1185                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1186                  layers in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "147",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "249--255",
1191   year =         "1999",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "two-step implantation process",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner99_2,
1201   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1202                  in silicon",
1203   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1204   volume =       "148",
1205   number =       "1-4",
1206   pages =        "528--533",
1207   year =         "1999",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1211   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1212   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1213 }
1214
1215 @Article{lindner01,
1216   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1217                  Basic physical processes",
1218   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1219   volume =       "178",
1220   number =       "1-4",
1221   pages =        "44--54",
1222   year =         "2001",
1223   note =         "",
1224   ISSN =         "0168-583X",
1225   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1226   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1227   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner02,
1231   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1232                  fundamental studies for new technological tricks",
1233   author =       "J. K. N. Lindner",
1234   journal =      "Appl. Phys. A",
1235   volume =       "77",
1236   pages =        "27--38",
1237   year =         "2003",
1238   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1239   notes =        "ibs, burried sic layers",
1240 }
1241
1242 @Article{lindner06,
1243   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1244                  formation and displacive precipitate resolution in the
1245                  {C}-Si system",
1246   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1247   volume =       "26",
1248   number =       "5-7",
1249   pages =        "857--861",
1250   year =         "2006",
1251   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1252                  Applications",
1253   ISSN =         "0928-4931",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1257                  and B. Stritzker",
1258   notes =        "c int diffusion barrier",
1259 }
1260
1261 @Article{ito04,
1262   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1263                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1264                  growth",
1265   journal =      "Applied Surface Science",
1266   volume =       "238",
1267   number =       "1-4",
1268   pages =        "159--164",
1269   year =         "2004",
1270   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1271   ISSN =         "0169-4332",
1272   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1274   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1275                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1276   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yamamoto04,
1280   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1281                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1282                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1283   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1284   volume =       "261",
1285   number =       "2-3",
1286   pages =        "266--270",
1287   year =         "2004",
1288   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1289                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1290   ISSN =         "0022-0248",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1293   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1294                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1295   notes =        "gan on 3c-sic",
1296 }
1297
1298 @Article{liu_l02,
1299   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1300   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1301   volume =       "37",
1302   number =       "3",
1303   pages =        "61--127",
1304   year =         "2002",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0927-796X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1309   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1310   notes =        "gan substrates",
1311 }
1312
1313 @Article{takeuchi91,
1314   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1315                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1317   volume =       "115",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "634--638",
1320   year =         "1991",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0022-0248",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1325   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1326                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1327   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1328 }
1329
1330 @Article{alder57,
1331   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1332   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1333   publisher =    "AIP",
1334   year =         "1957",
1335   journal =      "J. Chem. Phys.",
1336   volume =       "27",
1337   number =       "5",
1338   pages =        "1208--1209",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1340   doi =          "10.1063/1.1743957",
1341 }
1342
1343 @Article{alder59,
1344   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1345   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1959",
1348   journal =      "J. Chem. Phys.",
1349   volume =       "31",
1350   number =       "2",
1351   pages =        "459--466",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1353   doi =          "10.1063/1.1730376",
1354 }
1355
1356 @Article{tersoff_si1,
1357   title =        "New empirical model for the structural properties of
1358                  silicon",
1359   author =       "J. Tersoff",
1360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1361   volume =       "56",
1362   number =       "6",
1363   pages =        "632--635",
1364   numpages =     "3",
1365   year =         "1986",
1366   month =        feb,
1367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1368   publisher =    "American Physical Society",
1369 }
1370
1371 @Article{tersoff_si2,
1372   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1373                  covalent systems",
1374   author =       "J. Tersoff",
1375   journal =      "Phys. Rev. B",
1376   volume =       "37",
1377   number =       "12",
1378   pages =        "6991--7000",
1379   numpages =     "9",
1380   year =         "1988",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1383   publisher =    "American Physical Society",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si3,
1387   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1388                  improved elastic properties",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. B",
1391   volume =       "38",
1392   number =       "14",
1393   pages =        "9902--9905",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1988",
1396   month =        nov,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_c,
1402   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1403                  Applications to Amorphous Carbon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "61",
1407   number =       "25",
1408   pages =        "2879--2882",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1988",
1411   month =        dec,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_m,
1417   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1418                  for multicomponent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "39",
1422   number =       "8",
1423   pages =        "5566--5568",
1424   numpages =     "2",
1425   year =         "1989",
1426   month =        mar,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff90,
1432   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1433   author =       "J. Tersoff",
1434   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1435   volume =       "64",
1436   number =       "15",
1437   pages =        "1757--1760",
1438   numpages =     "3",
1439   year =         "1990",
1440   month =        apr,
1441   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1442   publisher =    "American Physical Society",
1443 }
1444
1445 @Article{fahey89,
1446   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1447   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1448   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1449   volume =       "61",
1450   number =       "2",
1451   pages =        "289--384",
1452   numpages =     "95",
1453   year =         "1989",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{wesch96,
1460   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1461   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1462   volume =       "116",
1463   number =       "1-4",
1464   pages =        "305--321",
1465   year =         "1996",
1466   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1470   author =       "W. Wesch",
1471 }
1472
1473 @Article{morkoc94,
1474   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1475                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1476   collaboration = "",
1477   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1478                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1479   publisher =    "AIP",
1480   year =         "1994",
1481   journal =      "J. Appl. Phys.",
1482   volume =       "76",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "1363--1398",
1485   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1486                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1487                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1488                  FILMS; INDUSTRY",
1489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1490   doi =          "10.1063/1.358463",
1491   notes =        "sic intro, properties",
1492 }
1493
1494 @Article{neudeck95,
1495   author =       "P. G. Neudeck",
1496   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1497                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1498   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1499   year =         "1995",
1500   volume =       "24",
1501   number =       "4",
1502   pages =        "283--288",
1503   month =        apr,
1504 }
1505
1506 @Article{foo,
1507   author =       "Noch Unbekannt",
1508   title =        "How to find references",
1509   journal =      "Journal of Applied References",
1510   year =         "2009",
1511   volume =       "77",
1512   pages =        "1--23",
1513 }
1514
1515 @Article{tang95,
1516   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1517                  \beta{}-Si{C}",
1518   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1519   journal =      "Phys. Rev. B",
1520   volume =       "52",
1521   number =       "21",
1522   pages =        "15150--15159",
1523   numpages =     "9",
1524   year =         "1995",
1525   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1526   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1527                  tersoff reparametrization",
1528   publisher =    "American Physical Society",
1529 }
1530
1531 @Article{sarro00,
1532   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1533   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1534   volume =       "82",
1535   number =       "1-3",
1536   pages =        "210--218",
1537   year =         "2000",
1538   ISSN =         "0924-4247",
1539   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1540   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1541   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1542   keywords =     "MEMS",
1543   keywords =     "Silicon carbide",
1544   keywords =     "Micromachining",
1545   keywords =     "Mechanical stress",
1546 }
1547
1548 @Article{casady96,
1549   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1550                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1551                  review",
1552   journal =      "Solid-State Electronics",
1553   volume =       "39",
1554   number =       "10",
1555   pages =        "1409--1422",
1556   year =         "1996",
1557   ISSN =         "0038-1101",
1558   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1559   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1560   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1561   notes =        "sic intro",
1562 }
1563
1564 @Article{giancarli98,
1565   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1566                  structural material in fusion power reactor blankets",
1567   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1568   volume =       "41",
1569   number =       "1-4",
1570   pages =        "165--171",
1571   year =         "1998",
1572   ISSN =         "0920-3796",
1573   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1574   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1575   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1576                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1577 }
1578
1579 @Article{pensl93,
1580   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1581   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1582   volume =       "185",
1583   number =       "1-4",
1584   pages =        "264--283",
1585   year =         "1993",
1586   ISSN =         "0921-4526",
1587   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1588   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1589   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1590 }
1591
1592 @Article{tairov78,
1593   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1594                  carbide single crystals",
1595   journal =      "J. Cryst. Growth",
1596   volume =       "43",
1597   number =       "2",
1598   pages =        "209--212",
1599   year =         "1978",
1600   notes =        "modified lely process",
1601   ISSN =         "0022-0248",
1602   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1604   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1605 }
1606
1607 @Article{nishino83,
1608   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1609                  Will",
1610   collaboration = "",
1611   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1612                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1613   publisher =    "AIP",
1614   year =         "1983",
1615   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1616   volume =       "42",
1617   number =       "5",
1618   pages =        "460--462",
1619   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1620                  monocrystals",
1621   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1622   doi =          "10.1063/1.93970",
1623   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1624 }
1625
1626 @Article{nishino87,
1627   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1628                  and Hiroyuki Matsunami",
1629   collaboration = "",
1630   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1631                  Si{C} on silicon",
1632   publisher =    "AIP",
1633   year =         "1987",
1634   journal =      "J. Appl. Phys.",
1635   volume =       "61",
1636   number =       "10",
1637   pages =        "4889--4893",
1638   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1639   doi =          "10.1063/1.338355",
1640   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1641                  carbonization",
1642 }
1643
1644 @Article{powell87,
1645   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1646                  Kuczmarski",
1647   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1648                  Single-Crystal Films on Si",
1649   publisher =    "ECS",
1650   year =         "1987",
1651   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1652   volume =       "134",
1653   number =       "6",
1654   pages =        "1558--1565",
1655   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1656                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1657   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1658   doi =          "10.1149/1.2100708",
1659   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1660 }
1661
1662 @Article{kimoto93,
1663   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1664                  and Hiroyuki Matsunami",
1665   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1666                  epitaxy",
1667   publisher =    "AIP",
1668   year =         "1993",
1669   journal =      "J. Appl. Phys.",
1670   volume =       "73",
1671   number =       "2",
1672   pages =        "726--732",
1673   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1674                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1675                  VAPOR DEPOSITION",
1676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1677   doi =          "10.1063/1.353329",
1678   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1679 }
1680
1681 @Article{powell90,
1682   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1683                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1684                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1685   collaboration = "",
1686   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1687                  6{H}-Si{C} substrates",
1688   publisher =    "AIP",
1689   year =         "1990",
1690   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1691   volume =       "56",
1692   number =       "14",
1693   pages =        "1353--1355",
1694   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1695                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1696                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1697                  PHASE EPITAXY",
1698   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1699   doi =          "10.1063/1.102512",
1700   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1701 }
1702
1703 @Article{yuan95,
1704   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1705                  Thokala and M. J. Loboda",
1706   collaboration = "",
1707   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1708                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1709                  silacyclobutane",
1710   publisher =    "AIP",
1711   year =         "1995",
1712   journal =      "J. Appl. Phys.",
1713   volume =       "78",
1714   number =       "2",
1715   pages =        "1271--1273",
1716   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1717                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1718                  SPECTROPHOTOMETRY",
1719   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1720   doi =          "10.1063/1.360368",
1721   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1722 }
1723
1724 @Article{fissel95,
1725   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1726                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1727                  molecular beam epitaxy",
1728   journal =      "J. Cryst. Growth",
1729   volume =       "154",
1730   number =       "1-2",
1731   pages =        "72--80",
1732   year =         "1995",
1733   ISSN =         "0022-0248",
1734   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1735   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1736   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1737                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1738   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1739 }
1740
1741 @Article{fissel95_apl,
1742   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1743   collaboration = "",
1744   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1745                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1746   publisher =    "AIP",
1747   year =         "1995",
1748   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1749   volume =       "66",
1750   number =       "23",
1751   pages =        "3182--3184",
1752   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1753                  RHEED; NUCLEATION",
1754   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1755   doi =          "10.1063/1.113716",
1756   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1757 }
1758
1759 @Article{borders71,
1760   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1761   collaboration = "",
1762   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1763                  {IMPLANTATION}",
1764   publisher =    "AIP",
1765   year =         "1971",
1766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1767   volume =       "18",
1768   number =       "11",
1769   pages =        "509--511",
1770   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1771   doi =          "10.1063/1.1653516",
1772   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1773                  ideas",
1774 }
1775
1776 @Article{reeson87,
1777   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1778                  J. Davis and G. E. Celler",
1779   collaboration = "",
1780   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1781                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1782   publisher =    "AIP",
1783   year =         "1987",
1784   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1785   volume =       "51",
1786   number =       "26",
1787   pages =        "2242--2244",
1788   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1789                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1790   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1791   doi =          "10.1063/1.98953",
1792   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1793 }
1794
1795 @Article{scace59,
1796   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1797   collaboration = "",
1798   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1799   publisher =    "AIP",
1800   year =         "1959",
1801   journal =      "J. Chem. Phys.",
1802   volume =       "30",
1803   number =       "6",
1804   pages =        "1551--1555",
1805   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1806   doi =          "10.1063/1.1730236",
1807   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1808 }
1809
1810 @Article{cowern96,
1811   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1812                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1813   collaboration = "",
1814   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1815                  {B} in silicon",
1816   publisher =    "AIP",
1817   year =         "1996",
1818   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1819   volume =       "68",
1820   number =       "8",
1821   pages =        "1150--1152",
1822   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1823                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1824                  SILICON",
1825   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1826   doi =          "10.1063/1.115706",
1827   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1828 }
1829
1830 @Article{stolk95,
1831   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1832                  of the silicon self-interstitial",
1833   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1834   volume =       "96",
1835   number =       "1-2",
1836   pages =        "187--195",
1837   year =         "1995",
1838   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1839                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1840   ISSN =         "0168-583X",
1841   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1842   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1843   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1844                  and J. M. Poate",
1845 }
1846
1847 @Article{stolk97,
1848   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1849                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1850                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1851                  E. Haynes",
1852   collaboration = "",
1853   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1854                  diffusion in ion-implanted silicon",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "1997",
1857   journal =      "J. Appl. Phys.",
1858   volume =       "81",
1859   number =       "9",
1860   pages =        "6031--6050",
1861   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1862   doi =          "10.1063/1.364452",
1863   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1864 }
1865
1866 @Article{powell94,
1867   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1868   collaboration = "",
1869   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1870                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1871   publisher =    "AIP",
1872   year =         "1994",
1873   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1874   volume =       "64",
1875   number =       "3",
1876   pages =        "324--326",
1877   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1878                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1879                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1880                  SYNTHESIS",
1881   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1882   doi =          "10.1063/1.111195",
1883   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1884 }
1885
1886 @Article{soref91,
1887   author =       "Richard A. Soref",
1888   collaboration = "",
1889   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1890                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1891   publisher =    "AIP",
1892   year =         "1991",
1893   journal =      "J. Appl. Phys.",
1894   volume =       "70",
1895   number =       "4",
1896   pages =        "2470--2472",
1897   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1898                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1899                  TERNARY ALLOYS",
1900   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1901   doi =          "10.1063/1.349403",
1902   notes =        "band gap of strained si by c",
1903 }
1904
1905 @Article{kasper91,
1906   author =       "E Kasper",
1907   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1908                  possibility to produce direct band gap material",
1909   journal =      "Physica Scripta",
1910   volume =       "T35",
1911   pages =        "232--236",
1912   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1913   year =         "1991",
1914   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1915                  quasi-direct one",
1916 }
1917
1918 @Article{osten99,
1919   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1920   collaboration = "",
1921   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1922                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1923                  molecular beam epitaxy",
1924   publisher =    "AIP",
1925   year =         "1999",
1926   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1927   volume =       "74",
1928   number =       "6",
1929   pages =        "836--838",
1930   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1931                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1932                  compounds",
1933   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1934   doi =          "10.1063/1.123384",
1935   notes =        "substitutional c in si",
1936 }
1937
1938 @Article{hohenberg64,
1939   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1940   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1941   journal =      "Phys. Rev.",
1942   volume =       "136",
1943   number =       "3B",
1944   pages =        "B864--B871",
1945   numpages =     "7",
1946   year =         "1964",
1947   month =        nov,
1948   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1949   publisher =    "American Physical Society",
1950   notes =        "density functional theory, dft",
1951 }
1952
1953 @Article{kohn65,
1954   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1955                  Correlation Effects",
1956   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1957   journal =      "Phys. Rev.",
1958   volume =       "140",
1959   number =       "4A",
1960   pages =        "A1133--A1138",
1961   numpages =     "5",
1962   year =         "1965",
1963   month =        nov,
1964   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1965   publisher =    "American Physical Society",
1966   notes =        "dft, exchange and correlation",
1967 }
1968
1969 @Article{ruecker94,
1970   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1971                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1972   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1973                  J. Osten",
1974   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1975   volume =       "72",
1976   number =       "22",
1977   pages =        "3578--3581",
1978   numpages =     "3",
1979   year =         "1994",
1980   month =        may,
1981   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1982   publisher =    "American Physical Society",
1983   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
1984                  si, dft",
1985 }
1986
1987 @Article{chang05,
1988   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1989                  Alloy",
1990   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1991   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
1992   volume =       "44",
1993   number =       "4B",
1994   pages =        "2257--2262",
1995   numpages =     "5",
1996   year =         "2005",
1997   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1998   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1999   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2000   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2001 }
2002
2003 @Article{osten97,
2004   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2005   collaboration = "",
2006   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2007                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2008                  Si(001)",
2009   publisher =    "AIP",
2010   year =         "1997",
2011   journal =      "J. Appl. Phys.",
2012   volume =       "82",
2013   number =       "10",
2014   pages =        "4977--4981",
2015   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2016                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2017                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2018   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2019   doi =          "10.1063/1.366364",
2020   notes =        "charge transport in strained si",
2021 }
2022
2023 @Article{kapur04,
2024   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2025                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2026   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2027   journal =      "Phys. Rev. B",
2028   volume =       "69",
2029   number =       "15",
2030   pages =        "155214",
2031   numpages =     "8",
2032   year =         "2004",
2033   month =        apr,
2034   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2035   publisher =    "American Physical Society",
2036   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2037 }
2038
2039 @Article{barkema96,
2040   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2041                  Systems",
2042   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2043   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2044   volume =       "77",
2045   number =       "21",
2046   pages =        "4358--4361",
2047   numpages =     "3",
2048   year =         "1996",
2049   month =        nov,
2050   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2051   publisher =    "American Physical Society",
2052   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2053                  dynamic mds",
2054 }
2055
2056 @Article{cances09,
2057   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2058                  Minoukadeh and F. Willaime",
2059   collaboration = "",
2060   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2061                  technique method for finding transition pathways on
2062                  potential energy surfaces",
2063   publisher =    "AIP",
2064   year =         "2009",
2065   journal =      "J. Chem. Phys.",
2066   volume =       "130",
2067   number =       "11",
2068   eid =          "114711",
2069   numpages =     "6",
2070   pages =        "114711",
2071   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2072                  surfaces; vacancies (crystal)",
2073   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2074   doi =          "10.1063/1.3088532",
2075   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2076                  transition pathways",
2077 }
2078
2079 @Article{parrinello81,
2080   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2081   collaboration = "",
2082   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2083                  molecular dynamics method",
2084   publisher =    "AIP",
2085   year =         "1981",
2086   journal =      "J. Appl. Phys.",
2087   volume =       "52",
2088   number =       "12",
2089   pages =        "7182--7190",
2090   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2091                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2092                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2093                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2094                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2095                  IMPACT SHOCK",
2096   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2097   doi =          "10.1063/1.328693",
2098 }
2099
2100 @Article{stillinger85,
2101   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2102                  of silicon",
2103   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2104   journal =      "Phys. Rev. B",
2105   volume =       "31",
2106   number =       "8",
2107   pages =        "5262--5271",
2108   numpages =     "9",
2109   year =         "1985",
2110   month =        apr,
2111   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2112   publisher =    "American Physical Society",
2113 }
2114
2115 @Article{brenner90,
2116   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2117                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2118                  films",
2119   author =       "Donald W. Brenner",
2120   journal =      "Phys. Rev. B",
2121   volume =       "42",
2122   number =       "15",
2123   pages =        "9458--9471",
2124   numpages =     "13",
2125   year =         "1990",
2126   month =        nov,
2127   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2128   publisher =    "American Physical Society",
2129   notes =        "brenner hydro carbons",
2130 }
2131
2132 @Article{bazant96,
2133   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2134                  Cohesive Energy Curves",
2135   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2136   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2137   volume =       "77",
2138   number =       "21",
2139   pages =        "4370--4373",
2140   numpages =     "3",
2141   year =         "1996",
2142   month =        nov,
2143   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2144   publisher =    "American Physical Society",
2145   notes =        "first si edip",
2146 }
2147
2148 @Article{bazant97,
2149   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2150                  silicon",
2151   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2152                  Justo",
2153   journal =      "Phys. Rev. B",
2154   volume =       "56",
2155   number =       "14",
2156   pages =        "8542--8552",
2157   numpages =     "10",
2158   year =         "1997",
2159   month =        oct,
2160   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2161   publisher =    "American Physical Society",
2162   notes =        "second si edip",
2163 }
2164
2165 @Article{justo98,
2166   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2167                  disordered phases",
2168   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2169                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2170   journal =      "Phys. Rev. B",
2171   volume =       "58",
2172   number =       "5",
2173   pages =        "2539--2550",
2174   numpages =     "11",
2175   year =         "1998",
2176   month =        aug,
2177   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2178   publisher =    "American Physical Society",
2179   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2180 }
2181
2182 @Article{parcas_md,
2183   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2184   author =       "K. Nordlund",
2185   year =         "2008",
2186 }
2187
2188 @Article{voter97,
2189   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2190                  Infrequent Events",
2191   author =       "Arthur F. Voter",
2192   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2193   volume =       "78",
2194   number =       "20",
2195   pages =        "3908--3911",
2196   numpages =     "3",
2197   year =         "1997",
2198   month =        may,
2199   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2200   publisher =    "American Physical Society",
2201   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2202 }
2203
2204 @Article{voter97_2,
2205   author =       "Arthur F. Voter",
2206   collaboration = "",
2207   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2208                  simulation of infrequent events",
2209   publisher =    "AIP",
2210   year =         "1997",
2211   journal =      "J. Chem. Phys.",
2212   volume =       "106",
2213   number =       "11",
2214   pages =        "4665--4677",
2215   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2216                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2217                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2218                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2219                  theory; potential energy surfaces",
2220   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2221   doi =          "10.1063/1.473503",
2222   notes =        "improved hyperdynamics md",
2223 }
2224
2225 @Article{sorensen2000,
2226   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2227   collaboration = "",
2228   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2229                  infrequent events",
2230   publisher =    "AIP",
2231   year =         "2000",
2232   journal =      "J. Chem. Phys.",
2233   volume =       "112",
2234   number =       "21",
2235   pages =        "9599--9606",
2236   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2237                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2238   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2239   doi =          "10.1063/1.481576",
2240   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2241 }
2242
2243 @Article{voter98,
2244   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2245                  events",
2246   author =       "Arthur F. Voter",
2247   journal =      "Phys. Rev. B",
2248   volume =       "57",
2249   number =       "22",
2250   pages =        "R13985--R13988",
2251   numpages =     "3",
2252   year =         "1998",
2253   month =        jun,
2254   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2255   publisher =    "American Physical Society",
2256   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2257 }
2258
2259 @Article{wu99,
2260   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2261   collaboration = "",
2262   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2263                  simulation",
2264   publisher =    "AIP",
2265   year =         "1999",
2266   journal =      "J. Chem. Phys.",
2267   volume =       "110",
2268   number =       "19",
2269   pages =        "9401--9410",
2270   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2271                  potential; crystallisation; liquid theory",
2272   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2273   doi =          "10.1063/1.478948",
2274   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2275                  systematic motion",
2276 }
2277
2278 @Article{choudhary05,
2279   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2280   collaboration = "",
2281   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2282                  to the production of amorphous silicon",
2283   publisher =    "AIP",
2284   year =         "2005",
2285   journal =      "J. Chem. Phys.",
2286   volume =       "122",
2287   number =       "15",
2288   eid =          "154509",
2289   numpages =     "8",
2290   pages =        "154509",
2291   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2292                  amorphous semiconductors",
2293   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2294   doi =          "10.1063/1.1878733",
2295   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2296                  silicon",
2297 }
2298
2299 @Article{taylor93,
2300   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2301   collaboration = "",
2302   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2303                  difficult?",
2304   publisher =    "AIP",
2305   year =         "1993",
2306   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2307   volume =       "62",
2308   number =       "25",
2309   pages =        "3336--3338",
2310   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2311                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2312                  ENERGY",
2313   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2314   doi =          "10.1063/1.109063",
2315   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2316 }
2317
2318 @Article{chaussende08,
2319   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2320   journal =      "J. Cryst. Growth",
2321   volume =       "310",
2322   number =       "5",
2323   pages =        "976--981",
2324   year =         "2008",
2325   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2326                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2327   ISSN =         "0022-0248",
2328   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2329   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2330   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2331                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2332                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2333                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2334   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2335                  metastable",
2336 }
2337
2338 @Article{feynman39,
2339   title =        "Forces in Molecules",
2340   author =       "R. P. Feynman",
2341   journal =      "Phys. Rev.",
2342   volume =       "56",
2343   number =       "4",
2344   pages =        "340--343",
2345   numpages =     "3",
2346   year =         "1939",
2347   month =        aug,
2348   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2349   publisher =    "American Physical Society",
2350   notes =        "hellmann feynman forces",
2351 }
2352
2353 @Article{buczko00,
2354   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2355                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2356                  their Contrasting Properties",
2357   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2358                  T. Pantelides",
2359   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2360   volume =       "84",
2361   number =       "5",
2362   pages =        "943--946",
2363   numpages =     "3",
2364   year =         "2000",
2365   month =        jan,
2366   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2367   publisher =    "American Physical Society",
2368   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2369 }
2370
2371 @Article{djurabekova08,
2372   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2373                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2374   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2375   journal =      "Phys. Rev. B",
2376   volume =       "77",
2377   number =       "11",
2378   pages =        "115325",
2379   numpages =     "7",
2380   year =         "2008",
2381   month =        mar,
2382   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2383   publisher =    "American Physical Society",
2384   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2385                  angular distribution, coordination",
2386 }
2387
2388 @Article{wen09,
2389   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2390                  W. Liang and J. Zou",
2391   collaboration = "",
2392   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2393                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2394                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2395   publisher =    "AIP",
2396   year =         "2009",
2397   journal =      "J. Appl. Phys.",
2398   volume =       "106",
2399   number =       "7",
2400   eid =          "073522",
2401   numpages =     "8",
2402   pages =        "073522",
2403   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2404                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2405                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2406                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2407   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2408   doi =          "10.1063/1.3234380",
2409   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2410                  deconvolution, dislocation defects",
2411 }
2412
2413 @Article{kitabatake93,
2414   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2415                  Hirao",
2416   collaboration = "",
2417   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2418                  growth on Si(001) surface",
2419   publisher =    "AIP",
2420   year =         "1993",
2421   journal =      "J. Appl. Phys.",
2422   volume =       "74",
2423   number =       "7",
2424   pages =        "4438--4445",
2425   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2426                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2427                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2428   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2429   doi =          "10.1063/1.354385",
2430   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2431                  model, interface",
2432 }
2433
2434 @Article{chirita97,
2435   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2436                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2437                  dynamics study",
2438   journal =      "Thin Solid Films",
2439   volume =       "294",
2440   number =       "1-2",
2441   pages =        "47--49",
2442   year =         "1997",
2443   note =         "",
2444   ISSN =         "0040-6090",
2445   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2446   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2447   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2448   keywords =     "Strain relaxation",
2449   keywords =     "Interfaces",
2450   keywords =     "Thermal stability",
2451   keywords =     "Molecular dynamics",
2452   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2453 }
2454
2455 @Article{cicero02,
2456   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2457                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2458   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2459                  Catellani",
2460   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2461   volume =       "89",
2462   number =       "15",
2463   pages =        "156101",
2464   numpages =     "4",
2465   year =         "2002",
2466   month =        sep,
2467   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2468   publisher =    "American Physical Society",
2469   notes =        "sic/si interface study",
2470 }
2471
2472 @Article{pizzagalli03,
2473   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2474                  interface: Si{C}/Si(001)",
2475   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2476                  Catellani",
2477   journal =      "Phys. Rev. B",
2478   volume =       "68",
2479   number =       "19",
2480   pages =        "195302",
2481   numpages =     "10",
2482   year =         "2003",
2483   month =        nov,
2484   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2485   publisher =    "American Physical Society",
2486   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2487 }
2488
2489 @Article{tang07,
2490   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2491                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2492                  electron microscopy",
2493   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2494                  H. Zheng and J. W. Liang",
2495   journal =      "Phys. Rev. B",
2496   volume =       "75",
2497   number =       "18",
2498   pages =        "184103",
2499   numpages =     "7",
2500   year =         "2007",
2501   month =        may,
2502   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2503   publisher =    "American Physical Society",
2504   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2505                  si and c",
2506 }
2507
2508 @Article{hornstra58,
2509   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2510   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2511   volume =       "5",
2512   number =       "1-2",
2513   pages =        "129--141",
2514   year =         "1958",
2515   note =         "",
2516   ISSN =         "0022-3697",
2517   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2518   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2519   author =       "J. Hornstra",
2520   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2521 }
2522
2523 @Article{deguchi92,
2524   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2525                  Ion `Hot' Implantation",
2526   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2527                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2528   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2529   volume =       "31",
2530   number =       "Part 1, No. 2A",
2531   pages =        "343--347",
2532   numpages =     "4",
2533   year =         "1992",
2534   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2535   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2536   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2537   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2538                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2539 }
2540
2541 @Article{eichhorn99,
2542   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2543                  K{\"{o}}gler",
2544   collaboration = "",
2545   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2546                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2547                  synchrotron x-ray diffraction",
2548   publisher =    "AIP",
2549   year =         "1999",
2550   journal =      "J. Appl. Phys.",
2551   volume =       "86",
2552   number =       "8",
2553   pages =        "4184--4187",
2554   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2555                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2556                  precipitation; semiconductor doping",
2557   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2558   doi =          "10.1063/1.371344",
2559   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2560                  expansion of si lattice",
2561 }
2562
2563 @Article{eichhorn02,
2564   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2565                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2566   collaboration = "",
2567   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2568                  carbon ion implantation",
2569   publisher =    "AIP",
2570   year =         "2002",
2571   journal =      "J. Appl. Phys.",
2572   volume =       "91",
2573   number =       "3",
2574   pages =        "1287--1292",
2575   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2576                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2577                  electron microscopy",
2578   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2579   doi =          "10.1063/1.1428105",
2580   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2581                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2582 }
2583
2584 @Article{lucas10,
2585   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2586   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2587                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2588                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2589                  amorphous structures",
2590   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2591   volume =       "22",
2592   number =       "3",
2593   pages =        "035802",
2594   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2595   year =         "2010",
2596   notes =        "edip sic",
2597 }
2598
2599 @Article{godet03,
2600   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2601                  Beauchamp",
2602   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2603                  methods for silicon under large shear",
2604   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2605   volume =       "15",
2606   number =       "41",
2607   pages =        "6943",
2608   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2609   year =         "2003",
2610   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2611                  edip, tersoff, ab initio",
2612 }
2613
2614 @Article{moriguchi98,
2615   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2616                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2617   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2618   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2619   volume =       "37",
2620   number =       "Part 1, No. 2",
2621   pages =        "414--422",
2622   numpages =     "8",
2623   year =         "1998",
2624   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2625   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2626   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2627   notes =        "tersoff stringent test",
2628 }
2629
2630 @Article{mazzarolo01,
2631   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2632                  simulations",
2633   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2634                  Lulli and Eros Albertazzi",
2635   journal =      "Phys. Rev. B",
2636   volume =       "63",
2637   number =       "19",
2638   pages =        "195207",
2639   numpages =     "4",
2640   year =         "2001",
2641   month =        apr,
2642   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2643   publisher =    "American Physical Society",
2644 }
2645
2646 @Article{holmstroem08,
2647   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2648                  density functional theory molecular dynamics
2649                  simulations",
2650   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2651   journal =      "Phys. Rev. B",
2652   volume =       "78",
2653   number =       "4",
2654   pages =        "045202",
2655   numpages =     "6",
2656   year =         "2008",
2657   month =        jul,
2658   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2659   publisher =    "American Physical Society",
2660   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2661                  initio",
2662 }
2663
2664 @Article{nordlund97,
2665   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2666                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2667   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2668   volume =       "132",
2669   number =       "1",
2670   pages =        "45--54",
2671   year =         "1997",
2672   note =         "",
2673   ISSN =         "0168-583X",
2674   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2675   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2676   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2677   notes =        "repulsive ab initio potential",
2678 }
2679
2680 @Article{kresse96,
2681   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2682                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2683                  set",
2684   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2685   volume =       "6",
2686   number =       "1",
2687   pages =        "15--50",
2688   year =         "1996",
2689   note =         "",
2690   ISSN =         "0927-0256",
2691   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2693   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2694   notes =        "vasp ref",
2695 }
2696
2697 @Article{bloechl94,
2698   title =        "Projector augmented-wave method",
2699   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2700   journal =      "Phys. Rev. B",
2701   volume =       "50",
2702   number =       "24",
2703   pages =        "17953--17979",
2704   numpages =     "26",
2705   year =         "1994",
2706   month =        dec,
2707   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2708   publisher =    "American Physical Society",
2709   notes =        "paw method",
2710 }
2711
2712 @Article{hamann79,
2713   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2714   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2715   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2716   volume =       "43",
2717   number =       "20",
2718   pages =        "1494--1497",
2719   numpages =     "3",
2720   year =         "1979",
2721   month =        nov,
2722   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2723   publisher =    "American Physical Society",
2724   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2725 }
2726
2727 @Article{vanderbilt90,
2728   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2729                  eigenvalue formalism",
2730   author =       "David Vanderbilt",
2731   journal =      "Phys. Rev. B",
2732   volume =       "41",
2733   number =       "11",
2734   pages =        "7892--7895",
2735   numpages =     "3",
2736   year =         "1990",
2737   month =        apr,
2738   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2739   publisher =    "American Physical Society",
2740   notes =        "vasp pseudopotentials",
2741 }
2742
2743 @Article{perdew86,
2744   title =        "Accurate and simple density functional for the
2745                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2746                  approximation",
2747   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2748   journal =      "Phys. Rev. B",
2749   volume =       "33",
2750   number =       "12",
2751   pages =        "8800--8802",
2752   numpages =     "2",
2753   year =         "1986",
2754   month =        jun,
2755   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2756   publisher =    "American Physical Society",
2757   notes =        "rapid communication gga",
2758 }
2759
2760 @Article{perdew02,
2761   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2762                  correlation: {A} look backward and forward",
2763   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2764   volume =       "172",
2765   number =       "1-2",
2766   pages =        "1--6",
2767   year =         "1991",
2768   note =         "",
2769   ISSN =         "0921-4526",
2770   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2771   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2772   author =       "John P. Perdew",
2773   notes =        "gga overview",
2774 }
2775
2776 @Article{perdew92,
2777   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2778                  of the generalized gradient approximation for exchange
2779                  and correlation",
2780   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2781                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2782                  and Carlos Fiolhais",
2783   journal =      "Phys. Rev. B",
2784   volume =       "46",
2785   number =       "11",
2786   pages =        "6671--6687",
2787   numpages =     "16",
2788   year =         "1992",
2789   month =        sep,
2790   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2791   publisher =    "American Physical Society",
2792   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2793 }
2794
2795 @Article{baldereschi73,
2796   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2797   author =       "A. Baldereschi",
2798   journal =      "Phys. Rev. B",
2799   volume =       "7",
2800   number =       "12",
2801   pages =        "5212--5215",
2802   numpages =     "3",
2803   year =         "1973",
2804   month =        jun,
2805   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2806   publisher =    "American Physical Society",
2807   notes =        "mean value k point",
2808 }
2809
2810 @Article{zhu98,
2811   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2812                  diffusion in Si",
2813   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2814   volume =       "12",
2815   number =       "4",
2816   pages =        "309--318",
2817   year =         "1998",
2818   note =         "",
2819   ISSN =         "0927-0256",
2820   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2821   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2822   author =       "Jing Zhu",
2823   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2824   keywords =     "Boron dopant",
2825   keywords =     "Carbon dopant",
2826   keywords =     "Defect",
2827   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2828   keywords =     "Impurity cluster",
2829   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2830 }
2831
2832 @Article{nejim95,
2833   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2834   collaboration = "",
2835   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2836                  950 [degree]{C}",
2837   publisher =    "AIP",
2838   year =         "1995",
2839   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2840   volume =       "66",
2841   number =       "20",
2842   pages =        "2646--2648",
2843   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2844                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2845                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2846                  ELECTRON MICROSCOPY",
2847   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2848   doi =          "10.1063/1.113112",
2849   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2850                  self interstitials react with further implanted c",
2851 }
2852
2853 @Article{guedj98,
2854   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2855                  Kolodzey and A. Hairie",
2856   collaboration = "",
2857   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2858                  alloys",
2859   publisher =    "AIP",
2860   year =         "1998",
2861   journal =      "J. Appl. Phys.",
2862   volume =       "84",
2863   number =       "8",
2864   pages =        "4631--4633",
2865   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2866                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2867                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2868                  annealing",
2869   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2870   doi =          "10.1063/1.368703",
2871   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2872 }
2873
2874 @Article{jones04,
2875   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2876   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2877                  semiconductors",
2878   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2879   volume =       "16",
2880   number =       "27",
2881   pages =        "S2643",
2882   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2883   year =         "2004",
2884   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2885 }
2886
2887 @Article{park02,
2888   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2889                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2890                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2891   collaboration = "",
2892   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2893                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2894                  molecular-beam epitaxy",
2895   publisher =    "AIP",
2896   year =         "2002",
2897   journal =      "J. Appl. Phys.",
2898   volume =       "91",
2899   number =       "9",
2900   pages =        "5716--5727",
2901   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2902   doi =          "10.1063/1.1465122",
2903   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2904 }
2905
2906 @Article{leary97,
2907   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2908                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2909   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2910                  Torres",
2911   journal =      "Phys. Rev. B",
2912   volume =       "55",
2913   number =       "4",
2914   pages =        "2188--2194",
2915   numpages =     "6",
2916   year =         "1997",
2917   month =        jan,
2918   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2919   publisher =    "American Physical Society",
2920   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2921                  energies, different migration barriers and paths",
2922 }
2923
2924 @Article{burnard93,
2925   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2926                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2927                  calculations",
2928   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2929   journal =      "Phys. Rev. B",
2930   volume =       "47",
2931   number =       "16",
2932   pages =        "10217--10225",
2933   numpages =     "8",
2934   year =         "1993",
2935   month =        apr,
2936   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2937   publisher =    "American Physical Society",
2938   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2939                  carbon defect, formation energies",
2940 }
2941
2942 @Article{besson91,
2943   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
2944                  silicon",
2945   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
2946   journal =      "Phys. Rev. B",
2947   volume =       "43",
2948   number =       "5",
2949   pages =        "4028--4033",
2950   numpages =     "5",
2951   year =         "1991",
2952   month =        feb,
2953   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
2954   publisher =    "American Physical Society",
2955 }
2956
2957 @Article{kaxiras96,
2958   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2959                  and growth on semiconductors",
2960   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2961   volume =       "6",
2962   number =       "2",
2963   pages =        "158--172",
2964   year =         "1996",
2965   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2966                  Epitaxy",
2967   ISSN =         "0927-0256",
2968   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2969   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2970   author =       "Efthimios Kaxiras",
2971   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2972                  tight binding, first principles",
2973 }
2974
2975 @Article{kaukonen98,
2976   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2977                  diamond
2978                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2979                  surfaces",
2980   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2981                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2982                  Th. Frauenheim",
2983   journal =      "Phys. Rev. B",
2984   volume =       "57",
2985   number =       "16",
2986   pages =        "9965--9970",
2987   numpages =     "5",
2988   year =         "1998",
2989   month =        apr,
2990   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2991   publisher =    "American Physical Society",
2992   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2993                  (crt)",
2994 }
2995
2996 @Article{gali03,
2997   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2998                  center in Si{C}",
2999   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3000                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3001                  W. J. Choyke",
3002   journal =      "Phys. Rev. B",
3003   volume =       "67",
3004   number =       "15",
3005   pages =        "155203",
3006   numpages =     "5",
3007   year =         "2003",
3008   month =        apr,
3009   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3010   publisher =    "American Physical Society",
3011 }
3012
3013 @Article{chen98,
3014   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3015                  irradiation and deformation",
3016   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3017   volume =       "258-263",
3018   number =       "Part 2",
3019   pages =        "1803--1808",
3020   year =         "1998",
3021   note =         "",
3022   ISSN =         "0022-3115",
3023   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3024   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3025   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3026 }
3027
3028 @Article{weber01,
3029   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3030                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3031   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3032   volume =       "175-177",
3033   number =       "",
3034   pages =        "26--30",
3035   year =         "2001",
3036   note =         "",
3037   ISSN =         "0168-583X",
3038   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3039   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3040   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3041 }
3042
3043 @Article{bockstedte03,
3044   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3045                  in $3{C}-Si{C}$",
3046   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3047                  Pankratov",
3048   journal =      "Phys. Rev. B",
3049   volume =       "68",
3050   number =       "20",
3051   pages =        "205201",
3052   numpages =     "17",
3053   year =         "2003",
3054   month =        nov,
3055   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3056   publisher =    "American Physical Society",
3057   notes =        "defect migration in sic",
3058 }
3059
3060 @Article{rauls03a,
3061   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3062                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3063   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3064                  De\'ak",
3065   journal =      "Phys. Rev. B",
3066   volume =       "68",
3067   number =       "15",
3068   pages =        "155208",
3069   numpages =     "9",
3070   year =         "2003",
3071   month =        oct,
3072   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3073   publisher =    "American Physical Society",
3074 }
3075
3076 @Article{losev27,
3077   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3078   volume =       "44",
3079   pages =        "485--494",
3080   year =         "1927",
3081   author =       "O. V. Lossev",
3082 }
3083
3084 @Article{losev28,
3085   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3086                  oscillations with crystals",
3087   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3088   volume =       "6",
3089   number =       "39",
3090   pages =        "1024--1044",
3091   year =         "1928",
3092   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3093   author =       "O. V. Lossev",
3094 }
3095
3096 @Article{losev29,
3097   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3098   volume =       "30",
3099   pages =        "920--923",
3100   year =         "1929",
3101   author =       "O. V. Lossev",
3102 }
3103
3104 @Article{losev31,
3105   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3106   volume =       "32",
3107   pages =        "692--696",
3108   year =         "1931",
3109   author =       "O. V. Lossev",
3110 }
3111
3112 @Article{losev33,
3113   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3114   volume =       "34",
3115   pages =        "397--403",
3116   year =         "1933",
3117   author =       "O. V. Lossev",
3118 }
3119
3120 @Article{round07,
3121   title =        "A note on carborundum",
3122   journal =      "Electrical World",
3123   volume =       "49",
3124   pages =        "308",
3125   year =         "1907",
3126   author =       "H. J. Round",
3127 }
3128
3129 @Article{vashishath08,
3130   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3131   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3132   volume =       "2",
3133   number =       "03",
3134   pages =        "444--470",
3135   year =         "2008",
3136   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3137   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3138   notes =        "sic polytype electronic properties",
3139 }
3140
3141 @Article{nelson69,
3142   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3143   collaboration = "",
3144   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3145   publisher =    "AIP",
3146   year =         "1966",
3147   journal =      "Journal of Applied Physics",
3148   volume =       "37",
3149   number =       "1",
3150   pages =        "333--336",
3151   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3152   doi =          "10.1063/1.1707837",
3153   notes =        "sic melt growth",
3154 }
3155
3156 @Article{arkel25,
3157   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3158   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3159                  und Thoriummetall",
3160   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3161   year =         "1925",
3162   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3163   volume =       "148",
3164   pages =        "345--350",
3165   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3166   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3167   notes =        "van arkel apparatus",
3168 }
3169
3170 @Article{moers31,
3171   author =       "K. Moers",
3172   year =         "1931",
3173   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3174   volume =       "198",
3175   pages =        "293",
3176   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3177                  process",
3178 }
3179
3180 @Article{kendall53,
3181   author =       "J. T. Kendall",
3182   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3183   publisher =    "AIP",
3184   year =         "1953",
3185   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3186   volume =       "21",
3187   number =       "5",
3188   pages =        "821--827",
3189   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3190   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3191                  process",
3192 }
3193
3194 @Article{lely55,
3195   author =       "J. A. Lely",
3196   year =         "1955",
3197   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3198   volume =       "32",
3199   pages =        "229",
3200   notes =        "lely sublimation growth process",
3201 }
3202