bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 % molecular dynamics: basics / potential
   6
   7 @article{albe_sic_pot,
   8   author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
   9   title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
  10            and silicon carbide},
  11   publisher = {APS},
  12   year = {2005},
  13   journal = {Phys. Rev. B},
  14   volume = {71},
  15   number = {3},
  16   eid = {035211},
  17   numpages = {14},
  18   pages = {035211},
  19   notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
  20   keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
  21               wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
  22               point defects; crystallographic shear; atomic forces},
  23   url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
  24   doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29            Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
  30   author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
  31   journal = {Phys. Rev. B},
  32   volume = {65},
  33   number = {19},
  34   pages = {195124},
  35   numpages = {11},
  36   year = {2002},
  37   month = {May},
  38   doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
  39   publisher = {American Physical Society},
  40   notes = {derivation of albe bond order formalism},
  41 }
  42
  43 @Article{koster2002,
  44   title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
  45   author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
  46   journal = {Phys. Rev. B},
  47   volume = {62},
  48   number = {16},
  49   pages = {11219--11224},
  50   numpages = {5},
  51   year = {2000},
  52   month = {Oct},
  53   doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
  54   publisher = {American Physical Society},
  55   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  56 }
  57
  58 @Article{breadmore99,
  59   title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
  60            and amorphization of silicon},
  61   author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
  62   journal = {Phys. Rev. B},
  63   volume = {60},
  64   number = {18},
  65   pages = {12610--12616},
  66   numpages = {6},
  67   year = {1999},
  68   month = {Nov},
  69   doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
  70   publisher = {American Physical Society},
  71   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  72 }
  73
  74 @Article{verlet67,
  75   title = {Computer "Experiments" on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules},
  76   author = {Verlet, Loup },
  77   journal = {Phys. Rev.},
  78   volume = {159},
  79   number = {1},
  80   pages = {98},
  81   year = {1967},
  82   month = {Jul},
  83   doi = {10.1103/PhysRev.159.98},
  84   publisher = {American Physical Society},
  85   notes = {velocity verlet integration algorithm equation of motion}
  86 }
  87
  88 @article{berendsen:3684,
  89   author = {H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van Gunsteren
  90             and A. DiNola and J. R. Haak},
  91   collaboration = {},
  92   title = {Molecular dynamics with coupling to an external bath},
  93   publisher = {AIP},
  94   year = {1984},
  95   journal = {The Journal of Chemical Physics},
  96   volume = {81},
  97   number = {8},
  98   pages = {3684-3690},
  99   keywords = {MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 100               COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS},
 101   url = {http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1},
 102   doi = {10.1063/1.448118},
 103   notes = {berendsen thermostat barostat}
 104 }
 105
 106 % molecular dynamics: applications
 107
 108 @Article{batra87,
 109   title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
 110   author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
 111   journal = {Phys. Rev. B},
 112   volume = {35},
 113   number = {18},
 114   pages = {9552--9558},
 115   numpages = {6},
 116   year = {1987},
 117   month = {Jun},
 118   doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
 119   publisher = {American Physical Society},
 120   notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 121            calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
 122 }
 123
 124 @Article{schober89,
 125   title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
 126   author = {H. R. Schober},
 127   journal = {Phys. Rev. B},
 128   volume = {39},
 129   number = {17},
 130   pages = {13013--13015},
 131   numpages = {2},
 132   year = {1989},
 133   month = {Jun},
 134   doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
 135   publisher = {American Physical Society},
 136   notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
 137            configuration}
 138 }
 139
 140 @Article{gao02,
 141   title = {Cascade overlap and amorphization in $3C-SiC:$
 142            Defect accumulation, topological features, and disordering},
 143   author = {Gao, F.  and Weber, W. J.},
 144   journal = {Phys. Rev. B},
 145   volume = {66},
 146   number = {2},
 147   pages = {024106},
 148   numpages = {10},
 149   year = {2002},
 150   month = {Jul},
 151   doi = {10.1103/PhysRevB.66.024106},
 152   publisher = {American Physical Society},
 153   note = {sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization, tersoff modified,
 154           pair correlation of amorphous sic, md result analyze}
 155 }
 156
 157 @Article{batra87,
 158   title = {SiC/Si heteroepitaxial growth},
 159   author = {M. Kitabatake},
 160   journal = {Thin Solid Films},
 161   volume = {369},
 162   pages = {257--264},
 163   numpages = {8},
 164   year = {2000},
 165   notes = {md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe}
 166 }
 167
 168 % tight binding
 169
 170 @Article{tang97,
 171   title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 172            Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
 173            interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
 174   author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
 175   journal = {Phys. Rev. B},
 176   volume = {55},
 177   number = {21},
 178   pages = {14279--14289},
 179   numpages = {10},
 180   year = {1997},
 181   month = {Jun},
 182   doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
 183   publisher = {American Physical Society},
 184   notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
 185 }
 186
 187 @Article{tang97,
 188   title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
 189   author = {L. Colombo},
 190   journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
 191   volume = {32},
 192   pages = {271--295},
 193   numpages = {25},
 194   year = {2002},
 195   doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
 196   publisher = {Annual Reviews},
 197   notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
 198 }
 199
 200 % mixed
 201
 202 @Article{gao2001,
 203   title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
 204            in $3C-SiC$ },
 205   author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
 206   journal = {Phys. Rev. B},
 207   volume = {64},
 208   number = {24},
 209   pages = {245208},
 210   numpages = {7},
 211   year = {2001},
 212   month = {Dec},
 213   doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
 214   publisher = {American Physical Society},
 215   notes = {defects in 3c-sic}
 216 }
 217
 218 % ab initio
 219
 220 @Article{leung99,
 221   title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
 222   author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
 223             Itoh, S.  and Ihara, S. },
 224   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 225   volume = {83},
 226   number = {12},
 227   pages = {2351--2354},
 228   numpages = {3},
 229   year = {1999},
 230   month = {Sep},
 231   doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
 232   publisher = {American Physical Society},
 233   notes = {nice images of the defects}
 234 }
 235
 236 @Article{PhysRevB.50.7439,
 237   title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
 238            in silicon},
 239   author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
 240   journal = {Phys. Rev. B},
 241   volume = {50},
 242   number = {11},
 243   pages = {7439--7442},
 244   numpages = {3},
 245   year = {1994},
 246   month = {Sep},
 247   doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
 248   publisher = {American Physical Society},
 249   notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
 250 }
 251
 252 % experimental stuff - interstitials
 253
 254 @Article{watkins76,
 255   title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
 256   author = {G. D. Watkins and K. L. Brower},
 257   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 258   volume = {36},
 259   number = {22},
 260   pages = {1329--1332},
 261   numpages = {3},
 262   year = {1976},
 263   month = {May},
 264   doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
 265   publisher = {American Physical Society},
 266   notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
 267 }
 268
 269 @Article{song90,
 270   title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
 271   author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
 272   journal = {Phys. Rev. B},
 273   volume = {42},
 274   number = {9},
 275   pages = {5759--5764},
 276   numpages = {5},
 277   year = {1990},
 278   month = {Sep},
 279   doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
 280   publisher = {American Physical Society}
 281 }
 282
 283 % experimental stuff - strained silicon
 284
 285 @Article{strane96,
 286   title = {Carbon incorporation into Si at high concentrations
 287            by ion implantation and solid phase epitaxy},
 288   author = {J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T. Picraux and
 289             J. K. Watanabe and J. W. Mayer},
 290   journal = {J. Appl. Phys.},
 291   volume = {79},
 292   pages = {637},
 293   year = {1996},
 294   month = {January},
 295   doi = {10.1063/1.360806},
 296   notes = {strained silicon, carbon supersaturation}
 297 }
 298
 299 @article{laveant2002,
 300   title = {Epitaxy of carbon-rich silicon with MBE},
 301   author = {P. Laveant, G. Gerth, P. Werner, U. Gosele},
 302   journal = {Materials Science and Engineering B},
 303   volume = {89},
 304   number = {1-3},
 305   pages = {241-245},
 306   keywords = {Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon},
 307   notes = {low c in si, tensile stress to compensate compressive stress,
 308            avoid sic precipitation}}
 309 }
 310
 311 % sic formation mechanism
 312
 313 @article{werner97,
 314   author = {P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R. K\"{o}gler and W. Skorupa},
 315   title = {Investigation of C[sub x]Si defects in C implanted silicon by transmission electron microscopy},
 316   publisher = {AIP},
 317   year = {1997},
 318   journal = {Applied Physics Letters},
 319   volume = {70},
 320   number = {2},
 321   pages = {252-254},
 322   keywords = {silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 323               transmission electron microscopy; annealing;
 324               positron annihilation; secondary ion mass spectroscopy;
 325               buried layers; precipitation},
 326   url = {http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1},
 327   doi = {10.1063/1.118381},
 328   notes = {si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic precipitate}
 329 }
 330
 331 @article{strane94,
 332   author = {J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T. Picraux and
 333             J. K. Watanabe and J. W. Mayer},
 334   collaboration = {},
 335   title = {Precipitation and relaxation in strained
 336            Si[sub 1 - y]C[sub y]/Si heterostructures},
 337   publisher = {AIP},
 338   year = {1994},
 339   journal = {Journal of Applied Physics},
 340   volume = {76},
 341   number = {6},
 342   pages = {3656-3668},
 343   keywords = {SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS},
 344   url = {http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1},
 345   doi = {10.1063/1.357429},
 346   notes = {strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs}
 347 }
 348
 349 % properties sic
 350
 351 @Article{edgar92,
 352   title = {Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors},
 353   author = {J. H. Edgar},
 354   journal = {J. Mater. Res.},
 355   volume = {7},
 356   pages = {235},
 357   year = {1992},
 358   month = {January},
 359   doi = {10.1557/JMR.1992.0235},
 360   notes = {properties wide band gap semiconductor, sic polytypes}
 361 }
 362
 363 % my own publications
 364
 365 @article{zirkelbach2007,
 366   title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
 367            leading to ordered precipitate structures},
 368   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 369   journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
 370   volume = {257},
 371   number = {1--2},
 372   pages = {75--79},
 373   numpages = {5},
 374   year = {2007},
 375   month = {Apr},
 376   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
 377   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 378 }
 379
 380 @article{zirkelbach2006,
 381   title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
 382            amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
 383   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 384   journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
 385   volume = {242},
 386   number = {1--2},
 387   pages = {679--682},
 388   numpages = {4},
 389   year = {2006},
 390   month = {Jan},
 391   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
 392   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 393 }
 394
 395 @article{zirkelbach2005,
 396   title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
 397            of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
 398   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 399   journal = {Comp. Mater. Sci.},
 400   volume = {33},
 401   number = {1--3},
 402   pages = {310--316},
 403   numpages = {7},
 404   year = {2005},
 405   month = {Apr},
 406   doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
 407   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 408 }
 409
 410 % the one of my boss
 411
 412 @Article{lindner02,
 413   title = {High-dose carbon implantations into silicon:
 414            fundamental studies for new technological tricks},
 415   author = {J. K. N. Lindner},
 416   journal = {Appl. Phys. A},
 417   volume = {77},
 418   pages = {27--38},
 419   year = {2003},
 420   doi = {10.1007/s00339-002-2062-8},
 421   notes = {ibs, burried sic layers}
 422 }
 423
 424