bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{bloechl93,
 434   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 435                  constants in silicon",
 436   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 437                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 439   volume =       "70",
 440   number =       "16",
 441   pages =        "2435--2438",
 442   numpages =     "3",
 443   year =         "1993",
 444   month =        apr,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 448                  entropy calculations",
 449 }
 450
 451 @Article{colombo02,
 452   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 453                  silicon",
 454   author =       "L. Colombo",
 455   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 456   volume =       "32",
 457   pages =        "271--295",
 458   numpages =     "25",
 459   year =         "2002",
 460   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 461   publisher =    "Annual Reviews",
 462   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 463 }
 464
 465 @Article{al-mushadani03,
 466   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "68",
 471   number =       "23",
 472   pages =        "235205",
 473   numpages =     "8",
 474   year =         "2003",
 475   month =        dec,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 479                  silicon, si self interstitials, free energy",
 480 }
 481
 482 @Article{goedecker02,
 483   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 484   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 485   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 486   volume =       "88",
 487   number =       "23",
 488   pages =        "235501",
 489   numpages =     "4",
 490   year =         "2002",
 491   month =        may,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 495                  silicon",
 496 }
 497
 498 @Article{sahli05,
 499   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 500                  self-interstitial diffusion in silicon",
 501   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 502   journal =      "Phys. Rev. B",
 503   volume =       "72",
 504   number =       "24",
 505   pages =        "245210",
 506   numpages =     "6",
 507   year =         "2005",
 508   month =        dec,
 509   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 510   publisher =    "American Physical Society",
 511   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 512                  mapping applied",
 513 }
 514
 515 @Article{hobler05,
 516   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 517                  native point defects in silicon",
 518   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
 519   volume =       "124-125",
 520   number =       "",
 521   pages =        "368--371",
 522   year =         "2005",
 523   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 524                  Issues for Future Technologies",
 525   ISSN =         "0921-5107",
 526   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 527   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 528   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 529   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 530                  radius",
 531 }
 532
 533 @Article{ma10,
 534   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 535                  wide temperature range: Point defect states and
 536                  migration mechanisms",
 537   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 538   journal =      "Phys. Rev. B",
 539   volume =       "81",
 540   number =       "19",
 541   pages =        "193203",
 542   numpages =     "4",
 543   year =         "2010",
 544   month =        may,
 545   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 546   publisher =    "American Physical Society",
 547   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 548 }
 549
 550 @Article{posselt06,
 551   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 552                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 553   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 554   journal =      "Phys. Rev. B",
 555   volume =       "73",
 556   number =       "12",
 557   pages =        "125206",
 558   numpages =     "8",
 559   year =         "2006",
 560   month =        mar,
 561   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 562   publisher =    "American Physical Society",
 563 }
 564
 565 @Article{posselt08,
 566   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 567                  migration mechanisms of vacancies and
 568                  self-interstitials: An atomistic study",
 569   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 570   journal =      "Phys. Rev. B",
 571   volume =       "78",
 572   number =       "3",
 573   pages =        "035208",
 574   numpages =     "9",
 575   year =         "2008",
 576   month =        jul,
 577   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 578   publisher =    "American Physical Society",
 579   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 580                  weber and tersoff",
 581 }
 582
 583 @Article{gao2001,
 584   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 585                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 586   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 587                  Corrales",
 588   journal =      "Phys. Rev. B",
 589   volume =       "64",
 590   number =       "24",
 591   pages =        "245208",
 592   numpages =     "7",
 593   year =         "2001",
 594   month =        dec,
 595   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 596   publisher =    "American Physical Society",
 597   notes =        "defects in 3c-sic",
 598 }
 599
 600 @Article{gao02,
 601   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 602                  3{C}-Si{C}",
 603   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 604                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 605   volume =       "191",
 606   number =       "1-4",
 607   pages =        "504--508",
 608   year =         "2002",
 609   note =         "",
 610   ISSN =         "0168-583X",
 611   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 612   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 613   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 614   keywords =     "Empirical potential",
 615   keywords =     "Defect properties",
 616   keywords =     "Silicon carbide",
 617   keywords =     "Computer simulation",
 618   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 619 }
 620
 621 @Article{gao04,
 622   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 623                  3{C}-Si{C}",
 624   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 625                  Belko",
 626   journal =      "Phys. Rev. B",
 627   volume =       "69",
 628   number =       "24",
 629   pages =        "245205",
 630   numpages =     "5",
 631   year =         "2004",
 632   month =        jun,
 633   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 634   publisher =    "American Physical Society",
 635   notes =        "defect migration in sic",
 636 }
 637
 638 @Article{gao07,
 639   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 640                  W. J. Weber",
 641   collaboration = "",
 642   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 643                  in cubic silicon carbide",
 644   publisher =    "AIP",
 645   year =         "2007",
 646   journal =      "Applied Physics Letters",
 647   volume =       "90",
 648   number =       "22",
 649   eid =          "221915",
 650   numpages =     "3",
 651   pages =        "221915",
 652   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 653                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 654                  dynamics method; density functional theory;
 655                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 656                  impurities; diffusion",
 657   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 658   doi =          "10.1063/1.2743751",
 659 }
 660
 661 @Article{mattoni2002,
 662   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 663                  crystalline silicon",
 664   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 665   journal =      "Phys. Rev. B",
 666   volume =       "66",
 667   number =       "19",
 668   pages =        "195214",
 669   numpages =     "6",
 670   year =         "2002",
 671   month =        nov,
 672   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 673   publisher =    "American Physical Society",
 674   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 675                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 676                  tersoff suitability",
 677 }
 678
 679 @Article{leung99,
 680   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 681   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 682                  Itoh and S. Ihara",
 683   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 684   volume =       "83",
 685   number =       "12",
 686   pages =        "2351--2354",
 687   numpages =     "3",
 688   year =         "1999",
 689   month =        sep,
 690   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 691   publisher =    "American Physical Society",
 692   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 693                  refs",
 694 }
 695
 696 @Article{capaz94,
 697   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 698                  carbon in silicon",
 699   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 700   journal =      "Phys. Rev. B",
 701   volume =       "50",
 702   number =       "11",
 703   pages =        "7439--7442",
 704   numpages =     "3",
 705   year =         "1994",
 706   month =        sep,
 707   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 708   publisher =    "American Physical Society",
 709   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 710                  dumbbell",
 711 }
 712
 713 @Article{capaz98,
 714   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 715   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 716   journal =      "Phys. Rev. B",
 717   volume =       "58",
 718   number =       "15",
 719   pages =        "9845--9850",
 720   numpages =     "5",
 721   year =         "1998",
 722   month =        oct,
 723   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 724   publisher =    "American Physical Society",
 725   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 726 }
 727
 728 @Article{song90_2,
 729   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 730                  pair in silicon",
 731   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 732                  Watkins",
 733   journal =      "Phys. Rev. B",
 734   volume =       "42",
 735   number =       "9",
 736   pages =        "5765--5783",
 737   numpages =     "18",
 738   year =         "1990",
 739   month =        sep,
 740   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 741   publisher =    "American Physical Society",
 742   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 743 }
 744
 745 @Article{liu02,
 746   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 747                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 748   collaboration = "",
 749   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 750                  interactions in Si",
 751   publisher =    "AIP",
 752   year =         "2002",
 753   journal =      "Applied Physics Letters",
 754   volume =       "80",
 755   number =       "1",
 756   pages =        "52--54",
 757   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 758                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 759                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 760   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 761   doi =          "10.1063/1.1430505",
 762   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 763 }
 764
 765 @Article{dal_pino93,
 766   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 767                  silicon",
 768   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 769                  Joannopoulos",
 770   journal =      "Phys. Rev. B",
 771   volume =       "47",
 772   number =       "19",
 773   pages =        "12554--12557",
 774   numpages =     "3",
 775   year =         "1993",
 776   month =        may,
 777   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 778   publisher =    "American Physical Society",
 779   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 780 }
 781
 782 @Article{car84,
 783   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 784                  Silicon",
 785   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 786                  Sokrates T. Pantelides",
 787   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 788   volume =       "52",
 789   number =       "20",
 790   pages =        "1814--1817",
 791   numpages =     "3",
 792   year =         "1984",
 793   month =        may,
 794   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 795   publisher =    "American Physical Society",
 796   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 797                  path formation",
 798 }
 799
 800 @Article{car85,
 801   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 802                  Density-Functional Theory",
 803   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 804   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 805   volume =       "55",
 806   number =       "22",
 807   pages =        "2471--2474",
 808   numpages =     "3",
 809   year =         "1985",
 810   month =        nov,
 811   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 812   publisher =    "American Physical Society",
 813   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 814 }
 815
 816 @Article{kelires97,
 817   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 818                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 819   author =       "P. C. Kelires",
 820   journal =      "Phys. Rev. B",
 821   volume =       "55",
 822   number =       "14",
 823   pages =        "8784--8787",
 824   numpages =     "3",
 825   year =         "1997",
 826   month =        apr,
 827   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 828   publisher =    "American Physical Society",
 829   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 830                  neighbour dist",
 831 }
 832
 833 @Article{kelires95,
 834   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 835                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 836   author =       "P. C. Kelires",
 837   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 838   volume =       "75",
 839   number =       "6",
 840   pages =        "1114--1117",
 841   numpages =     "3",
 842   year =         "1995",
 843   month =        aug,
 844   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 845   publisher =    "American Physical Society",
 846   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 847 }
 848
 849 @Article{bean70,
 850   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 851                  containing carbon",
 852   journal =      "Solid State Communications",
 853   volume =       "8",
 854   number =       "3",
 855   pages =        "175--177",
 856   year =         "1970",
 857   note =         "",
 858   ISSN =         "0038-1098",
 859   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 860   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 861   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 862 }
 863
 864 @Article{watkins76,
 865   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 866                  Atom in Silicon",
 867   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 868   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 869   volume =       "36",
 870   number =       "22",
 871   pages =        "1329--1332",
 872   numpages =     "3",
 873   year =         "1976",
 874   month =        may,
 875   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 876   publisher =    "American Physical Society",
 877   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 878                  silicon",
 879 }
 880
 881 @Article{song90,
 882   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 883                  interstitial carbon in silicon",
 884   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 885   journal =      "Phys. Rev. B",
 886   volume =       "42",
 887   number =       "9",
 888   pages =        "5759--5764",
 889   numpages =     "5",
 890   year =         "1990",
 891   month =        sep,
 892   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 893   publisher =    "American Physical Society",
 894   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 895 }
 896
 897 @Article{tipping87,
 898   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 899   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 900                  silicon",
 901   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 902   volume =       "2",
 903   number =       "5",
 904   pages =        "315--317",
 905   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 906   year =         "1987",
 907   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 908                  silicon",
 909 }
 910
 911 @Article{strane96,
 912   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 913                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 914   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 915                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 916   journal =      "J. Appl. Phys.",
 917   volume =       "79",
 918   pages =        "637",
 919   year =         "1996",
 920   month =        jan,
 921   doi =          "10.1063/1.360806",
 922   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 923 }
 924
 925 @Article{laveant2002,
 926   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 927   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 928   volume =       "89",
 929   number =       "1-3",
 930   pages =        "241--245",
 931   year =         "2002",
 932   ISSN =         "0921-5107",
 933   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 934   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 935   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 936                  G{\"{o}}sele",
 937   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 938                  stress, avoid sic precipitation",
 939 }
 940
 941 @Article{werner97,
 942   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 943                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 944   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 945                  silicon by transmission electron microscopy",
 946   publisher =    "AIP",
 947   year =         "1997",
 948   journal =      "Applied Physics Letters",
 949   volume =       "70",
 950   number =       "2",
 951   pages =        "252--254",
 952   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 953                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 954                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 955                  layers; precipitation",
 956   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 957   doi =          "10.1063/1.118381",
 958   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 959                  precipitate",
 960 }
 961
 962 @InProceedings{werner96,
 963   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 964                  Eichler",
 965   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 966                  International Conference on",
 967   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 968                  implanted silicon",
 969   year =         "1996",
 970   month =        jun,
 971   volume =       "",
 972   number =       "",
 973   pages =        "675--678",
 974   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 975   ISSN =         "",
 976   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 977 }
 978
 979 @Article{werner98,
 980   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 981                  D. C. Jacobson",
 982   collaboration = "",
 983   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 984   publisher =    "AIP",
 985   year =         "1998",
 986   journal =      "Applied Physics Letters",
 987   volume =       "73",
 988   number =       "17",
 989   pages =        "2465--2467",
 990   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
 991                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
 992                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
 993                  impurity distribution",
 994   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
 995   doi =          "10.1063/1.122483",
 996   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 997 }
 998
 999 @Article{strane94,
1000   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1001                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1002   collaboration = "",
1003   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1004                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1005   publisher =    "AIP",
1006   year =         "1994",
1007   journal =      "Journal of Applied Physics",
1008   volume =       "76",
1009   number =       "6",
1010   pages =        "3656--3668",
1011   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1012   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1013   doi =          "10.1063/1.357429",
1014   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1015                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1016                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1017                  energy",
1018 }
1019
1020 @Article{fischer95,
1021   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1022                  Osten",
1023   collaboration = "",
1024   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1025                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1026   publisher =    "AIP",
1027   year =         "1995",
1028   journal =      "Journal of Applied Physics",
1029   volume =       "77",
1030   number =       "5",
1031   pages =        "1934--1937",
1032   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1033                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1034                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1035                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1036   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1037   doi =          "10.1063/1.358826",
1038 }
1039
1040 @Article{edgar92,
1041   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1042                  semiconductors",
1043   author =       "J. H. Edgar",
1044   journal =      "J. Mater. Res.",
1045   volume =       "7",
1046   pages =        "235",
1047   year =         "1992",
1048   month =        jan,
1049   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1050   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1051                  polytypes",
1052 }
1053
1054 @Article{zirkelbach2007,
1055   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1056                  process leading to ordered precipitate structures",
1057   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1058                  and B. Stritzker",
1059   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1060   volume =       "257",
1061   number =       "1--2",
1062   pages =        "75--79",
1063   numpages =     "5",
1064   year =         "2007",
1065   month =        apr,
1066   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1067   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1068                  NETHERLANDS",
1069 }
1070
1071 @Article{zirkelbach2006,
1072   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1073                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1074                  during ion irradiation",
1075   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1076                  and B. Stritzker",
1077   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1078   volume =       "242",
1079   number =       "1--2",
1080   pages =        "679--682",
1081   numpages =     "4",
1082   year =         "2006",
1083   month =        jan,
1084   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1085   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1086                  NETHERLANDS",
1087 }
1088
1089 @Article{zirkelbach2005,
1090   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1091                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1092                  ion irradiation",
1093   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1094                  and B. Stritzker",
1095   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1096   volume =       "33",
1097   number =       "1--3",
1098   pages =        "310--316",
1099   numpages =     "7",
1100   year =         "2005",
1101   month =        apr,
1102   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1103   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1104                  NETHERLANDS",
1105 }
1106
1107 @Article{zirkelbach09,
1108   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1109                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1110   journal =      "Materials Science and Engineering: B",
1111   volume =       "159-160",
1112   number =       "",
1113   pages =        "149--152",
1114   year =         "2009",
1115   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1116                  Silicon Materials Research for Electronic and
1117                  Photovoltaic Applications",
1118   ISSN =         "0921-5107",
1119   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1120   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1121   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1122                  B. Stritzker",
1123   keywords =     "Silicon",
1124   keywords =     "Carbon",
1125   keywords =     "Silicon carbide",
1126   keywords =     "Nucleation",
1127   keywords =     "Defect formation",
1128   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1129 }
1130
1131 @Article{zirkelbach10a,
1132   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1133                  classical potentials and first-principles methods",
1134   journal =      "Phys. Rev. B",
1135   volume =       "82",
1136   number =       "9",
1137   pages =        "",
1138   year =         "2010",
1139   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1140                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1141 }
1142
1143 @Article{zirkelbach10b,
1144   title =        "Extensive first principles study of carbon defects in
1145                  silicon",
1146   journal =      "to be published",
1147   volume =       "",
1148   number =       "",
1149   pages =        "",
1150   year =         "2010",
1151   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1152                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1153 }
1154
1155 @Article{zirkelbach10c,
1156   title =        "...",
1157   journal =      "to be published",
1158   volume =       "",
1159   number =       "",
1160   pages =        "",
1161   year =         "2010",
1162   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1163                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1164 }
1165
1166 @Article{lindner99,
1167   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1168                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1169                  layers in silicon",
1170   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1171                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1172   volume =       "147",
1173   number =       "1-4",
1174   pages =        "249--255",
1175   year =         "1999",
1176   note =         "",
1177   ISSN =         "0168-583X",
1178   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1179   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1180   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1181   notes =        "two-step implantation process",
1182 }
1183
1184 @Article{lindner99_2,
1185   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1186                  in silicon",
1187   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1188                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1189   volume =       "148",
1190   number =       "1-4",
1191   pages =        "528--533",
1192   year =         "1999",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner01,
1201   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1202                  Basic physical processes",
1203   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1204                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1205   volume =       "178",
1206   number =       "1-4",
1207   pages =        "44--54",
1208   year =         "2001",
1209   note =         "",
1210   ISSN =         "0168-583X",
1211   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1212   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1213   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1214 }
1215
1216 @Article{lindner02,
1217   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1218                  fundamental studies for new technological tricks",
1219   author =       "J. K. N. Lindner",
1220   journal =      "Appl. Phys. A",
1221   volume =       "77",
1222   pages =        "27--38",
1223   year =         "2003",
1224   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1225   notes =        "ibs, burried sic layers",
1226 }
1227
1228 @Article{lindner06,
1229   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1230                  formation and displacive precipitate resolution in the
1231                  {C}-Si system",
1232   journal =      "Materials Science and Engineering: C",
1233   volume =       "26",
1234   number =       "5-7",
1235   pages =        "857--861",
1236   year =         "2006",
1237   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1238                  Applications",
1239   ISSN =         "0928-4931",
1240   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1241   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1242   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1243                  and B. Stritzker",
1244   notes =        "c int diffusion barrier",
1245 }
1246
1247 @Article{ito04,
1248   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1249                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1250                  growth",
1251   journal =      "Applied Surface Science",
1252   volume =       "238",
1253   number =       "1-4",
1254   pages =        "159--164",
1255   year =         "2004",
1256   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1257   ISSN =         "0169-4332",
1258   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1259   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1260   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1261                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1262   notes =        "gan on 3c-sic",
1263 }
1264
1265 @Article{alder57,
1266   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1267   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1268   publisher =    "AIP",
1269   year =         "1957",
1270   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1271   volume =       "27",
1272   number =       "5",
1273   pages =        "1208--1209",
1274   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1275   doi =          "10.1063/1.1743957",
1276 }
1277
1278 @Article{alder59,
1279   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1280   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1281   publisher =    "AIP",
1282   year =         "1959",
1283   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1284   volume =       "31",
1285   number =       "2",
1286   pages =        "459--466",
1287   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1288   doi =          "10.1063/1.1730376",
1289 }
1290
1291 @Article{tersoff_si1,
1292   title =        "New empirical model for the structural properties of
1293                  silicon",
1294   author =       "J. Tersoff",
1295   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1296   volume =       "56",
1297   number =       "6",
1298   pages =        "632--635",
1299   numpages =     "3",
1300   year =         "1986",
1301   month =        feb,
1302   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1303   publisher =    "American Physical Society",
1304 }
1305
1306 @Article{tersoff_si2,
1307   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1308                  covalent systems",
1309   author =       "J. Tersoff",
1310   journal =      "Phys. Rev. B",
1311   volume =       "37",
1312   number =       "12",
1313   pages =        "6991--7000",
1314   numpages =     "9",
1315   year =         "1988",
1316   month =        apr,
1317   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1318   publisher =    "American Physical Society",
1319 }
1320
1321 @Article{tersoff_si3,
1322   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1323                  improved elastic properties",
1324   author =       "J. Tersoff",
1325   journal =      "Phys. Rev. B",
1326   volume =       "38",
1327   number =       "14",
1328   pages =        "9902--9905",
1329   numpages =     "3",
1330   year =         "1988",
1331   month =        nov,
1332   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1333   publisher =    "American Physical Society",
1334 }
1335
1336 @Article{tersoff_c,
1337   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1338                  Applications to Amorphous Carbon",
1339   author =       "J. Tersoff",
1340   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1341   volume =       "61",
1342   number =       "25",
1343   pages =        "2879--2882",
1344   numpages =     "3",
1345   year =         "1988",
1346   month =        dec,
1347   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1348   publisher =    "American Physical Society",
1349 }
1350
1351 @Article{tersoff_m,
1352   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1353                  for multicomponent systems",
1354   author =       "J. Tersoff",
1355   journal =      "Phys. Rev. B",
1356   volume =       "39",
1357   number =       "8",
1358   pages =        "5566--5568",
1359   numpages =     "2",
1360   year =         "1989",
1361   month =        mar,
1362   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1363   publisher =    "American Physical Society",
1364 }
1365
1366 @Article{tersoff90,
1367   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1368   author =       "J. Tersoff",
1369   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1370   volume =       "64",
1371   number =       "15",
1372   pages =        "1757--1760",
1373   numpages =     "3",
1374   year =         "1990",
1375   month =        apr,
1376   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1377   publisher =    "American Physical Society",
1378 }
1379
1380 @Article{fahey89,
1381   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1382   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1383   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1384   volume =       "61",
1385   number =       "2",
1386   pages =        "289--384",
1387   numpages =     "95",
1388   year =         "1989",
1389   month =        apr,
1390   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1391   publisher =    "American Physical Society",
1392 }
1393
1394 @Article{wesch96,
1395   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1396   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1397                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1398   volume =       "116",
1399   number =       "1-4",
1400   pages =        "305--321",
1401   year =         "1996",
1402   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1403   ISSN =         "0168-583X",
1404   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1405   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1406   author =       "W. Wesch",
1407 }
1408
1409 @Article{morkoc94,
1410   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1411                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1412   collaboration = "",
1413   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1414                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1415   publisher =    "AIP",
1416   year =         "1994",
1417   journal =      "Journal of Applied Physics",
1418   volume =       "76",
1419   number =       "3",
1420   pages =        "1363--1398",
1421   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1422                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1423                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1424                  FILMS; INDUSTRY",
1425   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1426   doi =          "10.1063/1.358463",
1427   notes =        "sic intro, properties",
1428 }
1429
1430 @Article{neudeck95,
1431   author =       "P. G. Neudeck",
1432   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1433                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1434   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1435   year =         "1995",
1436   volume =       "24",
1437   number =       "4",
1438   pages =        "283--288",
1439   month =        apr,
1440 }
1441
1442 @Article{foo,
1443   author =       "Noch Unbekannt",
1444   title =        "How to find references",
1445   journal =      "Journal of Applied References",
1446   year =         "2009",
1447   volume =       "77",
1448   pages =        "1--23",
1449 }
1450
1451 @Article{tang95,
1452   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1453                  \beta{}-Si{C}",
1454   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1455   journal =      "Phys. Rev. B",
1456   volume =       "52",
1457   number =       "21",
1458   pages =        "15150--15159",
1459   numpages =     "9",
1460   year =         "1995",
1461   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1462   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1463                  tersoff reparametrization",
1464   publisher =    "American Physical Society",
1465 }
1466
1467 @Article{sarro00,
1468   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1469   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1470   volume =       "82",
1471   number =       "1-3",
1472   pages =        "210--218",
1473   year =         "2000",
1474   ISSN =         "0924-4247",
1475   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1476   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1477   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1478   keywords =     "MEMS",
1479   keywords =     "Silicon carbide",
1480   keywords =     "Micromachining",
1481   keywords =     "Mechanical stress",
1482 }
1483
1484 @Article{casady96,
1485   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1486                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1487                  review",
1488   journal =      "Solid-State Electronics",
1489   volume =       "39",
1490   number =       "10",
1491   pages =        "1409--1422",
1492   year =         "1996",
1493   ISSN =         "0038-1101",
1494   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1495   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1496   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1497   notes =        "sic intro",
1498 }
1499
1500 @Article{giancarli98,
1501   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1502                  structural material in fusion power reactor blankets",
1503   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1504   volume =       "41",
1505   number =       "1-4",
1506   pages =        "165--171",
1507   year =         "1998",
1508   ISSN =         "0920-3796",
1509   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1510   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1511   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1512                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1513 }
1514
1515 @Article{pensl93,
1516   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1517   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1518   volume =       "185",
1519   number =       "1-4",
1520   pages =        "264--283",
1521   year =         "1993",
1522   ISSN =         "0921-4526",
1523   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1524   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1525   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1526 }
1527
1528 @Article{tairov78,
1529   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1530                  carbide single crystals",
1531   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1532   volume =       "43",
1533   number =       "2",
1534   pages =        "209--212",
1535   year =         "1978",
1536   notes =        "modified lely process",
1537   ISSN =         "0022-0248",
1538   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1539   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1540   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1541 }
1542
1543 @Article{nishino83,
1544   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1545                  Will",
1546   collaboration = "",
1547   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1548                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1549   publisher =    "AIP",
1550   year =         "1983",
1551   journal =      "Applied Physics Letters",
1552   volume =       "42",
1553   number =       "5",
1554   pages =        "460--462",
1555   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1556                  monocrystals",
1557   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1558   doi =          "10.1063/1.93970",
1559   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1560 }
1561
1562 @Article{nishino87,
1563   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1564                  and Hiroyuki Matsunami",
1565   collaboration = "",
1566   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1567                  Si{C} on silicon",
1568   publisher =    "AIP",
1569   year =         "1987",
1570   journal =      "Journal of Applied Physics",
1571   volume =       "61",
1572   number =       "10",
1573   pages =        "4889--4893",
1574   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1575   doi =          "10.1063/1.338355",
1576   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1577                  carbonization",
1578 }
1579
1580 @Article{powell87,
1581   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1582                  Kuczmarski",
1583   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1584                  Single-Crystal Films on Si",
1585   publisher =    "ECS",
1586   year =         "1987",
1587   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1588   volume =       "134",
1589   number =       "6",
1590   pages =        "1558--1565",
1591   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1592                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1593   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1594   doi =          "10.1149/1.2100708",
1595   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1596 }
1597
1598 @Article{kimoto93,
1599   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1600                  and Hiroyuki Matsunami",
1601   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1602                  epitaxy",
1603   publisher =    "AIP",
1604   year =         "1993",
1605   journal =      "Journal of Applied Physics",
1606   volume =       "73",
1607   number =       "2",
1608   pages =        "726--732",
1609   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1610                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1611                  VAPOR DEPOSITION",
1612   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1613   doi =          "10.1063/1.353329",
1614   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1615 }
1616
1617 @Article{powell90,
1618   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1619                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1620                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1621   collaboration = "",
1622   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1623                  6{H}-Si{C} substrates",
1624   publisher =    "AIP",
1625   year =         "1990",
1626   journal =      "Applied Physics Letters",
1627   volume =       "56",
1628   number =       "14",
1629   pages =        "1353--1355",
1630   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1631                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1632                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1633                  PHASE EPITAXY",
1634   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1635   doi =          "10.1063/1.102512",
1636   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1637 }
1638
1639 @Article{yuan95,
1640   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1641                  Thokala and M. J. Loboda",
1642   collaboration = "",
1643   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1644                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1645                  silacyclobutane",
1646   publisher =    "AIP",
1647   year =         "1995",
1648   journal =      "Journal of Applied Physics",
1649   volume =       "78",
1650   number =       "2",
1651   pages =        "1271--1273",
1652   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1653                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1654                  SPECTROPHOTOMETRY",
1655   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1656   doi =          "10.1063/1.360368",
1657   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1658 }
1659
1660 @Article{fissel95,
1661   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1662                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1663                  molecular beam epitaxy",
1664   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1665   volume =       "154",
1666   number =       "1-2",
1667   pages =        "72--80",
1668   year =         "1995",
1669   ISSN =         "0022-0248",
1670   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1671   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1672   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1673                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1674   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1675 }
1676
1677 @Article{fissel95_apl,
1678   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1679   collaboration = "",
1680   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1681                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1682   publisher =    "AIP",
1683   year =         "1995",
1684   journal =      "Applied Physics Letters",
1685   volume =       "66",
1686   number =       "23",
1687   pages =        "3182--3184",
1688   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1689                  RHEED; NUCLEATION",
1690   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1691   doi =          "10.1063/1.113716",
1692   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1693 }
1694
1695 @Article{borders71,
1696   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1697   collaboration = "",
1698   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1699                  {IMPLANTATION}",
1700   publisher =    "AIP",
1701   year =         "1971",
1702   journal =      "Applied Physics Letters",
1703   volume =       "18",
1704   number =       "11",
1705   pages =        "509--511",
1706   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1707   doi =          "10.1063/1.1653516",
1708   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1709                  ideas",
1710 }
1711
1712 @Article{reeson87,
1713   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1714                  J. Davis and G. E. Celler",
1715   collaboration = "",
1716   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1717                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1718   publisher =    "AIP",
1719   year =         "1987",
1720   journal =      "Applied Physics Letters",
1721   volume =       "51",
1722   number =       "26",
1723   pages =        "2242--2244",
1724   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1725                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1726   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1727   doi =          "10.1063/1.98953",
1728   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1729 }
1730
1731 @Article{scace59,
1732   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1733   collaboration = "",
1734   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1735   publisher =    "AIP",
1736   year =         "1959",
1737   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1738   volume =       "30",
1739   number =       "6",
1740   pages =        "1551--1555",
1741   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1742   doi =          "10.1063/1.1730236",
1743   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1744 }
1745
1746 @Article{cowern96,
1747   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1748                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1749   collaboration = "",
1750   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1751                  {B} in silicon",
1752   publisher =    "AIP",
1753   year =         "1996",
1754   journal =      "Applied Physics Letters",
1755   volume =       "68",
1756   number =       "8",
1757   pages =        "1150--1152",
1758   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1759                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1760                  SILICON",
1761   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1762   doi =          "10.1063/1.115706",
1763   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1764 }
1765
1766 @Article{stolk95,
1767   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1768                  of the silicon self-interstitial",
1769   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1770                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1771   volume =       "96",
1772   number =       "1-2",
1773   pages =        "187--195",
1774   year =         "1995",
1775   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1776                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1777   ISSN =         "0168-583X",
1778   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1779   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1780   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1781                  and J. M. Poate",
1782 }
1783
1784 @Article{stolk97,
1785   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1786                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1787                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1788                  E. Haynes",
1789   collaboration = "",
1790   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1791                  diffusion in ion-implanted silicon",
1792   publisher =    "AIP",
1793   year =         "1997",
1794   journal =      "Journal of Applied Physics",
1795   volume =       "81",
1796   number =       "9",
1797   pages =        "6031--6050",
1798   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1799   doi =          "10.1063/1.364452",
1800   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1801 }
1802
1803 @Article{powell94,
1804   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1805   collaboration = "",
1806   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1807                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1808   publisher =    "AIP",
1809   year =         "1994",
1810   journal =      "Applied Physics Letters",
1811   volume =       "64",
1812   number =       "3",
1813   pages =        "324--326",
1814   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1815                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1816                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1817                  SYNTHESIS",
1818   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1819   doi =          "10.1063/1.111195",
1820   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1821 }
1822
1823 @Article{soref91,
1824   author =       "Richard A. Soref",
1825   collaboration = "",
1826   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1827                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1828   publisher =    "AIP",
1829   year =         "1991",
1830   journal =      "Journal of Applied Physics",
1831   volume =       "70",
1832   number =       "4",
1833   pages =        "2470--2472",
1834   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1835                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1836                  TERNARY ALLOYS",
1837   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1838   doi =          "10.1063/1.349403",
1839   notes =        "band gap of strained si by c",
1840 }
1841
1842 @Article{kasper91,
1843   author =       "E Kasper",
1844   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1845                  possibility to produce direct band gap material",
1846   journal =      "Physica Scripta",
1847   volume =       "T35",
1848   pages =        "232--236",
1849   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1850   year =         "1991",
1851   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1852                  quasi-direct one",
1853 }
1854
1855 @Article{osten99,
1856   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1857   collaboration = "",
1858   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1859                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1860                  molecular beam epitaxy",
1861   publisher =    "AIP",
1862   year =         "1999",
1863   journal =      "Applied Physics Letters",
1864   volume =       "74",
1865   number =       "6",
1866   pages =        "836--838",
1867   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1868                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1869                  compounds",
1870   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1871   doi =          "10.1063/1.123384",
1872   notes =        "substitutional c in si",
1873 }
1874
1875 @Article{hohenberg64,
1876   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1877   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1878   journal =      "Phys. Rev.",
1879   volume =       "136",
1880   number =       "3B",
1881   pages =        "B864--B871",
1882   numpages =     "7",
1883   year =         "1964",
1884   month =        nov,
1885   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1886   publisher =    "American Physical Society",
1887   notes =        "density functional theory, dft",
1888 }
1889
1890 @Article{kohn65,
1891   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1892                  Correlation Effects",
1893   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1894   journal =      "Phys. Rev.",
1895   volume =       "140",
1896   number =       "4A",
1897   pages =        "A1133--A1138",
1898   numpages =     "5",
1899   year =         "1965",
1900   month =        nov,
1901   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1902   publisher =    "American Physical Society",
1903   notes =        "dft, exchange and correlation",
1904 }
1905
1906 @Article{ruecker94,
1907   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1908                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1909   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1910                  J. Osten",
1911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1912   volume =       "72",
1913   number =       "22",
1914   pages =        "3578--3581",
1915   numpages =     "3",
1916   year =         "1994",
1917   month =        may,
1918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1919   publisher =    "American Physical Society",
1920   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1921                  si, dft",
1922 }
1923
1924 @Article{chang05,
1925   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1926                  Alloy",
1927   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1928   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1929   volume =       "44",
1930   number =       "4B",
1931   pages =        "2257--2262",
1932   numpages =     "5",
1933   year =         "2005",
1934   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1935   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1936   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1937   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1938 }
1939
1940 @Article{osten97,
1941   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1942   collaboration = "",
1943   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1944                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1945                  Si(001)",
1946   publisher =    "AIP",
1947   year =         "1997",
1948   journal =      "Journal of Applied Physics",
1949   volume =       "82",
1950   number =       "10",
1951   pages =        "4977--4981",
1952   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1953                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1954                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1955   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1956   doi =          "10.1063/1.366364",
1957   notes =        "charge transport in strained si",
1958 }
1959
1960 @Article{kapur04,
1961   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1962                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1963   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1964   journal =      "Phys. Rev. B",
1965   volume =       "69",
1966   number =       "15",
1967   pages =        "155214",
1968   numpages =     "8",
1969   year =         "2004",
1970   month =        apr,
1971   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1972   publisher =    "American Physical Society",
1973   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1974 }
1975
1976 @Article{barkema96,
1977   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1978                  Systems",
1979   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1980   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1981   volume =       "77",
1982   number =       "21",
1983   pages =        "4358--4361",
1984   numpages =     "3",
1985   year =         "1996",
1986   month =        nov,
1987   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1988   publisher =    "American Physical Society",
1989   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1990                  dynamic mds",
1991 }
1992
1993 @Article{cances09,
1994   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1995                  Minoukadeh and F. Willaime",
1996   collaboration = "",
1997   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1998                  technique method for finding transition pathways on
1999                  potential energy surfaces",
2000   publisher =    "AIP",
2001   year =         "2009",
2002   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2003   volume =       "130",
2004   number =       "11",
2005   eid =          "114711",
2006   numpages =     "6",
2007   pages =        "114711",
2008   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2009                  surfaces; vacancies (crystal)",
2010   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2011   doi =          "10.1063/1.3088532",
2012   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2013                  transition pathways",
2014 }
2015
2016 @Article{parrinello81,
2017   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2018   collaboration = "",
2019   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2020                  molecular dynamics method",
2021   publisher =    "AIP",
2022   year =         "1981",
2023   journal =      "Journal of Applied Physics",
2024   volume =       "52",
2025   number =       "12",
2026   pages =        "7182--7190",
2027   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2028                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2029                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2030                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2031                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2032                  IMPACT SHOCK",
2033   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2034   doi =          "10.1063/1.328693",
2035 }
2036
2037 @Article{stillinger85,
2038   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2039                  of silicon",
2040   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2041   journal =      "Phys. Rev. B",
2042   volume =       "31",
2043   number =       "8",
2044   pages =        "5262--5271",
2045   numpages =     "9",
2046   year =         "1985",
2047   month =        apr,
2048   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2049   publisher =    "American Physical Society",
2050 }
2051
2052 @Article{brenner90,
2053   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2054                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2055                  films",
2056   author =       "Donald W. Brenner",
2057   journal =      "Phys. Rev. B",
2058   volume =       "42",
2059   number =       "15",
2060   pages =        "9458--9471",
2061   numpages =     "13",
2062   year =         "1990",
2063   month =        nov,
2064   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2065   publisher =    "American Physical Society",
2066   notes =        "brenner hydro carbons",
2067 }
2068
2069 @Article{bazant96,
2070   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2071                  Cohesive Energy Curves",
2072   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2073   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2074   volume =       "77",
2075   number =       "21",
2076   pages =        "4370--4373",
2077   numpages =     "3",
2078   year =         "1996",
2079   month =        nov,
2080   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2081   publisher =    "American Physical Society",
2082   notes =        "first si edip",
2083 }
2084
2085 @Article{bazant97,
2086   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2087                  silicon",
2088   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2089                  Justo",
2090   journal =      "Phys. Rev. B",
2091   volume =       "56",
2092   number =       "14",
2093   pages =        "8542--8552",
2094   numpages =     "10",
2095   year =         "1997",
2096   month =        oct,
2097   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2098   publisher =    "American Physical Society",
2099   notes =        "second si edip",
2100 }
2101
2102 @Article{justo98,
2103   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2104                  disordered phases",
2105   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2106                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2107   journal =      "Phys. Rev. B",
2108   volume =       "58",
2109   number =       "5",
2110   pages =        "2539--2550",
2111   numpages =     "11",
2112   year =         "1998",
2113   month =        aug,
2114   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2115   publisher =    "American Physical Society",
2116   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2117 }
2118
2119 @Article{parcas_md,
2120   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2121   author =       "K. Nordlund",
2122   year =         "2008",
2123 }
2124
2125 @Article{voter97,
2126   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2127                  Infrequent Events",
2128   author =       "Arthur F. Voter",
2129   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2130   volume =       "78",
2131   number =       "20",
2132   pages =        "3908--3911",
2133   numpages =     "3",
2134   year =         "1997",
2135   month =        may,
2136   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2137   publisher =    "American Physical Society",
2138   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2139 }
2140
2141 @Article{voter97_2,
2142   author =       "Arthur F. Voter",
2143   collaboration = "",
2144   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2145                  simulation of infrequent events",
2146   publisher =    "AIP",
2147   year =         "1997",
2148   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2149   volume =       "106",
2150   number =       "11",
2151   pages =        "4665--4677",
2152   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2153                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2154                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2155                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2156                  theory; potential energy surfaces",
2157   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2158   doi =          "10.1063/1.473503",
2159   notes =        "improved hyperdynamics md",
2160 }
2161
2162 @Article{sorensen2000,
2163   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2164   collaboration = "",
2165   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2166                  infrequent events",
2167   publisher =    "AIP",
2168   year =         "2000",
2169   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2170   volume =       "112",
2171   number =       "21",
2172   pages =        "9599--9606",
2173   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2174                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2175   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2176   doi =          "10.1063/1.481576",
2177   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2178 }
2179
2180 @Article{voter98,
2181   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2182                  events",
2183   author =       "Arthur F. Voter",
2184   journal =      "Phys. Rev. B",
2185   volume =       "57",
2186   number =       "22",
2187   pages =        "R13985--R13988",
2188   numpages =     "3",
2189   year =         "1998",
2190   month =        jun,
2191   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2192   publisher =    "American Physical Society",
2193   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2194 }
2195
2196 @Article{wu99,
2197   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2198   collaboration = "",
2199   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2200                  simulation",
2201   publisher =    "AIP",
2202   year =         "1999",
2203   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2204   volume =       "110",
2205   number =       "19",
2206   pages =        "9401--9410",
2207   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2208                  potential; crystallisation; liquid theory",
2209   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2210   doi =          "10.1063/1.478948",
2211   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2212                  systematic motion",
2213 }
2214
2215 @Article{choudhary05,
2216   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2217   collaboration = "",
2218   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2219                  to the production of amorphous silicon",
2220   publisher =    "AIP",
2221   year =         "2005",
2222   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2223   volume =       "122",
2224   number =       "15",
2225   eid =          "154509",
2226   numpages =     "8",
2227   pages =        "154509",
2228   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2229                  amorphous semiconductors",
2230   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2231   doi =          "10.1063/1.1878733",
2232   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2233                  silicon",
2234 }
2235
2236 @Article{taylor93,
2237   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2238   collaboration = "",
2239   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2240                  difficult?",
2241   publisher =    "AIP",
2242   year =         "1993",
2243   journal =      "Applied Physics Letters",
2244   volume =       "62",
2245   number =       "25",
2246   pages =        "3336--3338",
2247   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2248                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2249                  ENERGY",
2250   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2251   doi =          "10.1063/1.109063",
2252   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2253 }
2254
2255 @Article{chaussende08,
2256   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2257   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2258   volume =       "310",
2259   number =       "5",
2260   pages =        "976--981",
2261   year =         "2008",
2262   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2263                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2264   ISSN =         "0022-0248",
2265   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2266   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2267   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2268                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2269                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2270                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2271   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2272                  metastable",
2273 }
2274
2275 @Article{feynman39,
2276   title =        "Forces in Molecules",
2277   author =       "R. P. Feynman",
2278   journal =      "Phys. Rev.",
2279   volume =       "56",
2280   number =       "4",
2281   pages =        "340--343",
2282   numpages =     "3",
2283   year =         "1939",
2284   month =        aug,
2285   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2286   publisher =    "American Physical Society",
2287   notes =        "hellmann feynman forces",
2288 }
2289
2290 @Article{buczko00,
2291   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2292                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2293                  their Contrasting Properties",
2294   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2295                  T. Pantelides",
2296   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2297   volume =       "84",
2298   number =       "5",
2299   pages =        "943--946",
2300   numpages =     "3",
2301   year =         "2000",
2302   month =        jan,
2303   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2304   publisher =    "American Physical Society",
2305   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2306 }
2307
2308 @Article{djurabekova08,
2309   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2310                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2311   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2312   journal =      "Phys. Rev. B",
2313   volume =       "77",
2314   number =       "11",
2315   pages =        "115325",
2316   numpages =     "7",
2317   year =         "2008",
2318   month =        mar,
2319   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2320   publisher =    "American Physical Society",
2321   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2322                  angular distribution, coordination",
2323 }
2324
2325 @Article{wen09,
2326   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2327                  W. Liang and J. Zou",
2328   collaboration = "",
2329   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2330                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2331                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2332   publisher =    "AIP",
2333   year =         "2009",
2334   journal =      "Journal of Applied Physics",
2335   volume =       "106",
2336   number =       "7",
2337   eid =          "073522",
2338   numpages =     "8",
2339   pages =        "073522",
2340   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2341                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2342                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2343                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2344   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2345   doi =          "10.1063/1.3234380",
2346   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2347                  deconvolution, dislocation defects",
2348 }
2349
2350 @Article{kitabatake93,
2351   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2352                  Hirao",
2353   collaboration = "",
2354   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2355                  growth on Si(001) surface",
2356   publisher =    "AIP",
2357   year =         "1993",
2358   journal =      "Journal of Applied Physics",
2359   volume =       "74",
2360   number =       "7",
2361   pages =        "4438--4445",
2362   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2363                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2364                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2365   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2366   doi =          "10.1063/1.354385",
2367   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2368                  model, interface",
2369 }
2370
2371 @Article{chirita97,
2372   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2373                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2374                  dynamics study",
2375   journal =      "Thin Solid Films",
2376   volume =       "294",
2377   number =       "1-2",
2378   pages =        "47--49",
2379   year =         "1997",
2380   note =         "",
2381   ISSN =         "0040-6090",
2382   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2383   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2384   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2385   keywords =     "Strain relaxation",
2386   keywords =     "Interfaces",
2387   keywords =     "Thermal stability",
2388   keywords =     "Molecular dynamics",
2389   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2390 }
2391
2392 @Article{cicero02,
2393   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2394                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2395   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2396                  Catellani",
2397   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2398   volume =       "89",
2399   number =       "15",
2400   pages =        "156101",
2401   numpages =     "4",
2402   year =         "2002",
2403   month =        sep,
2404   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2405   publisher =    "American Physical Society",
2406   notes =        "sic/si interface study",
2407 }
2408
2409 @Article{pizzagalli03,
2410   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2411                  interface: Si{C}/Si(001)",
2412   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2413                  Catellani",
2414   journal =      "Phys. Rev. B",
2415   volume =       "68",
2416   number =       "19",
2417   pages =        "195302",
2418   numpages =     "10",
2419   year =         "2003",
2420   month =        nov,
2421   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2422   publisher =    "American Physical Society",
2423   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2424 }
2425
2426 @Article{tang07,
2427   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2428                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2429                  electron microscopy",
2430   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2431                  H. Zheng and J. W. Liang",
2432   journal =      "Phys. Rev. B",
2433   volume =       "75",
2434   number =       "18",
2435   pages =        "184103",
2436   numpages =     "7",
2437   year =         "2007",
2438   month =        may,
2439   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2440   publisher =    "American Physical Society",
2441   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2442                  si and c",
2443 }
2444
2445 @Article{hornstra58,
2446   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2447   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2448   volume =       "5",
2449   number =       "1-2",
2450   pages =        "129--141",
2451   year =         "1958",
2452   note =         "",
2453   ISSN =         "0022-3697",
2454   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2455   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2456   author =       "J. Hornstra",
2457   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2458 }
2459
2460 @Article{eichhorn99,
2461   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2462                  K{\"{o}}gler",
2463   collaboration = "",
2464   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2465                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2466                  synchrotron x-ray diffraction",
2467   publisher =    "AIP",
2468   year =         "1999",
2469   journal =      "Journal of Applied Physics",
2470   volume =       "86",
2471   number =       "8",
2472   pages =        "4184--4187",
2473   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2474                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2475                  precipitation; semiconductor doping",
2476   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2477   doi =          "10.1063/1.371344",
2478   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2479                  expansion of si lattice",
2480 }
2481
2482 @Article{eichhorn02,
2483   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2484                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2485   collaboration = "",
2486   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2487                  carbon ion implantation",
2488   publisher =    "AIP",
2489   year =         "2002",
2490   journal =      "Journal of Applied Physics",
2491   volume =       "91",
2492   number =       "3",
2493   pages =        "1287--1292",
2494   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2495                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2496                  electron microscopy",
2497   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2498   doi =          "10.1063/1.1428105",
2499   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2500                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2501 }
2502
2503 @Article{lucas10,
2504   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2505   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2506                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2507                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2508                  amorphous structures",
2509   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2510   volume =       "22",
2511   number =       "3",
2512   pages =        "035802",
2513   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2514   year =         "2010",
2515   notes =        "edip sic",
2516 }
2517
2518 @Article{godet03,
2519   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2520                  Beauchamp",
2521   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2522                  methods for silicon under large shear",
2523   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2524   volume =       "15",
2525   number =       "41",
2526   pages =        "6943",
2527   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2528   year =         "2003",
2529   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2530                  edip, tersoff, ab initio",
2531 }
2532
2533 @Article{moriguchi98,
2534   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2535                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2536   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2537   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2538   volume =       "37",
2539   number =       "Part 1, No. 2",
2540   pages =        "414--422",
2541   numpages =     "8",
2542   year =         "1998",
2543   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2544   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2545   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2546   notes =        "tersoff stringent test",
2547 }
2548
2549 @Article{mazzarolo01,
2550   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2551                  simulations",
2552   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2553                  Lulli and Eros Albertazzi",
2554   journal =      "Phys. Rev. B",
2555   volume =       "63",
2556   number =       "19",
2557   pages =        "195207",
2558   numpages =     "4",
2559   year =         "2001",
2560   month =        apr,
2561   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2562   publisher =    "American Physical Society",
2563 }
2564
2565 @Article{holmstroem08,
2566   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2567                  density functional theory molecular dynamics
2568                  simulations",
2569   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2570   journal =      "Phys. Rev. B",
2571   volume =       "78",
2572   number =       "4",
2573   pages =        "045202",
2574   numpages =     "6",
2575   year =         "2008",
2576   month =        jul,
2577   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2578   publisher =    "American Physical Society",
2579   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2580                  initio",
2581 }
2582
2583 @Article{nordlund97,
2584   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2585                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2586   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2587                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2588   volume =       "132",
2589   number =       "1",
2590   pages =        "45--54",
2591   year =         "1997",
2592   note =         "",
2593   ISSN =         "0168-583X",
2594   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2595   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2596   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2597   notes =        "repulsive ab initio potential",
2598 }
2599
2600 @Article{kresse96,
2601   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2602                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2603                  set",
2604   journal =      "Computational Materials Science",
2605   volume =       "6",
2606   number =       "1",
2607   pages =        "15--50",
2608   year =         "1996",
2609   note =         "",
2610   ISSN =         "0927-0256",
2611   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2612   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2613   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2614   notes =        "vasp ref",
2615 }
2616
2617 @Article{bloechl94,
2618   title =        "Projector augmented-wave method",
2619   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2620   journal =      "Phys. Rev. B",
2621   volume =       "50",
2622   number =       "24",
2623   pages =        "17953--17979",
2624   numpages =     "26",
2625   year =         "1994",
2626   month =        dec,
2627   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2628   publisher =    "American Physical Society",
2629   notes =        "paw method",
2630 }
2631
2632 @Article{hamann79,
2633   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2634   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2635   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2636   volume =       "43",
2637   number =       "20",
2638   pages =        "1494--1497",
2639   numpages =     "3",
2640   year =         "1979",
2641   month =        nov,
2642   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2643   publisher =    "American Physical Society",
2644   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2645 }
2646
2647 @Article{vanderbilt90,
2648   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2649                  eigenvalue formalism",
2650   author =       "David Vanderbilt",
2651   journal =      "Phys. Rev. B",
2652   volume =       "41",
2653   number =       "11",
2654   pages =        "7892--7895",
2655   numpages =     "3",
2656   year =         "1990",
2657   month =        apr,
2658   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2659   publisher =    "American Physical Society",
2660   notes =        "vasp pseudopotentials",
2661 }
2662
2663 @Article{perdew86,
2664   title =        "Accurate and simple density functional for the
2665                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2666                  approximation",
2667   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2668   journal =      "Phys. Rev. B",
2669   volume =       "33",
2670   number =       "12",
2671   pages =        "8800--8802",
2672   numpages =     "2",
2673   year =         "1986",
2674   month =        jun,
2675   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2676   publisher =    "American Physical Society",
2677   notes =        "rapid communication gga",
2678 }
2679
2680 @Article{perdew02,
2681   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2682                  correlation: {A} look backward and forward",
2683   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2684   volume =       "172",
2685   number =       "1-2",
2686   pages =        "1--6",
2687   year =         "1991",
2688   note =         "",
2689   ISSN =         "0921-4526",
2690   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2691   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2692   author =       "John P. Perdew",
2693   notes =        "gga overview",
2694 }
2695
2696 @Article{perdew92,
2697   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2698                  of the generalized gradient approximation for exchange
2699                  and correlation",
2700   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2701                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2702                  and Carlos Fiolhais",
2703   journal =      "Phys. Rev. B",
2704   volume =       "46",
2705   number =       "11",
2706   pages =        "6671--6687",
2707   numpages =     "16",
2708   year =         "1992",
2709   month =        sep,
2710   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2711   publisher =    "American Physical Society",
2712   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2713 }
2714
2715 @Article{baldereschi73,
2716   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2717   author =       "A. Baldereschi",
2718   journal =      "Phys. Rev. B",
2719   volume =       "7",
2720   number =       "12",
2721   pages =        "5212--5215",
2722   numpages =     "3",
2723   year =         "1973",
2724   month =        jun,
2725   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2726   publisher =    "American Physical Society",
2727   notes =        "mean value k point",
2728 }
2729
2730 @Article{zhu98,
2731   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2732                  diffusion in Si",
2733   journal =      "Computational Materials Science",
2734   volume =       "12",
2735   number =       "4",
2736   pages =        "309--318",
2737   year =         "1998",
2738   note =         "",
2739   ISSN =         "0927-0256",
2740   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2741   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2742   author =       "Jing Zhu",
2743   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2744   keywords =     "Boron dopant",
2745   keywords =     "Carbon dopant",
2746   keywords =     "Defect",
2747   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2748   keywords =     "Impurity cluster",
2749   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2750 }
2751
2752 @Article{nejim95,
2753   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2754   collaboration = "",
2755   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2756                  950 [degree]{C}",
2757   publisher =    "AIP",
2758   year =         "1995",
2759   journal =      "Applied Physics Letters",
2760   volume =       "66",
2761   number =       "20",
2762   pages =        "2646--2648",
2763   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2764                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2765                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2766                  ELECTRON MICROSCOPY",
2767   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2768   doi =          "10.1063/1.113112",
2769   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2770                  self interstitials react with further implanted c",
2771 }
2772
2773 @Article{guedj98,
2774   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2775                  Kolodzey and A. Hairie",
2776   collaboration = "",
2777   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2778                  alloys",
2779   publisher =    "AIP",
2780   year =         "1998",
2781   journal =      "Journal of Applied Physics",
2782   volume =       "84",
2783   number =       "8",
2784   pages =        "4631--4633",
2785   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2786                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2787                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2788                  annealing",
2789   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2790   doi =          "10.1063/1.368703",
2791   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2792 }
2793
2794 @Article{jones04,
2795   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2796   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2797                  semiconductors",
2798   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2799   volume =       "16",
2800   number =       "27",
2801   pages =        "S2643",
2802   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2803   year =         "2004",
2804   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2805 }
2806
2807 @Article{park02,
2808   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2809                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2810                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2811   collaboration = "",
2812   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2813                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2814                  molecular-beam epitaxy",
2815   publisher =    "AIP",
2816   year =         "2002",
2817   journal =      "Journal of Applied Physics",
2818   volume =       "91",
2819   number =       "9",
2820   pages =        "5716--5727",
2821   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2822   doi =          "10.1063/1.1465122",
2823   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2824 }
2825
2826 @Article{leary97,
2827   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2828                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2829   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2830                  Torres",
2831   journal =      "Phys. Rev. B",
2832   volume =       "55",
2833   number =       "4",
2834   pages =        "2188--2194",
2835   numpages =     "6",
2836   year =         "1997",
2837   month =        jan,
2838   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2839   publisher =    "American Physical Society",
2840   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2841                  energies, different migration barriers and paths",
2842 }
2843
2844 @Article{burnard93,
2845   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2846                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2847                  calculations",
2848   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2849   journal =      "Phys. Rev. B",
2850   volume =       "47",
2851   number =       "16",
2852   pages =        "10217--10225",
2853   numpages =     "8",
2854   year =         "1993",
2855   month =        apr,
2856   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2857   publisher =    "American Physical Society",
2858   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2859                  carbon defect, formation energies",
2860 }
2861
2862 @Article{besson91,
2863   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
2864                  silicon",
2865   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
2866   journal =      "Phys. Rev. B",
2867   volume =       "43",
2868   number =       "5",
2869   pages =        "4028--4033",
2870   numpages =     "5",
2871   year =         "1991",
2872   month =        feb,
2873   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
2874   publisher =    "American Physical Society",
2875 }
2876
2877 @Article{kaxiras96,
2878   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2879                  and growth on semiconductors",
2880   journal =      "Computational Materials Science",
2881   volume =       "6",
2882   number =       "2",
2883   pages =        "158--172",
2884   year =         "1996",
2885   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2886                  Epitaxy",
2887   ISSN =         "0927-0256",
2888   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2889   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2890   author =       "Efthimios Kaxiras",
2891   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2892                  tight binding, first principles",
2893 }
2894
2895 @Article{kaukonen98,
2896   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2897                  diamond
2898                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2899                  surfaces",
2900   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2901                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2902                  Th. Frauenheim",
2903   journal =      "Phys. Rev. B",
2904   volume =       "57",
2905   number =       "16",
2906   pages =        "9965--9970",
2907   numpages =     "5",
2908   year =         "1998",
2909   month =        apr,
2910   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2911   publisher =    "American Physical Society",
2912   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2913                  (crt)",
2914 }
2915
2916 @Article{gali03,
2917   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2918                  center in Si{C}",
2919   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2920                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2921                  W. J. Choyke",
2922   journal =      "Phys. Rev. B",
2923   volume =       "67",
2924   number =       "15",
2925   pages =        "155203",
2926   numpages =     "5",
2927   year =         "2003",
2928   month =        apr,
2929   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2930   publisher =    "American Physical Society",
2931 }
2932
2933 @Article{chen98,
2934   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2935                  irradiation and deformation",
2936   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2937   volume =       "258-263",
2938   number =       "Part 2",
2939   pages =        "1803--1808",
2940   year =         "1998",
2941   note =         "",
2942   ISSN =         "0022-3115",
2943   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2944   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2945   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2946 }
2947
2948 @Article{weber01,
2949   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2950                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2951   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2952                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2953   volume =       "175-177",
2954   number =       "",
2955   pages =        "26--30",
2956   year =         "2001",
2957   note =         "",
2958   ISSN =         "0168-583X",
2959   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2961   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2962   keywords =     "Amorphization",
2963   keywords =     "Irradiation effects",
2964   keywords =     "Thermal recovery",
2965   keywords =     "Silicon carbide",
2966 }
2967
2968 @Article{bockstedte03,
2969   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2970                  in $3{C}-Si{C}$",
2971   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2972                  Pankratov",
2973   journal =      "Phys. Rev. B",
2974   volume =       "68",
2975   number =       "20",
2976   pages =        "205201",
2977   numpages =     "17",
2978   year =         "2003",
2979   month =        nov,
2980   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2981   publisher =    "American Physical Society",
2982   notes =        "defect migration in sic",
2983 }
2984
2985 @Article{rauls03a,
2986   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2987                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2988   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2989                  De\'ak",
2990   journal =      "Phys. Rev. B",
2991   volume =       "68",
2992   number =       "15",
2993   pages =        "155208",
2994   numpages =     "9",
2995   year =         "2003",
2996   month =        oct,
2997   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2998   publisher =    "American Physical Society",
2999 }