bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   year =         "1997",
 140   volume =       "22",
 141   number =       "3",
 142   pages =        "19--22",
 143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
 144 }
 145
 146 @Article{capano97_old,
 147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 149   journal =      "MRS Bull.",
 150   volume =       "22",
 151   pages =        "19",
 152   year =         "1997",
 153 }
 154
 155 @Article{fischer90,
 156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 158                  carbide",
 159   journal =      "Philos. Mag. B",
 160   volume =       "61",
 161   pages =        "217--236",
 162   year =         "1990",
 163   notes =        "sic polytypes",
 164 }
 165
 166 @Article{koegler03,
 167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 172                  ions",
 173   journal =      "Appl. Phys. A",
 174   volume =       "76",
 175   pages =        "827--835",
 176   month =        mar,
 177   year =         "2003",
 178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 180                  precipitation by interstitial and substitutional
 181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 182 }
 183
 184 @Article{skorupa96,
 185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 186                  silicon-related materials",
 187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 188   volume =       "44",
 189   number =       "2",
 190   pages =        "101--143",
 191   year =         "1996",
 192   note =         "",
 193   ISSN =         "0254-0584",
 194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 197   notes =        "review of silicon carbon compound",
 198 }
 199
 200 @Book{laplace,
 201   author =       "P. S. de Laplace",
 202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 204   volume =       "VII",
 205   publisher =    "Gauthier-Villars",
 206   year =         "1820",
 207 }
 208
 209 @Article{mattoni2007,
 210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 212                  materials}",
 213   journal =      "Phys. Rev. B",
 214   year =         "2007",
 215   month =        dec,
 216   volume =       "76",
 217   number =       "22",
 218   pages =        "224103",
 219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 222                  fracture, more available potentials, universal energy
 223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 224 }
 225
 226 @Article{balamane92,
 227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 228                  potentials",
 229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 230   journal =      "Phys. Rev. B",
 231   volume =       "46",
 232   number =       "4",
 233   pages =        "2250--2279",
 234   numpages =     "29",
 235   year =         "1992",
 236   month =        jul,
 237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 238   publisher =    "American Physical Society",
 239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 240 }
 241
 242 @Article{koster2002,
 243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 244                  bombardment",
 245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 246   journal =      "Phys. Rev. B",
 247   volume =       "62",
 248   number =       "16",
 249   pages =        "11219--11224",
 250   numpages =     "5",
 251   year =         "2000",
 252   month =        oct,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 256 }
 257
 258 @Article{breadmore99,
 259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 260                  amorphization of silicon",
 261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "60",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "12610--12616",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1999",
 268   month =        nov,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 272 }
 273
 274 @Article{nielsen83,
 275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 278   volume =       "50",
 279   number =       "9",
 280   pages =        "697--700",
 281   numpages =     "3",
 282   year =         "1983",
 283   month =        feb,
 284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 285   publisher =    "American Physical Society",
 286   notes =        "generalization of virial theorem",
 287 }
 288
 289 @Article{nielsen85,
 290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 292   journal =      "Phys. Rev. B",
 293   volume =       "32",
 294   number =       "6",
 295   pages =        "3780--3791",
 296   numpages =     "11",
 297   year =         "1985",
 298   month =        sep,
 299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 300   publisher =    "American Physical Society",
 301   notes =        "dft virial stress and forces",
 302 }
 303
 304 @Article{moissan04,
 305   author =       "Henri Moissan",
 306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 307                  Diablo",
 308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 309   volume =       "139",
 310   pages =        "773--786",
 311   year =         "1904",
 312 }
 313
 314 @Book{park98,
 315   author =       "Y. S. Park",
 316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 317   publisher =    "Academic Press",
 318   address =      "San Diego",
 319   year =         "1998",
 320 }
 321
 322 @Article{tsvetkov98,
 323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 327   volume =       "264-268",
 328   pages =        "3--8",
 329   year =         "1998",
 330   notes =        "modified lely process, micropipes",
 331 }
 332
 333 @Article{verlet67,
 334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 336   author =       "Loup Verlet",
 337   journal =      "Phys. Rev.",
 338   volume =       "159",
 339   number =       "1",
 340   pages =        "98",
 341   year =         "1967",
 342   month =        jul,
 343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 344   publisher =    "American Physical Society",
 345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 346                  motion",
 347 }
 348
 349 @Article{berendsen84,
 350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 352   collaboration = "",
 353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 354   publisher =    "AIP",
 355   year =         "1984",
 356   journal =      "J. Chem. Phys.",
 357   volume =       "81",
 358   number =       "8",
 359   pages =        "3684--3690",
 360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 363   doi =          "10.1063/1.448118",
 364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 365 }
 366
 367 @Article{huang95,
 368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 369                  Baskes",
 370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 372                  potentials",
 373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 374   volume =       "3",
 375   number =       "5",
 376   pages =        "615--627",
 377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 380   year =         "1995",
 381 }
 382
 383 @Article{brenner89,
 384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 385                  Tersoff potentials",
 386   author =       "Donald W. Brenner",
 387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 388   volume =       "63",
 389   number =       "9",
 390   pages =        "1022",
 391   numpages =     "1",
 392   year =         "1989",
 393   month =        aug,
 394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 395   publisher =    "American Physical Society",
 396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 397 }
 398
 399 @Article{batra87,
 400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 401                  silicon",
 402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 403   journal =      "Phys. Rev. B",
 404   volume =       "35",
 405   number =       "18",
 406   pages =        "9552--9558",
 407   numpages =     "6",
 408   year =         "1987",
 409   month =        jun,
 410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 411   publisher =    "American Physical Society",
 412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 413                  calculation of defect formation energy, defect
 414                  interstitial types",
 415 }
 416
 417 @Article{schober89,
 418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 419   author =       "H. R. Schober",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "39",
 422   number =       "17",
 423   pages =        "13013--13015",
 424   numpages =     "2",
 425   year =         "1989",
 426   month =        jun,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 430                  dumbbell configuration",
 431 }
 432
 433 @Article{gao02a,
 434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 435                  Defect accumulation, topological features, and
 436                  disordering",
 437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 438   journal =      "Phys. Rev. B",
 439   volume =       "66",
 440   number =       "2",
 441   pages =        "024106",
 442   numpages =     "10",
 443   year =         "2002",
 444   month =        jul,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 449                  result analyze",
 450 }
 451
 452 @Article{devanathan98,
 453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 454                  cascade in Si{C}",
 455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 456   volume =       "141",
 457   number =       "1-4",
 458   pages =        "118--122",
 459   year =         "1998",
 460   ISSN =         "0168-583X",
 461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 463                  Rubia",
 464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 465                  3c-sic",
 466 }
 467
 468 @Article{devanathan98_2,
 469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 471   volume =       "253",
 472   number =       "1-3",
 473   pages =        "47--52",
 474   year =         "1998",
 475   ISSN =         "0022-3115",
 476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 478                  Weber",
 479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 480                  tersoff",
 481 }
 482
 483 @Article{kitabatake00,
 484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 485   author =       "M. Kitabatake",
 486   journal =      "Thin Solid Films",
 487   volume =       "369",
 488   pages =        "257--264",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2000",
 491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 492 }
 493
 494 @Article{tang97,
 495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 498                  formation volumes",
 499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 500                  Rubia",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "55",
 503   number =       "21",
 504   pages =        "14279--14289",
 505   numpages =     "10",
 506   year =         "1997",
 507   month =        jun,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 511 }
 512
 513 @Article{johnson98,
 514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 515                  Rubia",
 516   collaboration = "",
 517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 519                  presence of carbon and boron",
 520   publisher =    "AIP",
 521   year =         "1998",
 522   journal =      "J. Appl. Phys.",
 523   volume =       "84",
 524   number =       "4",
 525   pages =        "1963--1967",
 526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 528                  semiconductors; self-diffusion",
 529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 530   doi =          "10.1063/1.368328",
 531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 532                  diffsuion",
 533 }
 534
 535 @Article{bar-yam84,
 536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 537                  Self-Interstitial",
 538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 540   volume =       "52",
 541   number =       "13",
 542   pages =        "1129--1132",
 543   numpages =     "3",
 544   year =         "1984",
 545   month =        mar,
 546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 547   publisher =    "American Physical Society",
 548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 549 }
 550
 551 @Article{bar-yam84_2,
 552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 553                  barriers of silicon self-interstitials",
 554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 555   journal =      "Phys. Rev. B",
 556   volume =       "30",
 557   number =       "4",
 558   pages =        "1844--1852",
 559   numpages =     "8",
 560   year =         "1984",
 561   month =        aug,
 562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 563   publisher =    "American Physical Society",
 564 }
 565
 566 @Article{bloechl93,
 567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 568                  constants in silicon",
 569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 572   volume =       "70",
 573   number =       "16",
 574   pages =        "2435--2438",
 575   numpages =     "3",
 576   year =         "1993",
 577   month =        apr,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 581                  entropy calculations",
 582 }
 583
 584 @Article{munro99,
 585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 587   journal =      "Phys. Rev. B",
 588   volume =       "59",
 589   number =       "6",
 590   pages =        "3969--3980",
 591   numpages =     "11",
 592   year =         "1999",
 593   month =        feb,
 594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 595   publisher =    "American Physical Society",
 596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 597                  defect migration mechanisms",
 598 }
 599
 600 @Article{colombo02,
 601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 602                  silicon",
 603   author =       "L. Colombo",
 604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 605   volume =       "32",
 606   pages =        "271--295",
 607   numpages =     "25",
 608   year =         "2002",
 609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 610   publisher =    "Annual Reviews",
 611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 612 }
 613
 614 @Article{al-mushadani03,
 615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 616                  silicon",
 617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 618   journal =      "Phys. Rev. B",
 619   volume =       "68",
 620   number =       "23",
 621   pages =        "235205",
 622   numpages =     "8",
 623   year =         "2003",
 624   month =        dec,
 625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 626   publisher =    "American Physical Society",
 627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 628                  silicon, si self interstitials, free energy",
 629 }
 630
 631 @Article{mattsson08,
 632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 633                  formation energy",
 634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 635                  Armiento",
 636   journal =      "Phys. Rev. B",
 637   volume =       "77",
 638   number =       "15",
 639   pages =        "155211",
 640   numpages =     "7",
 641   year =         "2008",
 642   month =        apr,
 643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 644   publisher =    "American Physical Society",
 645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 646 }
 647
 648 @Article{goedecker02,
 649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 652   volume =       "88",
 653   number =       "23",
 654   pages =        "235501",
 655   numpages =     "4",
 656   year =         "2002",
 657   month =        may,
 658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 659   publisher =    "American Physical Society",
 660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 661                  silicon",
 662 }
 663
 664 @Article{sahli05,
 665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 666                  self-interstitial diffusion in silicon",
 667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 668   journal =      "Phys. Rev. B",
 669   volume =       "72",
 670   number =       "24",
 671   pages =        "245210",
 672   numpages =     "6",
 673   year =         "2005",
 674   month =        dec,
 675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 676   publisher =    "American Physical Society",
 677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 678                  mapping applied",
 679 }
 680
 681 @Article{hobler05,
 682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 683                  native point defects in silicon",
 684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 685   volume =       "124-125",
 686   number =       "",
 687   pages =        "368--371",
 688   year =         "2005",
 689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 690                  Issues for Future Technologies",
 691   ISSN =         "0921-5107",
 692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 696                  radius",
 697 }
 698
 699 @Article{ma10,
 700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 701                  wide temperature range: Point defect states and
 702                  migration mechanisms",
 703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 704   journal =      "Phys. Rev. B",
 705   volume =       "81",
 706   number =       "19",
 707   pages =        "193203",
 708   numpages =     "4",
 709   year =         "2010",
 710   month =        may,
 711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 712   publisher =    "American Physical Society",
 713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 714 }
 715
 716 @Article{posselt06,
 717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 720   journal =      "Phys. Rev. B",
 721   volume =       "73",
 722   number =       "12",
 723   pages =        "125206",
 724   numpages =     "8",
 725   year =         "2006",
 726   month =        mar,
 727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 728   publisher =    "American Physical Society",
 729 }
 730
 731 @Article{posselt08,
 732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 733                  migration mechanisms of vacancies and
 734                  self-interstitials: An atomistic study",
 735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "78",
 738   number =       "3",
 739   pages =        "035208",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "2008",
 742   month =        jul,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 746                  weber and tersoff",
 747 }
 748
 749 @Article{gao2001,
 750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 753                  Corrales",
 754   journal =      "Phys. Rev. B",
 755   volume =       "64",
 756   number =       "24",
 757   pages =        "245208",
 758   numpages =     "7",
 759   year =         "2001",
 760   month =        dec,
 761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 762   publisher =    "American Physical Society",
 763   notes =        "defects in 3c-sic",
 764 }
 765
 766 @Article{gao02,
 767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 768                  3{C}-Si{C}",
 769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 770   volume =       "191",
 771   number =       "1-4",
 772   pages =        "487--496",
 773   year =         "2002",
 774   note =         "",
 775   ISSN =         "0168-583X",
 776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 779   keywords =     "Empirical potential",
 780   keywords =     "Defect properties",
 781   keywords =     "Silicon carbide",
 782   keywords =     "Computer simulation",
 783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 784 }
 785
 786 @Article{gao04,
 787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 788                  3{C}-Si{C}",
 789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 790                  Belko",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "69",
 793   number =       "24",
 794   pages =        "245205",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2004",
 797   month =        jun,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "defect migration in sic",
 801 }
 802
 803 @Article{gao07,
 804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 805                  W. J. Weber",
 806   collaboration = "",
 807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 808                  in cubic silicon carbide",
 809   publisher =    "AIP",
 810   year =         "2007",
 811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 812   volume =       "90",
 813   number =       "22",
 814   eid =          "221915",
 815   numpages =     "3",
 816   pages =        "221915",
 817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 819                  dynamics method; density functional theory;
 820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 821                  impurities; diffusion",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 823   doi =          "10.1063/1.2743751",
 824 }
 825
 826 @Article{mattoni2002,
 827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 828                  crystalline silicon",
 829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 830   journal =      "Phys. Rev. B",
 831   volume =       "66",
 832   number =       "19",
 833   pages =        "195214",
 834   numpages =     "6",
 835   year =         "2002",
 836   month =        nov,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 841                  tersoff suitability",
 842 }
 843
 844 @Article{leung99,
 845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 847                  Itoh and S. Ihara",
 848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 849   volume =       "83",
 850   number =       "12",
 851   pages =        "2351--2354",
 852   numpages =     "3",
 853   year =         "1999",
 854   month =        sep,
 855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 856   publisher =    "American Physical Society",
 857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 858                  refs",
 859 }
 860
 861 @Article{capaz94,
 862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 863                  carbon in silicon",
 864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 865   journal =      "Phys. Rev. B",
 866   volume =       "50",
 867   number =       "11",
 868   pages =        "7439--7442",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1994",
 871   month =        sep,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 875                  dumbbell",
 876 }
 877
 878 @Article{capaz98,
 879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 881   journal =      "Phys. Rev. B",
 882   volume =       "58",
 883   number =       "15",
 884   pages =        "9845--9850",
 885   numpages =     "5",
 886   year =         "1998",
 887   month =        oct,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 891 }
 892
 893 @Article{song90_2,
 894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 895                  pair in silicon",
 896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 897                  Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5765--5783",
 902   numpages =     "18",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 908 }
 909
 910 @Article{liu02,
 911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 915                  interactions in Si",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "2002",
 918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 919   volume =       "80",
 920   number =       "1",
 921   pages =        "52--54",
 922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 926   doi =          "10.1063/1.1430505",
 927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 928 }
 929
 930 @Article{dal_pino93,
 931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 932                  silicon",
 933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 934                  Joannopoulos",
 935   journal =      "Phys. Rev. B",
 936   volume =       "47",
 937   number =       "19",
 938   pages =        "12554--12557",
 939   numpages =     "3",
 940   year =         "1993",
 941   month =        may,
 942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 943   publisher =    "American Physical Society",
 944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 945 }
 946
 947 @Article{car84,
 948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 949                  Silicon",
 950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 951                  Sokrates T. Pantelides",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "52",
 954   number =       "20",
 955   pages =        "1814--1817",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1984",
 958   month =        may,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 962                  path formation",
 963 }
 964
 965 @Article{car85,
 966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 967                  Density-Functional Theory",
 968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 970   volume =       "55",
 971   number =       "22",
 972   pages =        "2471--2474",
 973   numpages =     "3",
 974   year =         "1985",
 975   month =        nov,
 976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 977   publisher =    "American Physical Society",
 978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 979 }
 980
 981 @Article{kelires97,
 982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 984   author =       "P. C. Kelires",
 985   journal =      "Phys. Rev. B",
 986   volume =       "55",
 987   number =       "14",
 988   pages =        "8784--8787",
 989   numpages =     "3",
 990   year =         "1997",
 991   month =        apr,
 992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 993   publisher =    "American Physical Society",
 994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 995                  neighbour dist",
 996 }
 997
 998 @Article{kelires95,
 999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   journal =      "Phys. Rev. B",
1539   month =        aug,
1540   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1541   publisher =    "American Physical Society",
1542   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1543                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1544   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1545                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1546                  silicon",
1547   year =         "2011",
1548   pages =        "064126",
1549   numpages =     "18",
1550   volume =       "84",
1551   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1552   issue =        "6",
1553   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1554                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1555                  potential and first-principles methods are presented.
1556                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1557                  understanding of the precipitation mechanism in the
1558                  context of controversial discussions in the literature.
1559                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1560                  assumed in the precipitation process are calculated in
1561                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1562                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1563                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1564                  are investigated using density functional theory
1565                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1566                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1567                  as well as a silicon self-interstitial has been
1568                  investigated systematically. Interactions of various
1569                  combinations of defects have been characterized
1570                  including a couple of selected migration pathways
1571                  within these configurations. Almost all of the
1572                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1573                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1574                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1575                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1576                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1577                  radius has been observed for pairs of interstitial
1578                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1579                  rather small capture radius is predicted for
1580                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1581                  Initial assumptions regarding the precipitation
1582                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1583                  established and conformability to experimental findings
1584                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1585                  first-principles calculations on defects and carbon
1586                  diffusion in silicon are compared to results of
1587                  classical potential simulations revealing significant
1588                  limitations of the latter method. An approach to work
1589                  around this problem is proposed. Finally, results of
1590                  the classical potential molecular dynamics simulations
1591                  of large systems are examined, which reinforce previous
1592                  assumptions and give further insight into basic
1593                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1594 }
1595
1596 @Article{lindner95,
1597   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1598                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1599   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1600                  Layers in Silicon",
1601   journal =      "MRS Proc.",
1602   volume =       "354",
1603   number =       "",
1604   pages =        "171",
1605   year =         "1994",
1606   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1608   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1609   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1610 }
1611
1612 @Article{lindner96,
1613   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1614                  in silicon by ion beam synthesis",
1615   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1616   volume =       "46",
1617   number =       "2-3",
1618   pages =        "147--155",
1619   year =         "1996",
1620   note =         "",
1621   ISSN =         "0254-0584",
1622   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1623   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1624   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1625                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1626                  Stritzker",
1627   notes =        "dose window",
1628 }
1629
1630 @Article{calcagno96,
1631   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1632                  ion implantation",
1633   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1634   volume =       "120",
1635   number =       "1-4",
1636   pages =        "121--124",
1637   year =         "1996",
1638   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1639                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1640   ISSN =         "0168-583X",
1641   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1642   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1643   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1644                  Grimaldi and P. Musumeci",
1645   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1646 }
1647
1648 @Article{lindner98,
1649   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1650                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1651   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1652   volume =       "264-268",
1653   pages =        "215--218",
1654   year =         "1998",
1655   note =         "",
1656   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1657   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1658   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1659   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1660                  crystallinity",
1661 }
1662
1663 @Article{lindner99,
1664   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1665                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1666                  layers in silicon",
1667   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1668   volume =       "147",
1669   number =       "1-4",
1670   pages =        "249--255",
1671   year =         "1999",
1672   note =         "",
1673   ISSN =         "0168-583X",
1674   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1675   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1676   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1677   notes =        "two-step implantation process",
1678 }
1679
1680 @Article{lindner99_2,
1681   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1682                  in silicon",
1683   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1684   volume =       "148",
1685   number =       "1-4",
1686   pages =        "528--533",
1687   year =         "1999",
1688   ISSN =         "0168-583X",
1689   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1690   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1691   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1692   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1693 }
1694
1695 @Article{lindner01,
1696   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1697                  Basic physical processes",
1698   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1699   volume =       "178",
1700   number =       "1-4",
1701   pages =        "44--54",
1702   year =         "2001",
1703   note =         "",
1704   ISSN =         "0168-583X",
1705   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1706   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1707   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1708 }
1709
1710 @Article{lindner02,
1711   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1712                  fundamental studies for new technological tricks",
1713   author =       "J. K. N. Lindner",
1714   journal =      "Appl. Phys. A",
1715   volume =       "77",
1716   pages =        "27--38",
1717   year =         "2003",
1718   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1719   notes =        "ibs, burried sic layers",
1720 }
1721
1722 @Article{lindner06,
1723   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1724                  formation and displacive precipitate resolution in the
1725                  {C}-Si system",
1726   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1727   volume =       "26",
1728   number =       "5-7",
1729   pages =        "857--861",
1730   year =         "2006",
1731   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1732                  Applications",
1733   ISSN =         "0928-4931",
1734   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1735   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1736   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1737                  and B. Stritzker",
1738   notes =        "c int diffusion barrier",
1739 }
1740
1741 @Article{ito04,
1742   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1743                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1744                  growth",
1745   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1746   volume =       "238",
1747   number =       "1-4",
1748   pages =        "159--164",
1749   year =         "2004",
1750   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1751   ISSN =         "0169-4332",
1752   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1753   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1754   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1755                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1756   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1757 }
1758
1759 @Article{yamamoto04,
1760   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1761                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1762                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1763   journal =      "J. Cryst. Growth",
1764   volume =       "261",
1765   number =       "2-3",
1766   pages =        "266--270",
1767   year =         "2004",
1768   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1769                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1770   ISSN =         "0022-0248",
1771   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1772   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1773   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1774                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1775   notes =        "gan on 3c-sic",
1776 }
1777
1778 @Article{liu_l02,
1779   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1780   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1781   volume =       "37",
1782   number =       "3",
1783   pages =        "61--127",
1784   year =         "2002",
1785   note =         "",
1786   ISSN =         "0927-796X",
1787   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1789   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1790   notes =        "gan substrates",
1791 }
1792
1793 @Article{takeuchi91,
1794   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1795                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1796   journal =      "J. Cryst. Growth",
1797   volume =       "115",
1798   number =       "1-4",
1799   pages =        "634--638",
1800   year =         "1991",
1801   note =         "",
1802   ISSN =         "0022-0248",
1803   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1804   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1805   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1806                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1807   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1808 }
1809
1810 @Article{alder57,
1811   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1812   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1813   publisher =    "AIP",
1814   year =         "1957",
1815   journal =      "J. Chem. Phys.",
1816   volume =       "27",
1817   number =       "5",
1818   pages =        "1208--1209",
1819   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1820   doi =          "10.1063/1.1743957",
1821 }
1822
1823 @Article{alder59,
1824   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1825   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1826   publisher =    "AIP",
1827   year =         "1959",
1828   journal =      "J. Chem. Phys.",
1829   volume =       "31",
1830   number =       "2",
1831   pages =        "459--466",
1832   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1833   doi =          "10.1063/1.1730376",
1834 }
1835
1836 @Article{horsfield96,
1837   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1838   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1839                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1840   journal =      "Phys. Rev. B",
1841   volume =       "53",
1842   number =       "19",
1843   pages =        "12694--12712",
1844   numpages =     "18",
1845   year =         "1996",
1846   month =        may,
1847   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1848   publisher =    "American Physical Society",
1849 }
1850
1851 @Article{abell85,
1852   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1853                  and metallic bonding",
1854   author =       "G. C. Abell",
1855   journal =      "Phys. Rev. B",
1856   volume =       "31",
1857   number =       "10",
1858   pages =        "6184--6196",
1859   numpages =     "12",
1860   year =         "1985",
1861   month =        may,
1862   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1863   publisher =    "American Physical Society",
1864 }
1865
1866 @Article{tersoff_si1,
1867   title =        "New empirical model for the structural properties of
1868                  silicon",
1869   author =       "J. Tersoff",
1870   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1871   volume =       "56",
1872   number =       "6",
1873   pages =        "632--635",
1874   numpages =     "3",
1875   year =         "1986",
1876   month =        feb,
1877   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1878   publisher =    "American Physical Society",
1879 }
1880
1881 @Article{dodson87,
1882   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1883                  silicon",
1884   author =       "Brian W. Dodson",
1885   journal =      "Phys. Rev. B",
1886   volume =       "35",
1887   number =       "6",
1888   pages =        "2795--2798",
1889   numpages =     "3",
1890   year =         "1987",
1891   month =        feb,
1892   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1893   publisher =    "American Physical Society",
1894 }
1895
1896 @Article{tersoff_si2,
1897   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1898                  covalent systems",
1899   author =       "J. Tersoff",
1900   journal =      "Phys. Rev. B",
1901   volume =       "37",
1902   number =       "12",
1903   pages =        "6991--7000",
1904   numpages =     "9",
1905   year =         "1988",
1906   month =        apr,
1907   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1908   publisher =    "American Physical Society",
1909 }
1910
1911 @Article{tersoff_si3,
1912   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1913                  improved elastic properties",
1914   author =       "J. Tersoff",
1915   journal =      "Phys. Rev. B",
1916   volume =       "38",
1917   number =       "14",
1918   pages =        "9902--9905",
1919   numpages =     "3",
1920   year =         "1988",
1921   month =        nov,
1922   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1923   publisher =    "American Physical Society",
1924 }
1925
1926 @Article{tersoff_c,
1927   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1928                  Applications to Amorphous Carbon",
1929   author =       "J. Tersoff",
1930   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1931   volume =       "61",
1932   number =       "25",
1933   pages =        "2879--2882",
1934   numpages =     "3",
1935   year =         "1988",
1936   month =        dec,
1937   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1938   publisher =    "American Physical Society",
1939 }
1940
1941 @Article{tersoff_m,
1942   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1943                  for multicomponent systems",
1944   author =       "J. Tersoff",
1945   journal =      "Phys. Rev. B",
1946   volume =       "39",
1947   number =       "8",
1948   pages =        "5566--5568",
1949   numpages =     "2",
1950   year =         "1989",
1951   month =        mar,
1952   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1953   publisher =    "American Physical Society",
1954 }
1955
1956 @Article{tersoff90,
1957   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1958   author =       "J. Tersoff",
1959   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1960   volume =       "64",
1961   number =       "15",
1962   pages =        "1757--1760",
1963   numpages =     "3",
1964   year =         "1990",
1965   month =        apr,
1966   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1967   publisher =    "American Physical Society",
1968 }
1969
1970 @Article{fahey89,
1971   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1972   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1973   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1974   volume =       "61",
1975   number =       "2",
1976   pages =        "289--384",
1977   numpages =     "95",
1978   year =         "1989",
1979   month =        apr,
1980   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1981   publisher =    "American Physical Society",
1982 }
1983
1984 @Article{wesch96,
1985   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1986   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1987   volume =       "116",
1988   number =       "1-4",
1989   pages =        "305--321",
1990   year =         "1996",
1991   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1992   ISSN =         "0168-583X",
1993   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1994   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1995   author =       "W. Wesch",
1996 }
1997
1998 @Article{davis91,
1999   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2000                  Palmour and J. A. Edmond",
2001   journal =      "Proc. IEEE",
2002   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2003                  optoelectronic device fabrication and characterization
2004                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2005   year =         "1991",
2006   month =        may,
2007   volume =       "79",
2008   number =       "5",
2009   pages =        "677--701",
2010   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2011                  diode;SiC;dry etching;electrical
2012                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2013                  device fabrication;solid-state devices;surface
2014                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2015                  transistors;Schottky-barrier
2016                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2017                  transistors;insulated gate field effect
2018                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2019                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2020   doi =          "10.1109/5.90132",
2021   ISSN =         "0018-9219",
2022   notes =        "sic growth methods",
2023 }
2024
2025 @Article{morkoc94,
2026   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2027                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2028   collaboration = "",
2029   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2030                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2031   publisher =    "AIP",
2032   year =         "1994",
2033   journal =      "J. Appl. Phys.",
2034   volume =       "76",
2035   number =       "3",
2036   pages =        "1363--1398",
2037   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2038                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2039                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2040                  FILMS; INDUSTRY",
2041   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2042   doi =          "10.1063/1.358463",
2043   notes =        "sic intro, properties",
2044 }
2045
2046 @Article{foo,
2047   author =       "Noch Unbekannt",
2048   title =        "How to find references",
2049   journal =      "Journal of Applied References",
2050   year =         "2009",
2051   volume =       "77",
2052   pages =        "1--23",
2053 }
2054
2055 @Article{tang95,
2056   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2057                  \beta{}-Si{C}",
2058   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2059   journal =      "Phys. Rev. B",
2060   volume =       "52",
2061   number =       "21",
2062   pages =        "15150--15159",
2063   numpages =     "9",
2064   year =         "1995",
2065   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2066   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2067                  tersoff reparametrization",
2068   publisher =    "American Physical Society",
2069 }
2070
2071 @Article{sarro00,
2072   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2073   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2074   volume =       "82",
2075   number =       "1-3",
2076   pages =        "210--218",
2077   year =         "2000",
2078   ISSN =         "0924-4247",
2079   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2080   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2081   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2082   keywords =     "MEMS",
2083   keywords =     "Silicon carbide",
2084   keywords =     "Micromachining",
2085   keywords =     "Mechanical stress",
2086 }
2087
2088 @Article{casady96,
2089   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2090                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2091                  review",
2092   journal =      "Solid-State Electron.",
2093   volume =       "39",
2094   number =       "10",
2095   pages =        "1409--1422",
2096   year =         "1996",
2097   ISSN =         "0038-1101",
2098   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2099   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2100   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2101   notes =        "sic intro",
2102 }
2103
2104 @Article{giancarli98,
2105   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2106                  structural material in fusion power reactor blankets",
2107   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2108   volume =       "41",
2109   number =       "1-4",
2110   pages =        "165--171",
2111   year =         "1998",
2112   ISSN =         "0920-3796",
2113   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2114   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2115   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2116                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2117 }
2118
2119 @Article{pensl93,
2120   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2121   journal =      "Physica B",
2122   volume =       "185",
2123   number =       "1-4",
2124   pages =        "264--283",
2125   year =         "1993",
2126   ISSN =         "0921-4526",
2127   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2128   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2129   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2130 }
2131
2132 @Article{tairov78,
2133   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2134                  carbide single crystals",
2135   journal =      "J. Cryst. Growth",
2136   volume =       "43",
2137   number =       "2",
2138   pages =        "209--212",
2139   year =         "1978",
2140   notes =        "modified lely process",
2141   ISSN =         "0022-0248",
2142   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2143   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2144   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2145 }
2146
2147 @Article{tairov81,
2148   title =        "General principles of growing large-size single
2149                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2150   journal =      "J. Cryst. Growth",
2151   volume =       "52",
2152   number =       "Part 1",
2153   pages =        "146--150",
2154   year =         "1981",
2155   note =         "",
2156   ISSN =         "0022-0248",
2157   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2158   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2159   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2160 }
2161
2162 @Article{barrett91,
2163   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2164   journal =      "J. Cryst. Growth",
2165   volume =       "109",
2166   number =       "1-4",
2167   pages =        "17--23",
2168   year =         "1991",
2169   note =         "",
2170   ISSN =         "0022-0248",
2171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2173   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2174                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2175 }
2176
2177 @Article{barrett93,
2178   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2179   journal =      "J. Cryst. Growth",
2180   volume =       "128",
2181   number =       "1-4",
2182   pages =        "358--362",
2183   year =         "1993",
2184   note =         "",
2185   ISSN =         "0022-0248",
2186   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2187   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2188   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2189                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2190                  W. J. Choyke",
2191 }
2192
2193 @Article{stein93,
2194   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2195                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2196                  sublimation method",
2197   journal =      "J. Cryst. Growth",
2198   volume =       "131",
2199   number =       "1-2",
2200   pages =        "71--74",
2201   year =         "1993",
2202   note =         "",
2203   ISSN =         "0022-0248",
2204   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2205   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2206   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2207   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2208 }
2209
2210 @Article{nishino83,
2211   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2212                  Will",
2213   collaboration = "",
2214   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2215                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2216   publisher =    "AIP",
2217   year =         "1983",
2218   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2219   volume =       "42",
2220   number =       "5",
2221   pages =        "460--462",
2222   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2223                  monocrystals",
2224   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2225   doi =          "10.1063/1.93970",
2226   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2227 }
2228
2229 @Article{nishino87,
2230   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2231                  and Hiroyuki Matsunami",
2232   collaboration = "",
2233   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2234                  Si{C} on silicon",
2235   publisher =    "AIP",
2236   year =         "1987",
2237   journal =      "J. Appl. Phys.",
2238   volume =       "61",
2239   number =       "10",
2240   pages =        "4889--4893",
2241   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2242   doi =          "10.1063/1.338355",
2243   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2244                  carbonization",
2245 }
2246
2247 @Article{powell87,
2248   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2249                  Kuczmarski",
2250   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2251                  Single-Crystal Films on Si",
2252   publisher =    "ECS",
2253   year =         "1987",
2254   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2255   volume =       "134",
2256   number =       "6",
2257   pages =        "1558--1565",
2258   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2259                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2260   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2261   doi =          "10.1149/1.2100708",
2262   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2263 }
2264
2265 @Article{powell87_2,
2266   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2267                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2268   collaboration = "",
2269   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2270                  off-axis Si substrates",
2271   publisher =    "AIP",
2272   year =         "1987",
2273   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2274   volume =       "51",
2275   number =       "11",
2276   pages =        "823--825",
2277   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2278                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2279                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2280                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2281                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2282   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2283   doi =          "10.1063/1.98824",
2284   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2285 }
2286
2287 @Article{ueda90,
2288   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2289   journal =      "J. Cryst. Growth",
2290   volume =       "104",
2291   number =       "3",
2292   pages =        "695--700",
2293   year =         "1990",
2294   note =         "",
2295   ISSN =         "0022-0248",
2296   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2297   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2298   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2299                  Matsunami",
2300   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2301 }
2302
2303 @Article{kimoto93,
2304   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2305                  and Hiroyuki Matsunami",
2306   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2307                  epitaxy",
2308   publisher =    "AIP",
2309   year =         "1993",
2310   journal =      "J. Appl. Phys.",
2311   volume =       "73",
2312   number =       "2",
2313   pages =        "726--732",
2314   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2315                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2316                  VAPOR DEPOSITION",
2317   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2318   doi =          "10.1063/1.353329",
2319   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2320 }
2321
2322 @Article{powell90_2,
2323   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2324                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2325                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2326   collaboration = "",
2327   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2328                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2329   publisher =    "AIP",
2330   year =         "1990",
2331   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2332   volume =       "56",
2333   number =       "15",
2334   pages =        "1442--1444",
2335   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2336                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2337                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2338                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2339   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2340   doi =          "10.1063/1.102492",
2341   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2342 }
2343
2344 @Article{kong88_2,
2345   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2346   collaboration = "",
2347   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2348                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2349                  substrates",
2350   publisher =    "AIP",
2351   year =         "1988",
2352   journal =      "J. Appl. Phys.",
2353   volume =       "64",
2354   number =       "5",
2355   pages =        "2672--2679",
2356   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2357                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2358                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2359                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2360                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2361   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2362   doi =          "10.1063/1.341608",
2363 }
2364
2365 @Article{powell90,
2366   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2367                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2368                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2369   collaboration = "",
2370   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2371                  6{H}-Si{C} substrates",
2372   publisher =    "AIP",
2373   year =         "1990",
2374   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2375   volume =       "56",
2376   number =       "14",
2377   pages =        "1353--1355",
2378   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2379                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2380                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2381                  PHASE EPITAXY",
2382   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2383   doi =          "10.1063/1.102512",
2384   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2385 }
2386
2387 @Article{kong88,
2388   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2389                  Rozgonyi and K. L. More",
2390   collaboration = "",
2391   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2392                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2393                  substrates",
2394   publisher =    "AIP",
2395   year =         "1988",
2396   journal =      "J. Appl. Phys.",
2397   volume =       "63",
2398   number =       "8",
2399   pages =        "2645--2650",
2400   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2401                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2402                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2403                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2404                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2405   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2406   doi =          "10.1063/1.341004",
2407 }
2408
2409 @Article{powell91,
2410   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2411                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2412                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2413   collaboration = "",
2414   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2415                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2416   publisher =    "AIP",
2417   year =         "1991",
2418   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2419   volume =       "59",
2420   number =       "3",
2421   pages =        "333--335",
2422   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2423                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2424                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2425   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2426   doi =          "10.1063/1.105587",
2427 }
2428
2429 @Article{yuan95,
2430   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2431                  Thokala and M. J. Loboda",
2432   collaboration = "",
2433   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2434                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2435                  silacyclobutane",
2436   publisher =    "AIP",
2437   year =         "1995",
2438   journal =      "J. Appl. Phys.",
2439   volume =       "78",
2440   number =       "2",
2441   pages =        "1271--1273",
2442   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2443                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2444                  SPECTROPHOTOMETRY",
2445   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2446   doi =          "10.1063/1.360368",
2447   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2448 }
2449
2450 @Article{kaneda87,
2451   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2452                  properties of its p-n junction",
2453   journal =      "J. Cryst. Growth",
2454   volume =       "81",
2455   number =       "1-4",
2456   pages =        "536--542",
2457   year =         "1987",
2458   note =         "",
2459   ISSN =         "0022-0248",
2460   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2461   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2462   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2463                  and Takao Tanaka",
2464   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2465 }
2466
2467 @Article{fissel95,
2468   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2469                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2470                  molecular beam epitaxy",
2471   journal =      "J. Cryst. Growth",
2472   volume =       "154",
2473   number =       "1-2",
2474   pages =        "72--80",
2475   year =         "1995",
2476   ISSN =         "0022-0248",
2477   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2478   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2479   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2480                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2481   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2482 }
2483
2484 @Article{fissel95_apl,
2485   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2486   collaboration = "",
2487   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2488                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2489   publisher =    "AIP",
2490   year =         "1995",
2491   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2492   volume =       "66",
2493   number =       "23",
2494   pages =        "3182--3184",
2495   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2496                  RHEED; NUCLEATION",
2497   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2498   doi =          "10.1063/1.113716",
2499   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2500 }
2501
2502 @Article{fissel96,
2503   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2504                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2505   collaboration = "",
2506   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2507                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2508                  level using surface superstructures",
2509   publisher =    "AIP",
2510   year =         "1996",
2511   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2512   volume =       "68",
2513   number =       "9",
2514   pages =        "1204--1206",
2515   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2516                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2517                  SURFACE STRUCTURE",
2518   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2519   doi =          "10.1063/1.115969",
2520   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2521 }
2522
2523 @Article{righi03,
2524   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2525   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2526                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2527   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2528   volume =       "91",
2529   number =       "13",
2530   pages =        "136101",
2531   numpages =     "4",
2532   year =         "2003",
2533   month =        sep,
2534   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2535   publisher =    "American Physical Society",
2536   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2537 }
2538
2539 @Article{borders71,
2540   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2541   collaboration = "",
2542   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2543                  {IMPLANTATION}",
2544   publisher =    "AIP",
2545   year =         "1971",
2546   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2547   volume =       "18",
2548   number =       "11",
2549   pages =        "509--511",
2550   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2551   doi =          "10.1063/1.1653516",
2552   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2553                  ideas",
2554 }
2555
2556 @Article{edelman76,
2557   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2558                  and E. V. Lubopytova",
2559   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2560                  by ion implantation",
2561   publisher =    "Taylor \& Francis",
2562   year =         "1976",
2563   journal =      "Radiat. Eff.",
2564   volume =       "29",
2565   number =       "1",
2566   pages =        "13--15",
2567   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2568   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2569                  single crystalline",
2570 }
2571
2572 @Article{akimchenko80,
2573   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2574                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2575   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2576                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2577   publisher =    "Taylor \& Francis",
2578   year =         "1980",
2579   journal =      "Radiat. Eff.",
2580   volume =       "48",
2581   number =       "1",
2582   pages =        "7",
2583   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2584   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2585 }
2586
2587 @Article{kimura81,
2588   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2589                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2590                  silicon",
2591   journal =      "Thin Solid Films",
2592   volume =       "81",
2593   number =       "4",
2594   pages =        "319--327",
2595   year =         "1981",
2596   note =         "",
2597   ISSN =         "0040-6090",
2598   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2599   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2600   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2601                  Yugo",
2602 }
2603
2604 @Article{kimura82,
2605   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2606                  the implantation of carbon ions into silicon",
2607   journal =      "Thin Solid Films",
2608   volume =       "94",
2609   number =       "3",
2610   pages =        "191--198",
2611   year =         "1982",
2612   note =         "",
2613   ISSN =         "0040-6090",
2614   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2615   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2616   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2617                  Yugo",
2618 }
2619
2620 @Article{reeson86,
2621   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2622                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2623                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2624   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2625                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2626   publisher =    "Taylor \& Francis",
2627   year =         "1986",
2628   journal =      "Radiat. Eff.",
2629   volume =       "99",
2630   number =       "1",
2631   pages =        "71--81",
2632   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2633   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2634                  no c redistribution",
2635 }
2636
2637 @Article{reeson87,
2638   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2639                  J. Davis and G. E. Celler",
2640   collaboration = "",
2641   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2642                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2643   publisher =    "AIP",
2644   year =         "1987",
2645   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2646   volume =       "51",
2647   number =       "26",
2648   pages =        "2242--2244",
2649   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2650                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2651   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2652   doi =          "10.1063/1.98953",
2653   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2654 }
2655
2656 @Article{martin90,
2657   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2658                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2659   collaboration = "",
2660   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2661   publisher =    "AIP",
2662   year =         "1990",
2663   journal =      "J. Appl. Phys.",
2664   volume =       "67",
2665   number =       "6",
2666   pages =        "2908--2912",
2667   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2668                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2669                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2670                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2671                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2672                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2673   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2674   doi =          "10.1063/1.346092",
2675   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2676                  temepratures",
2677 }
2678
2679 @Article{scace59,
2680   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2681   collaboration = "",
2682   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2683   publisher =    "AIP",
2684   year =         "1959",
2685   journal =      "J. Chem. Phys.",
2686   volume =       "30",
2687   number =       "6",
2688   pages =        "1551--1555",
2689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2690   doi =          "10.1063/1.1730236",
2691   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2692 }
2693
2694 @Article{hofker74,
2695   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2696                  Koeman",
2697   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2698                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2699                  Netherlands",
2700   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2701                  charge carrier and boron concentration profiles",
2702   journal =      "Appl. Phys. A",
2703   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2704   ISSN =         "0947-8396",
2705   keyword =      "Physics and Astronomy",
2706   pages =        "125--133",
2707   volume =       "4",
2708   issue =        "2",
2709   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2710   note =         "10.1007/BF00884267",
2711   year =         "1974",
2712   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2713 }
2714
2715 @Article{michel87,
2716   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2717                  H. Kastl",
2718   collaboration = "",
2719   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2720                  implanted boron into silicon",
2721   publisher =    "AIP",
2722   year =         "1987",
2723   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2724   volume =       "50",
2725   number =       "7",
2726   pages =        "416--418",
2727   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2728                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2729                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2730   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2731   doi =          "10.1063/1.98160",
2732   notes =        "ted of boron in si",
2733 }
2734
2735 @Article{cowern90,
2736   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2737                  Jos",
2738   collaboration = "",
2739   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2740                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2741                  profiles",
2742   publisher =    "AIP",
2743   year =         "1990",
2744   journal =      "J. Appl. Phys.",
2745   volume =       "68",
2746   number =       "12",
2747   pages =        "6191--6198",
2748   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2749                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2750                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2751   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2752   doi =          "10.1063/1.346910",
2753   notes =        "ted of boron in si",
2754 }
2755
2756 @Article{cowern96,
2757   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2758                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2759   collaboration = "",
2760   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2761                  {B} in silicon",
2762   publisher =    "AIP",
2763   year =         "1996",
2764   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2765   volume =       "68",
2766   number =       "8",
2767   pages =        "1150--1152",
2768   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2769                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2770                  SILICON",
2771   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2772   doi =          "10.1063/1.115706",
2773   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2774 }
2775
2776 @Article{stolk95,
2777   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2778                  of the silicon self-interstitial",
2779   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2780   volume =       "96",
2781   number =       "1-2",
2782   pages =        "187--195",
2783   year =         "1995",
2784   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2785                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2786   ISSN =         "0168-583X",
2787   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2789   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2790                  and J. M. Poate",
2791 }
2792
2793 @Article{stolk97,
2794   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2795                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2796                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2797                  E. Haynes",
2798   collaboration = "",
2799   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2800                  diffusion in ion-implanted silicon",
2801   publisher =    "AIP",
2802   year =         "1997",
2803   journal =      "J. Appl. Phys.",
2804   volume =       "81",
2805   number =       "9",
2806   pages =        "6031--6050",
2807   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2808   doi =          "10.1063/1.364452",
2809   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2810 }
2811
2812 @Article{powell94,
2813   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2814   collaboration = "",
2815   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2816                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2817   publisher =    "AIP",
2818   year =         "1994",
2819   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2820   volume =       "64",
2821   number =       "3",
2822   pages =        "324--326",
2823   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2824                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2825                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2826                  SYNTHESIS",
2827   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2828   doi =          "10.1063/1.111195",
2829   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2830 }
2831
2832 @Article{soref91,
2833   author =       "Richard A. Soref",
2834   collaboration = "",
2835   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2836                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2837   publisher =    "AIP",
2838   year =         "1991",
2839   journal =      "J. Appl. Phys.",
2840   volume =       "70",
2841   number =       "4",
2842   pages =        "2470--2472",
2843   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2844                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2845                  TERNARY ALLOYS",
2846   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2847   doi =          "10.1063/1.349403",
2848   notes =        "band gap of strained si by c",
2849 }
2850
2851 @Article{kasper91,
2852   author =       "E Kasper",
2853   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2854                  possibility to produce direct band gap material",
2855   journal =      "Phys. Scr.",
2856   volume =       "T35",
2857   pages =        "232--236",
2858   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2859   year =         "1991",
2860   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2861                  quasi-direct one",
2862 }
2863
2864 @Article{eberl92,
2865   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2866                  and F. K. LeGoues",
2867   collaboration = "",
2868   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2869                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2870   publisher =    "AIP",
2871   year =         "1992",
2872   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2873   volume =       "60",
2874   number =       "24",
2875   pages =        "3033--3035",
2876   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2877                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2878                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2879                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2880                  STUDIES",
2881   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2882   doi =          "10.1063/1.106774",
2883 }
2884
2885 @Article{powell93,
2886   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2887                  Ek and S. S. Iyer",
2888   collaboration = "",
2889   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2890                  alloy layers",
2891   publisher =    "AVS",
2892   year =         "1993",
2893   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2894   volume =       "11",
2895   number =       "3",
2896   pages =        "1064--1068",
2897   location =     "Ottawa (Canada)",
2898   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2899                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2900                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2901                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2902   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2903   doi =          "10.1116/1.587008",
2904   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2905 }
2906
2907 @Article{powell93_2,
2908   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2909                  of the ternary system",
2910   journal =      "J. Cryst. Growth",
2911   volume =       "127",
2912   number =       "1-4",
2913   pages =        "425--429",
2914   year =         "1993",
2915   note =         "",
2916   ISSN =         "0022-0248",
2917   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2918   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2919   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2920                  Iyer",
2921 }
2922
2923 @Article{osten94,
2924   author =       "H. J. Osten",
2925   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2926                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2927   journal =      "phys. status solidi (a)",
2928   volume =       "145",
2929   number =       "2",
2930   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2931   ISSN =         "1521-396X",
2932   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2933   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2934   pages =        "235--245",
2935   year =         "1994",
2936 }
2937
2938 @Article{dietrich94,
2939   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2940                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2941   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2942                  Methfessel and P. Zaumseil",
2943   journal =      "Phys. Rev. B",
2944   volume =       "49",
2945   number =       "24",
2946   pages =        "17185--17190",
2947   numpages =     "5",
2948   year =         "1994",
2949   month =        jun,
2950   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2951   publisher =    "American Physical Society",
2952 }
2953
2954 @Article{osten94_2,
2955   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2956   collaboration = "",
2957   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2958                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2959   publisher =    "AIP",
2960   year =         "1994",
2961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2962   volume =       "64",
2963   number =       "25",
2964   pages =        "3440--3442",
2965   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2966                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2967                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2968                  LATTICES",
2969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2970   doi =          "10.1063/1.111235",
2971   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2972 }
2973
2974 @Article{iyer92,
2975   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2976                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2977   collaboration = "",
2978   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2979                  molecular beam epitaxy",
2980   publisher =    "AIP",
2981   year =         "1992",
2982   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2983   volume =       "60",
2984   number =       "3",
2985   pages =        "356--358",
2986   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2987                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2988                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2989                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2990   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2991   doi =          "10.1063/1.106655",
2992 }
2993
2994 @Article{osten99,
2995   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2996   collaboration = "",
2997   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2998                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2999                  molecular beam epitaxy",
3000   publisher =    "AIP",
3001   year =         "1999",
3002   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3003   volume =       "74",
3004   number =       "6",
3005   pages =        "836--838",
3006   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3007                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3008                  compounds",
3009   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3010   doi =          "10.1063/1.123384",
3011   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3012 }
3013
3014 @Article{born27,
3015   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3016   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3017   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3018   volume =       "389",
3019   number =       "20",
3020   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3021   ISSN =         "1521-3889",
3022   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3023   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3024   pages =        "457--484",
3025   year =         "1927",
3026 }
3027
3028 @Article{hohenberg64,
3029   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3030   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3031   journal =      "Phys. Rev.",
3032   volume =       "136",
3033   number =       "3B",
3034   pages =        "B864--B871",
3035   numpages =     "7",
3036   year =         "1964",
3037   month =        nov,
3038   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3039   publisher =    "American Physical Society",
3040   notes =        "density functional theory, dft",
3041 }
3042
3043 @Article{thomas27,
3044   title =        "The calculation of atomic fields",
3045   author =       "L. H. Thomas",
3046   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3047   volume =       "23",
3048   pages =        "542--548",
3049   year =         "1927",
3050   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3051 }
3052
3053 @Article{fermi27,
3054   title =        "",
3055   author =       "E. Fermi",
3056   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3057                  Rend.",
3058   volume =       "6",
3059   pages =        "602",
3060   year =         "1927",
3061 }
3062
3063 @Article{hartree28,
3064   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3065                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3066   author =       "D. R. Hartree",
3067   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3068   volume =       "24",
3069   pages =        "89--110",
3070   year =         "1928",
3071   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3072 }
3073
3074 @Article{slater29,
3075   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3076   author =       "J. C. Slater",
3077   journal =      "Phys. Rev.",
3078   volume =       "34",
3079   number =       "10",
3080   pages =        "1293--1322",
3081   numpages =     "29",
3082   year =         "1929",
3083   month =        nov,
3084   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3085   publisher =    "American Physical Society",
3086 }
3087
3088 @Article{kohn65,
3089   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3090                  Correlation Effects",
3091   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3092   journal =      "Phys. Rev.",
3093   volume =       "140",
3094   number =       "4A",
3095   pages =        "A1133--A1138",
3096   numpages =     "5",
3097   year =         "1965",
3098   month =        nov,
3099   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3100   publisher =    "American Physical Society",
3101   notes =        "dft, exchange and correlation",
3102 }
3103
3104 @Article{kohn96,
3105   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3106                  Linearly with the Number of Atoms",
3107   author =       "W. Kohn",
3108   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3109   volume =       "76",
3110   number =       "17",
3111   pages =        "3168--3171",
3112   numpages =     "3",
3113   year =         "1996",
3114   month =        apr,
3115   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3116   publisher =    "American Physical Society",
3117 }
3118
3119 @Article{kohn98,
3120   title =        "Edge Electron Gas",
3121   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3122   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3123   volume =       "81",
3124   number =       "16",
3125   pages =        "3487--3490",
3126   numpages =     "3",
3127   year =         "1998",
3128   month =        oct,
3129   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3130   publisher =    "American Physical Society",
3131 }
3132
3133 @Article{kohn99,
3134   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3135                  functions and density functionals",
3136   author =       "W. Kohn",
3137   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3138   volume =       "71",
3139   number =       "5",
3140   pages =        "1253--1266",
3141   numpages =     "13",
3142   year =         "1999",
3143   month =        oct,
3144   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3145   publisher =    "American Physical Society",
3146 }
3147
3148 @Article{payne92,
3149   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3150                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3151                  conjugate gradients",
3152   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3153                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3154   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3155   volume =       "64",
3156   number =       "4",
3157   pages =        "1045--1097",
3158   numpages =     "52",
3159   year =         "1992",
3160   month =        oct,
3161   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3162   publisher =    "American Physical Society",
3163 }
3164
3165 @Article{levy82,
3166   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3167   author =       "Mel Levy",
3168   journal =      "Phys. Rev. A",
3169   volume =       "26",
3170   number =       "3",
3171   pages =        "1200--1208",
3172   numpages =     "8",
3173   year =         "1982",
3174   month =        sep,
3175   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3176   publisher =    "American Physical Society",
3177 }
3178
3179 @Article{ruecker94,
3180   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3181                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3182   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3183                  J. Osten",
3184   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3185   volume =       "72",
3186   number =       "22",
3187   pages =        "3578--3581",
3188   numpages =     "3",
3189   year =         "1994",
3190   month =        may,
3191   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3192   publisher =    "American Physical Society",
3193   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3194                  si, dft",
3195 }
3196
3197 @Article{yagi02,
3198   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3199                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3200                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3201   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3202                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3203   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3204   volume =       "41",
3205   number =       "Part 1, No. 4B",
3206   pages =        "2472--2475",
3207   numpages =     "3",
3208   year =         "2002",
3209   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3210   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3211   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3212   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3213 }
3214
3215 @Article{chang05,
3216   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3217                  Alloy",
3218   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3219   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3220   volume =       "44",
3221   number =       "4B",
3222   pages =        "2257--2262",
3223   numpages =     "5",
3224   year =         "2005",
3225   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3226   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3227   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3228   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3229 }
3230
3231 @Article{kissinger94,
3232   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3233                  Eichler",
3234   collaboration = "",
3235   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3236                  y] layers on Si(001)",
3237   publisher =    "AIP",
3238   year =         "1994",
3239   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3240   volume =       "65",
3241   number =       "26",
3242   pages =        "3356--3358",
3243   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3244                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3245                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3246                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3247   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3248   doi =          "10.1063/1.112390",
3249   notes =        "strained si influence on optical properties",
3250 }
3251
3252 @Article{osten96,
3253   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3254                  Zaumseil",
3255   collaboration = "",
3256   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3257                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3258                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3259   publisher =    "AIP",
3260   year =         "1996",
3261   journal =      "J. Appl. Phys.",
3262   volume =       "80",
3263   number =       "12",
3264   pages =        "6711--6715",
3265   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3266                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3267                  XRD; STRAINS",
3268   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3269   doi =          "10.1063/1.363797",
3270   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3271 }
3272
3273 @Article{osten97,
3274   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3275   collaboration = "",
3276   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3277                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3278                  Si(001)",
3279   publisher =    "AIP",
3280   year =         "1997",
3281   journal =      "J. Appl. Phys.",
3282   volume =       "82",
3283   number =       "10",
3284   pages =        "4977--4981",
3285   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3286                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3287                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3288   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3289   doi =          "10.1063/1.366364",
3290   notes =        "charge transport in strained si",
3291 }
3292
3293 @Article{kapur04,
3294   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3295                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3296   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3297   journal =      "Phys. Rev. B",
3298   volume =       "69",
3299   number =       "15",
3300   pages =        "155214",
3301   numpages =     "8",
3302   year =         "2004",
3303   month =        apr,
3304   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3305   publisher =    "American Physical Society",
3306   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3307 }
3308
3309 @Article{barkema96,
3310   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3311                  Systems",
3312   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3313   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3314   volume =       "77",
3315   number =       "21",
3316   pages =        "4358--4361",
3317   numpages =     "3",
3318   year =         "1996",
3319   month =        nov,
3320   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3321   publisher =    "American Physical Society",
3322   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3323                  dynamic mds",
3324 }
3325
3326 @Article{cances09,
3327   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3328                  Minoukadeh and F. Willaime",
3329   collaboration = "",
3330   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3331                  technique method for finding transition pathways on
3332                  potential energy surfaces",
3333   publisher =    "AIP",
3334   year =         "2009",
3335   journal =      "J. Chem. Phys.",
3336   volume =       "130",
3337   number =       "11",
3338   eid =          "114711",
3339   numpages =     "6",
3340   pages =        "114711",
3341   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3342                  surfaces; vacancies (crystal)",
3343   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3344   doi =          "10.1063/1.3088532",
3345   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3346                  transition pathways",
3347 }
3348
3349 @Article{parrinello81,
3350   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3351   collaboration = "",
3352   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3353                  molecular dynamics method",
3354   publisher =    "AIP",
3355   year =         "1981",
3356   journal =      "J. Appl. Phys.",
3357   volume =       "52",
3358   number =       "12",
3359   pages =        "7182--7190",
3360   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3361                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3362                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3363                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3364                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3365                  IMPACT SHOCK",
3366   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3367   doi =          "10.1063/1.328693",
3368 }
3369
3370 @Article{stillinger85,
3371   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3372                  of silicon",
3373   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3374   journal =      "Phys. Rev. B",
3375   volume =       "31",
3376   number =       "8",
3377   pages =        "5262--5271",
3378   numpages =     "9",
3379   year =         "1985",
3380   month =        apr,
3381   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3382   publisher =    "American Physical Society",
3383 }
3384
3385 @Article{brenner90,
3386   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3387                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3388                  films",
3389   author =       "Donald W. Brenner",
3390   journal =      "Phys. Rev. B",
3391   volume =       "42",
3392   number =       "15",
3393   pages =        "9458--9471",
3394   numpages =     "13",
3395   year =         "1990",
3396   month =        nov,
3397   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3398   publisher =    "American Physical Society",
3399   notes =        "brenner hydro carbons",
3400 }
3401
3402 @Article{bazant96,
3403   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3404                  Cohesive Energy Curves",
3405   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3407   volume =       "77",
3408   number =       "21",
3409   pages =        "4370--4373",
3410   numpages =     "3",
3411   year =         "1996",
3412   month =        nov,
3413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3414   publisher =    "American Physical Society",
3415   notes =        "first si edip",
3416 }
3417
3418 @Article{bazant97,
3419   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3420                  silicon",
3421   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3422                  Justo",
3423   journal =      "Phys. Rev. B",
3424   volume =       "56",
3425   number =       "14",
3426   pages =        "8542--8552",
3427   numpages =     "10",
3428   year =         "1997",
3429   month =        oct,
3430   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3431   publisher =    "American Physical Society",
3432   notes =        "second si edip",
3433 }
3434
3435 @Article{justo98,
3436   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3437                  disordered phases",
3438   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3439                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3440   journal =      "Phys. Rev. B",
3441   volume =       "58",
3442   number =       "5",
3443   pages =        "2539--2550",
3444   numpages =     "11",
3445   year =         "1998",
3446   month =        aug,
3447   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3448   publisher =    "American Physical Society",
3449   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3450 }
3451
3452 @Article{parcas_md,
3453   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3454   author =       "K. Nordlund",
3455   year =         "2008",
3456 }
3457
3458 @Article{voter97,
3459   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3460                  Infrequent Events",
3461   author =       "Arthur F. Voter",
3462   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3463   volume =       "78",
3464   number =       "20",
3465   pages =        "3908--3911",
3466   numpages =     "3",
3467   year =         "1997",
3468   month =        may,
3469   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3470   publisher =    "American Physical Society",
3471   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3472 }
3473
3474 @Article{voter97_2,
3475   author =       "Arthur F. Voter",
3476   collaboration = "",
3477   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3478                  simulation of infrequent events",
3479   publisher =    "AIP",
3480   year =         "1997",
3481   journal =      "J. Chem. Phys.",
3482   volume =       "106",
3483   number =       "11",
3484   pages =        "4665--4677",
3485   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3486                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3487                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3488                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3489                  theory; potential energy surfaces",
3490   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3491   doi =          "10.1063/1.473503",
3492   notes =        "improved hyperdynamics md",
3493 }
3494
3495 @Article{sorensen2000,
3496   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3497   collaboration = "",
3498   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3499                  infrequent events",
3500   publisher =    "AIP",
3501   year =         "2000",
3502   journal =      "J. Chem. Phys.",
3503   volume =       "112",
3504   number =       "21",
3505   pages =        "9599--9606",
3506   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3507                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3508   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3509   doi =          "10.1063/1.481576",
3510   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3511 }
3512
3513 @Article{voter98,
3514   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3515                  events",
3516   author =       "Arthur F. Voter",
3517   journal =      "Phys. Rev. B",
3518   volume =       "57",
3519   number =       "22",
3520   pages =        "R13985--R13988",
3521   numpages =     "3",
3522   year =         "1998",
3523   month =        jun,
3524   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3525   publisher =    "American Physical Society",
3526   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3527 }
3528
3529 @Article{wu99,
3530   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3531   collaboration = "",
3532   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3533                  simulation",
3534   publisher =    "AIP",
3535   year =         "1999",
3536   journal =      "J. Chem. Phys.",
3537   volume =       "110",
3538   number =       "19",
3539   pages =        "9401--9410",
3540   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3541                  potential; crystallisation; liquid theory",
3542   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3543   doi =          "10.1063/1.478948",
3544   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3545                  systematic motion",
3546 }
3547
3548 @Article{choudhary05,
3549   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3550   collaboration = "",
3551   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3552                  to the production of amorphous silicon",
3553   publisher =    "AIP",
3554   year =         "2005",
3555   journal =      "J. Chem. Phys.",
3556   volume =       "122",
3557   number =       "15",
3558   eid =          "154509",
3559   numpages =     "8",
3560   pages =        "154509",
3561   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3562                  amorphous semiconductors",
3563   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3564   doi =          "10.1063/1.1878733",
3565   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3566                  silicon",
3567 }
3568
3569 @Article{taylor93,
3570   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3571   collaboration = "",
3572   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3573                  difficult?",
3574   publisher =    "AIP",
3575   year =         "1993",
3576   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3577   volume =       "62",
3578   number =       "25",
3579   pages =        "3336--3338",
3580   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3581                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3582                  ENERGY",
3583   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3584   doi =          "10.1063/1.109063",
3585   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3586                  interstitials necessary for precipitation, volume
3587                  decrease, high interface energy",
3588 }
3589
3590 @Article{chaussende08,
3591   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3592   journal =      "J. Cryst. Growth",
3593   volume =       "310",
3594   number =       "5",
3595   pages =        "976--981",
3596   year =         "2008",
3597   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3598                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3599   ISSN =         "0022-0248",
3600   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3601   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3602   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3603                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3604                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3605                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3606   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3607                  metastable",
3608 }
3609
3610 @Article{chaussende07,
3611   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3612   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3613   journal =      "J. Phys. D",
3614   volume =       "40",
3615   number =       "20",
3616   pages =        "6150",
3617   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3618   year =         "2007",
3619   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3620                  modelling",
3621 }
3622
3623 @Article{feynman39,
3624   title =        "Forces in Molecules",
3625   author =       "R. P. Feynman",
3626   journal =      "Phys. Rev.",
3627   volume =       "56",
3628   number =       "4",
3629   pages =        "340--343",
3630   numpages =     "3",
3631   year =         "1939",
3632   month =        aug,
3633   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3634   publisher =    "American Physical Society",
3635   notes =        "hellmann feynman forces",
3636 }
3637
3638 @Article{buczko00,
3639   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3640                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3641                  their Contrasting Properties",
3642   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3643                  T. Pantelides",
3644   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3645   volume =       "84",
3646   number =       "5",
3647   pages =        "943--946",
3648   numpages =     "3",
3649   year =         "2000",
3650   month =        jan,
3651   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3652   publisher =    "American Physical Society",
3653   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3654 }
3655
3656 @Article{djurabekova08,
3657   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3658                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3659   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3660   journal =      "Phys. Rev. B",
3661   volume =       "77",
3662   number =       "11",
3663   pages =        "115325",
3664   numpages =     "7",
3665   year =         "2008",
3666   month =        mar,
3667   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3668   publisher =    "American Physical Society",
3669   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3670                  angular distribution, coordination",
3671 }
3672
3673 @Article{wen09,
3674   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3675                  W. Liang and J. Zou",
3676   collaboration = "",
3677   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3678                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3679                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3680   publisher =    "AIP",
3681   year =         "2009",
3682   journal =      "J. Appl. Phys.",
3683   volume =       "106",
3684   number =       "7",
3685   eid =          "073522",
3686   numpages =     "8",
3687   pages =        "073522",
3688   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3689                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3690                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3691                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3692   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3693   doi =          "10.1063/1.3234380",
3694   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3695                  deconvolution, dislocation defects",
3696 }
3697
3698 @Article{kitabatake93,
3699   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3700                  Hirao",
3701   collaboration = "",
3702   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3703                  growth on Si(001) surface",
3704   publisher =    "AIP",
3705   year =         "1993",
3706   journal =      "J. Appl. Phys.",
3707   volume =       "74",
3708   number =       "7",
3709   pages =        "4438--4445",
3710   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3711                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3712                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3713   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3714   doi =          "10.1063/1.354385",
3715   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3716                  model, interface",
3717 }
3718
3719 @Article{kitabatake97,
3720   author =       "Makoto Kitabatake",
3721   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3722                  Heteroepitaxial Growth",
3723   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3724   year =         "1997",
3725   journal =      "phys. status solidi (b)",
3726   volume =       "202",
3727   pages =        "405--420",
3728   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3729   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3730   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3731 }
3732
3733 @Article{chirita97,
3734   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3735                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3736                  dynamics study",
3737   journal =      "Thin Solid Films",
3738   volume =       "294",
3739   number =       "1-2",
3740   pages =        "47--49",
3741   year =         "1997",
3742   note =         "",
3743   ISSN =         "0040-6090",
3744   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3745   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3746   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3747   keywords =     "Strain relaxation",
3748   keywords =     "Interfaces",
3749   keywords =     "Thermal stability",
3750   keywords =     "Molecular dynamics",
3751   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3752 }
3753
3754 @Article{cicero02,
3755   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3756                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3757   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3758                  Catellani",
3759   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3760   volume =       "89",
3761   number =       "15",
3762   pages =        "156101",
3763   numpages =     "4",
3764   year =         "2002",
3765   month =        sep,
3766   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3767   publisher =    "American Physical Society",
3768   notes =        "sic/si interface study",
3769 }
3770
3771 @Article{pizzagalli03,
3772   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3773                  interface: Si{C}/Si(001)",
3774   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3775                  Catellani",
3776   journal =      "Phys. Rev. B",
3777   volume =       "68",
3778   number =       "19",
3779   pages =        "195302",
3780   numpages =     "10",
3781   year =         "2003",
3782   month =        nov,
3783   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3784   publisher =    "American Physical Society",
3785   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3786 }
3787
3788 @Article{tang07,
3789   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3790                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3791                  electron microscopy",
3792   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3793                  H. Zheng and J. W. Liang",
3794   journal =      "Phys. Rev. B",
3795   volume =       "75",
3796   number =       "18",
3797   pages =        "184103",
3798   numpages =     "7",
3799   year =         "2007",
3800   month =        may,
3801   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3802   publisher =    "American Physical Society",
3803   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3804                  si and c",
3805 }
3806
3807 @Article{hornstra58,
3808   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3809   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3810   volume =       "5",
3811   number =       "1-2",
3812   pages =        "129--141",
3813   year =         "1958",
3814   note =         "",
3815   ISSN =         "0022-3697",
3816   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3817   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3818   author =       "J. Hornstra",
3819   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3820 }
3821
3822 @Article{deguchi92,
3823   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3824                  Ion `Hot' Implantation",
3825   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3826                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3827   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3828   volume =       "31",
3829   number =       "Part 1, No. 2A",
3830   pages =        "343--347",
3831   numpages =     "4",
3832   year =         "1992",
3833   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3834   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3835   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3836   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3837                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3838 }
3839
3840 @Article{eichhorn99,
3841   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3842                  K{\"{o}}gler",
3843   collaboration = "",
3844   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3845                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3846                  synchrotron x-ray diffraction",
3847   publisher =    "AIP",
3848   year =         "1999",
3849   journal =      "J. Appl. Phys.",
3850   volume =       "86",
3851   number =       "8",
3852   pages =        "4184--4187",
3853   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3854                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3855                  precipitation; semiconductor doping",
3856   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3857   doi =          "10.1063/1.371344",
3858   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3859                  expansion of si lattice",
3860 }
3861
3862 @Article{eichhorn02,
3863   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3864                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3865   collaboration = "",
3866   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3867                  carbon ion implantation",
3868   publisher =    "AIP",
3869   year =         "2002",
3870   journal =      "J. Appl. Phys.",
3871   volume =       "91",
3872   number =       "3",
3873   pages =        "1287--1292",
3874   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3875                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3876                  electron microscopy",
3877   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3878   doi =          "10.1063/1.1428105",
3879   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3880                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3881 }
3882
3883 @Article{lucas10,
3884   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3885   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3886                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3887                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3888                  amorphous structures",
3889   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3890   volume =       "22",
3891   number =       "3",
3892   pages =        "035802",
3893   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3894   year =         "2010",
3895   notes =        "edip sic",
3896 }
3897
3898 @Article{godet03,
3899   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3900                  Beauchamp",
3901   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3902                  methods for silicon under large shear",
3903   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3904   volume =       "15",
3905   number =       "41",
3906   pages =        "6943",
3907   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3908   year =         "2003",
3909   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3910                  edip, tersoff, ab initio",
3911 }
3912
3913 @Article{moriguchi98,
3914   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3915                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3916   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3917   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3918   volume =       "37",
3919   number =       "Part 1, No. 2",
3920   pages =        "414--422",
3921   numpages =     "8",
3922   year =         "1998",
3923   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3924   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3925   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3926   notes =        "tersoff stringent test",
3927 }
3928
3929 @Article{mazzarolo01,
3930   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3931                  simulations",
3932   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3933                  Lulli and Eros Albertazzi",
3934   journal =      "Phys. Rev. B",
3935   volume =       "63",
3936   number =       "19",
3937   pages =        "195207",
3938   numpages =     "4",
3939   year =         "2001",
3940   month =        apr,
3941   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3942   publisher =    "American Physical Society",
3943 }
3944
3945 @Article{holmstroem08,
3946   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3947                  density functional theory molecular dynamics
3948                  simulations",
3949   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3950   journal =      "Phys. Rev. B",
3951   volume =       "78",
3952   number =       "4",
3953   pages =        "045202",
3954   numpages =     "6",
3955   year =         "2008",
3956   month =        jul,
3957   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3958   publisher =    "American Physical Society",
3959   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3960                  initio",
3961 }
3962
3963 @Article{nordlund97,
3964   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3965                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3966   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3967   volume =       "132",
3968   number =       "1",
3969   pages =        "45--54",
3970   year =         "1997",
3971   note =         "",
3972   ISSN =         "0168-583X",
3973   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3974   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3975   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3976   notes =        "repulsive ab initio potential",
3977 }
3978
3979 @Article{kresse96,
3980   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3981                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3982                  set",
3983   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3984   volume =       "6",
3985   number =       "1",
3986   pages =        "15--50",
3987   year =         "1996",
3988   note =         "",
3989   ISSN =         "0927-0256",
3990   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3991   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3992   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3993   notes =        "vasp ref",
3994 }
3995
3996 @Article{bloechl94,
3997   title =        "Projector augmented-wave method",
3998   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3999   journal =      "Phys. Rev. B",
4000   volume =       "50",
4001   number =       "24",
4002   pages =        "17953--17979",
4003   numpages =     "26",
4004   year =         "1994",
4005   month =        dec,
4006   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
4007   publisher =    "American Physical Society",
4008   notes =        "paw method",
4009 }
4010
4011 @InCollection{cohen70,
4012   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
4013                  and Their Subsequent Application",
4014   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
4015   booktitle =    "",
4016   publisher =    "Academic Press",
4017   year =         "1970",
4018   volume =       "24",
4019   pages =        "37--248",
4020   series =       "Solid State Physics",
4021   ISSN =         "0081-1947",
4022   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
4023   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
4024   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
4025 }
4026
4027 @Article{hamann79,
4028   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
4029   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
4030   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4031   volume =       "43",
4032   number =       "20",
4033   pages =        "1494--1497",
4034   numpages =     "3",
4035   year =         "1979",
4036   month =        nov,
4037   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
4038   publisher =    "American Physical Society",
4039   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
4040 }
4041
4042 @Article{troullier91,
4043   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
4044                  calculations",
4045   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
4046   journal =      "Phys. Rev. B",
4047   volume =       "43",
4048   number =       "3",
4049   pages =        "1993--2006",
4050   numpages =     "13",
4051   year =         "1991",
4052   month =        jan,
4053   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
4054   publisher =    "American Physical Society",
4055 }
4056
4057 @Article{vanderbilt90,
4058   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
4059                  eigenvalue formalism",
4060   author =       "David Vanderbilt",
4061   journal =      "Phys. Rev. B",
4062   volume =       "41",
4063   number =       "11",
4064   pages =        "7892--7895",
4065   numpages =     "3",
4066   year =         "1990",
4067   month =        apr,
4068   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
4069   publisher =    "American Physical Society",
4070   notes =        "vasp pseudopotentials",
4071 }
4072
4073 @Article{ceperley80,
4074   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
4075                  Method",
4076   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
4077   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4078   volume =       "45",
4079   number =       "7",
4080   pages =        "566--569",
4081   numpages =     "3",
4082   year =         "1980",
4083   month =        aug,
4084   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
4085   publisher =    "American Physical Society",
4086 }
4087
4088 @Article{perdew81,
4089   title =        "Self-interaction correction to density-functional
4090                  approximations for many-electron systems",
4091   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
4092   journal =      "Phys. Rev. B",
4093   volume =       "23",
4094   number =       "10",
4095   pages =        "5048--5079",
4096   numpages =     "31",
4097   year =         "1981",
4098   month =        may,
4099   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
4100   publisher =    "American Physical Society",
4101 }
4102
4103 @Article{perdew86,
4104   title =        "Accurate and simple density functional for the
4105                  electronic exchange energy: Generalized gradient
4106                  approximation",
4107   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
4108   journal =      "Phys. Rev. B",
4109   volume =       "33",
4110   number =       "12",
4111   pages =        "8800--8802",
4112   numpages =     "2",
4113   year =         "1986",
4114   month =        jun,
4115   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
4116   publisher =    "American Physical Society",
4117   notes =        "rapid communication gga",
4118 }
4119
4120 @Article{perdew02,
4121   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4122                  correlation: {A} look backward and forward",
4123   journal =      "Physica B",
4124   volume =       "172",
4125   number =       "1-2",
4126   pages =        "1--6",
4127   year =         "1991",
4128   note =         "",
4129   ISSN =         "0921-4526",
4130   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4131   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4132   author =       "John P. Perdew",
4133   notes =        "gga overview",
4134 }
4135
4136 @Article{perdew92,
4137   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4138                  of the generalized gradient approximation for exchange
4139                  and correlation",
4140   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4141                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4142                  and Carlos Fiolhais",
4143   journal =      "Phys. Rev. B",
4144   volume =       "46",
4145   number =       "11",
4146   pages =        "6671--6687",
4147   numpages =     "16",
4148   year =         "1992",
4149   month =        sep,
4150   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4151   publisher =    "American Physical Society",
4152   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4153 }
4154
4155 @Article{chadi73,
4156   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4157   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4158   journal =      "Phys. Rev. B",
4159   volume =       "8",
4160   number =       "12",
4161   pages =        "5747--5753",
4162   numpages =     "6",
4163   year =         "1973",
4164   month =        dec,
4165   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4166   publisher =    "American Physical Society",
4167 }
4168
4169 @Article{baldereschi73,
4170   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4171   author =       "A. Baldereschi",
4172   journal =      "Phys. Rev. B",
4173   volume =       "7",
4174   number =       "12",
4175   pages =        "5212--5215",
4176   numpages =     "3",
4177   year =         "1973",
4178   month =        jun,
4179   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4180   publisher =    "American Physical Society",
4181   notes =        "mean value k point",
4182 }
4183
4184 @Article{monkhorst76,
4185   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4186   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4187   journal =      "Phys. Rev. B",
4188   volume =       "13",
4189   number =       "12",
4190   pages =        "5188--5192",
4191   numpages =     "4",
4192   year =         "1976",
4193   month =        jun,
4194   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4195   publisher =    "American Physical Society",
4196 }
4197
4198 @Article{zhu98,
4199   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4200                  diffusion in Si",
4201   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4202   volume =       "12",
4203   number =       "4",
4204   pages =        "309--318",
4205   year =         "1998",
4206   note =         "",
4207   ISSN =         "0927-0256",
4208   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4209   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4210   author =       "Jing Zhu",
4211   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4212   keywords =     "Boron dopant",
4213   keywords =     "Carbon dopant",
4214   keywords =     "Defect",
4215   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4216   keywords =     "Impurity cluster",
4217   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4218 }
4219
4220 @Article{nejim95,
4221   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4222   collaboration = "",
4223   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4224                  950 [degree]{C}",
4225   publisher =    "AIP",
4226   year =         "1995",
4227   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4228   volume =       "66",
4229   number =       "20",
4230   pages =        "2646--2648",
4231   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4232                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4233                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4234                  ELECTRON MICROSCOPY",
4235   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4236   doi =          "10.1063/1.113112",
4237   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4238                  self interstitials react with further implanted c",
4239 }
4240
4241 @Article{guedj98,
4242   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4243                  Kolodzey and A. Hairie",
4244   collaboration = "",
4245   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4246                  alloys",
4247   publisher =    "AIP",
4248   year =         "1998",
4249   journal =      "J. Appl. Phys.",
4250   volume =       "84",
4251   number =       "8",
4252   pages =        "4631--4633",
4253   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4254                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4255                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4256                  annealing",
4257   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4258   doi =          "10.1063/1.368703",
4259   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4260 }
4261
4262 @Article{jones04,
4263   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4264   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4265                  semiconductors",
4266   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4267   volume =       "16",
4268   number =       "27",
4269   pages =        "S2643",
4270   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4271   year =         "2004",
4272   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4273                  si",
4274 }
4275
4276 @Article{park02,
4277   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4278                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4279                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4280   collaboration = "",
4281   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4282                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4283                  molecular-beam epitaxy",
4284   publisher =    "AIP",
4285   year =         "2002",
4286   journal =      "J. Appl. Phys.",
4287   volume =       "91",
4288   number =       "9",
4289   pages =        "5716--5727",
4290   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4291   doi =          "10.1063/1.1465122",
4292   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4293 }
4294
4295 @Article{leary97,
4296   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4297                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4298   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4299                  Torres",
4300   journal =      "Phys. Rev. B",
4301   volume =       "55",
4302   number =       "4",
4303   pages =        "2188--2194",
4304   numpages =     "6",
4305   year =         "1997",
4306   month =        jan,
4307   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4308   publisher =    "American Physical Society",
4309   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4310                  energies, different migration barriers and paths",
4311 }
4312
4313 @Article{burnard93,
4314   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4315                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4316                  calculations",
4317   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4318   journal =      "Phys. Rev. B",
4319   volume =       "47",
4320   number =       "16",
4321   pages =        "10217--10225",
4322   numpages =     "8",
4323   year =         "1993",
4324   month =        apr,
4325   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4326   publisher =    "American Physical Society",
4327   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4328                  carbon defect, formation energies",
4329 }
4330
4331 @Article{besson91,
4332   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4333                  silicon",
4334   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4335   journal =      "Phys. Rev. B",
4336   volume =       "43",
4337   number =       "5",
4338   pages =        "4028--4033",
4339   numpages =     "5",
4340   year =         "1991",
4341   month =        feb,
4342   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4343   publisher =    "American Physical Society",
4344 }
4345
4346 @Article{kaxiras96,
4347   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4348                  and growth on semiconductors",
4349   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4350   volume =       "6",
4351   number =       "2",
4352   pages =        "158--172",
4353   year =         "1996",
4354   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4355                  Epitaxy",
4356   ISSN =         "0927-0256",
4357   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4358   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4359   author =       "Efthimios Kaxiras",
4360   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4361                  tight binding, first principles",
4362 }
4363
4364 @Article{kaukonen98,
4365   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4366                  diamond
4367                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4368                  surfaces",
4369   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4370                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4371                  Th. Frauenheim",
4372   journal =      "Phys. Rev. B",
4373   volume =       "57",
4374   number =       "16",
4375   pages =        "9965--9970",
4376   numpages =     "5",
4377   year =         "1998",
4378   month =        apr,
4379   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4380   publisher =    "American Physical Society",
4381   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4382                  (crt)",
4383 }
4384
4385 @Article{gali03,
4386   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4387                  center in Si{C}",
4388   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4389                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4390                  W. J. Choyke",
4391   journal =      "Phys. Rev. B",
4392   volume =       "67",
4393   number =       "15",
4394   pages =        "155203",
4395   numpages =     "5",
4396   year =         "2003",
4397   month =        apr,
4398   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4399   publisher =    "American Physical Society",
4400 }
4401
4402 @Article{chen98,
4403   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4404                  irradiation and deformation",
4405   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4406   volume =       "258-263",
4407   number =       "Part 2",
4408   pages =        "1803--1808",
4409   year =         "1998",
4410   note =         "",
4411   ISSN =         "0022-3115",
4412   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4413   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4414   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4415 }
4416
4417 @Article{weber01,
4418   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4419                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4420   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4421   volume =       "175-177",
4422   number =       "",
4423   pages =        "26--30",
4424   year =         "2001",
4425   note =         "",
4426   ISSN =         "0168-583X",
4427   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4428   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4429   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4430 }
4431
4432 @Article{bockstedte03,
4433   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4434                  in $3{C}-Si{C}$",
4435   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4436                  Pankratov",
4437   journal =      "Phys. Rev. B",
4438   volume =       "68",
4439   number =       "20",
4440   pages =        "205201",
4441   numpages =     "17",
4442   year =         "2003",
4443   month =        nov,
4444   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4445   publisher =    "American Physical Society",
4446   notes =        "defect migration in sic",
4447 }
4448
4449 @Article{rauls03a,
4450   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4451                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4452   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4453                  De\'ak",
4454   journal =      "Phys. Rev. B",
4455   volume =       "68",
4456   number =       "15",
4457   pages =        "155208",
4458   numpages =     "9",
4459   year =         "2003",
4460   month =        oct,
4461   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4462   publisher =    "American Physical Society",
4463 }
4464
4465 @Article{losev27,
4466   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4467   volume =       "44",
4468   pages =        "485--494",
4469   year =         "1927",
4470   author =       "O. V. Lossev",
4471 }
4472
4473 @Article{losev28,
4474   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4475                  oscillations with crystals",
4476   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4477   volume =       "6",
4478   number =       "39",
4479   pages =        "1024--1044",
4480   year =         "1928",
4481   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4482   author =       "O. V. Lossev",
4483 }
4484
4485 @Article{losev29,
4486   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4487   volume =       "30",
4488   pages =        "920--923",
4489   year =         "1929",
4490   author =       "O. V. Lossev",
4491 }
4492
4493 @Article{losev31,
4494   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4495   volume =       "32",
4496   pages =        "692--696",
4497   year =         "1931",
4498   author =       "O. V. Lossev",
4499 }
4500
4501 @Article{losev33,
4502   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4503   volume =       "34",
4504   pages =        "397--403",
4505   year =         "1933",
4506   author =       "O. V. Lossev",
4507 }
4508
4509 @Article{round07,
4510   title =        "A note on carborundum",
4511   journal =      "Electrical World",
4512   volume =       "49",
4513   pages =        "308",
4514   year =         "1907",
4515   author =       "H. J. Round",
4516 }
4517
4518 @Article{vashishath08,
4519   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4520   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4521   volume =       "2",
4522   number =       "03",
4523   pages =        "444--470",
4524   year =         "2008",
4525   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4526   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4527   notes =        "sic polytype electronic properties",
4528 }
4529
4530 @Article{nelson69,
4531   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4532   collaboration = "",
4533   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4534   publisher =    "AIP",
4535   year =         "1966",
4536   journal =      "J. Appl. Phys.",
4537   volume =       "37",
4538   number =       "1",
4539   pages =        "333--336",
4540   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4541   doi =          "10.1063/1.1707837",
4542   notes =        "sic melt growth",
4543 }
4544
4545 @Article{arkel25,
4546   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4547   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4548                  und Thoriummetall",
4549   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4550   year =         "1925",
4551   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4552   volume =       "148",
4553   pages =        "345--350",
4554   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4555   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4556   notes =        "van arkel apparatus",
4557 }
4558
4559 @Article{moers31,
4560   author =       "K. Moers",
4561   year =         "1931",
4562   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4563   volume =       "198",
4564   pages =        "293",
4565   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4566                  process",
4567 }
4568
4569 @Article{kendall53,
4570   author =       "J. T. Kendall",
4571   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4572   publisher =    "AIP",
4573   year =         "1953",
4574   journal =      "J. Chem. Phys.",
4575   volume =       "21",
4576   number =       "5",
4577   pages =        "821--827",
4578   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4579   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4580                  process",
4581 }
4582
4583 @Article{lely55,
4584   author =       "J. A. Lely",
4585   year =         "1955",
4586   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4587   volume =       "32",
4588   pages =        "229",
4589   notes =        "lely sublimation growth process",
4590 }
4591
4592 @Article{knippenberg63,
4593   author =       "W. F. Knippenberg",
4594   year =         "1963",
4595   journal =      "Philips Res. Repts.",
4596   volume =       "18",
4597   pages =        "161",
4598   notes =        "acheson process",
4599 }
4600
4601 @Article{hoffmann82,
4602   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4603                  Weyrich",
4604   collaboration = "",
4605   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4606                  improved external quantum efficiency",
4607   publisher =    "AIP",
4608   year =         "1982",
4609   journal =      "J. Appl. Phys.",
4610   volume =       "53",
4611   number =       "10",
4612   pages =        "6962--6967",
4613   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4614                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4615                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4616                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4617                  electroluminescence; spectra; current density;
4618                  optimization",
4619   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4620   doi =          "10.1063/1.330041",
4621   notes =        "blue led, sublimation process",
4622 }
4623
4624 @Article{neudeck95,
4625   author =       "Philip Neudeck",
4626   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4627                  Road 44135 Cleveland OH",
4628   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4629                  technology",
4630   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4631   publisher =    "Springer Boston",
4632   ISSN =         "0361-5235",
4633   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4634   pages =        "283--288",
4635   volume =       "24",
4636   issue =        "4",
4637   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4638   note =         "10.1007/BF02659688",
4639   year =         "1995",
4640   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4641 }
4642
4643 @Article{bhatnagar93,
4644   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4645   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4646   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4647                  devices",
4648   year =         "1993",
4649   month =        mar,
4650   volume =       "40",
4651   number =       "3",
4652   pages =        "645--655",
4653   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4654                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4655                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4656                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4657                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4658                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4659                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4660                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4661   doi =          "10.1109/16.199372",
4662   ISSN =         "0018-9383",
4663   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4664 }
4665
4666 @Article{neudeck94,
4667   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4668                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4669   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4670   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4671                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4672                  6{H}-Si{C} substrates",
4673   year =         "1994",
4674   month =        may,
4675   volume =       "41",
4676   number =       "5",
4677   pages =        "826--835",
4678   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4679                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4680                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4681                  properties;epitaxial layers;light
4682                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4683                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4684                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4685                  currents;power electronics;semiconductor
4686                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4687                  growth;semiconductor materials;silicon
4688                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4689                  phase epitaxial growth;",
4690   doi =          "10.1109/16.285038",
4691   ISSN =         "0018-9383",
4692   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4693                  substrate",
4694 }
4695
4696 @Article{schulze98,
4697   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4698   collaboration = "",
4699   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4700                  single crystals by physical vapor transport",
4701   publisher =    "AIP",
4702   year =         "1998",
4703   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4704   volume =       "72",
4705   number =       "13",
4706   pages =        "1632--1634",
4707   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4708                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4709                  photoluminescence; Hall mobility",
4710   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4711   doi =          "10.1063/1.121136",
4712   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4713 }
4714
4715 @Article{pirouz87,
4716   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4717   collaboration = "",
4718   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4719   publisher =    "AIP",
4720   year =         "1987",
4721   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4722   volume =       "50",
4723   number =       "4",
4724   pages =        "221--223",
4725   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4726                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4727                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4728                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4729                  BOUNDARIES",
4730   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4731   doi =          "10.1063/1.97667",
4732   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4733 }
4734
4735 @Article{shibahara86,
4736   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4737                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4738   journal =      "J. Cryst. Growth",
4739   volume =       "78",
4740   number =       "3",
4741   pages =        "538--544",
4742   year =         "1986",
4743   note =         "",
4744   ISSN =         "0022-0248",
4745   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4746   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4747   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4748                  Matsunami",
4749   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4750 }
4751
4752 @Article{desjardins96,
4753   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4754   collaboration = "",
4755   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4756   publisher =    "AIP",
4757   year =         "1996",
4758   journal =      "J. Appl. Phys.",
4759   volume =       "79",
4760   number =       "3",
4761   pages =        "1423--1434",
4762   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4763                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4764   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4765   doi =          "10.1063/1.360980",
4766   notes =        "apb model",
4767 }
4768
4769 @Article{henke95,
4770   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4771   collaboration = "",
4772   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4773                  carbonization of silicon",
4774   publisher =    "AIP",
4775   year =         "1995",
4776   journal =      "J. Appl. Phys.",
4777   volume =       "78",
4778   number =       "3",
4779   pages =        "2070--2073",
4780   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4781                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4782                  STRUCTURE",
4783   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4784   doi =          "10.1063/1.360184",
4785   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4786 }
4787
4788 @Article{fuyuki89,
4789   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4790                  {MBE} using surface superstructure",
4791   journal =      "J. Cryst. Growth",
4792   volume =       "95",
4793   number =       "1-4",
4794   pages =        "461--463",
4795   year =         "1989",
4796   note =         "",
4797   ISSN =         "0022-0248",
4798   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4799   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4800   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4801                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4802   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4803 }
4804
4805 @Article{yoshinobu92,
4806   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4807                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4808   collaboration = "",
4809   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4810                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4811                  molecular beam epitaxy",
4812   publisher =    "AIP",
4813   year =         "1992",
4814   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4815   volume =       "60",
4816   number =       "7",
4817   pages =        "824--826",
4818   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4819                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4820                  INTERFACE STRUCTURE",
4821   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4822   doi =          "10.1063/1.107430",
4823   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4824 }
4825
4826 @Article{yoshinobu90,
4827   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4828                  cubic Si{C}",
4829   journal =      "J. Cryst. Growth",
4830   volume =       "99",
4831   number =       "1-4",
4832   pages =        "520--524",
4833   year =         "1990",
4834   note =         "",
4835   ISSN =         "0022-0248",
4836   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4837   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4838   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4839                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4840   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4841 }
4842
4843 @Article{fuyuki93,
4844   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4845                  superstructures in Si{C}",
4846   journal =      "Thin Solid Films",
4847   volume =       "225",
4848   number =       "1-2",
4849   pages =        "225--229",
4850   year =         "1993",
4851   note =         "",
4852   ISSN =         "0040-6090",
4853   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4854   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4855   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4856                  Matsunami",
4857   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4858                  epitaxy, ale",
4859 }
4860
4861 @Article{hara93,
4862   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4863                  growth of [beta]-Si{C}",
4864   journal =      "Thin Solid Films",
4865   volume =       "225",
4866   number =       "1-2",
4867   pages =        "240--243",
4868   year =         "1993",
4869   note =         "",
4870   ISSN =         "0040-6090",
4871   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4872   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4873   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4874                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4875   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4876                  epitaxy, ale",
4877 }
4878
4879 @Article{tanaka94,
4880   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4881   collaboration = "",
4882   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4883                  growth mode and polytype formation during gas-source
4884                  molecular beam epitaxy",
4885   publisher =    "AIP",
4886   year =         "1994",
4887   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4888   volume =       "65",
4889   number =       "22",
4890   pages =        "2851--2853",
4891   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4892                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4893                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4894                  FLOW; FLOW RATE",
4895   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4896   doi =          "10.1063/1.112513",
4897   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4898 }
4899
4900 @Article{fuyuki97,
4901   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4902   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4903                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4904   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4905   year =         "1997",
4906   journal =      "phys. status solidi (b)",
4907   volume =       "202",
4908   pages =        "359--378",
4909   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4910                  temperatures 750",
4911 }
4912
4913 @Article{takaoka98,
4914   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4915   journal =      "J. Cryst. Growth",
4916   volume =       "183",
4917   number =       "1-2",
4918   pages =        "175--182",
4919   year =         "1998",
4920   note =         "",
4921   ISSN =         "0022-0248",
4922   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4923   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4924   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4925   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4926   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4927   keywords =     "Silicon carbide",
4928   keywords =     "Silicon",
4929   keywords =     "Island growth",
4930   notes =        "lower temperature, 550-700",
4931 }
4932
4933 @Article{hatayama95,
4934   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4935                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4936                  molecular beam epitaxy",
4937   journal =      "J. Cryst. Growth",
4938   volume =       "150",
4939   number =       "Part 2",
4940   pages =        "934--938",
4941   year =         "1995",
4942   note =         "",
4943   ISSN =         "0022-0248",
4944   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4945   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4946   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4947                  and Hiroyuki Matsunami",
4948 }
4949
4950 @Article{heine91,
4951   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4952   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4953                  Metastable Cubic Form",
4954   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
4955   volume =       "74",
4956   number =       "10",
4957   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4958   ISSN =         "1551-2916",
4959   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4960   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4961   pages =        "2630--2633",
4962   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4963                  calculations, stability",
4964   year =         "1991",
4965   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4966                  polytype dft calculation refs",
4967 }
4968
4969 @Article{allendorf91,
4970   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4971                  [beta]-silicon carbide",
4972   journal =      "Surf. Sci.",
4973   volume =       "258",
4974   number =       "1-3",
4975   pages =        "177--189",
4976   year =         "1991",
4977   note =         "",
4978   ISSN =         "0039-6028",
4979   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4980   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4981   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4982   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4983 }
4984
4985 @Article{eaglesham93,
4986   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4987                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4988   collaboration = "",
4989   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4990   publisher =    "AIP",
4991   year =         "1993",
4992   journal =      "J. Appl. Phys.",
4993   volume =       "74",
4994   number =       "11",
4995   pages =        "6615--6618",
4996   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4997                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4998                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4999   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
5000   doi =          "10.1063/1.355101",
5001   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
5002                  mobility",
5003 }
5004
5005 @Article{newman85,
5006   author =       "Ronald C. Newman",
5007   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
5008   journal =      "MRS Proc.",
5009   volume =       "59",
5010   number =       "",
5011   pages =        "403",
5012   year =         "1985",
5013   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
5014   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
5015   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
5016 }
5017
5018 @Article{newman61,
5019   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
5020   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
5021   volume =       "19",
5022   number =       "3-4",
5023   pages =        "230--234",
5024   year =         "1961",
5025   note =         "",
5026   ISSN =         "0022-3697",
5027   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
5028   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
5029   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
5030   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
5031 }
5032
5033 @Article{goesele85,
5034   author =       "U. Gösele",
5035   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
5036   journal =      "MRS Proc.",
5037   volume =       "59",
5038   number =       "",
5039   pages =        "419",
5040   year =         "1985",
5041   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
5042   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
5043   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
5044 }
5045
5046 @Article{mukashev82,
5047   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
5048   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
5049                  Fukuoka and Haruo Saito",
5050   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
5051   volume =       "21",
5052   number =       "Part 1, No. 2",
5053   pages =        "399--400",
5054   numpages =     "1",
5055   year =         "1982",
5056   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
5057   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
5058   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
5059 }
5060
5061 @Article{puska98,
5062   title =        "Convergence of supercell calculations for point
5063                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
5064   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
5065                  M. Nieminen",
5066   journal =      "Phys. Rev. B",
5067   volume =       "58",
5068   number =       "3",
5069   pages =        "1318--1325",
5070   numpages =     "7",
5071   year =         "1998",
5072   month =        jul,
5073   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
5074   publisher =    "American Physical Society",
5075   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
5076                  silicon",
5077 }
5078
5079 @Article{serre95,
5080   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
5081                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
5082                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
5083   collaboration = "",
5084   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
5085                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
5086   publisher =    "AIP",
5087   year =         "1995",
5088   journal =      "J. Appl. Phys.",
5089   volume =       "77",
5090   number =       "7",
5091   pages =        "2978--2984",
5092   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
5093                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
5094                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
5095                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
5096   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
5097   doi =          "10.1063/1.358714",
5098 }
5099
5100 @Article{romano-rodriguez96,
5101   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
5102                  dose carbon ion implantation in silicon",
5103   journal =      "Materials Science and Engineering B",
5104   volume =       "36",
5105   number =       "1-3",
5106   pages =        "282--285",
5107   year =         "1996",
5108   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
5109                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
5110                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
5111                  Semiconductors",
5112   ISSN =         "0921-5107",
5113   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
5114   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
5115   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
5116                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
5117                  and W. Skorupa",
5118   keywords =     "Silicon",
5119   keywords =     "Ion implantation",
5120   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5121 }
5122
5123 @Article{davidson75,
5124   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5125                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5126                  real-symmetric matrices",
5127   journal =      "J. Comput. Phys.",
5128   volume =       "17",
5129   number =       "1",
5130   pages =        "87--94",
5131   year =         "1975",
5132   note =         "",
5133   ISSN =         "0021-9991",
5134   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5135   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5136   author =       "Ernest R. Davidson",
5137 }
5138
5139 @Book{adorno_mm,
5140   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5141                  Leben",
5142   author =       "T. W. Adorno",
5143   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5144   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5145   year =         "1994",
5146   publisher =    "Suhrkamp",
5147 }