bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  45   title =        "",
  46   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  47   volume =       "32",
  48   pages =        "1211",
  49   year =         "1971",
  50   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  51 }
  52
  53 @Article{capano97,
  54   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  55   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  56   journal =      "MRS Bull.",
  57   volume =       "22",
  58   pages =        "19",
  59   year =         "1997",
  60 }
  61
  62 @Article{fischer90,
  63   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  64   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  65                  carbide",
  66   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  67   volume =       "61",
  68   pages =        "217--236",
  69   year =         "1990",
  70   notes =        "sic polytypes",
  71 }
  72
  73 @Article{koegler03,
  74   author =       "R. Kögler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and A.
  75                  Mücklich and H. Reuther and W. Skorupa and C. Serre and
  76                  A. Perez-Rodriguez",
  77   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  78                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  79                  ions",
  80   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  81   volume =       "76",
  82   pages =        "827--835",
  83   month =        mar,
  84   year =         "2003",
  85   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies",
  86 }
  87
  88 @Book{laplace,
  89   author =       "P. S. de Laplace",
  90   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  91   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  92   volume =       "VII",
  93   publisher =    "Gauthier-Villars",
  94   year =         "1820",
  95 }
  96
  97 @Article{mattoni2007,
  98   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  99   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 100                  materials}",
 101   journal =      "Phys. Rev. B",
 102   year =         "2007",
 103   month =        dec,
 104   volume =       "76",
 105   number =       "22",
 106   pages =        "224103",
 107   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 108   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 109                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 110                  fracture, more available potentials, universal energy
 111                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 112 }
 113
 114 @Article{balamane92,
 115   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 116                  potentials",
 117   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 118   journal =      "Phys. Rev. B",
 119   volume =       "46",
 120   number =       "4",
 121   pages =        "2250--2279",
 122   numpages =     "29",
 123   year =         "1992",
 124   month =        jul,
 125   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 126   publisher =    "American Physical Society",
 127   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 128 }
 129
 130 @Article{koster2002,
 131   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 132                  bombardment",
 133   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 134   journal =      "Phys. Rev. B",
 135   volume =       "62",
 136   number =       "16",
 137   pages =        "11219--11224",
 138   numpages =     "5",
 139   year =         "2000",
 140   month =        oct,
 141   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 142   publisher =    "American Physical Society",
 143   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 144 }
 145
 146 @Article{breadmore99,
 147   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 148                  amorphization of silicon",
 149   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 150   journal =      "Phys. Rev. B",
 151   volume =       "60",
 152   number =       "18",
 153   pages =        "12610--12616",
 154   numpages =     "6",
 155   year =         "1999",
 156   month =        nov,
 157   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 158   publisher =    "American Physical Society",
 159   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 160 }
 161
 162 @Article{moissan04,
 163   author =       "Henri Moissan",
 164   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 165                  Diablo",
 166   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 167   volume =       "139",
 168   pages =        "773--786",
 169   year =         "1904",
 170 }
 171
 172 @Book{park98,
 173   author =       "Y. S. Park",
 174   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 175   publisher =    "Academic Press",
 176   address =      "San Diego",
 177   year =         "1998",
 178 }
 179
 180 @Article{tsvetkov98,
 181   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 182                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 183   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 184   journal =      "Materials Science Forum",
 185   volume =       "264-268",
 186   pages =        "3--8",
 187   year =         "1998",
 188   notes =        "modified lely process, micropipes",
 189 }
 190
 191 @Article{verlet67,
 192   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 193                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 194   author =       "Loup Verlet",
 195   journal =      "Phys. Rev.",
 196   volume =       "159",
 197   number =       "1",
 198   pages =        "98",
 199   year =         "1967",
 200   month =        jul,
 201   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 202   publisher =    "American Physical Society",
 203   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 204                  motion",
 205 }
 206
 207 @Article{berendsen84,
 208   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 209                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 210   collaboration = "",
 211   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 212   publisher =    "AIP",
 213   year =         "1984",
 214   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 215   volume =       "81",
 216   number =       "8",
 217   pages =        "3684--3690",
 218   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 219                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 220   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 221   doi =          "10.1063/1.448118",
 222   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 223 }
 224
 225 @Article{huang95,
 226   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 227                  Baskes",
 228   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 229                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 230                  potentials",
 231   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 232                  Engineering",
 233   volume =       "3",
 234   number =       "5",
 235   pages =        "615--627",
 236   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 237   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 238                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 239   year =         "1995",
 240 }
 241
 242 @Article{brenner89,
 243   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 244                  Tersoff potentials",
 245   author =       "Donald W. Brenner",
 246   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 247   volume =       "63",
 248   number =       "9",
 249   pages =        "1022",
 250   numpages =     "1",
 251   year =         "1989",
 252   month =        aug,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 256 }
 257
 258 @Article{batra87,
 259   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 260                  silicon",
 261   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "35",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "9552--9558",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1987",
 268   month =        jun,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 272                  calculation of defect formation energy, defect
 273                  interstitial types",
 274 }
 275
 276 @Article{schober89,
 277   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 278   author =       "H. R. Schober",
 279   journal =      "Phys. Rev. B",
 280   volume =       "39",
 281   number =       "17",
 282   pages =        "13013--13015",
 283   numpages =     "2",
 284   year =         "1989",
 285   month =        jun,
 286   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 287   publisher =    "American Physical Society",
 288   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 289                  dumbbell configuration",
 290 }
 291
 292 @Article{gao02,
 293   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 294                  Defect accumulation, topological features, and
 295                  disordering",
 296   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 297   journal =      "Phys. Rev. B",
 298   volume =       "66",
 299   number =       "2",
 300   pages =        "024106",
 301   numpages =     "10",
 302   year =         "2002",
 303   month =        jul,
 304   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 305   publisher =    "American Physical Society",
 306   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 307                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 308                  result analyze",
 309 }
 310
 311 @Article{devanathan98,
 312   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 313                  cascade in Si{C}",
 314   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 315                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 316   volume =       "141",
 317   number =       "1-4",
 318   pages =        "118--122",
 319   year =         "1998",
 320   ISSN =         "0168-583X",
 321   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 322   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 323                  Rubia",
 324   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 325                  3c-sic",
 326 }
 327
 328 @Article{devanathan98_2,
 329   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 330   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 331   volume =       "253",
 332   number =       "1-3",
 333   pages =        "47--52",
 334   year =         "1998",
 335   ISSN =         "0022-3115",
 336   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 337   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 338                  Weber",
 339   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 340                  tersoff",
 341 }
 342
 343 @Article{kitabatake00,
 344   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 345   author =       "M. Kitabatake",
 346   journal =      "Thin Solid Films",
 347   volume =       "369",
 348   pages =        "257--264",
 349   numpages =     "8",
 350   year =         "2000",
 351   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 352 }
 353
 354 @Article{tang97,
 355   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 356                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 357                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 358                  formation volumes",
 359   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 360                  Rubia",
 361   journal =      "Phys. Rev. B",
 362   volume =       "55",
 363   number =       "21",
 364   pages =        "14279--14289",
 365   numpages =     "10",
 366   year =         "1997",
 367   month =        jun,
 368   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 369   publisher =    "American Physical Society",
 370   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 371 }
 372
 373 @Article{bar-yam84,
 374   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 375                  Self-Interstitial",
 376   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 377   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 378   volume =       "52",
 379   number =       "13",
 380   pages =        "1129--1132",
 381   numpages =     "3",
 382   year =         "1984",
 383   month =        mar,
 384   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 385   publisher =    "American Physical Society",
 386   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 387 }
 388
 389 @Article{colombo02,
 390   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 391                  silicon",
 392   author =       "L. Colombo",
 393   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 394   volume =       "32",
 395   pages =        "271--295",
 396   numpages =     "25",
 397   year =         "2002",
 398   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 399   publisher =    "Annual Reviews",
 400   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 401 }
 402
 403 @Article{al-mushadani03,
 404   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 405                  silicon",
 406   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 407   journal =      "Phys. Rev. B",
 408   volume =       "68",
 409   number =       "23",
 410   pages =        "235205",
 411   numpages =     "8",
 412   year =         "2003",
 413   month =        dec,
 414   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 415   publisher =    "American Physical Society",
 416   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 417                  silicon, si self interstitials",
 418 }
 419
 420 @Article{ma10,
 421   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 422                  wide temperature range: Point defect states and
 423                  migration mechanisms",
 424   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 425   journal =      "Phys. Rev. B",
 426   volume =       "81",
 427   number =       "19",
 428   pages =        "193203",
 429   numpages =     "4",
 430   year =         "2010",
 431   month =        may,
 432   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 433   publisher =    "American Physical Society",
 434   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 435 }
 436
 437 @Article{posselt08,
 438   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 439                  migration mechanisms of vacancies and
 440                  self-interstitials: An atomistic study",
 441   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 442   journal =      "Phys. Rev. B",
 443   volume =       "78",
 444   number =       "3",
 445   pages =        "035208",
 446   numpages =     "9",
 447   year =         "2008",
 448   month =        jul,
 449   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 450   publisher =    "American Physical Society",
 451   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 452                  weber and tersoff",
 453 }
 454
 455 @Article{gao2001,
 456   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 457                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 458   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 459                  Corrales",
 460   journal =      "Phys. Rev. B",
 461   volume =       "64",
 462   number =       "24",
 463   pages =        "245208",
 464   numpages =     "7",
 465   year =         "2001",
 466   month =        dec,
 467   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 468   publisher =    "American Physical Society",
 469   notes =        "defects in 3c-sic",
 470 }
 471
 472 @Article{mattoni2002,
 473   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 474                  crystalline silicon",
 475   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 476   journal =      "Phys. Rev. B",
 477   volume =       "66",
 478   number =       "19",
 479   pages =        "195214",
 480   numpages =     "6",
 481   year =         "2002",
 482   month =        nov,
 483   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 484   publisher =    "American Physical Society",
 485   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 486                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 487                  tersoff suitability",
 488 }
 489
 490 @Article{leung99,
 491   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 492   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 493                  Itoh and S. Ihara",
 494   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 495   volume =       "83",
 496   number =       "12",
 497   pages =        "2351--2354",
 498   numpages =     "3",
 499   year =         "1999",
 500   month =        sep,
 501   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 502   publisher =    "American Physical Society",
 503   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 504                  refs",
 505 }
 506
 507 @Article{capaz94,
 508   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 509                  carbon in silicon",
 510   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 511   journal =      "Phys. Rev. B",
 512   volume =       "50",
 513   number =       "11",
 514   pages =        "7439--7442",
 515   numpages =     "3",
 516   year =         "1994",
 517   month =        sep,
 518   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 519   publisher =    "American Physical Society",
 520   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 521                  dumbbell",
 522 }
 523
 524 @Article{dal_pino93,
 525   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 526                  silicon",
 527   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 528                  Joannopoulos",
 529   journal =      "Phys. Rev. B",
 530   volume =       "47",
 531   number =       "19",
 532   pages =        "12554--12557",
 533   numpages =     "3",
 534   year =         "1993",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 539 }
 540
 541 @Article{car84,
 542   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 543                  Silicon",
 544   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 545                  Sokrates T. Pantelides",
 546   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 547   volume =       "52",
 548   number =       "20",
 549   pages =        "1814--1817",
 550   numpages =     "3",
 551   year =         "1984",
 552   month =        may,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 556                  path formation",
 557 }
 558
 559 @Article{car85,
 560   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 561                  Density-Functional Theory",
 562   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 563   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 564   volume =       "55",
 565   number =       "22",
 566   pages =        "2471--2474",
 567   numpages =     "3",
 568   year =         "1985",
 569   month =        nov,
 570   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 571   publisher =    "American Physical Society",
 572   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 573 }
 574
 575 @Article{kelires97,
 576   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 577                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 578   author =       "P. C. Kelires",
 579   journal =      "Phys. Rev. B",
 580   volume =       "55",
 581   number =       "14",
 582   pages =        "8784--8787",
 583   numpages =     "3",
 584   year =         "1997",
 585   month =        apr,
 586   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 587   publisher =    "American Physical Society",
 588   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 589                  neighbour dist",
 590 }
 591
 592 @Article{kelires95,
 593   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 594                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 595   author =       "P. C. Kelires",
 596   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 597   volume =       "75",
 598   number =       "6",
 599   pages =        "1114--1117",
 600   numpages =     "3",
 601   year =         "1995",
 602   month =        aug,
 603   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 604   publisher =    "American Physical Society",
 605   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 606 }
 607
 608 @Article{bean70,
 609   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 610                  containing carbon",
 611   journal =      "Solid State Communications",
 612   volume =       "8",
 613   number =       "3",
 614   pages =        "175--177",
 615   year =         "1970",
 616   note =         "",
 617   ISSN =         "0038-1098",
 618   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 619   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 620   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 621 }
 622
 623 @Article{watkins76,
 624   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 625                  Atom in Silicon",
 626   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 627   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 628   volume =       "36",
 629   number =       "22",
 630   pages =        "1329--1332",
 631   numpages =     "3",
 632   year =         "1976",
 633   month =        may,
 634   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 635   publisher =    "American Physical Society",
 636   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 637                  silicon",
 638 }
 639
 640 @Article{song90,
 641   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 642                  interstitial carbon in silicon",
 643   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 644   journal =      "Phys. Rev. B",
 645   volume =       "42",
 646   number =       "9",
 647   pages =        "5759--5764",
 648   numpages =     "5",
 649   year =         "1990",
 650   month =        sep,
 651   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 652   publisher =    "American Physical Society",
 653   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 654 }
 655
 656 @Article{tipping87,
 657   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 658   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 659                  silicon",
 660   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 661   volume =       "2",
 662   number =       "5",
 663   pages =        "315--317",
 664   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 665   year =         "1987",
 666   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 667                  silicon",
 668 }
 669
 670 @Article{strane96,
 671   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 672                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 673   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 674                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 675   journal =      "J. Appl. Phys.",
 676   volume =       "79",
 677   pages =        "637",
 678   year =         "1996",
 679   month =        jan,
 680   doi =          "10.1063/1.360806",
 681   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 682 }
 683
 684 @Article{laveant2002,
 685   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 686   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 687                  G{\"o}sele",
 688   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 689   volume =       "89",
 690   number =       "1-3",
 691   pages =        "241--245",
 692   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 693   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 694                  stress, avoid sic precipitation",
 695 }
 696
 697 @Article{werner97,
 698   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 699                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 700   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 701                  silicon by transmission electron microscopy",
 702   publisher =    "AIP",
 703   year =         "1997",
 704   journal =      "Applied Physics Letters",
 705   volume =       "70",
 706   number =       "2",
 707   pages =        "252--254",
 708   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 709                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 710                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 711                  layers; precipitation",
 712   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 713   doi =          "10.1063/1.118381",
 714   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 715                  precipitate",
 716 }
 717
 718 @InProceedings{werner96,
 719   author =       "P. Werner and R. Koegler and W. Skorupa and D.
 720                  Eichler",
 721   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 722                  International Conference on",
 723   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 724                  implanted silicon",
 725   year =         "1996",
 726   month =        jun,
 727   volume =       "",
 728   number =       "",
 729   pages =        "675--678",
 730   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 731                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 732                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 733                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 734                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 735                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 736                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 737                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 738                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 739                  interactions;ion implantation;positron
 740                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 741                  annealing;secondary ion mass
 742                  spectra;silicon;transmission electron
 743                  microscopy;vacancies (crystal);",
 744   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 745   ISSN =         "",
 746   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 747 }
 748
 749 @Article{strane94,
 750   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 751                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 752   collaboration = "",
 753   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 754                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 755   publisher =    "AIP",
 756   year =         "1994",
 757   journal =      "Journal of Applied Physics",
 758   volume =       "76",
 759   number =       "6",
 760   pages =        "3656--3668",
 761   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 762   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 763   doi =          "10.1063/1.357429",
 764   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 765 }
 766
 767 @Article{edgar92,
 768   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 769                  semiconductors",
 770   author =       "J. H. Edgar",
 771   journal =      "J. Mater. Res.",
 772   volume =       "7",
 773   pages =        "235",
 774   year =         "1992",
 775   month =        jan,
 776   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 777   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 778                  polytypes",
 779 }
 780
 781 @Article{zirkelbach2007,
 782   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 783                  process leading to ordered precipitate structures",
 784   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 785                  and B. Stritzker",
 786   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 787   volume =       "257",
 788   number =       "1--2",
 789   pages =        "75--79",
 790   numpages =     "5",
 791   year =         "2007",
 792   month =        apr,
 793   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 794   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 795                  NETHERLANDS",
 796 }
 797
 798 @Article{zirkelbach2006,
 799   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 800                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 801                  during ion irradiation",
 802   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 803                  and B. Stritzker",
 804   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 805   volume =       "242",
 806   number =       "1--2",
 807   pages =        "679--682",
 808   numpages =     "4",
 809   year =         "2006",
 810   month =        jan,
 811   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 812   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 813                  NETHERLANDS",
 814 }
 815
 816 @Article{zirkelbach2005,
 817   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 818                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 819                  ion irradiation",
 820   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 821                  and B. Stritzker",
 822   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 823   volume =       "33",
 824   number =       "1--3",
 825   pages =        "310--316",
 826   numpages =     "7",
 827   year =         "2005",
 828   month =        apr,
 829   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 830   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 831                  NETHERLANDS",
 832 }
 833
 834 @Article{lindner99,
 835   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 836                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 837                  layers in silicon",
 838   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 839                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 840   volume =       "147",
 841   number =       "1-4",
 842   pages =        "249--255",
 843   year =         "1999",
 844   note =         "",
 845   ISSN =         "0168-583X",
 846   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 847   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 848   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 849   notes =        "two-step implantation process",
 850 }
 851
 852 @Article{lindner99_2,
 853   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 854                  in silicon",
 855   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 856                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 857   volume =       "148",
 858   number =       "1-4",
 859   pages =        "528--533",
 860   year =         "1999",
 861   ISSN =         "0168-583X",
 862   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 863   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 864   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 865   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 866 }
 867
 868 @Article{lindner01,
 869   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 870                  Basic physical processes",
 871   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 872                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 873   volume =       "178",
 874   number =       "1-4",
 875   pages =        "44--54",
 876   year =         "2001",
 877   note =         "",
 878   ISSN =         "0168-583X",
 879   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 880   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 881   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 882 }
 883
 884 @Article{lindner02,
 885   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 886                  fundamental studies for new technological tricks",
 887   author =       "J. K. N. Lindner",
 888   journal =      "Appl. Phys. A",
 889   volume =       "77",
 890   pages =        "27--38",
 891   year =         "2003",
 892   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 893   notes =        "ibs, burried sic layers",
 894 }
 895
 896 @Article{ito04,
 897   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
 898                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
 899                  growth",
 900   journal =      "Applied Surface Science",
 901   volume =       "238",
 902   number =       "1-4",
 903   pages =        "159--164",
 904   year =         "2004",
 905   note =         "APHYS'03 Special Issue",
 906   ISSN =         "0169-4332",
 907   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
 908   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
 909   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
 910                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
 911   notes =        "gan on 3c-sic",
 912 }
 913
 914 @Article{alder57,
 915   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 916   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 917   publisher =    "AIP",
 918   year =         "1957",
 919   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 920   volume =       "27",
 921   number =       "5",
 922   pages =        "1208--1209",
 923   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 924   doi =          "10.1063/1.1743957",
 925 }
 926
 927 @Article{alder59,
 928   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 929   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 930   publisher =    "AIP",
 931   year =         "1959",
 932   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 933   volume =       "31",
 934   number =       "2",
 935   pages =        "459--466",
 936   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 937   doi =          "10.1063/1.1730376",
 938 }
 939
 940 @Article{tersoff_si1,
 941   title =        "New empirical model for the structural properties of
 942                  silicon",
 943   author =       "J. Tersoff",
 944   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 945   volume =       "56",
 946   number =       "6",
 947   pages =        "632--635",
 948   numpages =     "3",
 949   year =         "1986",
 950   month =        feb,
 951   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 952   publisher =    "American Physical Society",
 953 }
 954
 955 @Article{tersoff_si2,
 956   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 957                  covalent systems",
 958   author =       "J. Tersoff",
 959   journal =      "Phys. Rev. B",
 960   volume =       "37",
 961   number =       "12",
 962   pages =        "6991--7000",
 963   numpages =     "9",
 964   year =         "1988",
 965   month =        apr,
 966   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 967   publisher =    "American Physical Society",
 968 }
 969
 970 @Article{tersoff_si3,
 971   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 972                  improved elastic properties",
 973   author =       "J. Tersoff",
 974   journal =      "Phys. Rev. B",
 975   volume =       "38",
 976   number =       "14",
 977   pages =        "9902--9905",
 978   numpages =     "3",
 979   year =         "1988",
 980   month =        nov,
 981   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 982   publisher =    "American Physical Society",
 983 }
 984
 985 @Article{tersoff_c,
 986   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 987                  Applications to Amorphous Carbon",
 988   author =       "J. Tersoff",
 989   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 990   volume =       "61",
 991   number =       "25",
 992   pages =        "2879--2882",
 993   numpages =     "3",
 994   year =         "1988",
 995   month =        dec,
 996   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 997   publisher =    "American Physical Society",
 998 }
 999
1000 @Article{tersoff_m,
1001   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1002                  for multicomponent systems",
1003   author =       "J. Tersoff",
1004   journal =      "Phys. Rev. B",
1005   volume =       "39",
1006   number =       "8",
1007   pages =        "5566--5568",
1008   numpages =     "2",
1009   year =         "1989",
1010   month =        mar,
1011   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1012   publisher =    "American Physical Society",
1013 }
1014
1015 @Article{tersoff90,
1016   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1017   author =       "J. Tersoff",
1018   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1019   volume =       "64",
1020   number =       "15",
1021   pages =        "1757--1760",
1022   numpages =     "3",
1023   year =         "1990",
1024   month =        apr,
1025   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1026   publisher =    "American Physical Society",
1027 }
1028
1029 @Article{fahey89,
1030   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1031   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1032   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1033   volume =       "61",
1034   number =       "2",
1035   pages =        "289--384",
1036   numpages =     "95",
1037   year =         "1989",
1038   month =        apr,
1039   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1040   publisher =    "American Physical Society",
1041 }
1042
1043 @Article{wesch96,
1044   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1045   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1046                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1047   volume =       "116",
1048   number =       "1-4",
1049   pages =        "305--321",
1050   year =         "1996",
1051   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1052   ISSN =         "0168-583X",
1053   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1054   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1055   author =       "W. Wesch",
1056 }
1057
1058 @Article{morkoc94,
1059   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1060                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1061   collaboration = "",
1062   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1063                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1064   publisher =    "AIP",
1065   year =         "1994",
1066   journal =      "Journal of Applied Physics",
1067   volume =       "76",
1068   number =       "3",
1069   pages =        "1363--1398",
1070   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1071                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1072                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1073                  FILMS; INDUSTRY",
1074   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1075   doi =          "10.1063/1.358463",
1076 }
1077
1078 @Article{foo,
1079   author =       "Noch Unbekannt",
1080   title =        "How to find references",
1081   journal =      "Journal of Applied References",
1082   year =         "2009",
1083   volume =       "77",
1084   pages =        "1--23",
1085 }
1086
1087 @Article{tang95,
1088   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1089                  \beta{}-Si{C}",
1090   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1091   journal =      "Phys. Rev. B",
1092   volume =       "52",
1093   number =       "21",
1094   pages =        "15150--15159",
1095   numpages =     "9",
1096   year =         "1995",
1097   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1098   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1099                  tersoff reparametrization",
1100   publisher =    "American Physical Society",
1101 }
1102
1103 @Article{sarro00,
1104   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1105   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1106   volume =       "82",
1107   number =       "1-3",
1108   pages =        "210--218",
1109   year =         "2000",
1110   ISSN =         "0924-4247",
1111   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1112   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1113   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1114   keywords =     "MEMS",
1115   keywords =     "Silicon carbide",
1116   keywords =     "Micromachining",
1117   keywords =     "Mechanical stress",
1118 }
1119
1120 @Article{casady96,
1121   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1122                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1123                  review",
1124   journal =      "Solid-State Electronics",
1125   volume =       "39",
1126   number =       "10",
1127   pages =        "1409--1422",
1128   year =         "1996",
1129   ISSN =         "0038-1101",
1130   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1131   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1132   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1133 }
1134
1135 @Article{giancarli98,
1136   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1137                  structural material in fusion power reactor blankets",
1138   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1139   volume =       "41",
1140   number =       "1-4",
1141   pages =        "165--171",
1142   year =         "1998",
1143   ISSN =         "0920-3796",
1144   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1145   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1146   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1147                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1148 }
1149
1150 @Article{pensl93,
1151   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1152   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1153   volume =       "185",
1154   number =       "1-4",
1155   pages =        "264--283",
1156   year =         "1993",
1157   ISSN =         "0921-4526",
1158   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1159   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1160   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1161 }
1162
1163 @Article{tairov78,
1164   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1165                  carbide single crystals",
1166   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1167   volume =       "43",
1168   number =       "2",
1169   pages =        "209--212",
1170   year =         "1978",
1171   notes =        "modifief lely process",
1172   ISSN =         "0022-0248",
1173   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1174   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1175   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1176 }
1177
1178 @Article{nishino83,
1179   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1180                  Will",
1181   collaboration = "",
1182   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1183                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1184   publisher =    "AIP",
1185   year =         "1983",
1186   journal =      "Applied Physics Letters",
1187   volume =       "42",
1188   number =       "5",
1189   pages =        "460--462",
1190   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1191                  monocrystals",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1193   doi =          "10.1063/1.93970",
1194   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1195 }
1196
1197 @Article{nishino87,
1198   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1199                  and Hiroyuki Matsunami",
1200   collaboration = "",
1201   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1202                  Si{C} on silicon",
1203   publisher =    "AIP",
1204   year =         "1987",
1205   journal =      "Journal of Applied Physics",
1206   volume =       "61",
1207   number =       "10",
1208   pages =        "4889--4893",
1209   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1210   doi =          "10.1063/1.338355",
1211   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1212                  carbonization",
1213 }
1214
1215 @Article{powell87,
1216   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1217                  Kuczmarski",
1218   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1219                  Single-Crystal Films on Si",
1220   publisher =    "ECS",
1221   year =         "1987",
1222   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1223   volume =       "134",
1224   number =       "6",
1225   pages =        "1558--1565",
1226   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1227                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1228   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1229   doi =          "10.1149/1.2100708",
1230   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1231 }
1232
1233 @Article{kimoto93,
1234   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1235                  and Hiroyuki Matsunami",
1236   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1237                  epitaxy",
1238   publisher =    "AIP",
1239   year =         "1993",
1240   journal =      "Journal of Applied Physics",
1241   volume =       "73",
1242   number =       "2",
1243   pages =        "726--732",
1244   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1245                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1246                  VAPOR DEPOSITION",
1247   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1248   doi =          "10.1063/1.353329",
1249   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1250 }
1251
1252 @Article{powell90,
1253   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1254                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1255                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1256   collaboration = "",
1257   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1258                  6{H}-Si{C} substrates",
1259   publisher =    "AIP",
1260   year =         "1990",
1261   journal =      "Applied Physics Letters",
1262   volume =       "56",
1263   number =       "14",
1264   pages =        "1353--1355",
1265   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1266                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1267                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1268                  PHASE EPITAXY",
1269   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1270   doi =          "10.1063/1.102512",
1271   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1272 }
1273
1274 @Article{yuan95,
1275   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1276                  Thokala and M. J. Loboda",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1279                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1280                  silacyclobutane",
1281   publisher =    "AIP",
1282   year =         "1995",
1283   journal =      "Journal of Applied Physics",
1284   volume =       "78",
1285   number =       "2",
1286   pages =        "1271--1273",
1287   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1288                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1289                  SPECTROPHOTOMETRY",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1291   doi =          "10.1063/1.360368",
1292   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1293 }
1294
1295 @Article{fissel95,
1296   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1297                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1298                  molecular beam epitaxy",
1299   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1300   volume =       "154",
1301   number =       "1-2",
1302   pages =        "72--80",
1303   year =         "1995",
1304   ISSN =         "0022-0248",
1305   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1306   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1307   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1308                  and W. Richter",
1309   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1310 }
1311
1312 @Article{fissel95_apl,
1313   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1314   collaboration = "",
1315   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1316                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1317   publisher =    "AIP",
1318   year =         "1995",
1319   journal =      "Applied Physics Letters",
1320   volume =       "66",
1321   number =       "23",
1322   pages =        "3182--3184",
1323   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1324                  RHEED; NUCLEATION",
1325   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1326   doi =          "10.1063/1.113716",
1327   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1328 }
1329
1330 @Article{borders71,
1331   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1332   collaboration = "",
1333   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1334                  {IMPLANTATION}",
1335   publisher =    "AIP",
1336   year =         "1971",
1337   journal =      "Applied Physics Letters",
1338   volume =       "18",
1339   number =       "11",
1340   pages =        "509--511",
1341   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1342   doi =          "10.1063/1.1653516",
1343   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1344                  ideas",
1345 }
1346
1347 @Article{reeson87,
1348   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1349                  J. Davis and G. E. Celler",
1350   collaboration = "",
1351   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1352                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1353   publisher =    "AIP",
1354   year =         "1987",
1355   journal =      "Applied Physics Letters",
1356   volume =       "51",
1357   number =       "26",
1358   pages =        "2242--2244",
1359   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1360                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1361   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1362   doi =          "10.1063/1.98953",
1363   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1364 }
1365
1366 @Article{scace59,
1367   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1368   collaboration = "",
1369   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1370   publisher =    "AIP",
1371   year =         "1959",
1372   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1373   volume =       "30",
1374   number =       "6",
1375   pages =        "1551--1555",
1376   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1377   doi =          "10.1063/1.1730236",
1378   notes =        "solubility of c in c-si",
1379 }
1380
1381 @Article{cowern96,
1382   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1383                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1384   collaboration = "",
1385   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1386                  {B} in silicon",
1387   publisher =    "AIP",
1388   year =         "1996",
1389   journal =      "Applied Physics Letters",
1390   volume =       "68",
1391   number =       "8",
1392   pages =        "1150--1152",
1393   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1394                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1395                  SILICON",
1396   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1397   doi =          "10.1063/1.115706",
1398   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1399 }
1400
1401 @Article{stolk95,
1402   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1403                  of the silicon self-interstitial",
1404   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1405                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1406   volume =       "96",
1407   number =       "1-2",
1408   pages =        "187--195",
1409   year =         "1995",
1410   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1411                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1412   ISSN =         "0168-583X",
1413   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1414   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1415   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1416                  and J. M. Poate",
1417 }
1418
1419 @Article{stolk97,
1420   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1421                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1422                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1423                  E. Haynes",
1424   collaboration = "",
1425   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1426                  diffusion in ion-implanted silicon",
1427   publisher =    "AIP",
1428   year =         "1997",
1429   journal =      "Journal of Applied Physics",
1430   volume =       "81",
1431   number =       "9",
1432   pages =        "6031--6050",
1433   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1434   doi =          "10.1063/1.364452",
1435   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1436 }
1437
1438 @Article{powell94,
1439   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1440   collaboration = "",
1441   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1442                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1443   publisher =    "AIP",
1444   year =         "1994",
1445   journal =      "Applied Physics Letters",
1446   volume =       "64",
1447   number =       "3",
1448   pages =        "324--326",
1449   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1450                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1451                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1452                  SYNTHESIS",
1453   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1454   doi =          "10.1063/1.111195",
1455   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1456 }
1457
1458 @Article{soref91,
1459   author =       "Richard A. Soref",
1460   collaboration = "",
1461   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1462                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1463   publisher =    "AIP",
1464   year =         "1991",
1465   journal =      "Journal of Applied Physics",
1466   volume =       "70",
1467   number =       "4",
1468   pages =        "2470--2472",
1469   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1470                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1471                  TERNARY ALLOYS",
1472   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1473   doi =          "10.1063/1.349403",
1474   notes =        "band gap of strained si by c",
1475 }
1476
1477 @Article{kasper91,
1478   author =       "E Kasper",
1479   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1480                  possibility to produce direct band gap material",
1481   journal =      "Physica Scripta",
1482   volume =       "T35",
1483   pages =        "232--236",
1484   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1485   year =         "1991",
1486   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1487                  quasi-direct one",
1488 }
1489
1490 @Article{osten99,
1491   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1492   collaboration = "",
1493   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1494                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1495                  molecular beam epitaxy",
1496   publisher =    "AIP",
1497   year =         "1999",
1498   journal =      "Applied Physics Letters",
1499   volume =       "74",
1500   number =       "6",
1501   pages =        "836--838",
1502   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1503                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1504                  compounds",
1505   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1506   doi =          "10.1063/1.123384",
1507   notes =        "substitutional c in si",
1508 }
1509
1510 @Article{hohenberg64,
1511   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1512   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1513   journal =      "Phys. Rev.",
1514   volume =       "136",
1515   number =       "3B",
1516   pages =        "B864--B871",
1517   numpages =     "7",
1518   year =         "1964",
1519   month =        nov,
1520   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1521   publisher =    "American Physical Society",
1522   notes =        "density functional theory, dft",
1523 }
1524
1525 @Article{kohn65,
1526   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1527                  Correlation Effects",
1528   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1529   journal =      "Phys. Rev.",
1530   volume =       "140",
1531   number =       "4A",
1532   pages =        "A1133--A1138",
1533   numpages =     "5",
1534   year =         "1965",
1535   month =        nov,
1536   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1537   publisher =    "American Physical Society",
1538   notes =        "dft, exchange and correlation",
1539 }
1540
1541 @Article{ruecker94,
1542   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1543                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1544   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1545                  J. Osten",
1546   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1547   volume =       "72",
1548   number =       "22",
1549   pages =        "3578--3581",
1550   numpages =     "3",
1551   year =         "1994",
1552   month =        may,
1553   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1554   publisher =    "American Physical Society",
1555   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1556                  si, dft",
1557 }
1558
1559 @Article{chang05,
1560   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1561                  Alloy",
1562   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1563   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1564   volume =       "44",
1565   number =       "4B",
1566   pages =        "2257--2262",
1567   numpages =     "5",
1568   year =         "2005",
1569   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1570   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1571   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1572   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1573 }
1574
1575 @Article{osten97,
1576   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1577   collaboration = "",
1578   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1579                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1580                  Si(001)",
1581   publisher =    "AIP",
1582   year =         "1997",
1583   journal =      "Journal of Applied Physics",
1584   volume =       "82",
1585   number =       "10",
1586   pages =        "4977--4981",
1587   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1588                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1589                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1590   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1591   doi =          "10.1063/1.366364",
1592   notes =        "charge transport in strained si",
1593 }
1594
1595 @Article{kapur04,
1596   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1597                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1598   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1599   journal =      "Phys. Rev. B",
1600   volume =       "69",
1601   number =       "15",
1602   pages =        "155214",
1603   numpages =     "8",
1604   year =         "2004",
1605   month =        apr,
1606   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1607   publisher =    "American Physical Society",
1608   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1609 }
1610
1611 @Article{barkema96,
1612   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1613                  Systems",
1614   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1615   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1616   volume =       "77",
1617   number =       "21",
1618   pages =        "4358--4361",
1619   numpages =     "3",
1620   year =         "1996",
1621   month =        nov,
1622   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1623   publisher =    "American Physical Society",
1624   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1625                  dynamic mds",
1626 }
1627
1628 @Article{cances09,
1629   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1630                  Minoukadeh and F. Willaime",
1631   collaboration = "",
1632   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1633                  technique method for finding transition pathways on
1634                  potential energy surfaces",
1635   publisher =    "AIP",
1636   year =         "2009",
1637   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1638   volume =       "130",
1639   number =       "11",
1640   eid =          "114711",
1641   numpages =     "6",
1642   pages =        "114711",
1643   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1644                  surfaces; vacancies (crystal)",
1645   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1646   doi =          "10.1063/1.3088532",
1647   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1648                  transition pathways",
1649 }
1650
1651 @Article{parrinello81,
1652   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1653   collaboration = "",
1654   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1655                  molecular dynamics method",
1656   publisher =    "AIP",
1657   year =         "1981",
1658   journal =      "Journal of Applied Physics",
1659   volume =       "52",
1660   number =       "12",
1661   pages =        "7182--7190",
1662   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1663                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1664                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1665                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1666                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1667                  IMPACT SHOCK",
1668   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1669   doi =          "10.1063/1.328693",
1670 }
1671
1672 @Article{stillinger85,
1673   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1674                  of silicon",
1675   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1676   journal =      "Phys. Rev. B",
1677   volume =       "31",
1678   number =       "8",
1679   pages =        "5262--5271",
1680   numpages =     "9",
1681   year =         "1985",
1682   month =        apr,
1683   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1684   publisher =    "American Physical Society",
1685 }
1686
1687 @Article{brenner90,
1688   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1689                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1690                  films",
1691   author =       "Donald W. Brenner",
1692   journal =      "Phys. Rev. B",
1693   volume =       "42",
1694   number =       "15",
1695   pages =        "9458--9471",
1696   numpages =     "13",
1697   year =         "1990",
1698   month =        nov,
1699   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1700   publisher =    "American Physical Society",
1701   notes =        "brenner hydro carbons",
1702 }
1703
1704 @Article{bazant96,
1705   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1706                  Cohesive Energy Curves",
1707   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1708   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1709   volume =       "77",
1710   number =       "21",
1711   pages =        "4370--4373",
1712   numpages =     "3",
1713   year =         "1996",
1714   month =        nov,
1715   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1716   publisher =    "American Physical Society",
1717   notes =        "first si edip",
1718 }
1719
1720 @Article{bazant97,
1721   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1722                  silicon",
1723   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1724                  Justo",
1725   journal =      "Phys. Rev. B",
1726   volume =       "56",
1727   number =       "14",
1728   pages =        "8542--8552",
1729   numpages =     "10",
1730   year =         "1997",
1731   month =        oct,
1732   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1733   publisher =    "American Physical Society",
1734   notes =        "second si edip",
1735 }
1736
1737 @Article{justo98,
1738   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1739                  disordered phases",
1740   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1741                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1742   journal =      "Phys. Rev. B",
1743   volume =       "58",
1744   number =       "5",
1745   pages =        "2539--2550",
1746   numpages =     "11",
1747   year =         "1998",
1748   month =        aug,
1749   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1750   publisher =    "American Physical Society",
1751   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1752 }
1753
1754 @Article{parcas_md,
1755   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1756   author =       "K. Nordlund",
1757   year =         "2008",
1758 }
1759
1760 @Article{voter97,
1761   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1762                  Infrequent Events",
1763   author =       "Arthur F. Voter",
1764   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1765   volume =       "78",
1766   number =       "20",
1767   pages =        "3908--3911",
1768   numpages =     "3",
1769   year =         "1997",
1770   month =        may,
1771   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1772   publisher =    "American Physical Society",
1773   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1774 }
1775
1776 @Article{voter97_2,
1777   author =       "Arthur F. Voter",
1778   collaboration = "",
1779   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1780                  simulation of infrequent events",
1781   publisher =    "AIP",
1782   year =         "1997",
1783   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1784   volume =       "106",
1785   number =       "11",
1786   pages =        "4665--4677",
1787   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1788                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1789                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1790                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1791                  theory; potential energy surfaces",
1792   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1793   doi =          "10.1063/1.473503",
1794   notes =        "improved hyperdynamics md",
1795 }
1796
1797 @Article{sorensen2000,
1798   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1799   collaboration = "",
1800   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1801                  infrequent events",
1802   publisher =    "AIP",
1803   year =         "2000",
1804   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1805   volume =       "112",
1806   number =       "21",
1807   pages =        "9599--9606",
1808   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1809                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1810   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1811   doi =          "10.1063/1.481576",
1812   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1813 }
1814
1815 @Article{voter98,
1816   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1817                  events",
1818   author =       "Arthur F. Voter",
1819   journal =      "Phys. Rev. B",
1820   volume =       "57",
1821   number =       "22",
1822   pages =        "R13985--R13988",
1823   numpages =     "3",
1824   year =         "1998",
1825   month =        jun,
1826   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1827   publisher =    "American Physical Society",
1828   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1829 }
1830
1831 @Article{wu99,
1832   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1833   collaboration = "",
1834   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1835                  simulation",
1836   publisher =    "AIP",
1837   year =         "1999",
1838   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1839   volume =       "110",
1840   number =       "19",
1841   pages =        "9401--9410",
1842   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1843                  potential; crystallisation; liquid theory",
1844   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1845   doi =          "10.1063/1.478948",
1846   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1847                  systematic motion",
1848 }
1849
1850 @Article{choudhary05,
1851   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1852   collaboration = "",
1853   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1854                  to the production of amorphous silicon",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "2005",
1857   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1858   volume =       "122",
1859   number =       "15",
1860   eid =          "154509",
1861   numpages =     "8",
1862   pages =        "154509",
1863   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1864                  amorphous semiconductors",
1865   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1866   doi =          "10.1063/1.1878733",
1867   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1868                  silicon",
1869 }
1870
1871 @Article{taylor93,
1872   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1873   collaboration = "",
1874   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1875                  difficult?",
1876   publisher =    "AIP",
1877   year =         "1993",
1878   journal =      "Applied Physics Letters",
1879   volume =       "62",
1880   number =       "25",
1881   pages =        "3336--3338",
1882   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1883                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1884                  ENERGY",
1885   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1886   doi =          "10.1063/1.109063",
1887   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1888 }
1889
1890 @Article{chaussende08,
1891   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1892   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1893   volume =       "310",
1894   number =       "5",
1895   pages =        "976--981",
1896   year =         "2008",
1897   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1898                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1899   ISSN =         "0022-0248",
1900   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1901   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1902   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1903                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1904                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1905                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1906   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1907                  metastable",
1908 }
1909
1910 @Article{feynman39,
1911   title =        "Forces in Molecules",
1912   author =       "R. P. Feynman",
1913   journal =      "Phys. Rev.",
1914   volume =       "56",
1915   number =       "4",
1916   pages =        "340--343",
1917   numpages =     "3",
1918   year =         "1939",
1919   month =        aug,
1920   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1921   publisher =    "American Physical Society",
1922   notes =        "hellmann feynman forces",
1923 }
1924
1925 @Article{buczko00,
1926   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1927                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1928                  their Contrasting Properties",
1929   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1930                  T. Pantelides",
1931   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1932   volume =       "84",
1933   number =       "5",
1934   pages =        "943--946",
1935   numpages =     "3",
1936   year =         "2000",
1937   month =        jan,
1938   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1939   publisher =    "American Physical Society",
1940   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1941 }
1942
1943 @Article{djurabekova08,
1944   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1945                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1946   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1947   journal =      "Phys. Rev. B",
1948   volume =       "77",
1949   number =       "11",
1950   pages =        "115325",
1951   numpages =     "7",
1952   year =         "2008",
1953   month =        mar,
1954   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1955   publisher =    "American Physical Society",
1956   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1957                  angular distribution, coordination",
1958 }
1959
1960 @Article{wen09,
1961   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1962                  W. Liang and J. Zou",
1963   collaboration = "",
1964   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1965                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1966                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1967   publisher =    "AIP",
1968   year =         "2009",
1969   journal =      "Journal of Applied Physics",
1970   volume =       "106",
1971   number =       "7",
1972   eid =          "073522",
1973   numpages =     "8",
1974   pages =        "073522",
1975   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1976                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1977                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1978                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1979   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1980   doi =          "10.1063/1.3234380",
1981   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1982                  deconvolution, dislocation defects",
1983 }
1984
1985 @Article{kitabatake93,
1986   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1987                  Hirao",
1988   collaboration = "",
1989   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1990                  growth on Si(001) surface",
1991   publisher =    "AIP",
1992   year =         "1993",
1993   journal =      "Journal of Applied Physics",
1994   volume =       "74",
1995   number =       "7",
1996   pages =        "4438--4445",
1997   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
1998                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
1999                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2000   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2001   doi =          "10.1063/1.354385",
2002   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2003                  model, interface",
2004 }
2005
2006 @Article{pizzagalli03,
2007   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2008                  interface: Si{C}/Si(001)",
2009   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2010                  Catellani",
2011   journal =      "Phys. Rev. B",
2012   volume =       "68",
2013   number =       "19",
2014   pages =        "195302",
2015   numpages =     "10",
2016   year =         "2003",
2017   month =        nov,
2018   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2019   publisher =    "American Physical Society",
2020   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2021 }
2022
2023 @Article{tang07,
2024   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2025                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2026                  electron microscopy",
2027   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2028                  H. Zheng and J. W. Liang",
2029   journal =      "Phys. Rev. B",
2030   volume =       "75",
2031   number =       "18",
2032   pages =        "184103",
2033   numpages =     "7",
2034   year =         "2007",
2035   month =        may,
2036   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2037   publisher =    "American Physical Society",
2038   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2039                  si and c",
2040 }
2041
2042 @Article{hornstra58,
2043   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2044   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2045   volume =       "5",
2046   number =       "1-2",
2047   pages =        "129--141",
2048   year =         "1958",
2049   note =         "",
2050   ISSN =         "0022-3697",
2051   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2052   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2053   author =       "J. Hornstra",
2054   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2055 }
2056
2057 @Article{eichhorn99,
2058   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2059                  K{\"{o}}gler",
2060   collaboration = "",
2061   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2062                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2063                  synchrotron x-ray diffraction",
2064   publisher =    "AIP",
2065   year =         "1999",
2066   journal =      "Journal of Applied Physics",
2067   volume =       "86",
2068   number =       "8",
2069   pages =        "4184--4187",
2070   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2071                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2072                  precipitation; semiconductor doping",
2073   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2074   doi =          "10.1063/1.371344",
2075   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
2076                  carbon",
2077 }
2078
2079 @Article{eichhorn02,
2080   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2081                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2082   collaboration = "",
2083   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2084                  carbon ion implantation",
2085   publisher =    "AIP",
2086   year =         "2002",
2087   journal =      "Journal of Applied Physics",
2088   volume =       "91",
2089   number =       "3",
2090   pages =        "1287--1292",
2091   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2092                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2093                  electron microscopy",
2094   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2095   doi =          "10.1063/1.1428105",
2096   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2097                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2098 }
2099
2100 @Article{lucas10,
2101   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2102   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2103                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2104                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2105                  amorphous structures",
2106   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2107   volume =       "22",
2108   number =       "3",
2109   pages =        "035802",
2110   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2111   year =         "2010",
2112   notes =        "edip sic",
2113 }
2114
2115 @Article{godet03,
2116   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2117                  Beauchamp",
2118   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2119                  methods for silicon under large shear",
2120   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2121   volume =       "15",
2122   number =       "41",
2123   pages =        "6943",
2124   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2125   year =         "2003",
2126   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2127                  edip, tersoff, ab initio",
2128 }
2129
2130 @Article{moriguchi98,
2131   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2132                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2133   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2134   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2135   volume =       "37",
2136   number =       "Part 1, No. 2",
2137   pages =        "414--422",
2138   numpages =     "8",
2139   year =         "1998",
2140   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2141   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2142   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2143   notes =        "tersoff stringent test",
2144 }
2145
2146 @Article{holmstroem08,
2147   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2148                  density functional theory molecular dynamics
2149                  simulations",
2150   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2151   journal =      "Phys. Rev. B",
2152   volume =       "78",
2153   number =       "4",
2154   pages =        "045202",
2155   numpages =     "6",
2156   year =         "2008",
2157   month =        jul,
2158   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2159   publisher =    "American Physical Society",
2160   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2161                  initio",
2162 }
2163
2164 @Article{nordlund97,
2165   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2166                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2167   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2168                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2169   volume =       "132",
2170   number =       "1",
2171   pages =        "45--54",
2172   year =         "1997",
2173   note =         "",
2174   ISSN =         "0168-583X",
2175   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2176   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2177   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2178   notes =        "repulsive ab initio potential",
2179 }
2180
2181 @Article{kresse96,
2182   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2183                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2184                  set",
2185   journal =      "Computational Materials Science",
2186   volume =       "6",
2187   number =       "1",
2188   pages =        "15--50",
2189   year =         "1996",
2190   note =         "",
2191   ISSN =         "0927-0256",
2192   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2193   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2194   author =       "G. Kresse and J. Furthmüller",
2195   notes =        "vasp ref",
2196 }
2197
2198 @Article{bloechl94,
2199   title =        "Projector augmented-wave method",
2200   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2201   journal =      "Phys. Rev. B",
2202   volume =       "50",
2203   number =       "24",
2204   pages =        "17953--17979",
2205   numpages =     "26",
2206   year =         "1994",
2207   month =        dec,
2208   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2209   publisher =    "American Physical Society",
2210   notes =        "paw method",
2211 }
2212
2213 @Article{hamann79,
2214   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2215   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2216   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2217   volume =       "43",
2218   number =       "20",
2219   pages =        "1494--1497",
2220   numpages =     "3",
2221   year =         "1979",
2222   month =        nov,
2223   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2224   publisher =    "American Physical Society",
2225   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2226 }
2227
2228 @Article{vanderbilt90,
2229   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2230                  eigenvalue formalism",
2231   author =       "David Vanderbilt",
2232   journal =      "Phys. Rev. B",
2233   volume =       "41",
2234   number =       "11",
2235   pages =        "7892--7895",
2236   numpages =     "3",
2237   year =         "1990",
2238   month =        apr,
2239   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2240   publisher =    "American Physical Society",
2241   notes =        "vasp pseudopotentials",
2242 }
2243
2244 @Article{perdew86,
2245   title =        "Accurate and simple density functional for the
2246                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2247                  approximation",
2248   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2249   journal =      "Phys. Rev. B",
2250   volume =       "33",
2251   number =       "12",
2252   pages =        "8800--8802",
2253   numpages =     "2",
2254   year =         "1986",
2255   month =        jun,
2256   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2257   publisher =    "American Physical Society",
2258   notes =        "rapid communication gga",
2259 }
2260
2261 @Article{perdew02,
2262   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2263                  correlation: {A} look backward and forward",
2264   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2265   volume =       "172",
2266   number =       "1-2",
2267   pages =        "1--6",
2268   year =         "1991",
2269   note =         "",
2270   ISSN =         "0921-4526",
2271   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2272   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2273   author =       "John P. Perdew",
2274   notes =        "gga overview",
2275 }
2276
2277 @Article{perdew92,
2278   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2279                  of the generalized gradient approximation for exchange
2280                  and correlation",
2281   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2282                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2283                  and Carlos Fiolhais",
2284   journal =      "Phys. Rev. B",
2285   volume =       "46",
2286   number =       "11",
2287   pages =        "6671--6687",
2288   numpages =     "16",
2289   year =         "1992",
2290   month =        sep,
2291   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2292   publisher =    "American Physical Society",
2293   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2294 }
2295
2296 @Article{baldereschi73,
2297   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2298   author =       "A. Baldereschi",
2299   journal =      "Phys. Rev. B",
2300   volume =       "7",
2301   number =       "12",
2302   pages =        "5212--5215",
2303   numpages =     "3",
2304   year =         "1973",
2305   month =        jun,
2306   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2307   publisher =    "American Physical Society",
2308   notes =        "mean value k point",
2309 }
2310
2311 @Article{zhu98,
2312   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2313                  diffusion in Si",
2314   journal =      "Computational Materials Science",
2315   volume =       "12",
2316   number =       "4",
2317   pages =        "309--318",
2318   year =         "1998",
2319   note =         "",
2320   ISSN =         "0927-0256",
2321   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2322   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2323   author =       "Jing Zhu",
2324   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2325   keywords =     "Boron dopant",
2326   keywords =     "Carbon dopant",
2327   keywords =     "Defect",
2328   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2329   keywords =     "Impurity cluster",
2330   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2331 }
2332
2333 @Article{nejim95,
2334   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2335   collaboration = "",
2336   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2337                  950 [degree]{C}",
2338   publisher =    "AIP",
2339   year =         "1995",
2340   journal =      "Applied Physics Letters",
2341   volume =       "66",
2342   number =       "20",
2343   pages =        "2646--2648",
2344   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2345                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2346                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2347                  ELECTRON MICROSCOPY",
2348   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2349   doi =          "10.1063/1.113112",
2350   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2351                  self interstitials react with further implanted c",
2352 }
2353
2354 @Article{guedj98,
2355   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2356                  Kolodzey and A. Hairie",
2357   collaboration = "",
2358   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2359                  alloys",
2360   publisher =    "AIP",
2361   year =         "1998",
2362   journal =      "Journal of Applied Physics",
2363   volume =       "84",
2364   number =       "8",
2365   pages =        "4631--4633",
2366   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2367                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2368                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2369                  annealing",
2370   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2371   doi =          "10.1063/1.368703",
2372   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic",
2373 }
2374
2375 @Article{jones04,
2376   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2377   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2378                  semiconductors",
2379   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2380   volume =       "16",
2381   number =       "27",
2382   pages =        "S2643",
2383   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2384   year =         "2004",
2385   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2386 }