bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  45   title =        "",
  46   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  47   volume =       "32",
  48   pages =        "1211",
  49   year =         "1971",
  50   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  51 }
  52
  53 @Article{capano97,
  54   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  55   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  56   journal =      "MRS Bull.",
  57   volume =       "22",
  58   pages =        "19",
  59   year =         "1997",
  60 }
  61
  62 @Article{fischer90,
  63   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  64   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  65                  carbide",
  66   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  67   volume =       "61",
  68   pages =        "217--236",
  69   year =         "1990",
  70   notes =        "sic polytypes",
  71 }
  72
  73 @Book{laplace,
  74   author =       "P. S. de Laplace",
  75   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  76   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  77   volume =       "VII",
  78   publisher =    "Gauthier-Villars",
  79   year =         "1820",
  80 }
  81
  82 @Article{mattoni2007,
  83   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  84   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  85                  materials}",
  86   journal =      "Phys. Rev. B",
  87   year =         "2007",
  88   month =        dec,
  89   volume =       "76",
  90   number =       "22",
  91   pages =        "224103",
  92   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  93   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  94                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  95                  fracture, more available potentials, universal energy
  96                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  97 }
  98
  99 @Article{balamane92,
 100   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 101                  potentials",
 102   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 103   journal =      "Phys. Rev. B",
 104   volume =       "46",
 105   number =       "4",
 106   pages =        "2250--2279",
 107   numpages =     "29",
 108   year =         "1992",
 109   month =        jul,
 110   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 111   publisher =    "American Physical Society",
 112   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 113 }
 114
 115 @Article{koster2002,
 116   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 117                  bombardment",
 118   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 119   journal =      "Phys. Rev. B",
 120   volume =       "62",
 121   number =       "16",
 122   pages =        "11219--11224",
 123   numpages =     "5",
 124   year =         "2000",
 125   month =        oct,
 126   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 127   publisher =    "American Physical Society",
 128   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 129 }
 130
 131 @Article{breadmore99,
 132   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 133                  amorphization of silicon",
 134   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 135   journal =      "Phys. Rev. B",
 136   volume =       "60",
 137   number =       "18",
 138   pages =        "12610--12616",
 139   numpages =     "6",
 140   year =         "1999",
 141   month =        nov,
 142   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 143   publisher =    "American Physical Society",
 144   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 145 }
 146
 147 @Article{moissan04,
 148   author =       "Henri Moissan",
 149   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 150                  Diablo",
 151   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 152   volume =       "139",
 153   pages =        "773--786",
 154   year =         "1904",
 155 }
 156
 157 @Book{park98,
 158   author =       "Y. S. Park",
 159   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 160   publisher =    "Academic Press",
 161   address =      "San Diego",
 162   year =         "1998",
 163 }
 164
 165 @Article{tsvetkov98,
 166   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 167                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 168   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 169   journal =      "Materials Science Forum",
 170   volume =       "264-268",
 171   pages =        "3--8",
 172   year =         "1998",
 173   notes =        "modified lely process, micropipes",
 174 }
 175
 176 @Article{verlet67,
 177   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 178                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 179   author =       "Loup Verlet",
 180   journal =      "Phys. Rev.",
 181   volume =       "159",
 182   number =       "1",
 183   pages =        "98",
 184   year =         "1967",
 185   month =        jul,
 186   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 187   publisher =    "American Physical Society",
 188   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 189                  motion",
 190 }
 191
 192 @Article{berendsen84,
 193   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 194                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 195   collaboration = "",
 196   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 197   publisher =    "AIP",
 198   year =         "1984",
 199   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 200   volume =       "81",
 201   number =       "8",
 202   pages =        "3684--3690",
 203   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 204                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 205   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 206   doi =          "10.1063/1.448118",
 207   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 208 }
 209
 210 @Article{huang95,
 211   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 212                  Baskes",
 213   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 214                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 215                  potentials",
 216   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 217                  Engineering",
 218   volume =       "3",
 219   number =       "5",
 220   pages =        "615--627",
 221   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 222   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 223                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 224   year =         "1995",
 225 }
 226
 227 @Article{tersoff89,
 228   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 229                  Tersoff potentials",
 230   author =       "Donald W. Brenner",
 231   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 232   volume =       "63",
 233   number =       "9",
 234   pages =        "1022",
 235   numpages =     "1",
 236   year =         "1989",
 237   month =        aug,
 238   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 239   publisher =    "American Physical Society",
 240   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 241 }
 242
 243 @Article{batra87,
 244   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 245                  silicon",
 246   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 247   journal =      "Phys. Rev. B",
 248   volume =       "35",
 249   number =       "18",
 250   pages =        "9552--9558",
 251   numpages =     "6",
 252   year =         "1987",
 253   month =        jun,
 254   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 257                  calculation of defect formation energy, defect
 258                  interstitial types",
 259 }
 260
 261 @Article{schober89,
 262   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 263   author =       "H. R. Schober",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "39",
 266   number =       "17",
 267   pages =        "13013--13015",
 268   numpages =     "2",
 269   year =         "1989",
 270   month =        jun,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 274                  dumbbell configuration",
 275 }
 276
 277 @Article{gao02,
 278   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 279                  Defect accumulation, topological features, and
 280                  disordering",
 281   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 282   journal =      "Phys. Rev. B",
 283   volume =       "66",
 284   number =       "2",
 285   pages =        "024106",
 286   numpages =     "10",
 287   year =         "2002",
 288   month =        jul,
 289   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 290   publisher =    "American Physical Society",
 291   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 292                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 293                  result analyze",
 294 }
 295
 296 @Article{devanathan98,
 297   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 298                  cascade in Si{C}",
 299   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 300                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 301   volume =       "141",
 302   number =       "1-4",
 303   pages =        "118--122",
 304   year =         "1998",
 305   ISSN =         "0168-583X",
 306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 307   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 308                  Rubia",
 309   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 310                  3c-sic",
 311 }
 312
 313 @Article{devanathan98_2,
 314   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 315   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 316   volume =       "253",
 317   number =       "1-3",
 318   pages =        "47--52",
 319   year =         "1998",
 320   ISSN =         "0022-3115",
 321   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 322   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 323                  Weber",
 324   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 325                  tersoff",
 326 }
 327
 328 @Article{batra87,
 329   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 330   author =       "M. Kitabatake",
 331   journal =      "Thin Solid Films",
 332   volume =       "369",
 333   pages =        "257--264",
 334   numpages =     "8",
 335   year =         "2000",
 336   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 337 }
 338
 339 @Article{tang97,
 340   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 341                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 342                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 343                  formation volumes",
 344   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 345                  Rubia",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "55",
 348   number =       "21",
 349   pages =        "14279--14289",
 350   numpages =     "10",
 351   year =         "1997",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 356 }
 357
 358 @Article{tang97,
 359   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 360                  silicon",
 361   author =       "L. Colombo",
 362   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 363   volume =       "32",
 364   pages =        "271--295",
 365   numpages =     "25",
 366   year =         "2002",
 367   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 368   publisher =    "Annual Reviews",
 369   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 370 }
 371
 372 @Article{al-mushadani03,
 373   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 374                  silicon",
 375   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 376   journal =      "Phys. Rev. B",
 377   volume =       "68",
 378   number =       "23",
 379   pages =        "235205",
 380   numpages =     "8",
 381   year =         "2003",
 382   month =        dec,
 383   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 384   publisher =    "American Physical Society",
 385   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 386                  silicon, si self interstitials",
 387 }
 388
 389 @Article{ma10,
 390   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 391                  wide temperature range: Point defect states and
 392                  migration mechanisms",
 393   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 394   journal =      "Phys. Rev. B",
 395   volume =       "81",
 396   number =       "19",
 397   pages =        "193203",
 398   numpages =     "4",
 399   year =         "2010",
 400   month =        may,
 401   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 402   publisher =    "American Physical Society",
 403   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 404 }
 405
 406 @Article{gao2001,
 407   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 408                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 409   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 410                  Corrales",
 411   journal =      "Phys. Rev. B",
 412   volume =       "64",
 413   number =       "24",
 414   pages =        "245208",
 415   numpages =     "7",
 416   year =         "2001",
 417   month =        dec,
 418   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 419   publisher =    "American Physical Society",
 420   notes =        "defects in 3c-sic",
 421 }
 422
 423 @Article{mattoni2002,
 424   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 425                  crystalline silicon",
 426   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 427   journal =      "Phys. Rev. B",
 428   volume =       "66",
 429   number =       "19",
 430   pages =        "195214",
 431   numpages =     "6",
 432   year =         "2002",
 433   month =        nov,
 434   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 435   publisher =    "American Physical Society",
 436   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 437                  links, interaction of carbon and silicon
 438                  interstitials",
 439 }
 440
 441 @Article{leung99,
 442   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 443   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 444                  Itoh and S. Ihara",
 445   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 446   volume =       "83",
 447   number =       "12",
 448   pages =        "2351--2354",
 449   numpages =     "3",
 450   year =         "1999",
 451   month =        sep,
 452   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 453   publisher =    "American Physical Society",
 454   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 455                  refs",
 456 }
 457
 458 @Article{capaz94,
 459   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 460                  carbon in silicon",
 461   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 462   journal =      "Phys. Rev. B",
 463   volume =       "50",
 464   number =       "11",
 465   pages =        "7439--7442",
 466   numpages =     "3",
 467   year =         "1994",
 468   month =        sep,
 469   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 470   publisher =    "American Physical Society",
 471   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 472                  dumbbell",
 473 }
 474
 475 @Article{dal_pino93,
 476   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 477                  silicon",
 478   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 479                  Joannopoulos",
 480   journal =      "Phys. Rev. B",
 481   volume =       "47",
 482   number =       "19",
 483   pages =        "12554--12557",
 484   numpages =     "3",
 485   year =         "1993",
 486   month =        may,
 487   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 488   publisher =    "American Physical Society",
 489   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 490 }
 491
 492 @Article{car84,
 493   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 494                  Silicon",
 495   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 496                  Sokrates T. Pantelides",
 497   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 498   volume =       "52",
 499   number =       "20",
 500   pages =        "1814--1817",
 501   numpages =     "3",
 502   year =         "1984",
 503   month =        may,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 507                  path formation",
 508 }
 509
 510 @Article{kelires97,
 511   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 512                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 513   author =       "P. C. Kelires",
 514   journal =      "Phys. Rev. B",
 515   volume =       "55",
 516   number =       "14",
 517   pages =        "8784--8787",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1997",
 520   month =        apr,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 524                  neighbour dist",
 525 }
 526
 527 @Article{kelires95,
 528   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 529                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 530   author =       "P. C. Kelires",
 531   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 532   volume =       "75",
 533   number =       "6",
 534   pages =        "1114--1117",
 535   numpages =     "3",
 536   year =         "1995",
 537   month =        aug,
 538   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 539   publisher =    "American Physical Society",
 540   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 541 }
 542
 543 @Article{bean70,
 544   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 545                  containing carbon",
 546   journal =      "Solid State Communications",
 547   volume =       "8",
 548   number =       "3",
 549   pages =        "175--177",
 550   year =         "1970",
 551   note =         "",
 552   ISSN =         "0038-1098",
 553   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 554   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 555   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 556 }
 557
 558 @Article{watkins76,
 559   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 560                  Atom in Silicon",
 561   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 562   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 563   volume =       "36",
 564   number =       "22",
 565   pages =        "1329--1332",
 566   numpages =     "3",
 567   year =         "1976",
 568   month =        may,
 569   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 570   publisher =    "American Physical Society",
 571   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 572                  silicon",
 573 }
 574
 575 @Article{song90,
 576   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 577                  interstitial carbon in silicon",
 578   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 579   journal =      "Phys. Rev. B",
 580   volume =       "42",
 581   number =       "9",
 582   pages =        "5759--5764",
 583   numpages =     "5",
 584   year =         "1990",
 585   month =        sep,
 586   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 587   publisher =    "American Physical Society",
 588   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 589 }
 590
 591 @Article{tipping87,
 592   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 593   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 594                  silicon",
 595   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 596   volume =       "2",
 597   number =       "5",
 598   pages =        "315--317",
 599   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 600   year =         "1987",
 601   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 602                  silicon",
 603 }
 604
 605 @Article{strane96,
 606   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 607                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 608   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 609                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 610   journal =      "J. Appl. Phys.",
 611   volume =       "79",
 612   pages =        "637",
 613   year =         "1996",
 614   month =        jan,
 615   doi =          "10.1063/1.360806",
 616   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 617 }
 618
 619 @Article{laveant2002,
 620   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 621   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 622                  G{\"o}sele",
 623   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 624   volume =       "89",
 625   number =       "1-3",
 626   pages =        "241--245",
 627   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 628   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 629                  stress, avoid sic precipitation",
 630 }
 631
 632 @Article{werner97,
 633   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 634                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 635   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 636                  silicon by transmission electron microscopy",
 637   publisher =    "AIP",
 638   year =         "1997",
 639   journal =      "Applied Physics Letters",
 640   volume =       "70",
 641   number =       "2",
 642   pages =        "252--254",
 643   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 644                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 645                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 646                  layers; precipitation",
 647   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 648   doi =          "10.1063/1.118381",
 649   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 650                  precipitate",
 651 }
 652
 653 @Article{strane94,
 654   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 655                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 656   collaboration = "",
 657   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 658                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 659   publisher =    "AIP",
 660   year =         "1994",
 661   journal =      "Journal of Applied Physics",
 662   volume =       "76",
 663   number =       "6",
 664   pages =        "3656--3668",
 665   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 666   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 667   doi =          "10.1063/1.357429",
 668   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 669 }
 670
 671 @Article{edgar92,
 672   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 673                  semiconductors",
 674   author =       "J. H. Edgar",
 675   journal =      "J. Mater. Res.",
 676   volume =       "7",
 677   pages =        "235",
 678   year =         "1992",
 679   month =        jan,
 680   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 681   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 682                  polytypes",
 683 }
 684
 685 @Article{zirkelbach2007,
 686   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 687                  process leading to ordered precipitate structures",
 688   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 689                  and B. Stritzker",
 690   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 691   volume =       "257",
 692   number =       "1--2",
 693   pages =        "75--79",
 694   numpages =     "5",
 695   year =         "2007",
 696   month =        apr,
 697   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 698   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 699                  NETHERLANDS",
 700 }
 701
 702 @Article{zirkelbach2006,
 703   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 704                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 705                  during ion irradiation",
 706   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 707                  and B. Stritzker",
 708   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 709   volume =       "242",
 710   number =       "1--2",
 711   pages =        "679--682",
 712   numpages =     "4",
 713   year =         "2006",
 714   month =        jan,
 715   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 716   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 717                  NETHERLANDS",
 718 }
 719
 720 @Article{zirkelbach2005,
 721   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 722                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 723                  ion irradiation",
 724   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 725                  and B. Stritzker",
 726   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 727   volume =       "33",
 728   number =       "1--3",
 729   pages =        "310--316",
 730   numpages =     "7",
 731   year =         "2005",
 732   month =        apr,
 733   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 734   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 735                  NETHERLANDS",
 736 }
 737
 738 @Article{lindner99,
 739   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 740                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 741                  layers in silicon",
 742   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 743                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 744   volume =       "147",
 745   number =       "1-4",
 746   pages =        "249--255",
 747   year =         "1999",
 748   note =         "",
 749   ISSN =         "0168-583X",
 750   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 752   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 753   notes =        "two-step implantation process",
 754 }
 755
 756 @Article{lindner99_2,
 757   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 758                  in silicon",
 759   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 760                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 761   volume =       "148",
 762   number =       "1-4",
 763   pages =        "528--533",
 764   year =         "1999",
 765   note =         "",
 766   ISSN =         "0168-583X",
 767   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 768   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 769   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 770 }
 771
 772 @Article{lindner01,
 773   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 774                  Basic physical processes",
 775   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 776                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 777   volume =       "178",
 778   number =       "1-4",
 779   pages =        "44--54",
 780   year =         "2001",
 781   note =         "",
 782   ISSN =         "0168-583X",
 783   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 784   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 785   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 786 }
 787
 788 @Article{lindner02,
 789   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 790                  fundamental studies for new technological tricks",
 791   author =       "J. K. N. Lindner",
 792   journal =      "Appl. Phys. A",
 793   volume =       "77",
 794   pages =        "27--38",
 795   year =         "2003",
 796   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 797   notes =        "ibs, burried sic layers",
 798 }
 799
 800 @Article{alder57,
 801   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 802   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 803   publisher =    "AIP",
 804   year =         "1957",
 805   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 806   volume =       "27",
 807   number =       "5",
 808   pages =        "1208--1209",
 809   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 810   doi =          "10.1063/1.1743957",
 811 }
 812
 813 @Article{alder59,
 814   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 815   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 816   publisher =    "AIP",
 817   year =         "1959",
 818   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 819   volume =       "31",
 820   number =       "2",
 821   pages =        "459--466",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 823   doi =          "10.1063/1.1730376",
 824 }
 825
 826 @Article{tersoff_si1,
 827   title =        "New empirical model for the structural properties of
 828                  silicon",
 829   author =       "J. Tersoff",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "56",
 832   number =       "6",
 833   pages =        "632--635",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1986",
 836   month =        feb,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839 }
 840
 841 @Article{tersoff_si2,
 842   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 843                  covalent systems",
 844   author =       "J. Tersoff",
 845   journal =      "Phys. Rev. B",
 846   volume =       "37",
 847   number =       "12",
 848   pages =        "6991--7000",
 849   numpages =     "9",
 850   year =         "1988",
 851   month =        apr,
 852   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 853   publisher =    "American Physical Society",
 854 }
 855
 856 @Article{tersoff_si3,
 857   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 858                  improved elastic properties",
 859   author =       "J. Tersoff",
 860   journal =      "Phys. Rev. B",
 861   volume =       "38",
 862   number =       "14",
 863   pages =        "9902--9905",
 864   numpages =     "3",
 865   year =         "1988",
 866   month =        nov,
 867   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 868   publisher =    "American Physical Society",
 869 }
 870
 871 @Article{tersoff_c,
 872   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 873                  Applications to Amorphous Carbon",
 874   author =       "J. Tersoff",
 875   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 876   volume =       "61",
 877   number =       "25",
 878   pages =        "2879--2882",
 879   numpages =     "3",
 880   year =         "1988",
 881   month =        dec,
 882   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 883   publisher =    "American Physical Society",
 884 }
 885
 886 @Article{tersoff_m,
 887   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 888                  for multicomponent systems",
 889   author =       "J. Tersoff",
 890   journal =      "Phys. Rev. B",
 891   volume =       "39",
 892   number =       "8",
 893   pages =        "5566--5568",
 894   numpages =     "2",
 895   year =         "1989",
 896   month =        mar,
 897   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 898   publisher =    "American Physical Society",
 899 }
 900
 901 @Article{tersoff90,
 902   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
 903   author =       "J. Tersoff",
 904   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 905   volume =       "64",
 906   number =       "15",
 907   pages =        "1757--1760",
 908   numpages =     "3",
 909   year =         "1990",
 910   month =        apr,
 911   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
 912   publisher =    "American Physical Society",
 913 }
 914
 915 @Article{fahey89,
 916   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 917   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 918   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 919   volume =       "61",
 920   number =       "2",
 921   pages =        "289--384",
 922   numpages =     "95",
 923   year =         "1989",
 924   month =        apr,
 925   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 926   publisher =    "American Physical Society",
 927 }
 928
 929 @Article{wesch96,
 930   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 931   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 932                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 933   volume =       "116",
 934   number =       "1-4",
 935   pages =        "305--321",
 936   year =         "1996",
 937   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 938   ISSN =         "0168-583X",
 939   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 940   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 941   author =       "W. Wesch",
 942 }
 943
 944 @Article{morkoc94,
 945   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 946                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 947   collaboration = "",
 948   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 949                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 950   publisher =    "AIP",
 951   year =         "1994",
 952   journal =      "Journal of Applied Physics",
 953   volume =       "76",
 954   number =       "3",
 955   pages =        "1363--1398",
 956   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 957                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 958                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 959                  FILMS; INDUSTRY",
 960   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 961   doi =          "10.1063/1.358463",
 962 }
 963
 964 @Article{foo,
 965   author =       "Noch Unbekannt",
 966   title =        "How to find references",
 967   journal =      "Journal of Applied References",
 968   year =         "2009",
 969   volume =       "77",
 970   pages =        "1--23",
 971 }
 972
 973 @Article{tang95,
 974   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 975                  \beta{}-Si{C}",
 976   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 977   journal =      "Phys. Rev. B",
 978   volume =       "52",
 979   number =       "21",
 980   pages =        "15150--15159",
 981   numpages =     "9",
 982   year =         "1995",
 983   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 984   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
 985                  tersoff reparametrization",
 986   publisher =    "American Physical Society",
 987 }
 988
 989 @Article{sarro00,
 990   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 991   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 992   volume =       "82",
 993   number =       "1-3",
 994   pages =        "210--218",
 995   year =         "2000",
 996   ISSN =         "0924-4247",
 997   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 998   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 999   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1000   keywords =     "MEMS",
1001   keywords =     "Silicon carbide",
1002   keywords =     "Micromachining",
1003   keywords =     "Mechanical stress",
1004 }
1005
1006 @Article{casady96,
1007   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1008                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1009                  review",
1010   journal =      "Solid-State Electronics",
1011   volume =       "39",
1012   number =       "10",
1013   pages =        "1409--1422",
1014   year =         "1996",
1015   ISSN =         "0038-1101",
1016   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1017   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1018   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1019 }
1020
1021 @Article{giancarli98,
1022   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1023                  structural material in fusion power reactor blankets",
1024   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1025   volume =       "41",
1026   number =       "1-4",
1027   pages =        "165--171",
1028   year =         "1998",
1029   ISSN =         "0920-3796",
1030   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1031   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1032   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1033                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1034 }
1035
1036 @Article{pensl93,
1037   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1038   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1039   volume =       "185",
1040   number =       "1-4",
1041   pages =        "264--283",
1042   year =         "1993",
1043   ISSN =         "0921-4526",
1044   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1045   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1046   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1047 }
1048
1049 @Article{tairov78,
1050   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1051                  carbide single crystals",
1052   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1053   volume =       "43",
1054   number =       "2",
1055   pages =        "209--212",
1056   year =         "1978",
1057   notes =        "modifief lely process",
1058   ISSN =         "0022-0248",
1059   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1060   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1061   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1062 }
1063
1064 @Article{nishino83,
1065   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1066                  Will",
1067   collaboration = "",
1068   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1069                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1070   publisher =    "AIP",
1071   year =         "1983",
1072   journal =      "Applied Physics Letters",
1073   volume =       "42",
1074   number =       "5",
1075   pages =        "460--462",
1076   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1077                  monocrystals",
1078   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1079   doi =          "10.1063/1.93970",
1080   notes =        "cvd of 3c-sic on si, first time carbonization, sic
1081                  buffer layer",
1082 }
1083
1084 @Article{powell87,
1085   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1086                  Kuczmarski",
1087   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1088                  Single-Crystal Films on Si",
1089   publisher =    "ECS",
1090   year =         "1987",
1091   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1092   volume =       "134",
1093   number =       "6",
1094   pages =        "1558--1565",
1095   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1096                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1097   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1098   doi =          "10.1149/1.2100708",
1099   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1100 }
1101
1102 @Article{kimoto93,
1103   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1104                  and Hiroyuki Matsunami",
1105   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1106                  epitaxy",
1107   publisher =    "AIP",
1108   year =         "1993",
1109   journal =      "Journal of Applied Physics",
1110   volume =       "73",
1111   number =       "2",
1112   pages =        "726--732",
1113   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1114                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1115                  VAPOR DEPOSITION",
1116   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1117   doi =          "10.1063/1.353329",
1118   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1119 }
1120
1121 @Article{powell90,
1122   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1123                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1124                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1125   collaboration = "",
1126   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1127                  6{H}-Si{C} substrates",
1128   publisher =    "AIP",
1129   year =         "1990",
1130   journal =      "Applied Physics Letters",
1131   volume =       "56",
1132   number =       "14",
1133   pages =        "1353--1355",
1134   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1135                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1136                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1137                  PHASE EPITAXY",
1138   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1139   doi =          "10.1063/1.102512",
1140   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1141 }
1142
1143 @Article{yuan95,
1144   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1145                  Thokala and M. J. Loboda",
1146   collaboration = "",
1147   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1148                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1149                  silacyclobutane",
1150   publisher =    "AIP",
1151   year =         "1995",
1152   journal =      "Journal of Applied Physics",
1153   volume =       "78",
1154   number =       "2",
1155   pages =        "1271--1273",
1156   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1157                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1158                  SPECTROPHOTOMETRY",
1159   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1160   doi =          "10.1063/1.360368",
1161   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1162 }
1163
1164 @Article{fissel95,
1165   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1166                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1167                  molecular beam epitaxy",
1168   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1169   volume =       "154",
1170   number =       "1-2",
1171   pages =        "72--80",
1172   year =         "1995",
1173   notes =        "solid source mbe",
1174   ISSN =         "0022-0248",
1175   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1176   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1177   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1178                  and W. Richter",
1179 }
1180
1181 @Article{borders71,
1182   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1183   collaboration = "",
1184   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1185                  {IMPLANTATION}",
1186   publisher =    "AIP",
1187   year =         "1971",
1188   journal =      "Applied Physics Letters",
1189   volume =       "18",
1190   number =       "11",
1191   pages =        "509--511",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1193   notes =        "first time sic by ibs",
1194   doi =          "10.1063/1.1653516",
1195 }
1196
1197 @Article{reeson87,
1198   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1199                  J. Davis and G. E. Celler",
1200   collaboration = "",
1201   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1202                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1203   publisher =    "AIP",
1204   year =         "1987",
1205   journal =      "Applied Physics Letters",
1206   volume =       "51",
1207   number =       "26",
1208   pages =        "2242--2244",
1209   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1210                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1211   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1212   doi =          "10.1063/1.98953",
1213   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1214 }
1215
1216 @Article{scace59,
1217   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1959",
1222   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1223   volume =       "30",
1224   number =       "6",
1225   pages =        "1551--1555",
1226   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1227   doi =          "10.1063/1.1730236",
1228   notes =        "solubility of c in c-si",
1229 }
1230
1231 @Article{cowern96,
1232   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1233                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1234   collaboration = "",
1235   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1236                  {B} in silicon",
1237   publisher =    "AIP",
1238   year =         "1996",
1239   journal =      "Applied Physics Letters",
1240   volume =       "68",
1241   number =       "8",
1242   pages =        "1150--1152",
1243   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1244                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1245                  SILICON",
1246   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1247   doi =          "10.1063/1.115706",
1248   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1249 }
1250
1251 @Article{stolk95,
1252   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1253                  of the silicon self-interstitial",
1254   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1255                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1256   volume =       "96",
1257   number =       "1-2",
1258   pages =        "187--195",
1259   year =         "1995",
1260   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1261                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1262   ISSN =         "0168-583X",
1263   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1264   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1265   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1266                  and J. M. Poate",
1267 }
1268
1269 @Article{stolk97,
1270   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1271                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1272                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1273                  E. Haynes",
1274   collaboration = "",
1275   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1276                  diffusion in ion-implanted silicon",
1277   publisher =    "AIP",
1278   year =         "1997",
1279   journal =      "Journal of Applied Physics",
1280   volume =       "81",
1281   number =       "9",
1282   pages =        "6031--6050",
1283   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1284   doi =          "10.1063/1.364452",
1285   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1286 }
1287
1288 @Article{powell94,
1289   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1290   collaboration = "",
1291   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1292                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1293   publisher =    "AIP",
1294   year =         "1994",
1295   journal =      "Applied Physics Letters",
1296   volume =       "64",
1297   number =       "3",
1298   pages =        "324--326",
1299   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1300                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1301                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1302                  SYNTHESIS",
1303   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1304   doi =          "10.1063/1.111195",
1305   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1306 }
1307
1308 @Article{soref91,
1309   author =       "Richard A. Soref",
1310   collaboration = "",
1311   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1312                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1313   publisher =    "AIP",
1314   year =         "1991",
1315   journal =      "Journal of Applied Physics",
1316   volume =       "70",
1317   number =       "4",
1318   pages =        "2470--2472",
1319   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1320                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1321                  TERNARY ALLOYS",
1322   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1323   doi =          "10.1063/1.349403",
1324   notes =        "band gap of strained si by c",
1325 }
1326
1327 @Article{kasper91,
1328   author =       "E Kasper",
1329   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1330                  possibility to produce direct band gap material",
1331   journal =      "Physica Scripta",
1332   volume =       "T35",
1333   pages =        "232--236",
1334   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1335   year =         "1991",
1336   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1337                  quasi-direct one",
1338 }
1339
1340 @Article{osten99,
1341   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1342   collaboration = "",
1343   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1344                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1345                  molecular beam epitaxy",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1999",
1348   journal =      "Applied Physics Letters",
1349   volume =       "74",
1350   number =       "6",
1351   pages =        "836--838",
1352   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1353                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1354                  compounds",
1355   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1356   doi =          "10.1063/1.123384",
1357   notes =        "substitutional c in si",
1358 }
1359
1360 @Article{hohenberg64,
1361   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1362   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1363   journal =      "Phys. Rev.",
1364   volume =       "136",
1365   number =       "3B",
1366   pages =        "B864--B871",
1367   numpages =     "7",
1368   year =         "1964",
1369   month =        nov,
1370   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1371   publisher =    "American Physical Society",
1372   notes =        "density functional theory, dft",
1373 }
1374
1375 @Article{kohn65,
1376   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1377                  Correlation Effects",
1378   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1379   journal =      "Phys. Rev.",
1380   volume =       "140",
1381   number =       "4A",
1382   pages =        "A1133--A1138",
1383   numpages =     "5",
1384   year =         "1965",
1385   month =        nov,
1386   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1387   publisher =    "American Physical Society",
1388   notes =        "dft, exchange and correlation",
1389 }
1390
1391 @Article{ruecker94,
1392   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1393                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1394   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1395                  J. Osten",
1396   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1397   volume =       "72",
1398   number =       "22",
1399   pages =        "3578--3581",
1400   numpages =     "3",
1401   year =         "1994",
1402   month =        may,
1403   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1404   publisher =    "American Physical Society",
1405   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1406                  si, dft",
1407 }
1408
1409 @Article{chang05,
1410   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1411                  Alloy",
1412   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1413   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1414   volume =       "44",
1415   number =       "4B",
1416   pages =        "2257--2262",
1417   numpages =     "5",
1418   year =         "2005",
1419   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1420   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1421   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1422   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1423 }
1424
1425 @Article{osten97,
1426   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1427   collaboration = "",
1428   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1429                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1430                  Si(001)",
1431   publisher =    "AIP",
1432   year =         "1997",
1433   journal =      "Journal of Applied Physics",
1434   volume =       "82",
1435   number =       "10",
1436   pages =        "4977--4981",
1437   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1438                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1439                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1441   doi =          "10.1063/1.366364",
1442   notes =        "charge transport in strained si",
1443 }
1444
1445 @Article{kapur04,
1446   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1447                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1448   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1449   journal =      "Phys. Rev. B",
1450   volume =       "69",
1451   number =       "15",
1452   pages =        "155214",
1453   numpages =     "8",
1454   year =         "2004",
1455   month =        apr,
1456   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1457   publisher =    "American Physical Society",
1458   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1459 }
1460
1461 @Article{barkema96,
1462   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1463                  Systems",
1464   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1465   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1466   volume =       "77",
1467   number =       "21",
1468   pages =        "4358--4361",
1469   numpages =     "3",
1470   year =         "1996",
1471   month =        nov,
1472   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1473   publisher =    "American Physical Society",
1474   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1475                  dynamic mds",
1476 }
1477
1478 @Article{cances09,
1479   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1480                  Minoukadeh and F. Willaime",
1481   collaboration = "",
1482   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1483                  technique method for finding transition pathways on
1484                  potential energy surfaces",
1485   publisher =    "AIP",
1486   year =         "2009",
1487   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1488   volume =       "130",
1489   number =       "11",
1490   eid =          "114711",
1491   numpages =     "6",
1492   pages =        "114711",
1493   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1494                  surfaces; vacancies (crystal)",
1495   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1496   doi =          "10.1063/1.3088532",
1497   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1498                  transition pathways",
1499 }
1500
1501 @Article{parrinello81,
1502   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1503   collaboration = "",
1504   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1505                  molecular dynamics method",
1506   publisher =    "AIP",
1507   year =         "1981",
1508   journal =      "Journal of Applied Physics",
1509   volume =       "52",
1510   number =       "12",
1511   pages =        "7182--7190",
1512   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1513                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1514                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1515                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1516                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1517                  IMPACT SHOCK",
1518   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1519   doi =          "10.1063/1.328693",
1520 }
1521
1522 @Article{stillinger85,
1523   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1524                  of silicon",
1525   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1526   journal =      "Phys. Rev. B",
1527   volume =       "31",
1528   number =       "8",
1529   pages =        "5262--5271",
1530   numpages =     "9",
1531   year =         "1985",
1532   month =        apr,
1533   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1534   publisher =    "American Physical Society",
1535 }
1536
1537 @Article{bazant97,
1538   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1539                  silicon",
1540   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1541                  Justo",
1542   journal =      "Phys. Rev. B",
1543   volume =       "56",
1544   number =       "14",
1545   pages =        "8542--8552",
1546   numpages =     "10",
1547   year =         "1997",
1548   month =        oct,
1549   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1550   publisher =    "American Physical Society",
1551 }
1552
1553 @Article{justo98,
1554   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1555                  disordered phases",
1556   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1557                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1558   journal =      "Phys. Rev. B",
1559   volume =       "58",
1560   number =       "5",
1561   pages =        "2539--2550",
1562   numpages =     "11",
1563   year =         "1998",
1564   month =        aug,
1565   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1566   publisher =    "American Physical Society",
1567 }
1568
1569 @Article{parcas_md,
1570   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1571   author =       "K. Nordlund",
1572   year =         "2008",
1573 }
1574
1575 @Article{voter97,
1576   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1577                  Infrequent Events",
1578   author =       "Arthur F. Voter",
1579   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1580   volume =       "78",
1581   number =       "20",
1582   pages =        "3908--3911",
1583   numpages =     "3",
1584   year =         "1997",
1585   month =        may,
1586   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1587   publisher =    "American Physical Society",
1588   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1589 }
1590
1591 @Article{voter97_2,
1592   author =       "Arthur F. Voter",
1593   collaboration = "",
1594   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1595                  simulation of infrequent events",
1596   publisher =    "AIP",
1597   year =         "1997",
1598   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1599   volume =       "106",
1600   number =       "11",
1601   pages =        "4665--4677",
1602   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1603                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1604                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1605                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1606                  theory; potential energy surfaces",
1607   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1608   doi =          "10.1063/1.473503",
1609   notes =        "improved hyperdynamics md",
1610 }
1611
1612 @Article{sorensen2000,
1613   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1614   collaboration = "",
1615   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1616                  infrequent events",
1617   publisher =    "AIP",
1618   year =         "2000",
1619   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1620   volume =       "112",
1621   number =       "21",
1622   pages =        "9599--9606",
1623   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1624                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1625   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1626   doi =          "10.1063/1.481576",
1627   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1628 }
1629
1630 @Article{voter98,
1631   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1632                  events",
1633   author =       "Arthur F. Voter",
1634   journal =      "Phys. Rev. B",
1635   volume =       "57",
1636   number =       "22",
1637   pages =        "R13985--R13988",
1638   numpages =     "3",
1639   year =         "1998",
1640   month =        jun,
1641   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1642   publisher =    "American Physical Society",
1643   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1644 }
1645
1646 @Article{wu99,
1647   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1648   collaboration = "",
1649   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1650                  simulation",
1651   publisher =    "AIP",
1652   year =         "1999",
1653   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1654   volume =       "110",
1655   number =       "19",
1656   pages =        "9401--9410",
1657   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1658                  potential; crystallisation; liquid theory",
1659   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1660   doi =          "10.1063/1.478948",
1661   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1662                  systematic motion",
1663 }
1664
1665 @Article{choudhary05,
1666   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1667   collaboration = "",
1668   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1669                  to the production of amorphous silicon",
1670   publisher =    "AIP",
1671   year =         "2005",
1672   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1673   volume =       "122",
1674   number =       "15",
1675   eid =          "154509",
1676   numpages =     "8",
1677   pages =        "154509",
1678   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1679                  amorphous semiconductors",
1680   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1681   doi =          "10.1063/1.1878733",
1682   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1683                  silicon",
1684 }
1685
1686 @Article{taylor93,
1687   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1688   collaboration = "",
1689   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1690                  difficult?",
1691   publisher =    "AIP",
1692   year =         "1993",
1693   journal =      "Applied Physics Letters",
1694   volume =       "62",
1695   number =       "25",
1696   pages =        "3336--3338",
1697   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1698                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1699                  ENERGY",
1700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1701   doi =          "10.1063/1.109063",
1702   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1703 }
1704
1705 @Article{chaussende08,
1706   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1707   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1708   volume =       "310",
1709   number =       "5",
1710   pages =        "976--981",
1711   year =         "2008",
1712   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1713                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1714   ISSN =         "0022-0248",
1715   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1716   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1717   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1718                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1719                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1720                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1721   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1722                  metastable",
1723 }
1724
1725 @Article{feynman39,
1726   title =        "Forces in Molecules",
1727   author =       "R. P. Feynman",
1728   journal =      "Phys. Rev.",
1729   volume =       "56",
1730   number =       "4",
1731   pages =        "340--343",
1732   numpages =     "3",
1733   year =         "1939",
1734   month =        aug,
1735   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1736   publisher =    "American Physical Society",
1737   notes =        "hellmann feynman forces",
1738 }
1739
1740 @Article{buczko00,
1741   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1742                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1743                  their Contrasting Properties",
1744   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1745                  T. Pantelides",
1746   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1747   volume =       "84",
1748   number =       "5",
1749   pages =        "943--946",
1750   numpages =     "3",
1751   year =         "2000",
1752   month =        jan,
1753   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1754   publisher =    "American Physical Society",
1755   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1756 }
1757
1758 @Article{djurabekova08,
1759   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1760                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1761   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1762   journal =      "Phys. Rev. B",
1763   volume =       "77",
1764   number =       "11",
1765   pages =        "115325",
1766   numpages =     "7",
1767   year =         "2008",
1768   month =        mar,
1769   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1770   publisher =    "American Physical Society",
1771   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1772                  angular distribution, coordination",
1773 }