bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "J. Chem. Phys.",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 239   volume =       "3",
 240   number =       "5",
 241   pages =        "615--627",
 242   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 243   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 244                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 245   year =         "1995",
 246 }
 247
 248 @Article{brenner89,
 249   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 250                  Tersoff potentials",
 251   author =       "Donald W. Brenner",
 252   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 253   volume =       "63",
 254   number =       "9",
 255   pages =        "1022",
 256   numpages =     "1",
 257   year =         "1989",
 258   month =        aug,
 259   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 260   publisher =    "American Physical Society",
 261   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 262 }
 263
 264 @Article{batra87,
 265   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 266                  silicon",
 267   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 268   journal =      "Phys. Rev. B",
 269   volume =       "35",
 270   number =       "18",
 271   pages =        "9552--9558",
 272   numpages =     "6",
 273   year =         "1987",
 274   month =        jun,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 278                  calculation of defect formation energy, defect
 279                  interstitial types",
 280 }
 281
 282 @Article{schober89,
 283   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 284   author =       "H. R. Schober",
 285   journal =      "Phys. Rev. B",
 286   volume =       "39",
 287   number =       "17",
 288   pages =        "13013--13015",
 289   numpages =     "2",
 290   year =         "1989",
 291   month =        jun,
 292   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 293   publisher =    "American Physical Society",
 294   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 295                  dumbbell configuration",
 296 }
 297
 298 @Article{gao02a,
 299   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 300                  Defect accumulation, topological features, and
 301                  disordering",
 302   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 303   journal =      "Phys. Rev. B",
 304   volume =       "66",
 305   number =       "2",
 306   pages =        "024106",
 307   numpages =     "10",
 308   year =         "2002",
 309   month =        jul,
 310   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 311   publisher =    "American Physical Society",
 312   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 313                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 314                  result analyze",
 315 }
 316
 317 @Article{devanathan98,
 318   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 319                  cascade in Si{C}",
 320   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 321   volume =       "141",
 322   number =       "1-4",
 323   pages =        "118--122",
 324   year =         "1998",
 325   ISSN =         "0168-583X",
 326   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 327   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 328                  Rubia",
 329   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 330                  3c-sic",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98_2,
 334   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 335   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 336   volume =       "253",
 337   number =       "1-3",
 338   pages =        "47--52",
 339   year =         "1998",
 340   ISSN =         "0022-3115",
 341   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 342   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 343                  Weber",
 344   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 345                  tersoff",
 346 }
 347
 348 @Article{kitabatake00,
 349   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 350   author =       "M. Kitabatake",
 351   journal =      "Thin Solid Films",
 352   volume =       "369",
 353   pages =        "257--264",
 354   numpages =     "8",
 355   year =         "2000",
 356   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 357 }
 358
 359 @Article{tang97,
 360   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 361                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 362                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 363                  formation volumes",
 364   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 365                  Rubia",
 366   journal =      "Phys. Rev. B",
 367   volume =       "55",
 368   number =       "21",
 369   pages =        "14279--14289",
 370   numpages =     "10",
 371   year =         "1997",
 372   month =        jun,
 373   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 374   publisher =    "American Physical Society",
 375   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 376 }
 377
 378 @Article{johnson98,
 379   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 380                  Rubia",
 381   collaboration = "",
 382   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 383                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 384                  presence of carbon and boron",
 385   publisher =    "AIP",
 386   year =         "1998",
 387   journal =      "J. Appl. Phys.",
 388   volume =       "84",
 389   number =       "4",
 390   pages =        "1963--1967",
 391   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 392                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 393                  semiconductors; self-diffusion",
 394   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 395   doi =          "10.1063/1.368328",
 396   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 397                  diffsuion",
 398 }
 399
 400 @Article{bar-yam84,
 401   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 402                  Self-Interstitial",
 403   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 404   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 405   volume =       "52",
 406   number =       "13",
 407   pages =        "1129--1132",
 408   numpages =     "3",
 409   year =         "1984",
 410   month =        mar,
 411   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 412   publisher =    "American Physical Society",
 413   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84_2,
 417   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 418                  barriers of silicon self-interstitials",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "30",
 422   number =       "4",
 423   pages =        "1844--1852",
 424   numpages =     "8",
 425   year =         "1984",
 426   month =        aug,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429 }
 430
 431 @Article{bloechl93,
 432   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 433                  constants in silicon",
 434   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 435                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 436   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 437   volume =       "70",
 438   number =       "16",
 439   pages =        "2435--2438",
 440   numpages =     "3",
 441   year =         "1993",
 442   month =        apr,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 446                  entropy calculations",
 447 }
 448
 449 @Article{colombo02,
 450   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 451                  silicon",
 452   author =       "L. Colombo",
 453   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 454   volume =       "32",
 455   pages =        "271--295",
 456   numpages =     "25",
 457   year =         "2002",
 458   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 459   publisher =    "Annual Reviews",
 460   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 461 }
 462
 463 @Article{al-mushadani03,
 464   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 465                  silicon",
 466   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 467   journal =      "Phys. Rev. B",
 468   volume =       "68",
 469   number =       "23",
 470   pages =        "235205",
 471   numpages =     "8",
 472   year =         "2003",
 473   month =        dec,
 474   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 475   publisher =    "American Physical Society",
 476   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 477                  silicon, si self interstitials, free energy",
 478 }
 479
 480 @Article{goedecker02,
 481   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 482   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 483   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 484   volume =       "88",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235501",
 487   numpages =     "4",
 488   year =         "2002",
 489   month =        may,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 493                  silicon",
 494 }
 495
 496 @Article{sahli05,
 497   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 498                  self-interstitial diffusion in silicon",
 499   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 500   journal =      "Phys. Rev. B",
 501   volume =       "72",
 502   number =       "24",
 503   pages =        "245210",
 504   numpages =     "6",
 505   year =         "2005",
 506   month =        dec,
 507   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 508   publisher =    "American Physical Society",
 509   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 510                  mapping applied",
 511 }
 512
 513 @Article{hobler05,
 514   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 515                  native point defects in silicon",
 516   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 517   volume =       "124-125",
 518   number =       "",
 519   pages =        "368--371",
 520   year =         "2005",
 521   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 522                  Issues for Future Technologies",
 523   ISSN =         "0921-5107",
 524   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 525   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 526   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 527   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 528                  radius",
 529 }
 530
 531 @Article{ma10,
 532   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 533                  wide temperature range: Point defect states and
 534                  migration mechanisms",
 535   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 536   journal =      "Phys. Rev. B",
 537   volume =       "81",
 538   number =       "19",
 539   pages =        "193203",
 540   numpages =     "4",
 541   year =         "2010",
 542   month =        may,
 543   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 544   publisher =    "American Physical Society",
 545   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 546 }
 547
 548 @Article{posselt06,
 549   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 550                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 551   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "73",
 554   number =       "12",
 555   pages =        "125206",
 556   numpages =     "8",
 557   year =         "2006",
 558   month =        mar,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561 }
 562
 563 @Article{posselt08,
 564   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 565                  migration mechanisms of vacancies and
 566                  self-interstitials: An atomistic study",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "78",
 570   number =       "3",
 571   pages =        "035208",
 572   numpages =     "9",
 573   year =         "2008",
 574   month =        jul,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 578                  weber and tersoff",
 579 }
 580
 581 @Article{gao2001,
 582   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 583                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 584   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 585                  Corrales",
 586   journal =      "Phys. Rev. B",
 587   volume =       "64",
 588   number =       "24",
 589   pages =        "245208",
 590   numpages =     "7",
 591   year =         "2001",
 592   month =        dec,
 593   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 594   publisher =    "American Physical Society",
 595   notes =        "defects in 3c-sic",
 596 }
 597
 598 @Article{gao02,
 599   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 600                  3{C}-Si{C}",
 601   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 602   volume =       "191",
 603   number =       "1-4",
 604   pages =        "487--496",
 605   year =         "2002",
 606   note =         "",
 607   ISSN =         "0168-583X",
 608   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 609   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 610   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 611   keywords =     "Empirical potential",
 612   keywords =     "Defect properties",
 613   keywords =     "Silicon carbide",
 614   keywords =     "Computer simulation",
 615   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 616 }
 617
 618 @Article{gao04,
 619   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 620                  3{C}-Si{C}",
 621   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 622                  Belko",
 623   journal =      "Phys. Rev. B",
 624   volume =       "69",
 625   number =       "24",
 626   pages =        "245205",
 627   numpages =     "5",
 628   year =         "2004",
 629   month =        jun,
 630   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 631   publisher =    "American Physical Society",
 632   notes =        "defect migration in sic",
 633 }
 634
 635 @Article{gao07,
 636   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 637                  W. J. Weber",
 638   collaboration = "",
 639   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 640                  in cubic silicon carbide",
 641   publisher =    "AIP",
 642   year =         "2007",
 643   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 644   volume =       "90",
 645   number =       "22",
 646   eid =          "221915",
 647   numpages =     "3",
 648   pages =        "221915",
 649   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 650                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 651                  dynamics method; density functional theory;
 652                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 653                  impurities; diffusion",
 654   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 655   doi =          "10.1063/1.2743751",
 656 }
 657
 658 @Article{mattoni2002,
 659   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 660                  crystalline silicon",
 661   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 662   journal =      "Phys. Rev. B",
 663   volume =       "66",
 664   number =       "19",
 665   pages =        "195214",
 666   numpages =     "6",
 667   year =         "2002",
 668   month =        nov,
 669   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 670   publisher =    "American Physical Society",
 671   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 672                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 673                  tersoff suitability",
 674 }
 675
 676 @Article{leung99,
 677   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 678   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 679                  Itoh and S. Ihara",
 680   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 681   volume =       "83",
 682   number =       "12",
 683   pages =        "2351--2354",
 684   numpages =     "3",
 685   year =         "1999",
 686   month =        sep,
 687   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 688   publisher =    "American Physical Society",
 689   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 690                  refs",
 691 }
 692
 693 @Article{capaz94,
 694   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 695                  carbon in silicon",
 696   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 697   journal =      "Phys. Rev. B",
 698   volume =       "50",
 699   number =       "11",
 700   pages =        "7439--7442",
 701   numpages =     "3",
 702   year =         "1994",
 703   month =        sep,
 704   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 705   publisher =    "American Physical Society",
 706   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 707                  dumbbell",
 708 }
 709
 710 @Article{capaz98,
 711   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "58",
 715   number =       "15",
 716   pages =        "9845--9850",
 717   numpages =     "5",
 718   year =         "1998",
 719   month =        oct,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 723 }
 724
 725 @Article{song90_2,
 726   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 727                  pair in silicon",
 728   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 729                  Watkins",
 730   journal =      "Phys. Rev. B",
 731   volume =       "42",
 732   number =       "9",
 733   pages =        "5765--5783",
 734   numpages =     "18",
 735   year =         "1990",
 736   month =        sep,
 737   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 738   publisher =    "American Physical Society",
 739   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 740 }
 741
 742 @Article{liu02,
 743   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 744                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 745   collaboration = "",
 746   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 747                  interactions in Si",
 748   publisher =    "AIP",
 749   year =         "2002",
 750   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 751   volume =       "80",
 752   number =       "1",
 753   pages =        "52--54",
 754   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 755                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 756                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 757   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 758   doi =          "10.1063/1.1430505",
 759   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 760 }
 761
 762 @Article{dal_pino93,
 763   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 764                  silicon",
 765   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 766                  Joannopoulos",
 767   journal =      "Phys. Rev. B",
 768   volume =       "47",
 769   number =       "19",
 770   pages =        "12554--12557",
 771   numpages =     "3",
 772   year =         "1993",
 773   month =        may,
 774   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 775   publisher =    "American Physical Society",
 776   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 777 }
 778
 779 @Article{car84,
 780   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 781                  Silicon",
 782   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 783                  Sokrates T. Pantelides",
 784   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 785   volume =       "52",
 786   number =       "20",
 787   pages =        "1814--1817",
 788   numpages =     "3",
 789   year =         "1984",
 790   month =        may,
 791   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 792   publisher =    "American Physical Society",
 793   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 794                  path formation",
 795 }
 796
 797 @Article{car85,
 798   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 799                  Density-Functional Theory",
 800   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 801   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 802   volume =       "55",
 803   number =       "22",
 804   pages =        "2471--2474",
 805   numpages =     "3",
 806   year =         "1985",
 807   month =        nov,
 808   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 809   publisher =    "American Physical Society",
 810   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 811 }
 812
 813 @Article{kelires97,
 814   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 815                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 816   author =       "P. C. Kelires",
 817   journal =      "Phys. Rev. B",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "14",
 820   pages =        "8784--8787",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1997",
 823   month =        apr,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 827                  neighbour dist",
 828 }
 829
 830 @Article{kelires95,
 831   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 832                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 833   author =       "P. C. Kelires",
 834   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 835   volume =       "75",
 836   number =       "6",
 837   pages =        "1114--1117",
 838   numpages =     "3",
 839   year =         "1995",
 840   month =        aug,
 841   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 842   publisher =    "American Physical Society",
 843   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 844 }
 845
 846 @Article{bean70,
 847   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 848                  containing carbon",
 849   journal =      "Solid State Communications",
 850   volume =       "8",
 851   number =       "3",
 852   pages =        "175--177",
 853   year =         "1970",
 854   note =         "",
 855   ISSN =         "0038-1098",
 856   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 857   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 858   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 859 }
 860
 861 @Article{watkins76,
 862   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 863                  Atom in Silicon",
 864   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 865   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 866   volume =       "36",
 867   number =       "22",
 868   pages =        "1329--1332",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1976",
 871   month =        may,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 875                  silicon",
 876 }
 877
 878 @Article{song90,
 879   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 880                  interstitial carbon in silicon",
 881   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 882   journal =      "Phys. Rev. B",
 883   volume =       "42",
 884   number =       "9",
 885   pages =        "5759--5764",
 886   numpages =     "5",
 887   year =         "1990",
 888   month =        sep,
 889   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 890   publisher =    "American Physical Society",
 891   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{tipping87,
 895   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 896   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 897                  silicon",
 898   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 899   volume =       "2",
 900   number =       "5",
 901   pages =        "315--317",
 902   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 903   year =         "1987",
 904   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 905                  silicon",
 906 }
 907
 908 @Article{strane96,
 909   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 910                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 911   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 912                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 913   journal =      "J. Appl. Phys.",
 914   volume =       "79",
 915   pages =        "637",
 916   year =         "1996",
 917   month =        jan,
 918   doi =          "10.1063/1.360806",
 919   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 920 }
 921
 922 @Article{laveant2002,
 923   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 924   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 925   volume =       "89",
 926   number =       "1-3",
 927   pages =        "241--245",
 928   year =         "2002",
 929   ISSN =         "0921-5107",
 930   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 931   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 932   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 933                  G{\"{o}}sele",
 934   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 935                  stress, avoid sic precipitation",
 936 }
 937
 938 @Article{werner97,
 939   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 940                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 941   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 942                  silicon by transmission electron microscopy",
 943   publisher =    "AIP",
 944   year =         "1997",
 945   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 946   volume =       "70",
 947   number =       "2",
 948   pages =        "252--254",
 949   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 950                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 951                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 952                  layers; precipitation",
 953   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 954   doi =          "10.1063/1.118381",
 955   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 956                  precipitate",
 957 }
 958
 959 @InProceedings{werner96,
 960   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 961                  Eichler",
 962   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 963                  International Conference on",
 964   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 965                  implanted silicon",
 966   year =         "1996",
 967   month =        jun,
 968   volume =       "",
 969   number =       "",
 970   pages =        "675--678",
 971   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 972   ISSN =         "",
 973   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 974 }
 975
 976 @Article{werner98,
 977   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 978                  D. C. Jacobson",
 979   collaboration = "",
 980   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 981   publisher =    "AIP",
 982   year =         "1998",
 983   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 984   volume =       "73",
 985   number =       "17",
 986   pages =        "2465--2467",
 987   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
 988                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
 989                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
 990                  impurity distribution",
 991   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
 992   doi =          "10.1063/1.122483",
 993   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 994 }
 995
 996 @Article{strane94,
 997   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 998                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 999   collaboration = "",
1000   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1001                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1002   publisher =    "AIP",
1003   year =         "1994",
1004   journal =      "J. Appl. Phys.",
1005   volume =       "76",
1006   number =       "6",
1007   pages =        "3656--3668",
1008   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1009   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1010   doi =          "10.1063/1.357429",
1011   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1012                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1013                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1014                  energy",
1015 }
1016
1017 @Article{fischer95,
1018   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1019                  Osten",
1020   collaboration = "",
1021   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1022                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1023   publisher =    "AIP",
1024   year =         "1995",
1025   journal =      "J. Appl. Phys.",
1026   volume =       "77",
1027   number =       "5",
1028   pages =        "1934--1937",
1029   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1030                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1031                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1032                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1033   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1034   doi =          "10.1063/1.358826",
1035 }
1036
1037 @Article{edgar92,
1038   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1039                  semiconductors",
1040   author =       "J. H. Edgar",
1041   journal =      "J. Mater. Res.",
1042   volume =       "7",
1043   pages =        "235",
1044   year =         "1992",
1045   month =        jan,
1046   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1047   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1048                  polytypes",
1049 }
1050
1051 @Article{zirkelbach2007,
1052   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1053                  process leading to ordered precipitate structures",
1054   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1055                  and B. Stritzker",
1056   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1057   volume =       "257",
1058   number =       "1--2",
1059   pages =        "75--79",
1060   numpages =     "5",
1061   year =         "2007",
1062   month =        apr,
1063   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1064   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1065                  NETHERLANDS",
1066 }
1067
1068 @Article{zirkelbach2006,
1069   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1070                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1071                  during ion irradiation",
1072   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1073                  and B. Stritzker",
1074   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1075   volume =       "242",
1076   number =       "1--2",
1077   pages =        "679--682",
1078   numpages =     "4",
1079   year =         "2006",
1080   month =        jan,
1081   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1082   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1083                  NETHERLANDS",
1084 }
1085
1086 @Article{zirkelbach2005,
1087   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1088                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1089                  ion irradiation",
1090   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1091                  and B. Stritzker",
1092   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1093   volume =       "33",
1094   number =       "1--3",
1095   pages =        "310--316",
1096   numpages =     "7",
1097   year =         "2005",
1098   month =        apr,
1099   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1100   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1101                  NETHERLANDS",
1102 }
1103
1104 @Article{zirkelbach09,
1105   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1106                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1107   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1108   volume =       "159-160",
1109   number =       "",
1110   pages =        "149--152",
1111   year =         "2009",
1112   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1113                  Silicon Materials Research for Electronic and
1114                  Photovoltaic Applications",
1115   ISSN =         "0921-5107",
1116   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1118   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1119                  B. Stritzker",
1120   keywords =     "Silicon",
1121   keywords =     "Carbon",
1122   keywords =     "Silicon carbide",
1123   keywords =     "Nucleation",
1124   keywords =     "Defect formation",
1125   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1126 }
1127
1128 @Article{zirkelbach10a,
1129   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1130                  classical potentials and first-principles methods",
1131   journal =      "Phys. Rev. B",
1132   volume =       "82",
1133   number =       "9",
1134   pages =        "066033",
1135   year =         "2010",
1136   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1137                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1138 }
1139
1140 @Article{zirkelbach10b,
1141   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1142                  silicon",
1143   journal =      "to be published",
1144   volume =       "",
1145   number =       "",
1146   pages =        "",
1147   year =         "2010",
1148   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1149                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1150 }
1151
1152 @Article{zirkelbach10c,
1153   title =        "...",
1154   journal =      "to be published",
1155   volume =       "",
1156   number =       "",
1157   pages =        "",
1158   year =         "2010",
1159   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1160                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1161 }
1162
1163 @Article{lindner99,
1164   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1165                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1166                  layers in silicon",
1167   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1168   volume =       "147",
1169   number =       "1-4",
1170   pages =        "249--255",
1171   year =         "1999",
1172   note =         "",
1173   ISSN =         "0168-583X",
1174   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1175   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1176   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1177   notes =        "two-step implantation process",
1178 }
1179
1180 @Article{lindner99_2,
1181   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1182                  in silicon",
1183   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1184   volume =       "148",
1185   number =       "1-4",
1186   pages =        "528--533",
1187   year =         "1999",
1188   ISSN =         "0168-583X",
1189   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1190   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1191   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1192   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1193 }
1194
1195 @Article{lindner01,
1196   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1197                  Basic physical processes",
1198   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1199   volume =       "178",
1200   number =       "1-4",
1201   pages =        "44--54",
1202   year =         "2001",
1203   note =         "",
1204   ISSN =         "0168-583X",
1205   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1206   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1207   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1208 }
1209
1210 @Article{lindner02,
1211   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1212                  fundamental studies for new technological tricks",
1213   author =       "J. K. N. Lindner",
1214   journal =      "Appl. Phys. A",
1215   volume =       "77",
1216   pages =        "27--38",
1217   year =         "2003",
1218   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1219   notes =        "ibs, burried sic layers",
1220 }
1221
1222 @Article{lindner06,
1223   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1224                  formation and displacive precipitate resolution in the
1225                  {C}-Si system",
1226   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1227   volume =       "26",
1228   number =       "5-7",
1229   pages =        "857--861",
1230   year =         "2006",
1231   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1232                  Applications",
1233   ISSN =         "0928-4931",
1234   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1235   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1236   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1237                  and B. Stritzker",
1238   notes =        "c int diffusion barrier",
1239 }
1240
1241 @Article{ito04,
1242   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1243                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1244                  growth",
1245   journal =      "Applied Surface Science",
1246   volume =       "238",
1247   number =       "1-4",
1248   pages =        "159--164",
1249   year =         "2004",
1250   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1251   ISSN =         "0169-4332",
1252   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1253   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1254   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1255                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1256   notes =        "gan on 3c-sic",
1257 }
1258
1259 @Article{alder57,
1260   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1261   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1262   publisher =    "AIP",
1263   year =         "1957",
1264   journal =      "J. Chem. Phys.",
1265   volume =       "27",
1266   number =       "5",
1267   pages =        "1208--1209",
1268   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1269   doi =          "10.1063/1.1743957",
1270 }
1271
1272 @Article{alder59,
1273   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1274   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1275   publisher =    "AIP",
1276   year =         "1959",
1277   journal =      "J. Chem. Phys.",
1278   volume =       "31",
1279   number =       "2",
1280   pages =        "459--466",
1281   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1282   doi =          "10.1063/1.1730376",
1283 }
1284
1285 @Article{tersoff_si1,
1286   title =        "New empirical model for the structural properties of
1287                  silicon",
1288   author =       "J. Tersoff",
1289   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1290   volume =       "56",
1291   number =       "6",
1292   pages =        "632--635",
1293   numpages =     "3",
1294   year =         "1986",
1295   month =        feb,
1296   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1297   publisher =    "American Physical Society",
1298 }
1299
1300 @Article{tersoff_si2,
1301   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1302                  covalent systems",
1303   author =       "J. Tersoff",
1304   journal =      "Phys. Rev. B",
1305   volume =       "37",
1306   number =       "12",
1307   pages =        "6991--7000",
1308   numpages =     "9",
1309   year =         "1988",
1310   month =        apr,
1311   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1312   publisher =    "American Physical Society",
1313 }
1314
1315 @Article{tersoff_si3,
1316   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1317                  improved elastic properties",
1318   author =       "J. Tersoff",
1319   journal =      "Phys. Rev. B",
1320   volume =       "38",
1321   number =       "14",
1322   pages =        "9902--9905",
1323   numpages =     "3",
1324   year =         "1988",
1325   month =        nov,
1326   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1327   publisher =    "American Physical Society",
1328 }
1329
1330 @Article{tersoff_c,
1331   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1332                  Applications to Amorphous Carbon",
1333   author =       "J. Tersoff",
1334   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1335   volume =       "61",
1336   number =       "25",
1337   pages =        "2879--2882",
1338   numpages =     "3",
1339   year =         "1988",
1340   month =        dec,
1341   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1342   publisher =    "American Physical Society",
1343 }
1344
1345 @Article{tersoff_m,
1346   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1347                  for multicomponent systems",
1348   author =       "J. Tersoff",
1349   journal =      "Phys. Rev. B",
1350   volume =       "39",
1351   number =       "8",
1352   pages =        "5566--5568",
1353   numpages =     "2",
1354   year =         "1989",
1355   month =        mar,
1356   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1357   publisher =    "American Physical Society",
1358 }
1359
1360 @Article{tersoff90,
1361   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1362   author =       "J. Tersoff",
1363   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1364   volume =       "64",
1365   number =       "15",
1366   pages =        "1757--1760",
1367   numpages =     "3",
1368   year =         "1990",
1369   month =        apr,
1370   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1371   publisher =    "American Physical Society",
1372 }
1373
1374 @Article{fahey89,
1375   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1376   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1377   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1378   volume =       "61",
1379   number =       "2",
1380   pages =        "289--384",
1381   numpages =     "95",
1382   year =         "1989",
1383   month =        apr,
1384   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1385   publisher =    "American Physical Society",
1386 }
1387
1388 @Article{wesch96,
1389   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1390   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1391   volume =       "116",
1392   number =       "1-4",
1393   pages =        "305--321",
1394   year =         "1996",
1395   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1396   ISSN =         "0168-583X",
1397   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1398   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1399   author =       "W. Wesch",
1400 }
1401
1402 @Article{morkoc94,
1403   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1404                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1405   collaboration = "",
1406   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1407                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1408   publisher =    "AIP",
1409   year =         "1994",
1410   journal =      "J. Appl. Phys.",
1411   volume =       "76",
1412   number =       "3",
1413   pages =        "1363--1398",
1414   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1415                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1416                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1417                  FILMS; INDUSTRY",
1418   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1419   doi =          "10.1063/1.358463",
1420   notes =        "sic intro, properties",
1421 }
1422
1423 @Article{neudeck95,
1424   author =       "P. G. Neudeck",
1425   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1426                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1427   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1428   year =         "1995",
1429   volume =       "24",
1430   number =       "4",
1431   pages =        "283--288",
1432   month =        apr,
1433 }
1434
1435 @Article{foo,
1436   author =       "Noch Unbekannt",
1437   title =        "How to find references",
1438   journal =      "Journal of Applied References",
1439   year =         "2009",
1440   volume =       "77",
1441   pages =        "1--23",
1442 }
1443
1444 @Article{tang95,
1445   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1446                  \beta{}-Si{C}",
1447   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1448   journal =      "Phys. Rev. B",
1449   volume =       "52",
1450   number =       "21",
1451   pages =        "15150--15159",
1452   numpages =     "9",
1453   year =         "1995",
1454   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1455   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1456                  tersoff reparametrization",
1457   publisher =    "American Physical Society",
1458 }
1459
1460 @Article{sarro00,
1461   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1462   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1463   volume =       "82",
1464   number =       "1-3",
1465   pages =        "210--218",
1466   year =         "2000",
1467   ISSN =         "0924-4247",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1470   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1471   keywords =     "MEMS",
1472   keywords =     "Silicon carbide",
1473   keywords =     "Micromachining",
1474   keywords =     "Mechanical stress",
1475 }
1476
1477 @Article{casady96,
1478   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1479                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1480                  review",
1481   journal =      "Solid-State Electronics",
1482   volume =       "39",
1483   number =       "10",
1484   pages =        "1409--1422",
1485   year =         "1996",
1486   ISSN =         "0038-1101",
1487   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1488   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1489   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1490   notes =        "sic intro",
1491 }
1492
1493 @Article{giancarli98,
1494   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1495                  structural material in fusion power reactor blankets",
1496   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1497   volume =       "41",
1498   number =       "1-4",
1499   pages =        "165--171",
1500   year =         "1998",
1501   ISSN =         "0920-3796",
1502   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1503   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1504   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1505                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1506 }
1507
1508 @Article{pensl93,
1509   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1510   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1511   volume =       "185",
1512   number =       "1-4",
1513   pages =        "264--283",
1514   year =         "1993",
1515   ISSN =         "0921-4526",
1516   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1517   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1518   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1519 }
1520
1521 @Article{tairov78,
1522   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1523                  carbide single crystals",
1524   journal =      "J. Cryst. Growth",
1525   volume =       "43",
1526   number =       "2",
1527   pages =        "209--212",
1528   year =         "1978",
1529   notes =        "modified lely process",
1530   ISSN =         "0022-0248",
1531   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1532   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1533   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1534 }
1535
1536 @Article{nishino83,
1537   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1538                  Will",
1539   collaboration = "",
1540   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1541                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1542   publisher =    "AIP",
1543   year =         "1983",
1544   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1545   volume =       "42",
1546   number =       "5",
1547   pages =        "460--462",
1548   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1549                  monocrystals",
1550   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1551   doi =          "10.1063/1.93970",
1552   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1553 }
1554
1555 @Article{nishino87,
1556   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1557                  and Hiroyuki Matsunami",
1558   collaboration = "",
1559   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1560                  Si{C} on silicon",
1561   publisher =    "AIP",
1562   year =         "1987",
1563   journal =      "J. Appl. Phys.",
1564   volume =       "61",
1565   number =       "10",
1566   pages =        "4889--4893",
1567   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1568   doi =          "10.1063/1.338355",
1569   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1570                  carbonization",
1571 }
1572
1573 @Article{powell87,
1574   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1575                  Kuczmarski",
1576   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1577                  Single-Crystal Films on Si",
1578   publisher =    "ECS",
1579   year =         "1987",
1580   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1581   volume =       "134",
1582   number =       "6",
1583   pages =        "1558--1565",
1584   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1585                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1586   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1587   doi =          "10.1149/1.2100708",
1588   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1589 }
1590
1591 @Article{kimoto93,
1592   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1593                  and Hiroyuki Matsunami",
1594   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1595                  epitaxy",
1596   publisher =    "AIP",
1597   year =         "1993",
1598   journal =      "J. Appl. Phys.",
1599   volume =       "73",
1600   number =       "2",
1601   pages =        "726--732",
1602   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1603                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1604                  VAPOR DEPOSITION",
1605   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1606   doi =          "10.1063/1.353329",
1607   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1608 }
1609
1610 @Article{powell90,
1611   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1612                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1613                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1614   collaboration = "",
1615   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1616                  6{H}-Si{C} substrates",
1617   publisher =    "AIP",
1618   year =         "1990",
1619   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1620   volume =       "56",
1621   number =       "14",
1622   pages =        "1353--1355",
1623   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1624                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1625                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1626                  PHASE EPITAXY",
1627   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1628   doi =          "10.1063/1.102512",
1629   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1630 }
1631
1632 @Article{yuan95,
1633   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1634                  Thokala and M. J. Loboda",
1635   collaboration = "",
1636   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1637                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1638                  silacyclobutane",
1639   publisher =    "AIP",
1640   year =         "1995",
1641   journal =      "J. Appl. Phys.",
1642   volume =       "78",
1643   number =       "2",
1644   pages =        "1271--1273",
1645   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1646                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1647                  SPECTROPHOTOMETRY",
1648   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1649   doi =          "10.1063/1.360368",
1650   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1651 }
1652
1653 @Article{fissel95,
1654   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1655                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1656                  molecular beam epitaxy",
1657   journal =      "J. Cryst. Growth",
1658   volume =       "154",
1659   number =       "1-2",
1660   pages =        "72--80",
1661   year =         "1995",
1662   ISSN =         "0022-0248",
1663   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1664   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1665   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1666                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1667   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1668 }
1669
1670 @Article{fissel95_apl,
1671   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1672   collaboration = "",
1673   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1674                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1675   publisher =    "AIP",
1676   year =         "1995",
1677   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1678   volume =       "66",
1679   number =       "23",
1680   pages =        "3182--3184",
1681   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1682                  RHEED; NUCLEATION",
1683   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1684   doi =          "10.1063/1.113716",
1685   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1686 }
1687
1688 @Article{borders71,
1689   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1690   collaboration = "",
1691   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1692                  {IMPLANTATION}",
1693   publisher =    "AIP",
1694   year =         "1971",
1695   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1696   volume =       "18",
1697   number =       "11",
1698   pages =        "509--511",
1699   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1700   doi =          "10.1063/1.1653516",
1701   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1702                  ideas",
1703 }
1704
1705 @Article{reeson87,
1706   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1707                  J. Davis and G. E. Celler",
1708   collaboration = "",
1709   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1710                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1711   publisher =    "AIP",
1712   year =         "1987",
1713   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1714   volume =       "51",
1715   number =       "26",
1716   pages =        "2242--2244",
1717   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1718                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1719   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1720   doi =          "10.1063/1.98953",
1721   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1722 }
1723
1724 @Article{scace59,
1725   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1726   collaboration = "",
1727   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1728   publisher =    "AIP",
1729   year =         "1959",
1730   journal =      "J. Chem. Phys.",
1731   volume =       "30",
1732   number =       "6",
1733   pages =        "1551--1555",
1734   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1735   doi =          "10.1063/1.1730236",
1736   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1737 }
1738
1739 @Article{cowern96,
1740   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1741                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1742   collaboration = "",
1743   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1744                  {B} in silicon",
1745   publisher =    "AIP",
1746   year =         "1996",
1747   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1748   volume =       "68",
1749   number =       "8",
1750   pages =        "1150--1152",
1751   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1752                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1753                  SILICON",
1754   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1755   doi =          "10.1063/1.115706",
1756   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1757 }
1758
1759 @Article{stolk95,
1760   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1761                  of the silicon self-interstitial",
1762   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1763   volume =       "96",
1764   number =       "1-2",
1765   pages =        "187--195",
1766   year =         "1995",
1767   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1768                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1769   ISSN =         "0168-583X",
1770   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1771   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1772   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1773                  and J. M. Poate",
1774 }
1775
1776 @Article{stolk97,
1777   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1778                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1779                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1780                  E. Haynes",
1781   collaboration = "",
1782   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1783                  diffusion in ion-implanted silicon",
1784   publisher =    "AIP",
1785   year =         "1997",
1786   journal =      "J. Appl. Phys.",
1787   volume =       "81",
1788   number =       "9",
1789   pages =        "6031--6050",
1790   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1791   doi =          "10.1063/1.364452",
1792   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1793 }
1794
1795 @Article{powell94,
1796   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1797   collaboration = "",
1798   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1799                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1800   publisher =    "AIP",
1801   year =         "1994",
1802   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1803   volume =       "64",
1804   number =       "3",
1805   pages =        "324--326",
1806   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1807                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1808                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1809                  SYNTHESIS",
1810   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1811   doi =          "10.1063/1.111195",
1812   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1813 }
1814
1815 @Article{soref91,
1816   author =       "Richard A. Soref",
1817   collaboration = "",
1818   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1819                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1820   publisher =    "AIP",
1821   year =         "1991",
1822   journal =      "J. Appl. Phys.",
1823   volume =       "70",
1824   number =       "4",
1825   pages =        "2470--2472",
1826   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1827                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1828                  TERNARY ALLOYS",
1829   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1830   doi =          "10.1063/1.349403",
1831   notes =        "band gap of strained si by c",
1832 }
1833
1834 @Article{kasper91,
1835   author =       "E Kasper",
1836   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1837                  possibility to produce direct band gap material",
1838   journal =      "Physica Scripta",
1839   volume =       "T35",
1840   pages =        "232--236",
1841   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1842   year =         "1991",
1843   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1844                  quasi-direct one",
1845 }
1846
1847 @Article{osten99,
1848   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1849   collaboration = "",
1850   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1851                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1852                  molecular beam epitaxy",
1853   publisher =    "AIP",
1854   year =         "1999",
1855   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1856   volume =       "74",
1857   number =       "6",
1858   pages =        "836--838",
1859   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1860                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1861                  compounds",
1862   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1863   doi =          "10.1063/1.123384",
1864   notes =        "substitutional c in si",
1865 }
1866
1867 @Article{hohenberg64,
1868   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1869   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1870   journal =      "Phys. Rev.",
1871   volume =       "136",
1872   number =       "3B",
1873   pages =        "B864--B871",
1874   numpages =     "7",
1875   year =         "1964",
1876   month =        nov,
1877   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1878   publisher =    "American Physical Society",
1879   notes =        "density functional theory, dft",
1880 }
1881
1882 @Article{kohn65,
1883   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1884                  Correlation Effects",
1885   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1886   journal =      "Phys. Rev.",
1887   volume =       "140",
1888   number =       "4A",
1889   pages =        "A1133--A1138",
1890   numpages =     "5",
1891   year =         "1965",
1892   month =        nov,
1893   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1894   publisher =    "American Physical Society",
1895   notes =        "dft, exchange and correlation",
1896 }
1897
1898 @Article{ruecker94,
1899   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1900                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1901   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1902                  J. Osten",
1903   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1904   volume =       "72",
1905   number =       "22",
1906   pages =        "3578--3581",
1907   numpages =     "3",
1908   year =         "1994",
1909   month =        may,
1910   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1911   publisher =    "American Physical Society",
1912   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1913                  si, dft",
1914 }
1915
1916 @Article{chang05,
1917   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1918                  Alloy",
1919   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1920   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
1921   volume =       "44",
1922   number =       "4B",
1923   pages =        "2257--2262",
1924   numpages =     "5",
1925   year =         "2005",
1926   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1927   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1928   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1929   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1930 }
1931
1932 @Article{osten97,
1933   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1934   collaboration = "",
1935   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1936                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1937                  Si(001)",
1938   publisher =    "AIP",
1939   year =         "1997",
1940   journal =      "J. Appl. Phys.",
1941   volume =       "82",
1942   number =       "10",
1943   pages =        "4977--4981",
1944   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1945                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1946                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1947   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1948   doi =          "10.1063/1.366364",
1949   notes =        "charge transport in strained si",
1950 }
1951
1952 @Article{kapur04,
1953   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1954                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1955   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1956   journal =      "Phys. Rev. B",
1957   volume =       "69",
1958   number =       "15",
1959   pages =        "155214",
1960   numpages =     "8",
1961   year =         "2004",
1962   month =        apr,
1963   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1964   publisher =    "American Physical Society",
1965   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1966 }
1967
1968 @Article{barkema96,
1969   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1970                  Systems",
1971   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1972   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1973   volume =       "77",
1974   number =       "21",
1975   pages =        "4358--4361",
1976   numpages =     "3",
1977   year =         "1996",
1978   month =        nov,
1979   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1980   publisher =    "American Physical Society",
1981   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1982                  dynamic mds",
1983 }
1984
1985 @Article{cances09,
1986   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1987                  Minoukadeh and F. Willaime",
1988   collaboration = "",
1989   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1990                  technique method for finding transition pathways on
1991                  potential energy surfaces",
1992   publisher =    "AIP",
1993   year =         "2009",
1994   journal =      "J. Chem. Phys.",
1995   volume =       "130",
1996   number =       "11",
1997   eid =          "114711",
1998   numpages =     "6",
1999   pages =        "114711",
2000   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2001                  surfaces; vacancies (crystal)",
2002   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2003   doi =          "10.1063/1.3088532",
2004   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2005                  transition pathways",
2006 }
2007
2008 @Article{parrinello81,
2009   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2010   collaboration = "",
2011   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2012                  molecular dynamics method",
2013   publisher =    "AIP",
2014   year =         "1981",
2015   journal =      "J. Appl. Phys.",
2016   volume =       "52",
2017   number =       "12",
2018   pages =        "7182--7190",
2019   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2020                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2021                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2022                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2023                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2024                  IMPACT SHOCK",
2025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2026   doi =          "10.1063/1.328693",
2027 }
2028
2029 @Article{stillinger85,
2030   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2031                  of silicon",
2032   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2033   journal =      "Phys. Rev. B",
2034   volume =       "31",
2035   number =       "8",
2036   pages =        "5262--5271",
2037   numpages =     "9",
2038   year =         "1985",
2039   month =        apr,
2040   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2041   publisher =    "American Physical Society",
2042 }
2043
2044 @Article{brenner90,
2045   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2046                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2047                  films",
2048   author =       "Donald W. Brenner",
2049   journal =      "Phys. Rev. B",
2050   volume =       "42",
2051   number =       "15",
2052   pages =        "9458--9471",
2053   numpages =     "13",
2054   year =         "1990",
2055   month =        nov,
2056   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2057   publisher =    "American Physical Society",
2058   notes =        "brenner hydro carbons",
2059 }
2060
2061 @Article{bazant96,
2062   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2063                  Cohesive Energy Curves",
2064   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2065   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2066   volume =       "77",
2067   number =       "21",
2068   pages =        "4370--4373",
2069   numpages =     "3",
2070   year =         "1996",
2071   month =        nov,
2072   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2073   publisher =    "American Physical Society",
2074   notes =        "first si edip",
2075 }
2076
2077 @Article{bazant97,
2078   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2079                  silicon",
2080   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2081                  Justo",
2082   journal =      "Phys. Rev. B",
2083   volume =       "56",
2084   number =       "14",
2085   pages =        "8542--8552",
2086   numpages =     "10",
2087   year =         "1997",
2088   month =        oct,
2089   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2090   publisher =    "American Physical Society",
2091   notes =        "second si edip",
2092 }
2093
2094 @Article{justo98,
2095   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2096                  disordered phases",
2097   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2098                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2099   journal =      "Phys. Rev. B",
2100   volume =       "58",
2101   number =       "5",
2102   pages =        "2539--2550",
2103   numpages =     "11",
2104   year =         "1998",
2105   month =        aug,
2106   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2107   publisher =    "American Physical Society",
2108   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2109 }
2110
2111 @Article{parcas_md,
2112   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2113   author =       "K. Nordlund",
2114   year =         "2008",
2115 }
2116
2117 @Article{voter97,
2118   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2119                  Infrequent Events",
2120   author =       "Arthur F. Voter",
2121   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2122   volume =       "78",
2123   number =       "20",
2124   pages =        "3908--3911",
2125   numpages =     "3",
2126   year =         "1997",
2127   month =        may,
2128   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2129   publisher =    "American Physical Society",
2130   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2131 }
2132
2133 @Article{voter97_2,
2134   author =       "Arthur F. Voter",
2135   collaboration = "",
2136   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2137                  simulation of infrequent events",
2138   publisher =    "AIP",
2139   year =         "1997",
2140   journal =      "J. Chem. Phys.",
2141   volume =       "106",
2142   number =       "11",
2143   pages =        "4665--4677",
2144   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2145                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2146                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2147                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2148                  theory; potential energy surfaces",
2149   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2150   doi =          "10.1063/1.473503",
2151   notes =        "improved hyperdynamics md",
2152 }
2153
2154 @Article{sorensen2000,
2155   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2156   collaboration = "",
2157   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2158                  infrequent events",
2159   publisher =    "AIP",
2160   year =         "2000",
2161   journal =      "J. Chem. Phys.",
2162   volume =       "112",
2163   number =       "21",
2164   pages =        "9599--9606",
2165   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2166                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2167   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2168   doi =          "10.1063/1.481576",
2169   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2170 }
2171
2172 @Article{voter98,
2173   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2174                  events",
2175   author =       "Arthur F. Voter",
2176   journal =      "Phys. Rev. B",
2177   volume =       "57",
2178   number =       "22",
2179   pages =        "R13985--R13988",
2180   numpages =     "3",
2181   year =         "1998",
2182   month =        jun,
2183   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2184   publisher =    "American Physical Society",
2185   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2186 }
2187
2188 @Article{wu99,
2189   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2190   collaboration = "",
2191   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2192                  simulation",
2193   publisher =    "AIP",
2194   year =         "1999",
2195   journal =      "J. Chem. Phys.",
2196   volume =       "110",
2197   number =       "19",
2198   pages =        "9401--9410",
2199   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2200                  potential; crystallisation; liquid theory",
2201   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2202   doi =          "10.1063/1.478948",
2203   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2204                  systematic motion",
2205 }
2206
2207 @Article{choudhary05,
2208   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2209   collaboration = "",
2210   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2211                  to the production of amorphous silicon",
2212   publisher =    "AIP",
2213   year =         "2005",
2214   journal =      "J. Chem. Phys.",
2215   volume =       "122",
2216   number =       "15",
2217   eid =          "154509",
2218   numpages =     "8",
2219   pages =        "154509",
2220   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2221                  amorphous semiconductors",
2222   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2223   doi =          "10.1063/1.1878733",
2224   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2225                  silicon",
2226 }
2227
2228 @Article{taylor93,
2229   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2230   collaboration = "",
2231   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2232                  difficult?",
2233   publisher =    "AIP",
2234   year =         "1993",
2235   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2236   volume =       "62",
2237   number =       "25",
2238   pages =        "3336--3338",
2239   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2240                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2241                  ENERGY",
2242   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2243   doi =          "10.1063/1.109063",
2244   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2245 }
2246
2247 @Article{chaussende08,
2248   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2249   journal =      "J. Cryst. Growth",
2250   volume =       "310",
2251   number =       "5",
2252   pages =        "976--981",
2253   year =         "2008",
2254   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2255                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2256   ISSN =         "0022-0248",
2257   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2258   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2259   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2260                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2261                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2262                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2263   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2264                  metastable",
2265 }
2266
2267 @Article{feynman39,
2268   title =        "Forces in Molecules",
2269   author =       "R. P. Feynman",
2270   journal =      "Phys. Rev.",
2271   volume =       "56",
2272   number =       "4",
2273   pages =        "340--343",
2274   numpages =     "3",
2275   year =         "1939",
2276   month =        aug,
2277   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2278   publisher =    "American Physical Society",
2279   notes =        "hellmann feynman forces",
2280 }
2281
2282 @Article{buczko00,
2283   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2284                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2285                  their Contrasting Properties",
2286   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2287                  T. Pantelides",
2288   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2289   volume =       "84",
2290   number =       "5",
2291   pages =        "943--946",
2292   numpages =     "3",
2293   year =         "2000",
2294   month =        jan,
2295   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2296   publisher =    "American Physical Society",
2297   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2298 }
2299
2300 @Article{djurabekova08,
2301   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2302                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2303   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2304   journal =      "Phys. Rev. B",
2305   volume =       "77",
2306   number =       "11",
2307   pages =        "115325",
2308   numpages =     "7",
2309   year =         "2008",
2310   month =        mar,
2311   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2312   publisher =    "American Physical Society",
2313   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2314                  angular distribution, coordination",
2315 }
2316
2317 @Article{wen09,
2318   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2319                  W. Liang and J. Zou",
2320   collaboration = "",
2321   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2322                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2323                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2324   publisher =    "AIP",
2325   year =         "2009",
2326   journal =      "J. Appl. Phys.",
2327   volume =       "106",
2328   number =       "7",
2329   eid =          "073522",
2330   numpages =     "8",
2331   pages =        "073522",
2332   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2333                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2334                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2335                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2336   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2337   doi =          "10.1063/1.3234380",
2338   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2339                  deconvolution, dislocation defects",
2340 }
2341
2342 @Article{kitabatake93,
2343   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2344                  Hirao",
2345   collaboration = "",
2346   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2347                  growth on Si(001) surface",
2348   publisher =    "AIP",
2349   year =         "1993",
2350   journal =      "J. Appl. Phys.",
2351   volume =       "74",
2352   number =       "7",
2353   pages =        "4438--4445",
2354   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2355                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2356                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2357   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2358   doi =          "10.1063/1.354385",
2359   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2360                  model, interface",
2361 }
2362
2363 @Article{chirita97,
2364   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2365                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2366                  dynamics study",
2367   journal =      "Thin Solid Films",
2368   volume =       "294",
2369   number =       "1-2",
2370   pages =        "47--49",
2371   year =         "1997",
2372   note =         "",
2373   ISSN =         "0040-6090",
2374   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2375   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2376   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2377   keywords =     "Strain relaxation",
2378   keywords =     "Interfaces",
2379   keywords =     "Thermal stability",
2380   keywords =     "Molecular dynamics",
2381   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2382 }
2383
2384 @Article{cicero02,
2385   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2386                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2387   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2388                  Catellani",
2389   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2390   volume =       "89",
2391   number =       "15",
2392   pages =        "156101",
2393   numpages =     "4",
2394   year =         "2002",
2395   month =        sep,
2396   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2397   publisher =    "American Physical Society",
2398   notes =        "sic/si interface study",
2399 }
2400
2401 @Article{pizzagalli03,
2402   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2403                  interface: Si{C}/Si(001)",
2404   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2405                  Catellani",
2406   journal =      "Phys. Rev. B",
2407   volume =       "68",
2408   number =       "19",
2409   pages =        "195302",
2410   numpages =     "10",
2411   year =         "2003",
2412   month =        nov,
2413   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2414   publisher =    "American Physical Society",
2415   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2416 }
2417
2418 @Article{tang07,
2419   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2420                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2421                  electron microscopy",
2422   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2423                  H. Zheng and J. W. Liang",
2424   journal =      "Phys. Rev. B",
2425   volume =       "75",
2426   number =       "18",
2427   pages =        "184103",
2428   numpages =     "7",
2429   year =         "2007",
2430   month =        may,
2431   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2432   publisher =    "American Physical Society",
2433   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2434                  si and c",
2435 }
2436
2437 @Article{hornstra58,
2438   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2439   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2440   volume =       "5",
2441   number =       "1-2",
2442   pages =        "129--141",
2443   year =         "1958",
2444   note =         "",
2445   ISSN =         "0022-3697",
2446   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2447   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2448   author =       "J. Hornstra",
2449   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2450 }
2451
2452 @Article{eichhorn99,
2453   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2454                  K{\"{o}}gler",
2455   collaboration = "",
2456   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2457                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2458                  synchrotron x-ray diffraction",
2459   publisher =    "AIP",
2460   year =         "1999",
2461   journal =      "J. Appl. Phys.",
2462   volume =       "86",
2463   number =       "8",
2464   pages =        "4184--4187",
2465   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2466                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2467                  precipitation; semiconductor doping",
2468   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2469   doi =          "10.1063/1.371344",
2470   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2471                  expansion of si lattice",
2472 }
2473
2474 @Article{eichhorn02,
2475   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2476                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2477   collaboration = "",
2478   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2479                  carbon ion implantation",
2480   publisher =    "AIP",
2481   year =         "2002",
2482   journal =      "J. Appl. Phys.",
2483   volume =       "91",
2484   number =       "3",
2485   pages =        "1287--1292",
2486   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2487                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2488                  electron microscopy",
2489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2490   doi =          "10.1063/1.1428105",
2491   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2492                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2493 }
2494
2495 @Article{lucas10,
2496   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2497   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2498                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2499                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2500                  amorphous structures",
2501   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2502   volume =       "22",
2503   number =       "3",
2504   pages =        "035802",
2505   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2506   year =         "2010",
2507   notes =        "edip sic",
2508 }
2509
2510 @Article{godet03,
2511   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2512                  Beauchamp",
2513   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2514                  methods for silicon under large shear",
2515   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2516   volume =       "15",
2517   number =       "41",
2518   pages =        "6943",
2519   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2520   year =         "2003",
2521   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2522                  edip, tersoff, ab initio",
2523 }
2524
2525 @Article{moriguchi98,
2526   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2527                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2528   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2529   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2530   volume =       "37",
2531   number =       "Part 1, No. 2",
2532   pages =        "414--422",
2533   numpages =     "8",
2534   year =         "1998",
2535   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2536   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2537   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2538   notes =        "tersoff stringent test",
2539 }
2540
2541 @Article{mazzarolo01,
2542   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2543                  simulations",
2544   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2545                  Lulli and Eros Albertazzi",
2546   journal =      "Phys. Rev. B",
2547   volume =       "63",
2548   number =       "19",
2549   pages =        "195207",
2550   numpages =     "4",
2551   year =         "2001",
2552   month =        apr,
2553   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2554   publisher =    "American Physical Society",
2555 }
2556
2557 @Article{holmstroem08,
2558   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2559                  density functional theory molecular dynamics
2560                  simulations",
2561   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2562   journal =      "Phys. Rev. B",
2563   volume =       "78",
2564   number =       "4",
2565   pages =        "045202",
2566   numpages =     "6",
2567   year =         "2008",
2568   month =        jul,
2569   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2570   publisher =    "American Physical Society",
2571   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2572                  initio",
2573 }
2574
2575 @Article{nordlund97,
2576   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2577                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2578   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2579   volume =       "132",
2580   number =       "1",
2581   pages =        "45--54",
2582   year =         "1997",
2583   note =         "",
2584   ISSN =         "0168-583X",
2585   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2586   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2587   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2588   notes =        "repulsive ab initio potential",
2589 }
2590
2591 @Article{kresse96,
2592   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2593                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2594                  set",
2595   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2596   volume =       "6",
2597   number =       "1",
2598   pages =        "15--50",
2599   year =         "1996",
2600   note =         "",
2601   ISSN =         "0927-0256",
2602   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2604   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2605   notes =        "vasp ref",
2606 }
2607
2608 @Article{bloechl94,
2609   title =        "Projector augmented-wave method",
2610   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2611   journal =      "Phys. Rev. B",
2612   volume =       "50",
2613   number =       "24",
2614   pages =        "17953--17979",
2615   numpages =     "26",
2616   year =         "1994",
2617   month =        dec,
2618   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2619   publisher =    "American Physical Society",
2620   notes =        "paw method",
2621 }
2622
2623 @Article{hamann79,
2624   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2625   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2626   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2627   volume =       "43",
2628   number =       "20",
2629   pages =        "1494--1497",
2630   numpages =     "3",
2631   year =         "1979",
2632   month =        nov,
2633   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2634   publisher =    "American Physical Society",
2635   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2636 }
2637
2638 @Article{vanderbilt90,
2639   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2640                  eigenvalue formalism",
2641   author =       "David Vanderbilt",
2642   journal =      "Phys. Rev. B",
2643   volume =       "41",
2644   number =       "11",
2645   pages =        "7892--7895",
2646   numpages =     "3",
2647   year =         "1990",
2648   month =        apr,
2649   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2650   publisher =    "American Physical Society",
2651   notes =        "vasp pseudopotentials",
2652 }
2653
2654 @Article{perdew86,
2655   title =        "Accurate and simple density functional for the
2656                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2657                  approximation",
2658   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2659   journal =      "Phys. Rev. B",
2660   volume =       "33",
2661   number =       "12",
2662   pages =        "8800--8802",
2663   numpages =     "2",
2664   year =         "1986",
2665   month =        jun,
2666   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2667   publisher =    "American Physical Society",
2668   notes =        "rapid communication gga",
2669 }
2670
2671 @Article{perdew02,
2672   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2673                  correlation: {A} look backward and forward",
2674   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2675   volume =       "172",
2676   number =       "1-2",
2677   pages =        "1--6",
2678   year =         "1991",
2679   note =         "",
2680   ISSN =         "0921-4526",
2681   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2682   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2683   author =       "John P. Perdew",
2684   notes =        "gga overview",
2685 }
2686
2687 @Article{perdew92,
2688   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2689                  of the generalized gradient approximation for exchange
2690                  and correlation",
2691   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2692                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2693                  and Carlos Fiolhais",
2694   journal =      "Phys. Rev. B",
2695   volume =       "46",
2696   number =       "11",
2697   pages =        "6671--6687",
2698   numpages =     "16",
2699   year =         "1992",
2700   month =        sep,
2701   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2702   publisher =    "American Physical Society",
2703   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2704 }
2705
2706 @Article{baldereschi73,
2707   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2708   author =       "A. Baldereschi",
2709   journal =      "Phys. Rev. B",
2710   volume =       "7",
2711   number =       "12",
2712   pages =        "5212--5215",
2713   numpages =     "3",
2714   year =         "1973",
2715   month =        jun,
2716   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2717   publisher =    "American Physical Society",
2718   notes =        "mean value k point",
2719 }
2720
2721 @Article{zhu98,
2722   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2723                  diffusion in Si",
2724   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2725   volume =       "12",
2726   number =       "4",
2727   pages =        "309--318",
2728   year =         "1998",
2729   note =         "",
2730   ISSN =         "0927-0256",
2731   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2732   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2733   author =       "Jing Zhu",
2734   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2735   keywords =     "Boron dopant",
2736   keywords =     "Carbon dopant",
2737   keywords =     "Defect",
2738   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2739   keywords =     "Impurity cluster",
2740   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2741 }
2742
2743 @Article{nejim95,
2744   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2745   collaboration = "",
2746   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2747                  950 [degree]{C}",
2748   publisher =    "AIP",
2749   year =         "1995",
2750   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2751   volume =       "66",
2752   number =       "20",
2753   pages =        "2646--2648",
2754   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2755                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2756                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2757                  ELECTRON MICROSCOPY",
2758   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2759   doi =          "10.1063/1.113112",
2760   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2761                  self interstitials react with further implanted c",
2762 }
2763
2764 @Article{guedj98,
2765   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2766                  Kolodzey and A. Hairie",
2767   collaboration = "",
2768   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2769                  alloys",
2770   publisher =    "AIP",
2771   year =         "1998",
2772   journal =      "J. Appl. Phys.",
2773   volume =       "84",
2774   number =       "8",
2775   pages =        "4631--4633",
2776   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2777                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2778                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2779                  annealing",
2780   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2781   doi =          "10.1063/1.368703",
2782   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2783 }
2784
2785 @Article{jones04,
2786   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2787   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2788                  semiconductors",
2789   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2790   volume =       "16",
2791   number =       "27",
2792   pages =        "S2643",
2793   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2794   year =         "2004",
2795   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2796 }
2797
2798 @Article{park02,
2799   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2800                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2801                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2802   collaboration = "",
2803   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2804                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2805                  molecular-beam epitaxy",
2806   publisher =    "AIP",
2807   year =         "2002",
2808   journal =      "J. Appl. Phys.",
2809   volume =       "91",
2810   number =       "9",
2811   pages =        "5716--5727",
2812   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2813   doi =          "10.1063/1.1465122",
2814   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2815 }
2816
2817 @Article{leary97,
2818   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2819                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2820   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2821                  Torres",
2822   journal =      "Phys. Rev. B",
2823   volume =       "55",
2824   number =       "4",
2825   pages =        "2188--2194",
2826   numpages =     "6",
2827   year =         "1997",
2828   month =        jan,
2829   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2830   publisher =    "American Physical Society",
2831   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2832                  energies, different migration barriers and paths",
2833 }
2834
2835 @Article{burnard93,
2836   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2837                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2838                  calculations",
2839   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2840   journal =      "Phys. Rev. B",
2841   volume =       "47",
2842   number =       "16",
2843   pages =        "10217--10225",
2844   numpages =     "8",
2845   year =         "1993",
2846   month =        apr,
2847   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2848   publisher =    "American Physical Society",
2849   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2850                  carbon defect, formation energies",
2851 }
2852
2853 @Article{besson91,
2854   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
2855                  silicon",
2856   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
2857   journal =      "Phys. Rev. B",
2858   volume =       "43",
2859   number =       "5",
2860   pages =        "4028--4033",
2861   numpages =     "5",
2862   year =         "1991",
2863   month =        feb,
2864   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
2865   publisher =    "American Physical Society",
2866 }
2867
2868 @Article{kaxiras96,
2869   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2870                  and growth on semiconductors",
2871   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2872   volume =       "6",
2873   number =       "2",
2874   pages =        "158--172",
2875   year =         "1996",
2876   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2877                  Epitaxy",
2878   ISSN =         "0927-0256",
2879   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2880   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2881   author =       "Efthimios Kaxiras",
2882   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2883                  tight binding, first principles",
2884 }
2885
2886 @Article{kaukonen98,
2887   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2888                  diamond
2889                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2890                  surfaces",
2891   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2892                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2893                  Th. Frauenheim",
2894   journal =      "Phys. Rev. B",
2895   volume =       "57",
2896   number =       "16",
2897   pages =        "9965--9970",
2898   numpages =     "5",
2899   year =         "1998",
2900   month =        apr,
2901   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2902   publisher =    "American Physical Society",
2903   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2904                  (crt)",
2905 }
2906
2907 @Article{gali03,
2908   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2909                  center in Si{C}",
2910   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2911                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2912                  W. J. Choyke",
2913   journal =      "Phys. Rev. B",
2914   volume =       "67",
2915   number =       "15",
2916   pages =        "155203",
2917   numpages =     "5",
2918   year =         "2003",
2919   month =        apr,
2920   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2921   publisher =    "American Physical Society",
2922 }
2923
2924 @Article{chen98,
2925   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2926                  irradiation and deformation",
2927   journal =      "J. Nucl. Mater.",
2928   volume =       "258-263",
2929   number =       "Part 2",
2930   pages =        "1803--1808",
2931   year =         "1998",
2932   note =         "",
2933   ISSN =         "0022-3115",
2934   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2935   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2936   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2937 }
2938
2939 @Article{weber01,
2940   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2941                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2942   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2943   volume =       "175-177",
2944   number =       "",
2945   pages =        "26--30",
2946   year =         "2001",
2947   note =         "",
2948   ISSN =         "0168-583X",
2949   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2950   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2951   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2952   keywords =     "Amorphization",
2953   keywords =     "Irradiation effects",
2954   keywords =     "Thermal recovery",
2955   keywords =     "Silicon carbide",
2956 }
2957
2958 @Article{bockstedte03,
2959   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2960                  in $3{C}-Si{C}$",
2961   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2962                  Pankratov",
2963   journal =      "Phys. Rev. B",
2964   volume =       "68",
2965   number =       "20",
2966   pages =        "205201",
2967   numpages =     "17",
2968   year =         "2003",
2969   month =        nov,
2970   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2971   publisher =    "American Physical Society",
2972   notes =        "defect migration in sic",
2973 }
2974
2975 @Article{rauls03a,
2976   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2977                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2978   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2979                  De\'ak",
2980   journal =      "Phys. Rev. B",
2981   volume =       "68",
2982   number =       "15",
2983   pages =        "155208",
2984   numpages =     "9",
2985   year =         "2003",
2986   month =        oct,
2987   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2988   publisher =    "American Physical Society",
2989 }