bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   year =         "1997",
 140   volume =       "22",
 141   number =       "3",
 142   pages =        "19--22",
 143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
 144 }
 145
 146 @Article{capano97_old,
 147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 149   journal =      "MRS Bull.",
 150   volume =       "22",
 151   pages =        "19",
 152   year =         "1997",
 153 }
 154
 155 @Article{fischer90,
 156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 158                  carbide",
 159   journal =      "Philos. Mag. B",
 160   volume =       "61",
 161   pages =        "217--236",
 162   year =         "1990",
 163   notes =        "sic polytypes",
 164 }
 165
 166 @Article{koegler03,
 167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 172                  ions",
 173   journal =      "Appl. Phys. A",
 174   volume =       "76",
 175   pages =        "827--835",
 176   month =        mar,
 177   year =         "2003",
 178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 180                  precipitation by interstitial and substitutional
 181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 182 }
 183
 184 @Article{skorupa96,
 185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 186                  silicon-related materials",
 187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 188   volume =       "44",
 189   number =       "2",
 190   pages =        "101--143",
 191   year =         "1996",
 192   note =         "",
 193   ISSN =         "0254-0584",
 194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 197   notes =        "review of silicon carbon compound",
 198 }
 199
 200 @Book{laplace,
 201   author =       "P. S. de Laplace",
 202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 204   volume =       "VII",
 205   publisher =    "Gauthier-Villars",
 206   year =         "1820",
 207 }
 208
 209 @Article{mattoni2007,
 210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 212                  materials}",
 213   journal =      "Phys. Rev. B",
 214   year =         "2007",
 215   month =        dec,
 216   volume =       "76",
 217   number =       "22",
 218   pages =        "224103",
 219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 222                  fracture, more available potentials, universal energy
 223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 224 }
 225
 226 @Article{balamane92,
 227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 228                  potentials",
 229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 230   journal =      "Phys. Rev. B",
 231   volume =       "46",
 232   number =       "4",
 233   pages =        "2250--2279",
 234   numpages =     "29",
 235   year =         "1992",
 236   month =        jul,
 237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 238   publisher =    "American Physical Society",
 239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 240 }
 241
 242 @Article{koster2002,
 243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 244                  bombardment",
 245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 246   journal =      "Phys. Rev. B",
 247   volume =       "62",
 248   number =       "16",
 249   pages =        "11219--11224",
 250   numpages =     "5",
 251   year =         "2000",
 252   month =        oct,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 256 }
 257
 258 @Article{breadmore99,
 259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 260                  amorphization of silicon",
 261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "60",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "12610--12616",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1999",
 268   month =        nov,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 272 }
 273
 274 @Article{nielsen83,
 275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 278   volume =       "50",
 279   number =       "9",
 280   pages =        "697--700",
 281   numpages =     "3",
 282   year =         "1983",
 283   month =        feb,
 284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 285   publisher =    "American Physical Society",
 286   notes =        "generalization of virial theorem",
 287 }
 288
 289 @Article{nielsen85,
 290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 292   journal =      "Phys. Rev. B",
 293   volume =       "32",
 294   number =       "6",
 295   pages =        "3780--3791",
 296   numpages =     "11",
 297   year =         "1985",
 298   month =        sep,
 299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 300   publisher =    "American Physical Society",
 301   notes =        "dft virial stress and forces",
 302 }
 303
 304 @Article{moissan04,
 305   author =       "Henri Moissan",
 306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 307                  Diablo",
 308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 309   volume =       "139",
 310   pages =        "773--786",
 311   year =         "1904",
 312 }
 313
 314 @Book{park98,
 315   author =       "Y. S. Park",
 316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 317   publisher =    "Academic Press",
 318   address =      "San Diego",
 319   year =         "1998",
 320 }
 321
 322 @Article{tsvetkov98,
 323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 327   volume =       "264-268",
 328   pages =        "3--8",
 329   year =         "1998",
 330   notes =        "modified lely process, micropipes",
 331 }
 332
 333 @Article{verlet67,
 334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 336   author =       "Loup Verlet",
 337   journal =      "Phys. Rev.",
 338   volume =       "159",
 339   number =       "1",
 340   pages =        "98",
 341   year =         "1967",
 342   month =        jul,
 343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 344   publisher =    "American Physical Society",
 345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 346                  motion",
 347 }
 348
 349 @Article{berendsen84,
 350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 352   collaboration = "",
 353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 354   publisher =    "AIP",
 355   year =         "1984",
 356   journal =      "J. Chem. Phys.",
 357   volume =       "81",
 358   number =       "8",
 359   pages =        "3684--3690",
 360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 363   doi =          "10.1063/1.448118",
 364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 365 }
 366
 367 @Article{huang95,
 368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 369                  Baskes",
 370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 372                  potentials",
 373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 374   volume =       "3",
 375   number =       "5",
 376   pages =        "615--627",
 377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 380   year =         "1995",
 381 }
 382
 383 @Article{brenner89,
 384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 385                  Tersoff potentials",
 386   author =       "Donald W. Brenner",
 387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 388   volume =       "63",
 389   number =       "9",
 390   pages =        "1022",
 391   numpages =     "1",
 392   year =         "1989",
 393   month =        aug,
 394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 395   publisher =    "American Physical Society",
 396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 397 }
 398
 399 @Article{batra87,
 400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 401                  silicon",
 402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 403   journal =      "Phys. Rev. B",
 404   volume =       "35",
 405   number =       "18",
 406   pages =        "9552--9558",
 407   numpages =     "6",
 408   year =         "1987",
 409   month =        jun,
 410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 411   publisher =    "American Physical Society",
 412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 413                  calculation of defect formation energy, defect
 414                  interstitial types",
 415 }
 416
 417 @Article{schober89,
 418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 419   author =       "H. R. Schober",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "39",
 422   number =       "17",
 423   pages =        "13013--13015",
 424   numpages =     "2",
 425   year =         "1989",
 426   month =        jun,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 430                  dumbbell configuration",
 431 }
 432
 433 @Article{gao02a,
 434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 435                  Defect accumulation, topological features, and
 436                  disordering",
 437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 438   journal =      "Phys. Rev. B",
 439   volume =       "66",
 440   number =       "2",
 441   pages =        "024106",
 442   numpages =     "10",
 443   year =         "2002",
 444   month =        jul,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 449                  result analyze",
 450 }
 451
 452 @Article{devanathan98,
 453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 454                  cascade in Si{C}",
 455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 456   volume =       "141",
 457   number =       "1-4",
 458   pages =        "118--122",
 459   year =         "1998",
 460   ISSN =         "0168-583X",
 461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 463                  Rubia",
 464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 465                  3c-sic",
 466 }
 467
 468 @Article{devanathan98_2,
 469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 471   volume =       "253",
 472   number =       "1-3",
 473   pages =        "47--52",
 474   year =         "1998",
 475   ISSN =         "0022-3115",
 476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 478                  Weber",
 479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 480                  tersoff",
 481 }
 482
 483 @Article{kitabatake00,
 484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 485   author =       "M. Kitabatake",
 486   journal =      "Thin Solid Films",
 487   volume =       "369",
 488   pages =        "257--264",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2000",
 491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 492 }
 493
 494 @Article{tang97,
 495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 498                  formation volumes",
 499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 500                  Rubia",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "55",
 503   number =       "21",
 504   pages =        "14279--14289",
 505   numpages =     "10",
 506   year =         "1997",
 507   month =        jun,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 511 }
 512
 513 @Article{johnson98,
 514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 515                  Rubia",
 516   collaboration = "",
 517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 519                  presence of carbon and boron",
 520   publisher =    "AIP",
 521   year =         "1998",
 522   journal =      "J. Appl. Phys.",
 523   volume =       "84",
 524   number =       "4",
 525   pages =        "1963--1967",
 526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 528                  semiconductors; self-diffusion",
 529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 530   doi =          "10.1063/1.368328",
 531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 532                  diffsuion",
 533 }
 534
 535 @Article{bar-yam84,
 536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 537                  Self-Interstitial",
 538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 540   volume =       "52",
 541   number =       "13",
 542   pages =        "1129--1132",
 543   numpages =     "3",
 544   year =         "1984",
 545   month =        mar,
 546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 547   publisher =    "American Physical Society",
 548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 549 }
 550
 551 @Article{bar-yam84_2,
 552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 553                  barriers of silicon self-interstitials",
 554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 555   journal =      "Phys. Rev. B",
 556   volume =       "30",
 557   number =       "4",
 558   pages =        "1844--1852",
 559   numpages =     "8",
 560   year =         "1984",
 561   month =        aug,
 562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 563   publisher =    "American Physical Society",
 564 }
 565
 566 @Article{bloechl93,
 567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 568                  constants in silicon",
 569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 572   volume =       "70",
 573   number =       "16",
 574   pages =        "2435--2438",
 575   numpages =     "3",
 576   year =         "1993",
 577   month =        apr,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 581                  entropy calculations",
 582 }
 583
 584 @Article{munro99,
 585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 587   journal =      "Phys. Rev. B",
 588   volume =       "59",
 589   number =       "6",
 590   pages =        "3969--3980",
 591   numpages =     "11",
 592   year =         "1999",
 593   month =        feb,
 594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 595   publisher =    "American Physical Society",
 596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 597                  defect migration mechanisms",
 598 }
 599
 600 @Article{colombo02,
 601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 602                  silicon",
 603   author =       "L. Colombo",
 604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 605   volume =       "32",
 606   pages =        "271--295",
 607   numpages =     "25",
 608   year =         "2002",
 609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 610   publisher =    "Annual Reviews",
 611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 612 }
 613
 614 @Article{al-mushadani03,
 615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 616                  silicon",
 617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 618   journal =      "Phys. Rev. B",
 619   volume =       "68",
 620   number =       "23",
 621   pages =        "235205",
 622   numpages =     "8",
 623   year =         "2003",
 624   month =        dec,
 625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 626   publisher =    "American Physical Society",
 627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 628                  silicon, si self interstitials, free energy",
 629 }
 630
 631 @Article{mattsson08,
 632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 633                  formation energy",
 634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 635                  Armiento",
 636   journal =      "Phys. Rev. B",
 637   volume =       "77",
 638   number =       "15",
 639   pages =        "155211",
 640   numpages =     "7",
 641   year =         "2008",
 642   month =        apr,
 643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 644   publisher =    "American Physical Society",
 645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 646 }
 647
 648 @Article{goedecker02,
 649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 652   volume =       "88",
 653   number =       "23",
 654   pages =        "235501",
 655   numpages =     "4",
 656   year =         "2002",
 657   month =        may,
 658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 659   publisher =    "American Physical Society",
 660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 661                  silicon",
 662 }
 663
 664 @Article{sahli05,
 665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 666                  self-interstitial diffusion in silicon",
 667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 668   journal =      "Phys. Rev. B",
 669   volume =       "72",
 670   number =       "24",
 671   pages =        "245210",
 672   numpages =     "6",
 673   year =         "2005",
 674   month =        dec,
 675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 676   publisher =    "American Physical Society",
 677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 678                  mapping applied",
 679 }
 680
 681 @Article{hobler05,
 682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 683                  native point defects in silicon",
 684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 685   volume =       "124-125",
 686   number =       "",
 687   pages =        "368--371",
 688   year =         "2005",
 689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 690                  Issues for Future Technologies",
 691   ISSN =         "0921-5107",
 692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 696                  radius",
 697 }
 698
 699 @Article{ma10,
 700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 701                  wide temperature range: Point defect states and
 702                  migration mechanisms",
 703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 704   journal =      "Phys. Rev. B",
 705   volume =       "81",
 706   number =       "19",
 707   pages =        "193203",
 708   numpages =     "4",
 709   year =         "2010",
 710   month =        may,
 711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 712   publisher =    "American Physical Society",
 713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 714 }
 715
 716 @Article{posselt06,
 717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 720   journal =      "Phys. Rev. B",
 721   volume =       "73",
 722   number =       "12",
 723   pages =        "125206",
 724   numpages =     "8",
 725   year =         "2006",
 726   month =        mar,
 727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 728   publisher =    "American Physical Society",
 729 }
 730
 731 @Article{posselt08,
 732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 733                  migration mechanisms of vacancies and
 734                  self-interstitials: An atomistic study",
 735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "78",
 738   number =       "3",
 739   pages =        "035208",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "2008",
 742   month =        jul,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 746                  weber and tersoff",
 747 }
 748
 749 @Article{gao2001,
 750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 753                  Corrales",
 754   journal =      "Phys. Rev. B",
 755   volume =       "64",
 756   number =       "24",
 757   pages =        "245208",
 758   numpages =     "7",
 759   year =         "2001",
 760   month =        dec,
 761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 762   publisher =    "American Physical Society",
 763   notes =        "defects in 3c-sic",
 764 }
 765
 766 @Article{gao02,
 767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 768                  3{C}-Si{C}",
 769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 770   volume =       "191",
 771   number =       "1-4",
 772   pages =        "487--496",
 773   year =         "2002",
 774   note =         "",
 775   ISSN =         "0168-583X",
 776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 779   keywords =     "Empirical potential",
 780   keywords =     "Defect properties",
 781   keywords =     "Silicon carbide",
 782   keywords =     "Computer simulation",
 783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 784 }
 785
 786 @Article{gao04,
 787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 788                  3{C}-Si{C}",
 789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 790                  Belko",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "69",
 793   number =       "24",
 794   pages =        "245205",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2004",
 797   month =        jun,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "defect migration in sic",
 801 }
 802
 803 @Article{gao07,
 804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 805                  W. J. Weber",
 806   collaboration = "",
 807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 808                  in cubic silicon carbide",
 809   publisher =    "AIP",
 810   year =         "2007",
 811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 812   volume =       "90",
 813   number =       "22",
 814   eid =          "221915",
 815   numpages =     "3",
 816   pages =        "221915",
 817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 819                  dynamics method; density functional theory;
 820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 821                  impurities; diffusion",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 823   doi =          "10.1063/1.2743751",
 824 }
 825
 826 @Article{mattoni2002,
 827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 828                  crystalline silicon",
 829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 830   journal =      "Phys. Rev. B",
 831   volume =       "66",
 832   number =       "19",
 833   pages =        "195214",
 834   numpages =     "6",
 835   year =         "2002",
 836   month =        nov,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 841                  tersoff suitability",
 842 }
 843
 844 @Article{leung99,
 845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 847                  Itoh and S. Ihara",
 848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 849   volume =       "83",
 850   number =       "12",
 851   pages =        "2351--2354",
 852   numpages =     "3",
 853   year =         "1999",
 854   month =        sep,
 855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 856   publisher =    "American Physical Society",
 857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 858                  refs",
 859 }
 860
 861 @Article{capaz94,
 862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 863                  carbon in silicon",
 864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 865   journal =      "Phys. Rev. B",
 866   volume =       "50",
 867   number =       "11",
 868   pages =        "7439--7442",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1994",
 871   month =        sep,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 875                  dumbbell",
 876 }
 877
 878 @Article{capaz98,
 879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 881   journal =      "Phys. Rev. B",
 882   volume =       "58",
 883   number =       "15",
 884   pages =        "9845--9850",
 885   numpages =     "5",
 886   year =         "1998",
 887   month =        oct,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 891 }
 892
 893 @Article{song90_2,
 894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 895                  pair in silicon",
 896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 897                  Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5765--5783",
 902   numpages =     "18",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 908 }
 909
 910 @Article{liu02,
 911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 915                  interactions in Si",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "2002",
 918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 919   volume =       "80",
 920   number =       "1",
 921   pages =        "52--54",
 922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 926   doi =          "10.1063/1.1430505",
 927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 928 }
 929
 930 @Article{dal_pino93,
 931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 932                  silicon",
 933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 934                  Joannopoulos",
 935   journal =      "Phys. Rev. B",
 936   volume =       "47",
 937   number =       "19",
 938   pages =        "12554--12557",
 939   numpages =     "3",
 940   year =         "1993",
 941   month =        may,
 942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 943   publisher =    "American Physical Society",
 944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 945 }
 946
 947 @Article{car84,
 948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 949                  Silicon",
 950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 951                  Sokrates T. Pantelides",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "52",
 954   number =       "20",
 955   pages =        "1814--1817",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1984",
 958   month =        may,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 962                  path formation",
 963 }
 964
 965 @Article{car85,
 966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 967                  Density-Functional Theory",
 968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 970   volume =       "55",
 971   number =       "22",
 972   pages =        "2471--2474",
 973   numpages =     "3",
 974   year =         "1985",
 975   month =        nov,
 976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 977   publisher =    "American Physical Society",
 978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 979 }
 980
 981 @Article{kelires97,
 982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 984   author =       "P. C. Kelires",
 985   journal =      "Phys. Rev. B",
 986   volume =       "55",
 987   number =       "14",
 988   pages =        "8784--8787",
 989   numpages =     "3",
 990   year =         "1997",
 991   month =        apr,
 992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 993   publisher =    "American Physical Society",
 994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 995                  neighbour dist",
 996 }
 997
 998 @Article{kelires95,
 999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   journal =      "Phys. Rev. B",
1539   month =        aug,
1540   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1541   publisher =    "American Physical Society",
1542   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1543                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1544   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1545                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1546                  silicon",
1547   year =         "2011",
1548   pages =        "064126",
1549   numpages =     "18",
1550   volume =       "84",
1551   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1552   issue =        "6",
1553   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1554                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1555                  potential and first-principles methods are presented.
1556                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1557                  understanding of the precipitation mechanism in the
1558                  context of controversial discussions in the literature.
1559                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1560                  assumed in the precipitation process are calculated in
1561                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1562                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1563                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1564                  are investigated using density functional theory
1565                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1566                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1567                  as well as a silicon self-interstitial has been
1568                  investigated systematically. Interactions of various
1569                  combinations of defects have been characterized
1570                  including a couple of selected migration pathways
1571                  within these configurations. Almost all of the
1572                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1573                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1574                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1575                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1576                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1577                  radius has been observed for pairs of interstitial
1578                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1579                  rather small capture radius is predicted for
1580                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1581                  Initial assumptions regarding the precipitation
1582                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1583                  established and conformability to experimental findings
1584                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1585                  first-principles calculations on defects and carbon
1586                  diffusion in silicon are compared to results of
1587                  classical potential simulations revealing significant
1588                  limitations of the latter method. An approach to work
1589                  around this problem is proposed. Finally, results of
1590                  the classical potential molecular dynamics simulations
1591                  of large systems are examined, which reinforce previous
1592                  assumptions and give further insight into basic
1593                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1594 }
1595
1596 @Article{lindner95,
1597   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1598                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1599   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1600                  Layers in Silicon",
1601   journal =      "MRS Proc.",
1602   volume =       "354",
1603   number =       "",
1604   pages =        "171",
1605   year =         "1994",
1606   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1608   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1609   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1610 }
1611
1612 @Article{lindner96,
1613   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1614                  in silicon by ion beam synthesis",
1615   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1616   volume =       "46",
1617   number =       "2-3",
1618   pages =        "147--155",
1619   year =         "1996",
1620   note =         "",
1621   ISSN =         "0254-0584",
1622   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1623   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1624   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1625                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1626                  Stritzker",
1627   notes =        "dose window",
1628 }
1629
1630 @Article{calcagno96,
1631   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1632                  ion implantation",
1633   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1634   volume =       "120",
1635   number =       "1-4",
1636   pages =        "121--124",
1637   year =         "1996",
1638   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1639                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1640   ISSN =         "0168-583X",
1641   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1642   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1643   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1644                  Grimaldi and P. Musumeci",
1645   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1646 }
1647
1648 @Article{lindner98,
1649   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1650                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1651   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1652   volume =       "264-268",
1653   pages =        "215--218",
1654   year =         "1998",
1655   note =         "",
1656   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1657   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1658   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1659   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1660                  crystallinity",
1661 }
1662
1663 @Article{lindner99,
1664   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1665                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1666                  layers in silicon",
1667   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1668   volume =       "147",
1669   number =       "1-4",
1670   pages =        "249--255",
1671   year =         "1999",
1672   note =         "",
1673   ISSN =         "0168-583X",
1674   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1675   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1676   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1677   notes =        "two-step implantation process",
1678 }
1679
1680 @Article{lindner99_2,
1681   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1682                  in silicon",
1683   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1684   volume =       "148",
1685   number =       "1-4",
1686   pages =        "528--533",
1687   year =         "1999",
1688   ISSN =         "0168-583X",
1689   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1690   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1691   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1692   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1693 }
1694
1695 @Article{lindner01,
1696   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1697                  Basic physical processes",
1698   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1699   volume =       "178",
1700   number =       "1-4",
1701   pages =        "44--54",
1702   year =         "2001",
1703   note =         "",
1704   ISSN =         "0168-583X",
1705   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1706   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1707   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1708 }
1709
1710 @Article{lindner02,
1711   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1712                  fundamental studies for new technological tricks",
1713   author =       "J. K. N. Lindner",
1714   journal =      "Appl. Phys. A",
1715   volume =       "77",
1716   pages =        "27--38",
1717   year =         "2003",
1718   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1719   notes =        "ibs, burried sic layers",
1720 }
1721
1722 @Article{lindner06,
1723   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1724                  formation and displacive precipitate resolution in the
1725                  {C}-Si system",
1726   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1727   volume =       "26",
1728   number =       "5-7",
1729   pages =        "857--861",
1730   year =         "2006",
1731   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1732                  Applications",
1733   ISSN =         "0928-4931",
1734   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1735   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1736   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1737                  and B. Stritzker",
1738   notes =        "c int diffusion barrier",
1739 }
1740
1741 @Article{haeberlen10,
1742   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1743                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1744   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1745   volume =       "312",
1746   number =       "6",
1747   pages =        "762--769",
1748   year =         "2010",
1749   note =         "",
1750   ISSN =         "0022-0248",
1751   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1752   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1753   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1754                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1755 }
1756
1757 @Article{ito04,
1758   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1759                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1760                  growth",
1761   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1762   volume =       "238",
1763   number =       "1-4",
1764   pages =        "159--164",
1765   year =         "2004",
1766   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1767   ISSN =         "0169-4332",
1768   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1769   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1770   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1771                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1772   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1773 }
1774
1775 @Article{yamamoto04,
1776   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1777                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1778                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1779   journal =      "J. Cryst. Growth",
1780   volume =       "261",
1781   number =       "2-3",
1782   pages =        "266--270",
1783   year =         "2004",
1784   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1785                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1786   ISSN =         "0022-0248",
1787   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1789   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1790                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1791   notes =        "gan on 3c-sic",
1792 }
1793
1794 @Article{liu_l02,
1795   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1796   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1797   volume =       "37",
1798   number =       "3",
1799   pages =        "61--127",
1800   year =         "2002",
1801   note =         "",
1802   ISSN =         "0927-796X",
1803   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1804   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1805   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1806   notes =        "gan substrates",
1807 }
1808
1809 @Article{takeuchi91,
1810   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1811                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1812   journal =      "J. Cryst. Growth",
1813   volume =       "115",
1814   number =       "1-4",
1815   pages =        "634--638",
1816   year =         "1991",
1817   note =         "",
1818   ISSN =         "0022-0248",
1819   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1820   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1821   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1822                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1823   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1824 }
1825
1826 @Article{alder57,
1827   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1828   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1829   publisher =    "AIP",
1830   year =         "1957",
1831   journal =      "J. Chem. Phys.",
1832   volume =       "27",
1833   number =       "5",
1834   pages =        "1208--1209",
1835   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1836   doi =          "10.1063/1.1743957",
1837 }
1838
1839 @Article{alder59,
1840   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1841   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1842   publisher =    "AIP",
1843   year =         "1959",
1844   journal =      "J. Chem. Phys.",
1845   volume =       "31",
1846   number =       "2",
1847   pages =        "459--466",
1848   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1849   doi =          "10.1063/1.1730376",
1850 }
1851
1852 @Article{horsfield96,
1853   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1854   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1855                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1856   journal =      "Phys. Rev. B",
1857   volume =       "53",
1858   number =       "19",
1859   pages =        "12694--12712",
1860   numpages =     "18",
1861   year =         "1996",
1862   month =        may,
1863   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1864   publisher =    "American Physical Society",
1865 }
1866
1867 @Article{abell85,
1868   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1869                  and metallic bonding",
1870   author =       "G. C. Abell",
1871   journal =      "Phys. Rev. B",
1872   volume =       "31",
1873   number =       "10",
1874   pages =        "6184--6196",
1875   numpages =     "12",
1876   year =         "1985",
1877   month =        may,
1878   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1879   publisher =    "American Physical Society",
1880 }
1881
1882 @Article{tersoff_si1,
1883   title =        "New empirical model for the structural properties of
1884                  silicon",
1885   author =       "J. Tersoff",
1886   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1887   volume =       "56",
1888   number =       "6",
1889   pages =        "632--635",
1890   numpages =     "3",
1891   year =         "1986",
1892   month =        feb,
1893   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1894   publisher =    "American Physical Society",
1895 }
1896
1897 @Article{dodson87,
1898   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1899                  silicon",
1900   author =       "Brian W. Dodson",
1901   journal =      "Phys. Rev. B",
1902   volume =       "35",
1903   number =       "6",
1904   pages =        "2795--2798",
1905   numpages =     "3",
1906   year =         "1987",
1907   month =        feb,
1908   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1909   publisher =    "American Physical Society",
1910 }
1911
1912 @Article{tersoff_si2,
1913   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1914                  covalent systems",
1915   author =       "J. Tersoff",
1916   journal =      "Phys. Rev. B",
1917   volume =       "37",
1918   number =       "12",
1919   pages =        "6991--7000",
1920   numpages =     "9",
1921   year =         "1988",
1922   month =        apr,
1923   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1924   publisher =    "American Physical Society",
1925 }
1926
1927 @Article{tersoff_si3,
1928   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1929                  improved elastic properties",
1930   author =       "J. Tersoff",
1931   journal =      "Phys. Rev. B",
1932   volume =       "38",
1933   number =       "14",
1934   pages =        "9902--9905",
1935   numpages =     "3",
1936   year =         "1988",
1937   month =        nov,
1938   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1939   publisher =    "American Physical Society",
1940 }
1941
1942 @Article{tersoff_c,
1943   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1944                  Applications to Amorphous Carbon",
1945   author =       "J. Tersoff",
1946   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1947   volume =       "61",
1948   number =       "25",
1949   pages =        "2879--2882",
1950   numpages =     "3",
1951   year =         "1988",
1952   month =        dec,
1953   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1954   publisher =    "American Physical Society",
1955 }
1956
1957 @Article{tersoff_m,
1958   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1959                  for multicomponent systems",
1960   author =       "J. Tersoff",
1961   journal =      "Phys. Rev. B",
1962   volume =       "39",
1963   number =       "8",
1964   pages =        "5566--5568",
1965   numpages =     "2",
1966   year =         "1989",
1967   month =        mar,
1968   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1969   publisher =    "American Physical Society",
1970 }
1971
1972 @Article{tersoff90,
1973   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1974   author =       "J. Tersoff",
1975   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1976   volume =       "64",
1977   number =       "15",
1978   pages =        "1757--1760",
1979   numpages =     "3",
1980   year =         "1990",
1981   month =        apr,
1982   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1983   publisher =    "American Physical Society",
1984 }
1985
1986 @Article{fahey89,
1987   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1988   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1989   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1990   volume =       "61",
1991   number =       "2",
1992   pages =        "289--384",
1993   numpages =     "95",
1994   year =         "1989",
1995   month =        apr,
1996   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1997   publisher =    "American Physical Society",
1998 }
1999
2000 @Article{wesch96,
2001   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2002   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2003   volume =       "116",
2004   number =       "1-4",
2005   pages =        "305--321",
2006   year =         "1996",
2007   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2008   ISSN =         "0168-583X",
2009   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2010   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2011   author =       "W. Wesch",
2012 }
2013
2014 @Article{davis91,
2015   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2016                  Palmour and J. A. Edmond",
2017   journal =      "Proc. IEEE",
2018   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2019                  optoelectronic device fabrication and characterization
2020                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2021   year =         "1991",
2022   month =        may,
2023   volume =       "79",
2024   number =       "5",
2025   pages =        "677--701",
2026   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2027                  diode;SiC;dry etching;electrical
2028                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2029                  device fabrication;solid-state devices;surface
2030                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2031                  transistors;Schottky-barrier
2032                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2033                  transistors;insulated gate field effect
2034                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2035                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2036   doi =          "10.1109/5.90132",
2037   ISSN =         "0018-9219",
2038   notes =        "sic growth methods",
2039 }
2040
2041 @Article{morkoc94,
2042   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2043                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2044   collaboration = "",
2045   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2046                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2047   publisher =    "AIP",
2048   year =         "1994",
2049   journal =      "J. Appl. Phys.",
2050   volume =       "76",
2051   number =       "3",
2052   pages =        "1363--1398",
2053   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2054                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2055                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2056                  FILMS; INDUSTRY",
2057   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2058   doi =          "10.1063/1.358463",
2059   notes =        "sic intro, properties",
2060 }
2061
2062 @Article{foo,
2063   author =       "Noch Unbekannt",
2064   title =        "How to find references",
2065   journal =      "Journal of Applied References",
2066   year =         "2009",
2067   volume =       "77",
2068   pages =        "1--23",
2069 }
2070
2071 @Article{tang95,
2072   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2073                  \beta{}-Si{C}",
2074   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2075   journal =      "Phys. Rev. B",
2076   volume =       "52",
2077   number =       "21",
2078   pages =        "15150--15159",
2079   numpages =     "9",
2080   year =         "1995",
2081   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2082   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2083                  tersoff reparametrization",
2084   publisher =    "American Physical Society",
2085 }
2086
2087 @Article{sarro00,
2088   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2089   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2090   volume =       "82",
2091   number =       "1-3",
2092   pages =        "210--218",
2093   year =         "2000",
2094   ISSN =         "0924-4247",
2095   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2096   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2097   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2098   keywords =     "MEMS",
2099   keywords =     "Silicon carbide",
2100   keywords =     "Micromachining",
2101   keywords =     "Mechanical stress",
2102 }
2103
2104 @Article{casady96,
2105   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2106                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2107                  review",
2108   journal =      "Solid-State Electron.",
2109   volume =       "39",
2110   number =       "10",
2111   pages =        "1409--1422",
2112   year =         "1996",
2113   ISSN =         "0038-1101",
2114   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2115   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2116   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2117   notes =        "sic intro",
2118 }
2119
2120 @Article{giancarli98,
2121   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2122                  structural material in fusion power reactor blankets",
2123   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2124   volume =       "41",
2125   number =       "1-4",
2126   pages =        "165--171",
2127   year =         "1998",
2128   ISSN =         "0920-3796",
2129   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2131   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2132                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2133 }
2134
2135 @Article{pensl93,
2136   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2137   journal =      "Physica B",
2138   volume =       "185",
2139   number =       "1-4",
2140   pages =        "264--283",
2141   year =         "1993",
2142   ISSN =         "0921-4526",
2143   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2144   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2145   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2146 }
2147
2148 @Article{tairov78,
2149   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2150                  carbide single crystals",
2151   journal =      "J. Cryst. Growth",
2152   volume =       "43",
2153   number =       "2",
2154   pages =        "209--212",
2155   year =         "1978",
2156   notes =        "modified lely process",
2157   ISSN =         "0022-0248",
2158   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2159   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2160   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2161 }
2162
2163 @Article{tairov81,
2164   title =        "General principles of growing large-size single
2165                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2166   journal =      "J. Cryst. Growth",
2167   volume =       "52",
2168   number =       "Part 1",
2169   pages =        "146--150",
2170   year =         "1981",
2171   note =         "",
2172   ISSN =         "0022-0248",
2173   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2174   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2175   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2176 }
2177
2178 @Article{barrett91,
2179   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2180   journal =      "J. Cryst. Growth",
2181   volume =       "109",
2182   number =       "1-4",
2183   pages =        "17--23",
2184   year =         "1991",
2185   note =         "",
2186   ISSN =         "0022-0248",
2187   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2188   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2189   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2190                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2191 }
2192
2193 @Article{barrett93,
2194   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2195   journal =      "J. Cryst. Growth",
2196   volume =       "128",
2197   number =       "1-4",
2198   pages =        "358--362",
2199   year =         "1993",
2200   note =         "",
2201   ISSN =         "0022-0248",
2202   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2203   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2204   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2205                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2206                  W. J. Choyke",
2207 }
2208
2209 @Article{stein93,
2210   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2211                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2212                  sublimation method",
2213   journal =      "J. Cryst. Growth",
2214   volume =       "131",
2215   number =       "1-2",
2216   pages =        "71--74",
2217   year =         "1993",
2218   note =         "",
2219   ISSN =         "0022-0248",
2220   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2221   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2222   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2223   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2224 }
2225
2226 @Article{nishino83,
2227   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2228                  Will",
2229   collaboration = "",
2230   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2231                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2232   publisher =    "AIP",
2233   year =         "1983",
2234   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2235   volume =       "42",
2236   number =       "5",
2237   pages =        "460--462",
2238   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2239                  monocrystals",
2240   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2241   doi =          "10.1063/1.93970",
2242   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2243 }
2244
2245 @Article{nishino87,
2246   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2247                  and Hiroyuki Matsunami",
2248   collaboration = "",
2249   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2250                  Si{C} on silicon",
2251   publisher =    "AIP",
2252   year =         "1987",
2253   journal =      "J. Appl. Phys.",
2254   volume =       "61",
2255   number =       "10",
2256   pages =        "4889--4893",
2257   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2258   doi =          "10.1063/1.338355",
2259   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2260                  carbonization",
2261 }
2262
2263 @Article{powell87,
2264   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2265                  Kuczmarski",
2266   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2267                  Single-Crystal Films on Si",
2268   publisher =    "ECS",
2269   year =         "1987",
2270   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2271   volume =       "134",
2272   number =       "6",
2273   pages =        "1558--1565",
2274   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2275                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2276   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2277   doi =          "10.1149/1.2100708",
2278   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2279 }
2280
2281 @Article{powell87_2,
2282   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2283                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2284   collaboration = "",
2285   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2286                  off-axis Si substrates",
2287   publisher =    "AIP",
2288   year =         "1987",
2289   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2290   volume =       "51",
2291   number =       "11",
2292   pages =        "823--825",
2293   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2294                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2295                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2296                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2297                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2298   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2299   doi =          "10.1063/1.98824",
2300   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2301 }
2302
2303 @Article{ueda90,
2304   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2305   journal =      "J. Cryst. Growth",
2306   volume =       "104",
2307   number =       "3",
2308   pages =        "695--700",
2309   year =         "1990",
2310   note =         "",
2311   ISSN =         "0022-0248",
2312   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2313   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2314   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2315                  Matsunami",
2316   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2317 }
2318
2319 @Article{kimoto93,
2320   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2321                  and Hiroyuki Matsunami",
2322   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2323                  epitaxy",
2324   publisher =    "AIP",
2325   year =         "1993",
2326   journal =      "J. Appl. Phys.",
2327   volume =       "73",
2328   number =       "2",
2329   pages =        "726--732",
2330   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2331                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2332                  VAPOR DEPOSITION",
2333   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2334   doi =          "10.1063/1.353329",
2335   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2336 }
2337
2338 @Article{powell90_2,
2339   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2340                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2341                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2342   collaboration = "",
2343   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2344                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2345   publisher =    "AIP",
2346   year =         "1990",
2347   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2348   volume =       "56",
2349   number =       "15",
2350   pages =        "1442--1444",
2351   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2352                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2353                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2354                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2355   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2356   doi =          "10.1063/1.102492",
2357   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2358 }
2359
2360 @Article{kong88_2,
2361   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2362   collaboration = "",
2363   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2364                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2365                  substrates",
2366   publisher =    "AIP",
2367   year =         "1988",
2368   journal =      "J. Appl. Phys.",
2369   volume =       "64",
2370   number =       "5",
2371   pages =        "2672--2679",
2372   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2373                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2374                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2375                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2376                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2377   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2378   doi =          "10.1063/1.341608",
2379 }
2380
2381 @Article{powell90,
2382   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2383                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2384                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2385   collaboration = "",
2386   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2387                  6{H}-Si{C} substrates",
2388   publisher =    "AIP",
2389   year =         "1990",
2390   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2391   volume =       "56",
2392   number =       "14",
2393   pages =        "1353--1355",
2394   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2395                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2396                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2397                  PHASE EPITAXY",
2398   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2399   doi =          "10.1063/1.102512",
2400   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2401 }
2402
2403 @Article{kong88,
2404   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2405                  Rozgonyi and K. L. More",
2406   collaboration = "",
2407   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2408                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2409                  substrates",
2410   publisher =    "AIP",
2411   year =         "1988",
2412   journal =      "J. Appl. Phys.",
2413   volume =       "63",
2414   number =       "8",
2415   pages =        "2645--2650",
2416   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2417                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2418                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2419                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2420                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2421   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2422   doi =          "10.1063/1.341004",
2423 }
2424
2425 @Article{powell91,
2426   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2427                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2428                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2429   collaboration = "",
2430   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2431                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2432   publisher =    "AIP",
2433   year =         "1991",
2434   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2435   volume =       "59",
2436   number =       "3",
2437   pages =        "333--335",
2438   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2439                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2440                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2441   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2442   doi =          "10.1063/1.105587",
2443 }
2444
2445 @Article{yuan95,
2446   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2447                  Thokala and M. J. Loboda",
2448   collaboration = "",
2449   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2450                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2451                  silacyclobutane",
2452   publisher =    "AIP",
2453   year =         "1995",
2454   journal =      "J. Appl. Phys.",
2455   volume =       "78",
2456   number =       "2",
2457   pages =        "1271--1273",
2458   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2459                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2460                  SPECTROPHOTOMETRY",
2461   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2462   doi =          "10.1063/1.360368",
2463   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2464 }
2465
2466 @Article{kaneda87,
2467   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2468                  properties of its p-n junction",
2469   journal =      "J. Cryst. Growth",
2470   volume =       "81",
2471   number =       "1-4",
2472   pages =        "536--542",
2473   year =         "1987",
2474   note =         "",
2475   ISSN =         "0022-0248",
2476   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2477   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2478   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2479                  and Takao Tanaka",
2480   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2481 }
2482
2483 @Article{fissel95,
2484   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2485                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2486                  molecular beam epitaxy",
2487   journal =      "J. Cryst. Growth",
2488   volume =       "154",
2489   number =       "1-2",
2490   pages =        "72--80",
2491   year =         "1995",
2492   ISSN =         "0022-0248",
2493   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2494   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2495   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2496                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2497   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2498 }
2499
2500 @Article{fissel95_apl,
2501   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2502   collaboration = "",
2503   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2504                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2505   publisher =    "AIP",
2506   year =         "1995",
2507   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2508   volume =       "66",
2509   number =       "23",
2510   pages =        "3182--3184",
2511   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2512                  RHEED; NUCLEATION",
2513   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2514   doi =          "10.1063/1.113716",
2515   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2516 }
2517
2518 @Article{fissel96,
2519   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2520                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2521   collaboration = "",
2522   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2523                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2524                  level using surface superstructures",
2525   publisher =    "AIP",
2526   year =         "1996",
2527   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2528   volume =       "68",
2529   number =       "9",
2530   pages =        "1204--1206",
2531   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2532                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2533                  SURFACE STRUCTURE",
2534   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2535   doi =          "10.1063/1.115969",
2536   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2537 }
2538
2539 @Article{righi03,
2540   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2541   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2542                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2543   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2544   volume =       "91",
2545   number =       "13",
2546   pages =        "136101",
2547   numpages =     "4",
2548   year =         "2003",
2549   month =        sep,
2550   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2551   publisher =    "American Physical Society",
2552   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2553 }
2554
2555 @Article{borders71,
2556   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2557   collaboration = "",
2558   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2559                  {IMPLANTATION}",
2560   publisher =    "AIP",
2561   year =         "1971",
2562   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2563   volume =       "18",
2564   number =       "11",
2565   pages =        "509--511",
2566   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2567   doi =          "10.1063/1.1653516",
2568   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2569                  ideas",
2570 }
2571
2572 @Article{edelman76,
2573   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2574                  and E. V. Lubopytova",
2575   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2576                  by ion implantation",
2577   publisher =    "Taylor \& Francis",
2578   year =         "1976",
2579   journal =      "Radiat. Eff.",
2580   volume =       "29",
2581   number =       "1",
2582   pages =        "13--15",
2583   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2584   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2585                  single crystalline",
2586 }
2587
2588 @Article{akimchenko80,
2589   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2590                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2591   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2592                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2593   publisher =    "Taylor \& Francis",
2594   year =         "1980",
2595   journal =      "Radiat. Eff.",
2596   volume =       "48",
2597   number =       "1",
2598   pages =        "7",
2599   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2600   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2601 }
2602
2603 @Article{kimura81,
2604   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2605                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2606                  silicon",
2607   journal =      "Thin Solid Films",
2608   volume =       "81",
2609   number =       "4",
2610   pages =        "319--327",
2611   year =         "1981",
2612   note =         "",
2613   ISSN =         "0040-6090",
2614   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2615   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2616   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2617                  Yugo",
2618 }
2619
2620 @Article{kimura82,
2621   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2622                  the implantation of carbon ions into silicon",
2623   journal =      "Thin Solid Films",
2624   volume =       "94",
2625   number =       "3",
2626   pages =        "191--198",
2627   year =         "1982",
2628   note =         "",
2629   ISSN =         "0040-6090",
2630   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2631   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2632   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2633                  Yugo",
2634 }
2635
2636 @Article{reeson86,
2637   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2638                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2639                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2640   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2641                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2642   publisher =    "Taylor \& Francis",
2643   year =         "1986",
2644   journal =      "Radiat. Eff.",
2645   volume =       "99",
2646   number =       "1",
2647   pages =        "71--81",
2648   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2649   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2650                  no c redistribution",
2651 }
2652
2653 @Article{reeson87,
2654   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2655                  J. Davis and G. E. Celler",
2656   collaboration = "",
2657   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2658                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2659   publisher =    "AIP",
2660   year =         "1987",
2661   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2662   volume =       "51",
2663   number =       "26",
2664   pages =        "2242--2244",
2665   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2666                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2667   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2668   doi =          "10.1063/1.98953",
2669   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2670 }
2671
2672 @Article{martin90,
2673   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2674                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2675   collaboration = "",
2676   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2677   publisher =    "AIP",
2678   year =         "1990",
2679   journal =      "J. Appl. Phys.",
2680   volume =       "67",
2681   number =       "6",
2682   pages =        "2908--2912",
2683   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2684                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2685                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2686                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2687                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2688                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2690   doi =          "10.1063/1.346092",
2691   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2692                  temepratures",
2693 }
2694
2695 @Article{scace59,
2696   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2697   collaboration = "",
2698   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2699   publisher =    "AIP",
2700   year =         "1959",
2701   journal =      "J. Chem. Phys.",
2702   volume =       "30",
2703   number =       "6",
2704   pages =        "1551--1555",
2705   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2706   doi =          "10.1063/1.1730236",
2707   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2708 }
2709
2710 @Article{hofker74,
2711   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2712                  Koeman",
2713   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2714                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2715                  Netherlands",
2716   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2717                  charge carrier and boron concentration profiles",
2718   journal =      "Appl. Phys. A",
2719   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2720   ISSN =         "0947-8396",
2721   keyword =      "Physics and Astronomy",
2722   pages =        "125--133",
2723   volume =       "4",
2724   issue =        "2",
2725   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2726   note =         "10.1007/BF00884267",
2727   year =         "1974",
2728   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2729 }
2730
2731 @Article{michel87,
2732   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2733                  H. Kastl",
2734   collaboration = "",
2735   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2736                  implanted boron into silicon",
2737   publisher =    "AIP",
2738   year =         "1987",
2739   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2740   volume =       "50",
2741   number =       "7",
2742   pages =        "416--418",
2743   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2744                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2745                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2746   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2747   doi =          "10.1063/1.98160",
2748   notes =        "ted of boron in si",
2749 }
2750
2751 @Article{cowern90,
2752   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2753                  Jos",
2754   collaboration = "",
2755   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2756                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2757                  profiles",
2758   publisher =    "AIP",
2759   year =         "1990",
2760   journal =      "J. Appl. Phys.",
2761   volume =       "68",
2762   number =       "12",
2763   pages =        "6191--6198",
2764   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2765                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2766                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2767   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2768   doi =          "10.1063/1.346910",
2769   notes =        "ted of boron in si",
2770 }
2771
2772 @Article{cowern96,
2773   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2774                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2775   collaboration = "",
2776   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2777                  {B} in silicon",
2778   publisher =    "AIP",
2779   year =         "1996",
2780   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2781   volume =       "68",
2782   number =       "8",
2783   pages =        "1150--1152",
2784   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2785                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2786                  SILICON",
2787   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2788   doi =          "10.1063/1.115706",
2789   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2790 }
2791
2792 @Article{stolk95,
2793   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2794                  of the silicon self-interstitial",
2795   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2796   volume =       "96",
2797   number =       "1-2",
2798   pages =        "187--195",
2799   year =         "1995",
2800   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2801                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2802   ISSN =         "0168-583X",
2803   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2804   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2805   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2806                  and J. M. Poate",
2807 }
2808
2809 @Article{stolk97,
2810   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2811                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2812                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2813                  E. Haynes",
2814   collaboration = "",
2815   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2816                  diffusion in ion-implanted silicon",
2817   publisher =    "AIP",
2818   year =         "1997",
2819   journal =      "J. Appl. Phys.",
2820   volume =       "81",
2821   number =       "9",
2822   pages =        "6031--6050",
2823   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2824   doi =          "10.1063/1.364452",
2825   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2826 }
2827
2828 @Article{powell94,
2829   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2830   collaboration = "",
2831   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2832                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2833   publisher =    "AIP",
2834   year =         "1994",
2835   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2836   volume =       "64",
2837   number =       "3",
2838   pages =        "324--326",
2839   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2840                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2841                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2842                  SYNTHESIS",
2843   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2844   doi =          "10.1063/1.111195",
2845   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2846 }
2847
2848 @Article{soref91,
2849   author =       "Richard A. Soref",
2850   collaboration = "",
2851   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2852                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2853   publisher =    "AIP",
2854   year =         "1991",
2855   journal =      "J. Appl. Phys.",
2856   volume =       "70",
2857   number =       "4",
2858   pages =        "2470--2472",
2859   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2860                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2861                  TERNARY ALLOYS",
2862   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2863   doi =          "10.1063/1.349403",
2864   notes =        "band gap of strained si by c",
2865 }
2866
2867 @Article{kasper91,
2868   author =       "E Kasper",
2869   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2870                  possibility to produce direct band gap material",
2871   journal =      "Phys. Scr.",
2872   volume =       "T35",
2873   pages =        "232--236",
2874   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2875   year =         "1991",
2876   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2877                  quasi-direct one",
2878 }
2879
2880 @Article{eberl92,
2881   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2882                  and F. K. LeGoues",
2883   collaboration = "",
2884   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2885                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2886   publisher =    "AIP",
2887   year =         "1992",
2888   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2889   volume =       "60",
2890   number =       "24",
2891   pages =        "3033--3035",
2892   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2893                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2894                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2895                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2896                  STUDIES",
2897   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2898   doi =          "10.1063/1.106774",
2899 }
2900
2901 @Article{powell93,
2902   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2903                  Ek and S. S. Iyer",
2904   collaboration = "",
2905   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2906                  alloy layers",
2907   publisher =    "AVS",
2908   year =         "1993",
2909   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2910   volume =       "11",
2911   number =       "3",
2912   pages =        "1064--1068",
2913   location =     "Ottawa (Canada)",
2914   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2915                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2916                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2917                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2918   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2919   doi =          "10.1116/1.587008",
2920   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2921 }
2922
2923 @Article{powell93_2,
2924   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2925                  of the ternary system",
2926   journal =      "J. Cryst. Growth",
2927   volume =       "127",
2928   number =       "1-4",
2929   pages =        "425--429",
2930   year =         "1993",
2931   note =         "",
2932   ISSN =         "0022-0248",
2933   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2934   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2935   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2936                  Iyer",
2937 }
2938
2939 @Article{osten94,
2940   author =       "H. J. Osten",
2941   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2942                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2943   journal =      "phys. status solidi (a)",
2944   volume =       "145",
2945   number =       "2",
2946   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2947   ISSN =         "1521-396X",
2948   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2949   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2950   pages =        "235--245",
2951   year =         "1994",
2952 }
2953
2954 @Article{dietrich94,
2955   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2956                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2957   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2958                  Methfessel and P. Zaumseil",
2959   journal =      "Phys. Rev. B",
2960   volume =       "49",
2961   number =       "24",
2962   pages =        "17185--17190",
2963   numpages =     "5",
2964   year =         "1994",
2965   month =        jun,
2966   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2967   publisher =    "American Physical Society",
2968 }
2969
2970 @Article{osten94_2,
2971   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2972   collaboration = "",
2973   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2974                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2975   publisher =    "AIP",
2976   year =         "1994",
2977   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2978   volume =       "64",
2979   number =       "25",
2980   pages =        "3440--3442",
2981   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2982                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2983                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2984                  LATTICES",
2985   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2986   doi =          "10.1063/1.111235",
2987   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2988 }
2989
2990 @Article{iyer92,
2991   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2992                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2993   collaboration = "",
2994   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2995                  molecular beam epitaxy",
2996   publisher =    "AIP",
2997   year =         "1992",
2998   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2999   volume =       "60",
3000   number =       "3",
3001   pages =        "356--358",
3002   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3003                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3004                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3005                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3006   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3007   doi =          "10.1063/1.106655",
3008 }
3009
3010 @Article{osten99,
3011   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3012   collaboration = "",
3013   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3014                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3015                  molecular beam epitaxy",
3016   publisher =    "AIP",
3017   year =         "1999",
3018   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3019   volume =       "74",
3020   number =       "6",
3021   pages =        "836--838",
3022   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3023                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3024                  compounds",
3025   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3026   doi =          "10.1063/1.123384",
3027   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3028 }
3029
3030 @Article{born27,
3031   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3032   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3033   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3034   volume =       "389",
3035   number =       "20",
3036   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3037   ISSN =         "1521-3889",
3038   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3039   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3040   pages =        "457--484",
3041   year =         "1927",
3042 }
3043
3044 @Article{hohenberg64,
3045   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3046   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3047   journal =      "Phys. Rev.",
3048   volume =       "136",
3049   number =       "3B",
3050   pages =        "B864--B871",
3051   numpages =     "7",
3052   year =         "1964",
3053   month =        nov,
3054   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3055   publisher =    "American Physical Society",
3056   notes =        "density functional theory, dft",
3057 }
3058
3059 @Article{thomas27,
3060   title =        "The calculation of atomic fields",
3061   author =       "L. H. Thomas",
3062   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3063   volume =       "23",
3064   pages =        "542--548",
3065   year =         "1927",
3066   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3067 }
3068
3069 @Article{fermi27,
3070   title =        "",
3071   author =       "E. Fermi",
3072   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3073                  Rend.",
3074   volume =       "6",
3075   pages =        "602",
3076   year =         "1927",
3077 }
3078
3079 @Article{hartree28,
3080   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3081                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3082   author =       "D. R. Hartree",
3083   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3084   volume =       "24",
3085   pages =        "89--110",
3086   year =         "1928",
3087   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3088 }
3089
3090 @Article{slater29,
3091   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3092   author =       "J. C. Slater",
3093   journal =      "Phys. Rev.",
3094   volume =       "34",
3095   number =       "10",
3096   pages =        "1293--1322",
3097   numpages =     "29",
3098   year =         "1929",
3099   month =        nov,
3100   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3101   publisher =    "American Physical Society",
3102 }
3103
3104 @Article{kohn65,
3105   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3106                  Correlation Effects",
3107   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3108   journal =      "Phys. Rev.",
3109   volume =       "140",
3110   number =       "4A",
3111   pages =        "A1133--A1138",
3112   numpages =     "5",
3113   year =         "1965",
3114   month =        nov,
3115   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3116   publisher =    "American Physical Society",
3117   notes =        "dft, exchange and correlation",
3118 }
3119
3120 @Article{kohn96,
3121   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3122                  Linearly with the Number of Atoms",
3123   author =       "W. Kohn",
3124   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3125   volume =       "76",
3126   number =       "17",
3127   pages =        "3168--3171",
3128   numpages =     "3",
3129   year =         "1996",
3130   month =        apr,
3131   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3132   publisher =    "American Physical Society",
3133 }
3134
3135 @Article{kohn98,
3136   title =        "Edge Electron Gas",
3137   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3138   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3139   volume =       "81",
3140   number =       "16",
3141   pages =        "3487--3490",
3142   numpages =     "3",
3143   year =         "1998",
3144   month =        oct,
3145   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3146   publisher =    "American Physical Society",
3147 }
3148
3149 @Article{kohn99,
3150   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3151                  functions and density functionals",
3152   author =       "W. Kohn",
3153   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3154   volume =       "71",
3155   number =       "5",
3156   pages =        "1253--1266",
3157   numpages =     "13",
3158   year =         "1999",
3159   month =        oct,
3160   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3161   publisher =    "American Physical Society",
3162 }
3163
3164 @Article{payne92,
3165   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3166                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3167                  conjugate gradients",
3168   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3169                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3170   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3171   volume =       "64",
3172   number =       "4",
3173   pages =        "1045--1097",
3174   numpages =     "52",
3175   year =         "1992",
3176   month =        oct,
3177   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3178   publisher =    "American Physical Society",
3179 }
3180
3181 @Article{levy82,
3182   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3183   author =       "Mel Levy",
3184   journal =      "Phys. Rev. A",
3185   volume =       "26",
3186   number =       "3",
3187   pages =        "1200--1208",
3188   numpages =     "8",
3189   year =         "1982",
3190   month =        sep,
3191   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3192   publisher =    "American Physical Society",
3193 }
3194
3195 @Article{ruecker94,
3196   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3197                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3198   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3199                  J. Osten",
3200   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3201   volume =       "72",
3202   number =       "22",
3203   pages =        "3578--3581",
3204   numpages =     "3",
3205   year =         "1994",
3206   month =        may,
3207   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3208   publisher =    "American Physical Society",
3209   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3210                  si, dft",
3211 }
3212
3213 @Article{yagi02,
3214   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3215                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3216                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3217   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3218                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3219   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3220   volume =       "41",
3221   number =       "Part 1, No. 4B",
3222   pages =        "2472--2475",
3223   numpages =     "3",
3224   year =         "2002",
3225   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3226   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3227   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3228   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3229 }
3230
3231 @Article{chang05,
3232   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3233                  Alloy",
3234   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3235   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3236   volume =       "44",
3237   number =       "4B",
3238   pages =        "2257--2262",
3239   numpages =     "5",
3240   year =         "2005",
3241   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3242   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3243   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3244   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3245 }
3246
3247 @Article{kissinger94,
3248   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3249                  Eichler",
3250   collaboration = "",
3251   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3252                  y] layers on Si(001)",
3253   publisher =    "AIP",
3254   year =         "1994",
3255   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3256   volume =       "65",
3257   number =       "26",
3258   pages =        "3356--3358",
3259   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3260                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3261                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3262                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3263   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3264   doi =          "10.1063/1.112390",
3265   notes =        "strained si influence on optical properties",
3266 }
3267
3268 @Article{osten96,
3269   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3270                  Zaumseil",
3271   collaboration = "",
3272   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3273                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3274                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3275   publisher =    "AIP",
3276   year =         "1996",
3277   journal =      "J. Appl. Phys.",
3278   volume =       "80",
3279   number =       "12",
3280   pages =        "6711--6715",
3281   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3282                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3283                  XRD; STRAINS",
3284   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3285   doi =          "10.1063/1.363797",
3286   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3287 }
3288
3289 @Article{osten97,
3290   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3291   collaboration = "",
3292   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3293                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3294                  Si(001)",
3295   publisher =    "AIP",
3296   year =         "1997",
3297   journal =      "J. Appl. Phys.",
3298   volume =       "82",
3299   number =       "10",
3300   pages =        "4977--4981",
3301   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3302                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3303                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3304   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3305   doi =          "10.1063/1.366364",
3306   notes =        "charge transport in strained si",
3307 }
3308
3309 @Article{kapur04,
3310   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3311                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3312   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3313   journal =      "Phys. Rev. B",
3314   volume =       "69",
3315   number =       "15",
3316   pages =        "155214",
3317   numpages =     "8",
3318   year =         "2004",
3319   month =        apr,
3320   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3321   publisher =    "American Physical Society",
3322   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3323 }
3324
3325 @Article{barkema96,
3326   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3327                  Systems",
3328   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3329   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3330   volume =       "77",
3331   number =       "21",
3332   pages =        "4358--4361",
3333   numpages =     "3",
3334   year =         "1996",
3335   month =        nov,
3336   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3337   publisher =    "American Physical Society",
3338   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3339                  dynamic mds",
3340 }
3341
3342 @Article{cances09,
3343   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3344                  Minoukadeh and F. Willaime",
3345   collaboration = "",
3346   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3347                  technique method for finding transition pathways on
3348                  potential energy surfaces",
3349   publisher =    "AIP",
3350   year =         "2009",
3351   journal =      "J. Chem. Phys.",
3352   volume =       "130",
3353   number =       "11",
3354   eid =          "114711",
3355   numpages =     "6",
3356   pages =        "114711",
3357   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3358                  surfaces; vacancies (crystal)",
3359   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3360   doi =          "10.1063/1.3088532",
3361   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3362                  transition pathways",
3363 }
3364
3365 @Article{parrinello81,
3366   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3367   collaboration = "",
3368   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3369                  molecular dynamics method",
3370   publisher =    "AIP",
3371   year =         "1981",
3372   journal =      "J. Appl. Phys.",
3373   volume =       "52",
3374   number =       "12",
3375   pages =        "7182--7190",
3376   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3377                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3378                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3379                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3380                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3381                  IMPACT SHOCK",
3382   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3383   doi =          "10.1063/1.328693",
3384 }
3385
3386 @Article{stillinger85,
3387   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3388                  of silicon",
3389   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3390   journal =      "Phys. Rev. B",
3391   volume =       "31",
3392   number =       "8",
3393   pages =        "5262--5271",
3394   numpages =     "9",
3395   year =         "1985",
3396   month =        apr,
3397   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3398   publisher =    "American Physical Society",
3399 }
3400
3401 @Article{brenner90,
3402   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3403                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3404                  films",
3405   author =       "Donald W. Brenner",
3406   journal =      "Phys. Rev. B",
3407   volume =       "42",
3408   number =       "15",
3409   pages =        "9458--9471",
3410   numpages =     "13",
3411   year =         "1990",
3412   month =        nov,
3413   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3414   publisher =    "American Physical Society",
3415   notes =        "brenner hydro carbons",
3416 }
3417
3418 @Article{bazant96,
3419   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3420                  Cohesive Energy Curves",
3421   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3422   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3423   volume =       "77",
3424   number =       "21",
3425   pages =        "4370--4373",
3426   numpages =     "3",
3427   year =         "1996",
3428   month =        nov,
3429   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3430   publisher =    "American Physical Society",
3431   notes =        "first si edip",
3432 }
3433
3434 @Article{bazant97,
3435   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3436                  silicon",
3437   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3438                  Justo",
3439   journal =      "Phys. Rev. B",
3440   volume =       "56",
3441   number =       "14",
3442   pages =        "8542--8552",
3443   numpages =     "10",
3444   year =         "1997",
3445   month =        oct,
3446   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3447   publisher =    "American Physical Society",
3448   notes =        "second si edip",
3449 }
3450
3451 @Article{justo98,
3452   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3453                  disordered phases",
3454   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3455                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3456   journal =      "Phys. Rev. B",
3457   volume =       "58",
3458   number =       "5",
3459   pages =        "2539--2550",
3460   numpages =     "11",
3461   year =         "1998",
3462   month =        aug,
3463   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3464   publisher =    "American Physical Society",
3465   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3466 }
3467
3468 @Article{parcas_md,
3469   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3470   author =       "K. Nordlund",
3471   year =         "2008",
3472 }
3473
3474 @Article{voter97,
3475   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3476                  Infrequent Events",
3477   author =       "Arthur F. Voter",
3478   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3479   volume =       "78",
3480   number =       "20",
3481   pages =        "3908--3911",
3482   numpages =     "3",
3483   year =         "1997",
3484   month =        may,
3485   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3486   publisher =    "American Physical Society",
3487   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3488 }
3489
3490 @Article{voter97_2,
3491   author =       "Arthur F. Voter",
3492   collaboration = "",
3493   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3494                  simulation of infrequent events",
3495   publisher =    "AIP",
3496   year =         "1997",
3497   journal =      "J. Chem. Phys.",
3498   volume =       "106",
3499   number =       "11",
3500   pages =        "4665--4677",
3501   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3502                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3503                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3504                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3505                  theory; potential energy surfaces",
3506   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3507   doi =          "10.1063/1.473503",
3508   notes =        "improved hyperdynamics md",
3509 }
3510
3511 @Article{sorensen2000,
3512   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3513   collaboration = "",
3514   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3515                  infrequent events",
3516   publisher =    "AIP",
3517   year =         "2000",
3518   journal =      "J. Chem. Phys.",
3519   volume =       "112",
3520   number =       "21",
3521   pages =        "9599--9606",
3522   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3523                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3524   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3525   doi =          "10.1063/1.481576",
3526   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3527 }
3528
3529 @Article{voter98,
3530   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3531                  events",
3532   author =       "Arthur F. Voter",
3533   journal =      "Phys. Rev. B",
3534   volume =       "57",
3535   number =       "22",
3536   pages =        "R13985--R13988",
3537   numpages =     "3",
3538   year =         "1998",
3539   month =        jun,
3540   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3541   publisher =    "American Physical Society",
3542   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3543 }
3544
3545 @Article{wu99,
3546   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3547   collaboration = "",
3548   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3549                  simulation",
3550   publisher =    "AIP",
3551   year =         "1999",
3552   journal =      "J. Chem. Phys.",
3553   volume =       "110",
3554   number =       "19",
3555   pages =        "9401--9410",
3556   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3557                  potential; crystallisation; liquid theory",
3558   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3559   doi =          "10.1063/1.478948",
3560   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3561                  systematic motion",
3562 }
3563
3564 @Article{choudhary05,
3565   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3566   collaboration = "",
3567   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3568                  to the production of amorphous silicon",
3569   publisher =    "AIP",
3570   year =         "2005",
3571   journal =      "J. Chem. Phys.",
3572   volume =       "122",
3573   number =       "15",
3574   eid =          "154509",
3575   numpages =     "8",
3576   pages =        "154509",
3577   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3578                  amorphous semiconductors",
3579   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3580   doi =          "10.1063/1.1878733",
3581   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3582                  silicon",
3583 }
3584
3585 @Article{taylor93,
3586   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3587   collaboration = "",
3588   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3589                  difficult?",
3590   publisher =    "AIP",
3591   year =         "1993",
3592   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3593   volume =       "62",
3594   number =       "25",
3595   pages =        "3336--3338",
3596   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3597                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3598                  ENERGY",
3599   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3600   doi =          "10.1063/1.109063",
3601   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3602                  interstitials necessary for precipitation, volume
3603                  decrease, high interface energy",
3604 }
3605
3606 @Article{chaussende08,
3607   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3608   journal =      "J. Cryst. Growth",
3609   volume =       "310",
3610   number =       "5",
3611   pages =        "976--981",
3612   year =         "2008",
3613   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3614                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3615   ISSN =         "0022-0248",
3616   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3617   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3618   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3619                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3620                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3621                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3622   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3623                  metastable",
3624 }
3625
3626 @Article{chaussende07,
3627   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3628   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3629   journal =      "J. Phys. D",
3630   volume =       "40",
3631   number =       "20",
3632   pages =        "6150",
3633   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3634   year =         "2007",
3635   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3636                  modelling",
3637 }
3638
3639 @Article{feynman39,
3640   title =        "Forces in Molecules",
3641   author =       "R. P. Feynman",
3642   journal =      "Phys. Rev.",
3643   volume =       "56",
3644   number =       "4",
3645   pages =        "340--343",
3646   numpages =     "3",
3647   year =         "1939",
3648   month =        aug,
3649   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3650   publisher =    "American Physical Society",
3651   notes =        "hellmann feynman forces",
3652 }
3653
3654 @Article{buczko00,
3655   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3656                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3657                  their Contrasting Properties",
3658   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3659                  T. Pantelides",
3660   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3661   volume =       "84",
3662   number =       "5",
3663   pages =        "943--946",
3664   numpages =     "3",
3665   year =         "2000",
3666   month =        jan,
3667   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3668   publisher =    "American Physical Society",
3669   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3670 }
3671
3672 @Article{djurabekova08,
3673   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3674                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3675   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3676   journal =      "Phys. Rev. B",
3677   volume =       "77",
3678   number =       "11",
3679   pages =        "115325",
3680   numpages =     "7",
3681   year =         "2008",
3682   month =        mar,
3683   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3684   publisher =    "American Physical Society",
3685   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3686                  angular distribution, coordination",
3687 }
3688
3689 @Article{wen09,
3690   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3691                  W. Liang and J. Zou",
3692   collaboration = "",
3693   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3694                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3695                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3696   publisher =    "AIP",
3697   year =         "2009",
3698   journal =      "J. Appl. Phys.",
3699   volume =       "106",
3700   number =       "7",
3701   eid =          "073522",
3702   numpages =     "8",
3703   pages =        "073522",
3704   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3705                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3706                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3707                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3708   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3709   doi =          "10.1063/1.3234380",
3710   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3711                  deconvolution, dislocation defects",
3712 }
3713
3714 @Article{kitabatake93,
3715   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3716                  Hirao",
3717   collaboration = "",
3718   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3719                  growth on Si(001) surface",
3720   publisher =    "AIP",
3721   year =         "1993",
3722   journal =      "J. Appl. Phys.",
3723   volume =       "74",
3724   number =       "7",
3725   pages =        "4438--4445",
3726   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3727                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3728                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3729   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3730   doi =          "10.1063/1.354385",
3731   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3732                  model, interface",
3733 }
3734
3735 @Article{kitabatake97,
3736   author =       "Makoto Kitabatake",
3737   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3738                  Heteroepitaxial Growth",
3739   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3740   year =         "1997",
3741   journal =      "phys. status solidi (b)",
3742   volume =       "202",
3743   pages =        "405--420",
3744   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3745   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3746   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3747 }
3748
3749 @Article{chirita97,
3750   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3751                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3752                  dynamics study",
3753   journal =      "Thin Solid Films",
3754   volume =       "294",
3755   number =       "1-2",
3756   pages =        "47--49",
3757   year =         "1997",
3758   note =         "",
3759   ISSN =         "0040-6090",
3760   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3761   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3762   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3763   keywords =     "Strain relaxation",
3764   keywords =     "Interfaces",
3765   keywords =     "Thermal stability",
3766   keywords =     "Molecular dynamics",
3767   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3768 }
3769
3770 @Article{cicero02,
3771   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3772                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3773   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3774                  Catellani",
3775   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3776   volume =       "89",
3777   number =       "15",
3778   pages =        "156101",
3779   numpages =     "4",
3780   year =         "2002",
3781   month =        sep,
3782   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3783   publisher =    "American Physical Society",
3784   notes =        "sic/si interface study",
3785 }
3786
3787 @Article{pizzagalli03,
3788   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3789                  interface: Si{C}/Si(001)",
3790   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3791                  Catellani",
3792   journal =      "Phys. Rev. B",
3793   volume =       "68",
3794   number =       "19",
3795   pages =        "195302",
3796   numpages =     "10",
3797   year =         "2003",
3798   month =        nov,
3799   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3800   publisher =    "American Physical Society",
3801   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3802 }
3803
3804 @Article{tang07,
3805   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3806                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3807                  electron microscopy",
3808   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3809                  H. Zheng and J. W. Liang",
3810   journal =      "Phys. Rev. B",
3811   volume =       "75",
3812   number =       "18",
3813   pages =        "184103",
3814   numpages =     "7",
3815   year =         "2007",
3816   month =        may,
3817   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3818   publisher =    "American Physical Society",
3819   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3820                  si and c",
3821 }
3822
3823 @Article{hornstra58,
3824   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3825   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3826   volume =       "5",
3827   number =       "1-2",
3828   pages =        "129--141",
3829   year =         "1958",
3830   note =         "",
3831   ISSN =         "0022-3697",
3832   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3833   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3834   author =       "J. Hornstra",
3835   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3836 }
3837
3838 @Article{deguchi92,
3839   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3840                  Ion `Hot' Implantation",
3841   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3842                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3843   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3844   volume =       "31",
3845   number =       "Part 1, No. 2A",
3846   pages =        "343--347",
3847   numpages =     "4",
3848   year =         "1992",
3849   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3850   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3851   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3852   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3853                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3854 }
3855
3856 @Article{eichhorn99,
3857   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3858                  K{\"{o}}gler",
3859   collaboration = "",
3860   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3861                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3862                  synchrotron x-ray diffraction",
3863   publisher =    "AIP",
3864   year =         "1999",
3865   journal =      "J. Appl. Phys.",
3866   volume =       "86",
3867   number =       "8",
3868   pages =        "4184--4187",
3869   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3870                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3871                  precipitation; semiconductor doping",
3872   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3873   doi =          "10.1063/1.371344",
3874   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3875                  expansion of si lattice",
3876 }
3877
3878 @Article{eichhorn02,
3879   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3880                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3881   collaboration = "",
3882   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3883                  carbon ion implantation",
3884   publisher =    "AIP",
3885   year =         "2002",
3886   journal =      "J. Appl. Phys.",
3887   volume =       "91",
3888   number =       "3",
3889   pages =        "1287--1292",
3890   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3891                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3892                  electron microscopy",
3893   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3894   doi =          "10.1063/1.1428105",
3895   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3896                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3897 }
3898
3899 @Article{lucas10,
3900   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3901   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3902                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3903                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3904                  amorphous structures",
3905   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3906   volume =       "22",
3907   number =       "3",
3908   pages =        "035802",
3909   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3910   year =         "2010",
3911   notes =        "edip sic",
3912 }
3913
3914 @Article{godet03,
3915   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3916                  Beauchamp",
3917   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3918                  methods for silicon under large shear",
3919   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3920   volume =       "15",
3921   number =       "41",
3922   pages =        "6943",
3923   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3924   year =         "2003",
3925   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3926                  edip, tersoff, ab initio",
3927 }
3928
3929 @Article{moriguchi98,
3930   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3931                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3932   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3933   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3934   volume =       "37",
3935   number =       "Part 1, No. 2",
3936   pages =        "414--422",
3937   numpages =     "8",
3938   year =         "1998",
3939   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3940   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3941   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3942   notes =        "tersoff stringent test",
3943 }
3944
3945 @Article{mazzarolo01,
3946   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3947                  simulations",
3948   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3949                  Lulli and Eros Albertazzi",
3950   journal =      "Phys. Rev. B",
3951   volume =       "63",
3952   number =       "19",
3953   pages =        "195207",
3954   numpages =     "4",
3955   year =         "2001",
3956   month =        apr,
3957   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3958   publisher =    "American Physical Society",
3959 }
3960
3961 @Article{holmstroem08,
3962   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3963                  density functional theory molecular dynamics
3964                  simulations",
3965   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3966   journal =      "Phys. Rev. B",
3967   volume =       "78",
3968   number =       "4",
3969   pages =        "045202",
3970   numpages =     "6",
3971   year =         "2008",
3972   month =        jul,
3973   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3974   publisher =    "American Physical Society",
3975   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3976                  initio",
3977 }
3978
3979 @Article{nordlund97,
3980   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3981                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3982   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3983   volume =       "132",
3984   number =       "1",
3985   pages =        "45--54",
3986   year =         "1997",
3987   note =         "",
3988   ISSN =         "0168-583X",
3989   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3990   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3991   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3992   notes =        "repulsive ab initio potential",
3993 }
3994
3995 @Article{kresse96,
3996   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3997                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3998                  set",
3999   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4000   volume =       "6",
4001   number =       "1",
4002   pages =        "15--50",
4003   year =         "1996",
4004   note =         "",
4005   ISSN =         "0927-0256",
4006   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
4007   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
4008   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
4009   notes =        "vasp ref",
4010 }
4011
4012 @Article{bloechl94,
4013   title =        "Projector augmented-wave method",
4014   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
4015   journal =      "Phys. Rev. B",
4016   volume =       "50",
4017   number =       "24",
4018   pages =        "17953--17979",
4019   numpages =     "26",
4020   year =         "1994",
4021   month =        dec,
4022   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
4023   publisher =    "American Physical Society",
4024   notes =        "paw method",
4025 }
4026
4027 @InCollection{cohen70,
4028   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
4029                  and Their Subsequent Application",
4030   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
4031   publisher =    "Academic Press",
4032   year =         "1970",
4033   volume =       "24",
4034   pages =        "37--248",
4035   series =       "Solid State Physics",
4036   ISSN =         "0081-1947",
4037   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
4038   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
4039   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
4040 }
4041
4042 @Article{hamann79,
4043   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
4044   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
4045   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4046   volume =       "43",
4047   number =       "20",
4048   pages =        "1494--1497",
4049   numpages =     "3",
4050   year =         "1979",
4051   month =        nov,
4052   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
4053   publisher =    "American Physical Society",
4054   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
4055 }
4056
4057 @Article{troullier91,
4058   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
4059                  calculations",
4060   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
4061   journal =      "Phys. Rev. B",
4062   volume =       "43",
4063   number =       "3",
4064   pages =        "1993--2006",
4065   numpages =     "13",
4066   year =         "1991",
4067   month =        jan,
4068   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
4069   publisher =    "American Physical Society",
4070 }
4071
4072 @Article{vanderbilt90,
4073   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
4074                  eigenvalue formalism",
4075   author =       "David Vanderbilt",
4076   journal =      "Phys. Rev. B",
4077   volume =       "41",
4078   number =       "11",
4079   pages =        "7892--7895",
4080   numpages =     "3",
4081   year =         "1990",
4082   month =        apr,
4083   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
4084   publisher =    "American Physical Society",
4085   notes =        "vasp pseudopotentials",
4086 }
4087
4088 @Article{ceperley80,
4089   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
4090                  Method",
4091   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
4092   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4093   volume =       "45",
4094   number =       "7",
4095   pages =        "566--569",
4096   numpages =     "3",
4097   year =         "1980",
4098   month =        aug,
4099   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
4100   publisher =    "American Physical Society",
4101 }
4102
4103 @Article{perdew81,
4104   title =        "Self-interaction correction to density-functional
4105                  approximations for many-electron systems",
4106   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
4107   journal =      "Phys. Rev. B",
4108   volume =       "23",
4109   number =       "10",
4110   pages =        "5048--5079",
4111   numpages =     "31",
4112   year =         "1981",
4113   month =        may,
4114   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
4115   publisher =    "American Physical Society",
4116 }
4117
4118 @Article{perdew86,
4119   title =        "Accurate and simple density functional for the
4120                  electronic exchange energy: Generalized gradient
4121                  approximation",
4122   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
4123   journal =      "Phys. Rev. B",
4124   volume =       "33",
4125   number =       "12",
4126   pages =        "8800--8802",
4127   numpages =     "2",
4128   year =         "1986",
4129   month =        jun,
4130   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
4131   publisher =    "American Physical Society",
4132   notes =        "rapid communication gga",
4133 }
4134
4135 @Article{perdew02,
4136   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4137                  correlation: {A} look backward and forward",
4138   journal =      "Physica B",
4139   volume =       "172",
4140   number =       "1-2",
4141   pages =        "1--6",
4142   year =         "1991",
4143   note =         "",
4144   ISSN =         "0921-4526",
4145   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4146   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4147   author =       "John P. Perdew",
4148   notes =        "gga overview",
4149 }
4150
4151 @Article{perdew92,
4152   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4153                  of the generalized gradient approximation for exchange
4154                  and correlation",
4155   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4156                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4157                  and Carlos Fiolhais",
4158   journal =      "Phys. Rev. B",
4159   volume =       "46",
4160   number =       "11",
4161   pages =        "6671--6687",
4162   numpages =     "16",
4163   year =         "1992",
4164   month =        sep,
4165   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4166   publisher =    "American Physical Society",
4167   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4168 }
4169
4170 @Article{chadi73,
4171   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4172   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4173   journal =      "Phys. Rev. B",
4174   volume =       "8",
4175   number =       "12",
4176   pages =        "5747--5753",
4177   numpages =     "6",
4178   year =         "1973",
4179   month =        dec,
4180   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4181   publisher =    "American Physical Society",
4182 }
4183
4184 @Article{baldereschi73,
4185   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4186   author =       "A. Baldereschi",
4187   journal =      "Phys. Rev. B",
4188   volume =       "7",
4189   number =       "12",
4190   pages =        "5212--5215",
4191   numpages =     "3",
4192   year =         "1973",
4193   month =        jun,
4194   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4195   publisher =    "American Physical Society",
4196   notes =        "mean value k point",
4197 }
4198
4199 @Article{monkhorst76,
4200   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4201   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4202   journal =      "Phys. Rev. B",
4203   volume =       "13",
4204   number =       "12",
4205   pages =        "5188--5192",
4206   numpages =     "4",
4207   year =         "1976",
4208   month =        jun,
4209   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4210   publisher =    "American Physical Society",
4211 }
4212
4213 @Article{zhu98,
4214   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4215                  diffusion in Si",
4216   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4217   volume =       "12",
4218   number =       "4",
4219   pages =        "309--318",
4220   year =         "1998",
4221   note =         "",
4222   ISSN =         "0927-0256",
4223   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4224   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4225   author =       "Jing Zhu",
4226   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4227   keywords =     "Boron dopant",
4228   keywords =     "Carbon dopant",
4229   keywords =     "Defect",
4230   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4231   keywords =     "Impurity cluster",
4232   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4233 }
4234
4235 @Article{nejim95,
4236   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4237   collaboration = "",
4238   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4239                  950 [degree]{C}",
4240   publisher =    "AIP",
4241   year =         "1995",
4242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4243   volume =       "66",
4244   number =       "20",
4245   pages =        "2646--2648",
4246   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4247                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4248                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4249                  ELECTRON MICROSCOPY",
4250   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4251   doi =          "10.1063/1.113112",
4252   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4253                  self interstitials react with further implanted c",
4254 }
4255
4256 @Article{guedj98,
4257   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4258                  Kolodzey and A. Hairie",
4259   collaboration = "",
4260   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4261                  alloys",
4262   publisher =    "AIP",
4263   year =         "1998",
4264   journal =      "J. Appl. Phys.",
4265   volume =       "84",
4266   number =       "8",
4267   pages =        "4631--4633",
4268   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4269                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4270                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4271                  annealing",
4272   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4273   doi =          "10.1063/1.368703",
4274   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4275 }
4276
4277 @Article{jones04,
4278   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4279   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4280                  semiconductors",
4281   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4282   volume =       "16",
4283   number =       "27",
4284   pages =        "S2643",
4285   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4286   year =         "2004",
4287   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4288                  si",
4289 }
4290
4291 @Article{park02,
4292   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4293                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4294                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4295   collaboration = "",
4296   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4297                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4298                  molecular-beam epitaxy",
4299   publisher =    "AIP",
4300   year =         "2002",
4301   journal =      "J. Appl. Phys.",
4302   volume =       "91",
4303   number =       "9",
4304   pages =        "5716--5727",
4305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4306   doi =          "10.1063/1.1465122",
4307   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4308 }
4309
4310 @Article{leary97,
4311   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4312                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4313   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4314                  Torres",
4315   journal =      "Phys. Rev. B",
4316   volume =       "55",
4317   number =       "4",
4318   pages =        "2188--2194",
4319   numpages =     "6",
4320   year =         "1997",
4321   month =        jan,
4322   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4323   publisher =    "American Physical Society",
4324   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4325                  energies, different migration barriers and paths",
4326 }
4327
4328 @Article{burnard93,
4329   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4330                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4331                  calculations",
4332   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4333   journal =      "Phys. Rev. B",
4334   volume =       "47",
4335   number =       "16",
4336   pages =        "10217--10225",
4337   numpages =     "8",
4338   year =         "1993",
4339   month =        apr,
4340   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4341   publisher =    "American Physical Society",
4342   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4343                  carbon defect, formation energies",
4344 }
4345
4346 @Article{besson91,
4347   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4348                  silicon",
4349   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4350   journal =      "Phys. Rev. B",
4351   volume =       "43",
4352   number =       "5",
4353   pages =        "4028--4033",
4354   numpages =     "5",
4355   year =         "1991",
4356   month =        feb,
4357   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4358   publisher =    "American Physical Society",
4359 }
4360
4361 @Article{kaxiras96,
4362   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4363                  and growth on semiconductors",
4364   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4365   volume =       "6",
4366   number =       "2",
4367   pages =        "158--172",
4368   year =         "1996",
4369   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4370                  Epitaxy",
4371   ISSN =         "0927-0256",
4372   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4373   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4374   author =       "Efthimios Kaxiras",
4375   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4376                  tight binding, first principles",
4377 }
4378
4379 @Article{kaukonen98,
4380   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4381                  diamond
4382                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4383                  surfaces",
4384   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4385                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4386                  Th. Frauenheim",
4387   journal =      "Phys. Rev. B",
4388   volume =       "57",
4389   number =       "16",
4390   pages =        "9965--9970",
4391   numpages =     "5",
4392   year =         "1998",
4393   month =        apr,
4394   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4395   publisher =    "American Physical Society",
4396   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4397                  (crt)",
4398 }
4399
4400 @Article{gali03,
4401   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4402                  center in Si{C}",
4403   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4404                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4405                  W. J. Choyke",
4406   journal =      "Phys. Rev. B",
4407   volume =       "67",
4408   number =       "15",
4409   pages =        "155203",
4410   numpages =     "5",
4411   year =         "2003",
4412   month =        apr,
4413   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4414   publisher =    "American Physical Society",
4415 }
4416
4417 @Article{chen98,
4418   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4419                  irradiation and deformation",
4420   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4421   volume =       "258-263",
4422   number =       "Part 2",
4423   pages =        "1803--1808",
4424   year =         "1998",
4425   note =         "",
4426   ISSN =         "0022-3115",
4427   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4428   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4429   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4430 }
4431
4432 @Article{weber01,
4433   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4434                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4435   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4436   volume =       "175-177",
4437   number =       "",
4438   pages =        "26--30",
4439   year =         "2001",
4440   note =         "",
4441   ISSN =         "0168-583X",
4442   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4443   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4444   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4445 }
4446
4447 @Article{bockstedte03,
4448   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4449                  in $3{C}-Si{C}$",
4450   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4451                  Pankratov",
4452   journal =      "Phys. Rev. B",
4453   volume =       "68",
4454   number =       "20",
4455   pages =        "205201",
4456   numpages =     "17",
4457   year =         "2003",
4458   month =        nov,
4459   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4460   publisher =    "American Physical Society",
4461   notes =        "defect migration in sic",
4462 }
4463
4464 @Article{rauls03a,
4465   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4466                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4467   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4468                  De\'ak",
4469   journal =      "Phys. Rev. B",
4470   volume =       "68",
4471   number =       "15",
4472   pages =        "155208",
4473   numpages =     "9",
4474   year =         "2003",
4475   month =        oct,
4476   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4477   publisher =    "American Physical Society",
4478 }
4479
4480 @Article{losev27,
4481   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4482   volume =       "44",
4483   pages =        "485--494",
4484   year =         "1927",
4485   author =       "O. V. Lossev",
4486 }
4487
4488 @Article{losev28,
4489   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4490                  oscillations with crystals",
4491   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4492   volume =       "6",
4493   number =       "39",
4494   pages =        "1024--1044",
4495   year =         "1928",
4496   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4497   author =       "O. V. Lossev",
4498 }
4499
4500 @Article{losev29,
4501   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4502   volume =       "30",
4503   pages =        "920--923",
4504   year =         "1929",
4505   author =       "O. V. Lossev",
4506 }
4507
4508 @Article{losev31,
4509   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4510   volume =       "32",
4511   pages =        "692--696",
4512   year =         "1931",
4513   author =       "O. V. Lossev",
4514 }
4515
4516 @Article{losev33,
4517   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4518   volume =       "34",
4519   pages =        "397--403",
4520   year =         "1933",
4521   author =       "O. V. Lossev",
4522 }
4523
4524 @Article{round07,
4525   title =        "A note on carborundum",
4526   journal =      "Electrical World",
4527   volume =       "49",
4528   pages =        "308",
4529   year =         "1907",
4530   author =       "H. J. Round",
4531 }
4532
4533 @Article{vashishath08,
4534   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4535   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4536   volume =       "2",
4537   number =       "03",
4538   pages =        "444--470",
4539   year =         "2008",
4540   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4541   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4542   notes =        "sic polytype electronic properties",
4543 }
4544
4545 @Article{nelson69,
4546   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4547   collaboration = "",
4548   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4549   publisher =    "AIP",
4550   year =         "1966",
4551   journal =      "J. Appl. Phys.",
4552   volume =       "37",
4553   number =       "1",
4554   pages =        "333--336",
4555   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4556   doi =          "10.1063/1.1707837",
4557   notes =        "sic melt growth",
4558 }
4559
4560 @Article{arkel25,
4561   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4562   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4563                  und Thoriummetall",
4564   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4565   year =         "1925",
4566   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4567   volume =       "148",
4568   pages =        "345--350",
4569   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4570   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4571   notes =        "van arkel apparatus",
4572 }
4573
4574 @Article{moers31,
4575   author =       "K. Moers",
4576   year =         "1931",
4577   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4578   volume =       "198",
4579   pages =        "293",
4580   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4581                  process",
4582 }
4583
4584 @Article{kendall53,
4585   author =       "J. T. Kendall",
4586   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4587   publisher =    "AIP",
4588   year =         "1953",
4589   journal =      "J. Chem. Phys.",
4590   volume =       "21",
4591   number =       "5",
4592   pages =        "821--827",
4593   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4594   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4595                  process",
4596 }
4597
4598 @Article{lely55,
4599   author =       "J. A. Lely",
4600   year =         "1955",
4601   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4602   volume =       "32",
4603   pages =        "229",
4604   notes =        "lely sublimation growth process",
4605 }
4606
4607 @Article{knippenberg63,
4608   author =       "W. F. Knippenberg",
4609   year =         "1963",
4610   journal =      "Philips Res. Repts.",
4611   volume =       "18",
4612   pages =        "161",
4613   notes =        "acheson process",
4614 }
4615
4616 @Article{hoffmann82,
4617   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4618                  Weyrich",
4619   collaboration = "",
4620   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4621                  improved external quantum efficiency",
4622   publisher =    "AIP",
4623   year =         "1982",
4624   journal =      "J. Appl. Phys.",
4625   volume =       "53",
4626   number =       "10",
4627   pages =        "6962--6967",
4628   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4629                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4630                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4631                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4632                  electroluminescence; spectra; current density;
4633                  optimization",
4634   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4635   doi =          "10.1063/1.330041",
4636   notes =        "blue led, sublimation process",
4637 }
4638
4639 @Article{neudeck95,
4640   author =       "Philip Neudeck",
4641   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4642                  Road 44135 Cleveland OH",
4643   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4644                  technology",
4645   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4646   publisher =    "Springer Boston",
4647   ISSN =         "0361-5235",
4648   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4649   pages =        "283--288",
4650   volume =       "24",
4651   issue =        "4",
4652   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4653   note =         "10.1007/BF02659688",
4654   year =         "1995",
4655   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4656 }
4657
4658 @Article{bhatnagar93,
4659   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4660   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4661   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4662                  devices",
4663   year =         "1993",
4664   month =        mar,
4665   volume =       "40",
4666   number =       "3",
4667   pages =        "645--655",
4668   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4669                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4670                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4671                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4672                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4673                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4674                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4675                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4676   doi =          "10.1109/16.199372",
4677   ISSN =         "0018-9383",
4678   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4679 }
4680
4681 @Article{neudeck94,
4682   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4683                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4684   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4685   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4686                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4687                  6{H}-Si{C} substrates",
4688   year =         "1994",
4689   month =        may,
4690   volume =       "41",
4691   number =       "5",
4692   pages =        "826--835",
4693   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4694                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4695                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4696                  properties;epitaxial layers;light
4697                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4698                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4699                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4700                  currents;power electronics;semiconductor
4701                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4702                  growth;semiconductor materials;silicon
4703                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4704                  phase epitaxial growth;",
4705   doi =          "10.1109/16.285038",
4706   ISSN =         "0018-9383",
4707   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4708                  substrate",
4709 }
4710
4711 @Article{schulze98,
4712   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4713   collaboration = "",
4714   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4715                  single crystals by physical vapor transport",
4716   publisher =    "AIP",
4717   year =         "1998",
4718   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4719   volume =       "72",
4720   number =       "13",
4721   pages =        "1632--1634",
4722   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4723                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4724                  photoluminescence; Hall mobility",
4725   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4726   doi =          "10.1063/1.121136",
4727   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4728 }
4729
4730 @Article{pirouz87,
4731   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4732   collaboration = "",
4733   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4734   publisher =    "AIP",
4735   year =         "1987",
4736   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4737   volume =       "50",
4738   number =       "4",
4739   pages =        "221--223",
4740   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4741                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4742                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4743                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4744                  BOUNDARIES",
4745   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4746   doi =          "10.1063/1.97667",
4747   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4748 }
4749
4750 @Article{shibahara86,
4751   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4752                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4753   journal =      "J. Cryst. Growth",
4754   volume =       "78",
4755   number =       "3",
4756   pages =        "538--544",
4757   year =         "1986",
4758   note =         "",
4759   ISSN =         "0022-0248",
4760   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4761   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4762   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4763                  Matsunami",
4764   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4765 }
4766
4767 @Article{desjardins96,
4768   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4769   collaboration = "",
4770   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4771   publisher =    "AIP",
4772   year =         "1996",
4773   journal =      "J. Appl. Phys.",
4774   volume =       "79",
4775   number =       "3",
4776   pages =        "1423--1434",
4777   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4778                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4779   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4780   doi =          "10.1063/1.360980",
4781   notes =        "apb model",
4782 }
4783
4784 @Article{henke95,
4785   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4786   collaboration = "",
4787   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4788                  carbonization of silicon",
4789   publisher =    "AIP",
4790   year =         "1995",
4791   journal =      "J. Appl. Phys.",
4792   volume =       "78",
4793   number =       "3",
4794   pages =        "2070--2073",
4795   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4796                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4797                  STRUCTURE",
4798   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4799   doi =          "10.1063/1.360184",
4800   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4801 }
4802
4803 @Article{fuyuki89,
4804   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4805                  {MBE} using surface superstructure",
4806   journal =      "J. Cryst. Growth",
4807   volume =       "95",
4808   number =       "1-4",
4809   pages =        "461--463",
4810   year =         "1989",
4811   note =         "",
4812   ISSN =         "0022-0248",
4813   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4815   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4816                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4817   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4818 }
4819
4820 @Article{yoshinobu92,
4821   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4822                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4823   collaboration = "",
4824   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4825                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4826                  molecular beam epitaxy",
4827   publisher =    "AIP",
4828   year =         "1992",
4829   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4830   volume =       "60",
4831   number =       "7",
4832   pages =        "824--826",
4833   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4834                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4835                  INTERFACE STRUCTURE",
4836   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4837   doi =          "10.1063/1.107430",
4838   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4839 }
4840
4841 @Article{yoshinobu90,
4842   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4843                  cubic Si{C}",
4844   journal =      "J. Cryst. Growth",
4845   volume =       "99",
4846   number =       "1-4",
4847   pages =        "520--524",
4848   year =         "1990",
4849   note =         "",
4850   ISSN =         "0022-0248",
4851   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4852   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4853   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4854                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4855   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4856 }
4857
4858 @Article{fuyuki93,
4859   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4860                  superstructures in Si{C}",
4861   journal =      "Thin Solid Films",
4862   volume =       "225",
4863   number =       "1-2",
4864   pages =        "225--229",
4865   year =         "1993",
4866   note =         "",
4867   ISSN =         "0040-6090",
4868   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4869   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4870   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4871                  Matsunami",
4872   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4873                  epitaxy, ale",
4874 }
4875
4876 @Article{hara93,
4877   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4878                  growth of [beta]-Si{C}",
4879   journal =      "Thin Solid Films",
4880   volume =       "225",
4881   number =       "1-2",
4882   pages =        "240--243",
4883   year =         "1993",
4884   note =         "",
4885   ISSN =         "0040-6090",
4886   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4887   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4888   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4889                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4890   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4891                  epitaxy, ale",
4892 }
4893
4894 @Article{tanaka94,
4895   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4896   collaboration = "",
4897   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4898                  growth mode and polytype formation during gas-source
4899                  molecular beam epitaxy",
4900   publisher =    "AIP",
4901   year =         "1994",
4902   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4903   volume =       "65",
4904   number =       "22",
4905   pages =        "2851--2853",
4906   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4907                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4908                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4909                  FLOW; FLOW RATE",
4910   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4911   doi =          "10.1063/1.112513",
4912   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4913 }
4914
4915 @Article{fuyuki97,
4916   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4917   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4918                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4919   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4920   year =         "1997",
4921   journal =      "phys. status solidi (b)",
4922   volume =       "202",
4923   pages =        "359--378",
4924   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4925                  temperatures 750",
4926 }
4927
4928 @Article{takaoka98,
4929   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4930   journal =      "J. Cryst. Growth",
4931   volume =       "183",
4932   number =       "1-2",
4933   pages =        "175--182",
4934   year =         "1998",
4935   note =         "",
4936   ISSN =         "0022-0248",
4937   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4938   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4939   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4940   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4941   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4942   keywords =     "Silicon carbide",
4943   keywords =     "Silicon",
4944   keywords =     "Island growth",
4945   notes =        "lower temperature, 550-700",
4946 }
4947
4948 @Article{hatayama95,
4949   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4950                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4951                  molecular beam epitaxy",
4952   journal =      "J. Cryst. Growth",
4953   volume =       "150",
4954   number =       "Part 2",
4955   pages =        "934--938",
4956   year =         "1995",
4957   note =         "",
4958   ISSN =         "0022-0248",
4959   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4961   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4962                  and Hiroyuki Matsunami",
4963 }
4964
4965 @Article{heine91,
4966   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4967   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4968                  Metastable Cubic Form",
4969   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
4970   volume =       "74",
4971   number =       "10",
4972   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4973   ISSN =         "1551-2916",
4974   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4975   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4976   pages =        "2630--2633",
4977   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4978                  calculations, stability",
4979   year =         "1991",
4980   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4981                  polytype dft calculation refs",
4982 }
4983
4984 @Article{allendorf91,
4985   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4986                  [beta]-silicon carbide",
4987   journal =      "Surf. Sci.",
4988   volume =       "258",
4989   number =       "1-3",
4990   pages =        "177--189",
4991   year =         "1991",
4992   note =         "",
4993   ISSN =         "0039-6028",
4994   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4995   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4996   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4997   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4998 }
4999
5000 @Article{eaglesham93,
5001   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
5002                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
5003   collaboration = "",
5004   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
5005   publisher =    "AIP",
5006   year =         "1993",
5007   journal =      "J. Appl. Phys.",
5008   volume =       "74",
5009   number =       "11",
5010   pages =        "6615--6618",
5011   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
5012                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
5013                  DIFFUSION; ADSORPTION",
5014   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
5015   doi =          "10.1063/1.355101",
5016   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
5017                  mobility",
5018 }
5019
5020 @Article{newman85,
5021   author =       "Ronald C. Newman",
5022   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
5023   journal =      "MRS Proc.",
5024   volume =       "59",
5025   number =       "",
5026   pages =        "403",
5027   year =         "1985",
5028   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
5029   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
5030   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
5031 }
5032
5033 @Article{newman61,
5034   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
5035   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
5036   volume =       "19",
5037   number =       "3-4",
5038   pages =        "230--234",
5039   year =         "1961",
5040   note =         "",
5041   ISSN =         "0022-3697",
5042   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
5043   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
5044   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
5045   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
5046 }
5047
5048 @Article{goesele85,
5049   author =       "U. Gösele",
5050   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
5051   journal =      "MRS Proc.",
5052   volume =       "59",
5053   number =       "",
5054   pages =        "419",
5055   year =         "1985",
5056   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
5057   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
5058   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
5059 }
5060
5061 @Article{mukashev82,
5062   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
5063   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
5064                  Fukuoka and Haruo Saito",
5065   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
5066   volume =       "21",
5067   number =       "Part 1, No. 2",
5068   pages =        "399--400",
5069   numpages =     "1",
5070   year =         "1982",
5071   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
5072   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
5073   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
5074 }
5075
5076 @Article{puska98,
5077   title =        "Convergence of supercell calculations for point
5078                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
5079   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
5080                  M. Nieminen",
5081   journal =      "Phys. Rev. B",
5082   volume =       "58",
5083   number =       "3",
5084   pages =        "1318--1325",
5085   numpages =     "7",
5086   year =         "1998",
5087   month =        jul,
5088   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
5089   publisher =    "American Physical Society",
5090   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
5091                  silicon",
5092 }
5093
5094 @Article{serre95,
5095   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
5096                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
5097                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
5098   collaboration = "",
5099   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
5100                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
5101   publisher =    "AIP",
5102   year =         "1995",
5103   journal =      "J. Appl. Phys.",
5104   volume =       "77",
5105   number =       "7",
5106   pages =        "2978--2984",
5107   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
5108                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
5109                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
5110                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
5111   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
5112   doi =          "10.1063/1.358714",
5113 }
5114
5115 @Article{romano-rodriguez96,
5116   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
5117                  dose carbon ion implantation in silicon",
5118   journal =      "Materials Science and Engineering B",
5119   volume =       "36",
5120   number =       "1-3",
5121   pages =        "282--285",
5122   year =         "1996",
5123   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
5124                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
5125                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
5126                  Semiconductors",
5127   ISSN =         "0921-5107",
5128   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
5129   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
5130   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
5131                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
5132                  and W. Skorupa",
5133   keywords =     "Silicon",
5134   keywords =     "Ion implantation",
5135   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5136 }
5137
5138 @Article{davidson75,
5139   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5140                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5141                  real-symmetric matrices",
5142   journal =      "J. Comput. Phys.",
5143   volume =       "17",
5144   number =       "1",
5145   pages =        "87--94",
5146   year =         "1975",
5147   note =         "",
5148   ISSN =         "0021-9991",
5149   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5150   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5151   author =       "Ernest R. Davidson",
5152 }
5153
5154 @Book{adorno_mm,
5155   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5156                  Leben",
5157   author =       "T. W. Adorno",
5158   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5159   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5160   year =         "1994",
5161   publisher =    "Suhrkamp",
5162 }
5163
5164 @Misc{attenberger03,
5165   author =       "Wilfried ATTENBERGER and Jörg LINDNER and Bernd
5166                  STRITZKER",
5167   title =        "A {METHOD} {FOR} {FORMING} {A} {LAYERED}
5168                  {SEMICONDUCTOR} {STRUCTURE} {AND} {CORRESPONDING}
5169                  {STRUCTURE}",
5170   year =         "2003",
5171   month =        apr,
5172   day =          "24",
5173   note =         "WO 2003/034484 A3R4",
5174   version =      "A3R4",
5175   howpublished = "Patent Application",
5176   nationality =  "WO",
5177   URL =          "http://www.patentlens.net/patentlens/patent/WO_2003_034484_A3R4/en/",
5178   filing_num =   "EP0211423",
5179   yearfiled =    "2002",
5180   monthfiled =   "10",
5181   dayfiled =     "11",
5182   pat_refs =     "",
5183   ipc_class =    "7B 81C 1/00 B; 7H 01L 21/04 B; 7H 01L 21/265 B; 7H 01L
5184                  21/322 B; 7H 01L 21/324 B; 7H 01L 21/74 A; 7H 01L
5185                  21/762 B; 7H 01L 29/165 B; 7H 01L 33/00 B",
5186   us_class =     "",
5187   abstract =     "The following invention provides a method for forming
5188                  a layered semiconductor structure having a layer (5) of
5189                  a first semiconductor material on a substrate (1; 1')
5190                  of at least one second semiconductor material,
5191                  comprising the steps of: providing said substrate (1;
5192                  1'); burying said layer (5) of said first semiconductor
5193                  material in said substrate (1; 1'), said buried layer
5194                  (5) having an upper surface (105) and a lower surface
5195                  (105) and dividing said substrate (1; 1') into an upper
5196                  part (1a) and a lower part (1b; 1b', 1c); creating a
5197                  buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') which at
5198                  least partly adjoins and/or at least partly includes
5199                  said upper surface (105) of said buried layer (5); and
5200                  removing said upper part (1a) of said substrate (1; 1')
5201                  and said buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') for
5202                  exposing said buried layer (5). The invention also
5203                  provides a corresponding layered semiconductor
5204                  structure.",
5205 }