bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 122   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 123                  precipitation by interstitial and substitutional
 124                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 125 }
 126
 127 @Article{skorupa96,
 128   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 129                  silicon-related materials",
 130   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 131   volume =       "44",
 132   number =       "2",
 133   pages =        "101--143",
 134   year =         "1996",
 135   note =         "",
 136   ISSN =         "0254-0584",
 137   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 138   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 139   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 140   notes =        "review of silicon carbon compound",
 141 }
 142
 143 @Book{laplace,
 144   author =       "P. S. de Laplace",
 145   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 146   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 147   volume =       "VII",
 148   publisher =    "Gauthier-Villars",
 149   year =         "1820",
 150 }
 151
 152 @Article{mattoni2007,
 153   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 154   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 155                  materials}",
 156   journal =      "Phys. Rev. B",
 157   year =         "2007",
 158   month =        dec,
 159   volume =       "76",
 160   number =       "22",
 161   pages =        "224103",
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 163   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 164                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 165                  fracture, more available potentials, universal energy
 166                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 167 }
 168
 169 @Article{balamane92,
 170   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 171                  potentials",
 172   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "46",
 175   number =       "4",
 176   pages =        "2250--2279",
 177   numpages =     "29",
 178   year =         "1992",
 179   month =        jul,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 183 }
 184
 185 @Article{koster2002,
 186   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 187                  bombardment",
 188   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 189   journal =      "Phys. Rev. B",
 190   volume =       "62",
 191   number =       "16",
 192   pages =        "11219--11224",
 193   numpages =     "5",
 194   year =         "2000",
 195   month =        oct,
 196   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 197   publisher =    "American Physical Society",
 198   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 199 }
 200
 201 @Article{breadmore99,
 202   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 203                  amorphization of silicon",
 204   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 205   journal =      "Phys. Rev. B",
 206   volume =       "60",
 207   number =       "18",
 208   pages =        "12610--12616",
 209   numpages =     "6",
 210   year =         "1999",
 211   month =        nov,
 212   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 213   publisher =    "American Physical Society",
 214   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 215 }
 216
 217 @Article{nielsen83,
 218   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 219   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 220   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 221   volume =       "50",
 222   number =       "9",
 223   pages =        "697--700",
 224   numpages =     "3",
 225   year =         "1983",
 226   month =        feb,
 227   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 228   publisher =    "American Physical Society",
 229   notes =        "generalization of virial theorem",
 230 }
 231
 232 @Article{nielsen85,
 233   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 234   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "32",
 237   number =       "6",
 238   pages =        "3780--3791",
 239   numpages =     "11",
 240   year =         "1985",
 241   month =        sep,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "dft virial stress and forces",
 245 }
 246
 247 @Article{moissan04,
 248   author =       "Henri Moissan",
 249   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 250                  Diablo",
 251   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 252   volume =       "139",
 253   pages =        "773--786",
 254   year =         "1904",
 255 }
 256
 257 @Book{park98,
 258   author =       "Y. S. Park",
 259   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 260   publisher =    "Academic Press",
 261   address =      "San Diego",
 262   year =         "1998",
 263 }
 264
 265 @Article{tsvetkov98,
 266   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 267                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 268   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 269   journal =      "Materials Science Forum",
 270   volume =       "264-268",
 271   pages =        "3--8",
 272   year =         "1998",
 273   notes =        "modified lely process, micropipes",
 274 }
 275
 276 @Article{verlet67,
 277   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 278                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 279   author =       "Loup Verlet",
 280   journal =      "Phys. Rev.",
 281   volume =       "159",
 282   number =       "1",
 283   pages =        "98",
 284   year =         "1967",
 285   month =        jul,
 286   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 287   publisher =    "American Physical Society",
 288   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 289                  motion",
 290 }
 291
 292 @Article{berendsen84,
 293   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 294                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 295   collaboration = "",
 296   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 297   publisher =    "AIP",
 298   year =         "1984",
 299   journal =      "J. Chem. Phys.",
 300   volume =       "81",
 301   number =       "8",
 302   pages =        "3684--3690",
 303   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 304                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 306   doi =          "10.1063/1.448118",
 307   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 308 }
 309
 310 @Article{huang95,
 311   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 312                  Baskes",
 313   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 314                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 315                  potentials",
 316   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 317   volume =       "3",
 318   number =       "5",
 319   pages =        "615--627",
 320   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 321   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 322                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 323   year =         "1995",
 324 }
 325
 326 @Article{brenner89,
 327   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 328                  Tersoff potentials",
 329   author =       "Donald W. Brenner",
 330   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 331   volume =       "63",
 332   number =       "9",
 333   pages =        "1022",
 334   numpages =     "1",
 335   year =         "1989",
 336   month =        aug,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 340 }
 341
 342 @Article{batra87,
 343   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 344                  silicon",
 345   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "35",
 348   number =       "18",
 349   pages =        "9552--9558",
 350   numpages =     "6",
 351   year =         "1987",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 356                  calculation of defect formation energy, defect
 357                  interstitial types",
 358 }
 359
 360 @Article{schober89,
 361   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 362   author =       "H. R. Schober",
 363   journal =      "Phys. Rev. B",
 364   volume =       "39",
 365   number =       "17",
 366   pages =        "13013--13015",
 367   numpages =     "2",
 368   year =         "1989",
 369   month =        jun,
 370   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 371   publisher =    "American Physical Society",
 372   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 373                  dumbbell configuration",
 374 }
 375
 376 @Article{gao02a,
 377   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 378                  Defect accumulation, topological features, and
 379                  disordering",
 380   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 381   journal =      "Phys. Rev. B",
 382   volume =       "66",
 383   number =       "2",
 384   pages =        "024106",
 385   numpages =     "10",
 386   year =         "2002",
 387   month =        jul,
 388   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 389   publisher =    "American Physical Society",
 390   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 391                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 392                  result analyze",
 393 }
 394
 395 @Article{devanathan98,
 396   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 397                  cascade in Si{C}",
 398   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 399   volume =       "141",
 400   number =       "1-4",
 401   pages =        "118--122",
 402   year =         "1998",
 403   ISSN =         "0168-583X",
 404   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 405   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 406                  Rubia",
 407   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 408                  3c-sic",
 409 }
 410
 411 @Article{devanathan98_2,
 412   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 413   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 414   volume =       "253",
 415   number =       "1-3",
 416   pages =        "47--52",
 417   year =         "1998",
 418   ISSN =         "0022-3115",
 419   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 420   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 421                  Weber",
 422   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 423                  tersoff",
 424 }
 425
 426 @Article{kitabatake00,
 427   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 428   author =       "M. Kitabatake",
 429   journal =      "Thin Solid Films",
 430   volume =       "369",
 431   pages =        "257--264",
 432   numpages =     "8",
 433   year =         "2000",
 434   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 435 }
 436
 437 @Article{tang97,
 438   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 439                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 440                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 441                  formation volumes",
 442   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 443                  Rubia",
 444   journal =      "Phys. Rev. B",
 445   volume =       "55",
 446   number =       "21",
 447   pages =        "14279--14289",
 448   numpages =     "10",
 449   year =         "1997",
 450   month =        jun,
 451   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 452   publisher =    "American Physical Society",
 453   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 454 }
 455
 456 @Article{johnson98,
 457   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 458                  Rubia",
 459   collaboration = "",
 460   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 461                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 462                  presence of carbon and boron",
 463   publisher =    "AIP",
 464   year =         "1998",
 465   journal =      "J. Appl. Phys.",
 466   volume =       "84",
 467   number =       "4",
 468   pages =        "1963--1967",
 469   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 470                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 471                  semiconductors; self-diffusion",
 472   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 473   doi =          "10.1063/1.368328",
 474   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 475                  diffsuion",
 476 }
 477
 478 @Article{bar-yam84,
 479   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 480                  Self-Interstitial",
 481   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "52",
 484   number =       "13",
 485   pages =        "1129--1132",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1984",
 488   month =        mar,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 492 }
 493
 494 @Article{bar-yam84_2,
 495   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 496                  barriers of silicon self-interstitials",
 497   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 498   journal =      "Phys. Rev. B",
 499   volume =       "30",
 500   number =       "4",
 501   pages =        "1844--1852",
 502   numpages =     "8",
 503   year =         "1984",
 504   month =        aug,
 505   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 506   publisher =    "American Physical Society",
 507 }
 508
 509 @Article{bloechl93,
 510   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 511                  constants in silicon",
 512   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 513                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 514   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 515   volume =       "70",
 516   number =       "16",
 517   pages =        "2435--2438",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1993",
 520   month =        apr,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 524                  entropy calculations",
 525 }
 526
 527 @Article{colombo02,
 528   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 529                  silicon",
 530   author =       "L. Colombo",
 531   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 532   volume =       "32",
 533   pages =        "271--295",
 534   numpages =     "25",
 535   year =         "2002",
 536   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 537   publisher =    "Annual Reviews",
 538   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 539 }
 540
 541 @Article{al-mushadani03,
 542   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 543                  silicon",
 544   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 545   journal =      "Phys. Rev. B",
 546   volume =       "68",
 547   number =       "23",
 548   pages =        "235205",
 549   numpages =     "8",
 550   year =         "2003",
 551   month =        dec,
 552   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 553   publisher =    "American Physical Society",
 554   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 555                  silicon, si self interstitials, free energy",
 556 }
 557
 558 @Article{goedecker02,
 559   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 560   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 561   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 562   volume =       "88",
 563   number =       "23",
 564   pages =        "235501",
 565   numpages =     "4",
 566   year =         "2002",
 567   month =        may,
 568   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 569   publisher =    "American Physical Society",
 570   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 571                  silicon",
 572 }
 573
 574 @Article{sahli05,
 575   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 576                  self-interstitial diffusion in silicon",
 577   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 578   journal =      "Phys. Rev. B",
 579   volume =       "72",
 580   number =       "24",
 581   pages =        "245210",
 582   numpages =     "6",
 583   year =         "2005",
 584   month =        dec,
 585   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 586   publisher =    "American Physical Society",
 587   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 588                  mapping applied",
 589 }
 590
 591 @Article{hobler05,
 592   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 593                  native point defects in silicon",
 594   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 595   volume =       "124-125",
 596   number =       "",
 597   pages =        "368--371",
 598   year =         "2005",
 599   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 600                  Issues for Future Technologies",
 601   ISSN =         "0921-5107",
 602   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 604   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 605   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 606                  radius",
 607 }
 608
 609 @Article{ma10,
 610   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 611                  wide temperature range: Point defect states and
 612                  migration mechanisms",
 613   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "81",
 616   number =       "19",
 617   pages =        "193203",
 618   numpages =     "4",
 619   year =         "2010",
 620   month =        may,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 624 }
 625
 626 @Article{posselt06,
 627   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 628                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 629   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 630   journal =      "Phys. Rev. B",
 631   volume =       "73",
 632   number =       "12",
 633   pages =        "125206",
 634   numpages =     "8",
 635   year =         "2006",
 636   month =        mar,
 637   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 638   publisher =    "American Physical Society",
 639 }
 640
 641 @Article{posselt08,
 642   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 643                  migration mechanisms of vacancies and
 644                  self-interstitials: An atomistic study",
 645   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 646   journal =      "Phys. Rev. B",
 647   volume =       "78",
 648   number =       "3",
 649   pages =        "035208",
 650   numpages =     "9",
 651   year =         "2008",
 652   month =        jul,
 653   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 654   publisher =    "American Physical Society",
 655   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 656                  weber and tersoff",
 657 }
 658
 659 @Article{gao2001,
 660   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 661                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 662   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 663                  Corrales",
 664   journal =      "Phys. Rev. B",
 665   volume =       "64",
 666   number =       "24",
 667   pages =        "245208",
 668   numpages =     "7",
 669   year =         "2001",
 670   month =        dec,
 671   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 672   publisher =    "American Physical Society",
 673   notes =        "defects in 3c-sic",
 674 }
 675
 676 @Article{gao02,
 677   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 678                  3{C}-Si{C}",
 679   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 680   volume =       "191",
 681   number =       "1-4",
 682   pages =        "487--496",
 683   year =         "2002",
 684   note =         "",
 685   ISSN =         "0168-583X",
 686   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 687   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 688   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 689   keywords =     "Empirical potential",
 690   keywords =     "Defect properties",
 691   keywords =     "Silicon carbide",
 692   keywords =     "Computer simulation",
 693   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 694 }
 695
 696 @Article{gao04,
 697   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 698                  3{C}-Si{C}",
 699   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 700                  Belko",
 701   journal =      "Phys. Rev. B",
 702   volume =       "69",
 703   number =       "24",
 704   pages =        "245205",
 705   numpages =     "5",
 706   year =         "2004",
 707   month =        jun,
 708   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 709   publisher =    "American Physical Society",
 710   notes =        "defect migration in sic",
 711 }
 712
 713 @Article{gao07,
 714   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 715                  W. J. Weber",
 716   collaboration = "",
 717   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 718                  in cubic silicon carbide",
 719   publisher =    "AIP",
 720   year =         "2007",
 721   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 722   volume =       "90",
 723   number =       "22",
 724   eid =          "221915",
 725   numpages =     "3",
 726   pages =        "221915",
 727   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 728                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 729                  dynamics method; density functional theory;
 730                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 731                  impurities; diffusion",
 732   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 733   doi =          "10.1063/1.2743751",
 734 }
 735
 736 @Article{mattoni2002,
 737   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 738                  crystalline silicon",
 739   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 740   journal =      "Phys. Rev. B",
 741   volume =       "66",
 742   number =       "19",
 743   pages =        "195214",
 744   numpages =     "6",
 745   year =         "2002",
 746   month =        nov,
 747   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 748   publisher =    "American Physical Society",
 749   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 750                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 751                  tersoff suitability",
 752 }
 753
 754 @Article{leung99,
 755   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 756   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 757                  Itoh and S. Ihara",
 758   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 759   volume =       "83",
 760   number =       "12",
 761   pages =        "2351--2354",
 762   numpages =     "3",
 763   year =         "1999",
 764   month =        sep,
 765   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 766   publisher =    "American Physical Society",
 767   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 768                  refs",
 769 }
 770
 771 @Article{capaz94,
 772   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 773                  carbon in silicon",
 774   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 775   journal =      "Phys. Rev. B",
 776   volume =       "50",
 777   number =       "11",
 778   pages =        "7439--7442",
 779   numpages =     "3",
 780   year =         "1994",
 781   month =        sep,
 782   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 783   publisher =    "American Physical Society",
 784   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 785                  dumbbell",
 786 }
 787
 788 @Article{capaz98,
 789   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 790   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "58",
 793   number =       "15",
 794   pages =        "9845--9850",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "1998",
 797   month =        oct,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 801 }
 802
 803 @Article{song90_2,
 804   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 805                  pair in silicon",
 806   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 807                  Watkins",
 808   journal =      "Phys. Rev. B",
 809   volume =       "42",
 810   number =       "9",
 811   pages =        "5765--5783",
 812   numpages =     "18",
 813   year =         "1990",
 814   month =        sep,
 815   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 816   publisher =    "American Physical Society",
 817   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 818 }
 819
 820 @Article{liu02,
 821   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 822                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 823   collaboration = "",
 824   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 825                  interactions in Si",
 826   publisher =    "AIP",
 827   year =         "2002",
 828   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 829   volume =       "80",
 830   number =       "1",
 831   pages =        "52--54",
 832   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 833                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 834                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 835   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 836   doi =          "10.1063/1.1430505",
 837   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 838 }
 839
 840 @Article{dal_pino93,
 841   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 842                  silicon",
 843   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 844                  Joannopoulos",
 845   journal =      "Phys. Rev. B",
 846   volume =       "47",
 847   number =       "19",
 848   pages =        "12554--12557",
 849   numpages =     "3",
 850   year =         "1993",
 851   month =        may,
 852   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 853   publisher =    "American Physical Society",
 854   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 855 }
 856
 857 @Article{car84,
 858   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 859                  Silicon",
 860   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 861                  Sokrates T. Pantelides",
 862   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 863   volume =       "52",
 864   number =       "20",
 865   pages =        "1814--1817",
 866   numpages =     "3",
 867   year =         "1984",
 868   month =        may,
 869   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 870   publisher =    "American Physical Society",
 871   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 872                  path formation",
 873 }
 874
 875 @Article{car85,
 876   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 877                  Density-Functional Theory",
 878   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 879   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 880   volume =       "55",
 881   number =       "22",
 882   pages =        "2471--2474",
 883   numpages =     "3",
 884   year =         "1985",
 885   month =        nov,
 886   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 887   publisher =    "American Physical Society",
 888   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 889 }
 890
 891 @Article{kelires97,
 892   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 893                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 894   author =       "P. C. Kelires",
 895   journal =      "Phys. Rev. B",
 896   volume =       "55",
 897   number =       "14",
 898   pages =        "8784--8787",
 899   numpages =     "3",
 900   year =         "1997",
 901   month =        apr,
 902   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 903   publisher =    "American Physical Society",
 904   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 905                  neighbour dist",
 906 }
 907
 908 @Article{kelires95,
 909   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 910                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 911   author =       "P. C. Kelires",
 912   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 913   volume =       "75",
 914   number =       "6",
 915   pages =        "1114--1117",
 916   numpages =     "3",
 917   year =         "1995",
 918   month =        aug,
 919   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 920   publisher =    "American Physical Society",
 921   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 922 }
 923
 924 @Article{bean70,
 925   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 926                  containing carbon",
 927   journal =      "Solid State Communications",
 928   volume =       "8",
 929   number =       "3",
 930   pages =        "175--177",
 931   year =         "1970",
 932   note =         "",
 933   ISSN =         "0038-1098",
 934   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 935   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 936   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 937 }
 938
 939 @Article{durand99,
 940   author =       "F. Durand and J. Duby",
 941   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 942   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 943                  review with reference to eutectic equilibrium",
 944   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 945   publisher =    "Springer New York",
 946   ISSN =         "1054-9714",
 947   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 948   pages =        "61--63",
 949   volume =       "20",
 950   issue =        "1",
 951   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 952   note =         "10.1361/105497199770335956",
 953   year =         "1999",
 954   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 955 }
 956
 957 @Article{watkins76,
 958   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 959                  Atom in Silicon",
 960   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 961   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 962   volume =       "36",
 963   number =       "22",
 964   pages =        "1329--1332",
 965   numpages =     "3",
 966   year =         "1976",
 967   month =        may,
 968   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 969   publisher =    "American Physical Society",
 970   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 971                  silicon",
 972 }
 973
 974 @Article{song90,
 975   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 976                  interstitial carbon in silicon",
 977   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 978   journal =      "Phys. Rev. B",
 979   volume =       "42",
 980   number =       "9",
 981   pages =        "5759--5764",
 982   numpages =     "5",
 983   year =         "1990",
 984   month =        sep,
 985   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 986   publisher =    "American Physical Society",
 987   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 988 }
 989
 990 @Article{tipping87,
 991   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 992   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 993                  silicon",
 994   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 995   volume =       "2",
 996   number =       "5",
 997   pages =        "315--317",
 998   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 999   year =         "1987",
1000   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1001                  silicon",
1002 }
1003
1004 @Article{isomae93,
1005   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1006                  Masao Tamura",
1007   collaboration = "",
1008   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1009                  silicon",
1010   publisher =    "AIP",
1011   year =         "1993",
1012   journal =      "Journal of Applied Physics",
1013   volume =       "74",
1014   number =       "6",
1015   pages =        "3815--3820",
1016   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1017                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1018                  PROFILES",
1019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1020   doi =          "10.1063/1.354474",
1021   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1022 }
1023
1024 @Article{strane96,
1025   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1026                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1027   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1028                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1029   journal =      "J. Appl. Phys.",
1030   volume =       "79",
1031   pages =        "637",
1032   year =         "1996",
1033   month =        jan,
1034   doi =          "10.1063/1.360806",
1035   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1036 }
1037
1038 @Article{laveant2002,
1039   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1040   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1041   volume =       "89",
1042   number =       "1-3",
1043   pages =        "241--245",
1044   year =         "2002",
1045   ISSN =         "0921-5107",
1046   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1047   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1048   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1049                  G{\"{o}}sele",
1050   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1051                  stress, avoid sic precipitation",
1052 }
1053
1054 @Article{foell77,
1055   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1056                  agglomeration of self-interstitials",
1057   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1058   volume =       "40",
1059   number =       "1",
1060   pages =        "90--108",
1061   year =         "1977",
1062   note =         "",
1063   ISSN =         "0022-0248",
1064   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1065   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1066   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1067   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1068                  agglomerate",
1069 }
1070
1071 @Article{foell81,
1072   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1073                  defects",
1074   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1075   volume =       "52",
1076   number =       "Part 2",
1077   pages =        "907--916",
1078   year =         "1981",
1079   note =         "",
1080   ISSN =         "0022-0248",
1081   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1082   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1083   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1084   notes =        "swirl review",
1085 }
1086
1087 @Article{werner97,
1088   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1089                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1090   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1091                  silicon by transmission electron microscopy",
1092   publisher =    "AIP",
1093   year =         "1997",
1094   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1095   volume =       "70",
1096   number =       "2",
1097   pages =        "252--254",
1098   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1099                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1100                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1101                  layers; precipitation",
1102   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1103   doi =          "10.1063/1.118381",
1104   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1105                  precipitate",
1106 }
1107
1108 @InProceedings{werner96,
1109   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1110                  Eichler",
1111   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1112                  International Conference on",
1113   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1114                  implanted silicon",
1115   year =         "1996",
1116   month =        jun,
1117   volume =       "",
1118   number =       "",
1119   pages =        "675--678",
1120   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1121   ISSN =         "",
1122   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1123 }
1124
1125 @Article{werner98,
1126   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1127                  D. C. Jacobson",
1128   collaboration = "",
1129   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1130   publisher =    "AIP",
1131   year =         "1998",
1132   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1133   volume =       "73",
1134   number =       "17",
1135   pages =        "2465--2467",
1136   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1137                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1138                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1139                  impurity distribution",
1140   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1141   doi =          "10.1063/1.122483",
1142   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1143 }
1144
1145 @Article{kalejs84,
1146   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1147   collaboration = "",
1148   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1149                  silicon",
1150   publisher =    "AIP",
1151   year =         "1984",
1152   journal =      "Applied Physics Letters",
1153   volume =       "45",
1154   number =       "3",
1155   pages =        "268--269",
1156   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1157                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1158                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1159   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1160   doi =          "10.1063/1.95167",
1161   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1162 }
1163
1164 @Article{fukami90,
1165   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1166                  and Cary Y. Yang",
1167   collaboration = "",
1168   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1169                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1170   publisher =    "AIP",
1171   year =         "1990",
1172   journal =      "Applied Physics Letters",
1173   volume =       "57",
1174   number =       "22",
1175   pages =        "2345--2347",
1176   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1177                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1178                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1179                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1180   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1181   doi =          "10.1063/1.103888",
1182 }
1183
1184 @Article{strane93,
1185   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1186                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1187   collaboration = "",
1188   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1189   publisher =    "AIP",
1190   year =         "1993",
1191   journal =      "Applied Physics Letters",
1192   volume =       "63",
1193   number =       "20",
1194   pages =        "2786--2788",
1195   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1196                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1197                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1198                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1199                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1200   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1201   doi =          "10.1063/1.110334",
1202 }
1203
1204 @Article{goorsky92,
1205   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1206                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1207   collaboration = "",
1208   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1209                  strained layer superlattices",
1210   publisher =    "AIP",
1211   year =         "1992",
1212   journal =      "Applied Physics Letters",
1213   volume =       "60",
1214   number =       "22",
1215   pages =        "2758--2760",
1216   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1217                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1218                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1219                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1220                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1221   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1222   doi =          "10.1063/1.106868",
1223 }
1224
1225 @Article{strane94,
1226   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1227                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1228   collaboration = "",
1229   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1230                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1231   publisher =    "AIP",
1232   year =         "1994",
1233   journal =      "J. Appl. Phys.",
1234   volume =       "76",
1235   number =       "6",
1236   pages =        "3656--3668",
1237   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1238   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1239   doi =          "10.1063/1.357429",
1240   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1241                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1242                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1243                  energy",
1244 }
1245
1246 @Article{fischer95,
1247   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1248                  Osten",
1249   collaboration = "",
1250   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1251                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1252   publisher =    "AIP",
1253   year =         "1995",
1254   journal =      "J. Appl. Phys.",
1255   volume =       "77",
1256   number =       "5",
1257   pages =        "1934--1937",
1258   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1259                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1260                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1261                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1262   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1263   doi =          "10.1063/1.358826",
1264 }
1265
1266 @Article{edgar92,
1267   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1268                  semiconductors",
1269   author =       "J. H. Edgar",
1270   journal =      "J. Mater. Res.",
1271   volume =       "7",
1272   pages =        "235",
1273   year =         "1992",
1274   month =        jan,
1275   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1276   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1277                  polytypes",
1278 }
1279
1280 @Article{zirkelbach2007,
1281   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1282                  process leading to ordered precipitate structures",
1283   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1284                  and B. Stritzker",
1285   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1286   volume =       "257",
1287   number =       "1--2",
1288   pages =        "75--79",
1289   numpages =     "5",
1290   year =         "2007",
1291   month =        apr,
1292   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1293   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1294                  NETHERLANDS",
1295 }
1296
1297 @Article{zirkelbach2006,
1298   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1299                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1300                  during ion irradiation",
1301   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1302                  and B. Stritzker",
1303   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1304   volume =       "242",
1305   number =       "1--2",
1306   pages =        "679--682",
1307   numpages =     "4",
1308   year =         "2006",
1309   month =        jan,
1310   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1311   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1312                  NETHERLANDS",
1313 }
1314
1315 @Article{zirkelbach2005,
1316   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1317                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1318                  ion irradiation",
1319   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1320                  and B. Stritzker",
1321   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1322   volume =       "33",
1323   number =       "1--3",
1324   pages =        "310--316",
1325   numpages =     "7",
1326   year =         "2005",
1327   month =        apr,
1328   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1329   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1330                  NETHERLANDS",
1331 }
1332
1333 @Article{zirkelbach09,
1334   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1335                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1336   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1337   volume =       "159-160",
1338   number =       "",
1339   pages =        "149--152",
1340   year =         "2009",
1341   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1342                  Silicon Materials Research for Electronic and
1343                  Photovoltaic Applications",
1344   ISSN =         "0921-5107",
1345   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1346   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1347   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1348                  B. Stritzker",
1349   keywords =     "Silicon",
1350   keywords =     "Carbon",
1351   keywords =     "Silicon carbide",
1352   keywords =     "Nucleation",
1353   keywords =     "Defect formation",
1354   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1355 }
1356
1357 @Article{zirkelbach10,
1358   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1359                  classical potentials and first-principles methods",
1360   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1361                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1362   journal =      "Phys. Rev. B",
1363   volume =       "82",
1364   number =       "9",
1365   pages =        "094110",
1366   numpages =     "6",
1367   year =         "2010",
1368   month =        sep,
1369   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1370   publisher =    "American Physical Society",
1371 }
1372
1373 @Article{zirkelbach11a,
1374   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1375                  silicon",
1376   journal =      "to be published",
1377   volume =       "",
1378   number =       "",
1379   pages =        "",
1380   year =         "2011",
1381   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1382                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1383 }
1384
1385 @Article{zirkelbach11b,
1386   title =        "...",
1387   journal =      "to be published",
1388   volume =       "",
1389   number =       "",
1390   pages =        "",
1391   year =         "2011",
1392   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1393                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1394 }
1395
1396 @Article{lindner95,
1397   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1398                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1399   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1400                  Layers in Silicon",
1401   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1402   volume =       "354",
1403   number =       "",
1404   pages =        "171",
1405   year =         "1994",
1406   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1407   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1408   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1409   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1410 }
1411
1412 @Article{lindner96,
1413   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1414                  in silicon by ion beam synthesis",
1415   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1416   volume =       "46",
1417   number =       "2-3",
1418   pages =        "147--155",
1419   year =         "1996",
1420   note =         "",
1421   ISSN =         "0254-0584",
1422   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1423   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1424   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1425                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1426                  Stritzker",
1427   notes =        "dose window",
1428 }
1429
1430 @Article{calcagno96,
1431   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1432                  ion implantation",
1433   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1434                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1435   volume =       "120",
1436   number =       "1-4",
1437   pages =        "121--124",
1438   year =         "1996",
1439   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1440                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1441   ISSN =         "0168-583X",
1442   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1443   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1444   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1445                  Grimaldi and P. Musumeci",
1446   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1447 }
1448
1449 @Article{lindner98,
1450   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1451                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1452   journal =      "Materials Science Forum",
1453   volume =       "264-268",
1454   pages =        "215--218",
1455   year =         "1998",
1456   note =         "",
1457   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1458   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1459   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1460   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1461                  crystallinity",
1462 }
1463
1464 @Article{lindner99,
1465   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1466                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1467                  layers in silicon",
1468   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1469   volume =       "147",
1470   number =       "1-4",
1471   pages =        "249--255",
1472   year =         "1999",
1473   note =         "",
1474   ISSN =         "0168-583X",
1475   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1476   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1477   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1478   notes =        "two-step implantation process",
1479 }
1480
1481 @Article{lindner99_2,
1482   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1483                  in silicon",
1484   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1485   volume =       "148",
1486   number =       "1-4",
1487   pages =        "528--533",
1488   year =         "1999",
1489   ISSN =         "0168-583X",
1490   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1491   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1492   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1493   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1494 }
1495
1496 @Article{lindner01,
1497   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1498                  Basic physical processes",
1499   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1500   volume =       "178",
1501   number =       "1-4",
1502   pages =        "44--54",
1503   year =         "2001",
1504   note =         "",
1505   ISSN =         "0168-583X",
1506   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1507   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1508   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1509 }
1510
1511 @Article{lindner02,
1512   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1513                  fundamental studies for new technological tricks",
1514   author =       "J. K. N. Lindner",
1515   journal =      "Appl. Phys. A",
1516   volume =       "77",
1517   pages =        "27--38",
1518   year =         "2003",
1519   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1520   notes =        "ibs, burried sic layers",
1521 }
1522
1523 @Article{lindner06,
1524   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1525                  formation and displacive precipitate resolution in the
1526                  {C}-Si system",
1527   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1528   volume =       "26",
1529   number =       "5-7",
1530   pages =        "857--861",
1531   year =         "2006",
1532   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1533                  Applications",
1534   ISSN =         "0928-4931",
1535   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1536   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1537   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1538                  and B. Stritzker",
1539   notes =        "c int diffusion barrier",
1540 }
1541
1542 @Article{ito04,
1543   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1544                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1545                  growth",
1546   journal =      "Applied Surface Science",
1547   volume =       "238",
1548   number =       "1-4",
1549   pages =        "159--164",
1550   year =         "2004",
1551   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1552   ISSN =         "0169-4332",
1553   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1554   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1555   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1556                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1557   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1558 }
1559
1560 @Article{yamamoto04,
1561   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1562                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1563                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1564   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1565   volume =       "261",
1566   number =       "2-3",
1567   pages =        "266--270",
1568   year =         "2004",
1569   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1570                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1571   ISSN =         "0022-0248",
1572   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1573   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1574   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1575                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1576   notes =        "gan on 3c-sic",
1577 }
1578
1579 @Article{liu_l02,
1580   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1581   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1582   volume =       "37",
1583   number =       "3",
1584   pages =        "61--127",
1585   year =         "2002",
1586   note =         "",
1587   ISSN =         "0927-796X",
1588   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1589   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1590   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1591   notes =        "gan substrates",
1592 }
1593
1594 @Article{takeuchi91,
1595   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1596                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1597   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1598   volume =       "115",
1599   number =       "1-4",
1600   pages =        "634--638",
1601   year =         "1991",
1602   note =         "",
1603   ISSN =         "0022-0248",
1604   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1605   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1606   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1607                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1608   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1609 }
1610
1611 @Article{alder57,
1612   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1613   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1614   publisher =    "AIP",
1615   year =         "1957",
1616   journal =      "J. Chem. Phys.",
1617   volume =       "27",
1618   number =       "5",
1619   pages =        "1208--1209",
1620   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1621   doi =          "10.1063/1.1743957",
1622 }
1623
1624 @Article{alder59,
1625   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1626   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1627   publisher =    "AIP",
1628   year =         "1959",
1629   journal =      "J. Chem. Phys.",
1630   volume =       "31",
1631   number =       "2",
1632   pages =        "459--466",
1633   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1634   doi =          "10.1063/1.1730376",
1635 }
1636
1637 @Article{horsfield96,
1638   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1639   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1640                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1641   journal =      "Phys. Rev. B",
1642   volume =       "53",
1643   number =       "19",
1644   pages =        "12694--12712",
1645   numpages =     "18",
1646   year =         "1996",
1647   month =        may,
1648   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1649   publisher =    "American Physical Society",
1650 }
1651
1652 @Article{abell85,
1653   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1654                  and metallic bonding",
1655   author =       "G. C. Abell",
1656   journal =      "Phys. Rev. B",
1657   volume =       "31",
1658   number =       "10",
1659   pages =        "6184--6196",
1660   numpages =     "12",
1661   year =         "1985",
1662   month =        may,
1663   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1664   publisher =    "American Physical Society",
1665 }
1666
1667 @Article{tersoff_si1,
1668   title =        "New empirical model for the structural properties of
1669                  silicon",
1670   author =       "J. Tersoff",
1671   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1672   volume =       "56",
1673   number =       "6",
1674   pages =        "632--635",
1675   numpages =     "3",
1676   year =         "1986",
1677   month =        feb,
1678   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1679   publisher =    "American Physical Society",
1680 }
1681
1682 @Article{dodson87,
1683   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1684                  silicon",
1685   author =       "Brian W. Dodson",
1686   journal =      "Phys. Rev. B",
1687   volume =       "35",
1688   number =       "6",
1689   pages =        "2795--2798",
1690   numpages =     "3",
1691   year =         "1987",
1692   month =        feb,
1693   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1694   publisher =    "American Physical Society",
1695 }
1696
1697 @Article{tersoff_si2,
1698   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1699                  covalent systems",
1700   author =       "J. Tersoff",
1701   journal =      "Phys. Rev. B",
1702   volume =       "37",
1703   number =       "12",
1704   pages =        "6991--7000",
1705   numpages =     "9",
1706   year =         "1988",
1707   month =        apr,
1708   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1709   publisher =    "American Physical Society",
1710 }
1711
1712 @Article{tersoff_si3,
1713   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1714                  improved elastic properties",
1715   author =       "J. Tersoff",
1716   journal =      "Phys. Rev. B",
1717   volume =       "38",
1718   number =       "14",
1719   pages =        "9902--9905",
1720   numpages =     "3",
1721   year =         "1988",
1722   month =        nov,
1723   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1724   publisher =    "American Physical Society",
1725 }
1726
1727 @Article{tersoff_c,
1728   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1729                  Applications to Amorphous Carbon",
1730   author =       "J. Tersoff",
1731   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1732   volume =       "61",
1733   number =       "25",
1734   pages =        "2879--2882",
1735   numpages =     "3",
1736   year =         "1988",
1737   month =        dec,
1738   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1739   publisher =    "American Physical Society",
1740 }
1741
1742 @Article{tersoff_m,
1743   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1744                  for multicomponent systems",
1745   author =       "J. Tersoff",
1746   journal =      "Phys. Rev. B",
1747   volume =       "39",
1748   number =       "8",
1749   pages =        "5566--5568",
1750   numpages =     "2",
1751   year =         "1989",
1752   month =        mar,
1753   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1754   publisher =    "American Physical Society",
1755 }
1756
1757 @Article{tersoff90,
1758   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1759   author =       "J. Tersoff",
1760   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1761   volume =       "64",
1762   number =       "15",
1763   pages =        "1757--1760",
1764   numpages =     "3",
1765   year =         "1990",
1766   month =        apr,
1767   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1768   publisher =    "American Physical Society",
1769 }
1770
1771 @Article{fahey89,
1772   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1773   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1774   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1775   volume =       "61",
1776   number =       "2",
1777   pages =        "289--384",
1778   numpages =     "95",
1779   year =         "1989",
1780   month =        apr,
1781   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1782   publisher =    "American Physical Society",
1783 }
1784
1785 @Article{wesch96,
1786   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1787   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1788   volume =       "116",
1789   number =       "1-4",
1790   pages =        "305--321",
1791   year =         "1996",
1792   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1793   ISSN =         "0168-583X",
1794   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1795   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1796   author =       "W. Wesch",
1797 }
1798
1799 @Article{davis91,
1800   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1801                  Palmour and J. A. Edmond",
1802   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1803   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1804                  optoelectronic device fabrication and characterization
1805                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1806   year =         "1991",
1807   month =        may,
1808   volume =       "79",
1809   number =       "5",
1810   pages =        "677--701",
1811   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1812                  diode;SiC;dry etching;electrical
1813                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1814                  device fabrication;solid-state devices;surface
1815                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1816                  transistors;Schottky-barrier
1817                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1818                  transistors;insulated gate field effect
1819                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1820                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1821   doi =          "10.1109/5.90132",
1822   ISSN =         "0018-9219",
1823   notes =        "sic growth methods",
1824 }
1825
1826 @Article{morkoc94,
1827   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1828                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1829   collaboration = "",
1830   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1831                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1832   publisher =    "AIP",
1833   year =         "1994",
1834   journal =      "J. Appl. Phys.",
1835   volume =       "76",
1836   number =       "3",
1837   pages =        "1363--1398",
1838   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1839                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1840                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1841                  FILMS; INDUSTRY",
1842   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1843   doi =          "10.1063/1.358463",
1844   notes =        "sic intro, properties",
1845 }
1846
1847 @Article{foo,
1848   author =       "Noch Unbekannt",
1849   title =        "How to find references",
1850   journal =      "Journal of Applied References",
1851   year =         "2009",
1852   volume =       "77",
1853   pages =        "1--23",
1854 }
1855
1856 @Article{tang95,
1857   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1858                  \beta{}-Si{C}",
1859   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1860   journal =      "Phys. Rev. B",
1861   volume =       "52",
1862   number =       "21",
1863   pages =        "15150--15159",
1864   numpages =     "9",
1865   year =         "1995",
1866   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1867   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1868                  tersoff reparametrization",
1869   publisher =    "American Physical Society",
1870 }
1871
1872 @Article{sarro00,
1873   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1874   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1875   volume =       "82",
1876   number =       "1-3",
1877   pages =        "210--218",
1878   year =         "2000",
1879   ISSN =         "0924-4247",
1880   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1881   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1882   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1883   keywords =     "MEMS",
1884   keywords =     "Silicon carbide",
1885   keywords =     "Micromachining",
1886   keywords =     "Mechanical stress",
1887 }
1888
1889 @Article{casady96,
1890   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1891                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1892                  review",
1893   journal =      "Solid-State Electronics",
1894   volume =       "39",
1895   number =       "10",
1896   pages =        "1409--1422",
1897   year =         "1996",
1898   ISSN =         "0038-1101",
1899   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1900   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1901   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1902   notes =        "sic intro",
1903 }
1904
1905 @Article{giancarli98,
1906   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1907                  structural material in fusion power reactor blankets",
1908   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1909   volume =       "41",
1910   number =       "1-4",
1911   pages =        "165--171",
1912   year =         "1998",
1913   ISSN =         "0920-3796",
1914   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1915   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1916   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1917                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1918 }
1919
1920 @Article{pensl93,
1921   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1922   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1923   volume =       "185",
1924   number =       "1-4",
1925   pages =        "264--283",
1926   year =         "1993",
1927   ISSN =         "0921-4526",
1928   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1929   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1930   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1931 }
1932
1933 @Article{tairov78,
1934   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1935                  carbide single crystals",
1936   journal =      "J. Cryst. Growth",
1937   volume =       "43",
1938   number =       "2",
1939   pages =        "209--212",
1940   year =         "1978",
1941   notes =        "modified lely process",
1942   ISSN =         "0022-0248",
1943   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1944   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1945   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1946 }
1947
1948 @Article{tairov81,
1949   title =        "General principles of growing large-size single
1950                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1951   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1952   volume =       "52",
1953   number =       "Part 1",
1954   pages =        "146--150",
1955   year =         "1981",
1956   note =         "",
1957   ISSN =         "0022-0248",
1958   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1959   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1960   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1961 }
1962
1963 @Article{barrett91,
1964   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1965   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1966   volume =       "109",
1967   number =       "1-4",
1968   pages =        "17--23",
1969   year =         "1991",
1970   note =         "",
1971   ISSN =         "0022-0248",
1972   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1973   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1974   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1975                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1976 }
1977
1978 @Article{barrett93,
1979   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1980   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1981   volume =       "128",
1982   number =       "1-4",
1983   pages =        "358--362",
1984   year =         "1993",
1985   note =         "",
1986   ISSN =         "0022-0248",
1987   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1988   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1989   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1990                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1991                  W. J. Choyke",
1992 }
1993
1994 @Article{stein93,
1995   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1996                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1997                  sublimation method",
1998   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1999   volume =       "131",
2000   number =       "1-2",
2001   pages =        "71--74",
2002   year =         "1993",
2003   note =         "",
2004   ISSN =         "0022-0248",
2005   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2007   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2008   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2009 }
2010
2011 @Article{nishino83,
2012   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2013                  Will",
2014   collaboration = "",
2015   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2016                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2017   publisher =    "AIP",
2018   year =         "1983",
2019   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2020   volume =       "42",
2021   number =       "5",
2022   pages =        "460--462",
2023   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2024                  monocrystals",
2025   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2026   doi =          "10.1063/1.93970",
2027   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2028 }
2029
2030 @Article{nishino87,
2031   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2032                  and Hiroyuki Matsunami",
2033   collaboration = "",
2034   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2035                  Si{C} on silicon",
2036   publisher =    "AIP",
2037   year =         "1987",
2038   journal =      "J. Appl. Phys.",
2039   volume =       "61",
2040   number =       "10",
2041   pages =        "4889--4893",
2042   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2043   doi =          "10.1063/1.338355",
2044   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2045                  carbonization",
2046 }
2047
2048 @Article{powell87,
2049   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2050                  Kuczmarski",
2051   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2052                  Single-Crystal Films on Si",
2053   publisher =    "ECS",
2054   year =         "1987",
2055   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2056   volume =       "134",
2057   number =       "6",
2058   pages =        "1558--1565",
2059   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2060                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2061   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2062   doi =          "10.1149/1.2100708",
2063   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2064 }
2065
2066 @Article{powell87_2,
2067   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2068                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2069   collaboration = "",
2070   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2071                  off-axis Si substrates",
2072   publisher =    "AIP",
2073   year =         "1987",
2074   journal =      "Applied Physics Letters",
2075   volume =       "51",
2076   number =       "11",
2077   pages =        "823--825",
2078   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2079                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2080                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2081                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2082                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2083   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2084   doi =          "10.1063/1.98824",
2085   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2086 }
2087
2088 @Article{ueda90,
2089   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2090   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2091   volume =       "104",
2092   number =       "3",
2093   pages =        "695--700",
2094   year =         "1990",
2095   note =         "",
2096   ISSN =         "0022-0248",
2097   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2098   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2099   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2100                  Matsunami",
2101   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2102 }
2103
2104 @Article{kimoto93,
2105   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2106                  and Hiroyuki Matsunami",
2107   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2108                  epitaxy",
2109   publisher =    "AIP",
2110   year =         "1993",
2111   journal =      "J. Appl. Phys.",
2112   volume =       "73",
2113   number =       "2",
2114   pages =        "726--732",
2115   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2116                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2117                  VAPOR DEPOSITION",
2118   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2119   doi =          "10.1063/1.353329",
2120   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2121 }
2122
2123 @Article{powell90_2,
2124   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2125                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2126                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2127   collaboration = "",
2128   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2129                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2130   publisher =    "AIP",
2131   year =         "1990",
2132   journal =      "Applied Physics Letters",
2133   volume =       "56",
2134   number =       "15",
2135   pages =        "1442--1444",
2136   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2137                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2138                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2139                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2140   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2141   doi =          "10.1063/1.102492",
2142   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2143 }
2144
2145 @Article{kong88_2,
2146   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2147   collaboration = "",
2148   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2149                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2150                  substrates",
2151   publisher =    "AIP",
2152   year =         "1988",
2153   journal =      "Journal of Applied Physics",
2154   volume =       "64",
2155   number =       "5",
2156   pages =        "2672--2679",
2157   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2158                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2159                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2160                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2161                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2162   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2163   doi =          "10.1063/1.341608",
2164 }
2165
2166 @Article{powell90,
2167   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2168                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2169                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2170   collaboration = "",
2171   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2172                  6{H}-Si{C} substrates",
2173   publisher =    "AIP",
2174   year =         "1990",
2175   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2176   volume =       "56",
2177   number =       "14",
2178   pages =        "1353--1355",
2179   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2180                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2181                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2182                  PHASE EPITAXY",
2183   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2184   doi =          "10.1063/1.102512",
2185   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2186 }
2187
2188 @Article{kong88,
2189   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2190                  Rozgonyi and K. L. More",
2191   collaboration = "",
2192   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2193                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2194                  substrates",
2195   publisher =    "AIP",
2196   year =         "1988",
2197   journal =      "Journal of Applied Physics",
2198   volume =       "63",
2199   number =       "8",
2200   pages =        "2645--2650",
2201   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2202                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2203                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2204                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2205                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2206   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2207   doi =          "10.1063/1.341004",
2208 }
2209
2210 @Article{powell91,
2211   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2212                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2213                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2214   collaboration = "",
2215   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2216                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2217   publisher =    "AIP",
2218   year =         "1991",
2219   journal =      "Applied Physics Letters",
2220   volume =       "59",
2221   number =       "3",
2222   pages =        "333--335",
2223   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2224                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2225                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2226   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2227   doi =          "10.1063/1.105587",
2228 }
2229
2230 @Article{yuan95,
2231   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2232                  Thokala and M. J. Loboda",
2233   collaboration = "",
2234   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2235                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2236                  silacyclobutane",
2237   publisher =    "AIP",
2238   year =         "1995",
2239   journal =      "J. Appl. Phys.",
2240   volume =       "78",
2241   number =       "2",
2242   pages =        "1271--1273",
2243   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2244                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2245                  SPECTROPHOTOMETRY",
2246   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2247   doi =          "10.1063/1.360368",
2248   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2249 }
2250
2251 @Article{kaneda87,
2252   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2253                  properties of its p-n junction",
2254   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2255   volume =       "81",
2256   number =       "1-4",
2257   pages =        "536--542",
2258   year =         "1987",
2259   note =         "",
2260   ISSN =         "0022-0248",
2261   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2262   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2263   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2264                  and Takao Tanaka",
2265   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2266 }
2267
2268 @Article{fissel95,
2269   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2270                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2271                  molecular beam epitaxy",
2272   journal =      "J. Cryst. Growth",
2273   volume =       "154",
2274   number =       "1-2",
2275   pages =        "72--80",
2276   year =         "1995",
2277   ISSN =         "0022-0248",
2278   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2279   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2280   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2281                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2282   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2283 }
2284
2285 @Article{fissel95_apl,
2286   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2287   collaboration = "",
2288   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2289                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2290   publisher =    "AIP",
2291   year =         "1995",
2292   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2293   volume =       "66",
2294   number =       "23",
2295   pages =        "3182--3184",
2296   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2297                  RHEED; NUCLEATION",
2298   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2299   doi =          "10.1063/1.113716",
2300   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2301 }
2302
2303 @Article{fissel96,
2304   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2305                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2306   collaboration = "",
2307   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2308                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2309                  level using surface superstructures",
2310   publisher =    "AIP",
2311   year =         "1996",
2312   journal =      "Applied Physics Letters",
2313   volume =       "68",
2314   number =       "9",
2315   pages =        "1204--1206",
2316   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2317                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2318                  SURFACE STRUCTURE",
2319   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2320   doi =          "10.1063/1.115969",
2321   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2322 }
2323
2324 @Article{righi03,
2325   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2326   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2327                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2328   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2329   volume =       "91",
2330   number =       "13",
2331   pages =        "136101",
2332   numpages =     "4",
2333   year =         "2003",
2334   month =        sep,
2335   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2336   publisher =    "American Physical Society",
2337   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2338 }
2339
2340 @Article{borders71,
2341   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2342   collaboration = "",
2343   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2344                  {IMPLANTATION}",
2345   publisher =    "AIP",
2346   year =         "1971",
2347   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2348   volume =       "18",
2349   number =       "11",
2350   pages =        "509--511",
2351   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2352   doi =          "10.1063/1.1653516",
2353   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2354                  ideas",
2355 }
2356
2357 @Article{edelman76,
2358   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2359                  and E. V. Lubopytova",
2360   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2361                  by ion implantation",
2362   publisher =    "Taylor \& Francis",
2363   year =         "1976",
2364   journal =      "Radiation Effects",
2365   volume =       "29",
2366   number =       "1",
2367   pages =        "13--15",
2368   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2369   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2370                  single crystalline",
2371 }
2372
2373 @Article{akimchenko80,
2374   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2375                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2376   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2377                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2378   publisher =    "Taylor \& Francis",
2379   year =         "1980",
2380   journal =      "Radiation Effects",
2381   volume =       "48",
2382   number =       "1",
2383   pages =        "7",
2384   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2385   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2386 }
2387
2388 @Article{kimura81,
2389   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2390                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2391                  silicon",
2392   journal =      "Thin Solid Films",
2393   volume =       "81",
2394   number =       "4",
2395   pages =        "319--327",
2396   year =         "1981",
2397   note =         "",
2398   ISSN =         "0040-6090",
2399   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2400   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2401   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2402                  Yugo",
2403 }
2404
2405 @Article{kimura82,
2406   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2407                  the implantation of carbon ions into silicon",
2408   journal =      "Thin Solid Films",
2409   volume =       "94",
2410   number =       "3",
2411   pages =        "191--198",
2412   year =         "1982",
2413   note =         "",
2414   ISSN =         "0040-6090",
2415   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2416   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2417   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2418                  Yugo",
2419 }
2420
2421 @Article{reeson86,
2422   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2423                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2424                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2425   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2426                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2427   publisher =    "Taylor \& Francis",
2428   year =         "1986",
2429   journal =      "Radiation Effects",
2430   volume =       "99",
2431   number =       "1",
2432   pages =        "71--81",
2433   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2434   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2435                  no c redistribution",
2436 }
2437
2438 @Article{reeson87,
2439   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2440                  J. Davis and G. E. Celler",
2441   collaboration = "",
2442   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2443                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2444   publisher =    "AIP",
2445   year =         "1987",
2446   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2447   volume =       "51",
2448   number =       "26",
2449   pages =        "2242--2244",
2450   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2451                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2452   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2453   doi =          "10.1063/1.98953",
2454   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2455 }
2456
2457 @Article{martin90,
2458   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2459                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2460   collaboration = "",
2461   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2462   publisher =    "AIP",
2463   year =         "1990",
2464   journal =      "Journal of Applied Physics",
2465   volume =       "67",
2466   number =       "6",
2467   pages =        "2908--2912",
2468   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2469                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2470                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2471                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2472                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2473                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2474   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2475   doi =          "10.1063/1.346092",
2476   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2477                  temepratures",
2478 }
2479
2480 @Article{scace59,
2481   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2482   collaboration = "",
2483   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2484   publisher =    "AIP",
2485   year =         "1959",
2486   journal =      "J. Chem. Phys.",
2487   volume =       "30",
2488   number =       "6",
2489   pages =        "1551--1555",
2490   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2491   doi =          "10.1063/1.1730236",
2492   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2493 }
2494
2495 @Article{hofker74,
2496   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2497                  Koeman",
2498   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2499                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2500                  Netherlands",
2501   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2502                  charge carrier and boron concentration profiles",
2503   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2504   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2505   ISSN =         "0947-8396",
2506   keyword =      "Physics and Astronomy",
2507   pages =        "125--133",
2508   volume =       "4",
2509   issue =        "2",
2510   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2511   note =         "10.1007/BF00884267",
2512   year =         "1974",
2513   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2514 }
2515
2516 @Article{michel87,
2517   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2518                  H. Kastl",
2519   collaboration = "",
2520   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2521                  implanted boron into silicon",
2522   publisher =    "AIP",
2523   year =         "1987",
2524   journal =      "Applied Physics Letters",
2525   volume =       "50",
2526   number =       "7",
2527   pages =        "416--418",
2528   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2529                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2530                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2531   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2532   doi =          "10.1063/1.98160",
2533   notes =        "ted of boron in si",
2534 }
2535
2536 @Article{cowern90,
2537   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2538                  Jos",
2539   collaboration = "",
2540   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2541                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2542                  profiles",
2543   publisher =    "AIP",
2544   year =         "1990",
2545   journal =      "Journal of Applied Physics",
2546   volume =       "68",
2547   number =       "12",
2548   pages =        "6191--6198",
2549   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2550                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2551                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2552   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2553   doi =          "10.1063/1.346910",
2554   notes =        "ted of boron in si",
2555 }
2556
2557 @Article{cowern96,
2558   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2559                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2560   collaboration = "",
2561   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2562                  {B} in silicon",
2563   publisher =    "AIP",
2564   year =         "1996",
2565   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2566   volume =       "68",
2567   number =       "8",
2568   pages =        "1150--1152",
2569   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2570                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2571                  SILICON",
2572   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2573   doi =          "10.1063/1.115706",
2574   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2575 }
2576
2577 @Article{stolk95,
2578   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2579                  of the silicon self-interstitial",
2580   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2581   volume =       "96",
2582   number =       "1-2",
2583   pages =        "187--195",
2584   year =         "1995",
2585   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2586                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2587   ISSN =         "0168-583X",
2588   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2589   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2590   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2591                  and J. M. Poate",
2592 }
2593
2594 @Article{stolk97,
2595   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2596                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2597                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2598                  E. Haynes",
2599   collaboration = "",
2600   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2601                  diffusion in ion-implanted silicon",
2602   publisher =    "AIP",
2603   year =         "1997",
2604   journal =      "J. Appl. Phys.",
2605   volume =       "81",
2606   number =       "9",
2607   pages =        "6031--6050",
2608   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2609   doi =          "10.1063/1.364452",
2610   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2611 }
2612
2613 @Article{powell94,
2614   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2615   collaboration = "",
2616   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2617                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2618   publisher =    "AIP",
2619   year =         "1994",
2620   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2621   volume =       "64",
2622   number =       "3",
2623   pages =        "324--326",
2624   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2625                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2626                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2627                  SYNTHESIS",
2628   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2629   doi =          "10.1063/1.111195",
2630   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2631 }
2632
2633 @Article{soref91,
2634   author =       "Richard A. Soref",
2635   collaboration = "",
2636   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2637                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2638   publisher =    "AIP",
2639   year =         "1991",
2640   journal =      "J. Appl. Phys.",
2641   volume =       "70",
2642   number =       "4",
2643   pages =        "2470--2472",
2644   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2645                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2646                  TERNARY ALLOYS",
2647   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2648   doi =          "10.1063/1.349403",
2649   notes =        "band gap of strained si by c",
2650 }
2651
2652 @Article{kasper91,
2653   author =       "E Kasper",
2654   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2655                  possibility to produce direct band gap material",
2656   journal =      "Physica Scripta",
2657   volume =       "T35",
2658   pages =        "232--236",
2659   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2660   year =         "1991",
2661   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2662                  quasi-direct one",
2663 }
2664
2665 @Article{eberl92,
2666   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2667                  and F. K. LeGoues",
2668   collaboration = "",
2669   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2670                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2671   publisher =    "AIP",
2672   year =         "1992",
2673   journal =      "Applied Physics Letters",
2674   volume =       "60",
2675   number =       "24",
2676   pages =        "3033--3035",
2677   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2678                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2679                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2680                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2681                  STUDIES",
2682   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2683   doi =          "10.1063/1.106774",
2684 }
2685
2686 @Article{powell93,
2687   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2688                  Ek and S. S. Iyer",
2689   collaboration = "",
2690   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2691                  alloy layers",
2692   publisher =    "AVS",
2693   year =         "1993",
2694   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2695   volume =       "11",
2696   number =       "3",
2697   pages =        "1064--1068",
2698   location =     "Ottawa (Canada)",
2699   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2700                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2701                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2702                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2703   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2704   doi =          "10.1116/1.587008",
2705   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2706 }
2707
2708 @Article{powell93_2,
2709   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2710                  of the ternary system",
2711   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2712   volume =       "127",
2713   number =       "1-4",
2714   pages =        "425--429",
2715   year =         "1993",
2716   note =         "",
2717   ISSN =         "0022-0248",
2718   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2719   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2720   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2721                  Iyer",
2722 }
2723
2724 @Article{osten94,
2725   author =       "H. J. Osten",
2726   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2727                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2728   journal =      "physica status solidi (a)",
2729   volume =       "145",
2730   number =       "2",
2731   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2732   ISSN =         "1521-396X",
2733   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2734   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2735   pages =        "235--245",
2736   year =         "1994",
2737 }
2738
2739 @Article{dietrich94,
2740   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2741                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2742   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2743                  Methfessel and P. Zaumseil",
2744   journal =      "Phys. Rev. B",
2745   volume =       "49",
2746   number =       "24",
2747   pages =        "17185--17190",
2748   numpages =     "5",
2749   year =         "1994",
2750   month =        jun,
2751   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2752   publisher =    "American Physical Society",
2753 }
2754
2755 @Article{osten94_2,
2756   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2757   collaboration = "",
2758   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2759                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2760   publisher =    "AIP",
2761   year =         "1994",
2762   journal =      "Applied Physics Letters",
2763   volume =       "64",
2764   number =       "25",
2765   pages =        "3440--3442",
2766   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2767                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2768                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2769                  LATTICES",
2770   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2771   doi =          "10.1063/1.111235",
2772   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2773 }
2774
2775 @Article{iyer92,
2776   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2777                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2778   collaboration = "",
2779   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2780                  molecular beam epitaxy",
2781   publisher =    "AIP",
2782   year =         "1992",
2783   journal =      "Applied Physics Letters",
2784   volume =       "60",
2785   number =       "3",
2786   pages =        "356--358",
2787   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2788                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2789                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2790                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2791   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2792   doi =          "10.1063/1.106655",
2793 }
2794
2795 @Article{osten99,
2796   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2797   collaboration = "",
2798   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2799                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2800                  molecular beam epitaxy",
2801   publisher =    "AIP",
2802   year =         "1999",
2803   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2804   volume =       "74",
2805   number =       "6",
2806   pages =        "836--838",
2807   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2808                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2809                  compounds",
2810   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2811   doi =          "10.1063/1.123384",
2812   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2813 }
2814
2815 @Article{hohenberg64,
2816   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2817   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2818   journal =      "Phys. Rev.",
2819   volume =       "136",
2820   number =       "3B",
2821   pages =        "B864--B871",
2822   numpages =     "7",
2823   year =         "1964",
2824   month =        nov,
2825   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2826   publisher =    "American Physical Society",
2827   notes =        "density functional theory, dft",
2828 }
2829
2830 @Article{kohn65,
2831   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2832                  Correlation Effects",
2833   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2834   journal =      "Phys. Rev.",
2835   volume =       "140",
2836   number =       "4A",
2837   pages =        "A1133--A1138",
2838   numpages =     "5",
2839   year =         "1965",
2840   month =        nov,
2841   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2842   publisher =    "American Physical Society",
2843   notes =        "dft, exchange and correlation",
2844 }
2845
2846 @Article{ruecker94,
2847   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2848                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2849   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2850                  J. Osten",
2851   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2852   volume =       "72",
2853   number =       "22",
2854   pages =        "3578--3581",
2855   numpages =     "3",
2856   year =         "1994",
2857   month =        may,
2858   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2859   publisher =    "American Physical Society",
2860   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2861                  si, dft",
2862 }
2863
2864 @Article{yagi02,
2865   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2866                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2867                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2868   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2869                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2870   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2871   volume =       "41",
2872   number =       "Part 1, No. 4B",
2873   pages =        "2472--2475",
2874   numpages =     "3",
2875   year =         "2002",
2876   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2877   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2878   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2879   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2880 }
2881
2882 @Article{chang05,
2883   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2884                  Alloy",
2885   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2886   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2887   volume =       "44",
2888   number =       "4B",
2889   pages =        "2257--2262",
2890   numpages =     "5",
2891   year =         "2005",
2892   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2893   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2894   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2895   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2896 }
2897
2898 @Article{kissinger94,
2899   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2900                  Eichler",
2901   collaboration = "",
2902   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2903                  y] layers on Si(001)",
2904   publisher =    "AIP",
2905   year =         "1994",
2906   journal =      "Applied Physics Letters",
2907   volume =       "65",
2908   number =       "26",
2909   pages =        "3356--3358",
2910   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2911                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2912                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2913                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2914   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2915   doi =          "10.1063/1.112390",
2916   notes =        "strained si influence on optical properties",
2917 }
2918
2919 @Article{osten96,
2920   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2921                  Zaumseil",
2922   collaboration = "",
2923   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2924                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2925                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2926   publisher =    "AIP",
2927   year =         "1996",
2928   journal =      "Journal of Applied Physics",
2929   volume =       "80",
2930   number =       "12",
2931   pages =        "6711--6715",
2932   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2933                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2934                  XRD; STRAINS",
2935   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2936   doi =          "10.1063/1.363797",
2937   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2938 }
2939
2940 @Article{osten97,
2941   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2942   collaboration = "",
2943   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2944                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2945                  Si(001)",
2946   publisher =    "AIP",
2947   year =         "1997",
2948   journal =      "J. Appl. Phys.",
2949   volume =       "82",
2950   number =       "10",
2951   pages =        "4977--4981",
2952   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2953                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2954                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2955   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2956   doi =          "10.1063/1.366364",
2957   notes =        "charge transport in strained si",
2958 }
2959
2960 @Article{kapur04,
2961   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2962                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2963   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2964   journal =      "Phys. Rev. B",
2965   volume =       "69",
2966   number =       "15",
2967   pages =        "155214",
2968   numpages =     "8",
2969   year =         "2004",
2970   month =        apr,
2971   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2972   publisher =    "American Physical Society",
2973   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2974 }
2975
2976 @Article{barkema96,
2977   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2978                  Systems",
2979   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2980   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2981   volume =       "77",
2982   number =       "21",
2983   pages =        "4358--4361",
2984   numpages =     "3",
2985   year =         "1996",
2986   month =        nov,
2987   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2988   publisher =    "American Physical Society",
2989   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2990                  dynamic mds",
2991 }
2992
2993 @Article{cances09,
2994   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2995                  Minoukadeh and F. Willaime",
2996   collaboration = "",
2997   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2998                  technique method for finding transition pathways on
2999                  potential energy surfaces",
3000   publisher =    "AIP",
3001   year =         "2009",
3002   journal =      "J. Chem. Phys.",
3003   volume =       "130",
3004   number =       "11",
3005   eid =          "114711",
3006   numpages =     "6",
3007   pages =        "114711",
3008   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3009                  surfaces; vacancies (crystal)",
3010   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3011   doi =          "10.1063/1.3088532",
3012   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3013                  transition pathways",
3014 }
3015
3016 @Article{parrinello81,
3017   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3018   collaboration = "",
3019   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3020                  molecular dynamics method",
3021   publisher =    "AIP",
3022   year =         "1981",
3023   journal =      "J. Appl. Phys.",
3024   volume =       "52",
3025   number =       "12",
3026   pages =        "7182--7190",
3027   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3028                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3029                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3030                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3031                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3032                  IMPACT SHOCK",
3033   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3034   doi =          "10.1063/1.328693",
3035 }
3036
3037 @Article{stillinger85,
3038   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3039                  of silicon",
3040   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3041   journal =      "Phys. Rev. B",
3042   volume =       "31",
3043   number =       "8",
3044   pages =        "5262--5271",
3045   numpages =     "9",
3046   year =         "1985",
3047   month =        apr,
3048   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3049   publisher =    "American Physical Society",
3050 }
3051
3052 @Article{brenner90,
3053   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3054                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3055                  films",
3056   author =       "Donald W. Brenner",
3057   journal =      "Phys. Rev. B",
3058   volume =       "42",
3059   number =       "15",
3060   pages =        "9458--9471",
3061   numpages =     "13",
3062   year =         "1990",
3063   month =        nov,
3064   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3065   publisher =    "American Physical Society",
3066   notes =        "brenner hydro carbons",
3067 }
3068
3069 @Article{bazant96,
3070   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3071                  Cohesive Energy Curves",
3072   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3073   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3074   volume =       "77",
3075   number =       "21",
3076   pages =        "4370--4373",
3077   numpages =     "3",
3078   year =         "1996",
3079   month =        nov,
3080   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3081   publisher =    "American Physical Society",
3082   notes =        "first si edip",
3083 }
3084
3085 @Article{bazant97,
3086   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3087                  silicon",
3088   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3089                  Justo",
3090   journal =      "Phys. Rev. B",
3091   volume =       "56",
3092   number =       "14",
3093   pages =        "8542--8552",
3094   numpages =     "10",
3095   year =         "1997",
3096   month =        oct,
3097   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3098   publisher =    "American Physical Society",
3099   notes =        "second si edip",
3100 }
3101
3102 @Article{justo98,
3103   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3104                  disordered phases",
3105   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3106                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3107   journal =      "Phys. Rev. B",
3108   volume =       "58",
3109   number =       "5",
3110   pages =        "2539--2550",
3111   numpages =     "11",
3112   year =         "1998",
3113   month =        aug,
3114   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3115   publisher =    "American Physical Society",
3116   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3117 }
3118
3119 @Article{parcas_md,
3120   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3121   author =       "K. Nordlund",
3122   year =         "2008",
3123 }
3124
3125 @Article{voter97,
3126   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3127                  Infrequent Events",
3128   author =       "Arthur F. Voter",
3129   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3130   volume =       "78",
3131   number =       "20",
3132   pages =        "3908--3911",
3133   numpages =     "3",
3134   year =         "1997",
3135   month =        may,
3136   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3137   publisher =    "American Physical Society",
3138   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3139 }
3140
3141 @Article{voter97_2,
3142   author =       "Arthur F. Voter",
3143   collaboration = "",
3144   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3145                  simulation of infrequent events",
3146   publisher =    "AIP",
3147   year =         "1997",
3148   journal =      "J. Chem. Phys.",
3149   volume =       "106",
3150   number =       "11",
3151   pages =        "4665--4677",
3152   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3153                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3154                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3155                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3156                  theory; potential energy surfaces",
3157   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3158   doi =          "10.1063/1.473503",
3159   notes =        "improved hyperdynamics md",
3160 }
3161
3162 @Article{sorensen2000,
3163   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3164   collaboration = "",
3165   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3166                  infrequent events",
3167   publisher =    "AIP",
3168   year =         "2000",
3169   journal =      "J. Chem. Phys.",
3170   volume =       "112",
3171   number =       "21",
3172   pages =        "9599--9606",
3173   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3174                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3175   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3176   doi =          "10.1063/1.481576",
3177   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3178 }
3179
3180 @Article{voter98,
3181   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3182                  events",
3183   author =       "Arthur F. Voter",
3184   journal =      "Phys. Rev. B",
3185   volume =       "57",
3186   number =       "22",
3187   pages =        "R13985--R13988",
3188   numpages =     "3",
3189   year =         "1998",
3190   month =        jun,
3191   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3192   publisher =    "American Physical Society",
3193   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3194 }
3195
3196 @Article{wu99,
3197   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3198   collaboration = "",
3199   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3200                  simulation",
3201   publisher =    "AIP",
3202   year =         "1999",
3203   journal =      "J. Chem. Phys.",
3204   volume =       "110",
3205   number =       "19",
3206   pages =        "9401--9410",
3207   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3208                  potential; crystallisation; liquid theory",
3209   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3210   doi =          "10.1063/1.478948",
3211   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3212                  systematic motion",
3213 }
3214
3215 @Article{choudhary05,
3216   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3217   collaboration = "",
3218   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3219                  to the production of amorphous silicon",
3220   publisher =    "AIP",
3221   year =         "2005",
3222   journal =      "J. Chem. Phys.",
3223   volume =       "122",
3224   number =       "15",
3225   eid =          "154509",
3226   numpages =     "8",
3227   pages =        "154509",
3228   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3229                  amorphous semiconductors",
3230   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3231   doi =          "10.1063/1.1878733",
3232   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3233                  silicon",
3234 }
3235
3236 @Article{taylor93,
3237   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3238   collaboration = "",
3239   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3240                  difficult?",
3241   publisher =    "AIP",
3242   year =         "1993",
3243   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3244   volume =       "62",
3245   number =       "25",
3246   pages =        "3336--3338",
3247   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3248                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3249                  ENERGY",
3250   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3251   doi =          "10.1063/1.109063",
3252   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3253                  interstitials necessary for precipitation, volume
3254                  decrease, high interface energy",
3255 }
3256
3257 @Article{chaussende08,
3258   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3259   journal =      "J. Cryst. Growth",
3260   volume =       "310",
3261   number =       "5",
3262   pages =        "976--981",
3263   year =         "2008",
3264   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3265                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3266   ISSN =         "0022-0248",
3267   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3268   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3269   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3270                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3271                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3272                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3273   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3274                  metastable",
3275 }
3276
3277 @Article{chaussende07,
3278   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3279   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3280   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3281   volume =       "40",
3282   number =       "20",
3283   pages =        "6150",
3284   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3285   year =         "2007",
3286   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3287                  modelling",
3288 }
3289
3290 @Article{feynman39,
3291   title =        "Forces in Molecules",
3292   author =       "R. P. Feynman",
3293   journal =      "Phys. Rev.",
3294   volume =       "56",
3295   number =       "4",
3296   pages =        "340--343",
3297   numpages =     "3",
3298   year =         "1939",
3299   month =        aug,
3300   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3301   publisher =    "American Physical Society",
3302   notes =        "hellmann feynman forces",
3303 }
3304
3305 @Article{buczko00,
3306   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3307                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3308                  their Contrasting Properties",
3309   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3310                  T. Pantelides",
3311   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3312   volume =       "84",
3313   number =       "5",
3314   pages =        "943--946",
3315   numpages =     "3",
3316   year =         "2000",
3317   month =        jan,
3318   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3319   publisher =    "American Physical Society",
3320   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3321 }
3322
3323 @Article{djurabekova08,
3324   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3325                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3326   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3327   journal =      "Phys. Rev. B",
3328   volume =       "77",
3329   number =       "11",
3330   pages =        "115325",
3331   numpages =     "7",
3332   year =         "2008",
3333   month =        mar,
3334   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3335   publisher =    "American Physical Society",
3336   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3337                  angular distribution, coordination",
3338 }
3339
3340 @Article{wen09,
3341   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3342                  W. Liang and J. Zou",
3343   collaboration = "",
3344   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3345                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3346                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3347   publisher =    "AIP",
3348   year =         "2009",
3349   journal =      "J. Appl. Phys.",
3350   volume =       "106",
3351   number =       "7",
3352   eid =          "073522",
3353   numpages =     "8",
3354   pages =        "073522",
3355   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3356                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3357                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3358                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3359   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3360   doi =          "10.1063/1.3234380",
3361   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3362                  deconvolution, dislocation defects",
3363 }
3364
3365 @Article{kitabatake93,
3366   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3367                  Hirao",
3368   collaboration = "",
3369   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3370                  growth on Si(001) surface",
3371   publisher =    "AIP",
3372   year =         "1993",
3373   journal =      "J. Appl. Phys.",
3374   volume =       "74",
3375   number =       "7",
3376   pages =        "4438--4445",
3377   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3378                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3379                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3380   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3381   doi =          "10.1063/1.354385",
3382   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3383                  model, interface",
3384 }
3385
3386 @Article{kitabatake97,
3387   author =       "Makoto Kitabatake",
3388   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3389                  Heteroepitaxial Growth",
3390   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3391   year =         "1997",
3392   journal =      "physica status solidi (b)",
3393   volume =       "202",
3394   pages =        "405--420",
3395   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3396   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3397   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3398 }
3399
3400 @Article{chirita97,
3401   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3402                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3403                  dynamics study",
3404   journal =      "Thin Solid Films",
3405   volume =       "294",
3406   number =       "1-2",
3407   pages =        "47--49",
3408   year =         "1997",
3409   note =         "",
3410   ISSN =         "0040-6090",
3411   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3412   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3413   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3414   keywords =     "Strain relaxation",
3415   keywords =     "Interfaces",
3416   keywords =     "Thermal stability",
3417   keywords =     "Molecular dynamics",
3418   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3419 }
3420
3421 @Article{cicero02,
3422   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3423                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3424   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3425                  Catellani",
3426   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3427   volume =       "89",
3428   number =       "15",
3429   pages =        "156101",
3430   numpages =     "4",
3431   year =         "2002",
3432   month =        sep,
3433   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3434   publisher =    "American Physical Society",
3435   notes =        "sic/si interface study",
3436 }
3437
3438 @Article{pizzagalli03,
3439   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3440                  interface: Si{C}/Si(001)",
3441   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3442                  Catellani",
3443   journal =      "Phys. Rev. B",
3444   volume =       "68",
3445   number =       "19",
3446   pages =        "195302",
3447   numpages =     "10",
3448   year =         "2003",
3449   month =        nov,
3450   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3451   publisher =    "American Physical Society",
3452   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3453 }
3454
3455 @Article{tang07,
3456   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3457                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3458                  electron microscopy",
3459   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3460                  H. Zheng and J. W. Liang",
3461   journal =      "Phys. Rev. B",
3462   volume =       "75",
3463   number =       "18",
3464   pages =        "184103",
3465   numpages =     "7",
3466   year =         "2007",
3467   month =        may,
3468   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3469   publisher =    "American Physical Society",
3470   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3471                  si and c",
3472 }
3473
3474 @Article{hornstra58,
3475   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3476   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3477   volume =       "5",
3478   number =       "1-2",
3479   pages =        "129--141",
3480   year =         "1958",
3481   note =         "",
3482   ISSN =         "0022-3697",
3483   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3484   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3485   author =       "J. Hornstra",
3486   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3487 }
3488
3489 @Article{deguchi92,
3490   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3491                  Ion `Hot' Implantation",
3492   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3493                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3494   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3495   volume =       "31",
3496   number =       "Part 1, No. 2A",
3497   pages =        "343--347",
3498   numpages =     "4",
3499   year =         "1992",
3500   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3501   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3502   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3503   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3504                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3505 }
3506
3507 @Article{eichhorn99,
3508   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3509                  K{\"{o}}gler",
3510   collaboration = "",
3511   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3512                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3513                  synchrotron x-ray diffraction",
3514   publisher =    "AIP",
3515   year =         "1999",
3516   journal =      "J. Appl. Phys.",
3517   volume =       "86",
3518   number =       "8",
3519   pages =        "4184--4187",
3520   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3521                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3522                  precipitation; semiconductor doping",
3523   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3524   doi =          "10.1063/1.371344",
3525   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3526                  expansion of si lattice",
3527 }
3528
3529 @Article{eichhorn02,
3530   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3531                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3532   collaboration = "",
3533   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3534                  carbon ion implantation",
3535   publisher =    "AIP",
3536   year =         "2002",
3537   journal =      "J. Appl. Phys.",
3538   volume =       "91",
3539   number =       "3",
3540   pages =        "1287--1292",
3541   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3542                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3543                  electron microscopy",
3544   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3545   doi =          "10.1063/1.1428105",
3546   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3547                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3548 }
3549
3550 @Article{lucas10,
3551   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3552   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3553                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3554                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3555                  amorphous structures",
3556   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3557   volume =       "22",
3558   number =       "3",
3559   pages =        "035802",
3560   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3561   year =         "2010",
3562   notes =        "edip sic",
3563 }
3564
3565 @Article{godet03,
3566   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3567                  Beauchamp",
3568   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3569                  methods for silicon under large shear",
3570   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3571   volume =       "15",
3572   number =       "41",
3573   pages =        "6943",
3574   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3575   year =         "2003",
3576   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3577                  edip, tersoff, ab initio",
3578 }
3579
3580 @Article{moriguchi98,
3581   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3582                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3583   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3584   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3585   volume =       "37",
3586   number =       "Part 1, No. 2",
3587   pages =        "414--422",
3588   numpages =     "8",
3589   year =         "1998",
3590   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3591   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3592   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3593   notes =        "tersoff stringent test",
3594 }
3595
3596 @Article{mazzarolo01,
3597   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3598                  simulations",
3599   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3600                  Lulli and Eros Albertazzi",
3601   journal =      "Phys. Rev. B",
3602   volume =       "63",
3603   number =       "19",
3604   pages =        "195207",
3605   numpages =     "4",
3606   year =         "2001",
3607   month =        apr,
3608   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3609   publisher =    "American Physical Society",
3610 }
3611
3612 @Article{holmstroem08,
3613   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3614                  density functional theory molecular dynamics
3615                  simulations",
3616   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3617   journal =      "Phys. Rev. B",
3618   volume =       "78",
3619   number =       "4",
3620   pages =        "045202",
3621   numpages =     "6",
3622   year =         "2008",
3623   month =        jul,
3624   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3625   publisher =    "American Physical Society",
3626   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3627                  initio",
3628 }
3629
3630 @Article{nordlund97,
3631   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3632                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3633   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3634   volume =       "132",
3635   number =       "1",
3636   pages =        "45--54",
3637   year =         "1997",
3638   note =         "",
3639   ISSN =         "0168-583X",
3640   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3641   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3642   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3643   notes =        "repulsive ab initio potential",
3644 }
3645
3646 @Article{kresse96,
3647   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3648                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3649                  set",
3650   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3651   volume =       "6",
3652   number =       "1",
3653   pages =        "15--50",
3654   year =         "1996",
3655   note =         "",
3656   ISSN =         "0927-0256",
3657   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3658   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3659   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3660   notes =        "vasp ref",
3661 }
3662
3663 @Article{bloechl94,
3664   title =        "Projector augmented-wave method",
3665   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3666   journal =      "Phys. Rev. B",
3667   volume =       "50",
3668   number =       "24",
3669   pages =        "17953--17979",
3670   numpages =     "26",
3671   year =         "1994",
3672   month =        dec,
3673   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3674   publisher =    "American Physical Society",
3675   notes =        "paw method",
3676 }
3677
3678 @Article{hamann79,
3679   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3680   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3681   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3682   volume =       "43",
3683   number =       "20",
3684   pages =        "1494--1497",
3685   numpages =     "3",
3686   year =         "1979",
3687   month =        nov,
3688   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3689   publisher =    "American Physical Society",
3690   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3691 }
3692
3693 @Article{vanderbilt90,
3694   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3695                  eigenvalue formalism",
3696   author =       "David Vanderbilt",
3697   journal =      "Phys. Rev. B",
3698   volume =       "41",
3699   number =       "11",
3700   pages =        "7892--7895",
3701   numpages =     "3",
3702   year =         "1990",
3703   month =        apr,
3704   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3705   publisher =    "American Physical Society",
3706   notes =        "vasp pseudopotentials",
3707 }
3708
3709 @Article{perdew86,
3710   title =        "Accurate and simple density functional for the
3711                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3712                  approximation",
3713   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3714   journal =      "Phys. Rev. B",
3715   volume =       "33",
3716   number =       "12",
3717   pages =        "8800--8802",
3718   numpages =     "2",
3719   year =         "1986",
3720   month =        jun,
3721   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3722   publisher =    "American Physical Society",
3723   notes =        "rapid communication gga",
3724 }
3725
3726 @Article{perdew02,
3727   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3728                  correlation: {A} look backward and forward",
3729   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3730   volume =       "172",
3731   number =       "1-2",
3732   pages =        "1--6",
3733   year =         "1991",
3734   note =         "",
3735   ISSN =         "0921-4526",
3736   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3737   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3738   author =       "John P. Perdew",
3739   notes =        "gga overview",
3740 }
3741
3742 @Article{perdew92,
3743   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3744                  of the generalized gradient approximation for exchange
3745                  and correlation",
3746   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3747                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3748                  and Carlos Fiolhais",
3749   journal =      "Phys. Rev. B",
3750   volume =       "46",
3751   number =       "11",
3752   pages =        "6671--6687",
3753   numpages =     "16",
3754   year =         "1992",
3755   month =        sep,
3756   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3757   publisher =    "American Physical Society",
3758   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3759 }
3760
3761 @Article{baldereschi73,
3762   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3763   author =       "A. Baldereschi",
3764   journal =      "Phys. Rev. B",
3765   volume =       "7",
3766   number =       "12",
3767   pages =        "5212--5215",
3768   numpages =     "3",
3769   year =         "1973",
3770   month =        jun,
3771   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3772   publisher =    "American Physical Society",
3773   notes =        "mean value k point",
3774 }
3775
3776 @Article{zhu98,
3777   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3778                  diffusion in Si",
3779   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3780   volume =       "12",
3781   number =       "4",
3782   pages =        "309--318",
3783   year =         "1998",
3784   note =         "",
3785   ISSN =         "0927-0256",
3786   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3787   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3788   author =       "Jing Zhu",
3789   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3790   keywords =     "Boron dopant",
3791   keywords =     "Carbon dopant",
3792   keywords =     "Defect",
3793   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3794   keywords =     "Impurity cluster",
3795   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3796 }
3797
3798 @Article{nejim95,
3799   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3800   collaboration = "",
3801   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3802                  950 [degree]{C}",
3803   publisher =    "AIP",
3804   year =         "1995",
3805   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3806   volume =       "66",
3807   number =       "20",
3808   pages =        "2646--2648",
3809   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3810                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3811                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3812                  ELECTRON MICROSCOPY",
3813   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3814   doi =          "10.1063/1.113112",
3815   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3816                  self interstitials react with further implanted c",
3817 }
3818
3819 @Article{guedj98,
3820   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3821                  Kolodzey and A. Hairie",
3822   collaboration = "",
3823   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3824                  alloys",
3825   publisher =    "AIP",
3826   year =         "1998",
3827   journal =      "J. Appl. Phys.",
3828   volume =       "84",
3829   number =       "8",
3830   pages =        "4631--4633",
3831   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3832                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3833                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3834                  annealing",
3835   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3836   doi =          "10.1063/1.368703",
3837   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3838 }
3839
3840 @Article{jones04,
3841   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3842   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3843                  semiconductors",
3844   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3845   volume =       "16",
3846   number =       "27",
3847   pages =        "S2643",
3848   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3849   year =         "2004",
3850   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3851                  si",
3852 }
3853
3854 @Article{park02,
3855   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3856                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3857                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3858   collaboration = "",
3859   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3860                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3861                  molecular-beam epitaxy",
3862   publisher =    "AIP",
3863   year =         "2002",
3864   journal =      "J. Appl. Phys.",
3865   volume =       "91",
3866   number =       "9",
3867   pages =        "5716--5727",
3868   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3869   doi =          "10.1063/1.1465122",
3870   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3871 }
3872
3873 @Article{leary97,
3874   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3875                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3876   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3877                  Torres",
3878   journal =      "Phys. Rev. B",
3879   volume =       "55",
3880   number =       "4",
3881   pages =        "2188--2194",
3882   numpages =     "6",
3883   year =         "1997",
3884   month =        jan,
3885   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3886   publisher =    "American Physical Society",
3887   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3888                  energies, different migration barriers and paths",
3889 }
3890
3891 @Article{burnard93,
3892   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3893                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3894                  calculations",
3895   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3896   journal =      "Phys. Rev. B",
3897   volume =       "47",
3898   number =       "16",
3899   pages =        "10217--10225",
3900   numpages =     "8",
3901   year =         "1993",
3902   month =        apr,
3903   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3904   publisher =    "American Physical Society",
3905   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3906                  carbon defect, formation energies",
3907 }
3908
3909 @Article{besson91,
3910   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3911                  silicon",
3912   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3913   journal =      "Phys. Rev. B",
3914   volume =       "43",
3915   number =       "5",
3916   pages =        "4028--4033",
3917   numpages =     "5",
3918   year =         "1991",
3919   month =        feb,
3920   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3921   publisher =    "American Physical Society",
3922 }
3923
3924 @Article{kaxiras96,
3925   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3926                  and growth on semiconductors",
3927   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3928   volume =       "6",
3929   number =       "2",
3930   pages =        "158--172",
3931   year =         "1996",
3932   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3933                  Epitaxy",
3934   ISSN =         "0927-0256",
3935   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3936   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3937   author =       "Efthimios Kaxiras",
3938   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3939                  tight binding, first principles",
3940 }
3941
3942 @Article{kaukonen98,
3943   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3944                  diamond
3945                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3946                  surfaces",
3947   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3948                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3949                  Th. Frauenheim",
3950   journal =      "Phys. Rev. B",
3951   volume =       "57",
3952   number =       "16",
3953   pages =        "9965--9970",
3954   numpages =     "5",
3955   year =         "1998",
3956   month =        apr,
3957   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3958   publisher =    "American Physical Society",
3959   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3960                  (crt)",
3961 }
3962
3963 @Article{gali03,
3964   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3965                  center in Si{C}",
3966   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3967                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3968                  W. J. Choyke",
3969   journal =      "Phys. Rev. B",
3970   volume =       "67",
3971   number =       "15",
3972   pages =        "155203",
3973   numpages =     "5",
3974   year =         "2003",
3975   month =        apr,
3976   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3977   publisher =    "American Physical Society",
3978 }
3979
3980 @Article{chen98,
3981   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3982                  irradiation and deformation",
3983   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3984   volume =       "258-263",
3985   number =       "Part 2",
3986   pages =        "1803--1808",
3987   year =         "1998",
3988   note =         "",
3989   ISSN =         "0022-3115",
3990   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3991   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3992   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3993 }
3994
3995 @Article{weber01,
3996   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3997                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3998   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3999   volume =       "175-177",
4000   number =       "",
4001   pages =        "26--30",
4002   year =         "2001",
4003   note =         "",
4004   ISSN =         "0168-583X",
4005   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4007   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4008 }
4009
4010 @Article{bockstedte03,
4011   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4012                  in $3{C}-Si{C}$",
4013   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4014                  Pankratov",
4015   journal =      "Phys. Rev. B",
4016   volume =       "68",
4017   number =       "20",
4018   pages =        "205201",
4019   numpages =     "17",
4020   year =         "2003",
4021   month =        nov,
4022   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4023   publisher =    "American Physical Society",
4024   notes =        "defect migration in sic",
4025 }
4026
4027 @Article{rauls03a,
4028   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4029                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4030   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4031                  De\'ak",
4032   journal =      "Phys. Rev. B",
4033   volume =       "68",
4034   number =       "15",
4035   pages =        "155208",
4036   numpages =     "9",
4037   year =         "2003",
4038   month =        oct,
4039   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4040   publisher =    "American Physical Society",
4041 }
4042
4043 @Article{losev27,
4044   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4045   volume =       "44",
4046   pages =        "485--494",
4047   year =         "1927",
4048   author =       "O. V. Lossev",
4049 }
4050
4051 @Article{losev28,
4052   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4053                  oscillations with crystals",
4054   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4055   volume =       "6",
4056   number =       "39",
4057   pages =        "1024--1044",
4058   year =         "1928",
4059   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4060   author =       "O. V. Lossev",
4061 }
4062
4063 @Article{losev29,
4064   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4065   volume =       "30",
4066   pages =        "920--923",
4067   year =         "1929",
4068   author =       "O. V. Lossev",
4069 }
4070
4071 @Article{losev31,
4072   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4073   volume =       "32",
4074   pages =        "692--696",
4075   year =         "1931",
4076   author =       "O. V. Lossev",
4077 }
4078
4079 @Article{losev33,
4080   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4081   volume =       "34",
4082   pages =        "397--403",
4083   year =         "1933",
4084   author =       "O. V. Lossev",
4085 }
4086
4087 @Article{round07,
4088   title =        "A note on carborundum",
4089   journal =      "Electrical World",
4090   volume =       "49",
4091   pages =        "308",
4092   year =         "1907",
4093   author =       "H. J. Round",
4094 }
4095
4096 @Article{vashishath08,
4097   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4098   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4099   volume =       "2",
4100   number =       "03",
4101   pages =        "444--470",
4102   year =         "2008",
4103   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4104   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4105   notes =        "sic polytype electronic properties",
4106 }
4107
4108 @Article{nelson69,
4109   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4110   collaboration = "",
4111   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4112   publisher =    "AIP",
4113   year =         "1966",
4114   journal =      "Journal of Applied Physics",
4115   volume =       "37",
4116   number =       "1",
4117   pages =        "333--336",
4118   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4119   doi =          "10.1063/1.1707837",
4120   notes =        "sic melt growth",
4121 }
4122
4123 @Article{arkel25,
4124   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4125   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4126                  und Thoriummetall",
4127   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4128   year =         "1925",
4129   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4130   volume =       "148",
4131   pages =        "345--350",
4132   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4133   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4134   notes =        "van arkel apparatus",
4135 }
4136
4137 @Article{moers31,
4138   author =       "K. Moers",
4139   year =         "1931",
4140   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4141   volume =       "198",
4142   pages =        "293",
4143   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4144                  process",
4145 }
4146
4147 @Article{kendall53,
4148   author =       "J. T. Kendall",
4149   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4150   publisher =    "AIP",
4151   year =         "1953",
4152   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4153   volume =       "21",
4154   number =       "5",
4155   pages =        "821--827",
4156   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4157   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4158                  process",
4159 }
4160
4161 @Article{lely55,
4162   author =       "J. A. Lely",
4163   year =         "1955",
4164   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4165   volume =       "32",
4166   pages =        "229",
4167   notes =        "lely sublimation growth process",
4168 }
4169
4170 @Article{knippenberg63,
4171   author =       "W. F. Knippenberg",
4172   year =         "1963",
4173   journal =      "Philips Res. Repts.",
4174   volume =       "18",
4175   pages =        "161",
4176   notes =        "acheson process",
4177 }
4178
4179 @Article{hoffmann82,
4180   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4181                  Weyrich",
4182   collaboration = "",
4183   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4184                  improved external quantum efficiency",
4185   publisher =    "AIP",
4186   year =         "1982",
4187   journal =      "Journal of Applied Physics",
4188   volume =       "53",
4189   number =       "10",
4190   pages =        "6962--6967",
4191   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4192                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4193                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4194                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4195                  electroluminescence; spectra; current density;
4196                  optimization",
4197   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4198   doi =          "10.1063/1.330041",
4199   notes =        "blue led, sublimation process",
4200 }
4201
4202 @Article{neudeck95,
4203   author =       "Philip Neudeck",
4204   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4205                  Road 44135 Cleveland OH",
4206   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4207                  technology",
4208   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4209   publisher =    "Springer Boston",
4210   ISSN =         "0361-5235",
4211   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4212   pages =        "283--288",
4213   volume =       "24",
4214   issue =        "4",
4215   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4216   note =         "10.1007/BF02659688",
4217   year =         "1995",
4218   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4219 }
4220
4221 @Article{bhatnagar93,
4222   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4223   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4224   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4225                  devices",
4226   year =         "1993",
4227   month =        mar,
4228   volume =       "40",
4229   number =       "3",
4230   pages =        "645--655",
4231   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4232                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4233                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4234                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4235                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4236                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4237                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4238                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4239   doi =          "10.1109/16.199372",
4240   ISSN =         "0018-9383",
4241   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4242 }
4243
4244 @Article{neudeck94,
4245   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4246                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4247   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4248   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4249                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4250                  6{H}-Si{C} substrates",
4251   year =         "1994",
4252   month =        may,
4253   volume =       "41",
4254   number =       "5",
4255   pages =        "826--835",
4256   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4257                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4258                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4259                  properties;epitaxial layers;light
4260                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4261                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4262                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4263                  currents;power electronics;semiconductor
4264                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4265                  growth;semiconductor materials;silicon
4266                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4267                  phase epitaxial growth;",
4268   doi =          "10.1109/16.285038",
4269   ISSN =         "0018-9383",
4270   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4271                  substrate",
4272 }
4273
4274 @Article{schulze98,
4275   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4276   collaboration = "",
4277   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4278                  single crystals by physical vapor transport",
4279   publisher =    "AIP",
4280   year =         "1998",
4281   journal =      "Applied Physics Letters",
4282   volume =       "72",
4283   number =       "13",
4284   pages =        "1632--1634",
4285   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4286                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4287                  photoluminescence; Hall mobility",
4288   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4289   doi =          "10.1063/1.121136",
4290   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4291 }
4292
4293 @Article{pirouz87,
4294   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4295   collaboration = "",
4296   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4297   publisher =    "AIP",
4298   year =         "1987",
4299   journal =      "Applied Physics Letters",
4300   volume =       "50",
4301   number =       "4",
4302   pages =        "221--223",
4303   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4304                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4305                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4306                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4307                  BOUNDARIES",
4308   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4309   doi =          "10.1063/1.97667",
4310   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4311 }
4312
4313 @Article{shibahara86,
4314   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4315                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4317   volume =       "78",
4318   number =       "3",
4319   pages =        "538--544",
4320   year =         "1986",
4321   note =         "",
4322   ISSN =         "0022-0248",
4323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4325   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4326                  Matsunami",
4327   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4328 }
4329
4330 @Article{desjardins96,
4331   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4332   collaboration = "",
4333   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4334   publisher =    "AIP",
4335   year =         "1996",
4336   journal =      "Journal of Applied Physics",
4337   volume =       "79",
4338   number =       "3",
4339   pages =        "1423--1434",
4340   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4341                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4342   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4343   doi =          "10.1063/1.360980",
4344   notes =        "apb model",
4345 }
4346
4347 @Article{henke95,
4348   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4349   collaboration = "",
4350   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4351                  carbonization of silicon",
4352   publisher =    "AIP",
4353   year =         "1995",
4354   journal =      "Journal of Applied Physics",
4355   volume =       "78",
4356   number =       "3",
4357   pages =        "2070--2073",
4358   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4359                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4360                  STRUCTURE",
4361   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4362   doi =          "10.1063/1.360184",
4363   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4364 }
4365
4366 @Article{fuyuki89,
4367   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4368                  {MBE} using surface superstructure",
4369   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4370   volume =       "95",
4371   number =       "1-4",
4372   pages =        "461--463",
4373   year =         "1989",
4374   note =         "",
4375   ISSN =         "0022-0248",
4376   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4377   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4378   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4379                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4380   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4381 }
4382
4383 @Article{yoshinobu92,
4384   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4385                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4386   collaboration = "",
4387   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4388                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4389                  molecular beam epitaxy",
4390   publisher =    "AIP",
4391   year =         "1992",
4392   journal =      "Applied Physics Letters",
4393   volume =       "60",
4394   number =       "7",
4395   pages =        "824--826",
4396   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4397                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4398                  INTERFACE STRUCTURE",
4399   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4400   doi =          "10.1063/1.107430",
4401   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4402 }
4403
4404 @Article{yoshinobu90,
4405   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4406                  cubic Si{C}",
4407   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4408   volume =       "99",
4409   number =       "1-4",
4410   pages =        "520--524",
4411   year =         "1990",
4412   note =         "",
4413   ISSN =         "0022-0248",
4414   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4415   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4416   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4417                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4418   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4419 }
4420
4421 @Article{fuyuki93,
4422   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4423                  superstructures in Si{C}",
4424   journal =      "Thin Solid Films",
4425   volume =       "225",
4426   number =       "1-2",
4427   pages =        "225--229",
4428   year =         "1993",
4429   note =         "",
4430   ISSN =         "0040-6090",
4431   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4432   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4433   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4434                  Matsunami",
4435   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4436                  epitaxy, ale",
4437 }
4438
4439 @Article{hara93,
4440   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4441                  growth of [beta]-Si{C}",
4442   journal =      "Thin Solid Films",
4443   volume =       "225",
4444   number =       "1-2",
4445   pages =        "240--243",
4446   year =         "1993",
4447   note =         "",
4448   ISSN =         "0040-6090",
4449   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4450   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4451   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4452                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4453   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4454                  epitaxy, ale",
4455 }
4456
4457 @Article{tanaka94,
4458   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4459   collaboration = "",
4460   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4461                  growth mode and polytype formation during gas-source
4462                  molecular beam epitaxy",
4463   publisher =    "AIP",
4464   year =         "1994",
4465   journal =      "Applied Physics Letters",
4466   volume =       "65",
4467   number =       "22",
4468   pages =        "2851--2853",
4469   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4470                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4471                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4472                  FLOW; FLOW RATE",
4473   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4474   doi =          "10.1063/1.112513",
4475   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4476 }
4477
4478 @Article{fuyuki97,
4479   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4480   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4481                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4482   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4483   year =         "1997",
4484   journal =      "physica status solidi (b)",
4485   volume =       "202",
4486   pages =        "359--378",
4487   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4488                  temperatures 750",
4489 }
4490
4491 @Article{takaoka98,
4492   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4493   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4494   volume =       "183",
4495   number =       "1-2",
4496   pages =        "175--182",
4497   year =         "1998",
4498   note =         "",
4499   ISSN =         "0022-0248",
4500   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4501   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4502   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4503   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4504   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4505   keywords =     "Silicon carbide",
4506   keywords =     "Silicon",
4507   keywords =     "Island growth",
4508   notes =        "lower temperature, 550-700",
4509 }
4510
4511 @Article{hatayama95,
4512   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4513                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4514                  molecular beam epitaxy",
4515   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4516   volume =       "150",
4517   number =       "Part 2",
4518   pages =        "934--938",
4519   year =         "1995",
4520   note =         "",
4521   ISSN =         "0022-0248",
4522   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4523   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4524   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4525                  and Hiroyuki Matsunami",
4526 }
4527
4528 @Article{heine91,
4529   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4530   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4531                  Metastable Cubic Form",
4532   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4533   volume =       "74",
4534   number =       "10",
4535   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4536   ISSN =         "1551-2916",
4537   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4538   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4539   pages =        "2630--2633",
4540   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4541                  calculations, stability",
4542   year =         "1991",
4543   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4544                  polytype dft calculation refs",
4545 }
4546
4547 @Article{allendorf91,
4548   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4549                  [beta]-silicon carbide",
4550   journal =      "Surface Science",
4551   volume =       "258",
4552   number =       "1-3",
4553   pages =        "177--189",
4554   year =         "1991",
4555   note =         "",
4556   ISSN =         "0039-6028",
4557   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4558   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4559   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4560   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4561 }
4562
4563 @Article{eaglesham93,
4564   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4565                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4566   collaboration = "",
4567   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4568   publisher =    "AIP",
4569   year =         "1993",
4570   journal =      "Journal of Applied Physics",
4571   volume =       "74",
4572   number =       "11",
4573   pages =        "6615--6618",
4574   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4575                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4576                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4577   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4578   doi =          "10.1063/1.355101",
4579   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4580                  mobility",
4581 }
4582
4583 @Article{newman85,
4584   author =       "Ronald C. Newman",
4585   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4586   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4587   volume =       "59",
4588   number =       "",
4589   pages =        "403",
4590   year =         "1985",
4591   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4592   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4593   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4594 }
4595
4596 @Article{newman61,
4597   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4598   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4599   volume =       "19",
4600   number =       "3-4",
4601   pages =        "230--234",
4602   year =         "1961",
4603   note =         "",
4604   ISSN =         "0022-3697",
4605   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4607   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4608   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4609 }
4610
4611 @Article{goesele85,
4612   author =       "U. Gösele",
4613   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4614   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4615   volume =       "59",
4616   number =       "",
4617   pages =        "419",
4618   year =         "1985",
4619   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4620   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4621   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4622 }
4623
4624 @Article{mukashev82,
4625   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4626   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4627                  Fukuoka and Haruo Saito",
4628   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4629   volume =       "21",
4630   number =       "Part 1, No. 2",
4631   pages =        "399--400",
4632   numpages =     "1",
4633   year =         "1982",
4634   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4635   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4636   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4637 }
4638
4639 @Article{puska98,
4640   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4641                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4642   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4643                  M. Nieminen",
4644   journal =      "Phys. Rev. B",
4645   volume =       "58",
4646   number =       "3",
4647   pages =        "1318--1325",
4648   numpages =     "7",
4649   year =         "1998",
4650   month =        jul,
4651   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4652   publisher =    "American Physical Society",
4653   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4654                  silicon",
4655 }
4656
4657 @Article{serre95,
4658   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4659                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4660                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4661   collaboration = "",
4662   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4663                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4664   publisher =    "AIP",
4665   year =         "1995",
4666   journal =      "Journal of Applied Physics",
4667   volume =       "77",
4668   number =       "7",
4669   pages =        "2978--2984",
4670   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4671                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4672                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4673                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4674   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4675   doi =          "10.1063/1.358714",
4676 }
4677
4678 @Article{romano-rodriguez96,
4679   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4680                  dose carbon ion implantation in silicon",
4681   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4682   volume =       "36",
4683   number =       "1-3",
4684   pages =        "282--285",
4685   year =         "1996",
4686   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4687                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4688                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4689                  Semiconductors",
4690   ISSN =         "0921-5107",
4691   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4693   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4694                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4695                  and W. Skorupa",
4696   keywords =     "Silicon",
4697   keywords =     "Ion implantation",
4698   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4699 }