bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   volume =       "22",
 140   pages =        "19",
 141   year =         "1997",
 142 }
 143
 144 @Article{fischer90,
 145   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 146   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 147                  carbide",
 148   journal =      "Philos. Mag. B",
 149   volume =       "61",
 150   pages =        "217--236",
 151   year =         "1990",
 152   notes =        "sic polytypes",
 153 }
 154
 155 @Article{koegler03,
 156   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 157                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 158                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 159   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 160                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 161                  ions",
 162   journal =      "Appl. Phys. A",
 163   volume =       "76",
 164   pages =        "827--835",
 165   month =        mar,
 166   year =         "2003",
 167   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 168   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 169                  precipitation by interstitial and substitutional
 170                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 171 }
 172
 173 @Article{skorupa96,
 174   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 175                  silicon-related materials",
 176   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 177   volume =       "44",
 178   number =       "2",
 179   pages =        "101--143",
 180   year =         "1996",
 181   note =         "",
 182   ISSN =         "0254-0584",
 183   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 184   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 185   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 186   notes =        "review of silicon carbon compound",
 187 }
 188
 189 @Book{laplace,
 190   author =       "P. S. de Laplace",
 191   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 192   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 193   volume =       "VII",
 194   publisher =    "Gauthier-Villars",
 195   year =         "1820",
 196 }
 197
 198 @Article{mattoni2007,
 199   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 200   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 201                  materials}",
 202   journal =      "Phys. Rev. B",
 203   year =         "2007",
 204   month =        dec,
 205   volume =       "76",
 206   number =       "22",
 207   pages =        "224103",
 208   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 209   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 210                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 211                  fracture, more available potentials, universal energy
 212                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 213 }
 214
 215 @Article{balamane92,
 216   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 217                  potentials",
 218   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 219   journal =      "Phys. Rev. B",
 220   volume =       "46",
 221   number =       "4",
 222   pages =        "2250--2279",
 223   numpages =     "29",
 224   year =         "1992",
 225   month =        jul,
 226   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 227   publisher =    "American Physical Society",
 228   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 229 }
 230
 231 @Article{koster2002,
 232   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 233                  bombardment",
 234   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "62",
 237   number =       "16",
 238   pages =        "11219--11224",
 239   numpages =     "5",
 240   year =         "2000",
 241   month =        oct,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 245 }
 246
 247 @Article{breadmore99,
 248   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 249                  amorphization of silicon",
 250   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 251   journal =      "Phys. Rev. B",
 252   volume =       "60",
 253   number =       "18",
 254   pages =        "12610--12616",
 255   numpages =     "6",
 256   year =         "1999",
 257   month =        nov,
 258   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 259   publisher =    "American Physical Society",
 260   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 261 }
 262
 263 @Article{nielsen83,
 264   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 265   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 266   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 267   volume =       "50",
 268   number =       "9",
 269   pages =        "697--700",
 270   numpages =     "3",
 271   year =         "1983",
 272   month =        feb,
 273   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 274   publisher =    "American Physical Society",
 275   notes =        "generalization of virial theorem",
 276 }
 277
 278 @Article{nielsen85,
 279   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 280   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 281   journal =      "Phys. Rev. B",
 282   volume =       "32",
 283   number =       "6",
 284   pages =        "3780--3791",
 285   numpages =     "11",
 286   year =         "1985",
 287   month =        sep,
 288   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 289   publisher =    "American Physical Society",
 290   notes =        "dft virial stress and forces",
 291 }
 292
 293 @Article{moissan04,
 294   author =       "Henri Moissan",
 295   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 296                  Diablo",
 297   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 298   volume =       "139",
 299   pages =        "773--786",
 300   year =         "1904",
 301 }
 302
 303 @Book{park98,
 304   author =       "Y. S. Park",
 305   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 306   publisher =    "Academic Press",
 307   address =      "San Diego",
 308   year =         "1998",
 309 }
 310
 311 @Article{tsvetkov98,
 312   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 313                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 314   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 315   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 316   volume =       "264-268",
 317   pages =        "3--8",
 318   year =         "1998",
 319   notes =        "modified lely process, micropipes",
 320 }
 321
 322 @Article{verlet67,
 323   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 324                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 325   author =       "Loup Verlet",
 326   journal =      "Phys. Rev.",
 327   volume =       "159",
 328   number =       "1",
 329   pages =        "98",
 330   year =         "1967",
 331   month =        jul,
 332   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 333   publisher =    "American Physical Society",
 334   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 335                  motion",
 336 }
 337
 338 @Article{berendsen84,
 339   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 340                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 341   collaboration = "",
 342   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 343   publisher =    "AIP",
 344   year =         "1984",
 345   journal =      "J. Chem. Phys.",
 346   volume =       "81",
 347   number =       "8",
 348   pages =        "3684--3690",
 349   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 350                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 351   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 352   doi =          "10.1063/1.448118",
 353   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 354 }
 355
 356 @Article{huang95,
 357   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 358                  Baskes",
 359   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 360                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 361                  potentials",
 362   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 363   volume =       "3",
 364   number =       "5",
 365   pages =        "615--627",
 366   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 367   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 368                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 369   year =         "1995",
 370 }
 371
 372 @Article{brenner89,
 373   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 374                  Tersoff potentials",
 375   author =       "Donald W. Brenner",
 376   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 377   volume =       "63",
 378   number =       "9",
 379   pages =        "1022",
 380   numpages =     "1",
 381   year =         "1989",
 382   month =        aug,
 383   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 384   publisher =    "American Physical Society",
 385   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 386 }
 387
 388 @Article{batra87,
 389   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 390                  silicon",
 391   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 392   journal =      "Phys. Rev. B",
 393   volume =       "35",
 394   number =       "18",
 395   pages =        "9552--9558",
 396   numpages =     "6",
 397   year =         "1987",
 398   month =        jun,
 399   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 400   publisher =    "American Physical Society",
 401   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 402                  calculation of defect formation energy, defect
 403                  interstitial types",
 404 }
 405
 406 @Article{schober89,
 407   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 408   author =       "H. R. Schober",
 409   journal =      "Phys. Rev. B",
 410   volume =       "39",
 411   number =       "17",
 412   pages =        "13013--13015",
 413   numpages =     "2",
 414   year =         "1989",
 415   month =        jun,
 416   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 417   publisher =    "American Physical Society",
 418   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 419                  dumbbell configuration",
 420 }
 421
 422 @Article{gao02a,
 423   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 424                  Defect accumulation, topological features, and
 425                  disordering",
 426   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 427   journal =      "Phys. Rev. B",
 428   volume =       "66",
 429   number =       "2",
 430   pages =        "024106",
 431   numpages =     "10",
 432   year =         "2002",
 433   month =        jul,
 434   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 435   publisher =    "American Physical Society",
 436   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 437                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 438                  result analyze",
 439 }
 440
 441 @Article{devanathan98,
 442   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 443                  cascade in Si{C}",
 444   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 445   volume =       "141",
 446   number =       "1-4",
 447   pages =        "118--122",
 448   year =         "1998",
 449   ISSN =         "0168-583X",
 450   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 451   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 452                  Rubia",
 453   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 454                  3c-sic",
 455 }
 456
 457 @Article{devanathan98_2,
 458   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 459   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 460   volume =       "253",
 461   number =       "1-3",
 462   pages =        "47--52",
 463   year =         "1998",
 464   ISSN =         "0022-3115",
 465   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 466   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 467                  Weber",
 468   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 469                  tersoff",
 470 }
 471
 472 @Article{kitabatake00,
 473   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 474   author =       "M. Kitabatake",
 475   journal =      "Thin Solid Films",
 476   volume =       "369",
 477   pages =        "257--264",
 478   numpages =     "8",
 479   year =         "2000",
 480   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 481 }
 482
 483 @Article{tang97,
 484   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 485                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 486                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 487                  formation volumes",
 488   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 489                  Rubia",
 490   journal =      "Phys. Rev. B",
 491   volume =       "55",
 492   number =       "21",
 493   pages =        "14279--14289",
 494   numpages =     "10",
 495   year =         "1997",
 496   month =        jun,
 497   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 498   publisher =    "American Physical Society",
 499   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 500 }
 501
 502 @Article{johnson98,
 503   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 504                  Rubia",
 505   collaboration = "",
 506   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 507                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 508                  presence of carbon and boron",
 509   publisher =    "AIP",
 510   year =         "1998",
 511   journal =      "J. Appl. Phys.",
 512   volume =       "84",
 513   number =       "4",
 514   pages =        "1963--1967",
 515   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 516                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 517                  semiconductors; self-diffusion",
 518   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 519   doi =          "10.1063/1.368328",
 520   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 521                  diffsuion",
 522 }
 523
 524 @Article{bar-yam84,
 525   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 526                  Self-Interstitial",
 527   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 528   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 529   volume =       "52",
 530   number =       "13",
 531   pages =        "1129--1132",
 532   numpages =     "3",
 533   year =         "1984",
 534   month =        mar,
 535   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 536   publisher =    "American Physical Society",
 537   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 538 }
 539
 540 @Article{bar-yam84_2,
 541   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 542                  barriers of silicon self-interstitials",
 543   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 544   journal =      "Phys. Rev. B",
 545   volume =       "30",
 546   number =       "4",
 547   pages =        "1844--1852",
 548   numpages =     "8",
 549   year =         "1984",
 550   month =        aug,
 551   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 552   publisher =    "American Physical Society",
 553 }
 554
 555 @Article{bloechl93,
 556   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 557                  constants in silicon",
 558   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 559                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 561   volume =       "70",
 562   number =       "16",
 563   pages =        "2435--2438",
 564   numpages =     "3",
 565   year =         "1993",
 566   month =        apr,
 567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 568   publisher =    "American Physical Society",
 569   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 570                  entropy calculations",
 571 }
 572
 573 @Article{munro99,
 574   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 575   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 576   journal =      "Phys. Rev. B",
 577   volume =       "59",
 578   number =       "6",
 579   pages =        "3969--3980",
 580   numpages =     "11",
 581   year =         "1999",
 582   month =        feb,
 583   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 584   publisher =    "American Physical Society",
 585   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 586                  defect migration mechanisms",
 587 }
 588
 589 @Article{colombo02,
 590   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 591                  silicon",
 592   author =       "L. Colombo",
 593   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 594   volume =       "32",
 595   pages =        "271--295",
 596   numpages =     "25",
 597   year =         "2002",
 598   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 599   publisher =    "Annual Reviews",
 600   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 601 }
 602
 603 @Article{al-mushadani03,
 604   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 605                  silicon",
 606   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 607   journal =      "Phys. Rev. B",
 608   volume =       "68",
 609   number =       "23",
 610   pages =        "235205",
 611   numpages =     "8",
 612   year =         "2003",
 613   month =        dec,
 614   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 615   publisher =    "American Physical Society",
 616   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 617                  silicon, si self interstitials, free energy",
 618 }
 619
 620 @Article{mattsson08,
 621   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 622                  formation energy",
 623   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 624                  Armiento",
 625   journal =      "Phys. Rev. B",
 626   volume =       "77",
 627   number =       "15",
 628   pages =        "155211",
 629   numpages =     "7",
 630   year =         "2008",
 631   month =        apr,
 632   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 633   publisher =    "American Physical Society",
 634   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 635 }
 636
 637 @Article{goedecker02,
 638   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 639   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 640   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 641   volume =       "88",
 642   number =       "23",
 643   pages =        "235501",
 644   numpages =     "4",
 645   year =         "2002",
 646   month =        may,
 647   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 648   publisher =    "American Physical Society",
 649   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 650                  silicon",
 651 }
 652
 653 @Article{sahli05,
 654   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 655                  self-interstitial diffusion in silicon",
 656   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 657   journal =      "Phys. Rev. B",
 658   volume =       "72",
 659   number =       "24",
 660   pages =        "245210",
 661   numpages =     "6",
 662   year =         "2005",
 663   month =        dec,
 664   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 665   publisher =    "American Physical Society",
 666   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 667                  mapping applied",
 668 }
 669
 670 @Article{hobler05,
 671   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 672                  native point defects in silicon",
 673   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 674   volume =       "124-125",
 675   number =       "",
 676   pages =        "368--371",
 677   year =         "2005",
 678   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 679                  Issues for Future Technologies",
 680   ISSN =         "0921-5107",
 681   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 682   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 683   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 684   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 685                  radius",
 686 }
 687
 688 @Article{ma10,
 689   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 690                  wide temperature range: Point defect states and
 691                  migration mechanisms",
 692   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 693   journal =      "Phys. Rev. B",
 694   volume =       "81",
 695   number =       "19",
 696   pages =        "193203",
 697   numpages =     "4",
 698   year =         "2010",
 699   month =        may,
 700   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 701   publisher =    "American Physical Society",
 702   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 703 }
 704
 705 @Article{posselt06,
 706   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 707                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 708   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 709   journal =      "Phys. Rev. B",
 710   volume =       "73",
 711   number =       "12",
 712   pages =        "125206",
 713   numpages =     "8",
 714   year =         "2006",
 715   month =        mar,
 716   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 717   publisher =    "American Physical Society",
 718 }
 719
 720 @Article{posselt08,
 721   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 722                  migration mechanisms of vacancies and
 723                  self-interstitials: An atomistic study",
 724   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 725   journal =      "Phys. Rev. B",
 726   volume =       "78",
 727   number =       "3",
 728   pages =        "035208",
 729   numpages =     "9",
 730   year =         "2008",
 731   month =        jul,
 732   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 733   publisher =    "American Physical Society",
 734   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 735                  weber and tersoff",
 736 }
 737
 738 @Article{gao2001,
 739   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 740                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 741   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 742                  Corrales",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "64",
 745   number =       "24",
 746   pages =        "245208",
 747   numpages =     "7",
 748   year =         "2001",
 749   month =        dec,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "defects in 3c-sic",
 753 }
 754
 755 @Article{gao02,
 756   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 757                  3{C}-Si{C}",
 758   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 759   volume =       "191",
 760   number =       "1-4",
 761   pages =        "487--496",
 762   year =         "2002",
 763   note =         "",
 764   ISSN =         "0168-583X",
 765   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 766   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 767   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 768   keywords =     "Empirical potential",
 769   keywords =     "Defect properties",
 770   keywords =     "Silicon carbide",
 771   keywords =     "Computer simulation",
 772   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 773 }
 774
 775 @Article{gao04,
 776   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 777                  3{C}-Si{C}",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 779                  Belko",
 780   journal =      "Phys. Rev. B",
 781   volume =       "69",
 782   number =       "24",
 783   pages =        "245205",
 784   numpages =     "5",
 785   year =         "2004",
 786   month =        jun,
 787   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 788   publisher =    "American Physical Society",
 789   notes =        "defect migration in sic",
 790 }
 791
 792 @Article{gao07,
 793   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 794                  W. J. Weber",
 795   collaboration = "",
 796   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 797                  in cubic silicon carbide",
 798   publisher =    "AIP",
 799   year =         "2007",
 800   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 801   volume =       "90",
 802   number =       "22",
 803   eid =          "221915",
 804   numpages =     "3",
 805   pages =        "221915",
 806   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 807                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 808                  dynamics method; density functional theory;
 809                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 810                  impurities; diffusion",
 811   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 812   doi =          "10.1063/1.2743751",
 813 }
 814
 815 @Article{mattoni2002,
 816   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 817                  crystalline silicon",
 818   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 819   journal =      "Phys. Rev. B",
 820   volume =       "66",
 821   number =       "19",
 822   pages =        "195214",
 823   numpages =     "6",
 824   year =         "2002",
 825   month =        nov,
 826   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 827   publisher =    "American Physical Society",
 828   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 829                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 830                  tersoff suitability",
 831 }
 832
 833 @Article{leung99,
 834   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 835   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 836                  Itoh and S. Ihara",
 837   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 838   volume =       "83",
 839   number =       "12",
 840   pages =        "2351--2354",
 841   numpages =     "3",
 842   year =         "1999",
 843   month =        sep,
 844   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 845   publisher =    "American Physical Society",
 846   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 847                  refs",
 848 }
 849
 850 @Article{capaz94,
 851   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 852                  carbon in silicon",
 853   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 854   journal =      "Phys. Rev. B",
 855   volume =       "50",
 856   number =       "11",
 857   pages =        "7439--7442",
 858   numpages =     "3",
 859   year =         "1994",
 860   month =        sep,
 861   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 862   publisher =    "American Physical Society",
 863   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 864                  dumbbell",
 865 }
 866
 867 @Article{capaz98,
 868   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 869   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 870   journal =      "Phys. Rev. B",
 871   volume =       "58",
 872   number =       "15",
 873   pages =        "9845--9850",
 874   numpages =     "5",
 875   year =         "1998",
 876   month =        oct,
 877   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 878   publisher =    "American Physical Society",
 879   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 880 }
 881
 882 @Article{song90_2,
 883   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 884                  pair in silicon",
 885   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 886                  Watkins",
 887   journal =      "Phys. Rev. B",
 888   volume =       "42",
 889   number =       "9",
 890   pages =        "5765--5783",
 891   numpages =     "18",
 892   year =         "1990",
 893   month =        sep,
 894   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 895   publisher =    "American Physical Society",
 896   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 897 }
 898
 899 @Article{liu02,
 900   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 901                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 902   collaboration = "",
 903   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 904                  interactions in Si",
 905   publisher =    "AIP",
 906   year =         "2002",
 907   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 908   volume =       "80",
 909   number =       "1",
 910   pages =        "52--54",
 911   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 912                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 913                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 914   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 915   doi =          "10.1063/1.1430505",
 916   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 917 }
 918
 919 @Article{dal_pino93,
 920   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 921                  silicon",
 922   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 923                  Joannopoulos",
 924   journal =      "Phys. Rev. B",
 925   volume =       "47",
 926   number =       "19",
 927   pages =        "12554--12557",
 928   numpages =     "3",
 929   year =         "1993",
 930   month =        may,
 931   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 932   publisher =    "American Physical Society",
 933   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 934 }
 935
 936 @Article{car84,
 937   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 938                  Silicon",
 939   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 940                  Sokrates T. Pantelides",
 941   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 942   volume =       "52",
 943   number =       "20",
 944   pages =        "1814--1817",
 945   numpages =     "3",
 946   year =         "1984",
 947   month =        may,
 948   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 949   publisher =    "American Physical Society",
 950   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 951                  path formation",
 952 }
 953
 954 @Article{car85,
 955   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 956                  Density-Functional Theory",
 957   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 958   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 959   volume =       "55",
 960   number =       "22",
 961   pages =        "2471--2474",
 962   numpages =     "3",
 963   year =         "1985",
 964   month =        nov,
 965   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 966   publisher =    "American Physical Society",
 967   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 968 }
 969
 970 @Article{kelires97,
 971   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 972                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 973   author =       "P. C. Kelires",
 974   journal =      "Phys. Rev. B",
 975   volume =       "55",
 976   number =       "14",
 977   pages =        "8784--8787",
 978   numpages =     "3",
 979   year =         "1997",
 980   month =        apr,
 981   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 982   publisher =    "American Physical Society",
 983   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 984                  neighbour dist",
 985 }
 986
 987 @Article{kelires95,
 988   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 989                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 990   author =       "P. C. Kelires",
 991   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 992   volume =       "75",
 993   number =       "6",
 994   pages =        "1114--1117",
 995   numpages =     "3",
 996   year =         "1995",
 997   month =        aug,
 998   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 999   publisher =    "American Physical Society",
1000   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1001 }
1002
1003 @Article{bean70,
1004   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1005                  containing carbon",
1006   journal =      "Solid State Commun.",
1007   volume =       "8",
1008   number =       "3",
1009   pages =        "175--177",
1010   year =         "1970",
1011   note =         "",
1012   ISSN =         "0038-1098",
1013   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1014   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1015   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1016 }
1017
1018 @Article{durand99,
1019   author =       "F. Durand and J. Duby",
1020   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1021   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1022                  review with reference to eutectic equilibrium",
1023   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1024   publisher =    "Springer New York",
1025   ISSN =         "1054-9714",
1026   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1027   pages =        "61--63",
1028   volume =       "20",
1029   issue =        "1",
1030   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1031   note =         "10.1361/105497199770335956",
1032   year =         "1999",
1033   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1034 }
1035
1036 @Article{watkins76,
1037   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1038                  Atom in Silicon",
1039   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1040   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1041   volume =       "36",
1042   number =       "22",
1043   pages =        "1329--1332",
1044   numpages =     "3",
1045   year =         "1976",
1046   month =        may,
1047   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1048   publisher =    "American Physical Society",
1049   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1050                  silicon",
1051 }
1052
1053 @Article{song90,
1054   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1055                  interstitial carbon in silicon",
1056   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1057   journal =      "Phys. Rev. B",
1058   volume =       "42",
1059   number =       "9",
1060   pages =        "5759--5764",
1061   numpages =     "5",
1062   year =         "1990",
1063   month =        sep,
1064   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1065   publisher =    "American Physical Society",
1066   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1067 }
1068
1069 @Article{tipping87,
1070   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1071   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1072                  silicon",
1073   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1074   volume =       "2",
1075   number =       "5",
1076   pages =        "315--317",
1077   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1078   year =         "1987",
1079   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1080                  silicon",
1081 }
1082
1083 @Article{isomae93,
1084   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1085                  Masao Tamura",
1086   collaboration = "",
1087   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1088                  silicon",
1089   publisher =    "AIP",
1090   year =         "1993",
1091   journal =      "J. Appl. Phys.",
1092   volume =       "74",
1093   number =       "6",
1094   pages =        "3815--3820",
1095   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1096                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1097                  PROFILES",
1098   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1099   doi =          "10.1063/1.354474",
1100   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1101 }
1102
1103 @Article{strane96,
1104   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1105                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1106   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1107                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1108   journal =      "J. Appl. Phys.",
1109   volume =       "79",
1110   pages =        "637",
1111   year =         "1996",
1112   month =        jan,
1113   doi =          "10.1063/1.360806",
1114   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1115 }
1116
1117 @Article{laveant2002,
1118   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1119   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1120   volume =       "89",
1121   number =       "1-3",
1122   pages =        "241--245",
1123   year =         "2002",
1124   ISSN =         "0921-5107",
1125   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1126   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1127   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1128                  G{\"{o}}sele",
1129   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1130                  stress, avoid sic precipitation",
1131 }
1132
1133 @Article{foell77,
1134   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1135                  agglomeration of self-interstitials",
1136   journal =      "J. Cryst. Growth",
1137   volume =       "40",
1138   number =       "1",
1139   pages =        "90--108",
1140   year =         "1977",
1141   note =         "",
1142   ISSN =         "0022-0248",
1143   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1144   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1145   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1146   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1147                  agglomerate",
1148 }
1149
1150 @Article{foell81,
1151   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1152                  defects",
1153   journal =      "J. Cryst. Growth",
1154   volume =       "52",
1155   number =       "Part 2",
1156   pages =        "907--916",
1157   year =         "1981",
1158   note =         "",
1159   ISSN =         "0022-0248",
1160   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1161   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1162   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1163   notes =        "swirl review",
1164 }
1165
1166 @Article{werner97,
1167   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1168                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1169   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1170                  silicon by transmission electron microscopy",
1171   publisher =    "AIP",
1172   year =         "1997",
1173   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1174   volume =       "70",
1175   number =       "2",
1176   pages =        "252--254",
1177   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1178                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1179                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1180                  layers; precipitation",
1181   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1182   doi =          "10.1063/1.118381",
1183   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1184                  precipitate",
1185 }
1186
1187 @InProceedings{werner96,
1188   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1189                  Eichler",
1190   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1191                  Ion Implantation Technology.",
1192   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1193                  implanted silicon",
1194   year =         "1996",
1195   month =        jun,
1196   volume =       "",
1197   number =       "",
1198   pages =        "675--678",
1199   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1200   ISSN =         "",
1201   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1202 }
1203
1204 @Article{werner98,
1205   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1206                  D. C. Jacobson",
1207   collaboration = "",
1208   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1209   publisher =    "AIP",
1210   year =         "1998",
1211   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1212   volume =       "73",
1213   number =       "17",
1214   pages =        "2465--2467",
1215   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1216                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1217                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1218                  impurity distribution",
1219   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1220   doi =          "10.1063/1.122483",
1221   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1222 }
1223
1224 @Article{kalejs84,
1225   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1226   collaboration = "",
1227   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1228                  silicon",
1229   publisher =    "AIP",
1230   year =         "1984",
1231   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1232   volume =       "45",
1233   number =       "3",
1234   pages =        "268--269",
1235   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1236                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1237                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1238   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1239   doi =          "10.1063/1.95167",
1240   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1241 }
1242
1243 @Article{fukami90,
1244   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1245                  and Cary Y. Yang",
1246   collaboration = "",
1247   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1248                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1249   publisher =    "AIP",
1250   year =         "1990",
1251   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1252   volume =       "57",
1253   number =       "22",
1254   pages =        "2345--2347",
1255   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1256                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1257                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1258                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1259   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1260   doi =          "10.1063/1.103888",
1261 }
1262
1263 @Article{strane93,
1264   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1265                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1266   collaboration = "",
1267   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1268   publisher =    "AIP",
1269   year =         "1993",
1270   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1271   volume =       "63",
1272   number =       "20",
1273   pages =        "2786--2788",
1274   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1275                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1276                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1277                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1278                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1279   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1280   doi =          "10.1063/1.110334",
1281 }
1282
1283 @Article{goorsky92,
1284   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1285                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1286   collaboration = "",
1287   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1288                  strained layer superlattices",
1289   publisher =    "AIP",
1290   year =         "1992",
1291   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1292   volume =       "60",
1293   number =       "22",
1294   pages =        "2758--2760",
1295   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1296                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1297                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1298                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1299                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1300   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1301   doi =          "10.1063/1.106868",
1302 }
1303
1304 @Article{strane94,
1305   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1306                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1307   collaboration = "",
1308   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1309                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1310   publisher =    "AIP",
1311   year =         "1994",
1312   journal =      "J. Appl. Phys.",
1313   volume =       "76",
1314   number =       "6",
1315   pages =        "3656--3668",
1316   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1317   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1318   doi =          "10.1063/1.357429",
1319   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1320                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1321                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1322                  energy",
1323 }
1324
1325 @Article{fischer95,
1326   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1327                  Osten",
1328   collaboration = "",
1329   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1330                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1331   publisher =    "AIP",
1332   year =         "1995",
1333   journal =      "J. Appl. Phys.",
1334   volume =       "77",
1335   number =       "5",
1336   pages =        "1934--1937",
1337   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1338                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1339                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1340                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1341   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1342   doi =          "10.1063/1.358826",
1343 }
1344
1345 @Article{edgar92,
1346   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1347                  semiconductors",
1348   author =       "J. H. Edgar",
1349   journal =      "J. Mater. Res.",
1350   volume =       "7",
1351   pages =        "235",
1352   year =         "1992",
1353   month =        jan,
1354   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1355   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1356                  polytypes",
1357 }
1358
1359 @Article{zirkelbach2007,
1360   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1361                  process leading to ordered precipitate structures",
1362   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1363                  and B. Stritzker",
1364   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1365   volume =       "257",
1366   number =       "1--2",
1367   pages =        "75--79",
1368   numpages =     "5",
1369   year =         "2007",
1370   month =        apr,
1371   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1372   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1373                  NETHERLANDS",
1374 }
1375
1376 @Article{zirkelbach2006,
1377   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1378                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1379                  during ion irradiation",
1380   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1381                  and B. Stritzker",
1382   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1383   volume =       "242",
1384   number =       "1--2",
1385   pages =        "679--682",
1386   numpages =     "4",
1387   year =         "2006",
1388   month =        jan,
1389   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1390   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1391                  NETHERLANDS",
1392 }
1393
1394 @Article{zirkelbach2005,
1395   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1396                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1397                  ion irradiation",
1398   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1399                  and B. Stritzker",
1400   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1401   volume =       "33",
1402   number =       "1--3",
1403   pages =        "310--316",
1404   numpages =     "7",
1405   year =         "2005",
1406   month =        apr,
1407   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1408   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1409                  NETHERLANDS",
1410 }
1411
1412 @Article{zirkelbach09,
1413   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1414                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1415   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1416   volume =       "159-160",
1417   number =       "",
1418   pages =        "149--152",
1419   year =         "2009",
1420   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1421                  Silicon Materials Research for Electronic and
1422                  Photovoltaic Applications",
1423   ISSN =         "0921-5107",
1424   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1425   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1426   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1427                  B. Stritzker",
1428   keywords =     "Silicon",
1429   keywords =     "Carbon",
1430   keywords =     "Silicon carbide",
1431   keywords =     "Nucleation",
1432   keywords =     "Defect formation",
1433   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1434 }
1435
1436 @Article{zirkelbach10,
1437   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1438                  classical potentials and first-principles methods",
1439   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1440                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1441   journal =      "Phys. Rev. B",
1442   volume =       "82",
1443   number =       "9",
1444   pages =        "094110",
1445   numpages =     "6",
1446   year =         "2010",
1447   month =        sep,
1448   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1449   publisher =    "American Physical Society",
1450 }
1451
1452 @Article{zirkelbach11a,
1453   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1454                  silicon",
1455   journal =      "to be published",
1456   volume =       "",
1457   number =       "",
1458   pages =        "",
1459   year =         "2011",
1460   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1461                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1462 }
1463
1464 @Article{zirkelbach11b,
1465   title =        "...",
1466   journal =      "to be published",
1467   volume =       "",
1468   number =       "",
1469   pages =        "",
1470   year =         "2011",
1471   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1472                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1473 }
1474
1475 @Article{lindner95,
1476   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1477                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1478   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1479                  Layers in Silicon",
1480   journal =      "MRS Proc.",
1481   volume =       "354",
1482   number =       "",
1483   pages =        "171",
1484   year =         "1994",
1485   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1486   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1487   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1488   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1489 }
1490
1491 @Article{lindner96,
1492   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1493                  in silicon by ion beam synthesis",
1494   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1495   volume =       "46",
1496   number =       "2-3",
1497   pages =        "147--155",
1498   year =         "1996",
1499   note =         "",
1500   ISSN =         "0254-0584",
1501   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1502   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1503   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1504                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1505                  Stritzker",
1506   notes =        "dose window",
1507 }
1508
1509 @Article{calcagno96,
1510   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1511                  ion implantation",
1512   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1513   volume =       "120",
1514   number =       "1-4",
1515   pages =        "121--124",
1516   year =         "1996",
1517   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1518                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1519   ISSN =         "0168-583X",
1520   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1521   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1522   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1523                  Grimaldi and P. Musumeci",
1524   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1525 }
1526
1527 @Article{lindner98,
1528   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1529                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1530   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1531   volume =       "264-268",
1532   pages =        "215--218",
1533   year =         "1998",
1534   note =         "",
1535   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1536   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1537   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1538   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1539                  crystallinity",
1540 }
1541
1542 @Article{lindner99,
1543   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1544                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1545                  layers in silicon",
1546   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1547   volume =       "147",
1548   number =       "1-4",
1549   pages =        "249--255",
1550   year =         "1999",
1551   note =         "",
1552   ISSN =         "0168-583X",
1553   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1554   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1555   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1556   notes =        "two-step implantation process",
1557 }
1558
1559 @Article{lindner99_2,
1560   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1561                  in silicon",
1562   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1563   volume =       "148",
1564   number =       "1-4",
1565   pages =        "528--533",
1566   year =         "1999",
1567   ISSN =         "0168-583X",
1568   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1569   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1570   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1571   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1572 }
1573
1574 @Article{lindner01,
1575   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1576                  Basic physical processes",
1577   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1578   volume =       "178",
1579   number =       "1-4",
1580   pages =        "44--54",
1581   year =         "2001",
1582   note =         "",
1583   ISSN =         "0168-583X",
1584   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1586   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1587 }
1588
1589 @Article{lindner02,
1590   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1591                  fundamental studies for new technological tricks",
1592   author =       "J. K. N. Lindner",
1593   journal =      "Appl. Phys. A",
1594   volume =       "77",
1595   pages =        "27--38",
1596   year =         "2003",
1597   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1598   notes =        "ibs, burried sic layers",
1599 }
1600
1601 @Article{lindner06,
1602   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1603                  formation and displacive precipitate resolution in the
1604                  {C}-Si system",
1605   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1606   volume =       "26",
1607   number =       "5-7",
1608   pages =        "857--861",
1609   year =         "2006",
1610   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1611                  Applications",
1612   ISSN =         "0928-4931",
1613   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1614   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1615   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1616                  and B. Stritzker",
1617   notes =        "c int diffusion barrier",
1618 }
1619
1620 @Article{ito04,
1621   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1622                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1623                  growth",
1624   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1625   volume =       "238",
1626   number =       "1-4",
1627   pages =        "159--164",
1628   year =         "2004",
1629   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1630   ISSN =         "0169-4332",
1631   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1632   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1633   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1634                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1635   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1636 }
1637
1638 @Article{yamamoto04,
1639   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1640                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1641                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1642   journal =      "J. Cryst. Growth",
1643   volume =       "261",
1644   number =       "2-3",
1645   pages =        "266--270",
1646   year =         "2004",
1647   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1648                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1649   ISSN =         "0022-0248",
1650   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1651   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1652   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1653                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1654   notes =        "gan on 3c-sic",
1655 }
1656
1657 @Article{liu_l02,
1658   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1659   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1660   volume =       "37",
1661   number =       "3",
1662   pages =        "61--127",
1663   year =         "2002",
1664   note =         "",
1665   ISSN =         "0927-796X",
1666   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1667   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1668   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1669   notes =        "gan substrates",
1670 }
1671
1672 @Article{takeuchi91,
1673   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1674                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1675   journal =      "J. Cryst. Growth",
1676   volume =       "115",
1677   number =       "1-4",
1678   pages =        "634--638",
1679   year =         "1991",
1680   note =         "",
1681   ISSN =         "0022-0248",
1682   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1683   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1684   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1685                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1686   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1687 }
1688
1689 @Article{alder57,
1690   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1691   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1692   publisher =    "AIP",
1693   year =         "1957",
1694   journal =      "J. Chem. Phys.",
1695   volume =       "27",
1696   number =       "5",
1697   pages =        "1208--1209",
1698   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1699   doi =          "10.1063/1.1743957",
1700 }
1701
1702 @Article{alder59,
1703   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1704   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1705   publisher =    "AIP",
1706   year =         "1959",
1707   journal =      "J. Chem. Phys.",
1708   volume =       "31",
1709   number =       "2",
1710   pages =        "459--466",
1711   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1712   doi =          "10.1063/1.1730376",
1713 }
1714
1715 @Article{horsfield96,
1716   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1717   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1718                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1719   journal =      "Phys. Rev. B",
1720   volume =       "53",
1721   number =       "19",
1722   pages =        "12694--12712",
1723   numpages =     "18",
1724   year =         "1996",
1725   month =        may,
1726   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1727   publisher =    "American Physical Society",
1728 }
1729
1730 @Article{abell85,
1731   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1732                  and metallic bonding",
1733   author =       "G. C. Abell",
1734   journal =      "Phys. Rev. B",
1735   volume =       "31",
1736   number =       "10",
1737   pages =        "6184--6196",
1738   numpages =     "12",
1739   year =         "1985",
1740   month =        may,
1741   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1742   publisher =    "American Physical Society",
1743 }
1744
1745 @Article{tersoff_si1,
1746   title =        "New empirical model for the structural properties of
1747                  silicon",
1748   author =       "J. Tersoff",
1749   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1750   volume =       "56",
1751   number =       "6",
1752   pages =        "632--635",
1753   numpages =     "3",
1754   year =         "1986",
1755   month =        feb,
1756   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1757   publisher =    "American Physical Society",
1758 }
1759
1760 @Article{dodson87,
1761   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1762                  silicon",
1763   author =       "Brian W. Dodson",
1764   journal =      "Phys. Rev. B",
1765   volume =       "35",
1766   number =       "6",
1767   pages =        "2795--2798",
1768   numpages =     "3",
1769   year =         "1987",
1770   month =        feb,
1771   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1772   publisher =    "American Physical Society",
1773 }
1774
1775 @Article{tersoff_si2,
1776   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1777                  covalent systems",
1778   author =       "J. Tersoff",
1779   journal =      "Phys. Rev. B",
1780   volume =       "37",
1781   number =       "12",
1782   pages =        "6991--7000",
1783   numpages =     "9",
1784   year =         "1988",
1785   month =        apr,
1786   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1787   publisher =    "American Physical Society",
1788 }
1789
1790 @Article{tersoff_si3,
1791   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1792                  improved elastic properties",
1793   author =       "J. Tersoff",
1794   journal =      "Phys. Rev. B",
1795   volume =       "38",
1796   number =       "14",
1797   pages =        "9902--9905",
1798   numpages =     "3",
1799   year =         "1988",
1800   month =        nov,
1801   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1802   publisher =    "American Physical Society",
1803 }
1804
1805 @Article{tersoff_c,
1806   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1807                  Applications to Amorphous Carbon",
1808   author =       "J. Tersoff",
1809   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1810   volume =       "61",
1811   number =       "25",
1812   pages =        "2879--2882",
1813   numpages =     "3",
1814   year =         "1988",
1815   month =        dec,
1816   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1817   publisher =    "American Physical Society",
1818 }
1819
1820 @Article{tersoff_m,
1821   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1822                  for multicomponent systems",
1823   author =       "J. Tersoff",
1824   journal =      "Phys. Rev. B",
1825   volume =       "39",
1826   number =       "8",
1827   pages =        "5566--5568",
1828   numpages =     "2",
1829   year =         "1989",
1830   month =        mar,
1831   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1832   publisher =    "American Physical Society",
1833 }
1834
1835 @Article{tersoff90,
1836   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1837   author =       "J. Tersoff",
1838   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1839   volume =       "64",
1840   number =       "15",
1841   pages =        "1757--1760",
1842   numpages =     "3",
1843   year =         "1990",
1844   month =        apr,
1845   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1846   publisher =    "American Physical Society",
1847 }
1848
1849 @Article{fahey89,
1850   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1851   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1852   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1853   volume =       "61",
1854   number =       "2",
1855   pages =        "289--384",
1856   numpages =     "95",
1857   year =         "1989",
1858   month =        apr,
1859   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1860   publisher =    "American Physical Society",
1861 }
1862
1863 @Article{wesch96,
1864   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1865   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1866   volume =       "116",
1867   number =       "1-4",
1868   pages =        "305--321",
1869   year =         "1996",
1870   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1871   ISSN =         "0168-583X",
1872   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1874   author =       "W. Wesch",
1875 }
1876
1877 @Article{davis91,
1878   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1879                  Palmour and J. A. Edmond",
1880   journal =      "Proc. IEEE",
1881   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1882                  optoelectronic device fabrication and characterization
1883                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1884   year =         "1991",
1885   month =        may,
1886   volume =       "79",
1887   number =       "5",
1888   pages =        "677--701",
1889   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1890                  diode;SiC;dry etching;electrical
1891                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1892                  device fabrication;solid-state devices;surface
1893                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1894                  transistors;Schottky-barrier
1895                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1896                  transistors;insulated gate field effect
1897                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1898                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1899   doi =          "10.1109/5.90132",
1900   ISSN =         "0018-9219",
1901   notes =        "sic growth methods",
1902 }
1903
1904 @Article{morkoc94,
1905   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1906                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1907   collaboration = "",
1908   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1909                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1910   publisher =    "AIP",
1911   year =         "1994",
1912   journal =      "J. Appl. Phys.",
1913   volume =       "76",
1914   number =       "3",
1915   pages =        "1363--1398",
1916   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1917                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1918                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1919                  FILMS; INDUSTRY",
1920   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1921   doi =          "10.1063/1.358463",
1922   notes =        "sic intro, properties",
1923 }
1924
1925 @Article{foo,
1926   author =       "Noch Unbekannt",
1927   title =        "How to find references",
1928   journal =      "Journal of Applied References",
1929   year =         "2009",
1930   volume =       "77",
1931   pages =        "1--23",
1932 }
1933
1934 @Article{tang95,
1935   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1936                  \beta{}-Si{C}",
1937   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1938   journal =      "Phys. Rev. B",
1939   volume =       "52",
1940   number =       "21",
1941   pages =        "15150--15159",
1942   numpages =     "9",
1943   year =         "1995",
1944   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1945   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1946                  tersoff reparametrization",
1947   publisher =    "American Physical Society",
1948 }
1949
1950 @Article{sarro00,
1951   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1952   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
1953   volume =       "82",
1954   number =       "1-3",
1955   pages =        "210--218",
1956   year =         "2000",
1957   ISSN =         "0924-4247",
1958   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1959   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1960   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1961   keywords =     "MEMS",
1962   keywords =     "Silicon carbide",
1963   keywords =     "Micromachining",
1964   keywords =     "Mechanical stress",
1965 }
1966
1967 @Article{casady96,
1968   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1969                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1970                  review",
1971   journal =      "Solid-State Electron.",
1972   volume =       "39",
1973   number =       "10",
1974   pages =        "1409--1422",
1975   year =         "1996",
1976   ISSN =         "0038-1101",
1977   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1978   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1979   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1980   notes =        "sic intro",
1981 }
1982
1983 @Article{giancarli98,
1984   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1985                  structural material in fusion power reactor blankets",
1986   journal =      "Fusion Eng. Des.",
1987   volume =       "41",
1988   number =       "1-4",
1989   pages =        "165--171",
1990   year =         "1998",
1991   ISSN =         "0920-3796",
1992   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1993   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1994   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1995                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1996 }
1997
1998 @Article{pensl93,
1999   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2000   journal =      "Physica B",
2001   volume =       "185",
2002   number =       "1-4",
2003   pages =        "264--283",
2004   year =         "1993",
2005   ISSN =         "0921-4526",
2006   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2007   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2008   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2009 }
2010
2011 @Article{tairov78,
2012   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2013                  carbide single crystals",
2014   journal =      "J. Cryst. Growth",
2015   volume =       "43",
2016   number =       "2",
2017   pages =        "209--212",
2018   year =         "1978",
2019   notes =        "modified lely process",
2020   ISSN =         "0022-0248",
2021   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2022   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2023   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2024 }
2025
2026 @Article{tairov81,
2027   title =        "General principles of growing large-size single
2028                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2029   journal =      "J. Cryst. Growth",
2030   volume =       "52",
2031   number =       "Part 1",
2032   pages =        "146--150",
2033   year =         "1981",
2034   note =         "",
2035   ISSN =         "0022-0248",
2036   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2037   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2038   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2039 }
2040
2041 @Article{barrett91,
2042   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2043   journal =      "J. Cryst. Growth",
2044   volume =       "109",
2045   number =       "1-4",
2046   pages =        "17--23",
2047   year =         "1991",
2048   note =         "",
2049   ISSN =         "0022-0248",
2050   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2051   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2052   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2053                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2054 }
2055
2056 @Article{barrett93,
2057   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2058   journal =      "J. Cryst. Growth",
2059   volume =       "128",
2060   number =       "1-4",
2061   pages =        "358--362",
2062   year =         "1993",
2063   note =         "",
2064   ISSN =         "0022-0248",
2065   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2066   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2067   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2068                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2069                  W. J. Choyke",
2070 }
2071
2072 @Article{stein93,
2073   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2074                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2075                  sublimation method",
2076   journal =      "J. Cryst. Growth",
2077   volume =       "131",
2078   number =       "1-2",
2079   pages =        "71--74",
2080   year =         "1993",
2081   note =         "",
2082   ISSN =         "0022-0248",
2083   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2084   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2085   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2086   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2087 }
2088
2089 @Article{nishino83,
2090   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2091                  Will",
2092   collaboration = "",
2093   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2094                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2095   publisher =    "AIP",
2096   year =         "1983",
2097   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2098   volume =       "42",
2099   number =       "5",
2100   pages =        "460--462",
2101   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2102                  monocrystals",
2103   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2104   doi =          "10.1063/1.93970",
2105   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2106 }
2107
2108 @Article{nishino87,
2109   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2110                  and Hiroyuki Matsunami",
2111   collaboration = "",
2112   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2113                  Si{C} on silicon",
2114   publisher =    "AIP",
2115   year =         "1987",
2116   journal =      "J. Appl. Phys.",
2117   volume =       "61",
2118   number =       "10",
2119   pages =        "4889--4893",
2120   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2121   doi =          "10.1063/1.338355",
2122   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2123                  carbonization",
2124 }
2125
2126 @Article{powell87,
2127   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2128                  Kuczmarski",
2129   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2130                  Single-Crystal Films on Si",
2131   publisher =    "ECS",
2132   year =         "1987",
2133   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2134   volume =       "134",
2135   number =       "6",
2136   pages =        "1558--1565",
2137   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2138                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2139   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2140   doi =          "10.1149/1.2100708",
2141   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2142 }
2143
2144 @Article{powell87_2,
2145   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2146                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2147   collaboration = "",
2148   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2149                  off-axis Si substrates",
2150   publisher =    "AIP",
2151   year =         "1987",
2152   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2153   volume =       "51",
2154   number =       "11",
2155   pages =        "823--825",
2156   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2157                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2158                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2159                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2160                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2161   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2162   doi =          "10.1063/1.98824",
2163   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2164 }
2165
2166 @Article{ueda90,
2167   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2168   journal =      "J. Cryst. Growth",
2169   volume =       "104",
2170   number =       "3",
2171   pages =        "695--700",
2172   year =         "1990",
2173   note =         "",
2174   ISSN =         "0022-0248",
2175   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2176   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2177   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2178                  Matsunami",
2179   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2180 }
2181
2182 @Article{kimoto93,
2183   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2184                  and Hiroyuki Matsunami",
2185   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2186                  epitaxy",
2187   publisher =    "AIP",
2188   year =         "1993",
2189   journal =      "J. Appl. Phys.",
2190   volume =       "73",
2191   number =       "2",
2192   pages =        "726--732",
2193   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2194                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2195                  VAPOR DEPOSITION",
2196   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2197   doi =          "10.1063/1.353329",
2198   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2199 }
2200
2201 @Article{powell90_2,
2202   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2203                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2204                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2205   collaboration = "",
2206   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2207                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2208   publisher =    "AIP",
2209   year =         "1990",
2210   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2211   volume =       "56",
2212   number =       "15",
2213   pages =        "1442--1444",
2214   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2215                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2216                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2217                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2218   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2219   doi =          "10.1063/1.102492",
2220   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2221 }
2222
2223 @Article{kong88_2,
2224   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2225   collaboration = "",
2226   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2227                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2228                  substrates",
2229   publisher =    "AIP",
2230   year =         "1988",
2231   journal =      "J. Appl. Phys.",
2232   volume =       "64",
2233   number =       "5",
2234   pages =        "2672--2679",
2235   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2236                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2237                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2238                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2239                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2240   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2241   doi =          "10.1063/1.341608",
2242 }
2243
2244 @Article{powell90,
2245   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2246                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2247                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2248   collaboration = "",
2249   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2250                  6{H}-Si{C} substrates",
2251   publisher =    "AIP",
2252   year =         "1990",
2253   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2254   volume =       "56",
2255   number =       "14",
2256   pages =        "1353--1355",
2257   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2258                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2259                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2260                  PHASE EPITAXY",
2261   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2262   doi =          "10.1063/1.102512",
2263   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2264 }
2265
2266 @Article{kong88,
2267   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2268                  Rozgonyi and K. L. More",
2269   collaboration = "",
2270   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2271                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2272                  substrates",
2273   publisher =    "AIP",
2274   year =         "1988",
2275   journal =      "J. Appl. Phys.",
2276   volume =       "63",
2277   number =       "8",
2278   pages =        "2645--2650",
2279   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2280                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2281                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2282                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2283                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2284   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2285   doi =          "10.1063/1.341004",
2286 }
2287
2288 @Article{powell91,
2289   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2290                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2291                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2292   collaboration = "",
2293   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2294                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2295   publisher =    "AIP",
2296   year =         "1991",
2297   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2298   volume =       "59",
2299   number =       "3",
2300   pages =        "333--335",
2301   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2302                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2303                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2304   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2305   doi =          "10.1063/1.105587",
2306 }
2307
2308 @Article{yuan95,
2309   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2310                  Thokala and M. J. Loboda",
2311   collaboration = "",
2312   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2313                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2314                  silacyclobutane",
2315   publisher =    "AIP",
2316   year =         "1995",
2317   journal =      "J. Appl. Phys.",
2318   volume =       "78",
2319   number =       "2",
2320   pages =        "1271--1273",
2321   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2322                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2323                  SPECTROPHOTOMETRY",
2324   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2325   doi =          "10.1063/1.360368",
2326   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2327 }
2328
2329 @Article{kaneda87,
2330   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2331                  properties of its p-n junction",
2332   journal =      "J. Cryst. Growth",
2333   volume =       "81",
2334   number =       "1-4",
2335   pages =        "536--542",
2336   year =         "1987",
2337   note =         "",
2338   ISSN =         "0022-0248",
2339   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2340   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2341   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2342                  and Takao Tanaka",
2343   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2344 }
2345
2346 @Article{fissel95,
2347   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2348                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2349                  molecular beam epitaxy",
2350   journal =      "J. Cryst. Growth",
2351   volume =       "154",
2352   number =       "1-2",
2353   pages =        "72--80",
2354   year =         "1995",
2355   ISSN =         "0022-0248",
2356   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2357   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2358   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2359                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2360   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2361 }
2362
2363 @Article{fissel95_apl,
2364   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2365   collaboration = "",
2366   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2367                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2368   publisher =    "AIP",
2369   year =         "1995",
2370   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2371   volume =       "66",
2372   number =       "23",
2373   pages =        "3182--3184",
2374   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2375                  RHEED; NUCLEATION",
2376   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2377   doi =          "10.1063/1.113716",
2378   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2379 }
2380
2381 @Article{fissel96,
2382   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2383                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2384   collaboration = "",
2385   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2386                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2387                  level using surface superstructures",
2388   publisher =    "AIP",
2389   year =         "1996",
2390   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2391   volume =       "68",
2392   number =       "9",
2393   pages =        "1204--1206",
2394   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2395                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2396                  SURFACE STRUCTURE",
2397   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2398   doi =          "10.1063/1.115969",
2399   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2400 }
2401
2402 @Article{righi03,
2403   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2404   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2405                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2407   volume =       "91",
2408   number =       "13",
2409   pages =        "136101",
2410   numpages =     "4",
2411   year =         "2003",
2412   month =        sep,
2413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2414   publisher =    "American Physical Society",
2415   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2416 }
2417
2418 @Article{borders71,
2419   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2420   collaboration = "",
2421   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2422                  {IMPLANTATION}",
2423   publisher =    "AIP",
2424   year =         "1971",
2425   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2426   volume =       "18",
2427   number =       "11",
2428   pages =        "509--511",
2429   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2430   doi =          "10.1063/1.1653516",
2431   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2432                  ideas",
2433 }
2434
2435 @Article{edelman76,
2436   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2437                  and E. V. Lubopytova",
2438   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2439                  by ion implantation",
2440   publisher =    "Taylor \& Francis",
2441   year =         "1976",
2442   journal =      "Radiat. Eff.",
2443   volume =       "29",
2444   number =       "1",
2445   pages =        "13--15",
2446   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2447   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2448                  single crystalline",
2449 }
2450
2451 @Article{akimchenko80,
2452   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2453                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2454   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2455                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2456   publisher =    "Taylor \& Francis",
2457   year =         "1980",
2458   journal =      "Radiat. Eff.",
2459   volume =       "48",
2460   number =       "1",
2461   pages =        "7",
2462   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2463   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2464 }
2465
2466 @Article{kimura81,
2467   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2468                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2469                  silicon",
2470   journal =      "Thin Solid Films",
2471   volume =       "81",
2472   number =       "4",
2473   pages =        "319--327",
2474   year =         "1981",
2475   note =         "",
2476   ISSN =         "0040-6090",
2477   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2478   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2479   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2480                  Yugo",
2481 }
2482
2483 @Article{kimura82,
2484   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2485                  the implantation of carbon ions into silicon",
2486   journal =      "Thin Solid Films",
2487   volume =       "94",
2488   number =       "3",
2489   pages =        "191--198",
2490   year =         "1982",
2491   note =         "",
2492   ISSN =         "0040-6090",
2493   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2494   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2495   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2496                  Yugo",
2497 }
2498
2499 @Article{reeson86,
2500   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2501                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2502                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2503   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2504                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2505   publisher =    "Taylor \& Francis",
2506   year =         "1986",
2507   journal =      "Radiat. Eff.",
2508   volume =       "99",
2509   number =       "1",
2510   pages =        "71--81",
2511   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2512   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2513                  no c redistribution",
2514 }
2515
2516 @Article{reeson87,
2517   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2518                  J. Davis and G. E. Celler",
2519   collaboration = "",
2520   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2521                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2522   publisher =    "AIP",
2523   year =         "1987",
2524   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2525   volume =       "51",
2526   number =       "26",
2527   pages =        "2242--2244",
2528   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2529                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2530   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2531   doi =          "10.1063/1.98953",
2532   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2533 }
2534
2535 @Article{martin90,
2536   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2537                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2538   collaboration = "",
2539   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2540   publisher =    "AIP",
2541   year =         "1990",
2542   journal =      "J. Appl. Phys.",
2543   volume =       "67",
2544   number =       "6",
2545   pages =        "2908--2912",
2546   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2547                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2548                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2549                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2550                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2551                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2552   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2553   doi =          "10.1063/1.346092",
2554   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2555                  temepratures",
2556 }
2557
2558 @Article{scace59,
2559   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2560   collaboration = "",
2561   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2562   publisher =    "AIP",
2563   year =         "1959",
2564   journal =      "J. Chem. Phys.",
2565   volume =       "30",
2566   number =       "6",
2567   pages =        "1551--1555",
2568   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2569   doi =          "10.1063/1.1730236",
2570   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2571 }
2572
2573 @Article{hofker74,
2574   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2575                  Koeman",
2576   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2577                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2578                  Netherlands",
2579   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2580                  charge carrier and boron concentration profiles",
2581   journal =      "Appl. Phys. A",
2582   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2583   ISSN =         "0947-8396",
2584   keyword =      "Physics and Astronomy",
2585   pages =        "125--133",
2586   volume =       "4",
2587   issue =        "2",
2588   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2589   note =         "10.1007/BF00884267",
2590   year =         "1974",
2591   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2592 }
2593
2594 @Article{michel87,
2595   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2596                  H. Kastl",
2597   collaboration = "",
2598   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2599                  implanted boron into silicon",
2600   publisher =    "AIP",
2601   year =         "1987",
2602   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2603   volume =       "50",
2604   number =       "7",
2605   pages =        "416--418",
2606   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2607                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2608                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2609   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2610   doi =          "10.1063/1.98160",
2611   notes =        "ted of boron in si",
2612 }
2613
2614 @Article{cowern90,
2615   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2616                  Jos",
2617   collaboration = "",
2618   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2619                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2620                  profiles",
2621   publisher =    "AIP",
2622   year =         "1990",
2623   journal =      "J. Appl. Phys.",
2624   volume =       "68",
2625   number =       "12",
2626   pages =        "6191--6198",
2627   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2628                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2629                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2630   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2631   doi =          "10.1063/1.346910",
2632   notes =        "ted of boron in si",
2633 }
2634
2635 @Article{cowern96,
2636   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2637                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2638   collaboration = "",
2639   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2640                  {B} in silicon",
2641   publisher =    "AIP",
2642   year =         "1996",
2643   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2644   volume =       "68",
2645   number =       "8",
2646   pages =        "1150--1152",
2647   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2648                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2649                  SILICON",
2650   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2651   doi =          "10.1063/1.115706",
2652   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2653 }
2654
2655 @Article{stolk95,
2656   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2657                  of the silicon self-interstitial",
2658   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2659   volume =       "96",
2660   number =       "1-2",
2661   pages =        "187--195",
2662   year =         "1995",
2663   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2664                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2665   ISSN =         "0168-583X",
2666   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2667   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2668   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2669                  and J. M. Poate",
2670 }
2671
2672 @Article{stolk97,
2673   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2674                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2675                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2676                  E. Haynes",
2677   collaboration = "",
2678   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2679                  diffusion in ion-implanted silicon",
2680   publisher =    "AIP",
2681   year =         "1997",
2682   journal =      "J. Appl. Phys.",
2683   volume =       "81",
2684   number =       "9",
2685   pages =        "6031--6050",
2686   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2687   doi =          "10.1063/1.364452",
2688   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2689 }
2690
2691 @Article{powell94,
2692   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2693   collaboration = "",
2694   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2695                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2696   publisher =    "AIP",
2697   year =         "1994",
2698   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2699   volume =       "64",
2700   number =       "3",
2701   pages =        "324--326",
2702   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2703                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2704                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2705                  SYNTHESIS",
2706   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2707   doi =          "10.1063/1.111195",
2708   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2709 }
2710
2711 @Article{soref91,
2712   author =       "Richard A. Soref",
2713   collaboration = "",
2714   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2715                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2716   publisher =    "AIP",
2717   year =         "1991",
2718   journal =      "J. Appl. Phys.",
2719   volume =       "70",
2720   number =       "4",
2721   pages =        "2470--2472",
2722   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2723                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2724                  TERNARY ALLOYS",
2725   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2726   doi =          "10.1063/1.349403",
2727   notes =        "band gap of strained si by c",
2728 }
2729
2730 @Article{kasper91,
2731   author =       "E Kasper",
2732   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2733                  possibility to produce direct band gap material",
2734   journal =      "Phys. Scr.",
2735   volume =       "T35",
2736   pages =        "232--236",
2737   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2738   year =         "1991",
2739   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2740                  quasi-direct one",
2741 }
2742
2743 @Article{eberl92,
2744   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2745                  and F. K. LeGoues",
2746   collaboration = "",
2747   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2748                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2749   publisher =    "AIP",
2750   year =         "1992",
2751   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2752   volume =       "60",
2753   number =       "24",
2754   pages =        "3033--3035",
2755   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2756                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2757                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2758                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2759                  STUDIES",
2760   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2761   doi =          "10.1063/1.106774",
2762 }
2763
2764 @Article{powell93,
2765   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2766                  Ek and S. S. Iyer",
2767   collaboration = "",
2768   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2769                  alloy layers",
2770   publisher =    "AVS",
2771   year =         "1993",
2772   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2773   volume =       "11",
2774   number =       "3",
2775   pages =        "1064--1068",
2776   location =     "Ottawa (Canada)",
2777   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2778                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2779                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2780                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2781   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2782   doi =          "10.1116/1.587008",
2783   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2784 }
2785
2786 @Article{powell93_2,
2787   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2788                  of the ternary system",
2789   journal =      "J. Cryst. Growth",
2790   volume =       "127",
2791   number =       "1-4",
2792   pages =        "425--429",
2793   year =         "1993",
2794   note =         "",
2795   ISSN =         "0022-0248",
2796   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2797   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2798   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2799                  Iyer",
2800 }
2801
2802 @Article{osten94,
2803   author =       "H. J. Osten",
2804   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2805                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2806   journal =      "phys. status solidi (a)",
2807   volume =       "145",
2808   number =       "2",
2809   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2810   ISSN =         "1521-396X",
2811   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2812   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2813   pages =        "235--245",
2814   year =         "1994",
2815 }
2816
2817 @Article{dietrich94,
2818   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2819                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2820   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2821                  Methfessel and P. Zaumseil",
2822   journal =      "Phys. Rev. B",
2823   volume =       "49",
2824   number =       "24",
2825   pages =        "17185--17190",
2826   numpages =     "5",
2827   year =         "1994",
2828   month =        jun,
2829   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2830   publisher =    "American Physical Society",
2831 }
2832
2833 @Article{osten94_2,
2834   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2835   collaboration = "",
2836   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2837                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2838   publisher =    "AIP",
2839   year =         "1994",
2840   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2841   volume =       "64",
2842   number =       "25",
2843   pages =        "3440--3442",
2844   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2845                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2846                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2847                  LATTICES",
2848   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2849   doi =          "10.1063/1.111235",
2850   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2851 }
2852
2853 @Article{iyer92,
2854   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2855                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2856   collaboration = "",
2857   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2858                  molecular beam epitaxy",
2859   publisher =    "AIP",
2860   year =         "1992",
2861   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2862   volume =       "60",
2863   number =       "3",
2864   pages =        "356--358",
2865   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2866                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2867                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2868                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2869   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2870   doi =          "10.1063/1.106655",
2871 }
2872
2873 @Article{osten99,
2874   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2875   collaboration = "",
2876   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2877                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2878                  molecular beam epitaxy",
2879   publisher =    "AIP",
2880   year =         "1999",
2881   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2882   volume =       "74",
2883   number =       "6",
2884   pages =        "836--838",
2885   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2886                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2887                  compounds",
2888   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2889   doi =          "10.1063/1.123384",
2890   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2891 }
2892
2893 @Article{born27,
2894   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2895   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
2896   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
2897   volume =       "389",
2898   number =       "20",
2899   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2900   ISSN =         "1521-3889",
2901   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
2902   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
2903   pages =        "457--484",
2904   year =         "1927",
2905 }
2906
2907 @Article{hohenberg64,
2908   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2909   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2910   journal =      "Phys. Rev.",
2911   volume =       "136",
2912   number =       "3B",
2913   pages =        "B864--B871",
2914   numpages =     "7",
2915   year =         "1964",
2916   month =        nov,
2917   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2918   publisher =    "American Physical Society",
2919   notes =        "density functional theory, dft",
2920 }
2921
2922 @Article{thomas27,
2923   title =        "The calculation of atomic fields",
2924   author =       "L. H. Thomas",
2925   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
2926   volume =       "23",
2927   pages =        "542--548",
2928   year =         "1927",
2929   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
2930 }
2931
2932 @Article{fermi27,
2933   title =        "",
2934   author =       "E. Fermi",
2935   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
2936                  Rend.",
2937   volume =       "6",
2938   pages =        "602",
2939   year =         "1927",
2940 }
2941
2942 @Article{hartree28,
2943   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
2944                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
2945   author =       "D. R. Hartree",
2946   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
2947   volume =       "24",
2948   pages =        "89--110",
2949   year =         "1928",
2950   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
2951 }
2952
2953 @Article{slater29,
2954   title =        "The Theory of Complex Spectra",
2955   author =       "J. C. Slater",
2956   journal =      "Phys. Rev.",
2957   volume =       "34",
2958   number =       "10",
2959   pages =        "1293--1322",
2960   numpages =     "29",
2961   year =         "1929",
2962   month =        nov,
2963   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
2964   publisher =    "American Physical Society",
2965 }
2966
2967 @Article{kohn65,
2968   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2969                  Correlation Effects",
2970   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2971   journal =      "Phys. Rev.",
2972   volume =       "140",
2973   number =       "4A",
2974   pages =        "A1133--A1138",
2975   numpages =     "5",
2976   year =         "1965",
2977   month =        nov,
2978   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2979   publisher =    "American Physical Society",
2980   notes =        "dft, exchange and correlation",
2981 }
2982
2983 @Article{kohn96,
2984   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
2985                  Linearly with the Number of Atoms",
2986   author =       "W. Kohn",
2987   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2988   volume =       "76",
2989   number =       "17",
2990   pages =        "3168--3171",
2991   numpages =     "3",
2992   year =         "1996",
2993   month =        apr,
2994   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
2995   publisher =    "American Physical Society",
2996 }
2997
2998 @Article{kohn98,
2999   title =        "Edge Electron Gas",
3000   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3001   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3002   volume =       "81",
3003   number =       "16",
3004   pages =        "3487--3490",
3005   numpages =     "3",
3006   year =         "1998",
3007   month =        oct,
3008   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3009   publisher =    "American Physical Society",
3010 }
3011
3012 @Article{kohn99,
3013   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3014                  functions and density functionals",
3015   author =       "W. Kohn",
3016   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3017   volume =       "71",
3018   number =       "5",
3019   pages =        "1253--1266",
3020   numpages =     "13",
3021   year =         "1999",
3022   month =        oct,
3023   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3024   publisher =    "American Physical Society",
3025 }
3026
3027 @Article{payne92,
3028   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3029                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3030                  conjugate gradients",
3031   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3032                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3033   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3034   volume =       "64",
3035   number =       "4",
3036   pages =        "1045--1097",
3037   numpages =     "52",
3038   year =         "1992",
3039   month =        oct,
3040   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3041   publisher =    "American Physical Society",
3042 }
3043
3044 @Article{levy82,
3045   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3046   author =       "Mel Levy",
3047   journal =      "Phys. Rev. A",
3048   volume =       "26",
3049   number =       "3",
3050   pages =        "1200--1208",
3051   numpages =     "8",
3052   year =         "1982",
3053   month =        sep,
3054   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3055   publisher =    "American Physical Society",
3056 }
3057
3058 @Article{ruecker94,
3059   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3060                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3061   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3062                  J. Osten",
3063   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3064   volume =       "72",
3065   number =       "22",
3066   pages =        "3578--3581",
3067   numpages =     "3",
3068   year =         "1994",
3069   month =        may,
3070   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3071   publisher =    "American Physical Society",
3072   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3073                  si, dft",
3074 }
3075
3076 @Article{yagi02,
3077   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3078                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3079                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3080   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3081                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3082   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3083   volume =       "41",
3084   number =       "Part 1, No. 4B",
3085   pages =        "2472--2475",
3086   numpages =     "3",
3087   year =         "2002",
3088   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3089   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3090   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3091   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3092 }
3093
3094 @Article{chang05,
3095   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3096                  Alloy",
3097   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3098   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3099   volume =       "44",
3100   number =       "4B",
3101   pages =        "2257--2262",
3102   numpages =     "5",
3103   year =         "2005",
3104   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3105   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3106   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3107   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3108 }
3109
3110 @Article{kissinger94,
3111   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3112                  Eichler",
3113   collaboration = "",
3114   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3115                  y] layers on Si(001)",
3116   publisher =    "AIP",
3117   year =         "1994",
3118   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3119   volume =       "65",
3120   number =       "26",
3121   pages =        "3356--3358",
3122   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3123                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3124                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3125                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3126   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3127   doi =          "10.1063/1.112390",
3128   notes =        "strained si influence on optical properties",
3129 }
3130
3131 @Article{osten96,
3132   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3133                  Zaumseil",
3134   collaboration = "",
3135   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3136                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3137                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3138   publisher =    "AIP",
3139   year =         "1996",
3140   journal =      "J. Appl. Phys.",
3141   volume =       "80",
3142   number =       "12",
3143   pages =        "6711--6715",
3144   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3145                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3146                  XRD; STRAINS",
3147   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3148   doi =          "10.1063/1.363797",
3149   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3150 }
3151
3152 @Article{osten97,
3153   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3154   collaboration = "",
3155   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3156                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3157                  Si(001)",
3158   publisher =    "AIP",
3159   year =         "1997",
3160   journal =      "J. Appl. Phys.",
3161   volume =       "82",
3162   number =       "10",
3163   pages =        "4977--4981",
3164   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3165                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3166                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3167   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3168   doi =          "10.1063/1.366364",
3169   notes =        "charge transport in strained si",
3170 }
3171
3172 @Article{kapur04,
3173   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3174                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3175   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3176   journal =      "Phys. Rev. B",
3177   volume =       "69",
3178   number =       "15",
3179   pages =        "155214",
3180   numpages =     "8",
3181   year =         "2004",
3182   month =        apr,
3183   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3184   publisher =    "American Physical Society",
3185   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3186 }
3187
3188 @Article{barkema96,
3189   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3190                  Systems",
3191   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3192   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3193   volume =       "77",
3194   number =       "21",
3195   pages =        "4358--4361",
3196   numpages =     "3",
3197   year =         "1996",
3198   month =        nov,
3199   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3200   publisher =    "American Physical Society",
3201   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3202                  dynamic mds",
3203 }
3204
3205 @Article{cances09,
3206   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3207                  Minoukadeh and F. Willaime",
3208   collaboration = "",
3209   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3210                  technique method for finding transition pathways on
3211                  potential energy surfaces",
3212   publisher =    "AIP",
3213   year =         "2009",
3214   journal =      "J. Chem. Phys.",
3215   volume =       "130",
3216   number =       "11",
3217   eid =          "114711",
3218   numpages =     "6",
3219   pages =        "114711",
3220   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3221                  surfaces; vacancies (crystal)",
3222   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3223   doi =          "10.1063/1.3088532",
3224   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3225                  transition pathways",
3226 }
3227
3228 @Article{parrinello81,
3229   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3230   collaboration = "",
3231   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3232                  molecular dynamics method",
3233   publisher =    "AIP",
3234   year =         "1981",
3235   journal =      "J. Appl. Phys.",
3236   volume =       "52",
3237   number =       "12",
3238   pages =        "7182--7190",
3239   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3240                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3241                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3242                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3243                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3244                  IMPACT SHOCK",
3245   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3246   doi =          "10.1063/1.328693",
3247 }
3248
3249 @Article{stillinger85,
3250   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3251                  of silicon",
3252   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3253   journal =      "Phys. Rev. B",
3254   volume =       "31",
3255   number =       "8",
3256   pages =        "5262--5271",
3257   numpages =     "9",
3258   year =         "1985",
3259   month =        apr,
3260   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3261   publisher =    "American Physical Society",
3262 }
3263
3264 @Article{brenner90,
3265   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3266                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3267                  films",
3268   author =       "Donald W. Brenner",
3269   journal =      "Phys. Rev. B",
3270   volume =       "42",
3271   number =       "15",
3272   pages =        "9458--9471",
3273   numpages =     "13",
3274   year =         "1990",
3275   month =        nov,
3276   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3277   publisher =    "American Physical Society",
3278   notes =        "brenner hydro carbons",
3279 }
3280
3281 @Article{bazant96,
3282   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3283                  Cohesive Energy Curves",
3284   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3285   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3286   volume =       "77",
3287   number =       "21",
3288   pages =        "4370--4373",
3289   numpages =     "3",
3290   year =         "1996",
3291   month =        nov,
3292   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3293   publisher =    "American Physical Society",
3294   notes =        "first si edip",
3295 }
3296
3297 @Article{bazant97,
3298   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3299                  silicon",
3300   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3301                  Justo",
3302   journal =      "Phys. Rev. B",
3303   volume =       "56",
3304   number =       "14",
3305   pages =        "8542--8552",
3306   numpages =     "10",
3307   year =         "1997",
3308   month =        oct,
3309   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3310   publisher =    "American Physical Society",
3311   notes =        "second si edip",
3312 }
3313
3314 @Article{justo98,
3315   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3316                  disordered phases",
3317   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3318                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3319   journal =      "Phys. Rev. B",
3320   volume =       "58",
3321   number =       "5",
3322   pages =        "2539--2550",
3323   numpages =     "11",
3324   year =         "1998",
3325   month =        aug,
3326   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3327   publisher =    "American Physical Society",
3328   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3329 }
3330
3331 @Article{parcas_md,
3332   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3333   author =       "K. Nordlund",
3334   year =         "2008",
3335 }
3336
3337 @Article{voter97,
3338   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3339                  Infrequent Events",
3340   author =       "Arthur F. Voter",
3341   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3342   volume =       "78",
3343   number =       "20",
3344   pages =        "3908--3911",
3345   numpages =     "3",
3346   year =         "1997",
3347   month =        may,
3348   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3349   publisher =    "American Physical Society",
3350   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3351 }
3352
3353 @Article{voter97_2,
3354   author =       "Arthur F. Voter",
3355   collaboration = "",
3356   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3357                  simulation of infrequent events",
3358   publisher =    "AIP",
3359   year =         "1997",
3360   journal =      "J. Chem. Phys.",
3361   volume =       "106",
3362   number =       "11",
3363   pages =        "4665--4677",
3364   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3365                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3366                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3367                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3368                  theory; potential energy surfaces",
3369   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3370   doi =          "10.1063/1.473503",
3371   notes =        "improved hyperdynamics md",
3372 }
3373
3374 @Article{sorensen2000,
3375   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3376   collaboration = "",
3377   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3378                  infrequent events",
3379   publisher =    "AIP",
3380   year =         "2000",
3381   journal =      "J. Chem. Phys.",
3382   volume =       "112",
3383   number =       "21",
3384   pages =        "9599--9606",
3385   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3386                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3387   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3388   doi =          "10.1063/1.481576",
3389   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3390 }
3391
3392 @Article{voter98,
3393   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3394                  events",
3395   author =       "Arthur F. Voter",
3396   journal =      "Phys. Rev. B",
3397   volume =       "57",
3398   number =       "22",
3399   pages =        "R13985--R13988",
3400   numpages =     "3",
3401   year =         "1998",
3402   month =        jun,
3403   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3404   publisher =    "American Physical Society",
3405   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3406 }
3407
3408 @Article{wu99,
3409   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3410   collaboration = "",
3411   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3412                  simulation",
3413   publisher =    "AIP",
3414   year =         "1999",
3415   journal =      "J. Chem. Phys.",
3416   volume =       "110",
3417   number =       "19",
3418   pages =        "9401--9410",
3419   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3420                  potential; crystallisation; liquid theory",
3421   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3422   doi =          "10.1063/1.478948",
3423   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3424                  systematic motion",
3425 }
3426
3427 @Article{choudhary05,
3428   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3429   collaboration = "",
3430   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3431                  to the production of amorphous silicon",
3432   publisher =    "AIP",
3433   year =         "2005",
3434   journal =      "J. Chem. Phys.",
3435   volume =       "122",
3436   number =       "15",
3437   eid =          "154509",
3438   numpages =     "8",
3439   pages =        "154509",
3440   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3441                  amorphous semiconductors",
3442   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3443   doi =          "10.1063/1.1878733",
3444   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3445                  silicon",
3446 }
3447
3448 @Article{taylor93,
3449   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3450   collaboration = "",
3451   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3452                  difficult?",
3453   publisher =    "AIP",
3454   year =         "1993",
3455   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3456   volume =       "62",
3457   number =       "25",
3458   pages =        "3336--3338",
3459   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3460                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3461                  ENERGY",
3462   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3463   doi =          "10.1063/1.109063",
3464   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3465                  interstitials necessary for precipitation, volume
3466                  decrease, high interface energy",
3467 }
3468
3469 @Article{chaussende08,
3470   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3471   journal =      "J. Cryst. Growth",
3472   volume =       "310",
3473   number =       "5",
3474   pages =        "976--981",
3475   year =         "2008",
3476   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3477                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3478   ISSN =         "0022-0248",
3479   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3481   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3482                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3483                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3484                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3485   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3486                  metastable",
3487 }
3488
3489 @Article{chaussende07,
3490   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3491   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3492   journal =      "J. Phys. D",
3493   volume =       "40",
3494   number =       "20",
3495   pages =        "6150",
3496   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3497   year =         "2007",
3498   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3499                  modelling",
3500 }
3501
3502 @Article{feynman39,
3503   title =        "Forces in Molecules",
3504   author =       "R. P. Feynman",
3505   journal =      "Phys. Rev.",
3506   volume =       "56",
3507   number =       "4",
3508   pages =        "340--343",
3509   numpages =     "3",
3510   year =         "1939",
3511   month =        aug,
3512   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3513   publisher =    "American Physical Society",
3514   notes =        "hellmann feynman forces",
3515 }
3516
3517 @Article{buczko00,
3518   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3519                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3520                  their Contrasting Properties",
3521   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3522                  T. Pantelides",
3523   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3524   volume =       "84",
3525   number =       "5",
3526   pages =        "943--946",
3527   numpages =     "3",
3528   year =         "2000",
3529   month =        jan,
3530   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3531   publisher =    "American Physical Society",
3532   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3533 }
3534
3535 @Article{djurabekova08,
3536   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3537                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3538   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3539   journal =      "Phys. Rev. B",
3540   volume =       "77",
3541   number =       "11",
3542   pages =        "115325",
3543   numpages =     "7",
3544   year =         "2008",
3545   month =        mar,
3546   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3547   publisher =    "American Physical Society",
3548   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3549                  angular distribution, coordination",
3550 }
3551
3552 @Article{wen09,
3553   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3554                  W. Liang and J. Zou",
3555   collaboration = "",
3556   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3557                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3558                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3559   publisher =    "AIP",
3560   year =         "2009",
3561   journal =      "J. Appl. Phys.",
3562   volume =       "106",
3563   number =       "7",
3564   eid =          "073522",
3565   numpages =     "8",
3566   pages =        "073522",
3567   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3568                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3569                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3570                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3571   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3572   doi =          "10.1063/1.3234380",
3573   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3574                  deconvolution, dislocation defects",
3575 }
3576
3577 @Article{kitabatake93,
3578   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3579                  Hirao",
3580   collaboration = "",
3581   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3582                  growth on Si(001) surface",
3583   publisher =    "AIP",
3584   year =         "1993",
3585   journal =      "J. Appl. Phys.",
3586   volume =       "74",
3587   number =       "7",
3588   pages =        "4438--4445",
3589   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3590                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3591                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3592   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3593   doi =          "10.1063/1.354385",
3594   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3595                  model, interface",
3596 }
3597
3598 @Article{kitabatake97,
3599   author =       "Makoto Kitabatake",
3600   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3601                  Heteroepitaxial Growth",
3602   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3603   year =         "1997",
3604   journal =      "phys. status solidi (b)",
3605   volume =       "202",
3606   pages =        "405--420",
3607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3608   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3609   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3610 }
3611
3612 @Article{chirita97,
3613   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3614                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3615                  dynamics study",
3616   journal =      "Thin Solid Films",
3617   volume =       "294",
3618   number =       "1-2",
3619   pages =        "47--49",
3620   year =         "1997",
3621   note =         "",
3622   ISSN =         "0040-6090",
3623   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3624   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3625   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3626   keywords =     "Strain relaxation",
3627   keywords =     "Interfaces",
3628   keywords =     "Thermal stability",
3629   keywords =     "Molecular dynamics",
3630   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3631 }
3632
3633 @Article{cicero02,
3634   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3635                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3636   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3637                  Catellani",
3638   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3639   volume =       "89",
3640   number =       "15",
3641   pages =        "156101",
3642   numpages =     "4",
3643   year =         "2002",
3644   month =        sep,
3645   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3646   publisher =    "American Physical Society",
3647   notes =        "sic/si interface study",
3648 }
3649
3650 @Article{pizzagalli03,
3651   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3652                  interface: Si{C}/Si(001)",
3653   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3654                  Catellani",
3655   journal =      "Phys. Rev. B",
3656   volume =       "68",
3657   number =       "19",
3658   pages =        "195302",
3659   numpages =     "10",
3660   year =         "2003",
3661   month =        nov,
3662   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3663   publisher =    "American Physical Society",
3664   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3665 }
3666
3667 @Article{tang07,
3668   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3669                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3670                  electron microscopy",
3671   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3672                  H. Zheng and J. W. Liang",
3673   journal =      "Phys. Rev. B",
3674   volume =       "75",
3675   number =       "18",
3676   pages =        "184103",
3677   numpages =     "7",
3678   year =         "2007",
3679   month =        may,
3680   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3681   publisher =    "American Physical Society",
3682   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3683                  si and c",
3684 }
3685
3686 @Article{hornstra58,
3687   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3688   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3689   volume =       "5",
3690   number =       "1-2",
3691   pages =        "129--141",
3692   year =         "1958",
3693   note =         "",
3694   ISSN =         "0022-3697",
3695   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3696   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3697   author =       "J. Hornstra",
3698   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3699 }
3700
3701 @Article{deguchi92,
3702   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3703                  Ion `Hot' Implantation",
3704   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3705                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3706   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3707   volume =       "31",
3708   number =       "Part 1, No. 2A",
3709   pages =        "343--347",
3710   numpages =     "4",
3711   year =         "1992",
3712   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3713   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3714   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3715   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3716                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3717 }
3718
3719 @Article{eichhorn99,
3720   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3721                  K{\"{o}}gler",
3722   collaboration = "",
3723   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3724                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3725                  synchrotron x-ray diffraction",
3726   publisher =    "AIP",
3727   year =         "1999",
3728   journal =      "J. Appl. Phys.",
3729   volume =       "86",
3730   number =       "8",
3731   pages =        "4184--4187",
3732   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3733                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3734                  precipitation; semiconductor doping",
3735   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3736   doi =          "10.1063/1.371344",
3737   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3738                  expansion of si lattice",
3739 }
3740
3741 @Article{eichhorn02,
3742   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3743                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3744   collaboration = "",
3745   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3746                  carbon ion implantation",
3747   publisher =    "AIP",
3748   year =         "2002",
3749   journal =      "J. Appl. Phys.",
3750   volume =       "91",
3751   number =       "3",
3752   pages =        "1287--1292",
3753   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3754                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3755                  electron microscopy",
3756   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3757   doi =          "10.1063/1.1428105",
3758   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3759                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3760 }
3761
3762 @Article{lucas10,
3763   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3764   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3765                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3766                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3767                  amorphous structures",
3768   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3769   volume =       "22",
3770   number =       "3",
3771   pages =        "035802",
3772   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3773   year =         "2010",
3774   notes =        "edip sic",
3775 }
3776
3777 @Article{godet03,
3778   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3779                  Beauchamp",
3780   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3781                  methods for silicon under large shear",
3782   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3783   volume =       "15",
3784   number =       "41",
3785   pages =        "6943",
3786   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3787   year =         "2003",
3788   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3789                  edip, tersoff, ab initio",
3790 }
3791
3792 @Article{moriguchi98,
3793   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3794                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3795   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3796   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3797   volume =       "37",
3798   number =       "Part 1, No. 2",
3799   pages =        "414--422",
3800   numpages =     "8",
3801   year =         "1998",
3802   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3803   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3804   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3805   notes =        "tersoff stringent test",
3806 }
3807
3808 @Article{mazzarolo01,
3809   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3810                  simulations",
3811   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3812                  Lulli and Eros Albertazzi",
3813   journal =      "Phys. Rev. B",
3814   volume =       "63",
3815   number =       "19",
3816   pages =        "195207",
3817   numpages =     "4",
3818   year =         "2001",
3819   month =        apr,
3820   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3821   publisher =    "American Physical Society",
3822 }
3823
3824 @Article{holmstroem08,
3825   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3826                  density functional theory molecular dynamics
3827                  simulations",
3828   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3829   journal =      "Phys. Rev. B",
3830   volume =       "78",
3831   number =       "4",
3832   pages =        "045202",
3833   numpages =     "6",
3834   year =         "2008",
3835   month =        jul,
3836   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3837   publisher =    "American Physical Society",
3838   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3839                  initio",
3840 }
3841
3842 @Article{nordlund97,
3843   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3844                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3845   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3846   volume =       "132",
3847   number =       "1",
3848   pages =        "45--54",
3849   year =         "1997",
3850   note =         "",
3851   ISSN =         "0168-583X",
3852   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3853   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3854   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3855   notes =        "repulsive ab initio potential",
3856 }
3857
3858 @Article{kresse96,
3859   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3860                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3861                  set",
3862   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3863   volume =       "6",
3864   number =       "1",
3865   pages =        "15--50",
3866   year =         "1996",
3867   note =         "",
3868   ISSN =         "0927-0256",
3869   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3870   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3871   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3872   notes =        "vasp ref",
3873 }
3874
3875 @Article{bloechl94,
3876   title =        "Projector augmented-wave method",
3877   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3878   journal =      "Phys. Rev. B",
3879   volume =       "50",
3880   number =       "24",
3881   pages =        "17953--17979",
3882   numpages =     "26",
3883   year =         "1994",
3884   month =        dec,
3885   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3886   publisher =    "American Physical Society",
3887   notes =        "paw method",
3888 }
3889
3890 @InCollection{cohen70,
3891   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
3892                  and Their Subsequent Application",
3893   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
3894   booktitle =    "",
3895   publisher =    "Academic Press",
3896   year =         "1970",
3897   volume =       "24",
3898   pages =        "37--248",
3899   series =       "Solid State Physics",
3900   ISSN =         "0081-1947",
3901   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
3902   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
3903   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
3904 }
3905
3906 @Article{hamann79,
3907   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3908   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3909   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3910   volume =       "43",
3911   number =       "20",
3912   pages =        "1494--1497",
3913   numpages =     "3",
3914   year =         "1979",
3915   month =        nov,
3916   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3917   publisher =    "American Physical Society",
3918   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3919 }
3920
3921 @Article{troullier91,
3922   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
3923                  calculations",
3924   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
3925   journal =      "Phys. Rev. B",
3926   volume =       "43",
3927   number =       "3",
3928   pages =        "1993--2006",
3929   numpages =     "13",
3930   year =         "1991",
3931   month =        jan,
3932   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
3933   publisher =    "American Physical Society",
3934 }
3935
3936 @Article{vanderbilt90,
3937   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3938                  eigenvalue formalism",
3939   author =       "David Vanderbilt",
3940   journal =      "Phys. Rev. B",
3941   volume =       "41",
3942   number =       "11",
3943   pages =        "7892--7895",
3944   numpages =     "3",
3945   year =         "1990",
3946   month =        apr,
3947   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3948   publisher =    "American Physical Society",
3949   notes =        "vasp pseudopotentials",
3950 }
3951
3952 @Article{ceperley80,
3953   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
3954                  Method",
3955   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
3956   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3957   volume =       "45",
3958   number =       "7",
3959   pages =        "566--569",
3960   numpages =     "3",
3961   year =         "1980",
3962   month =        aug,
3963   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
3964   publisher =    "American Physical Society",
3965 }
3966
3967 @Article{perdew81,
3968   title =        "Self-interaction correction to density-functional
3969                  approximations for many-electron systems",
3970   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
3971   journal =      "Phys. Rev. B",
3972   volume =       "23",
3973   number =       "10",
3974   pages =        "5048--5079",
3975   numpages =     "31",
3976   year =         "1981",
3977   month =        may,
3978   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
3979   publisher =    "American Physical Society",
3980 }
3981
3982 @Article{perdew86,
3983   title =        "Accurate and simple density functional for the
3984                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3985                  approximation",
3986   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3987   journal =      "Phys. Rev. B",
3988   volume =       "33",
3989   number =       "12",
3990   pages =        "8800--8802",
3991   numpages =     "2",
3992   year =         "1986",
3993   month =        jun,
3994   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3995   publisher =    "American Physical Society",
3996   notes =        "rapid communication gga",
3997 }
3998
3999 @Article{perdew02,
4000   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4001                  correlation: {A} look backward and forward",
4002   journal =      "Physica B",
4003   volume =       "172",
4004   number =       "1-2",
4005   pages =        "1--6",
4006   year =         "1991",
4007   note =         "",
4008   ISSN =         "0921-4526",
4009   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4010   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4011   author =       "John P. Perdew",
4012   notes =        "gga overview",
4013 }
4014
4015 @Article{perdew92,
4016   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4017                  of the generalized gradient approximation for exchange
4018                  and correlation",
4019   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4020                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4021                  and Carlos Fiolhais",
4022   journal =      "Phys. Rev. B",
4023   volume =       "46",
4024   number =       "11",
4025   pages =        "6671--6687",
4026   numpages =     "16",
4027   year =         "1992",
4028   month =        sep,
4029   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4030   publisher =    "American Physical Society",
4031   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4032 }
4033
4034 @Article{chadi73,
4035   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4036   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4037   journal =      "Phys. Rev. B",
4038   volume =       "8",
4039   number =       "12",
4040   pages =        "5747--5753",
4041   numpages =     "6",
4042   year =         "1973",
4043   month =        dec,
4044   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4045   publisher =    "American Physical Society",
4046 }
4047
4048 @Article{baldereschi73,
4049   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4050   author =       "A. Baldereschi",
4051   journal =      "Phys. Rev. B",
4052   volume =       "7",
4053   number =       "12",
4054   pages =        "5212--5215",
4055   numpages =     "3",
4056   year =         "1973",
4057   month =        jun,
4058   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4059   publisher =    "American Physical Society",
4060   notes =        "mean value k point",
4061 }
4062
4063 @Article{monkhorst76,
4064   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4065   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4066   journal =      "Phys. Rev. B",
4067   volume =       "13",
4068   number =       "12",
4069   pages =        "5188--5192",
4070   numpages =     "4",
4071   year =         "1976",
4072   month =        jun,
4073   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4074   publisher =    "American Physical Society",
4075 }
4076
4077 @Article{zhu98,
4078   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4079                  diffusion in Si",
4080   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4081   volume =       "12",
4082   number =       "4",
4083   pages =        "309--318",
4084   year =         "1998",
4085   note =         "",
4086   ISSN =         "0927-0256",
4087   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4088   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4089   author =       "Jing Zhu",
4090   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4091   keywords =     "Boron dopant",
4092   keywords =     "Carbon dopant",
4093   keywords =     "Defect",
4094   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4095   keywords =     "Impurity cluster",
4096   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4097 }
4098
4099 @Article{nejim95,
4100   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4101   collaboration = "",
4102   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4103                  950 [degree]{C}",
4104   publisher =    "AIP",
4105   year =         "1995",
4106   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4107   volume =       "66",
4108   number =       "20",
4109   pages =        "2646--2648",
4110   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4111                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4112                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4113                  ELECTRON MICROSCOPY",
4114   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4115   doi =          "10.1063/1.113112",
4116   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4117                  self interstitials react with further implanted c",
4118 }
4119
4120 @Article{guedj98,
4121   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4122                  Kolodzey and A. Hairie",
4123   collaboration = "",
4124   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4125                  alloys",
4126   publisher =    "AIP",
4127   year =         "1998",
4128   journal =      "J. Appl. Phys.",
4129   volume =       "84",
4130   number =       "8",
4131   pages =        "4631--4633",
4132   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4133                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4134                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4135                  annealing",
4136   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4137   doi =          "10.1063/1.368703",
4138   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4139 }
4140
4141 @Article{jones04,
4142   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4143   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4144                  semiconductors",
4145   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4146   volume =       "16",
4147   number =       "27",
4148   pages =        "S2643",
4149   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4150   year =         "2004",
4151   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4152                  si",
4153 }
4154
4155 @Article{park02,
4156   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4157                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4158                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4159   collaboration = "",
4160   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4161                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4162                  molecular-beam epitaxy",
4163   publisher =    "AIP",
4164   year =         "2002",
4165   journal =      "J. Appl. Phys.",
4166   volume =       "91",
4167   number =       "9",
4168   pages =        "5716--5727",
4169   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4170   doi =          "10.1063/1.1465122",
4171   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4172 }
4173
4174 @Article{leary97,
4175   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4176                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4177   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4178                  Torres",
4179   journal =      "Phys. Rev. B",
4180   volume =       "55",
4181   number =       "4",
4182   pages =        "2188--2194",
4183   numpages =     "6",
4184   year =         "1997",
4185   month =        jan,
4186   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4187   publisher =    "American Physical Society",
4188   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4189                  energies, different migration barriers and paths",
4190 }
4191
4192 @Article{burnard93,
4193   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4194                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4195                  calculations",
4196   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4197   journal =      "Phys. Rev. B",
4198   volume =       "47",
4199   number =       "16",
4200   pages =        "10217--10225",
4201   numpages =     "8",
4202   year =         "1993",
4203   month =        apr,
4204   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4205   publisher =    "American Physical Society",
4206   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4207                  carbon defect, formation energies",
4208 }
4209
4210 @Article{besson91,
4211   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4212                  silicon",
4213   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4214   journal =      "Phys. Rev. B",
4215   volume =       "43",
4216   number =       "5",
4217   pages =        "4028--4033",
4218   numpages =     "5",
4219   year =         "1991",
4220   month =        feb,
4221   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4222   publisher =    "American Physical Society",
4223 }
4224
4225 @Article{kaxiras96,
4226   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4227                  and growth on semiconductors",
4228   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4229   volume =       "6",
4230   number =       "2",
4231   pages =        "158--172",
4232   year =         "1996",
4233   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4234                  Epitaxy",
4235   ISSN =         "0927-0256",
4236   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4237   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4238   author =       "Efthimios Kaxiras",
4239   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4240                  tight binding, first principles",
4241 }
4242
4243 @Article{kaukonen98,
4244   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4245                  diamond
4246                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4247                  surfaces",
4248   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4249                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4250                  Th. Frauenheim",
4251   journal =      "Phys. Rev. B",
4252   volume =       "57",
4253   number =       "16",
4254   pages =        "9965--9970",
4255   numpages =     "5",
4256   year =         "1998",
4257   month =        apr,
4258   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4259   publisher =    "American Physical Society",
4260   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4261                  (crt)",
4262 }
4263
4264 @Article{gali03,
4265   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4266                  center in Si{C}",
4267   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4268                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4269                  W. J. Choyke",
4270   journal =      "Phys. Rev. B",
4271   volume =       "67",
4272   number =       "15",
4273   pages =        "155203",
4274   numpages =     "5",
4275   year =         "2003",
4276   month =        apr,
4277   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4278   publisher =    "American Physical Society",
4279 }
4280
4281 @Article{chen98,
4282   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4283                  irradiation and deformation",
4284   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4285   volume =       "258-263",
4286   number =       "Part 2",
4287   pages =        "1803--1808",
4288   year =         "1998",
4289   note =         "",
4290   ISSN =         "0022-3115",
4291   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4293   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4294 }
4295
4296 @Article{weber01,
4297   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4298                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4299   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4300   volume =       "175-177",
4301   number =       "",
4302   pages =        "26--30",
4303   year =         "2001",
4304   note =         "",
4305   ISSN =         "0168-583X",
4306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4307   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4308   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4309 }
4310
4311 @Article{bockstedte03,
4312   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4313                  in $3{C}-Si{C}$",
4314   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4315                  Pankratov",
4316   journal =      "Phys. Rev. B",
4317   volume =       "68",
4318   number =       "20",
4319   pages =        "205201",
4320   numpages =     "17",
4321   year =         "2003",
4322   month =        nov,
4323   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4324   publisher =    "American Physical Society",
4325   notes =        "defect migration in sic",
4326 }
4327
4328 @Article{rauls03a,
4329   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4330                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4331   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4332                  De\'ak",
4333   journal =      "Phys. Rev. B",
4334   volume =       "68",
4335   number =       "15",
4336   pages =        "155208",
4337   numpages =     "9",
4338   year =         "2003",
4339   month =        oct,
4340   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4341   publisher =    "American Physical Society",
4342 }
4343
4344 @Article{losev27,
4345   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4346   volume =       "44",
4347   pages =        "485--494",
4348   year =         "1927",
4349   author =       "O. V. Lossev",
4350 }
4351
4352 @Article{losev28,
4353   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4354                  oscillations with crystals",
4355   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4356   volume =       "6",
4357   number =       "39",
4358   pages =        "1024--1044",
4359   year =         "1928",
4360   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4361   author =       "O. V. Lossev",
4362 }
4363
4364 @Article{losev29,
4365   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4366   volume =       "30",
4367   pages =        "920--923",
4368   year =         "1929",
4369   author =       "O. V. Lossev",
4370 }
4371
4372 @Article{losev31,
4373   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4374   volume =       "32",
4375   pages =        "692--696",
4376   year =         "1931",
4377   author =       "O. V. Lossev",
4378 }
4379
4380 @Article{losev33,
4381   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4382   volume =       "34",
4383   pages =        "397--403",
4384   year =         "1933",
4385   author =       "O. V. Lossev",
4386 }
4387
4388 @Article{round07,
4389   title =        "A note on carborundum",
4390   journal =      "Electrical World",
4391   volume =       "49",
4392   pages =        "308",
4393   year =         "1907",
4394   author =       "H. J. Round",
4395 }
4396
4397 @Article{vashishath08,
4398   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4399   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4400   volume =       "2",
4401   number =       "03",
4402   pages =        "444--470",
4403   year =         "2008",
4404   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4405   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4406   notes =        "sic polytype electronic properties",
4407 }
4408
4409 @Article{nelson69,
4410   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4411   collaboration = "",
4412   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4413   publisher =    "AIP",
4414   year =         "1966",
4415   journal =      "J. Appl. Phys.",
4416   volume =       "37",
4417   number =       "1",
4418   pages =        "333--336",
4419   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4420   doi =          "10.1063/1.1707837",
4421   notes =        "sic melt growth",
4422 }
4423
4424 @Article{arkel25,
4425   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4426   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4427                  und Thoriummetall",
4428   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4429   year =         "1925",
4430   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4431   volume =       "148",
4432   pages =        "345--350",
4433   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4434   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4435   notes =        "van arkel apparatus",
4436 }
4437
4438 @Article{moers31,
4439   author =       "K. Moers",
4440   year =         "1931",
4441   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4442   volume =       "198",
4443   pages =        "293",
4444   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4445                  process",
4446 }
4447
4448 @Article{kendall53,
4449   author =       "J. T. Kendall",
4450   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4451   publisher =    "AIP",
4452   year =         "1953",
4453   journal =      "J. Chem. Phys.",
4454   volume =       "21",
4455   number =       "5",
4456   pages =        "821--827",
4457   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4458   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4459                  process",
4460 }
4461
4462 @Article{lely55,
4463   author =       "J. A. Lely",
4464   year =         "1955",
4465   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4466   volume =       "32",
4467   pages =        "229",
4468   notes =        "lely sublimation growth process",
4469 }
4470
4471 @Article{knippenberg63,
4472   author =       "W. F. Knippenberg",
4473   year =         "1963",
4474   journal =      "Philips Res. Repts.",
4475   volume =       "18",
4476   pages =        "161",
4477   notes =        "acheson process",
4478 }
4479
4480 @Article{hoffmann82,
4481   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4482                  Weyrich",
4483   collaboration = "",
4484   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4485                  improved external quantum efficiency",
4486   publisher =    "AIP",
4487   year =         "1982",
4488   journal =      "J. Appl. Phys.",
4489   volume =       "53",
4490   number =       "10",
4491   pages =        "6962--6967",
4492   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4493                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4494                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4495                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4496                  electroluminescence; spectra; current density;
4497                  optimization",
4498   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4499   doi =          "10.1063/1.330041",
4500   notes =        "blue led, sublimation process",
4501 }
4502
4503 @Article{neudeck95,
4504   author =       "Philip Neudeck",
4505   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4506                  Road 44135 Cleveland OH",
4507   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4508                  technology",
4509   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4510   publisher =    "Springer Boston",
4511   ISSN =         "0361-5235",
4512   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4513   pages =        "283--288",
4514   volume =       "24",
4515   issue =        "4",
4516   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4517   note =         "10.1007/BF02659688",
4518   year =         "1995",
4519   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4520 }
4521
4522 @Article{bhatnagar93,
4523   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4524   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4525   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4526                  devices",
4527   year =         "1993",
4528   month =        mar,
4529   volume =       "40",
4530   number =       "3",
4531   pages =        "645--655",
4532   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4533                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4534                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4535                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4536                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4537                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4538                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4539                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4540   doi =          "10.1109/16.199372",
4541   ISSN =         "0018-9383",
4542   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4543 }
4544
4545 @Article{neudeck94,
4546   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4547                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4548   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4549   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4550                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4551                  6{H}-Si{C} substrates",
4552   year =         "1994",
4553   month =        may,
4554   volume =       "41",
4555   number =       "5",
4556   pages =        "826--835",
4557   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4558                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4559                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4560                  properties;epitaxial layers;light
4561                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4562                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4563                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4564                  currents;power electronics;semiconductor
4565                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4566                  growth;semiconductor materials;silicon
4567                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4568                  phase epitaxial growth;",
4569   doi =          "10.1109/16.285038",
4570   ISSN =         "0018-9383",
4571   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4572                  substrate",
4573 }
4574
4575 @Article{schulze98,
4576   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4577   collaboration = "",
4578   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4579                  single crystals by physical vapor transport",
4580   publisher =    "AIP",
4581   year =         "1998",
4582   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4583   volume =       "72",
4584   number =       "13",
4585   pages =        "1632--1634",
4586   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4587                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4588                  photoluminescence; Hall mobility",
4589   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4590   doi =          "10.1063/1.121136",
4591   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4592 }
4593
4594 @Article{pirouz87,
4595   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4596   collaboration = "",
4597   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4598   publisher =    "AIP",
4599   year =         "1987",
4600   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4601   volume =       "50",
4602   number =       "4",
4603   pages =        "221--223",
4604   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4605                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4606                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4607                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4608                  BOUNDARIES",
4609   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4610   doi =          "10.1063/1.97667",
4611   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4612 }
4613
4614 @Article{shibahara86,
4615   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4616                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4617   journal =      "J. Cryst. Growth",
4618   volume =       "78",
4619   number =       "3",
4620   pages =        "538--544",
4621   year =         "1986",
4622   note =         "",
4623   ISSN =         "0022-0248",
4624   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4626   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4627                  Matsunami",
4628   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4629 }
4630
4631 @Article{desjardins96,
4632   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4633   collaboration = "",
4634   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4635   publisher =    "AIP",
4636   year =         "1996",
4637   journal =      "J. Appl. Phys.",
4638   volume =       "79",
4639   number =       "3",
4640   pages =        "1423--1434",
4641   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4642                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4643   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4644   doi =          "10.1063/1.360980",
4645   notes =        "apb model",
4646 }
4647
4648 @Article{henke95,
4649   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4650   collaboration = "",
4651   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4652                  carbonization of silicon",
4653   publisher =    "AIP",
4654   year =         "1995",
4655   journal =      "J. Appl. Phys.",
4656   volume =       "78",
4657   number =       "3",
4658   pages =        "2070--2073",
4659   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4660                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4661                  STRUCTURE",
4662   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4663   doi =          "10.1063/1.360184",
4664   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4665 }
4666
4667 @Article{fuyuki89,
4668   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4669                  {MBE} using surface superstructure",
4670   journal =      "J. Cryst. Growth",
4671   volume =       "95",
4672   number =       "1-4",
4673   pages =        "461--463",
4674   year =         "1989",
4675   note =         "",
4676   ISSN =         "0022-0248",
4677   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4678   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4679   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4680                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4681   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4682 }
4683
4684 @Article{yoshinobu92,
4685   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4686                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4687   collaboration = "",
4688   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4689                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4690                  molecular beam epitaxy",
4691   publisher =    "AIP",
4692   year =         "1992",
4693   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4694   volume =       "60",
4695   number =       "7",
4696   pages =        "824--826",
4697   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4698                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4699                  INTERFACE STRUCTURE",
4700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4701   doi =          "10.1063/1.107430",
4702   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4703 }
4704
4705 @Article{yoshinobu90,
4706   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4707                  cubic Si{C}",
4708   journal =      "J. Cryst. Growth",
4709   volume =       "99",
4710   number =       "1-4",
4711   pages =        "520--524",
4712   year =         "1990",
4713   note =         "",
4714   ISSN =         "0022-0248",
4715   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4716   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4717   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4718                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4719   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4720 }
4721
4722 @Article{fuyuki93,
4723   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4724                  superstructures in Si{C}",
4725   journal =      "Thin Solid Films",
4726   volume =       "225",
4727   number =       "1-2",
4728   pages =        "225--229",
4729   year =         "1993",
4730   note =         "",
4731   ISSN =         "0040-6090",
4732   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4733   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4734   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4735                  Matsunami",
4736   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4737                  epitaxy, ale",
4738 }
4739
4740 @Article{hara93,
4741   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4742                  growth of [beta]-Si{C}",
4743   journal =      "Thin Solid Films",
4744   volume =       "225",
4745   number =       "1-2",
4746   pages =        "240--243",
4747   year =         "1993",
4748   note =         "",
4749   ISSN =         "0040-6090",
4750   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4752   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4753                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4754   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4755                  epitaxy, ale",
4756 }
4757
4758 @Article{tanaka94,
4759   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4760   collaboration = "",
4761   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4762                  growth mode and polytype formation during gas-source
4763                  molecular beam epitaxy",
4764   publisher =    "AIP",
4765   year =         "1994",
4766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4767   volume =       "65",
4768   number =       "22",
4769   pages =        "2851--2853",
4770   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4771                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4772                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4773                  FLOW; FLOW RATE",
4774   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4775   doi =          "10.1063/1.112513",
4776   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4777 }
4778
4779 @Article{fuyuki97,
4780   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4781   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4782                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4783   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4784   year =         "1997",
4785   journal =      "phys. status solidi (b)",
4786   volume =       "202",
4787   pages =        "359--378",
4788   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4789                  temperatures 750",
4790 }
4791
4792 @Article{takaoka98,
4793   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4794   journal =      "J. Cryst. Growth",
4795   volume =       "183",
4796   number =       "1-2",
4797   pages =        "175--182",
4798   year =         "1998",
4799   note =         "",
4800   ISSN =         "0022-0248",
4801   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4802   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4803   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4804   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4805   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4806   keywords =     "Silicon carbide",
4807   keywords =     "Silicon",
4808   keywords =     "Island growth",
4809   notes =        "lower temperature, 550-700",
4810 }
4811
4812 @Article{hatayama95,
4813   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4814                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4815                  molecular beam epitaxy",
4816   journal =      "J. Cryst. Growth",
4817   volume =       "150",
4818   number =       "Part 2",
4819   pages =        "934--938",
4820   year =         "1995",
4821   note =         "",
4822   ISSN =         "0022-0248",
4823   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4824   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4825   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4826                  and Hiroyuki Matsunami",
4827 }
4828
4829 @Article{heine91,
4830   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4831   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4832                  Metastable Cubic Form",
4833   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
4834   volume =       "74",
4835   number =       "10",
4836   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4837   ISSN =         "1551-2916",
4838   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4839   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4840   pages =        "2630--2633",
4841   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4842                  calculations, stability",
4843   year =         "1991",
4844   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4845                  polytype dft calculation refs",
4846 }
4847
4848 @Article{allendorf91,
4849   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4850                  [beta]-silicon carbide",
4851   journal =      "Surf. Sci.",
4852   volume =       "258",
4853   number =       "1-3",
4854   pages =        "177--189",
4855   year =         "1991",
4856   note =         "",
4857   ISSN =         "0039-6028",
4858   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4859   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4860   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4861   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4862 }
4863
4864 @Article{eaglesham93,
4865   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4866                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4867   collaboration = "",
4868   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4869   publisher =    "AIP",
4870   year =         "1993",
4871   journal =      "J. Appl. Phys.",
4872   volume =       "74",
4873   number =       "11",
4874   pages =        "6615--6618",
4875   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4876                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4877                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4878   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4879   doi =          "10.1063/1.355101",
4880   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4881                  mobility",
4882 }
4883
4884 @Article{newman85,
4885   author =       "Ronald C. Newman",
4886   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4887   journal =      "MRS Proc.",
4888   volume =       "59",
4889   number =       "",
4890   pages =        "403",
4891   year =         "1985",
4892   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4893   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4894   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4895 }
4896
4897 @Article{newman61,
4898   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4899   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
4900   volume =       "19",
4901   number =       "3-4",
4902   pages =        "230--234",
4903   year =         "1961",
4904   note =         "",
4905   ISSN =         "0022-3697",
4906   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4907   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4908   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4909   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4910 }
4911
4912 @Article{goesele85,
4913   author =       "U. Gösele",
4914   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4915   journal =      "MRS Proc.",
4916   volume =       "59",
4917   number =       "",
4918   pages =        "419",
4919   year =         "1985",
4920   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4921   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4922   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4923 }
4924
4925 @Article{mukashev82,
4926   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4927   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4928                  Fukuoka and Haruo Saito",
4929   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
4930   volume =       "21",
4931   number =       "Part 1, No. 2",
4932   pages =        "399--400",
4933   numpages =     "1",
4934   year =         "1982",
4935   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4936   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4937   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4938 }
4939
4940 @Article{puska98,
4941   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4942                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4943   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4944                  M. Nieminen",
4945   journal =      "Phys. Rev. B",
4946   volume =       "58",
4947   number =       "3",
4948   pages =        "1318--1325",
4949   numpages =     "7",
4950   year =         "1998",
4951   month =        jul,
4952   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4953   publisher =    "American Physical Society",
4954   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4955                  silicon",
4956 }
4957
4958 @Article{serre95,
4959   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4960                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4961                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4962   collaboration = "",
4963   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4964                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4965   publisher =    "AIP",
4966   year =         "1995",
4967   journal =      "J. Appl. Phys.",
4968   volume =       "77",
4969   number =       "7",
4970   pages =        "2978--2984",
4971   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4972                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4973                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4974                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4975   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4976   doi =          "10.1063/1.358714",
4977 }
4978
4979 @Article{romano-rodriguez96,
4980   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4981                  dose carbon ion implantation in silicon",
4982   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4983   volume =       "36",
4984   number =       "1-3",
4985   pages =        "282--285",
4986   year =         "1996",
4987   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4988                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4989                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4990                  Semiconductors",
4991   ISSN =         "0921-5107",
4992   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4993   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4994   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4995                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4996                  and W. Skorupa",
4997   keywords =     "Silicon",
4998   keywords =     "Ion implantation",
4999   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5000 }
5001
5002 @Article{davidson75,
5003   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5004                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5005                  real-symmetric matrices",
5006   journal =      "J. Comput. Phys.",
5007   volume =       "17",
5008   number =       "1",
5009   pages =        "87--94",
5010   year =         "1975",
5011   note =         "",
5012   ISSN =         "0021-9991",
5013   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5014   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5015   author =       "Ernest R. Davidson",
5016 }
5017
5018 @Book{adorno_mm,
5019   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5020                  Leben",
5021   author =       "T. W. Adorno",
5022   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5023   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5024   year =         "1994",
5025   publisher =    "Suhrkamp",
5026 }