bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{moissan04,
 186   author =       "Henri Moissan",
 187   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 188                  Diablo",
 189   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 190   volume =       "139",
 191   pages =        "773--786",
 192   year =         "1904",
 193 }
 194
 195 @Book{park98,
 196   author =       "Y. S. Park",
 197   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 198   publisher =    "Academic Press",
 199   address =      "San Diego",
 200   year =         "1998",
 201 }
 202
 203 @Article{tsvetkov98,
 204   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 205                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 206   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 207   journal =      "Materials Science Forum",
 208   volume =       "264-268",
 209   pages =        "3--8",
 210   year =         "1998",
 211   notes =        "modified lely process, micropipes",
 212 }
 213
 214 @Article{verlet67,
 215   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 216                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 217   author =       "Loup Verlet",
 218   journal =      "Phys. Rev.",
 219   volume =       "159",
 220   number =       "1",
 221   pages =        "98",
 222   year =         "1967",
 223   month =        jul,
 224   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 227                  motion",
 228 }
 229
 230 @Article{berendsen84,
 231   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 232                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 233   collaboration = "",
 234   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 235   publisher =    "AIP",
 236   year =         "1984",
 237   journal =      "J. Chem. Phys.",
 238   volume =       "81",
 239   number =       "8",
 240   pages =        "3684--3690",
 241   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 242                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 244   doi =          "10.1063/1.448118",
 245   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 246 }
 247
 248 @Article{huang95,
 249   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 250                  Baskes",
 251   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 252                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 253                  potentials",
 254   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 255   volume =       "3",
 256   number =       "5",
 257   pages =        "615--627",
 258   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 259   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 260                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 261   year =         "1995",
 262 }
 263
 264 @Article{brenner89,
 265   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 266                  Tersoff potentials",
 267   author =       "Donald W. Brenner",
 268   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 269   volume =       "63",
 270   number =       "9",
 271   pages =        "1022",
 272   numpages =     "1",
 273   year =         "1989",
 274   month =        aug,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 278 }
 279
 280 @Article{batra87,
 281   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 282                  silicon",
 283   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "35",
 286   number =       "18",
 287   pages =        "9552--9558",
 288   numpages =     "6",
 289   year =         "1987",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 294                  calculation of defect formation energy, defect
 295                  interstitial types",
 296 }
 297
 298 @Article{schober89,
 299   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 300   author =       "H. R. Schober",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "39",
 303   number =       "17",
 304   pages =        "13013--13015",
 305   numpages =     "2",
 306   year =         "1989",
 307   month =        jun,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 311                  dumbbell configuration",
 312 }
 313
 314 @Article{gao02a,
 315   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 316                  Defect accumulation, topological features, and
 317                  disordering",
 318   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 319   journal =      "Phys. Rev. B",
 320   volume =       "66",
 321   number =       "2",
 322   pages =        "024106",
 323   numpages =     "10",
 324   year =         "2002",
 325   month =        jul,
 326   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 327   publisher =    "American Physical Society",
 328   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 329                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 330                  result analyze",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98,
 334   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 335                  cascade in Si{C}",
 336   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 337   volume =       "141",
 338   number =       "1-4",
 339   pages =        "118--122",
 340   year =         "1998",
 341   ISSN =         "0168-583X",
 342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 343   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 344                  Rubia",
 345   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 346                  3c-sic",
 347 }
 348
 349 @Article{devanathan98_2,
 350   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 351   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 352   volume =       "253",
 353   number =       "1-3",
 354   pages =        "47--52",
 355   year =         "1998",
 356   ISSN =         "0022-3115",
 357   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 358   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 359                  Weber",
 360   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 361                  tersoff",
 362 }
 363
 364 @Article{kitabatake00,
 365   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 366   author =       "M. Kitabatake",
 367   journal =      "Thin Solid Films",
 368   volume =       "369",
 369   pages =        "257--264",
 370   numpages =     "8",
 371   year =         "2000",
 372   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 373 }
 374
 375 @Article{tang97,
 376   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 377                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 378                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 379                  formation volumes",
 380   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 381                  Rubia",
 382   journal =      "Phys. Rev. B",
 383   volume =       "55",
 384   number =       "21",
 385   pages =        "14279--14289",
 386   numpages =     "10",
 387   year =         "1997",
 388   month =        jun,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 392 }
 393
 394 @Article{johnson98,
 395   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 396                  Rubia",
 397   collaboration = "",
 398   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 399                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 400                  presence of carbon and boron",
 401   publisher =    "AIP",
 402   year =         "1998",
 403   journal =      "J. Appl. Phys.",
 404   volume =       "84",
 405   number =       "4",
 406   pages =        "1963--1967",
 407   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 408                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 409                  semiconductors; self-diffusion",
 410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 411   doi =          "10.1063/1.368328",
 412   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 413                  diffsuion",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84,
 417   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 418                  Self-Interstitial",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 421   volume =       "52",
 422   number =       "13",
 423   pages =        "1129--1132",
 424   numpages =     "3",
 425   year =         "1984",
 426   month =        mar,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 430 }
 431
 432 @Article{bar-yam84_2,
 433   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 434                  barriers of silicon self-interstitials",
 435   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 436   journal =      "Phys. Rev. B",
 437   volume =       "30",
 438   number =       "4",
 439   pages =        "1844--1852",
 440   numpages =     "8",
 441   year =         "1984",
 442   month =        aug,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445 }
 446
 447 @Article{bloechl93,
 448   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 449                  constants in silicon",
 450   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 451                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "70",
 454   number =       "16",
 455   pages =        "2435--2438",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1993",
 458   month =        apr,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 462                  entropy calculations",
 463 }
 464
 465 @Article{colombo02,
 466   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "L. Colombo",
 469   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 470   volume =       "32",
 471   pages =        "271--295",
 472   numpages =     "25",
 473   year =         "2002",
 474   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 475   publisher =    "Annual Reviews",
 476   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 477 }
 478
 479 @Article{al-mushadani03,
 480   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 481                  silicon",
 482   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 483   journal =      "Phys. Rev. B",
 484   volume =       "68",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235205",
 487   numpages =     "8",
 488   year =         "2003",
 489   month =        dec,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 493                  silicon, si self interstitials, free energy",
 494 }
 495
 496 @Article{goedecker02,
 497   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 498   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "88",
 501   number =       "23",
 502   pages =        "235501",
 503   numpages =     "4",
 504   year =         "2002",
 505   month =        may,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 509                  silicon",
 510 }
 511
 512 @Article{sahli05,
 513   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 514                  self-interstitial diffusion in silicon",
 515   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "72",
 518   number =       "24",
 519   pages =        "245210",
 520   numpages =     "6",
 521   year =         "2005",
 522   month =        dec,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 526                  mapping applied",
 527 }
 528
 529 @Article{hobler05,
 530   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 531                  native point defects in silicon",
 532   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 533   volume =       "124-125",
 534   number =       "",
 535   pages =        "368--371",
 536   year =         "2005",
 537   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 538                  Issues for Future Technologies",
 539   ISSN =         "0921-5107",
 540   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 541   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 542   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 543   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 544                  radius",
 545 }
 546
 547 @Article{ma10,
 548   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 549                  wide temperature range: Point defect states and
 550                  migration mechanisms",
 551   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "81",
 554   number =       "19",
 555   pages =        "193203",
 556   numpages =     "4",
 557   year =         "2010",
 558   month =        may,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 562 }
 563
 564 @Article{posselt06,
 565   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 566                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "73",
 570   number =       "12",
 571   pages =        "125206",
 572   numpages =     "8",
 573   year =         "2006",
 574   month =        mar,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577 }
 578
 579 @Article{posselt08,
 580   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 581                  migration mechanisms of vacancies and
 582                  self-interstitials: An atomistic study",
 583   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "78",
 586   number =       "3",
 587   pages =        "035208",
 588   numpages =     "9",
 589   year =         "2008",
 590   month =        jul,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 594                  weber and tersoff",
 595 }
 596
 597 @Article{gao2001,
 598   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 599                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 600   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 601                  Corrales",
 602   journal =      "Phys. Rev. B",
 603   volume =       "64",
 604   number =       "24",
 605   pages =        "245208",
 606   numpages =     "7",
 607   year =         "2001",
 608   month =        dec,
 609   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 610   publisher =    "American Physical Society",
 611   notes =        "defects in 3c-sic",
 612 }
 613
 614 @Article{gao02,
 615   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 616                  3{C}-Si{C}",
 617   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 618   volume =       "191",
 619   number =       "1-4",
 620   pages =        "487--496",
 621   year =         "2002",
 622   note =         "",
 623   ISSN =         "0168-583X",
 624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 626   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 627   keywords =     "Empirical potential",
 628   keywords =     "Defect properties",
 629   keywords =     "Silicon carbide",
 630   keywords =     "Computer simulation",
 631   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 632 }
 633
 634 @Article{gao04,
 635   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 636                  3{C}-Si{C}",
 637   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 638                  Belko",
 639   journal =      "Phys. Rev. B",
 640   volume =       "69",
 641   number =       "24",
 642   pages =        "245205",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2004",
 645   month =        jun,
 646   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 647   publisher =    "American Physical Society",
 648   notes =        "defect migration in sic",
 649 }
 650
 651 @Article{gao07,
 652   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 653                  W. J. Weber",
 654   collaboration = "",
 655   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 656                  in cubic silicon carbide",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "2007",
 659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 660   volume =       "90",
 661   number =       "22",
 662   eid =          "221915",
 663   numpages =     "3",
 664   pages =        "221915",
 665   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 666                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 667                  dynamics method; density functional theory;
 668                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 669                  impurities; diffusion",
 670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 671   doi =          "10.1063/1.2743751",
 672 }
 673
 674 @Article{mattoni2002,
 675   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 676                  crystalline silicon",
 677   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 678   journal =      "Phys. Rev. B",
 679   volume =       "66",
 680   number =       "19",
 681   pages =        "195214",
 682   numpages =     "6",
 683   year =         "2002",
 684   month =        nov,
 685   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 686   publisher =    "American Physical Society",
 687   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 688                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 689                  tersoff suitability",
 690 }
 691
 692 @Article{leung99,
 693   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 694   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 695                  Itoh and S. Ihara",
 696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 697   volume =       "83",
 698   number =       "12",
 699   pages =        "2351--2354",
 700   numpages =     "3",
 701   year =         "1999",
 702   month =        sep,
 703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 706                  refs",
 707 }
 708
 709 @Article{capaz94,
 710   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 711                  carbon in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "50",
 715   number =       "11",
 716   pages =        "7439--7442",
 717   numpages =     "3",
 718   year =         "1994",
 719   month =        sep,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 723                  dumbbell",
 724 }
 725
 726 @Article{capaz98,
 727   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 728   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 729   journal =      "Phys. Rev. B",
 730   volume =       "58",
 731   number =       "15",
 732   pages =        "9845--9850",
 733   numpages =     "5",
 734   year =         "1998",
 735   month =        oct,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 739 }
 740
 741 @Article{song90_2,
 742   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 743                  pair in silicon",
 744   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 745                  Watkins",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "42",
 748   number =       "9",
 749   pages =        "5765--5783",
 750   numpages =     "18",
 751   year =         "1990",
 752   month =        sep,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 756 }
 757
 758 @Article{liu02,
 759   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 760                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 763                  interactions in Si",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2002",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "80",
 768   number =       "1",
 769   pages =        "52--54",
 770   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 771                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 772                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 774   doi =          "10.1063/1.1430505",
 775   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 776 }
 777
 778 @Article{dal_pino93,
 779   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 780                  silicon",
 781   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 782                  Joannopoulos",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "47",
 785   number =       "19",
 786   pages =        "12554--12557",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1993",
 789   month =        may,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 793 }
 794
 795 @Article{car84,
 796   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 797                  Silicon",
 798   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 799                  Sokrates T. Pantelides",
 800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 801   volume =       "52",
 802   number =       "20",
 803   pages =        "1814--1817",
 804   numpages =     "3",
 805   year =         "1984",
 806   month =        may,
 807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 808   publisher =    "American Physical Society",
 809   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 810                  path formation",
 811 }
 812
 813 @Article{car85,
 814   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 815                  Density-Functional Theory",
 816   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 817   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "22",
 820   pages =        "2471--2474",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1985",
 823   month =        nov,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 827 }
 828
 829 @Article{kelires97,
 830   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 831                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 832   author =       "P. C. Kelires",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "55",
 835   number =       "14",
 836   pages =        "8784--8787",
 837   numpages =     "3",
 838   year =         "1997",
 839   month =        apr,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 841   publisher =    "American Physical Society",
 842   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 843                  neighbour dist",
 844 }
 845
 846 @Article{kelires95,
 847   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 848                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 849   author =       "P. C. Kelires",
 850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 851   volume =       "75",
 852   number =       "6",
 853   pages =        "1114--1117",
 854   numpages =     "3",
 855   year =         "1995",
 856   month =        aug,
 857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 858   publisher =    "American Physical Society",
 859   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 860 }
 861
 862 @Article{bean70,
 863   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 864                  containing carbon",
 865   journal =      "Solid State Communications",
 866   volume =       "8",
 867   number =       "3",
 868   pages =        "175--177",
 869   year =         "1970",
 870   note =         "",
 871   ISSN =         "0038-1098",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 874   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 875 }
 876
 877 @Article{watkins76,
 878   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 879                  Atom in Silicon",
 880   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 881   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 882   volume =       "36",
 883   number =       "22",
 884   pages =        "1329--1332",
 885   numpages =     "3",
 886   year =         "1976",
 887   month =        may,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{song90,
 895   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 896                  interstitial carbon in silicon",
 897   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5759--5764",
 902   numpages =     "5",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 908 }
 909
 910 @Article{tipping87,
 911   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 912   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 913                  silicon",
 914   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 915   volume =       "2",
 916   number =       "5",
 917   pages =        "315--317",
 918   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 919   year =         "1987",
 920   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{strane96,
 925   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 926                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 927   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 928                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 929   journal =      "J. Appl. Phys.",
 930   volume =       "79",
 931   pages =        "637",
 932   year =         "1996",
 933   month =        jan,
 934   doi =          "10.1063/1.360806",
 935   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 936 }
 937
 938 @Article{laveant2002,
 939   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 940   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 941   volume =       "89",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "241--245",
 944   year =         "2002",
 945   ISSN =         "0921-5107",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 948   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 949                  G{\"{o}}sele",
 950   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 951                  stress, avoid sic precipitation",
 952 }
 953
 954 @Article{werner97,
 955   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 956                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 957   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 958                  silicon by transmission electron microscopy",
 959   publisher =    "AIP",
 960   year =         "1997",
 961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 962   volume =       "70",
 963   number =       "2",
 964   pages =        "252--254",
 965   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 966                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 967                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 968                  layers; precipitation",
 969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 970   doi =          "10.1063/1.118381",
 971   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 972                  precipitate",
 973 }
 974
 975 @InProceedings{werner96,
 976   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 977                  Eichler",
 978   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 979                  International Conference on",
 980   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 981                  implanted silicon",
 982   year =         "1996",
 983   month =        jun,
 984   volume =       "",
 985   number =       "",
 986   pages =        "675--678",
 987   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 988   ISSN =         "",
 989   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 990 }
 991
 992 @Article{werner98,
 993   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 994                  D. C. Jacobson",
 995   collaboration = "",
 996   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 997   publisher =    "AIP",
 998   year =         "1998",
 999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1000   volume =       "73",
1001   number =       "17",
1002   pages =        "2465--2467",
1003   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1004                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1005                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1006                  impurity distribution",
1007   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1008   doi =          "10.1063/1.122483",
1009   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1010 }
1011
1012 @Article{strane94,
1013   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1014                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1017                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1018   publisher =    "AIP",
1019   year =         "1994",
1020   journal =      "J. Appl. Phys.",
1021   volume =       "76",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "3656--3668",
1024   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1026   doi =          "10.1063/1.357429",
1027   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1028                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1029                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1030                  energy",
1031 }
1032
1033 @Article{fischer95,
1034   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1035                  Osten",
1036   collaboration = "",
1037   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1038                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1039   publisher =    "AIP",
1040   year =         "1995",
1041   journal =      "J. Appl. Phys.",
1042   volume =       "77",
1043   number =       "5",
1044   pages =        "1934--1937",
1045   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1046                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1047                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1048                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1049   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1050   doi =          "10.1063/1.358826",
1051 }
1052
1053 @Article{edgar92,
1054   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1055                  semiconductors",
1056   author =       "J. H. Edgar",
1057   journal =      "J. Mater. Res.",
1058   volume =       "7",
1059   pages =        "235",
1060   year =         "1992",
1061   month =        jan,
1062   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1063   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1064                  polytypes",
1065 }
1066
1067 @Article{zirkelbach2007,
1068   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1069                  process leading to ordered precipitate structures",
1070   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1071                  and B. Stritzker",
1072   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1073   volume =       "257",
1074   number =       "1--2",
1075   pages =        "75--79",
1076   numpages =     "5",
1077   year =         "2007",
1078   month =        apr,
1079   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1080   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1081                  NETHERLANDS",
1082 }
1083
1084 @Article{zirkelbach2006,
1085   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1086                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1087                  during ion irradiation",
1088   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1089                  and B. Stritzker",
1090   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1091   volume =       "242",
1092   number =       "1--2",
1093   pages =        "679--682",
1094   numpages =     "4",
1095   year =         "2006",
1096   month =        jan,
1097   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1098   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1099                  NETHERLANDS",
1100 }
1101
1102 @Article{zirkelbach2005,
1103   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1104                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1105                  ion irradiation",
1106   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1107                  and B. Stritzker",
1108   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1109   volume =       "33",
1110   number =       "1--3",
1111   pages =        "310--316",
1112   numpages =     "7",
1113   year =         "2005",
1114   month =        apr,
1115   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1116   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1117                  NETHERLANDS",
1118 }
1119
1120 @Article{zirkelbach09,
1121   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1122                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1123   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1124   volume =       "159-160",
1125   number =       "",
1126   pages =        "149--152",
1127   year =         "2009",
1128   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1129                  Silicon Materials Research for Electronic and
1130                  Photovoltaic Applications",
1131   ISSN =         "0921-5107",
1132   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1133   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1134   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1135                  B. Stritzker",
1136   keywords =     "Silicon",
1137   keywords =     "Carbon",
1138   keywords =     "Silicon carbide",
1139   keywords =     "Nucleation",
1140   keywords =     "Defect formation",
1141   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10a,
1145   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1146                  classical potentials and first-principles methods",
1147   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1148                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1149   journal =      "Phys. Rev. B",
1150   volume =       "82",
1151   number =       "9",
1152   pages =        "094110",
1153   numpages =     "6",
1154   year =         "2010",
1155   month =        sep,
1156   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1157   publisher =    "American Physical Society",
1158 }
1159
1160 @Article{zirkelbach10b,
1161   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1162                  silicon",
1163   journal =      "to be published",
1164   volume =       "",
1165   number =       "",
1166   pages =        "",
1167   year =         "2010",
1168   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1169                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1170 }
1171
1172 @Article{zirkelbach10c,
1173   title =        "...",
1174   journal =      "to be published",
1175   volume =       "",
1176   number =       "",
1177   pages =        "",
1178   year =         "2010",
1179   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1180                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner99,
1184   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1185                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1186                  layers in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "147",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "249--255",
1191   year =         "1999",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "two-step implantation process",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner99_2,
1201   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1202                  in silicon",
1203   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1204   volume =       "148",
1205   number =       "1-4",
1206   pages =        "528--533",
1207   year =         "1999",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1211   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1212   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1213 }
1214
1215 @Article{lindner01,
1216   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1217                  Basic physical processes",
1218   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1219   volume =       "178",
1220   number =       "1-4",
1221   pages =        "44--54",
1222   year =         "2001",
1223   note =         "",
1224   ISSN =         "0168-583X",
1225   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1226   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1227   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner02,
1231   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1232                  fundamental studies for new technological tricks",
1233   author =       "J. K. N. Lindner",
1234   journal =      "Appl. Phys. A",
1235   volume =       "77",
1236   pages =        "27--38",
1237   year =         "2003",
1238   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1239   notes =        "ibs, burried sic layers",
1240 }
1241
1242 @Article{lindner06,
1243   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1244                  formation and displacive precipitate resolution in the
1245                  {C}-Si system",
1246   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1247   volume =       "26",
1248   number =       "5-7",
1249   pages =        "857--861",
1250   year =         "2006",
1251   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1252                  Applications",
1253   ISSN =         "0928-4931",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1257                  and B. Stritzker",
1258   notes =        "c int diffusion barrier",
1259 }
1260
1261 @Article{ito04,
1262   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1263                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1264                  growth",
1265   journal =      "Applied Surface Science",
1266   volume =       "238",
1267   number =       "1-4",
1268   pages =        "159--164",
1269   year =         "2004",
1270   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1271   ISSN =         "0169-4332",
1272   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1274   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1275                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1276   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yamamoto04,
1280   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1281                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1282                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1283   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1284   volume =       "261",
1285   number =       "2-3",
1286   pages =        "266--270",
1287   year =         "2004",
1288   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1289                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1290   ISSN =         "0022-0248",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1293   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1294                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1295   notes =        "gan on 3c-sic",
1296 }
1297
1298 @Article{liu_l02,
1299   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1300   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1301   volume =       "37",
1302   number =       "3",
1303   pages =        "61--127",
1304   year =         "2002",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0927-796X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1309   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1310   notes =        "gan substrates",
1311 }
1312
1313 @Article{takeuchi91,
1314   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1315                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1317   volume =       "115",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "634--638",
1320   year =         "1991",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0022-0248",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1325   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1326                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1327   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1328 }
1329
1330 @Article{alder57,
1331   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1332   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1333   publisher =    "AIP",
1334   year =         "1957",
1335   journal =      "J. Chem. Phys.",
1336   volume =       "27",
1337   number =       "5",
1338   pages =        "1208--1209",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1340   doi =          "10.1063/1.1743957",
1341 }
1342
1343 @Article{alder59,
1344   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1345   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1959",
1348   journal =      "J. Chem. Phys.",
1349   volume =       "31",
1350   number =       "2",
1351   pages =        "459--466",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1353   doi =          "10.1063/1.1730376",
1354 }
1355
1356 @Article{tersoff_si1,
1357   title =        "New empirical model for the structural properties of
1358                  silicon",
1359   author =       "J. Tersoff",
1360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1361   volume =       "56",
1362   number =       "6",
1363   pages =        "632--635",
1364   numpages =     "3",
1365   year =         "1986",
1366   month =        feb,
1367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1368   publisher =    "American Physical Society",
1369 }
1370
1371 @Article{tersoff_si2,
1372   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1373                  covalent systems",
1374   author =       "J. Tersoff",
1375   journal =      "Phys. Rev. B",
1376   volume =       "37",
1377   number =       "12",
1378   pages =        "6991--7000",
1379   numpages =     "9",
1380   year =         "1988",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1383   publisher =    "American Physical Society",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si3,
1387   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1388                  improved elastic properties",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. B",
1391   volume =       "38",
1392   number =       "14",
1393   pages =        "9902--9905",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1988",
1396   month =        nov,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_c,
1402   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1403                  Applications to Amorphous Carbon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "61",
1407   number =       "25",
1408   pages =        "2879--2882",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1988",
1411   month =        dec,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_m,
1417   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1418                  for multicomponent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "39",
1422   number =       "8",
1423   pages =        "5566--5568",
1424   numpages =     "2",
1425   year =         "1989",
1426   month =        mar,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff90,
1432   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1433   author =       "J. Tersoff",
1434   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1435   volume =       "64",
1436   number =       "15",
1437   pages =        "1757--1760",
1438   numpages =     "3",
1439   year =         "1990",
1440   month =        apr,
1441   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1442   publisher =    "American Physical Society",
1443 }
1444
1445 @Article{fahey89,
1446   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1447   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1448   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1449   volume =       "61",
1450   number =       "2",
1451   pages =        "289--384",
1452   numpages =     "95",
1453   year =         "1989",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{wesch96,
1460   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1461   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1462   volume =       "116",
1463   number =       "1-4",
1464   pages =        "305--321",
1465   year =         "1996",
1466   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1470   author =       "W. Wesch",
1471 }
1472
1473 @Article{morkoc94,
1474   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1475                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1476   collaboration = "",
1477   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1478                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1479   publisher =    "AIP",
1480   year =         "1994",
1481   journal =      "J. Appl. Phys.",
1482   volume =       "76",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "1363--1398",
1485   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1486                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1487                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1488                  FILMS; INDUSTRY",
1489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1490   doi =          "10.1063/1.358463",
1491   notes =        "sic intro, properties",
1492 }
1493
1494 @Article{foo,
1495   author =       "Noch Unbekannt",
1496   title =        "How to find references",
1497   journal =      "Journal of Applied References",
1498   year =         "2009",
1499   volume =       "77",
1500   pages =        "1--23",
1501 }
1502
1503 @Article{tang95,
1504   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1505                  \beta{}-Si{C}",
1506   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1507   journal =      "Phys. Rev. B",
1508   volume =       "52",
1509   number =       "21",
1510   pages =        "15150--15159",
1511   numpages =     "9",
1512   year =         "1995",
1513   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1514   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1515                  tersoff reparametrization",
1516   publisher =    "American Physical Society",
1517 }
1518
1519 @Article{sarro00,
1520   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1521   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1522   volume =       "82",
1523   number =       "1-3",
1524   pages =        "210--218",
1525   year =         "2000",
1526   ISSN =         "0924-4247",
1527   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1528   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1529   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1530   keywords =     "MEMS",
1531   keywords =     "Silicon carbide",
1532   keywords =     "Micromachining",
1533   keywords =     "Mechanical stress",
1534 }
1535
1536 @Article{casady96,
1537   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1538                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1539                  review",
1540   journal =      "Solid-State Electronics",
1541   volume =       "39",
1542   number =       "10",
1543   pages =        "1409--1422",
1544   year =         "1996",
1545   ISSN =         "0038-1101",
1546   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1547   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1548   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1549   notes =        "sic intro",
1550 }
1551
1552 @Article{giancarli98,
1553   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1554                  structural material in fusion power reactor blankets",
1555   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1556   volume =       "41",
1557   number =       "1-4",
1558   pages =        "165--171",
1559   year =         "1998",
1560   ISSN =         "0920-3796",
1561   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1562   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1563   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1564                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1565 }
1566
1567 @Article{pensl93,
1568   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1569   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1570   volume =       "185",
1571   number =       "1-4",
1572   pages =        "264--283",
1573   year =         "1993",
1574   ISSN =         "0921-4526",
1575   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1576   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1577   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1578 }
1579
1580 @Article{tairov78,
1581   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1582                  carbide single crystals",
1583   journal =      "J. Cryst. Growth",
1584   volume =       "43",
1585   number =       "2",
1586   pages =        "209--212",
1587   year =         "1978",
1588   notes =        "modified lely process",
1589   ISSN =         "0022-0248",
1590   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1591   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1592   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1593 }
1594
1595 @Article{tairov81,
1596   title =        "General principles of growing large-size single
1597                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1598   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1599   volume =       "52",
1600   number =       "Part 1",
1601   pages =        "146--150",
1602   year =         "1981",
1603   note =         "",
1604   ISSN =         "0022-0248",
1605   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1607   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1608 }
1609
1610 @Article{barrett91,
1611   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1612   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1613   volume =       "109",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "17--23",
1616   year =         "1991",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0022-0248",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1621   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1622                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1623 }
1624
1625 @Article{barrett93,
1626   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1627   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1628   volume =       "128",
1629   number =       "1-4",
1630   pages =        "358--362",
1631   year =         "1993",
1632   note =         "",
1633   ISSN =         "0022-0248",
1634   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1636   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1637                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1638                  W. J. Choyke",
1639 }
1640
1641 @Article{stein93,
1642   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1643                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1644                  sublimation method",
1645   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1646   volume =       "131",
1647   number =       "1-2",
1648   pages =        "71--74",
1649   year =         "1993",
1650   note =         "",
1651   ISSN =         "0022-0248",
1652   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1653   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1654   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1655   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1656 }
1657
1658 @Article{nishino83,
1659   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1660                  Will",
1661   collaboration = "",
1662   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1663                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1664   publisher =    "AIP",
1665   year =         "1983",
1666   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1667   volume =       "42",
1668   number =       "5",
1669   pages =        "460--462",
1670   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1671                  monocrystals",
1672   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1673   doi =          "10.1063/1.93970",
1674   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1675 }
1676
1677 @Article{nishino87,
1678   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1679                  and Hiroyuki Matsunami",
1680   collaboration = "",
1681   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1682                  Si{C} on silicon",
1683   publisher =    "AIP",
1684   year =         "1987",
1685   journal =      "J. Appl. Phys.",
1686   volume =       "61",
1687   number =       "10",
1688   pages =        "4889--4893",
1689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1690   doi =          "10.1063/1.338355",
1691   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1692                  carbonization",
1693 }
1694
1695 @Article{powell87,
1696   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1697                  Kuczmarski",
1698   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1699                  Single-Crystal Films on Si",
1700   publisher =    "ECS",
1701   year =         "1987",
1702   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1703   volume =       "134",
1704   number =       "6",
1705   pages =        "1558--1565",
1706   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1707                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1708   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1709   doi =          "10.1149/1.2100708",
1710   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1711 }
1712
1713 @Article{powell87_2,
1714   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1715                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1716   collaboration = "",
1717   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1718                  off-axis Si substrates",
1719   publisher =    "AIP",
1720   year =         "1987",
1721   journal =      "Applied Physics Letters",
1722   volume =       "51",
1723   number =       "11",
1724   pages =        "823--825",
1725   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1726                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1727                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1728                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1729                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1730   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1731   doi =          "10.1063/1.98824",
1732   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1733 }
1734
1735 @Article{ueda90,
1736   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1737   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1738   volume =       "104",
1739   number =       "3",
1740   pages =        "695--700",
1741   year =         "1990",
1742   note =         "",
1743   ISSN =         "0022-0248",
1744   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1745   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1746   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1747                  Matsunami",
1748   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1749 }
1750
1751 @Article{kimoto93,
1752   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1753                  and Hiroyuki Matsunami",
1754   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1755                  epitaxy",
1756   publisher =    "AIP",
1757   year =         "1993",
1758   journal =      "J. Appl. Phys.",
1759   volume =       "73",
1760   number =       "2",
1761   pages =        "726--732",
1762   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1763                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1764                  VAPOR DEPOSITION",
1765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1766   doi =          "10.1063/1.353329",
1767   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1768 }
1769
1770 @Article{powell90_2,
1771   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1772                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1773                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1774   collaboration = "",
1775   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1776                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1777   publisher =    "AIP",
1778   year =         "1990",
1779   journal =      "Applied Physics Letters",
1780   volume =       "56",
1781   number =       "15",
1782   pages =        "1442--1444",
1783   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1784                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1785                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1786                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1787   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1788   doi =          "10.1063/1.102492",
1789   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1790 }
1791
1792 @Article{kong88_2,
1793   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1794   collaboration = "",
1795   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1796                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1797                  substrates",
1798   publisher =    "AIP",
1799   year =         "1988",
1800   journal =      "Journal of Applied Physics",
1801   volume =       "64",
1802   number =       "5",
1803   pages =        "2672--2679",
1804   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1805                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1806                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1807                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1808                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1809   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1810   doi =          "10.1063/1.341608",
1811 }
1812
1813 @Article{powell90,
1814   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1815                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1816                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1817   collaboration = "",
1818   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1819                  6{H}-Si{C} substrates",
1820   publisher =    "AIP",
1821   year =         "1990",
1822   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1823   volume =       "56",
1824   number =       "14",
1825   pages =        "1353--1355",
1826   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1827                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1828                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1829                  PHASE EPITAXY",
1830   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1831   doi =          "10.1063/1.102512",
1832   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1833 }
1834
1835 @Article{kong88,
1836   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1837                  Rozgonyi and K. L. More",
1838   collaboration = "",
1839   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1840                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1841                  substrates",
1842   publisher =    "AIP",
1843   year =         "1988",
1844   journal =      "Journal of Applied Physics",
1845   volume =       "63",
1846   number =       "8",
1847   pages =        "2645--2650",
1848   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1849                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1850                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1851                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1852                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1853   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1854   doi =          "10.1063/1.341004",
1855 }
1856
1857 @Article{powell91,
1858   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1859                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1860                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1861   collaboration = "",
1862   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1863                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1864   publisher =    "AIP",
1865   year =         "1991",
1866   journal =      "Applied Physics Letters",
1867   volume =       "59",
1868   number =       "3",
1869   pages =        "333--335",
1870   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1871                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1872                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1873   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1874   doi =          "10.1063/1.105587",
1875 }
1876
1877 @Article{yuan95,
1878   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1879                  Thokala and M. J. Loboda",
1880   collaboration = "",
1881   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1882                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1883                  silacyclobutane",
1884   publisher =    "AIP",
1885   year =         "1995",
1886   journal =      "J. Appl. Phys.",
1887   volume =       "78",
1888   number =       "2",
1889   pages =        "1271--1273",
1890   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1891                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1892                  SPECTROPHOTOMETRY",
1893   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1894   doi =          "10.1063/1.360368",
1895   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1896 }
1897
1898 @Article{fissel95,
1899   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1900                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1901                  molecular beam epitaxy",
1902   journal =      "J. Cryst. Growth",
1903   volume =       "154",
1904   number =       "1-2",
1905   pages =        "72--80",
1906   year =         "1995",
1907   ISSN =         "0022-0248",
1908   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1909   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1910   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1911                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1912   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1913 }
1914
1915 @Article{fissel95_apl,
1916   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1917   collaboration = "",
1918   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1919                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1920   publisher =    "AIP",
1921   year =         "1995",
1922   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1923   volume =       "66",
1924   number =       "23",
1925   pages =        "3182--3184",
1926   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1927                  RHEED; NUCLEATION",
1928   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1929   doi =          "10.1063/1.113716",
1930   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1931 }
1932
1933 @Article{fissel96,
1934   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
1935                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
1936   collaboration = "",
1937   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
1938                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
1939                  level using surface superstructures",
1940   publisher =    "AIP",
1941   year =         "1996",
1942   journal =      "Applied Physics Letters",
1943   volume =       "68",
1944   number =       "9",
1945   pages =        "1204--1206",
1946   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1947                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
1948                  SURFACE STRUCTURE",
1949   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
1950   doi =          "10.1063/1.115969",
1951   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
1952 }
1953
1954 @Article{righi03,
1955   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
1956   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
1957                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
1958   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1959   volume =       "91",
1960   number =       "13",
1961   pages =        "136101",
1962   numpages =     "4",
1963   year =         "2003",
1964   month =        sep,
1965   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
1966   publisher =    "American Physical Society",
1967   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
1968 }
1969
1970 @Article{borders71,
1971   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1972   collaboration = "",
1973   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1974                  {IMPLANTATION}",
1975   publisher =    "AIP",
1976   year =         "1971",
1977   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1978   volume =       "18",
1979   number =       "11",
1980   pages =        "509--511",
1981   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1982   doi =          "10.1063/1.1653516",
1983   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1984                  ideas",
1985 }
1986
1987 @Article{reeson87,
1988   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1989                  J. Davis and G. E. Celler",
1990   collaboration = "",
1991   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1992                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1993   publisher =    "AIP",
1994   year =         "1987",
1995   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1996   volume =       "51",
1997   number =       "26",
1998   pages =        "2242--2244",
1999   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2000                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2001   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2002   doi =          "10.1063/1.98953",
2003   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2004 }
2005
2006 @Article{scace59,
2007   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2008   collaboration = "",
2009   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2010   publisher =    "AIP",
2011   year =         "1959",
2012   journal =      "J. Chem. Phys.",
2013   volume =       "30",
2014   number =       "6",
2015   pages =        "1551--1555",
2016   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2017   doi =          "10.1063/1.1730236",
2018   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2019 }
2020
2021 @Article{cowern96,
2022   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2023                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2024   collaboration = "",
2025   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2026                  {B} in silicon",
2027   publisher =    "AIP",
2028   year =         "1996",
2029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2030   volume =       "68",
2031   number =       "8",
2032   pages =        "1150--1152",
2033   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2034                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2035                  SILICON",
2036   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2037   doi =          "10.1063/1.115706",
2038   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2039 }
2040
2041 @Article{stolk95,
2042   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2043                  of the silicon self-interstitial",
2044   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2045   volume =       "96",
2046   number =       "1-2",
2047   pages =        "187--195",
2048   year =         "1995",
2049   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2050                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2051   ISSN =         "0168-583X",
2052   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2053   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2054   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2055                  and J. M. Poate",
2056 }
2057
2058 @Article{stolk97,
2059   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2060                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2061                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2062                  E. Haynes",
2063   collaboration = "",
2064   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2065                  diffusion in ion-implanted silicon",
2066   publisher =    "AIP",
2067   year =         "1997",
2068   journal =      "J. Appl. Phys.",
2069   volume =       "81",
2070   number =       "9",
2071   pages =        "6031--6050",
2072   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2073   doi =          "10.1063/1.364452",
2074   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2075 }
2076
2077 @Article{powell94,
2078   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2079   collaboration = "",
2080   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2081                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2082   publisher =    "AIP",
2083   year =         "1994",
2084   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2085   volume =       "64",
2086   number =       "3",
2087   pages =        "324--326",
2088   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2089                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2090                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2091                  SYNTHESIS",
2092   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2093   doi =          "10.1063/1.111195",
2094   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2095 }
2096
2097 @Article{soref91,
2098   author =       "Richard A. Soref",
2099   collaboration = "",
2100   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2101                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2102   publisher =    "AIP",
2103   year =         "1991",
2104   journal =      "J. Appl. Phys.",
2105   volume =       "70",
2106   number =       "4",
2107   pages =        "2470--2472",
2108   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2109                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2110                  TERNARY ALLOYS",
2111   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2112   doi =          "10.1063/1.349403",
2113   notes =        "band gap of strained si by c",
2114 }
2115
2116 @Article{kasper91,
2117   author =       "E Kasper",
2118   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2119                  possibility to produce direct band gap material",
2120   journal =      "Physica Scripta",
2121   volume =       "T35",
2122   pages =        "232--236",
2123   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2124   year =         "1991",
2125   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2126                  quasi-direct one",
2127 }
2128
2129 @Article{osten99,
2130   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2131   collaboration = "",
2132   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2133                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2134                  molecular beam epitaxy",
2135   publisher =    "AIP",
2136   year =         "1999",
2137   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2138   volume =       "74",
2139   number =       "6",
2140   pages =        "836--838",
2141   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2142                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2143                  compounds",
2144   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2145   doi =          "10.1063/1.123384",
2146   notes =        "substitutional c in si",
2147 }
2148
2149 @Article{hohenberg64,
2150   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2151   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2152   journal =      "Phys. Rev.",
2153   volume =       "136",
2154   number =       "3B",
2155   pages =        "B864--B871",
2156   numpages =     "7",
2157   year =         "1964",
2158   month =        nov,
2159   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2160   publisher =    "American Physical Society",
2161   notes =        "density functional theory, dft",
2162 }
2163
2164 @Article{kohn65,
2165   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2166                  Correlation Effects",
2167   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2168   journal =      "Phys. Rev.",
2169   volume =       "140",
2170   number =       "4A",
2171   pages =        "A1133--A1138",
2172   numpages =     "5",
2173   year =         "1965",
2174   month =        nov,
2175   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2176   publisher =    "American Physical Society",
2177   notes =        "dft, exchange and correlation",
2178 }
2179
2180 @Article{ruecker94,
2181   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2182                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2183   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2184                  J. Osten",
2185   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2186   volume =       "72",
2187   number =       "22",
2188   pages =        "3578--3581",
2189   numpages =     "3",
2190   year =         "1994",
2191   month =        may,
2192   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2193   publisher =    "American Physical Society",
2194   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2195                  si, dft",
2196 }
2197
2198 @Article{chang05,
2199   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2200                  Alloy",
2201   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2202   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2203   volume =       "44",
2204   number =       "4B",
2205   pages =        "2257--2262",
2206   numpages =     "5",
2207   year =         "2005",
2208   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2209   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2210   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2211   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2212 }
2213
2214 @Article{osten97,
2215   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2216   collaboration = "",
2217   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2218                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2219                  Si(001)",
2220   publisher =    "AIP",
2221   year =         "1997",
2222   journal =      "J. Appl. Phys.",
2223   volume =       "82",
2224   number =       "10",
2225   pages =        "4977--4981",
2226   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2227                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2228                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2229   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2230   doi =          "10.1063/1.366364",
2231   notes =        "charge transport in strained si",
2232 }
2233
2234 @Article{kapur04,
2235   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2236                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2237   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2238   journal =      "Phys. Rev. B",
2239   volume =       "69",
2240   number =       "15",
2241   pages =        "155214",
2242   numpages =     "8",
2243   year =         "2004",
2244   month =        apr,
2245   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2246   publisher =    "American Physical Society",
2247   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2248 }
2249
2250 @Article{barkema96,
2251   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2252                  Systems",
2253   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2254   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2255   volume =       "77",
2256   number =       "21",
2257   pages =        "4358--4361",
2258   numpages =     "3",
2259   year =         "1996",
2260   month =        nov,
2261   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2262   publisher =    "American Physical Society",
2263   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2264                  dynamic mds",
2265 }
2266
2267 @Article{cances09,
2268   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2269                  Minoukadeh and F. Willaime",
2270   collaboration = "",
2271   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2272                  technique method for finding transition pathways on
2273                  potential energy surfaces",
2274   publisher =    "AIP",
2275   year =         "2009",
2276   journal =      "J. Chem. Phys.",
2277   volume =       "130",
2278   number =       "11",
2279   eid =          "114711",
2280   numpages =     "6",
2281   pages =        "114711",
2282   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2283                  surfaces; vacancies (crystal)",
2284   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2285   doi =          "10.1063/1.3088532",
2286   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2287                  transition pathways",
2288 }
2289
2290 @Article{parrinello81,
2291   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2292   collaboration = "",
2293   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2294                  molecular dynamics method",
2295   publisher =    "AIP",
2296   year =         "1981",
2297   journal =      "J. Appl. Phys.",
2298   volume =       "52",
2299   number =       "12",
2300   pages =        "7182--7190",
2301   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2302                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2303                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2304                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2305                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2306                  IMPACT SHOCK",
2307   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2308   doi =          "10.1063/1.328693",
2309 }
2310
2311 @Article{stillinger85,
2312   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2313                  of silicon",
2314   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2315   journal =      "Phys. Rev. B",
2316   volume =       "31",
2317   number =       "8",
2318   pages =        "5262--5271",
2319   numpages =     "9",
2320   year =         "1985",
2321   month =        apr,
2322   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2323   publisher =    "American Physical Society",
2324 }
2325
2326 @Article{brenner90,
2327   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2328                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2329                  films",
2330   author =       "Donald W. Brenner",
2331   journal =      "Phys. Rev. B",
2332   volume =       "42",
2333   number =       "15",
2334   pages =        "9458--9471",
2335   numpages =     "13",
2336   year =         "1990",
2337   month =        nov,
2338   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2339   publisher =    "American Physical Society",
2340   notes =        "brenner hydro carbons",
2341 }
2342
2343 @Article{bazant96,
2344   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2345                  Cohesive Energy Curves",
2346   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2347   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2348   volume =       "77",
2349   number =       "21",
2350   pages =        "4370--4373",
2351   numpages =     "3",
2352   year =         "1996",
2353   month =        nov,
2354   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2355   publisher =    "American Physical Society",
2356   notes =        "first si edip",
2357 }
2358
2359 @Article{bazant97,
2360   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2361                  silicon",
2362   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2363                  Justo",
2364   journal =      "Phys. Rev. B",
2365   volume =       "56",
2366   number =       "14",
2367   pages =        "8542--8552",
2368   numpages =     "10",
2369   year =         "1997",
2370   month =        oct,
2371   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2372   publisher =    "American Physical Society",
2373   notes =        "second si edip",
2374 }
2375
2376 @Article{justo98,
2377   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2378                  disordered phases",
2379   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2380                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2381   journal =      "Phys. Rev. B",
2382   volume =       "58",
2383   number =       "5",
2384   pages =        "2539--2550",
2385   numpages =     "11",
2386   year =         "1998",
2387   month =        aug,
2388   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2389   publisher =    "American Physical Society",
2390   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2391 }
2392
2393 @Article{parcas_md,
2394   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2395   author =       "K. Nordlund",
2396   year =         "2008",
2397 }
2398
2399 @Article{voter97,
2400   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2401                  Infrequent Events",
2402   author =       "Arthur F. Voter",
2403   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2404   volume =       "78",
2405   number =       "20",
2406   pages =        "3908--3911",
2407   numpages =     "3",
2408   year =         "1997",
2409   month =        may,
2410   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2411   publisher =    "American Physical Society",
2412   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2413 }
2414
2415 @Article{voter97_2,
2416   author =       "Arthur F. Voter",
2417   collaboration = "",
2418   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2419                  simulation of infrequent events",
2420   publisher =    "AIP",
2421   year =         "1997",
2422   journal =      "J. Chem. Phys.",
2423   volume =       "106",
2424   number =       "11",
2425   pages =        "4665--4677",
2426   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2427                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2428                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2429                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2430                  theory; potential energy surfaces",
2431   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2432   doi =          "10.1063/1.473503",
2433   notes =        "improved hyperdynamics md",
2434 }
2435
2436 @Article{sorensen2000,
2437   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2438   collaboration = "",
2439   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2440                  infrequent events",
2441   publisher =    "AIP",
2442   year =         "2000",
2443   journal =      "J. Chem. Phys.",
2444   volume =       "112",
2445   number =       "21",
2446   pages =        "9599--9606",
2447   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2448                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2449   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2450   doi =          "10.1063/1.481576",
2451   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2452 }
2453
2454 @Article{voter98,
2455   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2456                  events",
2457   author =       "Arthur F. Voter",
2458   journal =      "Phys. Rev. B",
2459   volume =       "57",
2460   number =       "22",
2461   pages =        "R13985--R13988",
2462   numpages =     "3",
2463   year =         "1998",
2464   month =        jun,
2465   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2466   publisher =    "American Physical Society",
2467   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2468 }
2469
2470 @Article{wu99,
2471   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2472   collaboration = "",
2473   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2474                  simulation",
2475   publisher =    "AIP",
2476   year =         "1999",
2477   journal =      "J. Chem. Phys.",
2478   volume =       "110",
2479   number =       "19",
2480   pages =        "9401--9410",
2481   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2482                  potential; crystallisation; liquid theory",
2483   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2484   doi =          "10.1063/1.478948",
2485   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2486                  systematic motion",
2487 }
2488
2489 @Article{choudhary05,
2490   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2491   collaboration = "",
2492   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2493                  to the production of amorphous silicon",
2494   publisher =    "AIP",
2495   year =         "2005",
2496   journal =      "J. Chem. Phys.",
2497   volume =       "122",
2498   number =       "15",
2499   eid =          "154509",
2500   numpages =     "8",
2501   pages =        "154509",
2502   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2503                  amorphous semiconductors",
2504   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2505   doi =          "10.1063/1.1878733",
2506   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2507                  silicon",
2508 }
2509
2510 @Article{taylor93,
2511   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2512   collaboration = "",
2513   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2514                  difficult?",
2515   publisher =    "AIP",
2516   year =         "1993",
2517   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2518   volume =       "62",
2519   number =       "25",
2520   pages =        "3336--3338",
2521   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2522                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2523                  ENERGY",
2524   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2525   doi =          "10.1063/1.109063",
2526   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2527 }
2528
2529 @Article{chaussende08,
2530   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2531   journal =      "J. Cryst. Growth",
2532   volume =       "310",
2533   number =       "5",
2534   pages =        "976--981",
2535   year =         "2008",
2536   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2537                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2538   ISSN =         "0022-0248",
2539   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2540   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2541   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2542                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2543                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2544                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2545   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2546                  metastable",
2547 }
2548
2549 @Article{chaussende07,
2550   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2551   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2552   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2553   volume =       "40",
2554   number =       "20",
2555   pages =        "6150",
2556   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2557   year =         "2007",
2558   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2559                  modelling",
2560 }
2561
2562 @Article{feynman39,
2563   title =        "Forces in Molecules",
2564   author =       "R. P. Feynman",
2565   journal =      "Phys. Rev.",
2566   volume =       "56",
2567   number =       "4",
2568   pages =        "340--343",
2569   numpages =     "3",
2570   year =         "1939",
2571   month =        aug,
2572   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2573   publisher =    "American Physical Society",
2574   notes =        "hellmann feynman forces",
2575 }
2576
2577 @Article{buczko00,
2578   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2579                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2580                  their Contrasting Properties",
2581   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2582                  T. Pantelides",
2583   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2584   volume =       "84",
2585   number =       "5",
2586   pages =        "943--946",
2587   numpages =     "3",
2588   year =         "2000",
2589   month =        jan,
2590   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2591   publisher =    "American Physical Society",
2592   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2593 }
2594
2595 @Article{djurabekova08,
2596   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2597                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2598   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2599   journal =      "Phys. Rev. B",
2600   volume =       "77",
2601   number =       "11",
2602   pages =        "115325",
2603   numpages =     "7",
2604   year =         "2008",
2605   month =        mar,
2606   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2607   publisher =    "American Physical Society",
2608   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2609                  angular distribution, coordination",
2610 }
2611
2612 @Article{wen09,
2613   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2614                  W. Liang and J. Zou",
2615   collaboration = "",
2616   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2617                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2618                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2619   publisher =    "AIP",
2620   year =         "2009",
2621   journal =      "J. Appl. Phys.",
2622   volume =       "106",
2623   number =       "7",
2624   eid =          "073522",
2625   numpages =     "8",
2626   pages =        "073522",
2627   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2628                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2629                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2630                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2631   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2632   doi =          "10.1063/1.3234380",
2633   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2634                  deconvolution, dislocation defects",
2635 }
2636
2637 @Article{kitabatake93,
2638   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2639                  Hirao",
2640   collaboration = "",
2641   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2642                  growth on Si(001) surface",
2643   publisher =    "AIP",
2644   year =         "1993",
2645   journal =      "J. Appl. Phys.",
2646   volume =       "74",
2647   number =       "7",
2648   pages =        "4438--4445",
2649   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2650                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2651                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2652   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2653   doi =          "10.1063/1.354385",
2654   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2655                  model, interface",
2656 }
2657
2658 @Article{kitabatake97,
2659   author =       "Makoto Kitabatake",
2660   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2661                  Heteroepitaxial Growth",
2662   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2663   year =         "1997",
2664   journal =      "physica status solidi (b)",
2665   volume =       "202",
2666   pages =        "405--420",
2667   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2668   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2669   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2670 }
2671
2672 @Article{chirita97,
2673   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2674                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2675                  dynamics study",
2676   journal =      "Thin Solid Films",
2677   volume =       "294",
2678   number =       "1-2",
2679   pages =        "47--49",
2680   year =         "1997",
2681   note =         "",
2682   ISSN =         "0040-6090",
2683   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2684   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2685   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2686   keywords =     "Strain relaxation",
2687   keywords =     "Interfaces",
2688   keywords =     "Thermal stability",
2689   keywords =     "Molecular dynamics",
2690   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2691 }
2692
2693 @Article{cicero02,
2694   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2695                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2696   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2697                  Catellani",
2698   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2699   volume =       "89",
2700   number =       "15",
2701   pages =        "156101",
2702   numpages =     "4",
2703   year =         "2002",
2704   month =        sep,
2705   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2706   publisher =    "American Physical Society",
2707   notes =        "sic/si interface study",
2708 }
2709
2710 @Article{pizzagalli03,
2711   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2712                  interface: Si{C}/Si(001)",
2713   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2714                  Catellani",
2715   journal =      "Phys. Rev. B",
2716   volume =       "68",
2717   number =       "19",
2718   pages =        "195302",
2719   numpages =     "10",
2720   year =         "2003",
2721   month =        nov,
2722   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2723   publisher =    "American Physical Society",
2724   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2725 }
2726
2727 @Article{tang07,
2728   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2729                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2730                  electron microscopy",
2731   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2732                  H. Zheng and J. W. Liang",
2733   journal =      "Phys. Rev. B",
2734   volume =       "75",
2735   number =       "18",
2736   pages =        "184103",
2737   numpages =     "7",
2738   year =         "2007",
2739   month =        may,
2740   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2741   publisher =    "American Physical Society",
2742   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2743                  si and c",
2744 }
2745
2746 @Article{hornstra58,
2747   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2748   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2749   volume =       "5",
2750   number =       "1-2",
2751   pages =        "129--141",
2752   year =         "1958",
2753   note =         "",
2754   ISSN =         "0022-3697",
2755   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2756   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2757   author =       "J. Hornstra",
2758   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2759 }
2760
2761 @Article{deguchi92,
2762   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2763                  Ion `Hot' Implantation",
2764   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2765                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2766   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2767   volume =       "31",
2768   number =       "Part 1, No. 2A",
2769   pages =        "343--347",
2770   numpages =     "4",
2771   year =         "1992",
2772   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2773   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2774   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2775   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2776                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2777 }
2778
2779 @Article{eichhorn99,
2780   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2781                  K{\"{o}}gler",
2782   collaboration = "",
2783   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2784                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2785                  synchrotron x-ray diffraction",
2786   publisher =    "AIP",
2787   year =         "1999",
2788   journal =      "J. Appl. Phys.",
2789   volume =       "86",
2790   number =       "8",
2791   pages =        "4184--4187",
2792   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2793                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2794                  precipitation; semiconductor doping",
2795   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2796   doi =          "10.1063/1.371344",
2797   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2798                  expansion of si lattice",
2799 }
2800
2801 @Article{eichhorn02,
2802   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2803                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2804   collaboration = "",
2805   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2806                  carbon ion implantation",
2807   publisher =    "AIP",
2808   year =         "2002",
2809   journal =      "J. Appl. Phys.",
2810   volume =       "91",
2811   number =       "3",
2812   pages =        "1287--1292",
2813   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2814                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2815                  electron microscopy",
2816   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2817   doi =          "10.1063/1.1428105",
2818   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2819                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2820 }
2821
2822 @Article{lucas10,
2823   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2824   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2825                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2826                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2827                  amorphous structures",
2828   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2829   volume =       "22",
2830   number =       "3",
2831   pages =        "035802",
2832   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2833   year =         "2010",
2834   notes =        "edip sic",
2835 }
2836
2837 @Article{godet03,
2838   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2839                  Beauchamp",
2840   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2841                  methods for silicon under large shear",
2842   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2843   volume =       "15",
2844   number =       "41",
2845   pages =        "6943",
2846   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2847   year =         "2003",
2848   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2849                  edip, tersoff, ab initio",
2850 }
2851
2852 @Article{moriguchi98,
2853   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2854                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2855   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2856   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2857   volume =       "37",
2858   number =       "Part 1, No. 2",
2859   pages =        "414--422",
2860   numpages =     "8",
2861   year =         "1998",
2862   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2863   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2864   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2865   notes =        "tersoff stringent test",
2866 }
2867
2868 @Article{mazzarolo01,
2869   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2870                  simulations",
2871   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2872                  Lulli and Eros Albertazzi",
2873   journal =      "Phys. Rev. B",
2874   volume =       "63",
2875   number =       "19",
2876   pages =        "195207",
2877   numpages =     "4",
2878   year =         "2001",
2879   month =        apr,
2880   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2881   publisher =    "American Physical Society",
2882 }
2883
2884 @Article{holmstroem08,
2885   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2886                  density functional theory molecular dynamics
2887                  simulations",
2888   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2889   journal =      "Phys. Rev. B",
2890   volume =       "78",
2891   number =       "4",
2892   pages =        "045202",
2893   numpages =     "6",
2894   year =         "2008",
2895   month =        jul,
2896   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2897   publisher =    "American Physical Society",
2898   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2899                  initio",
2900 }
2901
2902 @Article{nordlund97,
2903   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2904                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2905   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2906   volume =       "132",
2907   number =       "1",
2908   pages =        "45--54",
2909   year =         "1997",
2910   note =         "",
2911   ISSN =         "0168-583X",
2912   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2913   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2914   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2915   notes =        "repulsive ab initio potential",
2916 }
2917
2918 @Article{kresse96,
2919   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2920                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2921                  set",
2922   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2923   volume =       "6",
2924   number =       "1",
2925   pages =        "15--50",
2926   year =         "1996",
2927   note =         "",
2928   ISSN =         "0927-0256",
2929   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2930   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2931   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2932   notes =        "vasp ref",
2933 }
2934
2935 @Article{bloechl94,
2936   title =        "Projector augmented-wave method",
2937   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2938   journal =      "Phys. Rev. B",
2939   volume =       "50",
2940   number =       "24",
2941   pages =        "17953--17979",
2942   numpages =     "26",
2943   year =         "1994",
2944   month =        dec,
2945   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2946   publisher =    "American Physical Society",
2947   notes =        "paw method",
2948 }
2949
2950 @Article{hamann79,
2951   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2952   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2953   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2954   volume =       "43",
2955   number =       "20",
2956   pages =        "1494--1497",
2957   numpages =     "3",
2958   year =         "1979",
2959   month =        nov,
2960   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2961   publisher =    "American Physical Society",
2962   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2963 }
2964
2965 @Article{vanderbilt90,
2966   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2967                  eigenvalue formalism",
2968   author =       "David Vanderbilt",
2969   journal =      "Phys. Rev. B",
2970   volume =       "41",
2971   number =       "11",
2972   pages =        "7892--7895",
2973   numpages =     "3",
2974   year =         "1990",
2975   month =        apr,
2976   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2977   publisher =    "American Physical Society",
2978   notes =        "vasp pseudopotentials",
2979 }
2980
2981 @Article{perdew86,
2982   title =        "Accurate and simple density functional for the
2983                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2984                  approximation",
2985   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2986   journal =      "Phys. Rev. B",
2987   volume =       "33",
2988   number =       "12",
2989   pages =        "8800--8802",
2990   numpages =     "2",
2991   year =         "1986",
2992   month =        jun,
2993   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2994   publisher =    "American Physical Society",
2995   notes =        "rapid communication gga",
2996 }
2997
2998 @Article{perdew02,
2999   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3000                  correlation: {A} look backward and forward",
3001   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3002   volume =       "172",
3003   number =       "1-2",
3004   pages =        "1--6",
3005   year =         "1991",
3006   note =         "",
3007   ISSN =         "0921-4526",
3008   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3009   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3010   author =       "John P. Perdew",
3011   notes =        "gga overview",
3012 }
3013
3014 @Article{perdew92,
3015   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3016                  of the generalized gradient approximation for exchange
3017                  and correlation",
3018   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3019                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3020                  and Carlos Fiolhais",
3021   journal =      "Phys. Rev. B",
3022   volume =       "46",
3023   number =       "11",
3024   pages =        "6671--6687",
3025   numpages =     "16",
3026   year =         "1992",
3027   month =        sep,
3028   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3029   publisher =    "American Physical Society",
3030   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3031 }
3032
3033 @Article{baldereschi73,
3034   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3035   author =       "A. Baldereschi",
3036   journal =      "Phys. Rev. B",
3037   volume =       "7",
3038   number =       "12",
3039   pages =        "5212--5215",
3040   numpages =     "3",
3041   year =         "1973",
3042   month =        jun,
3043   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3044   publisher =    "American Physical Society",
3045   notes =        "mean value k point",
3046 }
3047
3048 @Article{zhu98,
3049   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3050                  diffusion in Si",
3051   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3052   volume =       "12",
3053   number =       "4",
3054   pages =        "309--318",
3055   year =         "1998",
3056   note =         "",
3057   ISSN =         "0927-0256",
3058   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3059   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3060   author =       "Jing Zhu",
3061   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3062   keywords =     "Boron dopant",
3063   keywords =     "Carbon dopant",
3064   keywords =     "Defect",
3065   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3066   keywords =     "Impurity cluster",
3067   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3068 }
3069
3070 @Article{nejim95,
3071   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3072   collaboration = "",
3073   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3074                  950 [degree]{C}",
3075   publisher =    "AIP",
3076   year =         "1995",
3077   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3078   volume =       "66",
3079   number =       "20",
3080   pages =        "2646--2648",
3081   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3082                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3083                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3084                  ELECTRON MICROSCOPY",
3085   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3086   doi =          "10.1063/1.113112",
3087   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3088                  self interstitials react with further implanted c",
3089 }
3090
3091 @Article{guedj98,
3092   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3093                  Kolodzey and A. Hairie",
3094   collaboration = "",
3095   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3096                  alloys",
3097   publisher =    "AIP",
3098   year =         "1998",
3099   journal =      "J. Appl. Phys.",
3100   volume =       "84",
3101   number =       "8",
3102   pages =        "4631--4633",
3103   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3104                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3105                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3106                  annealing",
3107   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3108   doi =          "10.1063/1.368703",
3109   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3110 }
3111
3112 @Article{jones04,
3113   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3114   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3115                  semiconductors",
3116   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3117   volume =       "16",
3118   number =       "27",
3119   pages =        "S2643",
3120   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3121   year =         "2004",
3122   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3123 }
3124
3125 @Article{park02,
3126   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3127                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3128                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3129   collaboration = "",
3130   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3131                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3132                  molecular-beam epitaxy",
3133   publisher =    "AIP",
3134   year =         "2002",
3135   journal =      "J. Appl. Phys.",
3136   volume =       "91",
3137   number =       "9",
3138   pages =        "5716--5727",
3139   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3140   doi =          "10.1063/1.1465122",
3141   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3142 }
3143
3144 @Article{leary97,
3145   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3146                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3147   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3148                  Torres",
3149   journal =      "Phys. Rev. B",
3150   volume =       "55",
3151   number =       "4",
3152   pages =        "2188--2194",
3153   numpages =     "6",
3154   year =         "1997",
3155   month =        jan,
3156   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3157   publisher =    "American Physical Society",
3158   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3159                  energies, different migration barriers and paths",
3160 }
3161
3162 @Article{burnard93,
3163   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3164                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3165                  calculations",
3166   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3167   journal =      "Phys. Rev. B",
3168   volume =       "47",
3169   number =       "16",
3170   pages =        "10217--10225",
3171   numpages =     "8",
3172   year =         "1993",
3173   month =        apr,
3174   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3175   publisher =    "American Physical Society",
3176   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3177                  carbon defect, formation energies",
3178 }
3179
3180 @Article{besson91,
3181   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3182                  silicon",
3183   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3184   journal =      "Phys. Rev. B",
3185   volume =       "43",
3186   number =       "5",
3187   pages =        "4028--4033",
3188   numpages =     "5",
3189   year =         "1991",
3190   month =        feb,
3191   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3192   publisher =    "American Physical Society",
3193 }
3194
3195 @Article{kaxiras96,
3196   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3197                  and growth on semiconductors",
3198   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3199   volume =       "6",
3200   number =       "2",
3201   pages =        "158--172",
3202   year =         "1996",
3203   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3204                  Epitaxy",
3205   ISSN =         "0927-0256",
3206   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3207   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3208   author =       "Efthimios Kaxiras",
3209   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3210                  tight binding, first principles",
3211 }
3212
3213 @Article{kaukonen98,
3214   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3215                  diamond
3216                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3217                  surfaces",
3218   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3219                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3220                  Th. Frauenheim",
3221   journal =      "Phys. Rev. B",
3222   volume =       "57",
3223   number =       "16",
3224   pages =        "9965--9970",
3225   numpages =     "5",
3226   year =         "1998",
3227   month =        apr,
3228   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3229   publisher =    "American Physical Society",
3230   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3231                  (crt)",
3232 }
3233
3234 @Article{gali03,
3235   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3236                  center in Si{C}",
3237   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3238                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3239                  W. J. Choyke",
3240   journal =      "Phys. Rev. B",
3241   volume =       "67",
3242   number =       "15",
3243   pages =        "155203",
3244   numpages =     "5",
3245   year =         "2003",
3246   month =        apr,
3247   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3248   publisher =    "American Physical Society",
3249 }
3250
3251 @Article{chen98,
3252   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3253                  irradiation and deformation",
3254   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3255   volume =       "258-263",
3256   number =       "Part 2",
3257   pages =        "1803--1808",
3258   year =         "1998",
3259   note =         "",
3260   ISSN =         "0022-3115",
3261   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3262   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3263   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3264 }
3265
3266 @Article{weber01,
3267   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3268                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3269   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3270   volume =       "175-177",
3271   number =       "",
3272   pages =        "26--30",
3273   year =         "2001",
3274   note =         "",
3275   ISSN =         "0168-583X",
3276   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3277   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3278   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3279 }
3280
3281 @Article{bockstedte03,
3282   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3283                  in $3{C}-Si{C}$",
3284   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3285                  Pankratov",
3286   journal =      "Phys. Rev. B",
3287   volume =       "68",
3288   number =       "20",
3289   pages =        "205201",
3290   numpages =     "17",
3291   year =         "2003",
3292   month =        nov,
3293   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3294   publisher =    "American Physical Society",
3295   notes =        "defect migration in sic",
3296 }
3297
3298 @Article{rauls03a,
3299   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3300                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3301   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3302                  De\'ak",
3303   journal =      "Phys. Rev. B",
3304   volume =       "68",
3305   number =       "15",
3306   pages =        "155208",
3307   numpages =     "9",
3308   year =         "2003",
3309   month =        oct,
3310   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3311   publisher =    "American Physical Society",
3312 }
3313
3314 @Article{losev27,
3315   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3316   volume =       "44",
3317   pages =        "485--494",
3318   year =         "1927",
3319   author =       "O. V. Lossev",
3320 }
3321
3322 @Article{losev28,
3323   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3324                  oscillations with crystals",
3325   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3326   volume =       "6",
3327   number =       "39",
3328   pages =        "1024--1044",
3329   year =         "1928",
3330   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3331   author =       "O. V. Lossev",
3332 }
3333
3334 @Article{losev29,
3335   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3336   volume =       "30",
3337   pages =        "920--923",
3338   year =         "1929",
3339   author =       "O. V. Lossev",
3340 }
3341
3342 @Article{losev31,
3343   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3344   volume =       "32",
3345   pages =        "692--696",
3346   year =         "1931",
3347   author =       "O. V. Lossev",
3348 }
3349
3350 @Article{losev33,
3351   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3352   volume =       "34",
3353   pages =        "397--403",
3354   year =         "1933",
3355   author =       "O. V. Lossev",
3356 }
3357
3358 @Article{round07,
3359   title =        "A note on carborundum",
3360   journal =      "Electrical World",
3361   volume =       "49",
3362   pages =        "308",
3363   year =         "1907",
3364   author =       "H. J. Round",
3365 }
3366
3367 @Article{vashishath08,
3368   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3369   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3370   volume =       "2",
3371   number =       "03",
3372   pages =        "444--470",
3373   year =         "2008",
3374   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3375   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3376   notes =        "sic polytype electronic properties",
3377 }
3378
3379 @Article{nelson69,
3380   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3381   collaboration = "",
3382   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3383   publisher =    "AIP",
3384   year =         "1966",
3385   journal =      "Journal of Applied Physics",
3386   volume =       "37",
3387   number =       "1",
3388   pages =        "333--336",
3389   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3390   doi =          "10.1063/1.1707837",
3391   notes =        "sic melt growth",
3392 }
3393
3394 @Article{arkel25,
3395   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3396   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3397                  und Thoriummetall",
3398   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3399   year =         "1925",
3400   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3401   volume =       "148",
3402   pages =        "345--350",
3403   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3404   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3405   notes =        "van arkel apparatus",
3406 }
3407
3408 @Article{moers31,
3409   author =       "K. Moers",
3410   year =         "1931",
3411   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3412   volume =       "198",
3413   pages =        "293",
3414   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3415                  process",
3416 }
3417
3418 @Article{kendall53,
3419   author =       "J. T. Kendall",
3420   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3421   publisher =    "AIP",
3422   year =         "1953",
3423   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3424   volume =       "21",
3425   number =       "5",
3426   pages =        "821--827",
3427   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3428   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3429                  process",
3430 }
3431
3432 @Article{lely55,
3433   author =       "J. A. Lely",
3434   year =         "1955",
3435   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3436   volume =       "32",
3437   pages =        "229",
3438   notes =        "lely sublimation growth process",
3439 }
3440
3441 @Article{knippenberg63,
3442   author =       "W. F. Knippenberg",
3443   year =         "1963",
3444   journal =      "Philips Res. Repts.",
3445   volume =       "18",
3446   pages =        "161",
3447   notes =        "acheson process",
3448 }
3449
3450 @Article{hoffmann82,
3451   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3452                  Weyrich",
3453   collaboration = "",
3454   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3455                  improved external quantum efficiency",
3456   publisher =    "AIP",
3457   year =         "1982",
3458   journal =      "Journal of Applied Physics",
3459   volume =       "53",
3460   number =       "10",
3461   pages =        "6962--6967",
3462   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3463                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3464                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3465                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3466                  electroluminescence; spectra; current density;
3467                  optimization",
3468   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3469   doi =          "10.1063/1.330041",
3470   notes =        "blue led, sublimation process",
3471 }
3472
3473 @Article{neudeck95,
3474   author =       "Philip Neudeck",
3475   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3476                  Road 44135 Cleveland OH",
3477   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3478                  technology",
3479   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3480   publisher =    "Springer Boston",
3481   ISSN =         "0361-5235",
3482   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3483   pages =        "283--288",
3484   volume =       "24",
3485   issue =        "4",
3486   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3487   note =         "10.1007/BF02659688",
3488   year =         "1995",
3489   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3490 }
3491
3492 @Article{bhatnagar93,
3493   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3494   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3495   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3496                  devices",
3497   year =         "1993",
3498   month =        mar,
3499   volume =       "40",
3500   number =       "3",
3501   pages =        "645--655",
3502   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3503                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3504                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3505                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3506                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3507                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3508                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3509                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3510   doi =          "10.1109/16.199372",
3511   ISSN =         "0018-9383",
3512   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3513 }
3514
3515 @Article{neudeck94,
3516   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3517                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3518   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3519   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3520                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3521                  6{H}-Si{C} substrates",
3522   year =         "1994",
3523   month =        may,
3524   volume =       "41",
3525   number =       "5",
3526   pages =        "826--835",
3527   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3528                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3529                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3530                  properties;epitaxial layers;light
3531                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3532                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3533                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3534                  currents;power electronics;semiconductor
3535                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3536                  growth;semiconductor materials;silicon
3537                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3538                  phase epitaxial growth;",
3539   doi =          "10.1109/16.285038",
3540   ISSN =         "0018-9383",
3541   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3542                  substrate",
3543 }
3544
3545 @Article{schulze98,
3546   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3547   collaboration = "",
3548   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3549                  single crystals by physical vapor transport",
3550   publisher =    "AIP",
3551   year =         "1998",
3552   journal =      "Applied Physics Letters",
3553   volume =       "72",
3554   number =       "13",
3555   pages =        "1632--1634",
3556   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3557                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3558                  photoluminescence; Hall mobility",
3559   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3560   doi =          "10.1063/1.121136",
3561   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3562 }
3563
3564 @Article{pirouz87,
3565   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3566   collaboration = "",
3567   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3568   publisher =    "AIP",
3569   year =         "1987",
3570   journal =      "Applied Physics Letters",
3571   volume =       "50",
3572   number =       "4",
3573   pages =        "221--223",
3574   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3575                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3576                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3577                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3578                  BOUNDARIES",
3579   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3580   doi =          "10.1063/1.97667",
3581   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3582 }
3583
3584 @Article{shibahara86,
3585   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3586                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3587   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3588   volume =       "78",
3589   number =       "3",
3590   pages =        "538--544",
3591   year =         "1986",
3592   note =         "",
3593   ISSN =         "0022-0248",
3594   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3595   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3596   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3597                  Matsunami",
3598   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3599 }
3600
3601 @Article{desjardins96,
3602   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3603   collaboration = "",
3604   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3605   publisher =    "AIP",
3606   year =         "1996",
3607   journal =      "Journal of Applied Physics",
3608   volume =       "79",
3609   number =       "3",
3610   pages =        "1423--1434",
3611   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3612                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3613   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3614   doi =          "10.1063/1.360980",
3615   notes =        "apb model",
3616 }
3617
3618 @Article{henke95,
3619   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3620   collaboration = "",
3621   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3622                  carbonization of silicon",
3623   publisher =    "AIP",
3624   year =         "1995",
3625   journal =      "Journal of Applied Physics",
3626   volume =       "78",
3627   number =       "3",
3628   pages =        "2070--2073",
3629   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3630                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3631                  STRUCTURE",
3632   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3633   doi =          "10.1063/1.360184",
3634   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3635 }
3636
3637 @Article{fuyuki97,
3638   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3639   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3640                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3641   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3642   year =         "1997",
3643   journal =      "physica status solidi (b)",
3644   volume =       "202",
3645   pages =        "359--378",
3646   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3647                  temperatures 750",
3648 }
3649
3650 @Article{takaoka98,
3651   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3652   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3653   volume =       "183",
3654   number =       "1-2",
3655   pages =        "175--182",
3656   year =         "1998",
3657   note =         "",
3658   ISSN =         "0022-0248",
3659   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3660   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3661   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3662   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3663   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3664   keywords =     "Silicon carbide",
3665   keywords =     "Silicon",
3666   keywords =     "Island growth",
3667   notes =        "lower temperature, 550-700",
3668 }
3669
3670 @Article{hatayama95,
3671   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3672                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3673                  molecular beam epitaxy",
3674   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3675   volume =       "150",
3676   number =       "Part 2",
3677   pages =        "934--938",
3678   year =         "1995",
3679   note =         "",
3680   ISSN =         "0022-0248",
3681   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3682   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3683   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3684                  and Hiroyuki Matsunami",
3685 }