bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{capano97,
  44   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  45   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  46   journal =      "MRS Bull.",
  47   volume =       "22",
  48   pages =        "19",
  49   year =         "1997",
  50 }
  51
  52 @Article{fischer90,
  53   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  54   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  55                  carbide",
  56   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  57   volume =       "61",
  58   pages =        "217--236",
  59   year =         "1990",
  60   notes =        "sic polytypes",
  61 }
  62
  63 @Book{laplace,
  64   author =       "P. S. de Laplace",
  65   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  66   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  67   volume =       "VII",
  68   publisher =    "Gauthier-Villars",
  69   year =         "1820",
  70 }
  71
  72 @Article{mattoni2007,
  73   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  74   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  75                  materials}",
  76   journal =      "Phys. Rev. B",
  77   year =         "2007",
  78   month =        dec,
  79   volume =       "76",
  80   number =       "22",
  81   pages =        "224103",
  82   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  83   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  84                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  85                  fracture, more available potentials, universal energy
  86                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  87 }
  88
  89 @Article{koster2002,
  90   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
  91                  bombardment",
  92   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
  93   journal =      "Phys. Rev. B",
  94   volume =       "62",
  95   number =       "16",
  96   pages =        "11219--11224",
  97   numpages =     "5",
  98   year =         "2000",
  99   month =        oct,
 100   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 101   publisher =    "American Physical Society",
 102   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 103 }
 104
 105 @Article{breadmore99,
 106   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 107                  amorphization of silicon",
 108   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 109   journal =      "Phys. Rev. B",
 110   volume =       "60",
 111   number =       "18",
 112   pages =        "12610--12616",
 113   numpages =     "6",
 114   year =         "1999",
 115   month =        nov,
 116   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 117   publisher =    "American Physical Society",
 118   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 119 }
 120
 121 @Article{moissan04,
 122   author =       "Henri Moissan",
 123   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 124                  Diablo",
 125   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 126   volume =       "139",
 127   pages =        "773--786",
 128   year =         "1904",
 129 }
 130
 131 @Book{park98,
 132   author =       "Y. S. Park",
 133   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 134   publisher =    "Academic Press",
 135   address =      "San Diego",
 136   year =         "1998",
 137 }
 138
 139 @Article{tsvetkov98,
 140   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 141                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 142   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 143   journal =      "Materials Science Forum",
 144   volume =       "264-268",
 145   pages =        "3--8",
 146   year =         "1998",
 147   notes =        "modified lely process, micropipes",
 148 }
 149
 150 @Article{verlet67,
 151   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 152                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 153   author =       "Loup Verlet",
 154   journal =      "Phys. Rev.",
 155   volume =       "159",
 156   number =       "1",
 157   pages =        "98",
 158   year =         "1967",
 159   month =        jul,
 160   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 161   publisher =    "American Physical Society",
 162   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 163                  motion",
 164 }
 165
 166 @Article{berendsen84,
 167   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 168                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 169   collaboration = "",
 170   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 171   publisher =    "AIP",
 172   year =         "1984",
 173   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 174   volume =       "81",
 175   number =       "8",
 176   pages =        "3684--3690",
 177   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 178                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 179   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 180   doi =          "10.1063/1.448118",
 181   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 182 }
 183
 184 @Article{huang95,
 185   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 186                  Baskes",
 187   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 188                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 189                  potentials",
 190   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 191                  Engineering",
 192   volume =       "3",
 193   number =       "5",
 194   pages =        "615--627",
 195   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 196   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 197                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 198   year =         "1995",
 199 }
 200
 201 @Article{tersoff89,
 202   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 203                  Tersoff potentials",
 204   author =       "Donald W. Brenner",
 205   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 206   volume =       "63",
 207   number =       "9",
 208   pages =        "1022",
 209   numpages =     "1",
 210   year =         "1989",
 211   month =        aug,
 212   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 213   publisher =    "American Physical Society",
 214   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 215 }
 216
 217 @Article{batra87,
 218   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 219                  silicon",
 220   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 221   journal =      "Phys. Rev. B",
 222   volume =       "35",
 223   number =       "18",
 224   pages =        "9552--9558",
 225   numpages =     "6",
 226   year =         "1987",
 227   month =        jun,
 228   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 229   publisher =    "American Physical Society",
 230   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 231                  calculation of defect formation energy, defect
 232                  interstitial types",
 233 }
 234
 235 @Article{schober89,
 236   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 237   author =       "H. R. Schober",
 238   journal =      "Phys. Rev. B",
 239   volume =       "39",
 240   number =       "17",
 241   pages =        "13013--13015",
 242   numpages =     "2",
 243   year =         "1989",
 244   month =        jun,
 245   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 246   publisher =    "American Physical Society",
 247   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 248                  dumbbell configuration",
 249 }
 250
 251 @Article{gao02,
 252   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 253                  Defect accumulation, topological features, and
 254                  disordering",
 255   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 256   journal =      "Phys. Rev. B",
 257   volume =       "66",
 258   number =       "2",
 259   pages =        "024106",
 260   numpages =     "10",
 261   year =         "2002",
 262   month =        jul,
 263   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 264   publisher =    "American Physical Society",
 265   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 266                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 267                  result analyze",
 268 }
 269
 270 @Article{devanathan98,
 271   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 272                  cascade in Si{C}",
 273   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 274                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 275   volume =       "141",
 276   number =       "1-4",
 277   pages =        "118--122",
 278   year =         "1998",
 279   ISSN =         "0168-583X",
 280   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 281   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 282                  Rubia",
 283   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 284                  3c-sic",
 285 }
 286
 287 @Article{devanathan98_2,
 288   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 289   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 290   volume =       "253",
 291   number =       "1-3",
 292   pages =        "47--52",
 293   year =         "1998",
 294   ISSN =         "0022-3115",
 295   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 296   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 297                  Weber",
 298   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 299                  tersoff",
 300 }
 301
 302 @Article{batra87,
 303   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 304   author =       "M. Kitabatake",
 305   journal =      "Thin Solid Films",
 306   volume =       "369",
 307   pages =        "257--264",
 308   numpages =     "8",
 309   year =         "2000",
 310   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 311 }
 312
 313 @Article{tang97,
 314   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 315                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 316                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 317                  formation volumes",
 318   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 319                  Rubia",
 320   journal =      "Phys. Rev. B",
 321   volume =       "55",
 322   number =       "21",
 323   pages =        "14279--14289",
 324   numpages =     "10",
 325   year =         "1997",
 326   month =        jun,
 327   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 328   publisher =    "American Physical Society",
 329   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 330 }
 331
 332 @Article{tang97,
 333   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 334                  silicon",
 335   author =       "L. Colombo",
 336   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 337   volume =       "32",
 338   pages =        "271--295",
 339   numpages =     "25",
 340   year =         "2002",
 341   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 342   publisher =    "Annual Reviews",
 343   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 344 }
 345
 346 @Article{gao2001,
 347   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 348                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 349   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 350                  Corrales",
 351   journal =      "Phys. Rev. B",
 352   volume =       "64",
 353   number =       "24",
 354   pages =        "245208",
 355   numpages =     "7",
 356   year =         "2001",
 357   month =        dec,
 358   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 359   publisher =    "American Physical Society",
 360   notes =        "defects in 3c-sic",
 361 }
 362
 363 @Article{mattoni2002,
 364   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 365                  crystalline silicon",
 366   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 367   journal =      "Phys. Rev. B",
 368   volume =       "66",
 369   number =       "19",
 370   pages =        "195214",
 371   numpages =     "6",
 372   year =         "2002",
 373   month =        nov,
 374   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 375   publisher =    "American Physical Society",
 376   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 377                  links",
 378 }
 379
 380 @Article{leung99,
 381   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 382   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 383                  Itoh and S. Ihara",
 384   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 385   volume =       "83",
 386   number =       "12",
 387   pages =        "2351--2354",
 388   numpages =     "3",
 389   year =         "1999",
 390   month =        sep,
 391   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 392   publisher =    "American Physical Society",
 393   notes =        "nice images of the defects, si defect overview + refs",
 394 }
 395
 396 @Article{capaz94,
 397   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 398                  carbon in silicon",
 399   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 400   journal =      "Phys. Rev. B",
 401   volume =       "50",
 402   number =       "11",
 403   pages =        "7439--7442",
 404   numpages =     "3",
 405   year =         "1994",
 406   month =        sep,
 407   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 408   publisher =    "American Physical Society",
 409   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 410                  dumbbell",
 411 }
 412
 413 @Article{dal_pino93,
 414   title = {Ab initio investigation of carbon-related defects in silicon},
 415   author = {Dal Pino, A.  and Rappe, Andrew M. and Joannopoulos, J. D.},
 416   journal = {Phys. Rev. B},
 417   volume = {47},
 418   number = {19},
 419   pages = {12554--12557},
 420   numpages = {3},
 421   year = {1993},
 422   month = {May},
 423   doi = {10.1103/PhysRevB.47.12554},
 424   publisher = {American Physical Society},
 425   notes = {c interstitials in crystalline silicon}
 426 }
 427
 428 @Article{car84,
 429   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 430                  Silicon",
 431   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 432                  Sokrates T. Pantelides",
 433   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 434   volume =       "52",
 435   number =       "20",
 436   pages =        "1814--1817",
 437   numpages =     "3",
 438   year =         "1984",
 439   month =        may,
 440   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 441   publisher =    "American Physical Society",
 442   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 443                  path formation",
 444 }
 445
 446 @Article{kelires97,
 447   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 448                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 449   author =       "P. C. Kelires",
 450   journal =      "Phys. Rev. B",
 451   volume =       "55",
 452   number =       "14",
 453   pages =        "8784--8787",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1997",
 456   month =        apr,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 460                  neighbour dist",
 461 }
 462
 463 @Article{kelires95,
 464   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 465                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 466   author =       "P. C. Kelires",
 467   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 468   volume =       "75",
 469   number =       "6",
 470   pages =        "1114--1117",
 471   numpages =     "3",
 472   year =         "1995",
 473   month =        aug,
 474   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 475   publisher =    "American Physical Society",
 476   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 477 }
 478
 479 @Article{watkins76,
 480   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 481                  Atom in Silicon",
 482   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 483   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 484   volume =       "36",
 485   number =       "22",
 486   pages =        "1329--1332",
 487   numpages =     "3",
 488   year =         "1976",
 489   month =        may,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 493                  silicon",
 494 }
 495
 496 @Article{song90,
 497   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 498                  interstitial carbon in silicon",
 499   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 500   journal =      "Phys. Rev. B",
 501   volume =       "42",
 502   number =       "9",
 503   pages =        "5759--5764",
 504   numpages =     "5",
 505   year =         "1990",
 506   month =        sep,
 507   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 508   publisher =    "American Physical Society",
 509 }
 510
 511 @Article{strane96,
 512   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 513                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 514   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 515                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 516   journal =      "J. Appl. Phys.",
 517   volume =       "79",
 518   pages =        "637",
 519   year =         "1996",
 520   month =        jan,
 521   doi =          "10.1063/1.360806",
 522   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 523 }
 524
 525 @Article{laveant2002,
 526   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 527   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 528                  G{\"o}sele",
 529   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 530   volume =       "89",
 531   number =       "1-3",
 532   pages =        "241--245",
 533   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 534   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 535                  stress, avoid sic precipitation",
 536 }
 537
 538 @Article{werner97,
 539   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 540                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 541   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 542                  silicon by transmission electron microscopy",
 543   publisher =    "AIP",
 544   year =         "1997",
 545   journal =      "Applied Physics Letters",
 546   volume =       "70",
 547   number =       "2",
 548   pages =        "252--254",
 549   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 550                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 551                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 552                  layers; precipitation",
 553   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 554   doi =          "10.1063/1.118381",
 555   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 556                  precipitate",
 557 }
 558
 559 @Article{strane94,
 560   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 561                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 562   collaboration = "",
 563   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 564                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 565   publisher =    "AIP",
 566   year =         "1994",
 567   journal =      "Journal of Applied Physics",
 568   volume =       "76",
 569   number =       "6",
 570   pages =        "3656--3668",
 571   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 572   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 573   doi =          "10.1063/1.357429",
 574   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 575 }
 576
 577 @Article{edgar92,
 578   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 579                  semiconductors",
 580   author =       "J. H. Edgar",
 581   journal =      "J. Mater. Res.",
 582   volume =       "7",
 583   pages =        "235",
 584   year =         "1992",
 585   month =        jan,
 586   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 587   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 588                  polytypes",
 589 }
 590
 591 @Article{zirkelbach2007,
 592   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 593                  process leading to ordered precipitate structures",
 594   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 595                  and B. Stritzker",
 596   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 597   volume =       "257",
 598   number =       "1--2",
 599   pages =        "75--79",
 600   numpages =     "5",
 601   year =         "2007",
 602   month =        apr,
 603   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 604   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 605                  NETHERLANDS",
 606 }
 607
 608 @Article{zirkelbach2006,
 609   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 610                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 611                  during ion irradiation",
 612   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 613                  and B. Stritzker",
 614   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 615   volume =       "242",
 616   number =       "1--2",
 617   pages =        "679--682",
 618   numpages =     "4",
 619   year =         "2006",
 620   month =        jan,
 621   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 622   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 623                  NETHERLANDS",
 624 }
 625
 626 @Article{zirkelbach2005,
 627   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 628                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 629                  ion irradiation",
 630   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 631                  and B. Stritzker",
 632   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 633   volume =       "33",
 634   number =       "1--3",
 635   pages =        "310--316",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2005",
 638   month =        apr,
 639   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 640   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 641                  NETHERLANDS",
 642 }
 643
 644 @Article{lindner99,
 645   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 646                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 647                  layers in silicon",
 648   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 649                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 650   volume =       "147",
 651   number =       "1-4",
 652   pages =        "249--255",
 653   year =         "1999",
 654   note =         "",
 655   ISSN =         "0168-583X",
 656   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 657   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 658   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 659   notes =        "two-step implantation process",
 660 }
 661
 662 @Article{lindner99_2,
 663   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 664                  in silicon",
 665   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 666                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 667   volume =       "148",
 668   number =       "1-4",
 669   pages =        "528--533",
 670   year =         "1999",
 671   note =         "",
 672   ISSN =         "0168-583X",
 673   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 674   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 675   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 676 }
 677
 678 @Article{lindner01,
 679   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 680                  Basic physical processes",
 681   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 682                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 683   volume =       "178",
 684   number =       "1-4",
 685   pages =        "44--54",
 686   year =         "2001",
 687   note =         "",
 688   ISSN =         "0168-583X",
 689   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 690   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 691   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 692 }
 693
 694 @Article{lindner02,
 695   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 696                  fundamental studies for new technological tricks",
 697   author =       "J. K. N. Lindner",
 698   journal =      "Appl. Phys. A",
 699   volume =       "77",
 700   pages =        "27--38",
 701   year =         "2003",
 702   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 703   notes =        "ibs, burried sic layers",
 704 }
 705
 706 @Article{alder57,
 707   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 708   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 709   publisher =    "AIP",
 710   year =         "1957",
 711   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 712   volume =       "27",
 713   number =       "5",
 714   pages =        "1208--1209",
 715   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 716   doi =          "10.1063/1.1743957",
 717 }
 718
 719 @Article{alder59,
 720   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 721   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 722   publisher =    "AIP",
 723   year =         "1959",
 724   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 725   volume =       "31",
 726   number =       "2",
 727   pages =        "459--466",
 728   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 729   doi =          "10.1063/1.1730376",
 730 }
 731
 732 @Article{tersoff_si1,
 733   title =        "New empirical model for the structural properties of
 734                  silicon",
 735   author =       "J. Tersoff",
 736   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 737   volume =       "56",
 738   number =       "6",
 739   pages =        "632--635",
 740   numpages =     "3",
 741   year =         "1986",
 742   month =        feb,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745 }
 746
 747 @Article{tersoff_si2,
 748   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 749                  covalent systems",
 750   author =       "J. Tersoff",
 751   journal =      "Phys. Rev. B",
 752   volume =       "37",
 753   number =       "12",
 754   pages =        "6991--7000",
 755   numpages =     "9",
 756   year =         "1988",
 757   month =        apr,
 758   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 759   publisher =    "American Physical Society",
 760 }
 761
 762 @Article{tersoff_si3,
 763   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 764                  improved elastic properties",
 765   author =       "J. Tersoff",
 766   journal =      "Phys. Rev. B",
 767   volume =       "38",
 768   number =       "14",
 769   pages =        "9902--9905",
 770   numpages =     "3",
 771   year =         "1988",
 772   month =        nov,
 773   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 774   publisher =    "American Physical Society",
 775 }
 776
 777 @Article{tersoff_c,
 778   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 779                  Applications to Amorphous Carbon",
 780   author =       "J. Tersoff",
 781   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 782   volume =       "61",
 783   number =       "25",
 784   pages =        "2879--2882",
 785   numpages =     "3",
 786   year =         "1988",
 787   month =        dec,
 788   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 789   publisher =    "American Physical Society",
 790 }
 791
 792 @Article{tersoff_m,
 793   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 794                  for multicomponent systems",
 795   author =       "J. Tersoff",
 796   journal =      "Phys. Rev. B",
 797   volume =       "39",
 798   number =       "8",
 799   pages =        "5566--5568",
 800   numpages =     "2",
 801   year =         "1989",
 802   month =        mar,
 803   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 804   publisher =    "American Physical Society",
 805 }
 806
 807 @Article{tersoff90,
 808   title = {Carbon defects and defect reactions in silicon},
 809   author = {Tersoff, J. },
 810   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 811   volume = {64},
 812   number = {15},
 813   pages = {1757--1760},
 814   numpages = {3},
 815   year = {1990},
 816   month = {Apr},
 817   doi = {10.1103/PhysRevLett.64.1757},
 818   publisher = {American Physical Society}
 819 }
 820
 821 @Article{fahey89,
 822   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 823   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 824   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 825   volume =       "61",
 826   number =       "2",
 827   pages =        "289--384",
 828   numpages =     "95",
 829   year =         "1989",
 830   month =        apr,
 831   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 832   publisher =    "American Physical Society",
 833 }
 834
 835 @Article{wesch96,
 836   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 837   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 838                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 839   volume =       "116",
 840   number =       "1-4",
 841   pages =        "305--321",
 842   year =         "1996",
 843   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 844   ISSN =         "0168-583X",
 845   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 846   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 847   author =       "W. Wesch",
 848 }
 849
 850 @Article{morkoc94,
 851   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 852                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 853   collaboration = "",
 854   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 855                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 856   publisher =    "AIP",
 857   year =         "1994",
 858   journal =      "Journal of Applied Physics",
 859   volume =       "76",
 860   number =       "3",
 861   pages =        "1363--1398",
 862   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 863                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 864                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 865                  FILMS; INDUSTRY",
 866   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 867   doi =          "10.1063/1.358463",
 868 }
 869
 870 @Article{foo,
 871   author =       "Noch Unbekannt",
 872   title =        "How to find references",
 873   journal =      "Journal of Applied References",
 874   year =         "2009",
 875   volume =       "77",
 876   pages =        "1--23",
 877 }
 878
 879 @Article{tang95,
 880   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 881                  \beta{}-Si{C}",
 882   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 883   journal =      "Phys. Rev. B",
 884   volume =       "52",
 885   number =       "21",
 886   pages =        "15150--15159",
 887   numpages =     "9",
 888   year =         "1995",
 889   month =        dec,
 890   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 891   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 892   publisher =    "American Physical Society",
 893 }
 894
 895 @Article{sarro00,
 896   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 897   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 898   volume =       "82",
 899   number =       "1-3",
 900   pages =        "210--218",
 901   year =         "2000",
 902   ISSN =         "0924-4247",
 903   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 904   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 905   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 906   keywords =     "MEMS",
 907   keywords =     "Silicon carbide",
 908   keywords =     "Micromachining",
 909   keywords =     "Mechanical stress",
 910 }
 911
 912 @Article{casady96,
 913   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 914                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 915                  review",
 916   journal =      "Solid-State Electronics",
 917   volume =       "39",
 918   number =       "10",
 919   pages =        "1409--1422",
 920   year =         "1996",
 921   ISSN =         "0038-1101",
 922   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 923   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 924   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 925 }
 926
 927 @Article{giancarli98,
 928   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 929                  structural material in fusion power reactor blankets",
 930   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 931   volume =       "41",
 932   number =       "1-4",
 933   pages =        "165--171",
 934   year =         "1998",
 935   ISSN =         "0920-3796",
 936   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 937   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 938   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 939                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
 940 }
 941
 942 @Article{pensl93,
 943   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 944   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
 945   volume =       "185",
 946   number =       "1-4",
 947   pages =        "264--283",
 948   year =         "1993",
 949   ISSN =         "0921-4526",
 950   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
 951   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
 952   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
 953 }
 954
 955 @Article{tairov78,
 956   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
 957                  carbide single crystals",
 958   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 959   volume =       "43",
 960   number =       "2",
 961   pages =        "209--212",
 962   year =         "1978",
 963   notes =        "modifief lely process",
 964   ISSN =         "0022-0248",
 965   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
 966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
 967   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 968 }
 969
 970 @Article{powell87,
 971   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
 972                  Kuczmarski",
 973   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
 974                  Single-Crystal Films on Si",
 975   publisher =    "ECS",
 976   year =         "1987",
 977   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
 978   volume =       "134",
 979   number =       "6",
 980   pages =        "1558--1565",
 981   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
 982                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
 983   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
 984   doi =          "10.1149/1.2100708",
 985   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
 986 }
 987
 988 @Article{kimoto93,
 989   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
 990                  and Hiroyuki Matsunami",
 991   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
 992                  epitaxy",
 993   publisher =    "AIP",
 994   year =         "1993",
 995   journal =      "Journal of Applied Physics",
 996   volume =       "73",
 997   number =       "2",
 998   pages =        "726--732",
 999   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1000                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1001                  VAPOR DEPOSITION",
1002   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1003   doi =          "10.1063/1.353329",
1004 }
1005
1006 @Article{powell90,
1007   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1008                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1009                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1010   collaboration = "",
1011   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1012                  6{H}-Si{C} substrates",
1013   publisher =    "AIP",
1014   year =         "1990",
1015   journal =      "Applied Physics Letters",
1016   volume =       "56",
1017   number =       "14",
1018   pages =        "1353--1355",
1019   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1020                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1021                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1022                  PHASE EPITAXY",
1023   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1024   doi =          "10.1063/1.102512",
1025 }
1026
1027 @Article{fissel95,
1028   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1029                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1030                  molecular beam epitaxy",
1031   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1032   volume =       "154",
1033   number =       "1-2",
1034   pages =        "72--80",
1035   year =         "1995",
1036   notes =        "solid source mbe",
1037   ISSN =         "0022-0248",
1038   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1039   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1040   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1041                  and W. Richter",
1042 }
1043
1044 @Article{borders71,
1045   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1046   collaboration = "",
1047   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1048                  {IMPLANTATION}",
1049   publisher =    "AIP",
1050   year =         "1971",
1051   journal =      "Applied Physics Letters",
1052   volume =       "18",
1053   number =       "11",
1054   pages =        "509--511",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1056   notes =        "first time sic by ibs",
1057   doi =          "10.1063/1.1653516",
1058 }
1059
1060 @Article{reeson87,
1061   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1062                  J. Davis and G. E. Celler",
1063   collaboration = "",
1064   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1065                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1066   publisher =    "AIP",
1067   year =         "1987",
1068   journal =      "Applied Physics Letters",
1069   volume =       "51",
1070   number =       "26",
1071   pages =        "2242--2244",
1072   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1073                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1074   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1075   doi =          "10.1063/1.98953",
1076   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1077 }
1078
1079 @Article{scace59,
1080   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1081   collaboration = "",
1082   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1083   publisher =    "AIP",
1084   year =         "1959",
1085   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1086   volume =       "30",
1087   number =       "6",
1088   pages =        "1551--1555",
1089   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1090   doi =          "10.1063/1.1730236",
1091   notes =        "solubility of c in c-si",
1092 }
1093
1094 @Article{cowern96,
1095   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1096                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1099                  {B} in silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1996",
1102   journal =      "Applied Physics Letters",
1103   volume =       "68",
1104   number =       "8",
1105   pages =        "1150--1152",
1106   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1107                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1108                  SILICON",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1110   doi =          "10.1063/1.115706",
1111   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1112 }
1113
1114 @Article{stolk95,
1115   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1116                  of the silicon self-interstitial",
1117   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1118                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1119   volume =       "96",
1120   number =       "1-2",
1121   pages =        "187--195",
1122   year =         "1995",
1123   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1124                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1125   ISSN =         "0168-583X",
1126   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1127   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1128   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1129                  and J. M. Poate",
1130 }
1131
1132 @Article{powell94,
1133   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1134   collaboration = "",
1135   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1136                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1137   publisher =    "AIP",
1138   year =         "1994",
1139   journal =      "Applied Physics Letters",
1140   volume =       "64",
1141   number =       "3",
1142   pages =        "324--326",
1143   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1144                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1145                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1146                  SYNTHESIS",
1147   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1148   doi =          "10.1063/1.111195",
1149   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1150 }
1151
1152 @Article{soref91,
1153   author =       "Richard A. Soref",
1154   collaboration = "",
1155   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1156                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1157   publisher =    "AIP",
1158   year =         "1991",
1159   journal =      "Journal of Applied Physics",
1160   volume =       "70",
1161   number =       "4",
1162   pages =        "2470--2472",
1163   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1164                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1165                  TERNARY ALLOYS",
1166   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1167   doi =          "10.1063/1.349403",
1168   notes =        "band gap of strained si by c",
1169 }
1170
1171 @Article{kasper91,
1172   author =       "E Kasper",
1173   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1174                  possibility to produce direct band gap material",
1175   journal =      "Physica Scripta",
1176   volume =       "T35",
1177   pages =        "232--236",
1178   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1179   year =         "1991",
1180   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1181                  quasi-direct one",
1182 }
1183
1184 @Article{osten99,
1185   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1186   collaboration = "",
1187   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1188                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1189                  molecular beam epitaxy",
1190   publisher =    "AIP",
1191   year =         "1999",
1192   journal =      "Applied Physics Letters",
1193   volume =       "74",
1194   number =       "6",
1195   pages =        "836--838",
1196   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1197                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1198                  compounds",
1199   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1200   doi =          "10.1063/1.123384",
1201   notes =        "substitutional c in si",
1202 }
1203
1204 @Article{hohenberg64,
1205   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1206   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1207   journal =      "Phys. Rev.",
1208   volume =       "136",
1209   number =       "3B",
1210   pages =        "B864--B871",
1211   numpages =     "7",
1212   year =         "1964",
1213   month =        nov,
1214   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1215   publisher =    "American Physical Society",
1216   notes =        "density functional theory, dft",
1217 }
1218
1219 @Article{kohn65,
1220   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1221                  Correlation Effects",
1222   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1223   journal =      "Phys. Rev.",
1224   volume =       "140",
1225   number =       "4A",
1226   pages =        "A1133--A1138",
1227   numpages =     "5",
1228   year =         "1965",
1229   month =        nov,
1230   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1231   publisher =    "American Physical Society",
1232   notes =        "dft, exchange and correlation",
1233 }
1234
1235 @Article{ruecker94,
1236   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1237                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1238   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1239                  J. Osten",
1240   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1241   volume =       "72",
1242   number =       "22",
1243   pages =        "3578--3581",
1244   numpages =     "3",
1245   year =         "1994",
1246   month =        may,
1247   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1248   publisher =    "American Physical Society",
1249   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1250                  si, dft",
1251 }
1252
1253 @Article{chang05,
1254   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1255                  Alloy",
1256   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1257   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1258   volume =       "44",
1259   number =       "4B",
1260   pages =        "2257--2262",
1261   numpages =     "5",
1262   year =         "2005",
1263   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1264   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1265   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1266   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1267 }
1268
1269 @Article{osten97,
1270   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1271   collaboration = "",
1272   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1273                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1274                  Si(001)",
1275   publisher =    "AIP",
1276   year =         "1997",
1277   journal =      "Journal of Applied Physics",
1278   volume =       "82",
1279   number =       "10",
1280   pages =        "4977--4981",
1281   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1282                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1283                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1284   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1285   doi =          "10.1063/1.366364",
1286   notes =        "charge transport in strained si",
1287 }
1288
1289 @Article{PhysRevB.69.155214,
1290   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1291                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1292   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1293   journal =      "Phys. Rev. B",
1294   volume =       "69",
1295   number =       "15",
1296   pages =        "155214",
1297   numpages =     "8",
1298   year =         "2004",
1299   month =        apr,
1300   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1301   publisher =    "American Physical Society",
1302   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1303 }
1304
1305 @Article{PhysRevB.52.15150,
1306   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1307                  \beta{}-Si{C}",
1308   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1309   journal =      "Phys. Rev. B",
1310   volume =       "52",
1311   number =       "21",
1312   pages =        "15150--15159",
1313   numpages =     "9",
1314   year =         "1995",
1315   month =        dec,
1316   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1317   publisher =    "American Physical Society",
1318   notes =        "promising tersoff reparametrization",
1319 }