bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  45   title =        "",
  46   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  47   volume =       "32",
  48   pages =        "1211",
  49   year =         "1971",
  50   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  51 }
  52
  53 @Article{capano97,
  54   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  55   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  56   journal =      "MRS Bull.",
  57   volume =       "22",
  58   pages =        "19",
  59   year =         "1997",
  60 }
  61
  62 @Article{fischer90,
  63   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  64   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  65                  carbide",
  66   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  67   volume =       "61",
  68   pages =        "217--236",
  69   year =         "1990",
  70   notes =        "sic polytypes",
  71 }
  72
  73 @Book{laplace,
  74   author =       "P. S. de Laplace",
  75   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  76   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  77   volume =       "VII",
  78   publisher =    "Gauthier-Villars",
  79   year =         "1820",
  80 }
  81
  82 @Article{mattoni2007,
  83   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  84   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  85                  materials}",
  86   journal =      "Phys. Rev. B",
  87   year =         "2007",
  88   month =        dec,
  89   volume =       "76",
  90   number =       "22",
  91   pages =        "224103",
  92   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  93   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  94                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  95                  fracture, more available potentials, universal energy
  96                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  97 }
  98
  99 @Article{balamane92,
 100   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 101                  potentials",
 102   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 103   journal =      "Phys. Rev. B",
 104   volume =       "46",
 105   number =       "4",
 106   pages =        "2250--2279",
 107   numpages =     "29",
 108   year =         "1992",
 109   month =        jul,
 110   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 111   publisher =    "American Physical Society",
 112   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 113 }
 114
 115 @Article{koster2002,
 116   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 117                  bombardment",
 118   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 119   journal =      "Phys. Rev. B",
 120   volume =       "62",
 121   number =       "16",
 122   pages =        "11219--11224",
 123   numpages =     "5",
 124   year =         "2000",
 125   month =        oct,
 126   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 127   publisher =    "American Physical Society",
 128   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 129 }
 130
 131 @Article{breadmore99,
 132   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 133                  amorphization of silicon",
 134   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 135   journal =      "Phys. Rev. B",
 136   volume =       "60",
 137   number =       "18",
 138   pages =        "12610--12616",
 139   numpages =     "6",
 140   year =         "1999",
 141   month =        nov,
 142   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 143   publisher =    "American Physical Society",
 144   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 145 }
 146
 147 @Article{moissan04,
 148   author =       "Henri Moissan",
 149   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 150                  Diablo",
 151   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 152   volume =       "139",
 153   pages =        "773--786",
 154   year =         "1904",
 155 }
 156
 157 @Book{park98,
 158   author =       "Y. S. Park",
 159   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 160   publisher =    "Academic Press",
 161   address =      "San Diego",
 162   year =         "1998",
 163 }
 164
 165 @Article{tsvetkov98,
 166   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 167                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 168   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 169   journal =      "Materials Science Forum",
 170   volume =       "264-268",
 171   pages =        "3--8",
 172   year =         "1998",
 173   notes =        "modified lely process, micropipes",
 174 }
 175
 176 @Article{verlet67,
 177   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 178                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 179   author =       "Loup Verlet",
 180   journal =      "Phys. Rev.",
 181   volume =       "159",
 182   number =       "1",
 183   pages =        "98",
 184   year =         "1967",
 185   month =        jul,
 186   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 187   publisher =    "American Physical Society",
 188   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 189                  motion",
 190 }
 191
 192 @Article{berendsen84,
 193   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 194                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 195   collaboration = "",
 196   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 197   publisher =    "AIP",
 198   year =         "1984",
 199   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 200   volume =       "81",
 201   number =       "8",
 202   pages =        "3684--3690",
 203   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 204                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 205   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 206   doi =          "10.1063/1.448118",
 207   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 208 }
 209
 210 @Article{huang95,
 211   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 212                  Baskes",
 213   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 214                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 215                  potentials",
 216   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 217                  Engineering",
 218   volume =       "3",
 219   number =       "5",
 220   pages =        "615--627",
 221   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 222   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 223                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 224   year =         "1995",
 225 }
 226
 227 @Article{brenner89,
 228   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 229                  Tersoff potentials",
 230   author =       "Donald W. Brenner",
 231   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 232   volume =       "63",
 233   number =       "9",
 234   pages =        "1022",
 235   numpages =     "1",
 236   year =         "1989",
 237   month =        aug,
 238   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 239   publisher =    "American Physical Society",
 240   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 241 }
 242
 243 @Article{batra87,
 244   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 245                  silicon",
 246   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 247   journal =      "Phys. Rev. B",
 248   volume =       "35",
 249   number =       "18",
 250   pages =        "9552--9558",
 251   numpages =     "6",
 252   year =         "1987",
 253   month =        jun,
 254   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 257                  calculation of defect formation energy, defect
 258                  interstitial types",
 259 }
 260
 261 @Article{schober89,
 262   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 263   author =       "H. R. Schober",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "39",
 266   number =       "17",
 267   pages =        "13013--13015",
 268   numpages =     "2",
 269   year =         "1989",
 270   month =        jun,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 274                  dumbbell configuration",
 275 }
 276
 277 @Article{gao02,
 278   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 279                  Defect accumulation, topological features, and
 280                  disordering",
 281   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 282   journal =      "Phys. Rev. B",
 283   volume =       "66",
 284   number =       "2",
 285   pages =        "024106",
 286   numpages =     "10",
 287   year =         "2002",
 288   month =        jul,
 289   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 290   publisher =    "American Physical Society",
 291   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 292                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 293                  result analyze",
 294 }
 295
 296 @Article{devanathan98,
 297   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 298                  cascade in Si{C}",
 299   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 300                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 301   volume =       "141",
 302   number =       "1-4",
 303   pages =        "118--122",
 304   year =         "1998",
 305   ISSN =         "0168-583X",
 306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 307   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 308                  Rubia",
 309   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 310                  3c-sic",
 311 }
 312
 313 @Article{devanathan98_2,
 314   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 315   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 316   volume =       "253",
 317   number =       "1-3",
 318   pages =        "47--52",
 319   year =         "1998",
 320   ISSN =         "0022-3115",
 321   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 322   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 323                  Weber",
 324   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 325                  tersoff",
 326 }
 327
 328 @Article{batra87,
 329   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 330   author =       "M. Kitabatake",
 331   journal =      "Thin Solid Films",
 332   volume =       "369",
 333   pages =        "257--264",
 334   numpages =     "8",
 335   year =         "2000",
 336   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 337 }
 338
 339 @Article{tang97,
 340   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 341                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 342                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 343                  formation volumes",
 344   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 345                  Rubia",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "55",
 348   number =       "21",
 349   pages =        "14279--14289",
 350   numpages =     "10",
 351   year =         "1997",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 356 }
 357
 358 @Article{tang97,
 359   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 360                  silicon",
 361   author =       "L. Colombo",
 362   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 363   volume =       "32",
 364   pages =        "271--295",
 365   numpages =     "25",
 366   year =         "2002",
 367   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 368   publisher =    "Annual Reviews",
 369   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 370 }
 371
 372 @Article{al-mushadani03,
 373   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 374                  silicon",
 375   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 376   journal =      "Phys. Rev. B",
 377   volume =       "68",
 378   number =       "23",
 379   pages =        "235205",
 380   numpages =     "8",
 381   year =         "2003",
 382   month =        dec,
 383   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 384   publisher =    "American Physical Society",
 385   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 386                  silicon, si self interstitials",
 387 }
 388
 389 @Article{ma10,
 390   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 391                  wide temperature range: Point defect states and
 392                  migration mechanisms",
 393   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 394   journal =      "Phys. Rev. B",
 395   volume =       "81",
 396   number =       "19",
 397   pages =        "193203",
 398   numpages =     "4",
 399   year =         "2010",
 400   month =        may,
 401   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 402   publisher =    "American Physical Society",
 403   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 404 }
 405
 406 @Article{gao2001,
 407   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 408                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 409   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 410                  Corrales",
 411   journal =      "Phys. Rev. B",
 412   volume =       "64",
 413   number =       "24",
 414   pages =        "245208",
 415   numpages =     "7",
 416   year =         "2001",
 417   month =        dec,
 418   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 419   publisher =    "American Physical Society",
 420   notes =        "defects in 3c-sic",
 421 }
 422
 423 @Article{mattoni2002,
 424   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 425                  crystalline silicon",
 426   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 427   journal =      "Phys. Rev. B",
 428   volume =       "66",
 429   number =       "19",
 430   pages =        "195214",
 431   numpages =     "6",
 432   year =         "2002",
 433   month =        nov,
 434   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 435   publisher =    "American Physical Society",
 436   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 437                  links, interaction of carbon and silicon
 438                  interstitials",
 439 }
 440
 441 @Article{leung99,
 442   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 443   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 444                  Itoh and S. Ihara",
 445   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 446   volume =       "83",
 447   number =       "12",
 448   pages =        "2351--2354",
 449   numpages =     "3",
 450   year =         "1999",
 451   month =        sep,
 452   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 453   publisher =    "American Physical Society",
 454   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 455                  refs",
 456 }
 457
 458 @Article{capaz94,
 459   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 460                  carbon in silicon",
 461   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 462   journal =      "Phys. Rev. B",
 463   volume =       "50",
 464   number =       "11",
 465   pages =        "7439--7442",
 466   numpages =     "3",
 467   year =         "1994",
 468   month =        sep,
 469   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 470   publisher =    "American Physical Society",
 471   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 472                  dumbbell",
 473 }
 474
 475 @Article{dal_pino93,
 476   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 477                  silicon",
 478   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 479                  Joannopoulos",
 480   journal =      "Phys. Rev. B",
 481   volume =       "47",
 482   number =       "19",
 483   pages =        "12554--12557",
 484   numpages =     "3",
 485   year =         "1993",
 486   month =        may,
 487   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 488   publisher =    "American Physical Society",
 489   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 490 }
 491
 492 @Article{car84,
 493   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 494                  Silicon",
 495   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 496                  Sokrates T. Pantelides",
 497   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 498   volume =       "52",
 499   number =       "20",
 500   pages =        "1814--1817",
 501   numpages =     "3",
 502   year =         "1984",
 503   month =        may,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 507                  path formation",
 508 }
 509
 510 @Article{kelires97,
 511   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 512                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 513   author =       "P. C. Kelires",
 514   journal =      "Phys. Rev. B",
 515   volume =       "55",
 516   number =       "14",
 517   pages =        "8784--8787",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1997",
 520   month =        apr,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 524                  neighbour dist",
 525 }
 526
 527 @Article{kelires95,
 528   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 529                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 530   author =       "P. C. Kelires",
 531   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 532   volume =       "75",
 533   number =       "6",
 534   pages =        "1114--1117",
 535   numpages =     "3",
 536   year =         "1995",
 537   month =        aug,
 538   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 539   publisher =    "American Physical Society",
 540   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 541 }
 542
 543 @Article{bean70,
 544   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 545                  containing carbon",
 546   journal =      "Solid State Communications",
 547   volume =       "8",
 548   number =       "3",
 549   pages =        "175--177",
 550   year =         "1970",
 551   note =         "",
 552   ISSN =         "0038-1098",
 553   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 554   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 555   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 556 }
 557
 558 @Article{watkins76,
 559   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 560                  Atom in Silicon",
 561   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 562   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 563   volume =       "36",
 564   number =       "22",
 565   pages =        "1329--1332",
 566   numpages =     "3",
 567   year =         "1976",
 568   month =        may,
 569   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 570   publisher =    "American Physical Society",
 571   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 572                  silicon",
 573 }
 574
 575 @Article{song90,
 576   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 577                  interstitial carbon in silicon",
 578   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 579   journal =      "Phys. Rev. B",
 580   volume =       "42",
 581   number =       "9",
 582   pages =        "5759--5764",
 583   numpages =     "5",
 584   year =         "1990",
 585   month =        sep,
 586   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 587   publisher =    "American Physical Society",
 588   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 589 }
 590
 591 @Article{tipping87,
 592   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 593   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 594                  silicon",
 595   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 596   volume =       "2",
 597   number =       "5",
 598   pages =        "315--317",
 599   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 600   year =         "1987",
 601   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 602                  silicon",
 603 }
 604
 605 @Article{strane96,
 606   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 607                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 608   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 609                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 610   journal =      "J. Appl. Phys.",
 611   volume =       "79",
 612   pages =        "637",
 613   year =         "1996",
 614   month =        jan,
 615   doi =          "10.1063/1.360806",
 616   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 617 }
 618
 619 @Article{laveant2002,
 620   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 621   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 622                  G{\"o}sele",
 623   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 624   volume =       "89",
 625   number =       "1-3",
 626   pages =        "241--245",
 627   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 628   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 629                  stress, avoid sic precipitation",
 630 }
 631
 632 @Article{werner97,
 633   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 634                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 635   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 636                  silicon by transmission electron microscopy",
 637   publisher =    "AIP",
 638   year =         "1997",
 639   journal =      "Applied Physics Letters",
 640   volume =       "70",
 641   number =       "2",
 642   pages =        "252--254",
 643   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 644                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 645                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 646                  layers; precipitation",
 647   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 648   doi =          "10.1063/1.118381",
 649   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 650                  precipitate",
 651 }
 652
 653 @InProceedings{werner96,
 654   author =       "P. Werner and R. Koegler and W. Skorupa and D.
 655                  Eichler",
 656   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 657                  International Conference on",
 658   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 659                  implanted silicon",
 660   year =         "1996",
 661   month =        jun,
 662   volume =       "",
 663   number =       "",
 664   pages =        "675--678",
 665   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 666                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 667                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 668                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 669                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 670                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 671                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 672                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 673                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 674                  interactions;ion implantation;positron
 675                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 676                  annealing;secondary ion mass
 677                  spectra;silicon;transmission electron
 678                  microscopy;vacancies (crystal);",
 679   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 680   ISSN =         "",
 681   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 682 }
 683
 684 @Article{strane94,
 685   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 686                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 687   collaboration = "",
 688   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 689                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 690   publisher =    "AIP",
 691   year =         "1994",
 692   journal =      "Journal of Applied Physics",
 693   volume =       "76",
 694   number =       "6",
 695   pages =        "3656--3668",
 696   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 697   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 698   doi =          "10.1063/1.357429",
 699   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 700 }
 701
 702 @Article{edgar92,
 703   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 704                  semiconductors",
 705   author =       "J. H. Edgar",
 706   journal =      "J. Mater. Res.",
 707   volume =       "7",
 708   pages =        "235",
 709   year =         "1992",
 710   month =        jan,
 711   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 712   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 713                  polytypes",
 714 }
 715
 716 @Article{zirkelbach2007,
 717   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 718                  process leading to ordered precipitate structures",
 719   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 720                  and B. Stritzker",
 721   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 722   volume =       "257",
 723   number =       "1--2",
 724   pages =        "75--79",
 725   numpages =     "5",
 726   year =         "2007",
 727   month =        apr,
 728   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 729   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 730                  NETHERLANDS",
 731 }
 732
 733 @Article{zirkelbach2006,
 734   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 735                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 736                  during ion irradiation",
 737   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 738                  and B. Stritzker",
 739   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 740   volume =       "242",
 741   number =       "1--2",
 742   pages =        "679--682",
 743   numpages =     "4",
 744   year =         "2006",
 745   month =        jan,
 746   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 747   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 748                  NETHERLANDS",
 749 }
 750
 751 @Article{zirkelbach2005,
 752   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 753                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 754                  ion irradiation",
 755   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 756                  and B. Stritzker",
 757   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 758   volume =       "33",
 759   number =       "1--3",
 760   pages =        "310--316",
 761   numpages =     "7",
 762   year =         "2005",
 763   month =        apr,
 764   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 765   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 766                  NETHERLANDS",
 767 }
 768
 769 @Article{lindner99,
 770   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 771                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 772                  layers in silicon",
 773   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 774                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 775   volume =       "147",
 776   number =       "1-4",
 777   pages =        "249--255",
 778   year =         "1999",
 779   note =         "",
 780   ISSN =         "0168-583X",
 781   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 782   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 783   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 784   notes =        "two-step implantation process",
 785 }
 786
 787 @Article{lindner99_2,
 788   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 789                  in silicon",
 790   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 791                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 792   volume =       "148",
 793   number =       "1-4",
 794   pages =        "528--533",
 795   year =         "1999",
 796   ISSN =         "0168-583X",
 797   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 798   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 799   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 800   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 801 }
 802
 803 @Article{lindner01,
 804   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 805                  Basic physical processes",
 806   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 807                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 808   volume =       "178",
 809   number =       "1-4",
 810   pages =        "44--54",
 811   year =         "2001",
 812   note =         "",
 813   ISSN =         "0168-583X",
 814   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 815   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 816   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 817 }
 818
 819 @Article{lindner02,
 820   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 821                  fundamental studies for new technological tricks",
 822   author =       "J. K. N. Lindner",
 823   journal =      "Appl. Phys. A",
 824   volume =       "77",
 825   pages =        "27--38",
 826   year =         "2003",
 827   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 828   notes =        "ibs, burried sic layers",
 829 }
 830
 831 @Article{ito04,
 832   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
 833                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
 834                  growth",
 835   journal =      "Applied Surface Science",
 836   volume =       "238",
 837   number =       "1-4",
 838   pages =        "159--164",
 839   year =         "2004",
 840   note =         "APHYS'03 Special Issue",
 841   ISSN =         "0169-4332",
 842   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
 843   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
 844   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
 845                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
 846   notes =        "gan on 3c-sic",
 847 }
 848
 849 @Article{alder57,
 850   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 851   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 852   publisher =    "AIP",
 853   year =         "1957",
 854   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 855   volume =       "27",
 856   number =       "5",
 857   pages =        "1208--1209",
 858   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 859   doi =          "10.1063/1.1743957",
 860 }
 861
 862 @Article{alder59,
 863   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 864   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 865   publisher =    "AIP",
 866   year =         "1959",
 867   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 868   volume =       "31",
 869   number =       "2",
 870   pages =        "459--466",
 871   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 872   doi =          "10.1063/1.1730376",
 873 }
 874
 875 @Article{tersoff_si1,
 876   title =        "New empirical model for the structural properties of
 877                  silicon",
 878   author =       "J. Tersoff",
 879   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 880   volume =       "56",
 881   number =       "6",
 882   pages =        "632--635",
 883   numpages =     "3",
 884   year =         "1986",
 885   month =        feb,
 886   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 887   publisher =    "American Physical Society",
 888 }
 889
 890 @Article{tersoff_si2,
 891   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 892                  covalent systems",
 893   author =       "J. Tersoff",
 894   journal =      "Phys. Rev. B",
 895   volume =       "37",
 896   number =       "12",
 897   pages =        "6991--7000",
 898   numpages =     "9",
 899   year =         "1988",
 900   month =        apr,
 901   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 902   publisher =    "American Physical Society",
 903 }
 904
 905 @Article{tersoff_si3,
 906   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 907                  improved elastic properties",
 908   author =       "J. Tersoff",
 909   journal =      "Phys. Rev. B",
 910   volume =       "38",
 911   number =       "14",
 912   pages =        "9902--9905",
 913   numpages =     "3",
 914   year =         "1988",
 915   month =        nov,
 916   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 917   publisher =    "American Physical Society",
 918 }
 919
 920 @Article{tersoff_c,
 921   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 922                  Applications to Amorphous Carbon",
 923   author =       "J. Tersoff",
 924   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 925   volume =       "61",
 926   number =       "25",
 927   pages =        "2879--2882",
 928   numpages =     "3",
 929   year =         "1988",
 930   month =        dec,
 931   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 932   publisher =    "American Physical Society",
 933 }
 934
 935 @Article{tersoff_m,
 936   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 937                  for multicomponent systems",
 938   author =       "J. Tersoff",
 939   journal =      "Phys. Rev. B",
 940   volume =       "39",
 941   number =       "8",
 942   pages =        "5566--5568",
 943   numpages =     "2",
 944   year =         "1989",
 945   month =        mar,
 946   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 947   publisher =    "American Physical Society",
 948 }
 949
 950 @Article{tersoff90,
 951   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
 952   author =       "J. Tersoff",
 953   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 954   volume =       "64",
 955   number =       "15",
 956   pages =        "1757--1760",
 957   numpages =     "3",
 958   year =         "1990",
 959   month =        apr,
 960   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
 961   publisher =    "American Physical Society",
 962 }
 963
 964 @Article{fahey89,
 965   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 966   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 967   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 968   volume =       "61",
 969   number =       "2",
 970   pages =        "289--384",
 971   numpages =     "95",
 972   year =         "1989",
 973   month =        apr,
 974   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 975   publisher =    "American Physical Society",
 976 }
 977
 978 @Article{wesch96,
 979   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 980   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 981                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 982   volume =       "116",
 983   number =       "1-4",
 984   pages =        "305--321",
 985   year =         "1996",
 986   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 987   ISSN =         "0168-583X",
 988   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 989   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 990   author =       "W. Wesch",
 991 }
 992
 993 @Article{morkoc94,
 994   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 995                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 996   collaboration = "",
 997   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 998                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 999   publisher =    "AIP",
1000   year =         "1994",
1001   journal =      "Journal of Applied Physics",
1002   volume =       "76",
1003   number =       "3",
1004   pages =        "1363--1398",
1005   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1006                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1007                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1008                  FILMS; INDUSTRY",
1009   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1010   doi =          "10.1063/1.358463",
1011 }
1012
1013 @Article{foo,
1014   author =       "Noch Unbekannt",
1015   title =        "How to find references",
1016   journal =      "Journal of Applied References",
1017   year =         "2009",
1018   volume =       "77",
1019   pages =        "1--23",
1020 }
1021
1022 @Article{tang95,
1023   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1024                  \beta{}-Si{C}",
1025   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1026   journal =      "Phys. Rev. B",
1027   volume =       "52",
1028   number =       "21",
1029   pages =        "15150--15159",
1030   numpages =     "9",
1031   year =         "1995",
1032   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1033   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1034                  tersoff reparametrization",
1035   publisher =    "American Physical Society",
1036 }
1037
1038 @Article{sarro00,
1039   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1040   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1041   volume =       "82",
1042   number =       "1-3",
1043   pages =        "210--218",
1044   year =         "2000",
1045   ISSN =         "0924-4247",
1046   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1047   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1048   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1049   keywords =     "MEMS",
1050   keywords =     "Silicon carbide",
1051   keywords =     "Micromachining",
1052   keywords =     "Mechanical stress",
1053 }
1054
1055 @Article{casady96,
1056   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1057                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1058                  review",
1059   journal =      "Solid-State Electronics",
1060   volume =       "39",
1061   number =       "10",
1062   pages =        "1409--1422",
1063   year =         "1996",
1064   ISSN =         "0038-1101",
1065   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1066   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1067   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1068 }
1069
1070 @Article{giancarli98,
1071   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1072                  structural material in fusion power reactor blankets",
1073   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1074   volume =       "41",
1075   number =       "1-4",
1076   pages =        "165--171",
1077   year =         "1998",
1078   ISSN =         "0920-3796",
1079   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1080   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1081   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1082                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1083 }
1084
1085 @Article{pensl93,
1086   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1087   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1088   volume =       "185",
1089   number =       "1-4",
1090   pages =        "264--283",
1091   year =         "1993",
1092   ISSN =         "0921-4526",
1093   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1094   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1095   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1096 }
1097
1098 @Article{tairov78,
1099   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1100                  carbide single crystals",
1101   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1102   volume =       "43",
1103   number =       "2",
1104   pages =        "209--212",
1105   year =         "1978",
1106   notes =        "modifief lely process",
1107   ISSN =         "0022-0248",
1108   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1109   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1110   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1111 }
1112
1113 @Article{nishino83,
1114   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1115                  Will",
1116   collaboration = "",
1117   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1118                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1119   publisher =    "AIP",
1120   year =         "1983",
1121   journal =      "Applied Physics Letters",
1122   volume =       "42",
1123   number =       "5",
1124   pages =        "460--462",
1125   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1126                  monocrystals",
1127   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1128   doi =          "10.1063/1.93970",
1129   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1130 }
1131
1132 @Article{nishino87,
1133   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1134                  and Hiroyuki Matsunami",
1135   collaboration = "",
1136   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1137                  Si{C} on silicon",
1138   publisher =    "AIP",
1139   year =         "1987",
1140   journal =      "Journal of Applied Physics",
1141   volume =       "61",
1142   number =       "10",
1143   pages =        "4889--4893",
1144   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1145   doi =          "10.1063/1.338355",
1146   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1147                  carbonization",
1148 }
1149
1150 @Article{powell87,
1151   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1152                  Kuczmarski",
1153   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1154                  Single-Crystal Films on Si",
1155   publisher =    "ECS",
1156   year =         "1987",
1157   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1158   volume =       "134",
1159   number =       "6",
1160   pages =        "1558--1565",
1161   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1162                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1163   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1164   doi =          "10.1149/1.2100708",
1165   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1166 }
1167
1168 @Article{kimoto93,
1169   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1170                  and Hiroyuki Matsunami",
1171   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1172                  epitaxy",
1173   publisher =    "AIP",
1174   year =         "1993",
1175   journal =      "Journal of Applied Physics",
1176   volume =       "73",
1177   number =       "2",
1178   pages =        "726--732",
1179   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1180                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1181                  VAPOR DEPOSITION",
1182   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1183   doi =          "10.1063/1.353329",
1184   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1185 }
1186
1187 @Article{powell90,
1188   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1189                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1190                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1191   collaboration = "",
1192   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1193                  6{H}-Si{C} substrates",
1194   publisher =    "AIP",
1195   year =         "1990",
1196   journal =      "Applied Physics Letters",
1197   volume =       "56",
1198   number =       "14",
1199   pages =        "1353--1355",
1200   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1201                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1202                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1203                  PHASE EPITAXY",
1204   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1205   doi =          "10.1063/1.102512",
1206   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1207 }
1208
1209 @Article{yuan95,
1210   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1211                  Thokala and M. J. Loboda",
1212   collaboration = "",
1213   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1214                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1215                  silacyclobutane",
1216   publisher =    "AIP",
1217   year =         "1995",
1218   journal =      "Journal of Applied Physics",
1219   volume =       "78",
1220   number =       "2",
1221   pages =        "1271--1273",
1222   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1223                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1224                  SPECTROPHOTOMETRY",
1225   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1226   doi =          "10.1063/1.360368",
1227   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1228 }
1229
1230 @Article{fissel95,
1231   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1232                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1233                  molecular beam epitaxy",
1234   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1235   volume =       "154",
1236   number =       "1-2",
1237   pages =        "72--80",
1238   year =         "1995",
1239   ISSN =         "0022-0248",
1240   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1241   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1242   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1243                  and W. Richter",
1244   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1245 }
1246
1247 @Article{fissel95_apl,
1248   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1249   collaboration = "",
1250   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1251                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1252   publisher =    "AIP",
1253   year =         "1995",
1254   journal =      "Applied Physics Letters",
1255   volume =       "66",
1256   number =       "23",
1257   pages =        "3182--3184",
1258   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1259                  RHEED; NUCLEATION",
1260   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1261   doi =          "10.1063/1.113716",
1262   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1263 }
1264
1265 @Article{borders71,
1266   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1267   collaboration = "",
1268   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1269                  {IMPLANTATION}",
1270   publisher =    "AIP",
1271   year =         "1971",
1272   journal =      "Applied Physics Letters",
1273   volume =       "18",
1274   number =       "11",
1275   pages =        "509--511",
1276   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1277   doi =          "10.1063/1.1653516",
1278   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1279                  ideas",
1280 }
1281
1282 @Article{reeson87,
1283   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1284                  J. Davis and G. E. Celler",
1285   collaboration = "",
1286   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1287                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1288   publisher =    "AIP",
1289   year =         "1987",
1290   journal =      "Applied Physics Letters",
1291   volume =       "51",
1292   number =       "26",
1293   pages =        "2242--2244",
1294   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1295                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1296   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1297   doi =          "10.1063/1.98953",
1298   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1299 }
1300
1301 @Article{scace59,
1302   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1303   collaboration = "",
1304   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1305   publisher =    "AIP",
1306   year =         "1959",
1307   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1308   volume =       "30",
1309   number =       "6",
1310   pages =        "1551--1555",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1312   doi =          "10.1063/1.1730236",
1313   notes =        "solubility of c in c-si",
1314 }
1315
1316 @Article{cowern96,
1317   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1318                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1319   collaboration = "",
1320   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1321                  {B} in silicon",
1322   publisher =    "AIP",
1323   year =         "1996",
1324   journal =      "Applied Physics Letters",
1325   volume =       "68",
1326   number =       "8",
1327   pages =        "1150--1152",
1328   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1329                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1330                  SILICON",
1331   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1332   doi =          "10.1063/1.115706",
1333   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1334 }
1335
1336 @Article{stolk95,
1337   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1338                  of the silicon self-interstitial",
1339   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1340                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1341   volume =       "96",
1342   number =       "1-2",
1343   pages =        "187--195",
1344   year =         "1995",
1345   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1346                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1347   ISSN =         "0168-583X",
1348   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1349   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1350   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1351                  and J. M. Poate",
1352 }
1353
1354 @Article{stolk97,
1355   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1356                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1357                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1358                  E. Haynes",
1359   collaboration = "",
1360   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1361                  diffusion in ion-implanted silicon",
1362   publisher =    "AIP",
1363   year =         "1997",
1364   journal =      "Journal of Applied Physics",
1365   volume =       "81",
1366   number =       "9",
1367   pages =        "6031--6050",
1368   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1369   doi =          "10.1063/1.364452",
1370   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1371 }
1372
1373 @Article{powell94,
1374   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1375   collaboration = "",
1376   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1377                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1378   publisher =    "AIP",
1379   year =         "1994",
1380   journal =      "Applied Physics Letters",
1381   volume =       "64",
1382   number =       "3",
1383   pages =        "324--326",
1384   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1385                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1386                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1387                  SYNTHESIS",
1388   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1389   doi =          "10.1063/1.111195",
1390   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1391 }
1392
1393 @Article{soref91,
1394   author =       "Richard A. Soref",
1395   collaboration = "",
1396   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1397                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1398   publisher =    "AIP",
1399   year =         "1991",
1400   journal =      "Journal of Applied Physics",
1401   volume =       "70",
1402   number =       "4",
1403   pages =        "2470--2472",
1404   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1405                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1406                  TERNARY ALLOYS",
1407   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1408   doi =          "10.1063/1.349403",
1409   notes =        "band gap of strained si by c",
1410 }
1411
1412 @Article{kasper91,
1413   author =       "E Kasper",
1414   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1415                  possibility to produce direct band gap material",
1416   journal =      "Physica Scripta",
1417   volume =       "T35",
1418   pages =        "232--236",
1419   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1420   year =         "1991",
1421   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1422                  quasi-direct one",
1423 }
1424
1425 @Article{osten99,
1426   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1427   collaboration = "",
1428   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1429                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1430                  molecular beam epitaxy",
1431   publisher =    "AIP",
1432   year =         "1999",
1433   journal =      "Applied Physics Letters",
1434   volume =       "74",
1435   number =       "6",
1436   pages =        "836--838",
1437   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1438                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1439                  compounds",
1440   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1441   doi =          "10.1063/1.123384",
1442   notes =        "substitutional c in si",
1443 }
1444
1445 @Article{hohenberg64,
1446   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1447   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1448   journal =      "Phys. Rev.",
1449   volume =       "136",
1450   number =       "3B",
1451   pages =        "B864--B871",
1452   numpages =     "7",
1453   year =         "1964",
1454   month =        nov,
1455   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457   notes =        "density functional theory, dft",
1458 }
1459
1460 @Article{kohn65,
1461   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1462                  Correlation Effects",
1463   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1464   journal =      "Phys. Rev.",
1465   volume =       "140",
1466   number =       "4A",
1467   pages =        "A1133--A1138",
1468   numpages =     "5",
1469   year =         "1965",
1470   month =        nov,
1471   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1472   publisher =    "American Physical Society",
1473   notes =        "dft, exchange and correlation",
1474 }
1475
1476 @Article{ruecker94,
1477   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1478                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1479   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1480                  J. Osten",
1481   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1482   volume =       "72",
1483   number =       "22",
1484   pages =        "3578--3581",
1485   numpages =     "3",
1486   year =         "1994",
1487   month =        may,
1488   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1489   publisher =    "American Physical Society",
1490   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1491                  si, dft",
1492 }
1493
1494 @Article{chang05,
1495   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1496                  Alloy",
1497   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1498   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1499   volume =       "44",
1500   number =       "4B",
1501   pages =        "2257--2262",
1502   numpages =     "5",
1503   year =         "2005",
1504   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1505   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1506   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1507   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1508 }
1509
1510 @Article{osten97,
1511   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1512   collaboration = "",
1513   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1514                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1515                  Si(001)",
1516   publisher =    "AIP",
1517   year =         "1997",
1518   journal =      "Journal of Applied Physics",
1519   volume =       "82",
1520   number =       "10",
1521   pages =        "4977--4981",
1522   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1523                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1524                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1525   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1526   doi =          "10.1063/1.366364",
1527   notes =        "charge transport in strained si",
1528 }
1529
1530 @Article{kapur04,
1531   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1532                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1533   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1534   journal =      "Phys. Rev. B",
1535   volume =       "69",
1536   number =       "15",
1537   pages =        "155214",
1538   numpages =     "8",
1539   year =         "2004",
1540   month =        apr,
1541   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1542   publisher =    "American Physical Society",
1543   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1544 }
1545
1546 @Article{barkema96,
1547   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1548                  Systems",
1549   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1550   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1551   volume =       "77",
1552   number =       "21",
1553   pages =        "4358--4361",
1554   numpages =     "3",
1555   year =         "1996",
1556   month =        nov,
1557   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1558   publisher =    "American Physical Society",
1559   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1560                  dynamic mds",
1561 }
1562
1563 @Article{cances09,
1564   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1565                  Minoukadeh and F. Willaime",
1566   collaboration = "",
1567   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1568                  technique method for finding transition pathways on
1569                  potential energy surfaces",
1570   publisher =    "AIP",
1571   year =         "2009",
1572   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1573   volume =       "130",
1574   number =       "11",
1575   eid =          "114711",
1576   numpages =     "6",
1577   pages =        "114711",
1578   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1579                  surfaces; vacancies (crystal)",
1580   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1581   doi =          "10.1063/1.3088532",
1582   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1583                  transition pathways",
1584 }
1585
1586 @Article{parrinello81,
1587   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1588   collaboration = "",
1589   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1590                  molecular dynamics method",
1591   publisher =    "AIP",
1592   year =         "1981",
1593   journal =      "Journal of Applied Physics",
1594   volume =       "52",
1595   number =       "12",
1596   pages =        "7182--7190",
1597   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1598                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1599                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1600                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1601                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1602                  IMPACT SHOCK",
1603   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1604   doi =          "10.1063/1.328693",
1605 }
1606
1607 @Article{stillinger85,
1608   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1609                  of silicon",
1610   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1611   journal =      "Phys. Rev. B",
1612   volume =       "31",
1613   number =       "8",
1614   pages =        "5262--5271",
1615   numpages =     "9",
1616   year =         "1985",
1617   month =        apr,
1618   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1619   publisher =    "American Physical Society",
1620 }
1621
1622 @Article{brenner90,
1623   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1624                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1625                  films",
1626   author =       "Donald W. Brenner",
1627   journal =      "Phys. Rev. B",
1628   volume =       "42",
1629   number =       "15",
1630   pages =        "9458--9471",
1631   numpages =     "13",
1632   year =         "1990",
1633   month =        nov,
1634   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1635   publisher =    "American Physical Society",
1636   notes =        "brenner hydro carbons",
1637 }
1638
1639 @Article{bazant96,
1640   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1641                  Cohesive Energy Curves",
1642   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1643   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1644   volume =       "77",
1645   number =       "21",
1646   pages =        "4370--4373",
1647   numpages =     "3",
1648   year =         "1996",
1649   month =        nov,
1650   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1651   publisher =    "American Physical Society",
1652   notes =        "first si edip",
1653 }
1654
1655 @Article{bazant97,
1656   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1657                  silicon",
1658   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1659                  Justo",
1660   journal =      "Phys. Rev. B",
1661   volume =       "56",
1662   number =       "14",
1663   pages =        "8542--8552",
1664   numpages =     "10",
1665   year =         "1997",
1666   month =        oct,
1667   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1668   publisher =    "American Physical Society",
1669   notes =        "second si edip",
1670 }
1671
1672 @Article{justo98,
1673   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1674                  disordered phases",
1675   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1676                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1677   journal =      "Phys. Rev. B",
1678   volume =       "58",
1679   number =       "5",
1680   pages =        "2539--2550",
1681   numpages =     "11",
1682   year =         "1998",
1683   month =        aug,
1684   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1685   publisher =    "American Physical Society",
1686   notes =        "latest si edip",
1687 }
1688
1689 @Article{parcas_md,
1690   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1691   author =       "K. Nordlund",
1692   year =         "2008",
1693 }
1694
1695 @Article{voter97,
1696   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1697                  Infrequent Events",
1698   author =       "Arthur F. Voter",
1699   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1700   volume =       "78",
1701   number =       "20",
1702   pages =        "3908--3911",
1703   numpages =     "3",
1704   year =         "1997",
1705   month =        may,
1706   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1707   publisher =    "American Physical Society",
1708   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1709 }
1710
1711 @Article{voter97_2,
1712   author =       "Arthur F. Voter",
1713   collaboration = "",
1714   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1715                  simulation of infrequent events",
1716   publisher =    "AIP",
1717   year =         "1997",
1718   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1719   volume =       "106",
1720   number =       "11",
1721   pages =        "4665--4677",
1722   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1723                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1724                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1725                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1726                  theory; potential energy surfaces",
1727   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1728   doi =          "10.1063/1.473503",
1729   notes =        "improved hyperdynamics md",
1730 }
1731
1732 @Article{sorensen2000,
1733   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1734   collaboration = "",
1735   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1736                  infrequent events",
1737   publisher =    "AIP",
1738   year =         "2000",
1739   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1740   volume =       "112",
1741   number =       "21",
1742   pages =        "9599--9606",
1743   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1744                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1745   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1746   doi =          "10.1063/1.481576",
1747   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1748 }
1749
1750 @Article{voter98,
1751   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1752                  events",
1753   author =       "Arthur F. Voter",
1754   journal =      "Phys. Rev. B",
1755   volume =       "57",
1756   number =       "22",
1757   pages =        "R13985--R13988",
1758   numpages =     "3",
1759   year =         "1998",
1760   month =        jun,
1761   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1762   publisher =    "American Physical Society",
1763   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1764 }
1765
1766 @Article{wu99,
1767   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1768   collaboration = "",
1769   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1770                  simulation",
1771   publisher =    "AIP",
1772   year =         "1999",
1773   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1774   volume =       "110",
1775   number =       "19",
1776   pages =        "9401--9410",
1777   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1778                  potential; crystallisation; liquid theory",
1779   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1780   doi =          "10.1063/1.478948",
1781   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1782                  systematic motion",
1783 }
1784
1785 @Article{choudhary05,
1786   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1787   collaboration = "",
1788   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1789                  to the production of amorphous silicon",
1790   publisher =    "AIP",
1791   year =         "2005",
1792   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1793   volume =       "122",
1794   number =       "15",
1795   eid =          "154509",
1796   numpages =     "8",
1797   pages =        "154509",
1798   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1799                  amorphous semiconductors",
1800   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1801   doi =          "10.1063/1.1878733",
1802   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1803                  silicon",
1804 }
1805
1806 @Article{taylor93,
1807   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1808   collaboration = "",
1809   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1810                  difficult?",
1811   publisher =    "AIP",
1812   year =         "1993",
1813   journal =      "Applied Physics Letters",
1814   volume =       "62",
1815   number =       "25",
1816   pages =        "3336--3338",
1817   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1818                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1819                  ENERGY",
1820   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1821   doi =          "10.1063/1.109063",
1822   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1823 }
1824
1825 @Article{chaussende08,
1826   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1827   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1828   volume =       "310",
1829   number =       "5",
1830   pages =        "976--981",
1831   year =         "2008",
1832   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1833                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1834   ISSN =         "0022-0248",
1835   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1836   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1837   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1838                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1839                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1840                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1841   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1842                  metastable",
1843 }
1844
1845 @Article{feynman39,
1846   title =        "Forces in Molecules",
1847   author =       "R. P. Feynman",
1848   journal =      "Phys. Rev.",
1849   volume =       "56",
1850   number =       "4",
1851   pages =        "340--343",
1852   numpages =     "3",
1853   year =         "1939",
1854   month =        aug,
1855   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1856   publisher =    "American Physical Society",
1857   notes =        "hellmann feynman forces",
1858 }
1859
1860 @Article{buczko00,
1861   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1862                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1863                  their Contrasting Properties",
1864   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1865                  T. Pantelides",
1866   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1867   volume =       "84",
1868   number =       "5",
1869   pages =        "943--946",
1870   numpages =     "3",
1871   year =         "2000",
1872   month =        jan,
1873   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1874   publisher =    "American Physical Society",
1875   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1876 }
1877
1878 @Article{djurabekova08,
1879   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1880                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1881   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1882   journal =      "Phys. Rev. B",
1883   volume =       "77",
1884   number =       "11",
1885   pages =        "115325",
1886   numpages =     "7",
1887   year =         "2008",
1888   month =        mar,
1889   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1890   publisher =    "American Physical Society",
1891   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1892                  angular distribution, coordination",
1893 }
1894
1895 @Article{wen09,
1896   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1897                  W. Liang and J. Zou",
1898   collaboration = "",
1899   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1900                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1901                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1902   publisher =    "AIP",
1903   year =         "2009",
1904   journal =      "Journal of Applied Physics",
1905   volume =       "106",
1906   number =       "7",
1907   eid =          "073522",
1908   numpages =     "8",
1909   pages =        "073522",
1910   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1911                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1912                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1913                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1914   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1915   doi =          "10.1063/1.3234380",
1916   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1917                  deconvolution",
1918 }
1919
1920 @Article{kitabatake93,
1921   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1922                  Hirao",
1923   collaboration = "",
1924   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1925                  growth on Si(001) surface",
1926   publisher =    "AIP",
1927   year =         "1993",
1928   journal =      "Journal of Applied Physics",
1929   volume =       "74",
1930   number =       "7",
1931   pages =        "4438--4445",
1932   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
1933                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
1934                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
1935   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
1936   doi =          "10.1063/1.354385",
1937   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
1938                  model, interface",
1939 }
1940
1941 @Article{pizzagalli03,
1942   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
1943                  interface: Si{C}/Si(001)",
1944   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
1945                  Catellani",
1946   journal =      "Phys. Rev. B",
1947   volume =       "68",
1948   number =       "19",
1949   pages =        "195302",
1950   numpages =     "10",
1951   year =         "2003",
1952   month =        nov,
1953   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
1954   publisher =    "American Physical Society",
1955   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
1956 }
1957
1958 @Article{tang07,
1959   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
1960                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
1961                  electron microscopy",
1962   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
1963                  H. Zheng and J. W. Liang",
1964   journal =      "Phys. Rev. B",
1965   volume =       "75",
1966   number =       "18",
1967   pages =        "184103",
1968   numpages =     "7",
1969   year =         "2007",
1970   month =        may,
1971   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
1972   publisher =    "American Physical Society",
1973   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
1974                  si and c",
1975 }
1976
1977 @Article{hornstra58,
1978   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
1979   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
1980   volume =       "5",
1981   number =       "1-2",
1982   pages =        "129--141",
1983   year =         "1958",
1984   note =         "",
1985   ISSN =         "0022-3697",
1986   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
1987   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
1988   author =       "J. Hornstra",
1989   notes =        "dislocations in diamond lattice",
1990 }
1991
1992 @Article{eichhorn99,
1993   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
1994                  K{\"{o}}gler",
1995   collaboration = "",
1996   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
1997                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
1998                  synchrotron x-ray diffraction",
1999   publisher =    "AIP",
2000   year =         "1999",
2001   journal =      "Journal of Applied Physics",
2002   volume =       "86",
2003   number =       "8",
2004   pages =        "4184--4187",
2005   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2006                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2007                  precipitation; semiconductor doping",
2008   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2009   doi =          "10.1063/1.371344",
2010   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
2011                  carbon",
2012 }
2013
2014 @Article{eichhorn02,
2015   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2016                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2017   collaboration = "",
2018   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2019                  carbon ion implantation",
2020   publisher =    "AIP",
2021   year =         "2002",
2022   journal =      "Journal of Applied Physics",
2023   volume =       "91",
2024   number =       "3",
2025   pages =        "1287--1292",
2026   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2027                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2028                  electron microscopy",
2029   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2030   doi =          "10.1063/1.1428105",
2031   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2032                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2033 }
2034
2035 @Article{lucas10,
2036   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2037   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2038                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2039                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2040                  amorphous structures",
2041   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2042   volume =       "22",
2043   number =       "3",
2044   pages =        "035802",
2045   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2046   year =         "2010",
2047   notes =        "edip sic",
2048 }