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[lectures/latex.git] / nlsop / talk / talk_german.tex
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22
23 \begin{document}
24
25 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
26 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
27 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
28 \institute{
29 Institut f"ur Physik\\
30 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
31 Universit"at Augsburg
32 }
33 \date{10. November 2005}
34 %\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
35 %\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
36
37 %\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
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39 \AtBeginSubsection[]
40 {
41   \begin{frame}<beamer>
42     \frametitle{"Uberblick}
43     \tableofcontents[currentsubsection]
44   \end{frame}
45 }
46
47 \begin{frame}
48   \titlepage
49 \end{frame}
50
51 \begin{frame}
52   \frametitle{"Uberblick}
53   \tableofcontents%[pausesections]
54 \end{frame}
55
56 \section{Einf"uhrung und Grundlagen}
57
58   \subsection{Einf"uhrung}
59
60 \begin{frame}
61   \frametitle{Einf"uhrung}
62   \framesubtitle{Ionenimplantation}
63   \begin{block}{Funktionsweise}
64     \begin{itemize}
65       \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
66       \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
67       \item Bestrahlung eines Festk"orpers
68     \end{itemize}
69   \end{block}
70   \onslide<2->
71   $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
72   \begin{block}{Anwendung}
73   Dotierung von Halbleiterkristallen
74   \end{block}
75 \end{frame}
76
77 \begin{frame}
78   \frametitle{Einf"uhrung}
79   \framesubtitle{Ionenimplantation}
80   \begin{block}{Vorteile}
81     \begin{itemize}
82       \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
83       \item Reproduzierbarkeit
84       \item Homogenit"at
85       \item Schnelligkeit
86       \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
87       \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
88     \end{itemize}
89   \end{block}
90 \end{frame}
91
92 \begin{frame}
93   \frametitle{Einf"uhrung}
94   \framesubtitle{Selbstorganisation}
95   \begin{columns}
96     \column{4.5cm}
97       \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh.eps}}
98       \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg.eps}}
99       \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2.eps}}
100     \column{6.5cm}
101       \begin{enumerate}
102         \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
103         \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
104         \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
105       \end{enumerate}
106   \end{columns}
107 \end{frame}
108
109   \subsection{Ion-Festk"orper-Wechselwirkung}
110
111 \begin{frame}
112   \frametitle{Grundlagen}
113   \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
114      \onslide<2->
115      \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
116        elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
117        $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
118      \end{block}
119      \onslide<3->
120      \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
121        inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
122        $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
123      \end{block}
124      \onslide<4->
125      \begin{block}{Bremskraft}
126        $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
127      \end{block}
128 \end{frame}
129
130   \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
131
132 \begin{frame}
133   \frametitle{Grundlagen}
134   \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
135   \begin{block}{Prinzip}
136     \begin{itemize}
137       \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
138       \pause
139       \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
140       \pause
141       \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
142       \pause
143       \item Energieverlust durch St"o"se
144       \pause
145       \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$
146       \pause
147       \item Abbildung von Zufallszahlen auf:
148         \begin{itemize}
149            \item freie Wegl"ange $l$
150            \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$
151            \item Azimutwinkel $\Phi$
152         \end{itemize}
153     \end{itemize}
154   \end{block}
155 \end{frame}
156
157 \section{Experimentelle Befunde und Modell}
158
159   \subsection{Experimentelle Befunde}
160
161 \begin{frame}
162   \frametitle{Experimentelle Befunde}
163   \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
164     \begin{center}
165       \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps}
166     \end{center}
167     \begin{center}
168       {\scriptsize\bf Hellfeld-TEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
169     \end{center}
170 \end{frame}
171
172 \begin{frame}
173   \frametitle{Experimentelle Befunde}
174   \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
175     \begin{columns}
176       \column{5.5cm}
177         \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps}
178         {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$}
179       \column{5.5cm}
180         \vspace{0.5cm}
181         \includegraphics[width=5.5cm]{a-t.eps}
182         {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Temperatur f"ur die Dosis $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
183     \end{columns}
184 \end{frame}
185
186 \begin{frame}
187   \frametitle{Experimentelle Befunde}
188   \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation}
189     \begin{center}
190       \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps}
191         {\scriptsize Hellfeld-TEM- und Elementverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.}
192     \end{center}
193 \end{frame}
194
195   \subsection{Modell}
196
197 \begin{frame}
198   \frametitle{Modell}
199     \begin{center}
200       \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps}
201     \end{center}
202     \scriptsize{
203     \begin{itemize}
204       \pause
205       \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
206             $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
207       \pause
208       \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $3C-SiC$ und $c-Si$\\
209             $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
210       \pause
211       \item $20 - 30\,\%$geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\
212             $\rightarrow$ laterale {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
213       \pause
214       \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten\\
215             $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
216       \pause
217       \item Druckspannungen\\
218             $\rightarrow$ {\bf spannungsunterst"utzte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
219     \end{itemize}}
220 \end{frame}
221
222 \section{Simulation und Ergebnisse}
223
224   \subsection{Simulation}
225
226 \begin{frame}
227   \frametitle{Simulation}
228   \begin{block}{Name}
229   {\bf N}ano {\bf L}amellar {\bf S}elbst{\bf o}rganisations{\bf p}rozess
230   \end{block}
231   \begin{block}{Grober Ablauf}
232     \begin{itemize}
233       \item Amorphisierung/Rekristallisation
234       \item Kohlenstoffeinbau
235       \item Diffusion/Sputtern
236     \end{itemize}
237   \end{block}
238   \begin{block}{Versionen}
239     \begin{itemize}
240       \item Version 1 - Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe
241       \item Version 2 - Simulation "uber den ganzen Tiefenbereich
242     \end{itemize}
243   \end{block}
244 \end{frame}
245
246 \begin{frame}
247   \frametitle{Simulation}
248   \framesubtitle{Unterteilung des Targets}
249   \begin{center}
250     \includegraphics[width=8cm]{gitter_oZ.eps}
251   \end{center}
252 \end{frame}
253
254 \begin{frame}
255   \frametitle{Simulation}
256   \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
257   \begin{columns}
258     \column{5.5cm}
259       \includegraphics[width=5.5cm]{trim_nel.eps}
260       {\scriptsize SRIM 2003.26, nukleare Bremskraft,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
261     \column{5.5cm}
262       \includegraphics[width=5.5cm]{trim_impl2.eps}
263       {\scriptsize SRIM 2003.26, Implantationsprofil,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
264   \end{columns}
265 \end{frame}
266
267 \begin{frame}
268   \frametitle{Simulation}
269   \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
270   \begin{center}
271     \includegraphics[width=7cm]{trim_coll.eps}\\
272   \end{center}
273     {\scriptsize $\Rightarrow$ Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}\\
274     {\scriptsize $\Rightarrow$ Mittlere W"urfel-Trefferzahl eines Ions}
275 \end{frame}
276
277 \begin{frame}
278   \frametitle{Simulation}
279   \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
280   \begin{block}{Amorphisierungswahrscheinlichkeit}
281     \[
282     p_{c \rightarrow a}(\vec{r}) = \pause \color{green}{p_b} \pause + \color{blue}{p_c c_C(\vec{r})} \pause + \color{red}{\sum_{\textrm{amorphe Nachbarn}} \frac{p_s c_C(\vec{r'})}{(r-r')^2}}
283     \]
284   \begin{itemize}
285     \onslide<2-> \item \color{green}{ballistische Amorphisierung}
286     \onslide<3-> \item \color{blue}{kohlenstoffinduzierte Amorphisierung}
287     \onslide<4-> \item \color{red}{spannungsuntert"utzte Amorphisierung}
288   \end{itemize}
289   \end{block}
290 \end{frame}
291
292 \begin{frame}
293   \frametitle{Simulation}
294   \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallsiation}
295   \begin{block}{Rekristallisationswahrscheinlichkeit}
296     \[
297     p_{a \rightarrow c}(\vec{r}) = \pause (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec{r})) \pause \Big( 1 - \frac{\sum_{\textrm{direkte Nachbarn}} \delta(\vec{r'})}{6} \Big)
298     \]
299     mit\\
300     \[
301     \delta(\vec{r}) = \left\{
302       \begin{array}{ll}
303         1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
304         0 & \textrm{sonst} \\
305       \end{array}
306     \right.
307     \]
308   \end{block}
309 \end{frame}
310
311
312 \begin{frame}
313   \frametitle{Simulation}
314   \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
315   \begin{block}{Sto"skoordinaten}
316     \begin{itemize}
317       \item $x,y$ gleichverteilt
318       \item $z$ entsprechend nuklearer Bremskraft
319     \end{itemize}
320   \end{block}
321   \begin{block}{Ablauf}
322     \begin{itemize}
323       \pause
324       \item Ausw"urfeln der Sto"skoordinaten
325       \pause
326       \item Berechnung von $p_{c \rightarrow a}$ bzw. $p_{a \rightarrow c}$
327       \pause
328       \item Zufallszahl $\rightarrow$ Amorphisierung/Rekristallisation
329       \pause
330       \item Wiederholung f"ur mittlere Anzahl der Treffer des Ions
331     \end{itemize}
332   \end{block}
333 \end{frame}
334
335 \begin{frame}
336   \frametitle{Simulation}
337   \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau}
338   \begin{block}{Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau}
339     \begin{itemize}
340       \item $x,y$ gleichverteilt
341       \item $z$ entsprechend Implantationsprofil
342     \end{itemize}
343   \end{block}
344   \begin{block}{Ablauf}
345     \begin{itemize}
346       \pause
347       \item Ausw"urfeln der Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau
348       \pause
349       \item Lokale Erh"ohung der Anzahl der Kohlenstoffatome
350     \end{itemize}
351   \end{block}
352 \end{frame}
353
354 \begin{frame}
355   \frametitle{Simulation}
356   \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern}
357   \begin{block}{Ablauf der Diffusion alle $d_v$ Schritte}
358     \begin{itemize}
359       \pause
360       \item Gehe alle Zellen durch
361       \pause
362       \item Wenn Zelle amorph
363             \begin{itemize}
364               \pause
365               \item Gehe alle Nachbarzellen durch
366               \pause
367               \item Wenn Nachbarzelle kristallin\\
368                     \pause
369                     $\Rightarrow$ Transferiere den Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs
370             \end{itemize}
371     \end{itemize}
372   \end{block}
373   \pause
374   \begin{block}{Sputterablauf alle $s$ Schritte}
375     \begin{itemize}
376       \pause
377       \item Kopiere Inhalt von Ebene $i$ nach Ebene $i-1$\\
378             $i \in Z,Z-1,\ldots,2$
379       \pause
380       \item Setze Status jedes Volumens in Ebene $Z$ kristallin
381       \pause
382       \item Setze den Kohlenstoff jedes Volumens in Ebene $Z$ auf Null
383     \end{itemize}
384   \end{block}
385 \end{frame}
386
387   \subsection{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe}
388
389 \begin{frame}
390   \frametitle{Ergebnisse}
391   \framesubtitle{Simulation, Version 1}
392   \begin{block}{Eigenschaften}
393     \begin{itemize}
394       \pause
395       \item Linear gen"ahertes Implantations- und Bremskraftprofil
396       \pause
397       \item Ein W"urfel-Treffer pro Ion
398       \pause
399       \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit unabh"angig von direkter Nachbarschaft
400       \pause
401       \item Tiefenbereich $0 - 300 \, nm$
402       \pause
403       \item Kein Sputtervorgang
404     \end{itemize}
405   \end{block}
406 \end{frame}
407
408 \begin{frame}
409   \frametitle{Ergebnisse}
410   \framesubtitle{Erste Simulationen}
411   \begin{center}
412   \includegraphics[width=10cm]{first_sims.eps}
413   \end{center}
414   \pause
415   \scriptsize{
416   $\Rightarrow$ Abbruchradius $r=5$\\
417   $\Rightarrow$ niedrige Simulationsparameter\\
418   $\Rightarrow$ gro"se Anzahl an Durchl"aufen\\}
419 \end{frame}
420
421 \begin{frame}
422   \frametitle{Ergebnisse}
423   \framesubtitle{Vergleich mit TEM-Aufnahme}
424   \color{red}{Lamellare Strukturen}
425   \begin{center}
426     \includegraphics[width=10cm]{if_cmp3.eps}
427   \end{center}
428 \end{frame}
429
430 \begin{frame}
431   \frametitle{Ergebnisse}
432   \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsrate $d_r$}
433   \begin{columns}
434     \column{6cm}
435       \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss.eps}
436     \column{6cm}
437       \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss_ls.eps}
438   \end{columns}
439 \end{frame}
440
441 \begin{frame}
442   \frametitle{Ergebnisse}
443   \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsgeschwindigkeit $d_v$}
444   \begin{columns}
445     \column{8cm} \includegraphics[width=8cm]{low_to_high_dv.eps}
446     \column{4cm} \includegraphics[width=4cm]{ls_dv_cmp.eps}
447   \end{columns}
448 \end{frame}
449
450 \begin{frame}
451   \frametitle{Ergebnisse}
452   \framesubtitle{Einfluss der Druckspannung}
453   \begin{columns}
454     \column{8cm} \includegraphics[width=8cm]{high_to_low_a.eps}
455     \column{4cm}
456       \includegraphics[width=4cm]{ps_einfluss_ls.eps}
457       \begin{center}
458       \scriptsize{
459       a) $p_s=0.002$\\
460       b) $p_s=0.003$\\
461       c) $p_s=0.004$\\
462       }
463       \end{center}
464   \end{columns}
465 \end{frame}
466
467 \begin{frame}
468   \frametitle{Ergebnisse}
469   \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
470   \begin{columns}
471     \column{5cm} \includegraphics[width=5cm]{97_98_ng.eps}
472     \column{7cm} \includegraphics[width=7cm]{ac_cconc_ver1.eps}
473   \end{columns}
474 \end{frame}
475
476 \begin{frame}
477   \frametitle{Ergebnisse}
478   \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 1}
479   \begin{itemize}
480     \item Modell/Simulation reproduziert die Bildung geordneter Lamellenstrukturen
481     \item Bildungsprozess nachvollziehbar durch die Simulation
482     \item hohe Anzahl an Simulationsdurchl"aufen,\\
483           kleine Amorphisierungswahrscheinlichkeiten
484     \item Diffusion essentiell, insbesondere die Diffusion in $z$-Richtung
485     \item hoher Beitrag durch kohlenstoffinduzierte Amorphisierung
486     \item Kohlenstoffverteilung im Einklang mit EFTEM-Aufnahme
487   \end{itemize}
488 \end{frame}
489
490   \subsection{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}
491
492 \begin{frame}
493   \frametitle{Ergebnisse}
494   \framesubtitle{Simulation, Version 2}
495   \begin{block}{Eigenschaften}
496     \begin{itemize}
497       \pause
498       \item exaktes TRIM Implantations- und Bremskraftprofil
499       \pause
500       \item mittlere Anzahl W"urfel-Treffer pro Ion aus TRIM
501       \pause
502       \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit abh"angig von direkter Nachbarschaft
503       \pause
504       \item Tiefenbereich $0 - 700 \, nm$
505       \pause
506       \item Sputtervorgang
507     \end{itemize}
508   \end{block}
509 \end{frame}
510
511 \begin{frame}
512   \frametitle{Ergebnisse}
513   \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
514   \begin{center}
515     \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng1-2.eps}
516   \end{center}
517 \end{frame}
518
519 \begin{frame}
520   \frametitle{Ergebnisse}
521   \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
522   \begin{center}
523     \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng2-2.eps}
524   \end{center}
525 \end{frame}
526
527 \begin{frame}
528   \frametitle{Ergebnisse}
529   \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
530   \begin{columns}
531     \column{6cm}
532       \includegraphics[width=6cm]{position_al.eps}
533       \begin{center}
534       {\scriptsize Simulation}
535       \end{center}
536     \column{6cm}
537       \includegraphics[width=6cm]{a-d.eps}
538       \begin{center}
539       {\scriptsize Experiment}
540       \end{center}
541   \end{columns}
542 \end{frame}
543
544 \begin{frame}
545   \frametitle{Ergebnisse}
546   \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
547   \begin{center}
548      \includegraphics[height=6.5cm]{ac_cconc_ver2_new_pres.eps}
549   \end{center}
550 \end{frame}
551
552 \begin{frame}
553   \frametitle{Ergebnisse}
554   \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung an den Grenzfl"achen zur amorphen Schicht}
555       \begin{center}
556       \scriptsize{
557       \begin{tabular}{|c|c|c|}
558         \hline
559         Dosis & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
560         \hline
561         $2,1 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 16 $at. \%$ & 13 $at. \%$ \\
562         \hline
563         $3,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 13 $at. \%$ & 14 $at. \%$ \\
564         \hline
565         $3,4 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 14 $at. \%$ & 12 $at. \%$ \\
566         \hline
567       \end{tabular}\\
568       Experiment\\
569       \begin{tabular}{|c|c|c|c|}
570         \hline
571         Durchl"aufe & \begin{minipage}{2.5cm} \begin{center} "aquivalente Dosis \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
572
573         \hline
574         $80 \times 10^6$ & $2,16 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,21 $at. \%$ & 16,62 $at. \%$ \\
575         \hline
576         $120 \times 10^6$ & $3,25 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,80 $at. \%$ & 17,67 $at. \%$ \\
577         \hline
578         $159 \times 10^6$ & $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 17,28 $at. \%$ & 17,73 $at. \%$ \\
579         \hline
580       \end{tabular}\\
581       Simulation}
582       \end{center}
583 \end{frame}
584
585 \begin{frame}
586   \frametitle{Ergebnisse}
587   \framesubtitle{Variation der Simulationsparameter}
588   \begin{center}
589     \includegraphics[width=9cm]{var_sim_paramters.eps}
590   \end{center}
591 \end{frame}
592
593   \subsection{Herstellung breiter Bereiche mit lamellarer Struktur}
594
595 \begin{frame}
596   \frametitle{Ergebnisse}
597   \framesubtitle{Zweiter Implantationsschritt}
598 \end{frame}
599
600 \section{Zusammenfassung und Ausblick}
601
602 \begin{frame}
603   \frametitle{Zusammenfassung}
604 \end{frame}
605
606 \begin{frame}
607   \frametitle{Ausblick}
608 \end{frame}
609
610 \begin{frame}
611   \frametitle{Danksagung}
612   \begin{itemize}
613     \item Prof. Dr. Bernd Stritzker
614     \item PD Volker Eyert
615     \item PD J"org Lindner
616     \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen
617     \item Dipl. Phys. Ralf Utermann
618     \item EP4 + Diplomanden
619   \end{itemize}
620 \end{frame}
621
622
623 \end{document}