nlsop/talk/talk_german.tex

   1 \documentclass[pdf,hdw]{prosper}
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  15 \begin{document}
  16
  17 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
  18 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
  19 \author{Frank Zirkelbach}
  20 \email{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}
  21 \institution{Lehrstuhl f"ur Experiemntalphysik IV - Institut f"ur Physik\\Universit"at Augsburg}
  22 \slideCaption{Lehrstuhlseminar Experimentalphysik IV - 10.11.2005}
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  24 \maketitle
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  26 \begin{slide}{"Uberblick}
  27 \begin{itemize}
  28   \item Motivation
  29   \item Grundlagen
  30   \item Experimentelle Befunde
  31   \item Das Modell
  32   \item Die Simulation
  33   \item Ergebnisse
  34   \item Anwendung
  35   \item Zusammenfassung
  36 \end{itemize}
  37 \end{slide}
  38
  39 \overlays{5}{
  40 \begin{slide}{Ionenimplantation}
  41 Funktionsweise:
  42 \begin{itemstep}
  43  \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
  44  \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
  45  \item Bestrahlung eines Festk"orpers
  46 \end{itemstep}
  47 \FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\
  48 \vspace{15pt}
  49 \FromSlide{5}{
  50 Industrielle Anwendung:\\
  51 Dotierung von Halbleiterkristallen}
  52 \end{slide}}
  53
  54 \begin{slide}{Ionenimplantation}
  55 Vorteile
  56 \begin{itemize}
  57  \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
  58  \item Reproduzierbarkeit
  59  \item Homogenit"at
  60  \item Schnelligkeit
  61  \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
  62  \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
  63 \end{itemize}
  64 \end{slide}
  65
  66 \begin{slide}{Selbstorganisation}
  67 \begin{tabular}{c}
  68   \begin{tabular}{lr}
  69     \includegraphics[width=4cm]{tr.eps} & text...
  70   \end{tabular} \\
  71 Bolse: swift heavy ions
  72 \end{tabular}
  73 \end{slide}
  74
  75
  76 \end{document}