nlsop/talk/talk_german.tex

   1 \documentclass{beamer}
   2
   3 \mode<presentation>
   4 {
   5 %\usetheme{Berkeley}
   6 \usetheme{Warsaw}
   7 %\usetheme{Singapore}
   8 \setbeamercovered{transparent}
   9 }
  10 \usepackage{verbatim}
  11 \usepackage[german]{babel}
  12 \usepackage[latin1]{inputenc}
  13 \usepackage[T1]{fontenc}
  14 \usepackage{amsmath}
  15 \usepackage{ae}
  16 \usepackage{aecompl}
  17 \usepackage{colortbl}
  18 \usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade}
  19 \usepackage{graphicx}
  20 \graphicspath{{../img}}
  21 \usepackage{hyperref}
  22
  23 \begin{document}
  24
  25 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
  26 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
  27 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
  28 \institute{
  29 Institut f"ur Physik\\
  30 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
  31 Universit"at Augsburg
  32 }
  33 \date{10. November 2005}
  34 %\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
  35 %\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
  36
  37 %\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
  38
  39 \AtBeginSubsection[]
  40 {
  41   \begin{frame}<beamer>
  42     \frametitle{"Uberblick}
  43     \tableofcontents[currentsubsection]
  44   \end{frame}
  45 }
  46
  47 \begin{frame}
  48   \titlepage
  49 \end{frame}
  50
  51 \begin{frame}
  52   \frametitle{"Uberblick}
  53   \tableofcontents%[pausesections]
  54 \end{frame}
  55
  56 \section{Einf"uhrung und Grundlagen}
  57
  58   \subsection{Einf"uhrung}
  59
  60 \begin{frame}
  61   \frametitle{Einf"uhrung}
  62   \framesubtitle{Ionenimplantation}
  63   \begin{block}{Funktionsweise}
  64     \begin{itemize}
  65       \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
  66       \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
  67       \item Bestrahlung eines Festk"orpers
  68     \end{itemize}
  69   \end{block}
  70   \onslide<2->
  71   $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
  72   \begin{block}{Anwendung}
  73   Dotierung von Halbleiterkristallen
  74   \end{block}
  75 \end{frame}
  76
  77 \begin{frame}
  78   \frametitle{Einf"uhrung}
  79   \framesubtitle{Ionenimplantation}
  80   \begin{block}{Vorteile}
  81     \begin{itemize}
  82       \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
  83       \item Reproduzierbarkeit
  84       \item Homogenit"at
  85       \item Schnelligkeit
  86       \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
  87       \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
  88     \end{itemize}
  89   \end{block}
  90 \end{frame}
  91
  92 \begin{frame}
  93   \frametitle{Einf"uhrung}
  94   \framesubtitle{Selbstorganisation}
  95   \begin{columns}
  96     \column{4.5cm}
  97       \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh}}
  98       \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg}}
  99       \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2}}
 100     \column{6.5cm}
 101       \begin{enumerate}
 102         \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
 103         \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
 104         \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
 105       \end{enumerate}
 106   \end{columns}
 107 \end{frame}
 108
 109   \subsection{Ion-Festk"orper-Wechselwirkung}
 110
 111 \begin{frame}
 112   \frametitle{Grundlagen}
 113   \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
 114      \onslide<2->
 115      \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
 116        elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
 117        $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
 118      \end{block}
 119      \onslide<3->
 120      \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
 121        inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
 122        $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
 123      \end{block}
 124      \onslide<4->
 125      \begin{block}{Bremskraft}
 126        $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
 127      \end{block}
 128 \end{frame}
 129
 130   \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
 131
 132 \begin{frame}
 133   \frametitle{Grundlagen}
 134   \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
 135   \begin{block}{Prinzip}
 136     \begin{itemize}
 137       \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
 138       \pause
 139       \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
 140       \pause
 141       \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
 142       \pause
 143       \item Energieverlust durch St"o"se
 144       \pause
 145       \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$
 146       \pause
 147       \item Abbildung von Zufallszahlen auf:
 148         \begin{itemize}
 149            \item freie Wegl"ange $l$
 150            \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$
 151            \item Azimutwinkel $\Phi$
 152         \end{itemize}
 153     \end{itemize}
 154   \end{block}
 155 \end{frame}
 156
 157 \section{Experimentelle Befunde und Modell}
 158
 159   \subsection{Experimentelle Befunde}
 160
 161 \begin{frame}
 162   \frametitle{Experimentelle Befunde}
 163   \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
 164     \begin{center}
 165       \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps}
 166     \end{center}
 167     \begin{center}
 168       {\scriptsize\bf Hellfeld-TEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
 169     \end{center}
 170 \end{frame}
 171
 172 \begin{frame}
 173   \frametitle{Experimentelle Befunde}
 174   \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
 175     \begin{columns}
 176       \column{5.5cm}
 177         \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps}
 178         {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$}
 179       \column{5.5cm}
 180         \includegraphics[width=5.5cm]{a-t.eps}
 181         {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Temperatur f"ur die Dosis $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
 182     \end{columns}
 183 \end{frame}
 184
 185 \begin{frame}
 186   \frametitle{Experimentelle Befunde}
 187   \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation}
 188     \begin{center}
 189       \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps}
 190         {\scriptsize Hellfeld-TEM- und Elementverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.}
 191     \end{center}
 192 \end{frame}
 193
 194   \subsection{Modell}
 195
 196 \begin{frame}
 197   \frametitle{Modell}
 198     \begin{center}
 199       \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps}
 200     \end{center}
 201     \begin{itemize}
 202       \pause
 203       \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
 204             $rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
 205       \pause
 206       \item hohe Grenzfl"achenenergie f"ur $3C-SiC$ in $c-Si$
 207             $rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
 208       \pause
 209       \item Dichtereduktion des amorphen $SiC_x$
 210             $rightarrow$ laterale Druckspannungen
 211       \pause
 212       \item amorphe Gebiete als Senke f"ur den Kohlenstoff
 213             $\rightarrow$ Abbau der $C$-"Ubers"attigung in $c-Si$
 214     \end{itemize}
 215 \end{frame}
 216
 217 \section{Simulation und Ergebnisse}
 218
 219   \subsection{Simulation}
 220
 221 \begin{frame}
 222   \frametitle{Simulation}
 223   \framesubtitle{Unterteilung des Targets}
 224 \end{frame}
 225
 226 \begin{frame}
 227   \frametitle{Simulation}
 228   \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
 229 \end{frame}
 230
 231 \begin{frame}
 232   \frametitle{Simulation}
 233   \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau}
 234 \end{frame}
 235
 236 \begin{frame}
 237   \frametitle{Simulation}
 238   \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern}
 239 \end{frame}
 240
 241   \subsection{Ergebnisse}
 242
 243 \begin{frame}
 244   \frametitle{Ergebnisse}
 245   \framesubtitle{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe}
 246 \end{frame}
 247
 248 \begin{frame}
 249   \frametitle{Ergebnisse}
 250   \framesubtitle{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}
 251 \end{frame}
 252
 253 \section{Zusammenfassung und Ausblick}
 254
 255 \begin{frame}
 256   \frametitle{Zusammenfassung}
 257 \end{frame}
 258
 259 \begin{frame}
 260   \frametitle{Ausblick}
 261 \end{frame}
 262
 263 \begin{frame}
 264   \frametitle{Danksagung}
 265   \begin{itemize}
 266     \item Prof. Dr. Bernd Stritzker
 267     \item PD Volker Eyert
 268     \item PD J"org Lindner
 269     \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen
 270     \item Dipl. Phys. Ralf Utermann
 271     \item EP4 + Diplomanden
 272   \end{itemize}
 273 \end{frame}
 274
 275
 276 \end{document}