nlsop/talk/talk_german.tex

   1 \documentclass{beamer}
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  18 \usepackage{hyperref}
  19
  20 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
  21 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
  22 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
  23 \institute{
  24 Institut f"ur Physik\\
  25 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
  26 Universit"at Augsburg
  27 }
  28 \pgfdeclareimage[height=1cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo.eps}
  29 \logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
  30
  31 \begin{document}
  32
  33 \begin{frame}
  34   \titlepage
  35 }
  36
  37 \begin{frame}
  38   \frametitle{"Uberblick}
  39
  40 \end{frame}
  41
  42 \begin{slide}{"Uberblick}
  43 \begin{itemize}
  44   \item Motivation
  45   \item Grundlagen
  46   \item Experimentelle Befunde
  47   \item Das Modell
  48   \item Die Simulation
  49   \item Ergebnisse
  50   \item Anwendung
  51   \item Zusammenfassung
  52 \end{itemize}
  53 \end{slide}
  54
  55 \overlays{5}{
  56 \begin{slide}{Ionenimplantation}
  57 Funktionsweise:
  58 \begin{itemstep}
  59  \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
  60  \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
  61  \item Bestrahlung eines Festk"orpers
  62 \end{itemstep}
  63 \FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\
  64 \vspace{15pt}
  65 \FromSlide{5}{
  66 Industrielle Anwendung:\\
  67 Dotierung von Halbleiterkristallen}
  68 \end{slide}}
  69
  70 \begin{slide}{Ionenimplantation}
  71 Vorteile:
  72 \begin{itemize}
  73  \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
  74  \item Reproduzierbarkeit
  75  \item Homogenit"at
  76  \item Schnelligkeit
  77  \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
  78  \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
  79 \end{itemize}
  80 \end{slide}
  81
  82 \overlays{3}{
  83 \begin{slide}{Selbstorganisation}
  84 \begin{tabular}{c}
  85   \begin{tabular}{ll}
  86     \begin{minipage}{3.5cm}
  87       \onlySlide*{1}{\includegraphics[width=3cm]{ripple_bh.eps}}
  88       \onlySlide*{2}{\includegraphics[width=3cm]{bin_leg.eps}}
  89       \onlySlide*{3}{\includegraphics[width=3cm]{bolse2.eps}}
  90     \end{minipage} &
  91     \begin{minipage}{7.5cm}
  92       \begin{itemstep}
  93        \item Entstehung von Riffeln auf der Targetoberfl"ache
  94        \item separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
  95        \item periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
  96       \end{itemstep}
  97     \end{minipage}
  98   \end{tabular} \\
  99 %\FromSlide{1}{{\footnotesize 1) R. M. Bradley, J. M. E. Harper. J. Vac. Sci. Technol. A6 (1988) 2390\\}}
 100 %\FromSlide{2}{{\footnotesize 2) R. A. Enrique, P. Bellon. Phys. Rev. Lett. 60 (1999) 14649\\}}
 101 %\FromSlide{3}{{\footnotesize 3) W. Bolse, B. Schattat, A. Feyh. Appl. Phys. A 77 (2003) 11\\}}
 102 \end{tabular}
 103 \end{slide}}
 104
 105 \overlays{2}{
 106 \begin{slide}{Grundlagen}
 107 Abbremsung der Ionen
 108   \begin{tabular}{ll}
 109     \begin{minipage}[l]{5cm}
 110       \onlySlide{1}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} +$ \ldots}
 111       \onlySlide{2}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} + {\blue S_e(E)} \Big)$}
 112     \end{minipage} &
 113     \begin{minipage}[l]{6cm}
 114       \begin{itemstep}
 115         \item {\red nukleare Bremskraft}\\
 116               elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets
 117         \item {\blue elektronische Bremskraft}\\
 118               inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets
 119       \end{itemstep}
 120     \end{minipage}
 121   \end{tabular}
 122 \end{slide}}
 123
 124
 125 \end{document}