posic/cover/pssc_cover.tex

   1 \documentclass[a4paper,11pt]{article}
   2 \usepackage[a4paper,textheight=636pt,textwidth=442pt,includeheadfoot]{geometry}
   3 \usepackage[english,german]{babel}
   4 \usepackage[latin1]{inputenc}
   5 \usepackage[T1]{fontenc}
   6 \usepackage{amsmath}
   7 \usepackage{ae}
   8 \usepackage{aecompl}
   9 \usepackage[dvips]{graphicx}
  10 \graphicspath{{./}}
  11 \usepackage{color}
  12 \usepackage{pstricks}
  13 \usepackage{pst-node}
  14 \usepackage{rotating}
  15
  16 % miller
  17 \usepackage{miller}
  18
  19 % smaller captions ...
  20 \usepackage[small,bf]{caption}
  21
  22 % units
  23 \usepackage{units}
  24
  25 % shortcuts
  26 \newcommand{\si}{Si$_{\text{i}}${}}
  27 \newcommand{\ci}{C$_{\text{i}}${}}
  28 \newcommand{\cs}{C$_{\text{s}}${}}
  29 \newcommand{\degc}[1]{\unit[#1]{$^{\circ}$C}{}}
  30 \newcommand{\degk}[1]{\unit[#1]{K}{}}
  31 \newcommand{\distn}[1]{\unit[#1]{nm}{}}
  32 \newcommand{\dista}[1]{\unit[#1]{\AA}{}}
  33 \newcommand{\perc}[1]{\unit[#1]{\%}{}}
  34
  35 % hyphenation
  36 \hyphenation{}
  37
  38 % english
  39 \selectlanguage{english}
  40
  41 % author & title
  42 \author{F. Zirkelbach,
  43  B. Stritzker,
  44  K. Nordlund,
  45  W. G. Schmidt,
  46  E. Rauls,
  47  J. K. N. Lindner
  48 }
  49 \title{First-principles and empirical potential simulation study of intrinsic
  50        and carbon-related defects in silicon}
  51
  52 \begin{document}
  53
  54 \selectlanguage{english}
  55
  56 \maketitle
  57
  58 \begin{figure}[h!]
  59 \begin{minipage}{0.49\textwidth}
  60 \centering
  61 \includegraphics[width=0.95\textwidth]{pssc_cover_02}\\
  62 \end{minipage}
  63 \begin{minipage}{0.49\textwidth}
  64 \centering
  65 \includegraphics[width=0.95\textwidth]{pssc_cover_01}\\
  66 \end{minipage}
  67 \caption*{
  68 The cover page shows an initial C-Si \hkl[0 0 -1] dumbbell configuration in bulk Si (top left) emerging into a Si-Si \hkl[1 1 0] split interstitial configuration located next to a lattice site that is substitutionally occupied by a C atom (bottom right).
  69 First-principles total energy calculations describing the energetics of this transition (front left) reveal a diffusion barrier of no more than \unit[0.8]{eV} for the deviation out of the ground-state configuration.
  70 And indeed, in large systems consisting of six thousand C atoms incorporated into a Si host of a quater of a million atoms, these transitions can be observed with increasing temperature as can be seen within the shaded regions of the radial distribution function of Si-C bonds (rear right) obtained by large-scale empirical potential molecular dynamics simulations.
  71 These results suggest an important role of substitutionally incorporated C in the silicon carbide precipitation process at elevated temperatures or for from equilibrium.
  72 }
  73 \end{figure}
  74
  75 \end{document}