Gegenstand dieser Arbeit ist die Umsetzung eines Modells, welches den Selbstorganisationsvorgang bei der Bidlung von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$"=Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache zur durchgehend amorphen $SiC_x$-Schicht bei Hochdosis-Kohlenstoff-Implantation in Silizium erkl"aren soll.
Neben der Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch bei der Hochdosis"=Sauerstoffimplantation in Silizium und der Bestrahlung von Saphir mit $Ar^+$-Ionen sowie von $SiC$ mit $Si^+$-Ionen\cite{van_ommen,specht,ishimaru} gefunden.
-Allen Systemen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion des Targetmaterials beim Phasen"ubergang - im Falle der Bildung von amorphen $SiC$ von $20$ bis $30 \, at.\%$ -, worauf im n"achsten Kapitel genauer eingegangen wird.
+Allen Systemen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion des Targetmaterials beim Phasen"ubergang - im Falle der Bildung von amorphen $SiC$ von $20$ bis $30 \, \%$ -, worauf im n"achsten Kapitel genauer eingegangen wird.
Die Entstehung solcher Ausscheidungen beobachtet man nur unter bestimmten Implantationsbedingungen.
Im Folgenden sollen einige der experimentellen Ergebnisse bez"uglich der Bildung der geordneten Ausscheidungen aus \cite{maik_da} zusammengefasst werden.
-Es wurden Implantationen von $C^+$-Ionen der Energie $180 \, keV$ unter einem Winkel von $7^{\circ}$ und einer Dosisrate von $\dot{D} = 10 \, \mu A cm^{-2}$ in einem Temperaturbereich von $150$ bis $250 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ in $(100)$ $Si$ f"ur verschiedene Dosen zwischen $1,0$ und $8,5 \times 10^{17} cm^{-2}$ durchgef"uhrt und untersucht.
+Es wurden Implantationen von $C^+$-Ionen der Energie $180 \, keV$ unter einem Winkel von $7^{\circ}$ und einer Dosisrate von $\dot{D} = 10 \, \mu A cm^{-2}$ in einem Temperaturbereich von $150$ bis $250 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ in $(100)Si$ f"ur verschiedene Dosen zwischen $1,0$ und $8,5 \times 10^{17} cm^{-2}$ durchgef"uhrt und untersucht.
\section{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
F"ur die kleinste Dosis von $1,0 \times 10^{17} cm^{-2}$ wird keine durchgehend amorphe Schicht beobachtet.
Stattdessen kann man zahlreiche $3 \, nm$ gro"se, teilweise zusammenwachsende amorphe Einschl"usse erkennen.
F"ur Dosen oberhalb $1,0 \times 10^{17} cm^{-2}$ entstehen durchgehend amorphe Schichten.
- Gut zu erkennen ist, dass sich die, mit steigender Dosis anwachsende durchgehende Schicht um das Kohlenstoffverteilungsmaximum erstreckt.
+ Gut zu erkennen ist, dass sich die mit steigender Dosis anwachsende durchgehende Schicht um das Kohlenstoffverteilungsmaximum erstreckt.
Wie man in Abbildung \ref{img:temdosis} gut erkennen kann, bilden sich die lamellaren Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache zur durchgehend amorphen Schicht erst ab einer Dosis von $3,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ und werden mit steigender Dosis sch"arfer.
\section{Temperaturabh"angigkeit}
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