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+
\title{Vorstellung der Diplomarbeit}
\subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
\author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
Universit"at Augsburg
}
-\pgfdeclareimage[height=1cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo.eps}
-\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
+\date{10. November 2005}
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-\begin{document}
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+\AtBeginSubsection[]
+{
+ \begin{frame}<beamer>
+ \frametitle{"Uberblick}
+ \tableofcontents[currentsubsection]
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+}
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\titlepage
-}
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\begin{frame}
\frametitle{"Uberblick}
+ \tableofcontents%[pausesections]
+\end{frame}
+
+\section{Einf"uhrung}
+
+ \subsection{Ionenimplantation}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Einf"uhrung}
+ \framesubtitle{Ionenimplantation}
+ \begin{block}{Funktionsweise}
+ \begin{itemize}
+ \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
+ \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
+ \item Bestrahlung eines Festk"orpers
+ \end{itemize}
+ \end{block}
+ \onslide<2->
+ $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
+ \begin{block}{Anwendung}
+ Dotierung von Halbleiterkristallen
+ \end{block}
+\end{frame}
+\begin{frame}
+ \frametitle{Einf"uhrung}
+ \framesubtitle{Ionenimplantation}
+ \begin{block}{Vorteile}
+ \begin{itemize}
+ \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
+ \item Reproduzierbarkeit
+ \item Homogenit"at
+ \item Schnelligkeit
+ \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
+ \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
+ \end{itemize}
+ \end{block}
\end{frame}
-\begin{slide}{"Uberblick}
-\begin{itemize}
- \item Motivation
- \item Grundlagen
- \item Experimentelle Befunde
- \item Das Modell
- \item Die Simulation
- \item Ergebnisse
- \item Anwendung
- \item Zusammenfassung
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\overlays{5}{
-\begin{slide}{Ionenimplantation}
-Funktionsweise:
-\begin{itemstep}
- \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
- \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
- \item Bestrahlung eines Festk"orpers
-\end{itemstep}
-\FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\
-\vspace{15pt}
-\FromSlide{5}{
-Industrielle Anwendung:\\
-Dotierung von Halbleiterkristallen}
-\end{slide}}
-
-\begin{slide}{Ionenimplantation}
-Vorteile:
-\begin{itemize}
- \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
- \item Reproduzierbarkeit
- \item Homogenit"at
- \item Schnelligkeit
- \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
- \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
-\end{itemize}
-\end{slide}
-
-\overlays{3}{
-\begin{slide}{Selbstorganisation}
-\begin{tabular}{c}
- \begin{tabular}{ll}
- \begin{minipage}{3.5cm}
- \onlySlide*{1}{\includegraphics[width=3cm]{ripple_bh.eps}}
- \onlySlide*{2}{\includegraphics[width=3cm]{bin_leg.eps}}
- \onlySlide*{3}{\includegraphics[width=3cm]{bolse2.eps}}
- \end{minipage} &
- \begin{minipage}{7.5cm}
- \begin{itemstep}
- \item Entstehung von Riffeln auf der Targetoberfl"ache
- \item separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
- \item periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
- \end{itemstep}
- \end{minipage}
- \end{tabular} \\
-%\FromSlide{1}{{\footnotesize 1) R. M. Bradley, J. M. E. Harper. J. Vac. Sci. Technol. A6 (1988) 2390\\}}
-%\FromSlide{2}{{\footnotesize 2) R. A. Enrique, P. Bellon. Phys. Rev. Lett. 60 (1999) 14649\\}}
-%\FromSlide{3}{{\footnotesize 3) W. Bolse, B. Schattat, A. Feyh. Appl. Phys. A 77 (2003) 11\\}}
-\end{tabular}
-\end{slide}}
-
-\overlays{2}{
-\begin{slide}{Grundlagen}
-Abbremsung der Ionen
- \begin{tabular}{ll}
- \begin{minipage}[l]{5cm}
- \onlySlide{1}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} +$ \ldots}
- \onlySlide{2}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} + {\blue S_e(E)} \Big)$}
- \end{minipage} &
- \begin{minipage}[l]{6cm}
- \begin{itemstep}
- \item {\red nukleare Bremskraft}\\
- elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets
- \item {\blue elektronische Bremskraft}\\
- inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets
- \end{itemstep}
- \end{minipage}
- \end{tabular}
-\end{slide}}
+ \subsection{Selbstorganisation}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Einf"uhrung}
+ \framesubtitle{Selbstorganisation}
+ \begin{columns}
+ \column{4.5cm}
+ \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh}}
+ \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg}}
+ \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2}}
+ \column{6.5cm}
+ \begin{enumerate}
+ \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
+ \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
+ \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
+ \end{enumerate}
+ \end{columns}
+\end{frame}
+
+\section{Grundlagen}
+
+ \subsection{Abbremsung der Ionen}
+\begin{frame}
+ \frametitle{Grundlagen}
+ \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
+ \onslide<2->
+ \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
+ elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
+ $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
+ \end{block}
+ \onslide<3->
+ \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
+ inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
+ $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
+ \end{block}
+ \onslide<4->
+ \begin{block}{Bremskraft}
+ $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
+ \end{block}
+\end{frame}
+
+ \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
+
+\begin{frame}
+ \frametitle{Grundlagen}
+ \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
+ \begin{block}{Prinzip}
+ \begin{itemize}
+ \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
+ \pause
+ \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
+ \pause
+ \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
+ \pause
+ \item Energieverlust durch St"o"se
+ \pause
+ \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$
+ \pause
+ \item Abbildung von Zufallszahlen auf:
+ \begin{itemize}
+ \item freie Wegl"ange $l$
+ \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$
+ \item Azimutwinkel $\Phi$
+ \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \end{block}
+\end{frame}
\end{document}
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