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index b8c4f1c..989c976 100644
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@@ -322,7 +322,7 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
     \begin{figure}[h]
     \includegraphics[width=12cm]{ac_cconc_ver2.eps}
-    \caption{Cross-Section und Tiefenprofil des Kohlenstoffs der Simulation aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose}. Helle Gebiete sind amorph, dunklae Gebiete kristallin. Kohlenstoff in kristallinen Gebieten (gr"un), in amorphen Gebieten (rot) und gesamter Kohlenstoff (schwarz) sind abgebildet.}
+    \caption{Cross-Section und Tiefenprofil des Kohlenstoffs der Simulation aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose}. Helle Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin. Kohlenstoff in kristallinen Gebieten (gr"un), in amorphen Gebieten (rot) und gesamter Kohlenstoff (schwarz) sind abgebildet.}
     \label{img:c_distrib_v2}
     \end{figure}
     In Abbildung \ref{img:c_distrib_v2} ist die Cross-Section aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose} mit zugeh"origem Implantationsprofil gezeigt.
@@ -331,9 +331,9 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     Der Kohlenstoffgehalt in den kristallinen Volumen sinkt.
     Gleichzeitigt steigt der Kohlenstoffgehalt in den amorphen Gebieten.
     Ab einer Tiefe von $350 nm$ haben sich lamellare, amorphe Ausscheidungen gebildet.
-    Im Kohlenstoffprofil sind Schwankungen in der Gesamtkonzentration und der Konzentration in amorphen Gebieten zu sehen (schwarzer Pfeil).
-    Die Ursache liegt wieder an der komplement"aren Anordnung der amorphen und kristallinen Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebenen.
-    Es wechseln sich abwechselnd Ebenen mit hohem und niedrigen amorphen Anteil ab.
+    Im Kohlenstoffprofil sind Schwankungen in der Gesamtkonzentration und der Konzentration in amorphen Gebieten zu sehen (siehe Pfeil).
+    Die Ursache liegt vermutlich wieder an der komplement"aren Anordnung der amorphen und kristallinen Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebenen.
+    Es wechseln sich abwechselnd Ebenen mit hohen und niedrigen amorphen Anteil ab.
     Wie in Abschnitt \ref{subsection:c_distrib} ist diese Anordnung eine Folge der Diffusion.
     Die amorphen Gebiete entziehen benachbarten Ebenen den Kohlenstoff.
     Die lokale Amorphisierungswahrscheinlichkeit wird erh"oht w"ahrend sie in der Nachbarebene kleiner wird.
@@ -349,10 +349,12 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     \begin{center}
     \includegraphics[width=7cm]{z_zplus1_ver2.eps}
     \end{center}
-    \caption{Amorph/Kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$.}
+    \caption{Amorph/Kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$ im Tiefenbereich der lamellaren Strukturen.}
     \label{img:z_zplus1_ver2}
     \end{figure}
-    Abbildung \ref{img:z_zplus1_ver2} ist die \ldots
+    Abbildung \ref{img:z_zplus1_ver2} zeigt die amorph/kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$ im Tiefenbereich der lamellaren Strukturen.
+    Sie best"atigt die Vermutung der komplement"aren Anordnung amorpher und kristalliner Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebene in diesem Tiefenbereich.
+    Dies hebt erneut die Wichtigkeit der Diffusion f"ur den Selbstorganisationsprozess der lamellaren Strukturen hervor.
 
     \subsection{Position und Ausdehnung der amorphen Phase}
 
@@ -371,7 +373,19 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
     EDIT: einfluss diffusion -> lamellarisierung
 
-    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt}
+    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch einen zweiten Implantationsschritt}
 
-    EDIT: vorgabe , dann mit hoeherer energie, konstantes nel
+    Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden.
 
+    Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird.
+    Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
+    Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein.
+    Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen.
+	
+    Das kristalline Target wird dann mit $10 MeV$ $C^{+}$ bei der gewohnten Implantationstemperatur von $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ implantiert.
+    Abbildung \ref{img:nel_impl_1mev} zeigt das durch {/em TRIM} ermittelte nukleare Bremskraft- und Implantationsprofil.
+    Auf Grund der hohen Energie wird kaum noch Kohlenstoff in den bisher relevanten Tiefenbereich zur Ruhe kommen.
+    Des weiteren ist in diesen Bereich die nukleare Bremskraft, und damit die Wahrscheinlichkeit eines Sto"ses,  ann"ahernd konstant.
+    Man erwartet schnelle Amoprhisierung auf Grund des bereits existierenden Kohlenstoffs durch die erste Implantation.
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