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index ecf2220..f1e29a0 100644
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 \chapter{Ergebnisse}
 \label{chapter:ergebnisse}
 
+Im Folgenden sollen die Ergebnisse der Simulation diskutiert werden.
+Dabei werden Simulationsergebnisse mit experimentell erfassten Ergebnissen aus \cite{maik_da} verglichen.
+
+Weiterhin soll der in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellte Bildungsmechanismus der amorphen $SiC_x$-Phasen in $Si$ verifiziert werden.
+Hierbei wird vorallem der Einfluss einzelner Simulationsparameter, wie Diffusion und St"arke der Druckspannungen, auf den Selbstorganisationsprozess untersucht.
+
+Unter der Annahme der Richtigkeit des Modells und seiner Umsetzung k"onnen sehr leicht Aussagen "uber die Struktur und Zusammensetzung an jedem beliebigen Ort des Targets w"ahrend des Ordnungsprozesses gemacht werden.
+Diese Information ist experimentell sehr schwer zug"anglich.
+
+Zun"achst werden die Ergebnisse der Simulationen bis $300 nm$ Tiefe vorgestellt.
+Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich diskutiert.
+
   \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}
 
+ 
+
+    \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}
+
     \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
 
     \subsection{Notwendigkeit der Diffusion}