X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Fdiplom%2Fexp_befunde.tex;h=909df41b81a8fc91c008e6fc1e962d868d83f8bc;hp=cb5562d1939e253e2021158409ef9ae1e62de48e;hb=e63e3521ce344f8b420f098003847bfa7e8e9d3e;hpb=db2d2741390b2168953b8e296d50ee11d1bbb738

diff --git a/nlsop/diplom/exp_befunde.tex b/nlsop/diplom/exp_befunde.tex
index cb5562d..909df41 100644
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@@ -13,7 +13,7 @@ Es wurden Implantationen von Ionen der Energie $180 \, keV$ in einem Winkel von
   \section{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
 
   \printimg{h}{width=15cm}{k393abild1_.eps}{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $180 \, keV$ $C^+$ implantierten $Si$-Probe mit einer Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. (L: amorphe Lamellen,  S: sph"arische amorphe Ausscheidungen) \cite{maik_da}}{img:xtem_img}
-  Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine Cross-Section TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV \, C^{+}$-inplantierten Probe.
+  Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine Cross-Section TEM-Aufnahme (Querschnittsaufnahme) einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV \, C^{+}$-inplantierten Probe.
   Die hellen Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin.
   In einer Tiefe von ungef"ahr $300 \, nm$ beginnt die durchgehend amorphe Schicht.
   An der vorderen Grenzfl"ache sind die lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen zu erkennen.