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index f3779f9..99a89aa 100644
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 \chapter{Experimentelle Befunde}
 \label{chapter:exp_befunde}
 
-Gegenstand dieser Arbeit ist die Umsetzung eines Modells, welches den Selbstorganisationsvorgang bei der Bidlung von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache zur durchgehend amorphen $SiC_x$-Schicht bei Hochdosis-Kohlenstoff-Implantation in Silizium erkl"aren soll.
+Gegenstand dieser Arbeit ist die Umsetzung eines Modells, welches den Selbstorganisationsvorgang bei der Bidlung von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$"=Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache zur durchgehend amorphen $SiC_x$-Schicht bei Hochdosis-Kohlenstoff-Implantation in Silizium erkl"aren soll.
 Neben der Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch bei der Hochdosis"=Sauerstoffimplantation in Silizium und der Bestrahlung von Saphir mit $Ar^+$-Ionen sowie von $SiC$ mit $Si^+$-Ionen\cite{van_ommen,specht,ishimaru} gefunden.
 Allen Systemen gemeinsam ist eine drastische Dichtereduktion des Targetmaterials beim Phasen"ubergang - im Falle der Bildung von amorphen $SiC$ von $20$ bis $30 \, at.\%$ -, worauf im n"achsten Kapitel genauer eingegangen wird.