X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Fdiplom%2Fmodell.tex;h=e92edddcd02af43b1463136db95ff85bdb9daee5;hp=ed758c8bf06a80a4c02583afc41a3619f0fdd932;hb=2ebfc989fc1c19c1e92f1853baed36c738428649;hpb=04d497b52cb66490116c9dd80fc58999260317f9

diff --git a/nlsop/diplom/modell.tex b/nlsop/diplom/modell.tex
index ed758c8..e92eddd 100644
--- a/nlsop/diplom/modell.tex
+++ b/nlsop/diplom/modell.tex
@@ -6,12 +6,8 @@
   Im Folgenden soll auf das Modell zur Bildung dieser geordneten amorphen Ausscheidungen eingegangen werden.
   Es wurde erstmals in \cite{basic_phys_proc} vorgestellt.
   Die Idee des Modells ist schematisch in Abbildung \ref{img:modell} gezeigt.
-  \begin{figure}[h]
-  %\includegraphics[width=12cm]{model1_s_german.eps}
-  \includegraphics[width=12cm]{modell_ng.eps}
-  \caption{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu gerodneten Lamellen auf Grund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$-implantierten Silizium}
-  \label{img:modell}
-  \end{figure}
+  \printimg{h}{width=15cm}{modell_ng.eps}{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu gerodneten Lamellen auf Grund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$"=implantierten Silizium.}{img:modell}
+  % alternativ model1_s_german.eps
 
   Auf Grund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoff Ionen im Silizium ist unter den weiter oben genannten Bedingungen keine Amorphisierung von reinem Silizium zu erwarten \cite{lindner_appl_phys}.
   Tats"achlich wurde in \cite{linnross} gezeigt, dass reines amorphes Silizium bei Temperaturen "uber $130 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ unter den gegebenen Bedingungen ionenstrahlinduziert epitaktisch rekristallisiert, w"ahrend rein thermische Rekristallisation von amorphen Silizium ($a-Si$) erst oberhalb $550 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ erfolgt \cite{csepregi}.