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 \chapter{Zusammenfassung und Ausblick}
 \label{chapter:z_und_a}
 
+Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Bildung selbstorganisierter nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium untersucht.
+Diese Ausscheidungen wurden bei Targettemperaturen zwischen $150$ und $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ beobachtet.
+Unter diesen Bedingungen ist auf Grund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoffionen im Silizium keine Amorphisierung zu erwarten.
+Tats"achlich ist bekannt, dass reines kristallines Silizium unter diesen Gegebenheiten ionenstrahl-induziert epitaktisch rekristallisiert.
+Die Amorphisierung wird dem Kohlenstoff zugeschrieben.
+Da bei diesen Temepraturen kaum Amorphisierung erwartet wird, m"ussen hohe Dosen implantiert werden.
+Der Kohlenstoff beg"unstigt die Amorphisierung.
+Man spricht von kohlenstoff-induzierter Amorphisierung.
+Aus diesem Grund sind hohe Dosen von einigen $10^{17} cm{-2}$ notwendig.
+
+Ein Modell zur Entstehung der selbstorganisierten amorphen Phasen wurde vorgestellt.
+Bei "Uberschreitung einer S"attigungsgrenze von Kohlenstoff in kristallinen Silizium entstehen sph"arische amorphe Ausscheidungen.
+Auf Grund der Dichtereduktion "ubt dieses amorphe Gebiet Druckspannungen auf die laterale kristalline Umgebung aus.
+Dies beg"unstigt die Amorphisierung in den verspannten Gebieten.
+Man spricht von spannungs-induzierter Amorphisierung.
+Kohlenstoff diffundiert vom Kristallinen in die amorphen Auscheidungen um die Kohlenstoff"ubers"attigung zu reduzieren.
+Die Amorphisierungswahrscheinlichkeit steigt in den amorphen Volumen und deren lateralen Umgebungen.
+Gleichzeitig sinkt diese Wahrscheinlichkeit in den kristallinen Gebieten.
+Es entstehen kohlenstoffreiche lamellare amorphe $SiC_x$-Ausscheidungen.
+
+Die Implementierung einer Monte-Carlo-Simulation entsprechend des vorgestellten Modells wurde diskutiert.
+In einer ersten Version wurde bis zu Beginn der durchgehenden amorphen Schicht simuliert.
+Nukleare Bremskraft und Implantationsprofil wurden linear gen"ahert.
+Die zweite Version umfasst den kompletten Implantationsbereich einschliesslich der amorphen durchgehenden Schicht.
+Hier wurde ein exaktes Bremskraft- und Implantationsprofil verwendet.
+Implantationsparameter erm"oglchen die Steuerung des Amorphisierungsprozesses.
+Die drei zur Amorphisierung beitragenden Mechanismen ballistische Amorphisierung, kohlenstoff-induzierte Amorphisierung und spannungs-induzierte Amorphisierung k"onnen durch Simulationsparameter gewichtet werden.
+Die Diffusion kann durch zwei weitere Parameter beschrieben werden.
+Bei der Implementierung wurde darauf geachtet, dass ein Durchlauf exakt einem implantierten Ion entspricht.
+Somit kann versucht werden eine experimentell bestimmte Dosisenticklung zu reproduzieren.
+Nach Beenden einer Simulation k"onnen die Kohlenstoffkonzentration, die Spannungsfelder und der genaue amorph/kristalline Zustand leicht untersucht werden.
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+In Ergebnissen der ersten Version konnte gezeigt werden, dass eine selbstorganisierte Bildung lamellarer amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen mit Hilfe dieses Modells reproduziert werden kann.
+Dabei fiel auf, dass die kohlenstoff-induzierte Amorphisierung eine weitaus gr"o"sere Rolle als die rein ballistische Amorphisierung einnimmt.
+Energiegefilterte TEM-Aufnahmen, die besagen, dass die amorphen Gebiete eine sehr hohe Kohlenstoffkonzentration haben werden durch die Simulation best"atigt.
+Mit Hilfe der Simulation k"onnen noch weitere Aussagen "uber die Verteilung des Kohlenstoffs angestellt werden.
+EDIT: genaue lage des kohlenstoffs.
+EDIT: selbstorganisationsprozess wird so nachvollziehbar.
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