X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Fnlsop_dpg_2005.tex;h=027996703eff50b89857ec5077536a22931de8d2;hp=8cc62503d22475f3db894872fee7d5d10e891ecd;hb=19dc122e15804decf4f8c943a6c9adf9a92415f7;hpb=efdb00939266fc8e4e8df8fdc6d97fa79c99a570 diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex index 8cc6250..0279967 100644 --- a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex +++ b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex @@ -59,6 +59,21 @@ % start of content \ptsize{8} +\begin{slide} +{\large\bf + "Uberblick +} +\begin{picture}(300,30) +\end{picture} +\begin{itemize} + \item selbstorganisierte $SiC_x$-Ausscheidungen + \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsprozesses + \item Umsetzung des Modells in eine Monte-Carlo-Simulation + \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit experimentellen Befunden + \item Zusammenfassung +\end{itemize} +\end{slide} + \begin{slide} {\large\bf Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen @@ -77,17 +92,17 @@ } \begin{figure} \begin{center} - \includegraphics[width=8cm]{model1_s_german.eps} + \includegraphics[width=10cm]{model1_s_german.eps} \end{center} \end{figure} + \scriptsize \begin{itemize} - \small - \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen - \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph - \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung - \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung - \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete - \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen + \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph} + \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ {\bf Druckspannungen} auf Umgebung + \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ {\bf Relaxation} der Druckspannung in $ {\bf z}$-{\bf Richtung} + \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete + \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ {\bf bevorzugte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen \end{itemize} \end{slide} @@ -125,23 +140,25 @@ {\large\bf Amorphisierungs und Rekristallisationswahrscheinlichkeit \\ } +\vspace{12pt} \[ \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} \qquad + \qquad \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} \qquad + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\ \] \begin{picture}(70,15)(-28,0) - \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch} + \bf \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch} \end{picture} \begin{picture}(100,15)(-15,0) - \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert} + \bf \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert} \end{picture} \begin{picture}(120,15)(-40,0) - \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert} + \bf \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert} \end{picture} \begin{picture}(300,40) $ p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \displaystyle \Big( 1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{, mit} $ \end{picture} +\vspace{6pt} \begin{displaymath} \delta (\vec r) = \left\{ \begin{array}{ll} 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\ @@ -154,7 +171,7 @@ $ {\large\bf Simulationsalgorithmus } - \includegraphics[width=10cm]{flowchart2.eps} + \includegraphics[width=11cm]{flowchart2.eps} \end{slide} %\begin{slide} @@ -186,36 +203,40 @@ $ \begin{slide} {\large\bf - Ergebnisse - Version 1 + Ergebnisse - Programm, Version 1 \\ } -\begin{itemize} - \item \textcolor[rgb]{1,0,0}{Lamellare Strukturen} - \begin{center} - \includegraphics[height=6cm]{if_cmp3.eps} - \end{center} - \end{itemize} +\begin{picture}(100,15)(0,0) + \textcolor[rgb]{1,0,0}{Lamellare Strukturen} +\end{picture} +\begin{center} + \includegraphics[height=7cm]{if_cmp3.eps} +\end{center} \end{slide} \begin{slide} {\large\bf - Ergebnisse - Version 1 + Ergebnisse - Programm, Version 1 \\ } -\begin{itemize} - \item Einfluss der Diffusion -\end{itemize} +\begin{picture}(100,25)(0,-10) + Einfluss der Diffusion +\end{picture} +\vspace{6pt} \begin{tabular}{lr} \includegraphics[height=5cm]{diff_einfluss.eps} & - \includegraphics[height=5cm]{sim2-a004-Z_and_noZ-TEMVIEW-ls.eps} \\ + \includegraphics[height=5cm]{sim2-a004-Z_and_noZ-TEMVIEW-ls2.eps} \\ \end{tabular} \end{slide} \begin{slide} {\large\bf - Ergebnisse - Version 1 + Ergebnisse - Programm, Version 1 \\ } -\begin{itemize} - \item Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen. -\end{itemize} +\begin{picture}(300,15)(0,0) + Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen +\end{picture} +\begin{picture}(300,15)(0,-5) + in aufeinander folgenden Ebenen. +\end{picture} \begin{tabular}{lr} \includegraphics[height=7cm]{really_all_z-z_plus1.eps} & \includegraphics[width=8cm]{ac_cconc_d.eps} \\ @@ -224,10 +245,11 @@ $ \begin{slide} {\large\bf - Ergebnisse - Version 2 + Ergebnisse - Programm, Version 2 \\ } \begin{itemize} - \item Dosisentwicklung + \item Verteilung amorpher Bereiche im gesamten Implantationsbereich reproduzierbar + \item Kinetik des Selbstorganisationsprozesses nachvollziehbar \end{itemize} \begin{figure} \begin{center} @@ -241,23 +263,19 @@ $ Zusammenfassung } \begin{itemize} - \item einfaches Modell zur Erzeugung selbstorganisierter amorpher Ausscheidungen - \item lamellare Strukturen durch Simulation nachvollziehbar -\end{itemize} -\vspace{32pt} -{\large\bf - Ausblick -} -\begin{itemize} - \item mehr \dq Version 2 \dq{} - Versuche - \item Simulation anderer Ion-Target Kombinationen \\ - $\rightarrow$ Zusammenhang zwischen Simulations und Implantationsparametern + \item selbstorganisierte Anordnung nanometrischer Ausscheidungen bei Ionenimplantation \\ + $C \rightarrow Si \qquad T_{i}: 150 - 350 \, ^{\circ} \mathrm{C} \qquad D \le 8 \times 10^{17} cm^{-2}$ + \item Amorphisierung $\rightarrow$ Dichteunterschied $\rightarrow$ Spannungen $\rightarrow$ Selbstorganisation + \item Modell: Wahrscheinlichkeiten f"ur Amorphisierung/Rekristallisation abh"angig von: + \begin{itemize} + \item nuklearer Bremskraft + \item Implantationsprofil + \item Spannungen + \end{itemize} + \item lamellare Anordnung nachvollziehbar durch Simulation + \item Entwicklung der Morphologie der a/c-Grenzfl"ache reproduzierbar \end{itemize} \vspace{32pt} -\begin{flushleft} - {\small Folien und Quellcode: http://www.physik.uni-augsburg.de/\~{}zirkelfr/} \\ - {\small Email: frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de} -\end{flushleft} \end{slide} \end{document}