X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Fnlsop_dpg_2005.tex;h=5366998c2e68886098bb10cc8a42e90711e08806;hp=de268db843eb1e4125cc356c2bb693d3d32486b9;hb=fa306d8111afa35d99d7a0719eb627b976a19037;hpb=f7aaf1afb817aa27e6e06a3d0305372c230f283a

diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
index de268db..5366998 100644
--- a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
+++ b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex
@@ -59,6 +59,21 @@
 % start of content
 \ptsize{8}
 
+\begin{slide}
+{\large\bf
+ "Uberblick
+}
+\begin{picture}(300,30)
+\end{picture}
+\begin{itemize}
+ \item selbstorganisierte $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsprozesses
+ \item Umsetzung des Modells in eine Monte-Carlo-Simulation
+ \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit experimentellen Befunden
+ \item Zusammenfassung
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
 \begin{slide}
 {\large\bf
  Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen
@@ -77,17 +92,17 @@
 }
 \begin{figure}
  \begin{center}
-  \includegraphics[width=8cm]{model1_s_german.eps}
+  \includegraphics[width=10cm]{model1_s_german.eps}
  \end{center}
 \end{figure}
+ \scriptsize
 \begin{itemize}
- \small
- \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
- \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
- \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
- \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
+ \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
+ \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ {\bf Relaxation} der Druckspannung in $ {\bf z}$-{\bf Richtung}
+ \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
+ \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ {\bf bevorzugte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
 \end{itemize}
 \end{slide}
 
@@ -130,13 +145,13 @@
   \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} \qquad + \qquad \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} \qquad + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\
 \]
 \begin{picture}(70,15)(-28,0)
- \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch}
+ \bf \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch}
 \end{picture}
 \begin{picture}(100,15)(-15,0)
- \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert}
+ \bf \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert}
 \end{picture}
 \begin{picture}(120,15)(-40,0)
- \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert}
+ \bf \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert}
 \end{picture}
 \begin{picture}(300,40)
 $
@@ -232,8 +247,11 @@ $
 {\large\bf
  Ergebnisse - Version 2 \\
 }
-\begin{picture}(100,15)(0,0)
- Dosisentwicklung
+\begin{picture}(300,15)(0,0)
+ Kinetik des Selbstorganisationsprozesses im gesamten
+\end{picture}
+\begin{picture}(300,15)(0,-5)
+ Implantationsbereich reproduzierbar
 \end{picture}
 \begin{figure}
  \begin{center}