X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Ftalk%2Ftalk_german.tex;h=1377dfd1311733d2cde0f41128a8af0b0c50590a;hp=4d82a2bac2c2c5f1c0f9a8ca3b4180ec4f47ed74;hb=860ead5798495c20b3307fc61060ae9de86140e5;hpb=1ec64149ba2f703e94c76e9c88c9cb6b072658b2 diff --git a/nlsop/talk/talk_german.tex b/nlsop/talk/talk_german.tex index 4d82a2b..1377dfd 100644 --- a/nlsop/talk/talk_german.tex +++ b/nlsop/talk/talk_german.tex @@ -1,5 +1,12 @@ -\documentclass[pdf,hdw]{prosper} +\documentclass{beamer} +\mode +{ +%\usetheme{Berkeley} +\usetheme{Warsaw} +%\usetheme{Singapore} +\setbeamercovered{transparent} +} \usepackage{verbatim} \usepackage[german]{babel} \usepackage[latin1]{inputenc} @@ -7,7 +14,8 @@ \usepackage{amsmath} \usepackage{ae} \usepackage{aecompl} -\usepackage{color} +\usepackage{colortbl} +\usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade} \usepackage{graphicx} \graphicspath{{../img}} \usepackage{hyperref} @@ -16,61 +24,253 @@ \title{Vorstellung der Diplomarbeit} \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium} -\author{Frank Zirkelbach} -\email{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de} -\institution{Lehrstuhl f"ur Experiemntalphysik IV - Institut f"ur Physik\\Universit"at Augsburg} -\slideCaption{Lehrstuhlseminar Experimentalphysik IV - 10.11.2005} - -\maketitle - -\begin{slide}{"Uberblick} -\begin{itemize} - \item Motivation - \item Grundlagen - \item Experimentelle Befunde - \item Das Modell - \item Die Simulation - \item Ergebnisse - \item Anwendung - \item Zusammenfassung -\end{itemize} -\end{slide} - -\overlays{5}{ -\begin{slide}{Ionenimplantation} -Funktionsweise: -\begin{itemstep} - \item Ionisation des Atoms/Molek"uls - \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$) - \item Bestrahlung eines Festk"orpers -\end{itemstep} -\FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\ -\vspace{15pt} -\FromSlide{5}{ -Industrielle Anwendung:\\ -Dotierung von Halbleiterkristallen} -\end{slide}} - -\begin{slide}{Ionenimplantation} -Vorteile -\begin{itemize} - \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge - \item Reproduzierbarkeit - \item Homogenit"at - \item Schnelligkeit - \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur - \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze -\end{itemize} -\end{slide} - -\begin{slide}{Selbstorganisation} -\begin{tabular}{c} - \begin{tabular}{lr} - \includegraphics[width=4cm]{tr.eps} & text... - \end{tabular} \\ -Bolse: swift heavy ions -\end{tabular} -\end{slide} +\author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}} +\institute{ +Institut f"ur Physik\\ +Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\ +Universit"at Augsburg +} +\date{10. November 2005} +%\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo} +%\logo{\pgfuseimage{lst-logo}} + +%\beamerdefaultoverlayspecification{<+->} + +\AtBeginSubsection[] +{ + \begin{frame} + \frametitle{"Uberblick} + \tableofcontents[currentsubsection] + \end{frame} +} + +\begin{frame} + \titlepage +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{"Uberblick} + \tableofcontents%[pausesections] +\end{frame} + +\section{Einf"uhrung und Grundlagen} + + \subsection{Einf"uhrung} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Ionenimplantation} + \begin{block}{Funktionsweise} + \begin{itemize} + \item Ionisation des Atoms/Molek"uls + \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$) + \item Bestrahlung eines Festk"orpers + \end{itemize} + \end{block} + \onslide<2-> + $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten + \begin{block}{Anwendung} + Dotierung von Halbleiterkristallen + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Ionenimplantation} + \begin{block}{Vorteile} + \begin{itemize} + \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge + \item Reproduzierbarkeit + \item Homogenit"at + \item Schnelligkeit + \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur + \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Selbstorganisation} + \begin{columns} + \column{4.5cm} + \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh}} + \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg}} + \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2}} + \column{6.5cm} + \begin{enumerate} + \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache + \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen + \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen + \end{enumerate} + \end{columns} +\end{frame} + + \subsection{Ion-Festk"orper-Wechselwirkung} + +\begin{frame} + \frametitle{Grundlagen} + \framesubtitle{Abbremsung der Ionen} + \onslide<2-> + \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt} + elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\ + $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$ + \end{block} + \onslide<3-> + \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt} + inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\ + $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$ + \end{block} + \onslide<4-> + \begin{block}{Bremskraft} + $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$ + \end{block} +\end{frame} + + \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM} + +\begin{frame} + \frametitle{Grundlagen} + \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM} + \begin{block}{Prinzip} + \begin{itemize} + \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen + \pause + \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung + \pause + \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange + \pause + \item Energieverlust durch St"o"se + \pause + \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$ + \pause + \item Abbildung von Zufallszahlen auf: + \begin{itemize} + \item freie Wegl"ange $l$ + \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$ + \item Azimutwinkel $\Phi$ + \end{itemize} + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\section{Experimentelle Befunde und Modell} + + \subsection{Experimentelle Befunde} + +\begin{frame} + \frametitle{Experimentelle Befunde} + \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen} + \begin{center} + \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps} + \end{center} + \begin{center} + {\scriptsize\bf Hellfeld-TEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$} + \end{center} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Experimentelle Befunde} + \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen} + \begin{columns} + \column{5.5cm} + \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps} + {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$} + \column{5.5cm} + \includegraphics[width=5.5cm]{a-t.eps} + {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Temperatur f"ur die Dosis $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Experimentelle Befunde} + \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation} + \begin{center} + \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps} + {\scriptsize Hellfeld-TEM- und Elementverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.} + \end{center} +\end{frame} + + \subsection{Modell} + +\begin{frame} + \frametitle{Modell} + \begin{center} + \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps} + \end{center} + \begin{itemize} + \pause + \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\ + $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \pause + \item hohe Grenzfl"achenenergie f"ur $3C-SiC$ in $c-Si$\\ + $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph + \pause + \item Dichtereduktion des amorphen $SiC_x$\\ + $\rightarrow$ laterale Druckspannungen + \pause + \item amorphe Gebiete als Senke f"ur den Kohlenstoff\\ + $\rightarrow$ Abbau der $C$-"Ubers"attigung in $c-Si$ + \end{itemize} +\end{frame} + +\section{Simulation und Ergebnisse} + + \subsection{Simulation} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Unterteilung des Targets} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern} +\end{frame} + + \subsection{Ergebnisse} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich} +\end{frame} + +\section{Zusammenfassung und Ausblick} + +\begin{frame} + \frametitle{Zusammenfassung} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ausblick} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Danksagung} + \begin{itemize} + \item Prof. Dr. Bernd Stritzker + \item PD Volker Eyert + \item PD J"org Lindner + \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen + \item Dipl. Phys. Ralf Utermann + \item EP4 + Diplomanden + \end{itemize} +\end{frame} \end{document}