X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Ftalk%2Ftalk_german.tex;h=28359daaeb97976e2d08fae6fb61847e1441f5de;hp=e479151d8bdc7763c8b47db4f08abd3b105cb7cb;hb=db6d03cfea7833dfa391d033bb2b04e40d3f79c5;hpb=804ea529c18f55c874ae3b9b18eaaa63eb41bc25 diff --git a/nlsop/talk/talk_german.tex b/nlsop/talk/talk_german.tex index e479151..28359da 100644 --- a/nlsop/talk/talk_german.tex +++ b/nlsop/talk/talk_german.tex @@ -2,7 +2,9 @@ \mode { +%\usetheme{Berkeley} \usetheme{Warsaw} +%\usetheme{Singapore} \setbeamercovered{transparent} } \usepackage{verbatim} @@ -12,11 +14,14 @@ \usepackage{amsmath} \usepackage{ae} \usepackage{aecompl} -%\usepackage{color} +\usepackage{colortbl} +\usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade} \usepackage{graphicx} \graphicspath{{../img}} \usepackage{hyperref} +\begin{document} + \title{Vorstellung der Diplomarbeit} \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium} \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}} @@ -25,101 +30,591 @@ Institut f"ur Physik\\ Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\ Universit"at Augsburg } -\pgfdeclareimage[height=1cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo.eps} -\logo{\pgfuseimage{lst-logo}} +\date{10. November 2005} +%\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo} +%\logo{\pgfuseimage{lst-logo}} -\begin{document} +%\beamerdefaultoverlayspecification{<+->} + +\AtBeginSubsection[] +{ + \begin{frame} + \frametitle{"Uberblick} + \tableofcontents[currentsubsection] + \end{frame} +} \begin{frame} \titlepage -} +\end{frame} \begin{frame} \frametitle{"Uberblick} + \tableofcontents%[pausesections] +\end{frame} + +\section{Einf"uhrung und Grundlagen} + + \subsection{Einf"uhrung} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Ionenimplantation} + \begin{block}{Funktionsweise} + \begin{itemize} + \item Ionisation des Atoms/Molek"uls + \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$) + \item Bestrahlung eines Festk"orpers + \end{itemize} + \end{block} + \onslide<2-> + $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten + \begin{block}{Anwendung} + Dotierung von Halbleiterkristallen + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Ionenimplantation} + \begin{block}{Vorteile} + \begin{itemize} + \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge + \item Reproduzierbarkeit + \item Homogenit"at + \item Schnelligkeit + \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur + \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Selbstorganisation} + \begin{columns} + \column{4.5cm} + \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh.eps}} + \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg.eps}} + \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2.eps}} + \column{6.5cm} + \begin{enumerate} + \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache + \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen + \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen + \end{enumerate} + \end{columns} +\end{frame} + + \subsection{Ion-Festk"orper-Wechselwirkung} + +\begin{frame} + \frametitle{Grundlagen} + \framesubtitle{Abbremsung der Ionen} + \onslide<2-> + \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt} + elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\ + $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$ + \end{block} + \onslide<3-> + \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt} + inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\ + $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$ + \end{block} + \onslide<4-> + \begin{block}{Bremskraft} + $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$ + \end{block} +\end{frame} + + \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM} + +\begin{frame} + \frametitle{Grundlagen} + \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM} + \begin{block}{Prinzip} + \begin{itemize} + \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen + \pause + \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung + \pause + \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange + \pause + \item Energieverlust durch St"o"se + \pause + \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$ + \pause + \item Abbildung von Zufallszahlen auf: + \begin{itemize} + \item freie Wegl"ange $l$ + \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$ + \item Azimutwinkel $\Phi$ + \end{itemize} + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\section{Experimentelle Befunde und Modell} + + \subsection{Experimentelle Befunde} + +\begin{frame} + \frametitle{Experimentelle Befunde} + \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen} + \begin{center} + \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps} + \end{center} + \begin{center} + {\scriptsize\bf Hellfeld-TEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$} + \end{center} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Experimentelle Befunde} + \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen} + \begin{columns} + \column{5.5cm} + \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps} + {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$} + \column{5.5cm} + \vspace{0.5cm} + \includegraphics[width=5.5cm]{a-t.eps} + {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Temperatur f"ur die Dosis $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Experimentelle Befunde} + \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation} + \begin{center} + \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps} + {\scriptsize Hellfeld-TEM- und Elementverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.} + \end{center} +\end{frame} + + \subsection{Modell} + +\begin{frame} + \frametitle{Modell} + \begin{center} + \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps} + \end{center} + \scriptsize{ + \begin{itemize} + \pause + \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\ + $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \pause + \item hohe Grenzfl"achenenergie f"ur $3C-SiC$ in $c-Si$\\ + $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph + \pause + \item Geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\ + $\rightarrow$ laterale Druckspannungen + \pause + \item amorphe Gebiete als Senke f"ur den Kohlenstoff\\ + $\rightarrow$ Abbau der $C$-"Ubers"attigung in $c-Si$ + \end{itemize}} +\end{frame} + +\section{Simulation und Ergebnisse} + + \subsection{Simulation} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \begin{block}{Name} + {\bf N}ano {\bf L}amellar {\bf S}elbst{\bf o}rganisations{\bf p}rozess + \end{block} + \begin{block}{Grober Ablauf} + \begin{itemize} + \item Amorphisierung/Rekristallisation + \item Kohlenstoffeinbau + \item Diffusion/Sputtern + \end{itemize} + \end{block} + \begin{block}{Versionen} + \begin{itemize} + \item Version 1 - Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe + \item Version 2 - Simulation "uber den ganzen Tiefenbereich + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Unterteilung des Targets} + \begin{center} + \includegraphics[width=8cm]{gitter_oZ.eps} + \end{center} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen} + \begin{columns} + \column{5.5cm} + \includegraphics[width=5.5cm]{trim_nel.eps} + {\scriptsize SRIM 2003.26, nukleare Bremskraft,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.} + \column{5.5cm} + \includegraphics[width=5.5cm]{trim_impl2.eps} + {\scriptsize SRIM 2003.26, Implantationsprofil,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen} + \begin{center} + \includegraphics[width=7cm]{trim_coll.eps}\\ + \end{center} + {\scriptsize $\Rightarrow$ Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}\\ + {\scriptsize $\Rightarrow$ Mittlere W"urfel-Trefferzahl eines Ions} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation} + \begin{block}{Amorphisierungswahrscheinlichkeit} + \[ + p_{c \rightarrow a}(\vec{r}) = \pause \color{green}{p_b} \pause + \color{blue}{p_c c_C(\vec{r})} \pause + \color{red}{\sum_{\textrm{amorphe Nachbarn}} \frac{p_s c_C(\vec{r'})}{(r-r')^2}} + \] + \begin{itemize} + \onslide<2-> \item \color{green}{ballistische Amorphisierung} + \onslide<3-> \item \color{blue}{kohlenstoffinduzierte Amorphisierung} + \onslide<4-> \item \color{red}{spannungsuntert"utzte Amorphisierung} + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallsiation} + \begin{block}{Rekristallisationswahrscheinlichkeit} + \[ + p_{a \rightarrow c}(\vec{r}) = \pause (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec{r})) \pause \Big( 1 - \frac{\sum_{\textrm{direkte Nachbarn}} \delta(\vec{r'})}{6} \Big) + \] + mit\\ + \[ + \delta(\vec{r}) = \left\{ + \begin{array}{ll} + 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\ + 0 & \textrm{sonst} \\ + \end{array} + \right. + \] + \end{block} +\end{frame} + + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation} + \begin{block}{Sto"skoordinaten} + \begin{itemize} + \item $x,y$ gleichverteilt + \item $z$ entsprechend nuklearer Bremskraft + \end{itemize} + \end{block} + \begin{block}{Ablauf} + \begin{itemize} + \pause + \item Ausw"urfeln der Sto"skoordinaten + \pause + \item Berechnung von $p_{c \rightarrow a}$ bzw. $p_{a \rightarrow c}$ + \pause + \item Zufallszahl $\rightarrow$ Amorphisierung/Rekristallisation + \pause + \item Wiederholung f"ur mittlere Anzahl der Treffer des Ions + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau} + \begin{block}{Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau} + \begin{itemize} + \item $x,y$ gleichverteilt + \item $z$ entsprechend Implantationsprofil + \end{itemize} + \end{block} + \begin{block}{Ablauf} + \begin{itemize} + \pause + \item Ausw"urfeln der Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau + \pause + \item Lokale Erh"ohung der Anzahl der Kohlenstoffatome + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Simulation} + \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern} + \begin{block}{Ablauf der Diffusion alle $d_v$ Schritte} + \begin{itemize} + \pause + \item Gehe alle Zellen durch + \pause + \item Wenn Zelle amorph + \begin{itemize} + \pause + \item Gehe alle Nachbarzellen durch + \pause + \item Wenn Nachbarzelle kristallin\\ + \pause + $\Rightarrow$ Transferiere den Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs + \end{itemize} + \end{itemize} + \end{block} + \pause + \begin{block}{Sputterablauf alle $s$ Schritte} + \begin{itemize} + \pause + \item Kopiere Inhalt von Ebene $i$ nach Ebene $i-1$\\ + $i \in Z,Z-1,\ldots,2$ + \pause + \item Setze Status jedes Volumens in Ebene $Z$ kristallin + \pause + \item Setze den Kohlenstoff jedes Volumens in Ebene $Z$ auf Null + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + + \subsection{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Simulation, Version 1} + \begin{block}{Eigenschaften} + \begin{itemize} + \pause + \item Linear gen"ahertes Implantations- und Bremskraftprofil + \pause + \item Ein W"urfel-Treffer pro Ion + \pause + \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit unabh"angig von direkter Nachbarschaft + \pause + \item Tiefenbereich $0 - 300 \, nm$ + \pause + \item Kein Sputtervorgang + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Erste Simulationen} + \begin{center} + \includegraphics[width=10cm]{first_sims.eps} + \end{center} + \pause + \scriptsize{ + $\Rightarrow$ Abbruchradius $r=5$\\ + $\Rightarrow$ niedrige Simulationsparameter\\ + $\Rightarrow$ gro"se Anzahl an Durchl"aufen\\} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Vergleich mit TEM-Aufnahme} + \color{red}{Lamellare Strukturen} + \begin{center} + \includegraphics[width=10cm]{if_cmp3.eps} + \end{center} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsrate $d_r$} + \begin{columns} + \column{6cm} + \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss.eps} + \column{6cm} + \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss_ls.eps} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsgeschwindigkeit $d_v$} + \begin{columns} + \column{8cm} \includegraphics[width=8cm]{low_to_high_dv.eps} + \column{4cm} \includegraphics[width=4cm]{ls_dv_cmp.eps} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Einfluss der Druckspannung} + \begin{columns} + \column{8cm} \includegraphics[width=8cm]{high_to_low_a.eps} + \column{4cm} + \includegraphics[width=4cm]{ps_einfluss_ls.eps} + \begin{center} + \scriptsize{ + a) $p_s=0.002$\\ + b) $p_s=0.003$\\ + c) $p_s=0.004$\\ + } + \end{center} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung} + \begin{columns} + \column{5cm} \includegraphics[width=5cm]{97_98_ng.eps} + \column{7cm} \includegraphics[width=7cm]{ac_cconc_ver1.eps} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 1} + \begin{itemize} + \item Modell/Simulation reproduziert die Bildung geordneter Lamellenstrukturen + \item Bildungsprozess nachvollziehbar durch die Simulation + \item hohe Anzahl an Simulationsdurchl"aufen,\\ + kleine Amorphisierungswahrscheinlichkeiten + \item Diffusion essentiell, insbesondere die Diffusion in $z$-Richtung + \item hoher Beitrag durch kohlenstoffinduzierte Amorphisierung + \item Kohlenstoffverteilung im Einklang mit EFTEM-Aufnahme + \end{itemize} +\end{frame} + + \subsection{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich} +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Simulation, Version 2} + \begin{block}{Eigenschaften} + \begin{itemize} + \pause + \item exaktes TRIM Implantations- und Bremskraftprofil + \pause + \item mittlere Anzahl W"urfel-Treffer pro Ion aus TRIM + \pause + \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit abh"angig von direkter Nachbarschaft + \pause + \item Tiefenbereich $0 - 700 \, nm$ + \pause + \item Sputtervorgang + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis} + \begin{center} + \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng1-2.eps} + \end{center} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis} + \begin{center} + \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng2-2.eps} + \end{center} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis} + \begin{columns} + \column{6cm} + \includegraphics[width=6cm]{position_al.eps} + \begin{center} + {\scriptsize Simulation} + \end{center} + \column{6cm} + \includegraphics[width=6cm]{a-d.eps} + \begin{center} + {\scriptsize Experiment} + \end{center} + \end{columns} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung} + \begin{center} + \includegraphics[height=6.5cm]{ac_cconc_ver2_new_pres.eps} + \end{center} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung an den Grenzfl"achen zur amorphen Schicht} + \begin{center} + \scriptsize{ + \begin{tabular}{|c|c|c|} + \hline + Dosis & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\ + \hline + $2,1 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 16 $at. \%$ & 13 $at. \%$ \\ + \hline + $3,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 13 $at. \%$ & 14 $at. \%$ \\ + \hline + $3,4 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 14 $at. \%$ & 12 $at. \%$ \\ + \hline + \end{tabular}\\ + Experiment\\ + \begin{tabular}{|c|c|c|c|} + \hline + Durchl"aufe & \begin{minipage}{2.5cm} \begin{center} "aquivalente Dosis \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\ + + \hline + $80 \times 10^6$ & $2,16 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,21 $at. \%$ & 16,62 $at. \%$ \\ + \hline + $120 \times 10^6$ & $3,25 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,80 $at. \%$ & 17,67 $at. \%$ \\ + \hline + $159 \times 10^6$ & $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 17,28 $at. \%$ & 17,73 $at. \%$ \\ + \hline + \end{tabular}\\ + Simulation} + \end{center} \end{frame} -\begin{slide}{"Uberblick} -\begin{itemize} - \item Motivation - \item Grundlagen - \item Experimentelle Befunde - \item Das Modell - \item Die Simulation - \item Ergebnisse - \item Anwendung - \item Zusammenfassung -\end{itemize} -\end{slide} - -\overlays{5}{ -\begin{slide}{Ionenimplantation} -Funktionsweise: -\begin{itemstep} - \item Ionisation des Atoms/Molek"uls - \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$) - \item Bestrahlung eines Festk"orpers -\end{itemstep} -\FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\ -\vspace{15pt} -\FromSlide{5}{ -Industrielle Anwendung:\\ -Dotierung von Halbleiterkristallen} -\end{slide}} - -\begin{slide}{Ionenimplantation} -Vorteile: -\begin{itemize} - \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge - \item Reproduzierbarkeit - \item Homogenit"at - \item Schnelligkeit - \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur - \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze -\end{itemize} -\end{slide} - -\overlays{3}{ -\begin{slide}{Selbstorganisation} -\begin{tabular}{c} - \begin{tabular}{ll} - \begin{minipage}{3.5cm} - \onlySlide*{1}{\includegraphics[width=3cm]{ripple_bh.eps}} - \onlySlide*{2}{\includegraphics[width=3cm]{bin_leg.eps}} - \onlySlide*{3}{\includegraphics[width=3cm]{bolse2.eps}} - \end{minipage} & - \begin{minipage}{7.5cm} - \begin{itemstep} - \item Entstehung von Riffeln auf der Targetoberfl"ache - \item separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen - \item periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen - \end{itemstep} - \end{minipage} - \end{tabular} \\ -%\FromSlide{1}{{\footnotesize 1) R. M. Bradley, J. M. E. Harper. J. Vac. Sci. Technol. A6 (1988) 2390\\}} -%\FromSlide{2}{{\footnotesize 2) R. A. Enrique, P. Bellon. Phys. Rev. Lett. 60 (1999) 14649\\}} -%\FromSlide{3}{{\footnotesize 3) W. Bolse, B. Schattat, A. Feyh. Appl. Phys. A 77 (2003) 11\\}} -\end{tabular} -\end{slide}} - -\overlays{2}{ -\begin{slide}{Grundlagen} -Abbremsung der Ionen - \begin{tabular}{ll} - \begin{minipage}[l]{5cm} - \onlySlide{1}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} +$ \ldots} - \onlySlide{2}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} + {\blue S_e(E)} \Big)$} - \end{minipage} & - \begin{minipage}[l]{6cm} - \begin{itemstep} - \item {\red nukleare Bremskraft}\\ - elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets - \item {\blue elektronische Bremskraft}\\ - inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets - \end{itemstep} - \end{minipage} - \end{tabular} -\end{slide}} +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Variation der Simulationsparameter} + \begin{center} + \includegraphics[width=9cm]{var_sim_paramters.eps} + \end{center} +\end{frame} + + \subsection{Herstellung breiter Bereiche mit lamellarer Struktur} + +\begin{frame} + \frametitle{Ergebnisse} + \framesubtitle{Zweiter Implantationsschritt} +\end{frame} + +\section{Zusammenfassung und Ausblick} + +\begin{frame} + \frametitle{Zusammenfassung} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Ausblick} +\end{frame} + +\begin{frame} + \frametitle{Danksagung} + \begin{itemize} + \item Prof. Dr. Bernd Stritzker + \item PD Volker Eyert + \item PD J"org Lindner + \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen + \item Dipl. Phys. Ralf Utermann + \item EP4 + Diplomanden + \end{itemize} +\end{frame} \end{document}