X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=posic%2Ftalks%2Fseminar_2008.tex;h=30efd762bfff3a1055fbbd96d9258507514ede68;hp=3f564d1e731044339d9125ebc588ea6702b07e6c;hb=e08a97849ebaf34c088eef126bf83fa8a4267119;hpb=a401f74cdb53d68fff1f85a0a756322c88680aa6 diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index 3f564d1..30efd76 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -141,7 +141,7 @@ \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV) \item hohe mechanische Stabilit"at \item gute Ladungstr"agermobilit"at - \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit + \item hohe S"attigungselektronendriftgeschwindigkeit \item hohe Durchbruchfeldst"arke \item chemisch inerte Substanz \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at @@ -162,7 +162,7 @@ } \begin{picture}(0,0)(-255,-125) - \includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps} + \includegraphics[width=4cm]{sic_wechselrichter_ise.eps} \end{picture} \begin{picture}(0,0)(-251,-115) \begin{minipage}{4cm} @@ -370,7 +370,7 @@ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps} \end{minipage} \begin{minipage}{9cm} - Bereich ums Implantationsmaximum\\ + Bereich um das Implantationsmaximum\\ Moir\'e-Kontrast-Muster\\ $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix \end{minipage} @@ -717,7 +717,7 @@ NN-Abstand in 3C-SiC\\ \underline{C-C, 0.31 nm}:\\ C-C Abstand in 3C-SiC\\ - vekettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\ + verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\ \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\ g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\ Intervall entspricht C-C Peakbreite\\ @@ -915,7 +915,7 @@ \end{minipage} \begin{minipage}{6.3cm} \begin{center} - Dosirate: C auf einmal hinzugef"ugt\\ + Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\ \end{center} \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps} \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps} @@ -992,7 +992,7 @@ \begin{itemize} \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten - \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Asuscheidungsvorgang zu verstehen + \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang zu verstehen \end{itemize} \vspace{8pt}