X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?p=lectures%2Flatex.git;a=blobdiff_plain;f=posic%2Ftalks%2Fseminar_2008.tex;h=30efd762bfff3a1055fbbd96d9258507514ede68;hp=43912fb6fe3afa7648c24b3f7f9dd1337f4d875e;hb=e08a97849ebaf34c088eef126bf83fa8a4267119;hpb=469ebfe33bad746b0312d93cd974c765e7ddf6ee

diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index 43912fb..30efd76 100644
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -97,7 +97,7 @@
 
  \vspace{08pt}
 
- 13. November 2008
+ 20. November 2008
 
 \end{center}
 \end{slide}
@@ -141,7 +141,8 @@
   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
   \item hohe mechanische Stabilit"at
   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
-  \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
+  \item hohe S"attigungselektronendriftgeschwindigkeit
+  \item hohe Durchbruchfeldst"arke
   \item chemisch inerte Substanz
   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
   \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
@@ -151,21 +152,22 @@
  Anwendungen:
 
  \begin{itemize}
-  \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur und Hochleistungsbauelemente
+  \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
   \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
   \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
   \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
-  \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
+  \item Micro-Electro-Mechanical System (MEMS)
  \end{itemize}
 
  }
 
- \begin{picture}(0,0)(-278,-150)
-  %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps} 
+ \begin{picture}(0,0)(-255,-125)
+  \includegraphics[width=4cm]{sic_wechselrichter_ise.eps} 
  \end{picture}
- 
- \begin{picture}(0,0)(-278,-20)
-  %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps} 
+ \begin{picture}(0,0)(-251,-115)
+  \begin{minipage}{4cm}
+  {\tiny DLR ISE: Inverter, $E=98.5\%$}
+  \end{minipage}
  \end{picture}
  
 \end{slide}
@@ -175,31 +177,88 @@
  {\large\bf
   Motivation
  }
+ 
+ \vspace{4pt}
+
+ SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
+
+ \vspace{4pt}
+
+ Herstellung d"unner SiC-Filme:
+ \begin{itemize}
+  \item modifizierter Lely-Prozess
+        \begin{itemize}
+         \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
+         \item umgeben von polykristallinen SiC mit
+               $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
+        \end{itemize}
+  \item CVD Homoepitaxie
+        \begin{itemize}
+         \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
+         \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
+         \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
+         \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
+               Substratgr"o"se
+        \end{itemize}
+  \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
+        \begin{itemize}
+         \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
+         \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
+         \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
+        \end{itemize}
+ \end{itemize}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
+  \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
+  \begin{minipage}{5cm}
+  {\scriptsize
+   NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
+   nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
+  }
+  \end{minipage}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Motivation
+ }
+
+ \vspace{8pt}
 
  3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
  6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
  \begin{itemize}
   \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
-  \item Micropipes (Offene Kerne von Schraubenversetzungen) in c-Richtung
+  \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
+  \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
+        Oberfl"ache) entlang c-Richtung
         bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
-  \item Herstellung gro"sfl"achiger einkristalliner 3C-SiC Filme
-        im Anfangsstudium
+  \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
+        sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
  \end{itemize}
 
+ \vspace{16pt}
+
+ {\color{blue}
  \begin{center}
-  {\color{red}
-  Einsicht in den Mechanismus des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
-  }
-  $\Rightarrow$\\ 
-  signifikanter technologischen Fortschritt in 3C-SiC D"unnschichtherstellung
+  Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorgangs\\
+  $\Downarrow$\\ 
+  Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
  \end{center}
+ }
 
- \vspace{12pt}
+ \vspace{16pt}
 
- Vermeidung von SiC-Ausscheidungen
+ Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
+ $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
 
  \begin{itemize}
-  \item Ma"sschneidern der Bandl"ucke
+  \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
   \item gestreckte Heterostrukturen
  \end{itemize}
 
@@ -208,27 +267,79 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Crystalline silicon and cubic silicon carbide
+  Motivation
+ }
+
+ Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
+
+ {\small
+
+ \begin{itemize}
+  \item Implantation 1:
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
+        epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+        in kastenf"ormigen Bereich,\\
+        eingeschlossen in a-Si:C 
+  \item Implantation 2:
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
+        Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+        in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten 
+  \item Tempern:
+        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
+        Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+        scharfen Grenzfl"achen
+ \end{itemize}
+ 
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.2cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
+
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
+}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  SiC-Ausscheidungsvorgang
  }
 
  \vspace{8pt}
 
- {\bf Lattice types and unit cells:}
+ {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
  \begin{itemize}
-   \item Crystalline silicon (c-Si) has diamond structure\\
-         $\Rightarrow {\color{si-yellow}\bullet}$ and
-         ${\color{gray}\bullet}$ are Si atoms
-   \item Cubic silicon carbide (3C-SiC) has zincblende structure\\
-         $\Rightarrow {\color{si-yellow}\bullet}$ are Si atoms,
-         ${\color{gray}\bullet}$ are C atoms
+   \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
+         ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
+         $\leftarrow$ Si-Atome
+   \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
+         ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
+         ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
  \end{itemize}
  \vspace{8pt}
  \begin{minipage}{8cm}
- {\bf Lattice constants:}
+ {\bf Gitterkonstanten:}
  \[
  4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
  \]
- {\bf Silicon density:}
+ {\bf Siliziumdichten:}
  \[
  \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
  \]
@@ -239,19 +350,44 @@
 
 \end{slide}
 
-\end{document}
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  SiC-Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm]
+
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+  Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\
+  Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\
+  $\rightarrow$ C-Si Dumbbells
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+  Bereich um das Implantationsmaximum\\
+  Moir\'e-Kontrast-Muster\\
+  $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
 
- \small
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Supposed Si to 3C-SiC conversion
+  SiC-Ausscheidungsvorgang
  }
 
  \small
+
  \vspace{6pt}
 
- Supposed conversion mechanism of heavily carbon doped Si into SiC:
+ Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
 
  \vspace{8pt}
 
@@ -270,73 +406,64 @@
  \vspace{8pt}
 
  \begin{minipage}{3.8cm}
- Formation of C-Si dumbbells on regular c-Si lattice sites
+ Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
  \end{minipage}
  \hspace{0.6cm}
  \begin{minipage}{3.8cm}
- Agglomeration into large clusters (embryos)\\
+ Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
  \end{minipage}
  \hspace{0.6cm}
  \begin{minipage}{3.8cm}
- Precipitation of 3C-SiC + Creation of interstitials\\
+ Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
  \end{minipage}
 
  \vspace{12pt}
 
- \begin{minipage}{7cm}
- Experimentally observed [3]:
+ Aus experimentellen Untersuchungen:
  \begin{itemize}
-  \item Minimal diameter of precipitation: 4 - 5 nm
-  \item Equal orientation of Si and SiC (hkl)-planes
+  \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
+  \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
  \end{itemize}
- \end{minipage}
- \begin{minipage}{6cm}
- \vspace{32pt}
- \hspace{16pt}
-  {\tiny [3] J. K. N. Lindner, Appl. Phys. A 77 (2003) 27.}
- \end{minipage}
 
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulation details
+  Details der MD-Simulation
  }
 
+ \vspace{12pt}
  \small
 
- {\bf MD basics:}
+ {\bf MD-Grundlagen:}
  \begin{itemize}
-  \item Microscopic description of N particle system
-  \item Analytical interaction potential
-  \item Hamilton's equations of motion as propagation rule\\
-        in 6N-dimensional phase space
-  \item Observables obtained by time or ensemble averages
+  \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
+  \item Analytisches Wechselwirkungspotential
+  \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
+        als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
+  \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
  \end{itemize}
- {\bf Application details:}
+ {\bf Details der Simulation:}
  \begin{itemize}
-  \item Integrator: Velocity Verlet, timestep: $1\text{ fs}$
-  \item Ensemble: isothermal-isobaric NPT [4]
+  \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
+  \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
         \begin{itemize}
-	 \item Berendsen thermostat:
+	 \item Berendsen Thermostat:
 	       $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
-	 \item Brendsen barostat:\\
+	 \item Berendsen Barostat:\\
 	       $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
 	       $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
 	\end{itemize}
-  \item Potential: Tersoff-like bond order potential [5]
+  \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
+  \vspace*{12pt}
         \[
 	E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
 	\pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
 	\]
  \end{itemize}
- {\tiny
-  [4] L. Verlet, Phys. Rev. 159 (1967) 98.}\\
- {\tiny
-  [5] P. Erhart and K. Albe, Phys. Rev. B 71 (2005) 35211.}
 
- \begin{picture}(0,0)(-240,-70)
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
   \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps} 
  \end{picture}
 
@@ -345,12 +472,12 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulation sequence
+  Zwischengitter-Konfigurationen
  }
 
  \vspace{8pt}
 
- Interstitial configurations:
+ Simulationssequenz:\\
 
  \vspace{8pt}
 
@@ -358,28 +485,29 @@
   \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
    \parbox{7cm}{
    \begin{itemize}
-    \item Initial configuration: $9\times9\times9$ unit cells Si
-    \item Periodic boundary conditions
+    \item initiale Konfiguration:\\
+          $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
+    \item periodische Randbedingungen
     \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
    \end{itemize}
   }}}}
 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
  \parbox{7cm}{
-  Insertion of C / Si atom:
+  Einf"ugen der C/Si Atome:
   \begin{itemize}
-   \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetrahedral}
+   \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
          (${\color{red}\triangleleft}$)
    \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
          (${\color{green}\triangleright}$)
    \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
-         $\rightarrow$ {\color{magenta}110 dumbbell}
+         $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
 	 (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
-   \item random positions (critical distance check)
+   \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
   \end{itemize}
   }}}}
   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
    \parbox{3.5cm}{
-   Relaxation time: $2\, ps$
+   Relaxation ($>2$ ps)
   }}}}
   \ncline[]{->}{init}{insert}
   \ncline[]{->}{insert}{cool}
@@ -394,29 +522,29 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - Si self-interstitial runs
+  Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
 
  \small
 
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{Tetrahedral}\\
+ \underline{Tetraedrisch}\\
  $E_f=3.41$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{110 dumbbell}\\
+ \underline{110 Dumbbell}\\
  $E_f=4.39$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
  \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
- $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (unstable!)\\
+ $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
  \end{minipage}
 
- \underline{Random insertion}
+ \underline{zuf"allige Positionen}
 
  \begin{minipage}{4.3cm}
  $E_f=3.97$ eV\\
@@ -436,29 +564,29 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - Carbon interstitial runs
+  Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
 
  \small
 
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{Tetrahedral}\\
+ \underline{Tetraedrisch}\\
  $E_f=2.67$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
- \underline{110 dumbbell}\\
+ \underline{110 Dumbbell}\\
  $E_f=1.76$ eV\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}[t]{4.3cm}
  \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
  \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
- $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (unstable!)\\
+ $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
  \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
  \end{minipage}
 
- \underline{Random insertion}
+ \underline{zuf"allige Positionen}
 
  \footnotesize
 
@@ -466,7 +594,7 @@
    $E_f=0.47$ eV\\
    \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
    \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
-    100 dumbbell
+    100 Dumbbell
    \end{picture}
 \end{minipage}
 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
@@ -487,30 +615,27 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - <100> dumbbell configuration
+  Zwischengitter-Konfigurationen
+ }
+
+ Das 100 Dumbbell
 
  \vspace{8pt}
 
  \small
 
- \begin{minipage}{4cm}
+ \begin{minipage}{5.5cm}
  \begin{itemize}
   \item $E_f=0.47$ eV
-  \item Very often observed
-  \item Most energetically\\
-        favorable configuration
-  \item Experimental\\
-        evidence [6]
+  \item sehr h"aufig beobachtet
+  \item energetisch g"unstigste\\ Konfiguration
+  \item experimentelle und theoretische Hinweise
+        f"ur die Existenz dieser Konfiguration
  \end{itemize}
- \vspace{24pt}
- {\tiny
-  [6] G. D. Watkins and K. L. Brower,\\
-      Phys. Rev. Lett. 36 (1976) 1329.
- }
+ \includegraphics[width=5.6cm]{c_in_si_100.ps}
  \end{minipage}
- \begin{minipage}{8cm}
- \includegraphics[width=9cm]{100-c-si-db_s.eps}
+ \begin{minipage}{7cm}
+ \includegraphics[width=8cm]{100-c-si-db_s.eps}
  \end{minipage}
 
 \end{slide}
@@ -518,50 +643,54 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulation sequence
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
  }
 
  \small
 
  \vspace{8pt}
 
- SiC precipitation simulations:
+ Simulationssequenz:\\
 
  \vspace{8pt}
 
  \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
   % nodes
-  \rput(3.5,6.5){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
+  \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
    \parbox{7cm}{
    \begin{itemize}
-    \item Initial configuration: $31\times31\times31$ unit cells Si
-    \item Periodic boundary conditions
+    \item initiale Konfiguration:\\
+          $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
+    \item periodsche Randbedingungen
     \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
-    \item Equilibration of $E_{kin}$ and $E_{pot}$
+    \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
    \end{itemize}
   }}}}
   \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
    \parbox{7cm}{
-   Insertion of 6000 carbon atoms at constant\\
-   temperature into:
+   Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
+   bei konstanter Temperatur
    \begin{itemize}
-    \item Total simulation volume {\pnode{in1}}
-    \item Volume of minimal SiC precipitation {\pnode{in2}}
-    \item Volume of necessary amount of Si {\pnode{in3}}
+    \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
+    \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
+    \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
    \end{itemize} 
   }}}}
   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
-   \parbox{3.5cm}{
-   Cooling down to $20\, ^{\circ}C$
+   \parbox{5.0cm}{
+   Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
   }}}}
   \ncline[]{->}{init}{insert}
   \ncline[]{->}{insert}{cool}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
+  \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
+  \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
-  \rput(7.9,4.8){\pnode{ins1}}
-  \rput(9.22,4.4){\pnode{ins2}}
-  \rput(10.5,4.8){\pnode{ins3}}
+  \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$}
+  \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
+  \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
+  \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
   \ncline[]{->}{in1}{ins1}
   \ncline[]{->}{in2}{ins2}
   \ncline[]{->}{in3}{ins3}
@@ -572,94 +701,316 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Results
- } - SiC precipitation runs
-
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
 
  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 
- \begin{minipage}[t]{6.3cm}
- \tiny
-    \begin{itemize}
-      \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
-            or diamond\\
-            $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
-                          (almost only for high C concentrations)
-      \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
-      \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
-            (due to concatenated, differently oriented
-             <100> dumbbell interstitials)
-      \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
-            and a decrease at regular distances\\
-            (no clear peak,
-             interval of enhanced g(r) corresponds to C-C peak width)
-    \end{itemize}
- \end{minipage}
- \begin{minipage}[t]{6.3cm}
- \tiny
-   \begin{itemize}
-      \item Low C concentration (i.e. $V_1$):
-            The <100> dumbbell configuration
-            \begin{itemize}
-              \item is identified to stretch the Si-Si next neighbour distance
-                    to 0.3 nm
-              \item is identified to contribute to the Si-C peak at 0.19 nm
-              \item explains further C-Si peaks (dashed vertical lines)
-            \end{itemize}
-            $\Rightarrow$ C atoms are first elements arranged at distances
-                          expected for 3C-SiC\\
-            $\Rightarrow$ C atoms pull the Si atoms into the right
-                          configuration at a later stage
-      \item High C concentration (i.e. $V_2$ and $V_3$):
-            \begin{itemize}
-              \item High amount of damage introduced into the system
-              \item Short range order observed but almost no long range order
-            \end{itemize}
-            $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\
-            $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation
-    \end{itemize}
+ \vspace{-0.1cm}
+
+ \footnotesize
+ \underline{C-C, 0.15 nm}:\\
+ NN-Abstand in Graphit/Diamant\\
+ $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\
+ \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\
+ NN-Abstand in 3C-SiC\\
+ \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
+ C-C Abstand in 3C-SiC\\
+ verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
+ \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
+ g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
+ Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
+ Abfall bei regul"aren Abst"anden
+
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-40)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,-10)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps}
+ \end{picture}
+
+ \end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps}
+
+ \footnotesize
+ 
+ \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
+ 100 Dumbbell-Konfiguration\\
+ dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
+ Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
+ erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
+ $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
+ \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
+ Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
+ Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
+ $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
+ $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
+
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
+ \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
+ \begin{minipage}{5cm}
+  {\scriptsize
+  PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
+  F. Gao und W. J. Weber
+  }
+ \end{minipage}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+ 
+ \footnotesize
+
+ Zusammenfassung und Problemstellung:
+ \begin{itemize}
+  \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen
+  \item C-Konzentration niedrig:
+        \begin{itemize}
+         \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\
+               (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen)
+         \item keine Anh"aufung zu Embryos
+        \end{itemize}
+  \item C-Konzentration hoch:
+        \begin{itemize}
+         \item Ausbildung von C-C Bindungen
+               (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung)
+         \item amorphes SiC
+               (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen
+                Wert der Dosis)
+        \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \vspace{0.2cm}
+ {\color{blue} Ziel:}
+ \underline{
+ Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm]
+ Ans"atze:\\[0.2cm]
+ \begin{minipage}{7.5cm}
+ \begin{itemize}
+  \item H"ohere Temperaturen
+        \begin{itemize}
+         \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher
+         \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\
+               Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten
+        \end{itemize}
+  \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+        \begin{itemize}
+         \item minimaler Abstand
+         \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate)
+        \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{5.1cm}
+ \begin{itemize}
+  \item Modifikation der\\
+        Kraft/Potentialberechnung
+        \begin{itemize}
+         \item C-C cut-off erh"ohen
+         \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft
+               weglassen
+         \\\\
+        \end{itemize}
+ \end{itemize} 
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps}
+ \small
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \[
+ \text{\scriptsize Quality}
+  = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}}
+         {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}}
+ \]
+ \\
+ \underline{Si-C PCF}:\\
+ cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\
+ $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks
+ $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm]
+ {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht}
+ \end{minipage}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-2)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,16)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm]
+ \begin{itemize}
+  \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$
+  \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$
+  \item Temperatur f"ur 100 ps halten
+  \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \end{itemize}
+ \vspace{0.2cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+
+ \scriptsize
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
  \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
+ \end{minipage}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+
+ \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
+ \end{center}
+
+ \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
+ \begin{itemize}
+  \item System nicht mehr konservativ
+  \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
+ \end{itemize}
+ $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
 
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Very first results of the SiC precipitation runs
+  SiC-Ausscheidungen in Si
  }
 
- \begin{minipage}[t]{6.9cm}
-  \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps}
-  \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps}
-  \hspace{12pt}
+ \begin{itemize}
+  \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC
+  \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb
+  \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps
+  \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle
+        ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$)
+ \end{itemize}
+
+ \vspace*{0.1cm}
+
+ Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\
+ Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$} 
+
+ \vspace*{0.2cm}
+
+ \begin{minipage}{5cm}
+ Initial Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{1cm}
+ $\rightarrow$\\
  \end{minipage}
- \begin{minipage}[c]{5.5cm}
-  \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps}
+ \begin{minipage}{6cm}
+ Relaxierte Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps}
  \end{minipage}
 
+
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Summary / Outlook
+  Zusammenfassung und Ausblick
  }
 
-\vspace{24pt}
+\vspace{8pt}
+
+\begin{itemize}
+ \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen
+ \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten
+ \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang zu verstehen
+\end{itemize}
+
+\vspace{8pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
- \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
- \item Indication of SiC precipitation
+ \item Zwischengitterkonfigurationen
+ \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen
+ \item Untersuchungen an selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si
 \end{itemize}
 
 \vspace{24pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Displacement and stress calculations
- \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
- \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
+ \item Neue Versuche, neue Kombinationen
+ \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle
+ \item TAD
+ \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff)
+ \item Weitere Untersuchungen an selbst konstruierten Ausscheidungen
 \end{itemize}
 
 \end{slide}