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diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index 737a7ce..30efd76 100644
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -141,7 +141,7 @@
   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
   \item hohe mechanische Stabilit"at
   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
-  \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
+  \item hohe S"attigungselektronendriftgeschwindigkeit
   \item hohe Durchbruchfeldst"arke
   \item chemisch inerte Substanz
   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
@@ -156,17 +156,18 @@
   \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
   \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
   \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
-  \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
+  \item Micro-Electro-Mechanical System (MEMS)
  \end{itemize}
 
  }
 
- \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
-  %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps} 
+ \begin{picture}(0,0)(-255,-125)
+  \includegraphics[width=4cm]{sic_wechselrichter_ise.eps} 
  \end{picture}
- 
- \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
-  %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps} 
+ \begin{picture}(0,0)(-251,-115)
+  \begin{minipage}{4cm}
+  {\tiny DLR ISE: Inverter, $E=98.5\%$}
+  \end{minipage}
  \end{picture}
  
 \end{slide}
@@ -369,7 +370,7 @@
  \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}{9cm}
-  Bereich ums Implantationsmaximum\\
+  Bereich um das Implantationsmaximum\\
   Moir\'e-Kontrast-Muster\\
   $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
  \end{minipage}
@@ -716,7 +717,7 @@
  NN-Abstand in 3C-SiC\\
  \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
  C-C Abstand in 3C-SiC\\
- vekettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
+ verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
  \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
  g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
  Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
@@ -903,6 +904,23 @@
 
  Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
 
+ \scriptsize
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
+ \end{minipage}
+
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
@@ -911,40 +929,88 @@
   Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
  }
 
- Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+ Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+
+ \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
+ \end{center}
+
+ \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
+ \begin{itemize}
+  \item System nicht mehr konservativ
+  \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
+ \end{itemize}
+ $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
 
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+  SiC-Ausscheidungen in Si
  }
 
- Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+ \begin{itemize}
+  \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC
+  \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb
+  \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps
+  \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle
+        ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$)
+ \end{itemize}
+
+ \vspace*{0.1cm}
+
+ Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\
+ Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$} 
+
+ \vspace*{0.2cm}
+
+ \begin{minipage}{5cm}
+ Initial Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{1cm}
+ $\rightarrow$\\
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6cm}
+ Relaxierte Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps}
+ \end{minipage}
+
 
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Zusammenfassung / Ausblick
+  Zusammenfassung und Ausblick
  }
 
-\vspace{24pt}
+\vspace{8pt}
+
+\begin{itemize}
+ \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen
+ \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten
+ \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang zu verstehen
+\end{itemize}
+
+\vspace{8pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
- \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
- \item Indication of SiC precipitation
+ \item Zwischengitterkonfigurationen
+ \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen
+ \item Untersuchungen an selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si
 \end{itemize}
 
 \vspace{24pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Displacement and stress calculations
- \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
- \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
+ \item Neue Versuche, neue Kombinationen
+ \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle
+ \item TAD
+ \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff)
+ \item Weitere Untersuchungen an selbst konstruierten Ausscheidungen
 \end{itemize}
 
 \end{slide}