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diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index 7ffada1..30efd76 100644
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -141,7 +141,7 @@
   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
   \item hohe mechanische Stabilit"at
   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
-  \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
+  \item hohe S"attigungselektronendriftgeschwindigkeit
   \item hohe Durchbruchfeldst"arke
   \item chemisch inerte Substanz
   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
@@ -162,7 +162,7 @@
  }
 
  \begin{picture}(0,0)(-255,-125)
-  \includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps} 
+  \includegraphics[width=4cm]{sic_wechselrichter_ise.eps} 
  \end{picture}
  \begin{picture}(0,0)(-251,-115)
   \begin{minipage}{4cm}
@@ -370,7 +370,7 @@
  \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}{9cm}
-  Bereich ums Implantationsmaximum\\
+  Bereich um das Implantationsmaximum\\
   Moir\'e-Kontrast-Muster\\
   $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
  \end{minipage}
@@ -717,7 +717,7 @@
  NN-Abstand in 3C-SiC\\
  \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
  C-C Abstand in 3C-SiC\\
- vekettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
+ verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
  \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
  g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
  Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
@@ -915,7 +915,7 @@
  \end{minipage}
  \begin{minipage}{6.3cm}
  \begin{center}
- Dosirate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
  \end{center}
  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}