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diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index d946ce3..30efd76 100644
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -141,7 +141,7 @@
   \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
   \item hohe mechanische Stabilit"at
   \item gute Ladungstr"agermobilit"at
-  \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
+  \item hohe S"attigungselektronendriftgeschwindigkeit
   \item hohe Durchbruchfeldst"arke
   \item chemisch inerte Substanz
   \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
@@ -156,17 +156,18 @@
   \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
   \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
   \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
-  \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
+  \item Micro-Electro-Mechanical System (MEMS)
  \end{itemize}
 
  }
 
- \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
-  %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps} 
+ \begin{picture}(0,0)(-255,-125)
+  \includegraphics[width=4cm]{sic_wechselrichter_ise.eps} 
  \end{picture}
- 
- \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
-  %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps} 
+ \begin{picture}(0,0)(-251,-115)
+  \begin{minipage}{4cm}
+  {\tiny DLR ISE: Inverter, $E=98.5\%$}
+  \end{minipage}
  \end{picture}
  
 \end{slide}
@@ -245,7 +246,7 @@
 
  {\color{blue}
  \begin{center}
-  Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
+  Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorgangs\\
   $\Downarrow$\\ 
   Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
  \end{center}
@@ -271,18 +272,47 @@
 
  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 
+ {\small
+
  \begin{itemize}
   \item Implantation 1:
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
-        $\rightarrow$
+        epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+        in kastenf"ormigen Bereich,\\
+        eingeschlossen in a-Si:C 
   \item Implantation 2:
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+        $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
-        $\rightarrow$
+        Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+        in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten 
   \item Tempern:
-        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
+        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
+        Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+        scharfen Grenzfl"achen
  \end{itemize}
+ 
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.2cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
+
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
+}
 
 \end{slide}
 
@@ -326,10 +356,24 @@
   SiC-Ausscheidungsvorgang
  }
 
- \vspace{64pt}
+ Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm]
 
- Hier die aus experimentellen Untersuchungen heraus vermuteten
- Ausscheidungsvorgaenge rein.
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+  Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\
+  Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\
+  $\rightarrow$ C-Si Dumbbells
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{3.3cm}
+ \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{9cm}
+  Bereich um das Implantationsmaximum\\
+  Moir\'e-Kontrast-Muster\\
+  $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
+ \end{minipage}
 
 \end{slide}
 
@@ -580,23 +624,18 @@
 
  \small
 
- \begin{minipage}{4cm}
+ \begin{minipage}{5.5cm}
  \begin{itemize}
   \item $E_f=0.47$ eV
-  \item Very often observed
-  \item Most energetically\\
-        favorable configuration
-  \item Experimental\\
-        evidence [6]
+  \item sehr h"aufig beobachtet
+  \item energetisch g"unstigste\\ Konfiguration
+  \item experimentelle und theoretische Hinweise
+        f"ur die Existenz dieser Konfiguration
  \end{itemize}
- \vspace{24pt}
- {\tiny
-  [6] G. D. Watkins and K. L. Brower,\\
-      Phys. Rev. Lett. 36 (1976) 1329.
- }
+ \includegraphics[width=5.6cm]{c_in_si_100.ps}
  \end{minipage}
- \begin{minipage}{8cm}
- \includegraphics[width=9cm]{100-c-si-db_s.eps}
+ \begin{minipage}{7cm}
+ \includegraphics[width=8cm]{100-c-si-db_s.eps}
  \end{minipage}
 
 \end{slide}
@@ -633,19 +672,22 @@
    bei konstanter Temperatur
    \begin{itemize}
     \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
-    \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
+    \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
     \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
    \end{itemize} 
   }}}}
   \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
-   \parbox{3.5cm}{
-   Abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
+   \parbox{5.0cm}{
+   Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
   }}}}
   \ncline[]{->}{init}{insert}
   \ncline[]{->}{insert}{cool}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
+  \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
+  \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$}
   \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
+  \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$}
   \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
   \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
   \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
@@ -656,8 +698,6 @@
 
 \end{slide}
 
-\end{document}
-
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
@@ -667,46 +707,125 @@
  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
  \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
 
- \begin{minipage}[t]{6.3cm}
- \tiny
-    \begin{itemize}
-      \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
-            or diamond\\
-            $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
-                          (almost only for high C concentrations)
-      \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
-      \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
-            (due to concatenated, differently oriented
-             <100> dumbbell interstitials)
-      \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
-            and a decrease at regular distances\\
-            (no clear peak,
-             interval of enhanced g(r) corresponds to C-C peak width)
-    \end{itemize}
- \end{minipage}
- \begin{minipage}[t]{6.3cm}
- \tiny
-   \begin{itemize}
-      \item Low C concentration (i.e. $V_1$):
-            The <100> dumbbell configuration
-            \begin{itemize}
-              \item is identified to stretch the Si-Si next neighbour distance
-                    to 0.3 nm
-              \item is identified to contribute to the Si-C peak at 0.19 nm
-              \item explains further C-Si peaks (dashed vertical lines)
-            \end{itemize}
-            $\Rightarrow$ C atoms are first elements arranged at distances
-                          expected for 3C-SiC\\
-            $\Rightarrow$ C atoms pull the Si atoms into the right
-                          configuration at a later stage
-      \item High C concentration (i.e. $V_2$ and $V_3$):
-            \begin{itemize}
-              \item High amount of damage introduced into the system
-              \item Short range order observed but almost no long range order
-            \end{itemize}
-            $\Rightarrow$ Start of amorphous SiC-like phase formation\\
-            $\Rightarrow$ Higher temperatures required for proper SiC formation
-    \end{itemize}
+ \vspace{-0.1cm}
+
+ \footnotesize
+ \underline{C-C, 0.15 nm}:\\
+ NN-Abstand in Graphit/Diamant\\
+ $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\
+ \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\
+ NN-Abstand in 3C-SiC\\
+ \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
+ C-C Abstand in 3C-SiC\\
+ verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
+ \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
+ g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
+ Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
+ Abfall bei regul"aren Abst"anden
+
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-40)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,-10)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps}
+ \end{picture}
+
+ \end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps}
+
+ \footnotesize
+ 
+ \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
+ 100 Dumbbell-Konfiguration\\
+ dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
+ Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
+ erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
+ $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
+ \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
+ Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
+ Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
+ $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
+ $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
+
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
+ \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
+ \begin{minipage}{5cm}
+  {\scriptsize
+  PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
+  F. Gao und W. J. Weber
+  }
+ \end{minipage}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+ 
+ \footnotesize
+
+ Zusammenfassung und Problemstellung:
+ \begin{itemize}
+  \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen
+  \item C-Konzentration niedrig:
+        \begin{itemize}
+         \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\
+               (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen)
+         \item keine Anh"aufung zu Embryos
+        \end{itemize}
+  \item C-Konzentration hoch:
+        \begin{itemize}
+         \item Ausbildung von C-C Bindungen
+               (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung)
+         \item amorphes SiC
+               (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen
+                Wert der Dosis)
+        \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \vspace{0.2cm}
+ {\color{blue} Ziel:}
+ \underline{
+ Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm]
+ Ans"atze:\\[0.2cm]
+ \begin{minipage}{7.5cm}
+ \begin{itemize}
+  \item H"ohere Temperaturen
+        \begin{itemize}
+         \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher
+         \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\
+               Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten
+        \end{itemize}
+  \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+        \begin{itemize}
+         \item minimaler Abstand
+         \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate)
+        \end{itemize}
+ \end{itemize}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{5.1cm}
+ \begin{itemize}
+  \item Modifikation der\\
+        Kraft/Potentialberechnung
+        \begin{itemize}
+         \item C-C cut-off erh"ohen
+         \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft
+               weglassen
+         \\\\
+        \end{itemize}
+ \end{itemize} 
  \end{minipage}
 
 \end{slide}
@@ -714,16 +833,92 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Very first results of the SiC precipitation runs
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
  }
 
- \begin{minipage}[t]{6.9cm}
-  \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/sic_pc.ps}
-  \includegraphics[width=6.3cm]{../plot/foo_end.ps}
-  \hspace{12pt}
+ H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps}
+ \small
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \[
+ \text{\scriptsize Quality}
+  = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}}
+         {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}}
+ \]
+ \\
+ \underline{Si-C PCF}:\\
+ cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\
+ $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks
+ $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm]
+ {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht}
  \end{minipage}
- \begin{minipage}[c]{5.5cm}
-  \includegraphics[width=6.0cm]{sic_si-c-n.eps}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-2)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,16)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps}
+ \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm]
+ \begin{itemize}
+  \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$
+  \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$
+  \item Temperatur f"ur 100 ps halten
+  \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \end{itemize}
+ \vspace{0.2cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps}
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
+
+ \scriptsize
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \begin{center}
+ Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ \end{center}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
+ \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
  \end{minipage}
 
 \end{slide}
@@ -731,23 +926,91 @@
 \begin{slide}
 
  {\large\bf
-  Summary / Outlook
+  Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
  }
 
-\vspace{24pt}
+ Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
+
+ \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
+ \begin{center}
+ \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
+ \end{center}
+
+ \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
+ \begin{itemize}
+  \item System nicht mehr konservativ
+  \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
+ \end{itemize}
+ $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  SiC-Ausscheidungen in Si
+ }
+
+ \begin{itemize}
+  \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC
+  \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb
+  \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps
+  \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle
+        ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$)
+ \end{itemize}
+
+ \vspace*{0.1cm}
+
+ Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\
+ Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$} 
+
+ \vspace*{0.2cm}
+
+ \begin{minipage}{5cm}
+ Initial Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps}
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{1cm}
+ $\rightarrow$\\
+ \end{minipage}
+ \begin{minipage}{6cm}
+ Relaxierte Konfiguration\\
+ \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps}
+ \end{minipage}
+
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+  Zusammenfassung und Ausblick
+ }
+
+\vspace{8pt}
+
+\begin{itemize}
+ \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen
+ \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten
+ \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang zu verstehen
+\end{itemize}
+
+\vspace{8pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism
- \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential
- \item Indication of SiC precipitation
+ \item Zwischengitterkonfigurationen
+ \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen
+ \item Untersuchungen an selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si
 \end{itemize}
 
 \vspace{24pt}
 
 \begin{itemize}
- \item Displacement and stress calculations
- \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC
- \item Analyzing self-designed Si/SiC interface
+ \item Neue Versuche, neue Kombinationen
+ \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle
+ \item TAD
+ \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff)
+ \item Weitere Untersuchungen an selbst konstruierten Ausscheidungen
 \end{itemize}
 
 \end{slide}