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authorhackbard <hackbard>
Thu, 22 Jan 2004 14:46:37 +0000 (14:46 +0000)
committerhackbard <hackbard>
Thu, 22 Jan 2004 14:46:37 +0000 (14:46 +0000)
nlsop/nlsop_fp_b.tex

index 4810e91..b19c9a3 100644 (file)
@@ -180,7 +180,7 @@ Das Silizium-Target wird in Zellen aufgeteilt, deren Anzahl als Parameter "uberg
  \item Zustand: amorph (rot) oder kristallin (blau)
  \item Kohlenstoffkonzentration
 \end{itemize}
-Der Simulationsalgorithmus kann in drei Teile gegliedert werden:
+Der Simulationsalgorithmus kann in drei Teile gegliedert werden, jeder Ducrchlauf entspricht dabei einem implantierten Kohlenstoffion.
 \begin{itemize}
  \item Amorphisierung/Rekristallation:
   \begin{itemize}
@@ -190,11 +190,30 @@ Der Simulationsalgorithmus kann in drei Teile gegliedert werden:
    \item Berechnung der Amorphisierungs bzw. Rekristallationswahrscheinlichkeit:\\
     Die Wahrscheinlichkeit der Amorphisierung einer Zelle soll proportional zur Druckspannung auf das Gebiet und der eigenen Kohlenstoffkonzentartion sein. Daher gilt:\\
     $\displaystyle p_{c \rightarrow a}=\sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap}}{\textrm{Abstand}^2} + b_{ap} + a_{cp}c_{\textrm{Kohlenstoff}}$\\
-    Die Rekristallisation sollte sich genau entgegengesetzt verhalten und wird zur Vereinfachung als $\displaystyle p_{a \rightarrow c}=1-p_{c \rightarrow a}$ angenommen.
+    Die Koordinaten f"ur den Sto"sproze"s werden durch ausw"urfeln von drei Zufallszahlen erzeugt.
+    Die Rekristallisation sollte sich genau entgegengesetzt verhalten und wird zur Vereinfachung als $\displaystyle p_{a \rightarrow c}=1-p_{c \rightarrow a}$ angenommen. Eine weitere Zufallszahl entscheidet ob das Gebiet amorph wird, rekristallisiert oder den derzeitigen Zustand beibeh"alt.
   \end{itemize}
+ \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium Target:\\
+  Das implantierte Teilchen wird nicht am Ort des Sto"sproze"ses zur Ruhe kommen. Es wird eine Richtungs"anderung erfahren und weitere Sto"sproze"se vollziehen. Mit gro"ser Wahrscheinlichkeit wird es erst in der amorphen $SiC_x$ Schicht zur Ruhe kommen.  Deshalb wird zu Beginn des Programms das Verh"atnis von Kohlenstoff im Simulationsfenster zum gesamten Kohlenstoff durch Auslesen eines Konzentrationsprofils, ermittelt durch TRIM, berechnet. Da die Kohlenstoffverteilung im Bereich des Implantationsfensters linear gen"ahert wird, sieht die Prozedur wie folgt aus:
+  \begin{itemize}
+   \item Kohlenstoff innerhalb des Simulationsfesnters:\\
+    Ist die Anzahl, des im Simulationsfenster enthaltenen Kohlenstoffs kleiner dem bisher gesamt implnatierten multipliziert mit oberen Verh"altnis, so wird der n"achste Schritt ausgef"uhrt.\\
+    ($\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} * c_{ratio}$)
+   \item zuf"allige Wahl von Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung:\\
+    Analog zur Bestimmung der Sto"skoordinaten wird durch 3 Zufallszahlen das Gebiet in dem die lokale Kohlenstoffkonzentration inkremeniert wird ausgew"ahlt. Es gilt:\\
+    $p(x)dx=dx \textrm{, } p(y)dy=dy \textrm{, } p(z)dz=(a_{cd}*z+b_{cd})dz$
+  \end{itemize}
+ \item Diffusion:\\
+  Die Diffusionsroutinen werden alle $d_v$ Schritte ausgef"uhrt, dies ist somit ein Ma"s f"ur die Diffusionsgeschwindigkeit.
+  \begin{itemize}
+   \item Kohlenstoff Diffusion von kristalline in amorphe Gebiete:\\
+    Im Programmablauf wird jede Zelle des Targets betrachtet. Ist diese amorph, so werden aus den umliegenden kristallinen Nachbarzellen $c_C(Nachbar)*dr_{ac}$ Kohlenstoffionen transportiert. $dr_{ac}$ entspricht somit einer Diffusionsrate. Bisher gibt es keine Beschr"ankungen, wie zum Beispiel eine S"attigungskonzentartion.
+   \item Kohlenstoff Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete:\\
+    Ist eine betrachtete Zelle kristallin, und hat sie kristalline Nachbarn, so werden $\frac{\textrm{Differenz}}{2}*dr_{cc}$ Kohlenstoffionen transferiert. Da ein lineares Konzentrationsverhalten garantiert werden muss, darf diese Diffusion nur in der horizontalen Ebene stattfinden. Dies ist physiklaisch nicht sinnvoll begr"undbar, daher kann die rein kristalline Diffusion weggelassen werden.
+  \end{itemize}
+  Die Diffusion ist der rechenintensivste Schritt der Simulation. Sie macht aus dem bisherigen $O(n)$-Problem ein $O(n^2)$-Problem.
 \end{itemize}
 
-
 \subsection{Ablaufschema}
 Im Folgenden ist der Simulationsablauf in Form eines Ablaufschemas dargestellt. Die weiter oben erw"ahnte Dreiteilung der Programmablaufs ist durch die gestrichenen Linien hervorgehoben.
 \originalTeX
@@ -354,6 +373,11 @@ Im Folgenden ist der Simulationsablauf in Form eines Ablaufschemas dargestellt.
 \end{figure}
  
 \section{Bedienung des Programms}
+Im folgenden soll die Bedienung des Simultionsprogramms erkl"art werden. Das Programm muss immer per Kommandozeile getsartet werden. Auf Systemen die DirectFB installiert und den Simulationscode entsprechend "ubersetzt haben, hat man die M"oglichkeit die Simulation grafisch zu verfolgen oder auch fertige gespeicherte Simulationen zu betrachten. Auf Beides wird im folgenden eingegangen.
+Der Leser der nur an der Funktionsweise und den Ergebnissen interessiert ist kann dieses Kapitel getrost "uberspringen.
+\subsection{Kommandozeilen Argumente}
+\subsection{Die grafische Oberfl"ache}
+
 
 \section{Ergebnisse der Simulation}