ci often and soon

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index 1e553d0..bceaa04 100644 (file)
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@@ -239,12 +239,17 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     Sto"skoordinaten werden entsprechend der nuklearen Bremskraft gew"ahlt, der Einbau des Kohlenstoffs erfolgt gem"a"s des Implantationsprofils.
     Die Sputterroutine wird gestartet sobald die implantierte Dosis der Dosis entspricht, die $3 nm$ Abtrag zur Folge hat.
 
-    In ersten Simulationsl"aufen wurde zun"achst versucht die durchgehende amorphe $SiC_x$-Schicht zu reproduzieren.
-    
-
     \subsection{Reproduzierbarkeit der Dosisentwicklung}
 
-    Abbildung x zeigt den Vergleich der \ldots
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{dosis_entwicklung3.eps}
+    \caption{Vergleich der experimentellen und simulierten Dosisentwicklung bei a) $1,0 \times 10^{17} cm^{-2}$, b) $2,1 \times 10^{17} cm^{-2}$, c) $3,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ und d) $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. Simulationsparameter: $p_b=0,01$, $p_c=0,001$, $p_s=0,0001$, $d_r=0,05$, $d_v=1 \times 10^{6}$.}
+    \label{img:dose_devel}
+    \end{figure}
+
+    Abbildung \ref{img:dose_devel} zeigt im Vergleich die experimentelle und simulierte Dosisentwicklung.
+    Man erkennt eine gute "Ubereinstimmung zwischen Experiment und Simulation.
+    Bis 
 
     \subsection{Variation der Simulationsparameter}