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 % wer macht was? immer wichtig, auch wenn \maketitle versagt ... ;)
 \author{Frank Zirkelbach}
-\title{Monte Carlo Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium}
+\title{Monte Carlo Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
 
 \begin{document}
 

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index 9c77e4a..7e6aa2e 100644 (file)
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       \subsubsection{Bremsquerschnitt}
 
       Um die Abbremsung der Ionen durch elektronische und nukleare Streuung zu beschreiben, definiert man den sogenannten Bremsquerschnitt.
-      \[
+      \begin{equation}
       S_{e,n} = - \frac{1}{N} \Big( \frac{\partial E}{\partial x} \Big)_{e,n}
-      \]
-      Dieser ist proportional zuzr Bremskraft $\frac{\partial E}{\partial x}$, welche angibt, wieviel Energie $E$ des Ions pro zur"uckgelegter Wegl"ange $x$ abgegeben wird.
+      \end{equation}
+      Dieser ist proportional zur Bremskraft $\frac{\partial E}{\partial x}$, welche angibt, wieviel Energie $E$ des Ions pro zur"uckgelegter Wegl"ange $x$ abgegeben wird.
       $N$ ist die atomare Dichte des Festk"orpers.
-      Zerlegt man nun die Energieverlustrate in einen nuklearen und einen elektronischen Anteil so erh"alt man f"r den Energieverlust pro Wegl"ange:
-      \[
-      - \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_e(E) + S_n(E) \Big)
-      \]
+      Zerlegt man nun die Energieverlustrate in einen nuklearen und einen elektronischen Anteil so erh"alt man f"ur den Energieverlust pro Wegl"ange:
+      \begin{equation}
+      - \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_e(E) + S_n(E) \Big) \quad \textrm{.}
+      \end{equation}
+      Durch Kehrwertbildung und Integration "uber die Energie erh"alt man die mittlere Reichweite $R$ des Ions.
+      Sei dessen Anfangsenergie $E_0$, so gilt:
+      \begin{equation}
+      R = \frac{1}{N} \int_0^{E_0} \frac{d E}{S_e(E) + S_n(E)} \quad \textrm{.}
+      \end{equation}
+      Um die Reichweite des Ions berechnen zu k"onnen, m"ussen noch der nukleare ($S_n$) und elektronische ($S_e$) Bremsquerschnitt bestimmt werden.
 
       \subsubsection{Nukleare Bremskraft}
 
+      Die Wechselwirkung mit den Atomkernen des Targets kann durch einen elastischen Sto"sprozess beschrieben werden.
+
+
       \subsubsection{Elektronische Bremskraft}
 
     \subsection{Implantationsprofil}

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index c5306d8..0e45c66 100644 (file)
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 \begin{center}
 
   {\LARGE\bf
-  Monte-Carlo-Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\
+  Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium \\
   }
 
   \vspace{40pt}