finisched chapter 2, begin modell

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index 1da6d0a..65f7b37 100644 (file)
--- a/nlsop/nlsop_fp_b.tex
+++ b/nlsop/nlsop_fp_b.tex
@@ -1,4 +1,4 @@
-\documentclass{report}
+\documentclass{book}
 
 \usepackage{verbatim}
 \usepackage[german]{babel}
@@ -7,7 +7,7 @@
 \usepackage{amsmath}
 \usepackage{ae}
 
-\usepackage{graphicx}
+\usepackage[dvips]{graphicx}
 \graphicspath{{./img/}}
 
 \usepackage{./graphs}
@@ -103,13 +103,34 @@ Nun kann mit $S_e$ und $S_n$ die mittlere Reichweite berechnet werden. Allerding
 \]
 $D$ entspricht hier der Dosis, also die Zahl der implantierten Ionen pro Fl"ache, $\Delta R_p$ ist die Standardabweichung der projezierten Reichweite $R_p$.
 
-In folgender Abbildung ...
+Folgende Abbildung zeigt ein tiefenabh"angiges Implantationsprofil zusammen mit elektronischen und nuklearen Energieverlust, ermittelt durch das Monte-Carlo-Simulationsprogramm TRIM.\\
+\includegraphics{implsim_.eps}
 
 \section{Amorphisierung}
+Durch die Bestrahlung des Targets werden Sch"aden im Kristallgitter hervorgerufen. Dabei werden Targetatome durch St"o"se mit Ionen verlagert, oder durch St"o"se durch bereits angesto"sene Atome, sogenannten Recoils, wenn diese mindestens die Verlagerungsenergie $E_d$ besitzen. Im letzten Fall spricht man auch von Verlagerungskaskaden. Die in einem prim"aren Sto"s verlagerten Atome, durch ein Ion der Energie $E$, kann nach Kinchin Pease zu
+\[
+ N_{p,d} = \frac{E}{E_d}
+\]
+abgesch"atzt werden.
+
+Gleichzeitig heilen Defekte aus, indem verlagerte Gitteratome an ihren Gitterplatz zur"uckkehren. Bei der thermischen Defektausheilung wird dies durch die thermisch erh"ohte Mobilit"at der Defekte erm"oglicht. Andererseits kann der Ionenstrahl selbst zur Defektausheilung beitragen. Dieser kann an amorph/kristallinen Grenzfl"achen Rekristallisation beg"unstigen oder auch zur Bildung von Kristallisationskeimen in amorphen Gebieten f"uhren.
+
+F"ur die weitere Arbeit von Bedeutung, ist der experimentelle Befund, da"s sich die Intensit"at der Strahlensch"adigung wie die nukleare Bremskraft verh"alt.
+
 
 \chapter{Modell und Simulation}
 
-\section{Modellannahmen}
+\section{Gegenstand der Simulation}
+Wie bereits in der Einleitung erw"ahnt, soll in dieser Arbeit nur die Entstehung und Selbstorganisation lamellarer amorpher Ausscheidungen oberhalb des Implantationsmaximums behandelt werden. Diese beobachtet man bei Implantationen in $(100)$-orientiertes Silizium bei niedrigen Targettemperaturen, typischerweise $T<400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$. "Ahnliches wurde auch bei der Hochdosis-Sauerstoff-Implantation in Silizium gefunden.
+
+Implantationsprofile oder nukleare Bremskr"afte, so wie weitere verwendete Ergebnisse werden nicht simuliert. Im Gegenteil, diese Gr"o"sen werden aus schon existierenden Simulationsprogrammen wie TRIM entnommen.
+
+Folgende Abbildung zeigt eine TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} \frac{C}{cm^2}$ implantiertenProbe bei einer Targettemperatur von $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$. Da die amorphe $SiC_x$-Schicht nicht weiter von Interesse ist, beschr"ankt sich das Simulationsfenster von Anfang der Probe bis zu Beginn der durchgehenden amorphen Schicht (hier ca. $310nm$). Ziel ist es, die in der rechten Vergr"o"serung gut zu erkennenden lamellaren und sph"arischen Einschl"u"se zu reproduzieren.\\
+\includegraphics[width=10cm]{k393abild1.eps}
+
+\section{Das Modell}
+
+\section{weitere Modellannahmen}
 \subsection{Strahlensch"adigung und nukleare Bremskraft}
 \subsection{Druckspannung und Amorphisierung}
 \subsection{Implantationsprofil und Kohlenstoffverteilung}