vor eis
authorhackbard <hackbard@hackdaworld.org>
Thu, 5 Jan 2012 20:33:02 +0000 (21:33 +0100)
committerhackbard <hackbard@hackdaworld.org>
Thu, 5 Jan 2012 20:33:02 +0000 (21:33 +0100)
posic/talks/defense.tex
posic/talks/defense.txt

index d41cff2..209fbd7 100644 (file)
@@ -966,7 +966,7 @@ $E_{\text{f}}=5.18\text{ eV}$\\
 
 \scriptsize
 
 
 \scriptsize
 
-\vspace{0.2cm}
+\vspace{0.3cm}
 
 \begin{minipage}{6.8cm}
 \framebox{\hkl[0 0 -1] $\rightarrow$ \hkl[0 0 1]}\\
 
 \begin{minipage}{6.8cm}
 \framebox{\hkl[0 0 -1] $\rightarrow$ \hkl[0 0 1]}\\
@@ -985,14 +985,14 @@ $\rightarrow$
 \begin{minipage}{2.0cm}
 \includegraphics[width=2.0cm]{c_pd_vasp/100_next_2333.eps}
 \end{minipage}\\[0.1cm]
 \begin{minipage}{2.0cm}
 \includegraphics[width=2.0cm]{c_pd_vasp/100_next_2333.eps}
 \end{minipage}\\[0.1cm]
-Spin polarization\\
-$\Rightarrow$ BC configuration constitutes local minimum\\
+Symmetry:\\
+$\Rightarrow$ Sufficient to consider \hkl[00-1] to BC transition\\
 $\Rightarrow$ Migration barrier to reach BC | $\Delta E=\unit[1.2]{eV}$
 \end{minipage}
 \begin{minipage}{5.4cm}
 \includegraphics[width=6.0cm]{im_00-1_nosym_sp_fullct_thesis_vasp_s.ps}
 %\end{minipage}\\[0.2cm]
 $\Rightarrow$ Migration barrier to reach BC | $\Delta E=\unit[1.2]{eV}$
 \end{minipage}
 \begin{minipage}{5.4cm}
 \includegraphics[width=6.0cm]{im_00-1_nosym_sp_fullct_thesis_vasp_s.ps}
 %\end{minipage}\\[0.2cm]
-\end{minipage}\\[0.3cm]
+\end{minipage}\\[0.4cm]
 %\hrule
 %
 \begin{minipage}{6.8cm}
 %\hrule
 %
 \begin{minipage}{6.8cm}
@@ -1083,7 +1083,7 @@ Note: Change in orientation
 
 \headphd
 {\large\bf\boldmath
 
 \headphd
 {\large\bf\boldmath
- Defect combinations
+ Defect combinations --- ab inito
 }
 
 \footnotesize
 }
 
 \footnotesize
index d20c449..7ffca51 100644 (file)
@@ -213,6 +213,7 @@ crossing the bc configuration.
 due to symmetry it is sufficient to merely consider the migration into the bc
 configuration.
 an activation energy of 1.2 eV is obtained.
 due to symmetry it is sufficient to merely consider the migration into the bc
 configuration.
 an activation energy of 1.2 eV is obtained.
+actually another barrier exists to reach a 100 type configuration.
 
 in path two, the carbon atom moves towards the same silicon atom, however,
 it escapes the 110 plane and forms a 0-10 oriented db.
 
 in path two, the carbon atom moves towards the same silicon atom, however,
 it escapes the 110 plane and forms a 0-10 oriented db.