knapp, aber koennte gehen
authorhackbard <hackbard@hackdaworld.org>
Thu, 5 Jan 2012 23:18:21 +0000 (00:18 +0100)
committerhackbard <hackbard@hackdaworld.org>
Thu, 5 Jan 2012 23:18:21 +0000 (00:18 +0100)
posic/talks/defense.tex
posic/talks/defense.txt

index 209fbd7..e0f334d 100644 (file)
@@ -1708,8 +1708,7 @@ $\Rightarrow$ Phase transition consists of {\color{red}\underline{many}}
 
 {\bf Limitations related to the short range potential}\\[0.2cm]
 Cut-off function limits interaction to next neighbours\\
 
 {\bf Limitations related to the short range potential}\\[0.2cm]
 Cut-off function limits interaction to next neighbours\\
-$\Rightarrow$ Overestimated unphysical high forces of next neighbours
-              (factor: 2.4--3.4)
+$\Rightarrow$ Overestimated diffusion barrier (factor: 2.4--3.4)
 
 \vspace{1.4cm}
 
 
 \vspace{1.4cm}
 
@@ -2013,7 +2012,7 @@ High C \& low T implants
   \item Low T $\rightarrow$ C-Si \hkl<1 0 0> dumbbell dominated structure
   \item High T $\rightarrow$ C$_{\text{sub}}$ dominated structure
   \item High T necessary to simulate IBS conditions (far from equilibrium)
   \item Low T $\rightarrow$ C-Si \hkl<1 0 0> dumbbell dominated structure
   \item High T $\rightarrow$ C$_{\text{sub}}$ dominated structure
   \item High T necessary to simulate IBS conditions (far from equilibrium)
-  \item Increased participation of \cs{} in the precipitation process
+  \item \cs{} involved in the precipitation process at elevated temperatures
   \item \si{}: vehicle to form \cs{} \& supply of Si \& stress compensation
         (stretched SiC, interface)
  \end{itemize}
   \item \si{}: vehicle to form \cs{} \& supply of Si \& stress compensation
         (stretched SiC, interface)
  \end{itemize}
@@ -2022,7 +2021,7 @@ High C \& low T implants
 
 \begin{center}
 {\color{blue}\bf
 
 \begin{center}
 {\color{blue}\bf
-\framebox{Precipitation by successive agglomeration of \cs{}}
+\framebox{IBS: 3C-SiC precipitation occurs by successive agglomeration of \cs{}}
 }
 \end{center}
 
 }
 \end{center}
 
index 7ffca51..6a01079 100644 (file)
@@ -377,10 +377,10 @@ even the C atoms are already found in a separation as expected in cubic SiC.
 
 turning to the high C concentration simulations, i.e. the v1 and v2 simulation,
 a high amount of strongly bound C-C bonds
 
 turning to the high C concentration simulations, i.e. the v1 and v2 simulation,
 a high amount of strongly bound C-C bonds
-as in graphite or diamond are observed.
-an increased defect and damage density is obtained,
-which makes it hard to categorize and trace defect arrangements.
-only short range orde is observed.
+as in graphite or diamond is observed.
+due to increased defect and damage densities 
+defect arrangemnets are hard to categorize and trace.
+only short range order is observed.
 and, indeed, comparing to other distribution data, an amorphous SiC-like
 phase is obtained.
 
 and, indeed, comparing to other distribution data, an amorphous SiC-like
 phase is obtained.
 
@@ -447,10 +447,8 @@ slide 26
 
 to conclude, stretched coherent structures of SiC embedded in the Si host
 are directly observed.
 
 to conclude, stretched coherent structures of SiC embedded in the Si host
 are directly observed.
-therefore, an increased participation of Cs is suggested
-for implantations at elevated temperatures,
-which simulate the conditions prevalent in ibs that deviate the system
-from thermodynamic equilibrium enabling Ci to turn into Cs.
+therefore, it is concluded that Cs is extensively involved
+in the precipitation process for implantations at elevated temperatures.
 
 the emission of Si_i serves several needs:
 as a vehicle to rearrange the Cs,
 
 the emission of Si_i serves several needs:
 as a vehicle to rearrange the Cs,
@@ -470,10 +468,32 @@ to summarize, the results suggest that Cs plays an important role
 in the precipitation process.
 moreover, high temperatures are necessary to model ibs conditions,
 which are far from equilibrium.
 in the precipitation process.
 moreover, high temperatures are necessary to model ibs conditions,
 which are far from equilibrium.
+the high temperatures deviate the system from thermodynamic equilibrium
+enabling Ci to turn into Cs.
 
 slide 27
 
 to summarize and conclude ...
 
 slide 27
 
 to summarize and conclude ...
+defect structures were described by both methods.
+the interstitial carbon mmigration path was identified.
+it turned out that the the diffusion barrier is drastically overestimated
+within the ea description.
+
+combinations of defects were investigated by first principles methods.
+the agglomeration of point defects is energetically favorable.
+however, substitutional carbon arises in all probability.
+even transitions from the ground state are very likely to occur.
+
+concerning the precipitation simulations, the problem of the potential
+enhanced slow phase space propagation was discussed.
+it was found that low and high temperatures result in structures
+dominated by interstitial and substitutional defects respectively.
+comparing with experiment, it is concluded,
+that high temperatures are necessary to model ibs conditions.
+it was concluded that Cs is involved in the precipitation process
+at elevated temperatures.
+the role of the Si_i was outlined and in one case directly observed
+in simulation.
 
 slide 28
 
 
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