fixed einleitung

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 \chapter{Einleitung}
 
-Die Ionenimplantation ...\\
+Bei der Ionenimplantation werden Atome oder Molek"ule ionisiert, in einem elektrostatischen Feld beschleunigt und in einen Festk"orper geschossen.
+Dabei sind beliebige Ion-Target-Kombinationen m"oglich.
+Die Beschleunigungsenergie kann zwischen einigen Kiloelektronenvolt und einigen Millionen Elektronenvolt liegen.
+Neben der Energie bestimmt die Masse der Ionen und die Masse der Atome des Festk"orpers die Eindringtiefe der Ionen.
+
+Die Ionenimplantation erm"oglicht so die Modifikation oberfl"achennaher Schichten des Festk"orpers.
+In der Halbleiterindustrie ist sie schon lang ein bew"ahrtes Mittel zur Dotierung von Halbleiterkristallen.
+Die Ionenimplantation ist prinzipiell unabh"angig von chemischen L"oslichkeitsgrenzen und der Implantationstemperatur.
+Ihre technologischen Vorz"uge sind:
+\begin{itemize}
+  \item Schnelligkeit
+  \item Homogenit"at
+  \item Reproduzierbarkeit
+  \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge \\
+  (durch einfache Stromintegration)
+\end{itemize}
 
 Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende Nano- und Mikrostruktur weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
 Eine der un"ublichsten Antworten des Systems auf die "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden.
 
-Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{herstellung_sic_schicht}, fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht begleitet von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache.
+Bei Untersuchungen von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{herstellung_sic_schicht},\\
+fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht begleitet von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache.
 Diese Ausscheidungen sind regelm"a"sig angeordnet.
 Es handelt sich um einen Selbstorganisationsprozess.
 Ein Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorgangs ist in \cite{chef_habil} vorgestellt.